TWI725880B

TWI725880B - 微機電射頻體聲波濾波器及其製造方法

Info

Publication number: TWI725880B
Application number: TW109121254A
Authority: TW
Inventors: 黃俊龍; 陳瑛祥; 楊馥瑄
Original assignee: 黃俊龍; 陳瑛祥; 楊馥瑄
Priority date: 2020-06-23
Filing date: 2020-06-23
Publication date: 2021-04-21
Also published as: TW202201821A

Abstract

一種微機電射頻體聲波濾波器包含基材、第一導電墊、聲波諧振元件、第一介電薄膜疊層、第二介電薄膜疊層、第三介電薄膜疊層以及第二導電墊。第一導電墊覆蓋基材之腔穴的開口。聲波諧振元件係形成於第一導電墊上。第一介電薄膜疊層被覆第一導電墊之陡峭的第一側壁及聲波諧振元件之陡峭的第二側壁。第二介電薄膜疊層被覆聲波諧振元件之陡峭的第三側壁。第三介電薄膜疊層被覆第一導電墊之陡峭的第四側壁。第二導電墊被覆第一介電薄膜疊層且延伸至聲波諧振元件及基材上。本發明之微機電射頻體聲波濾波器具有較低的形貌變化，導致較低的寄生電容。

Description

微機電射頻體聲波濾波器及其製造方法

本發明關於一種微機電(micro-electro-mechanical system, MEMS)射頻體聲波(bulk acoustic wave, BAW)濾波器及其製造方法，並且特別是關於一種具有較低的形貌變化導致較低的寄生電容之微機電射頻體聲波濾波器及其製造方法。

在無線通訊射頻元件中，濾波器作為過濾特定頻率訊號的中介，避免不同頻段雜訊干擾。以往表面聲波(surface acoustic wave, SAW)濾波器基於價格較具競爭力的緣故，成為市場的主流。但是，隨著對高頻率、高效能濾波產品的需求產生，以微機電技術製造且價格較高、性能較好的射頻濾波器逐漸為智慧型手機與通訊設備所採納。以微機電技術製造的射頻體聲波濾波器分別有薄膜塊體聲波共振器(film bulk acoustic wave resonator, FBAR)濾波器以及固態堆疊共振器(Solid Mount Resonantor, SMR)濾波器兩種結構。關於先前技術之薄膜塊體聲波共振器濾波器以及固態堆疊型濾波器的結構與仍需克服的問題將詳述於下。

請參閱圖1及圖2，圖1係以剖面視圖示意地繪示先前技術之薄膜塊體聲波共振器濾波器1的結構。圖2係以剖面視圖示意地繪示先前技術之固態堆疊型濾波器2的結構。

如圖1所示，先前技術之薄膜塊體聲波共振器濾波器1包含第一基材10、第一導電墊11、聲波諧振元件12、第一介電層13、第二介電層14、第二導電墊15、第二基材16、第一電極17以及第二電極18。

第一基材10具有下腔穴102。第一導電墊11係形成於第一基材10上，並且覆蓋下腔穴102的開口1022。

聲波諧振元件12係形成於第一導電墊11上，並且位於下腔穴102的開口1022的上方。需注意的是，聲波諧振元件12具有平緩的第一側壁122以及平緩的第二側壁124。第一導電墊11並且被覆聲波諧振元件12之平緩的第一側壁122。

第一介電層13係形成於第一基材10上，並且緊臨聲波諧振元件12之平緩的第一側壁122。第一導電墊11並且延伸至聲波諧振元件12的頂表面上，並且被覆第一介電層13的頂表面。

第二介電層14係形成以被覆聲波諧振元件12具之平緩的第二側壁124，並且延伸至聲波諧振元件12的頂表面以及第一基材10上。第二導電墊15係形成以被覆第二介電層14。

第二基材16具有上腔穴162。第二基材16係與第一基材10接合，致使聲波諧振元件12置於第二基材16的上腔穴162內。

第一電極17係形成以貫穿第二基材16進而接觸第一導電墊11之第一端部份112。第二電極18係形成以貫穿第二基材16進而接觸第二導電墊15之第二端部份152。

圖1所示薄膜塊體聲波共振器濾波器1係以晶圓封裝方式製造，也就是說同一晶圓上同時製造多個薄膜塊體聲波共振器濾波器1。第一介電層13以及第二介電層14即做為多個薄膜塊體聲波共振器濾波器1之間的間隔層(spacer)。然而，聲波諧振元件12具有平緩的第一側壁122以及平緩的第二側壁124，致使第一介電層13以及第二介電層14的寬度甚寬。理論上，第一介電層13以及第二介電層14的寬度一旦大於5μm，先前技術之薄膜塊體聲波共振器濾波器1在運作過程中，如圖1所示，在第一介電層13以及第二介電層14上標以虛線框處即會產生寄生電容，進而發生雜訊。實際上，在第一介電層13以及第二介電層14上標以虛線框處之寬度甚至大於10μm，導致寄生電容的影響相當明顯。

如圖2所示，先前技術之固態堆疊共振器濾波器2包含第一基材20、第一導電墊21、聲波諧振元件22、第一介電層23、第二介電層24、第二導電墊25、第二基材26、第一電極27、第二電極28以及布拉格反射鏡堆疊結構29。

布拉格反射鏡堆疊結構29係形成於第一基材20。布拉格反射鏡堆疊結構29係由高聲阻材料薄膜292(例如，W、Mo、HfO ₂、AlN、ZnO、Ta ₂O ₅等材料所形成的薄膜)以及低聲阻材料薄膜294(例如，SiO ₂等材料所形成的薄膜)交互堆叠而成。布拉格反射鏡堆疊結構29用以反射通訊波。

第一導電墊21係形成於布拉格反射鏡堆疊結構29上。聲波諧振元件22係形成於第一導電墊21上。需注意的是，聲波諧振元件22具有平緩的第一側壁222以及平緩的第二側壁224。第一導電墊21並且被覆聲波諧振元件22之平緩的第一側壁222。

第一介電層23係形成於布拉格反射鏡堆疊結構29上，並且緊臨聲波諧振元件22之平緩的第一側壁222。第一導電墊21並且延伸至聲波諧振元件22的頂表面上，並且被覆(或部分被覆)第一介電層23的頂表面。

第二介電層24係形成以被覆聲波諧振元件22具之平緩的第二側壁224，並且延伸至聲波諧振元件22的頂表面以及布拉格反射鏡堆疊結構29上。第二導電墊25係形成以被覆第二介電層24。

第二基材26具有上腔穴262。第二基材26係與第一基材20接合，致使聲波諧振元件22置於第二基材26的上腔穴262內。

第一電極27係形成以貫穿第二基材26進而接觸第一導電墊21之第一端部份212。第二電極28係形成以貫穿第二基材26進而接觸第二導電墊25之第二端部份252。

圖2所示固態堆疊共振器濾波器2係以晶圓封裝方式製造，也就是說同一晶圓上同時製造多個體聲波濾波器2。第一介電層23以及第二介電層24即做為多個體聲波濾波器2之間的間隔層。然而，聲波諧振元件22具有平緩的第一側壁222以及平緩的第二側壁224，致使第一介電層23以及第二介電層24的寬度甚寬。同樣地，理論上，第一介電層23以及第二介電層24的寬度一旦大於5μm，先前技術之體聲波濾波器2在運作過程中，如圖2所示，在第一介電層23以及第二介電層24上標以虛線框處即會產生寄生電容，進而發生雜訊。實際上，在第一介電層23以及第二介電層24上標以虛線框處之寬度甚至大於10μm，導致寄生電容的影響相當明顯。

此外，先前技術之薄膜塊體聲波共振器濾波器1在製造上，會在第一基材10上先形成凹陷。先前技術大多採用矽基材做為第一基材10。接著，先前技術形成犧牲材料層以填平凹陷，再形成第一導電墊11以及聲波諧振元件12於第一基材10上且覆蓋犧牲材料層。形成犧牲材料層的材料可以是二氧化矽、鋁、鎵、非晶矽、多孔矽或磷矽玻璃(phosphorus silicate glass, PSG)。聲波諧振元件12具有微通孔。位於聲波諧振元件12下方的犧牲材料層通過微通孔進行蝕刻，進而形成下腔穴102。

然而，利用犧牲材料層與聲波諧振元件12的微通孔來形成下腔穴102讓先前技術之薄膜塊體聲波共振器濾波器1在製造上耗時、良率較低。並且，堆疊於犧牲材料層上的聲波諧振元件12其磊晶品質亦受限於犧牲材料層的非晶結構而難以改進，影響了聲波諧振元件12的能源轉換效率。

此外，先前技術之薄膜塊體聲波共振器濾波器1以及先前技術之固態堆疊共振器濾波器2大多採用矽晶圓做為基材，其製造成本仍高。

因此，本發明所欲解決之一技術問題在於提供一種具有較低的形貌變化導致較低的寄生電容之微機電射頻體聲波濾波器及其製造方法。

根據本發明之第一較佳具體實施例之微機電射頻體聲波濾波器包含第一基材、第一導電墊、聲波諧振元件、第一介電薄膜疊層、第二介電薄膜疊層、第三介電薄膜疊層、第二導電墊、第一高分子層、第二高分子層、第三高分子層、第一電極以及第二電極。第一基材具有第一表面、第二表面以及上腔穴。第一基材的第一表面與第一基材的第二表面互為反面。第一基材的第一表面係絕緣的。第一基材的上腔穴係貫穿第一基材。上腔穴具有形成於第一基材的第一表面處之第一開口以及形成於第一基材的第二表面處之第二開口。第一導電墊係形成於第一基材的第一表面上，並且覆蓋上腔穴的第一開口。第一導電墊具有陡峭的第一側壁以及陡峭的第二側壁。聲波諧振元件係形成於第一導電墊上，並且具有陡峭的第三側壁以及陡峭的第四側壁。聲波諧振元件的第三側壁係對齊第一導電墊的第一側壁。第一介電薄膜疊層係由至少一第一介電薄膜所構成，並且係形成以被覆第一導電墊的第一側壁以及聲波諧振元件的第三側壁。第二介電薄膜疊層係由至少一第二介電薄膜所構成，並且係形成以被覆聲波諧振元件的第四側壁。第三介電薄膜疊層係由至少一第三介電薄膜所構成，並且係形成以被覆第一導電墊的第二側壁。第二導電墊係形成以被覆第一介電薄膜疊層，並且延伸至聲波諧振元件以及第一基材的第一表面上。第一高分子層係形成於第一基材的第一表面上並且具有下腔穴。第一高分子層的下腔穴係貫穿第一高分子層。聲波諧振元件係曝露於第一高分子層的下腔穴內。第一高分子層的下腔穴具有第三開口。第二高分子層係形成於第一高分子層上以覆蓋下腔穴的第三開口。第三高分子層係形成於第一基材的第二表面上以覆蓋上腔穴的第二開口。第一電極係形成以貫穿第三高分子層以及第一基材，進而接觸第一導電墊之第一端部份。第二電極係形成以貫穿第三高分子層以及第一基材，進而接觸第二導電墊之第二端部份。

於一具體實施例中，第一介電薄膜疊層之第一寬度為等於或小於5μm。第二介電薄膜疊層之第二寬度為等於或小於5μm。第三介電薄膜疊層之第三寬度為等於或小於5μm。

根據本發明之第二較佳具體實施例之製造微機電射頻體聲波濾波器的方法，首先，係製備第一基材。第一基材具有第一表面以及第二表面。第一基材的第一表面與第一基材的第二表面互為反面。第一基材的第一表面係絕緣的並且朝上。接著，根據本發明之第二較佳具體實施例之方法係形成第一導電墊於第一基材的第一表面上。第一導電墊具有陡峭的第一側壁以及陡峭的第二側壁。接著，根據本發明之第二較佳具體實施例之方法係形成聲波諧振元件於第一導電墊上。聲波諧振元件具有陡峭的第三側壁以及陡峭的第四側壁。聲波諧振元件的第三側壁係對齊第一導電墊的第一側壁。接著，根據本發明之第二較佳具體實施例之方法係形成第一介電薄膜疊層、第二介電薄膜疊層以及第三介電薄膜疊層。第一介電薄膜疊層係由至少一第一介電薄膜所構成，並且被覆第一導電墊的第一側壁以及聲波諧振元件的第三側壁。第二介電薄膜疊層係由至少一第二介電薄膜所構成，並且被覆聲波諧振元件的第四側壁。第三介電薄膜疊層係由至少一第三介電薄膜所構成，並且被覆第一導電墊的第二側壁。接著，根據本發明之第二較佳具體實施例之方法係形成形成第二導電墊以被覆第一介電薄膜疊層。第二導電墊並且延伸至聲波諧振元件以及第一基材的第一表面上。接著，根據本發明之第二較佳具體實施例之方法係形成第一高分子層於第一基材的第一表面上。第一高分子層具有下腔穴。第一高分子層的下腔穴係貫穿第一高分子層。聲波諧振元件係曝露於第一高分子層的下腔穴內。第一高分子層的下腔穴具有第一開口。接著，根據本發明之第二較佳具體實施例之方法係形成第二高分子層於第一高分子層上以覆蓋下腔穴的第一開口。接著，根據本發明之第二較佳具體實施例之方法係接合第二基材至第二高分子層上。接著，根據本發明之第二較佳具體實施例之方法係將於上述步驟中所獲得之結構翻面，致使第一基材的第二表面朝上。接著，根據本發明之第二較佳具體實施例之方法係形成第一通孔、第二通孔以及上腔穴以貫穿第一基材。第一導電墊的第一端部份係曝露於第一通孔內。第二導電墊的第二端部份係曝露於第二通孔內。第一基材的上腔穴具有形成於第一基材的第一表面處之第二開口以及形成於第一基材的第二表面處之第三開口。上腔穴的第二開口係由第一導電墊覆蓋。接著，根據本發明之第二較佳具體實施例之方法係形成第三高分子層於第一基材的第二表面上以覆蓋上腔穴的第三開口。接著，根據本發明之第二較佳具體實施例之方法係形成第一電極以填充第一通孔，進而接觸第一導電墊的第一端部份。最後，根據本發明之第二較佳具體實施例之方法係形成第二電極以填充第二通孔，進而接觸第二導電墊的第二端部份。

於一具體實施例中，第一高分子層可以由第一感光分子材料或第一非感光高分子材料所形成。第二高分子層可以由第二感光分子材料或第二非感光高分子材料所形成。第三高分子層可以由第三感光分子材料所形成。

根據本發明之第三較佳具體實施例之微機電射頻體聲波濾波器包含基材、布拉格反射鏡堆疊結構、第一導電墊、聲波諧振元件、第一介電薄膜疊層、第二介電薄膜疊層、第三介電薄膜疊層、第二導電墊、第一高分子層、第二高分子層、第一電極以及第二電極。布拉格反射鏡堆疊結構係形成於基材上。第一導電墊係形成於布拉格反射鏡堆疊結構上。第一導電墊具有陡峭的第一側壁以及陡峭的第二側壁。聲波諧振元件係形成於第一導電墊上，並且具有陡峭的第三側壁以及陡峭的第四側壁。聲波諧振元件的第三側壁係對齊第一導電墊的第一側壁。第一介電薄膜疊層係由至少一第一介電薄膜所構成，並且係形成以被覆第一導電墊的第一側壁以及聲波諧振元件的第三側壁。第二介電薄膜疊層係由至少一第二介電薄膜所構成，並且係形成以被覆聲波諧振元件的第四側壁。第三介電薄膜疊層係由至少一第三介電薄膜所構成，並且係形成以被覆第一導電墊的第二側壁。第二導電墊係形成以被覆第一介電薄膜疊層，並且延伸至聲波諧振元件以及布拉格反射鏡堆疊結構上。第一高分子層係形成於布拉格反射鏡堆疊結構上，並且具有腔穴。第一高分子層的腔穴係貫穿第一高分子層。聲波諧振元件係曝露於第一高分子層的腔穴內。腔穴具有開口。第二高分子層係形成於第一高分子層上以覆蓋腔穴的開口。第一電極係形成以貫穿第二高分子層以及第一高分子層進而接觸第一導電墊之第一端部份。第二電極係形成以貫穿第二高分子層以及第一高分子層進而接觸第二導電墊之第二端部份。

根據本發明之第四較佳具體實施例之製造微機電射頻體聲波濾波器的方法，首先，係製備基材。接著，根據本發明之第四較較佳具體實施例之方法係形成布拉格反射鏡堆疊結構於基材上。接著，根據本發明之第四較較佳具體實施例之方法係形成第一導電墊於布拉格反射鏡堆疊結構上。第一導電墊具有陡峭的第一側壁以及陡峭的第二側壁。接著，根據本發明之第四較較佳具體實施例之方法係形成聲波諧振元件於第一導電墊上。聲波諧振元件具有陡峭的第三側壁以及陡峭的第四側壁。聲波諧振元件的第三側壁係對齊第一導電墊的第一側壁。接著，根據本發明之第四較較佳具體實施例之方法係形成第一介電薄膜疊層、第二介電薄膜疊層以及第三介電薄膜疊層。第一介電薄膜疊層係由至少一第一介電薄膜所構成，並且被覆第一導電墊的第一側壁以及聲波諧振元件的第三側壁。第二介電薄膜疊層係由至少一第二介電薄膜所構成，並且被覆聲波諧振元件的第四側壁。第三介電薄膜疊層係由至少一第三介電薄膜所構成，並且被覆第一導電墊的第二側壁。接著，根據本發明之第四較較佳具體實施例之方法係形成形成第二導電墊以被覆第一介電薄膜疊層。第二導電墊並且延伸至聲波諧振元件以及布拉格反射鏡堆疊結構上。接著，根據本發明之第四較較佳具體實施例之方法係形成第一高分子層於布拉格反射鏡堆疊結構以及聲波諧振元件上。接著，根據本發明之第四較較佳具體實施例之方法係形成腔穴、第一通孔以及第二通孔以貫穿一高分子層。聲波諧振元件係曝露於第一高分子層的腔穴內。第一高分子層的腔穴具有開口。第一導電墊的第一端部份係曝露於第一通孔內。第二導電墊的第二端部份係曝露於第二通孔內。接著，根據本發明之第四較較佳具體實施例之方法係形成第二高分子層於第一高分子層上以覆蓋第一高分子層的腔穴的開口。接著，根據本發明之第四較較佳具體實施例之方法係形成第一電極以填充第一通孔，進而接觸第一導電墊的第一端部份。最後，根據本發明之第四較較佳具體實施例之方法係形成第二電極以填充第二通孔，進而接觸第二導電墊的第二端部份。

根據本發明之第五較佳具體實施例之微機電射頻體聲波濾波器包含第一基材、第一導電墊、聲波諧振元件、第一介電薄膜疊層、第二介電薄膜疊層、第三介電薄膜疊層、第二導電墊、第二基材、第一電極以及第二電極。第一基材具有第一表面以及下腔穴。第一基材的第一表面係絕緣的。第一基材的下腔穴係形成於第一表面上且向下凹陷。下腔穴具有形成於第一基材的第一表面處之第一開口。第一導電墊係形成於第一基材的第一表面上，並且覆蓋下腔穴的第一開口。第一導電墊具有陡峭的第一側壁以及陡峭的第二側壁。聲波諧振元件係形成於第一導電墊上，並且具有陡峭的第三側壁以及陡峭的第四側壁。聲波諧振元件的第三側壁係對齊第一導電墊的第一側壁。第一介電薄膜疊層係由至少一第一介電薄膜所構成，並且係形成以被覆第一導電墊的第一側壁以及聲波諧振元件的第三側壁。第二介電薄膜疊層係由至少一第二介電薄膜所構成，並且係形成以被覆聲波諧振元件的第四側壁。第三介電薄膜疊層係由至少一第三介電薄膜所構成，並且係形成以被覆第一導電墊的第二側壁。第二導電墊係形成以被覆第一介電薄膜疊層，並且延伸至聲波諧振元件以及第一基材的第一表面上。第二基材具有第二表面以及上腔穴。第二基材的上腔穴係形成於第二表面上且向上凹陷。上腔穴具有形成於第二表面處之第二開口。第二基材係以第二表面接合至第一基材之第一表面上，致使聲波諧振元件置於上腔穴的第二開口內。第一電極係形成以貫穿第二基材進而接觸第一導電墊之第一端部份。第二電極係形成以貫穿第二基材進而接觸第二導電墊之第二端部份。

根據本發明之第六較佳具體實施例之製造微機電射頻體聲波濾波器的方法，首先，係製備第一基材。第一基材具有第一表面。第一基材的第一表面係絕緣的並且朝上。接著，根據本發明之第六較佳具體實施例之方法係局部蝕刻第一基材之第一表面以形成下腔穴。接著，根據本發明之第六較佳具體實施例之方法係形成犧牲材料以填充第一基材的下腔穴。接著，根據本發明之第六較佳具體實施例之方法係形成第一導電墊於第一基材的第一表面上且覆蓋犧牲材料。第一導電墊具有陡峭的第一側壁以及陡峭的第二側壁。接著，根據本發明之第六較佳具體實施例之方法係形成聲波諧振元件於第一導電墊上。聲波諧振元件具有陡峭的第三側壁以及陡峭的第四側壁。聲波諧振元件的第三側壁係對齊第一導電墊的第一側壁。接著，根據本發明之第六較佳具體實施例之方法係蝕刻該犧牲材料以恢復第一基材的下腔穴。接著，根據本發明之第六較佳具體實施例之方法係形成第一介電薄膜疊層、第二介電薄膜疊層以及第三介電薄膜疊層。第一介電薄膜疊層係由至少一第一介電薄膜所構成，並且被覆第一導電墊的第一側壁以及聲波諧振元件的第三側壁。第二介電薄膜疊層係由至少一第二介電薄膜所構成，並且被覆聲波諧振元件的第四側壁。第三介電薄膜疊層係由至少一第三介電薄膜所構成，並且被覆第一導電墊的第二側壁。接著，根據本發明之第六較佳具體實施例之方法係形成形成第二導電墊以被覆第一介電薄膜疊層。第二導電墊並且延伸至聲波諧振元件以及第一基材的第一表面上。接著，根據本發明之第六較佳具體實施例之方法係製備第二基材。第二基材具有第二表面。接著，根據本發明之第六較佳具體實施例之方法係局部蝕刻第二基材之第二表面以形成上腔穴。第二基材的上腔穴具有形成於第二表面處之開口。接著，根據本發明之第六較佳具體實施例之方法係將第二基材之第二表面接合至第一基材之第一表面上，致使聲波諧振元件置於上腔穴的開口內。接著，根據本發明之第六較佳具體實施例之方法係形成第一通孔以及第二通孔以貫穿第二基材。第一導電墊的第一端部份係曝露於第一通孔內。第二導電墊的第二端部份係曝露於第二通孔內。最後，根據本發明之第六較佳具體實施例之方法係形成第一電極以及第二電極。第一電極填充第一通孔進而接觸第一導電墊之第一端部份。第二電極填充第二通孔進而接觸第二導電墊之第二端部份。

根據本發明之第七較佳具體實施例之微機電射頻體聲波濾波器包含第一基材、布拉格反射鏡堆疊結構、第一導電墊、聲波諧振元件、第一介電薄膜疊層、第二介電薄膜疊層、第三介電薄膜疊層、第二導電墊、第二基材、第一電極以及第二電極。布拉格反射鏡堆疊結構係形成於第一基材上。第一導電墊係形成於布拉格反射鏡堆疊結構上。第一導電墊具有陡峭的第一側壁以及陡峭的第二側壁。聲波諧振元件係形成於第一導電墊上，並且具有陡峭的第三側壁以及陡峭的第四側壁。聲波諧振元件的第三側壁係對齊第一導電墊的第一側壁。第一介電薄膜疊層係由至少一第一介電薄膜所構成，並且係形成以被覆第一導電墊的第一側壁以及聲波諧振元件的第三側壁。第二介電薄膜疊層係由至少一第二介電薄膜所構成，並且係形成以被覆聲波諧振元件的第四側壁。第三介電薄膜疊層係由至少一第三介電薄膜所構成，並且係形成以被覆第一導電墊的第二側壁。第二導電墊係形成以被覆第一介電薄膜疊層，並且延伸至聲波諧振元件以及布拉格反射鏡堆疊結構上。第二基材具有下表面以及腔穴。第二基材的腔穴係形成於下表面上且向上凹陷。第二基材的腔穴具有形成於下表面處之開口。第二基材係以下表面接合至布拉格反射鏡堆疊結構上，致使聲波諧振元件置於腔穴的開口內。第一電極係形成以貫穿第二基材進而接觸第一導電墊之第一端部份。第二電極係形成以貫穿第二基材進而接觸第二導電墊之第二端部份。

根據本發明之第八較佳具體實施例之製造微機電射頻體聲波濾波器的方法，首先，係製備第一基材。接著，根據本發明之第八較佳具體實施例之方法係形成布拉格反射鏡堆疊結構於第一基材上。接著，根據本發明之第八較佳具體實施例之方法係形成第一導電墊於布拉格反射鏡堆疊結構上。第一導電墊具有陡峭的第一側壁以及陡峭的第二側壁。接著，根據本發明之第八較佳具體實施例之方法係形成聲波諧振元件於第一導電墊上。聲波諧振元件具有陡峭的第三側壁以及陡峭的第四側壁。聲波諧振元件的第三側壁係對齊第一導電墊的第一側壁。接著，根據本發明之第八較佳具體實施例之方法係形成第一介電薄膜疊層、第二介電薄膜疊層以及第三介電薄膜疊層。第一介電薄膜疊層係由至少一第一介電薄膜所構成，並且被覆第一導電墊的第一側壁以及聲波諧振元件的第三側壁。第二介電薄膜疊層係由至少一第二介電薄膜所構成，並且被覆聲波諧振元件的第四側壁。第三介電薄膜疊層係由至少一第三介電薄膜所構成，並且被覆第一導電墊的第二側壁。接著，根據本發明之第八較佳具體實施例之方法係形成形成第二導電墊以被覆第一介電薄膜疊層。第二導電墊並且延伸至聲波諧振元件以及布拉格反射鏡堆疊結構上。接著，根據本發明之第八較佳具體實施例之方法係製備第二基材。第二基材具有下表面。接著，根據本發明之第八較佳具體實施例之方法係局部蝕刻第二基材之下表面以形成腔穴。第二基材的腔穴具有形成於下表面處之開口。接著，根據本發明之第八較佳具體實施例之方法係將第二基材之下表面接合至布拉格反射鏡堆疊結構上，致使聲波諧振元件置於腔穴的開口內。接著，根據本發明之第八較佳具體實施例之方法係形成第一通孔以及第二通孔以貫穿第二基材。第一導電墊之第一端部份係曝露於第一通孔內。第二導電墊之第二端部份係曝露於第二通孔內。最後，根據本發明之第八較佳具體實施例之方法係形成第一電極以及第二電極。第一電極填充第一通孔進而接觸第一導電墊之第一端部份。第二電極填充第二通孔進而接觸第二導電墊之第二端部份。

與先前技術不同，根據本發明之微機電射頻體聲波濾波器具有較低的形貌變化導致較低的寄生電容，進而在其運作時發生的雜訊較低。並且，做為隔離層的第一介電薄膜疊層、第二介電薄膜疊層以及第三介電薄膜疊層的寬度較窄，讓同一晶圓上同時製造多個微機電射頻體聲波濾波器的密度提升。並且，根據本發明之微機電射頻體聲波濾波器在製造上並不利用犧牲材料層與聲波諧振元件的微通孔來形成下腔穴。根據本發明之微機電射頻體聲波濾波器的腔穴大多是採用高分子材料且藉由微顯影製成所形成。因此，根據本發明之微機電射頻體聲波濾波器之微機電射頻體聲波濾波器的能源轉換效率較高。根據本發明之製造微機電射頻體聲波濾波器之方法製程耗時短，良率較高，成本較低。

關於本發明之優點與精神可以藉由以下的發明詳述及所附圖式得到進一步的瞭解。

請參閱圖3，該圖式示意地描繪根據本發明之第一較佳具體實施例之微機電射頻體聲波濾波器3。圖3係根據本發明之第一較佳具體實施例之微機電射頻體聲波濾波器3的剖面視圖。圖3所示的微機電射頻體聲波濾波器3為薄膜塊體聲波共振器濾波器結構。

如圖3所示，根據本發明之第一較佳具體實施例之微機電射頻體聲波濾波器3包含第一基材30、第一導電墊31、聲波諧振元件32、第一介電薄膜疊層33a、第二介電薄膜疊層33b、第三介電薄膜疊層33c、第二導電墊34、第一高分子層35、第二高分子層36、第三高分子層37、第一電極38a以及第二電極38b。

第一基材30具有第一表面302、第二表面304以及上腔穴306。第一基材30的第一表面302與第一基材30的第二表面304互為反面。第一基材30的第一表面302係絕緣的。第一基材30的上腔穴306係貫穿第一基材30。上腔穴306具有形成於第一基材30的第一表面302處之第一開口3062以及形成於第一基材30的第二表面304處之第二開口3064。

於一具體實施例中，如圖3所示，第一基材30可以包含矽基材30a以及形成於矽基材30a上的介電絕緣層30b，但並不以此為限。介電絕緣層30b可以是由氮化矽、氧化矽、摻雜氧化矽、氮化鋁、氮化鎵、石英，等所形成，但並不以此為限。介電絕緣層30b提供第一基材30的第一表面302，矽基材30a提供第一基材30的第二表面304。於實際應用中，構成第一基材30的矽基材30a的電阻值須高於3000 Ohm•cm。

第一導電墊31係形成於第一基材30的第一表面302上，並且覆蓋上腔穴306的第一開口3062。特別地，第一導電墊31具有陡峭的第一側壁312以及陡峭的第二側壁314。在此，”陡峭的”第一側壁312係指第一側壁312與第一導電墊31的底表面之間的夾角介於45度至90度。”陡峭的”第二側壁314係指第二側壁314與第一導電墊31的底表面之間的夾角介於45度至90度。

於一具體實施例中，第一導電墊31可以是由Ti、TiW、W、Cr、Al、Mo、Cu、Au等金屬材料所形成的薄膜，或是由上述金屬材料之組合所形成的薄膜。

聲波諧振元件32係形成於第一導電墊31上。特別地，聲波諧振元件32具有陡峭的第三側壁322以及陡峭的第四側壁324。並且，聲波諧振元件32的第三側壁322係對齊第一導電墊31的第一側壁312。於一具體實施例中，聲波諧振元件32可以包含由Ba _xSr _(1-x)TiO ₃(BST)、Al _xSc _(1-x)N、AlN、GaN、Ga _xAl _(1-x)N、Al ₂O ₃、壓電陶瓷等材料所形成的薄膜。在此，”陡峭的”第三側壁322係指第三側壁322與聲波諧振元件32的底表面之間的夾角介於45度至90度。”陡峭的” 第四側壁324係指第四側壁324與聲波諧振元件32的底表面之間的夾角介於45度至90度。

第一介電薄膜疊層33a係由至少一第一介電薄膜所構成，並且係形成以被覆第一導電墊31的第一側壁312以及聲波諧振元件32的第三側壁322。第二介電薄膜疊層33b係由至少一第二介電薄膜所構成，並且係形成以被覆聲波諧振元件32的第四側壁324。第三介電薄膜疊層33c係由至少一第三介電薄膜所構成，並且係形成以被覆第一導電墊31的第二側壁314。

第二導電墊34係形成以被覆第一介電薄膜疊層33a，並且延伸至聲波諧振元件32以及第一基材30的第一表面302上。須強調的是，第一介電薄膜疊層33a、第二介電薄膜疊層33b以及第三介電薄膜疊層33c皆做為隔離層，並且其寬度皆較窄。

於一具體實施例中，第一介電薄膜疊層33a、第二介電薄膜疊層33b以及第三介電薄膜疊層33c可以包含由SiO ₂、SiN、AlN、Al _xSc _(1-x)N、Al ₂O ₃、GaN等介電材料所形成的薄膜。

於一具體實施例中，第一介電薄膜疊層33a之第一寬度為等於或小於5μm。第二介電薄膜疊層33b之第二寬度為等於或小於5μm。第三介電薄膜疊層33c之第三寬度為等於或小於5μm。

於一具體實施例中，第二導電墊34可以是由Ti、TiW、W、Cr、Al、Mo、Cu、Au等金屬材料所形成的薄膜，或是由上述金屬材料之組合所形成的薄膜。

第一高分子層35係形成於第一基材30的第一表面302上並且具有下腔穴352。第一高分子層35的下腔穴352係貫穿第一高分子層35。聲波諧振元件32係曝露於第一高分子層35的下腔穴352內。第一高分子層35的下腔穴352具有第三開口3522。

於一具體實施例中，第一高分子層35可以由第一感光分子材料或第一非感光高分子材料所形成。第一感光分子材料可以是聚二甲基矽氧烷(polydimethylsiloxane, PDMS)、SU-8(Microchem公司的產品)，或環氧樹脂系列，例如，TMMR、TMMF或NC-S0075A-F(均是Tokyo Ohka Kogyo公司的產品)、聚苯噁唑(polybenzoxazole, PBO)等。第一高分子層35若由第一非感光高分子材料所形成，須配合後續圖案化製程以形成下腔穴352。

第二高分子層36係形成於第一高分子層35上以覆蓋下腔穴352的第三開口3522，進而密封下腔穴352。

於一具體實施例中，第二高分子層36可以由第二感光分子材料或第二非感光高分子材料所形成。第二感光分子材料可以是聚二甲基矽氧烷(polydimethylsiloxane, PDMS)、SU-8(Microchem公司的產品)，或環氧樹脂系列，例如，TMMR、TMMF或NC-S0075A-F(均是Tokyo Ohka Kogyo公司的產品)、PBO等。第二高分子層36可以是乾膜形式覆蓋於第一高分子層35。

第三高分子層37係形成於第一基材30的第二表面304上以覆蓋上腔穴306的第二開口3064，進而密封上腔穴306。

於一具體實施例中，第三高分子層37可以由第三感光分子材料所形成。第三感光分子材料可以是聚二甲基矽氧烷(polydimethylsiloxane, PDMS)、SU-8(Microchem公司的產品)，或環氧樹脂系列，例如，TMMR與TMMF(均是Tokyo Ohka Kogyo公司的產品)、PBO等。

第一電極38a係形成以貫穿第三高分子層37以及第一基材30，進而接觸第一導電墊31之第一端部份316。

第二電極38b係形成以貫穿第三高分子層37以及第一基材30，進而接觸第二導電墊34之第二端部份342。

於一具體實施例中，如圖3所示，第一基材30還具有貫穿的第一通孔307以及貫穿的第二通孔308。第一電極38a包含被覆第一通孔307的底部、內壁及開口的周圍之金屬薄膜382、被覆金屬薄膜382之底層金屬薄膜384以及填充第一通孔307的金屬凸塊386。第二電極38b包含被覆第二通孔308的底部、內壁及開口的周圍之金屬薄膜382、被覆金屬薄膜382之底層金屬薄膜384以及填充第二通孔308的金屬凸塊386。金屬薄膜382可以是由Ti、TiW、W、Cr、Al、Mo、Cu、Au等金屬材料所形成的薄膜，或是由上述金屬材料之組合所形成的薄膜。底層金屬薄膜384可以是由Ti、TiW、W、Cr、Al、Cu、Ni等金屬材料所形成的薄膜，或是由上述金屬材料之組合所形成的薄膜。金屬凸塊386可以是由Cu加Ni(或NiPd)、Sn合金(無鉛)所形成，但並不以此為限。

同樣地如圖3所示，進一步，根據本發明之較佳具體實施例之微機電射頻體聲波濾波器還包含第二基材39。第二基材39係接合於第二高分子層36上。於一具體實施例中第二基材39可以是矽基材或玻璃基材，但並不以此為限。

請參閱圖4至圖14，該等圖式係以截面視圖示意地繪示由根據本發明之第二較佳具體實施例之製造如圖3所示的微機電射頻體聲波濾波器3的方法。

如圖4所示，首先，根據本發明之第二較佳具體實施例之方法係製備第一基材30。第一基材30具有第一表面302以及第二表面304。第一基材30的第一表面302與第一基材30的第二表面304互為反面。第一基材30的第一表面302係絕緣的並且朝上。

於一具體實施例中，如圖4所示，第一基材30可以包含矽基材30a以及形成於矽基材30a上的介電絕緣層30b，但並不以此為限。介電絕緣層30b提供第一基材30的第一表面302，矽基材30a提供第一基材30的第二表面304。於實際應用中，構成第一基材30的矽基材30a的電阻值須高於3000 Ohm•cm。

同樣如圖4所示，接著，根據本發明之第二較佳具體實施例之方法係形成第一導電墊31於第一基材30的第一表面302上。特別地，第一導電墊31具有陡峭的第一側壁312以及陡峭的第二側壁314。關於”陡峭的”之定義已於上文中陳述，在此不再贅述。

同樣如圖4所示，接著，根據本發明之第二較佳具體實施例之方法係形成聲波諧振元件32於第一導電墊31上。特別地，聲波諧振元件32具有陡峭的第三側壁322以及陡峭的第四側壁324。並且，聲波諧振元件32的第三側壁322係對齊第一導電墊31的第一側壁312。於一具體實施例中，聲波諧振元件32可以包含由Si、Ba _xSr _(1-x)TiO ₃(BST)、Al _xSc _(1-x)N、AlN、GaN、Ga _xAl _(1-x)N、Al ₂O ₃、壓電陶瓷等材料所形成的薄膜。

同樣如圖4所示，接著，根據本發明之第二較佳具體實施例之方法係形成中間介電薄膜疊層33以被覆聲波諧振元件32、第一導電墊31以及第一基材30的第一表面302。中間介電薄膜疊層33係由至少一介電薄膜所構成。

接著，如圖5所示，根據本發明之第二較佳具體實施例之方法係針對中間介電薄膜疊層33執行局部乾式蝕刻製程(例如，電漿蝕刻製程)，以形成第一介電薄膜疊層33a、第二介電薄膜疊層33b以及第三介電薄膜疊層33c。於圖5中，號碼標記”P1”代表電漿。第一介電薄膜疊層33a係由至少一第一介電薄膜所構成，並且被覆第一導電墊31的第一側壁312以及聲波諧振元件32的第三側壁322。第二介電薄膜疊層33b係由至少一第二介電薄膜所構成，並且被覆聲波諧振元件32的第四側壁324。第三介電薄膜疊層33c係由至少一第三介電薄膜所構成，並且被覆第一導電墊31的第二側壁314。須強調的是，第一介電薄膜疊層33a、第二介電薄膜疊層33b以及第三介電薄膜疊層33c皆做為隔離層，並且其寬度皆較窄。

接著，如圖6所示，接著，根據本發明之第二較佳具體實施例之方法係形成第二導電墊34係形成以被覆第一介電薄膜疊層33a，並且延伸至聲波諧振元件32以及第一基材30的第一表面302上。

接著，如圖7所示，根據本發明之第二較佳具體實施例之方法係形成第一高分子層35於第一基材30的第一表面302上。藉由微顯影製程，致使第一高分子層35具有下腔穴352。第一高分子層35的下腔穴352係貫穿第一高分子層35。聲波諧振元件32係曝露於第一高分子層35的下腔穴352內。第一高分子層35的下腔穴352具有第三開口3522。

接著，如圖8所示，根據本發明之第二較佳具體實施例之方法係形成第二高分子層36於第一高分子層35上以覆蓋下腔穴352的第三開口3522，進而密封下腔穴352。

接著，如圖9所示，根據本發明之第二較佳具體實施例之方法係接合第二基材39至第二高分子層36上。於一具體實施例中第二基材39可以是矽基材或玻璃基材，但並不以此為限。第二基材39與第二高分子層36之間的接合可以先行塗佈膠黏劑於第二高分子層36上，藉由膠黏劑將第二基材39與第二高分子層36接合在一起。第二基材39與第二高分子層36之間的接合也可以利用第二高分子層36的黏著性或利用加熱製程，將第二基材39與第二高分子層36接合在一起。

於一具體實施例中，第二基材39的厚度可以小於100μm，但並不以此為限。

接著，如圖10所示，根據本發明之第二較佳具體實施例之方法係將於上述步驟中所獲得之結構(如圖9所示)翻面並減薄到200μm以下。致使第一基材30的第二表面304朝上。

同樣如圖10所示，接著，根據本發明之第二較佳具體實施例之方法係執行蝕刻製程同時形成貫穿第一基材30的第一通孔307以及第二通孔308。第一導電墊31之第一端部份316係曝露於第一通孔307內，第二導電墊34之第二端部份342係曝露於第二通孔308內。

同樣如圖10所示，接著，根據本發明之第二較佳具體實施例之方法係形成金屬薄膜382以被覆第一通孔307的底部、內壁及開口的周圍，並且形成金屬薄膜382以被覆第二通孔308的底部、內壁及開口的周圍。

接著，如圖11所示，根據本發明之第二較佳具體實施例之方法係執行蝕刻製程形成上腔穴306以貫穿第一基材30。第一基材30的上腔穴306具有形成於第一基材30的第一表面302處之第一開口3062以及形成於第一基材30的第二表面304處之第二開口3064。上腔穴306的第一開口3062係由第一導電墊31所覆蓋。

接著，如圖12所示，根據本發明之第二較佳具體實施例之方法係形成第三高分子層37於第一基材30的第二表面304上以覆蓋上腔穴306的第二開口3064，進而密封上腔穴306。

於一具體實施例中，第三高分子層37可以由第三感光分子材料所形成。第三感光分子材料可以是聚二甲基矽氧烷(polydimethylsiloxane, PDMS)、SU-8(Microchem公司的產品)，或環氧樹脂系列，例如，TMMR、TMMF或NC-S0075A-F(均是Tokyo Ohka Kogyo公司的產品)、PBO等。第三高分子層37可以藉由第三感光分子材料局選擇性地被覆於第一基材30的第二表面304上，除覆蓋上腔穴306的第二開口3064外，金屬薄膜382可以不被第三高分子層37被覆，也可以部份被覆。

接著，如圖13所示，根據本發明之第二較佳具體實施例之方法係形成底層金屬薄膜384以被覆第三高分子層37、金屬薄膜382。第一通孔307與第二通孔308大致上仍保持原有的形態。

接著，如圖14所示，根據本發明之第二較佳具體實施例之方法係局部形成光阻層R1以被覆第三高分子層37，但未被覆第一通孔307與第二通孔308及其上方處。

同樣如圖14所示，接著，根據本發明之第二較佳具體實施例之方法係形成金屬凸塊386以填充第一通孔307與第二通孔308。

最後，根據本發明之第二較佳具體實施例之方法係移除光阻層R1，並局部蝕刻底層金屬薄膜384，以露出第三高分子層37，並且進而形成第一電極38a以及第二電極38b，即完成如圖3所示的微機電射頻體聲波濾波器3。第一電極38a即由金屬薄膜382、底層金屬薄膜384以及金屬凸塊386所構成。第二電極38b即由金屬薄膜382、底層金屬薄膜384以及金屬凸塊386所構成。第一電極38a係貫穿第三高分子層37以及第一基材30，進而接觸第一導電墊31之第一端部份316。第二電極38b係貫穿第三高分子層37以及第一基材30，進而接觸第二導電墊34之第二端部份342。

進一步，根據本發明之第二較佳具體實施例之方法係將第二基材39移除。

請參閱圖15，該圖式示意地描繪根據本發明之第三較佳具體實施例之微機電射頻體聲波濾波器4。圖15係根據本發明之第三較佳具體實施例之微機電射頻體聲波濾波器4的剖面視圖。圖15所示的微機電射頻體聲波濾波器4為固態堆疊共振器濾波器結構。

如圖15所示，根據本發明之第三較佳具體實施例之微機電射頻體聲波濾波器4包含基材40、布拉格反射鏡堆疊結構41、第一導電墊42、聲波諧振元件43、第一介電薄膜疊層44a、第二介電薄膜疊層44b、第三介電薄膜疊層44c、第二導電墊45、第一高分子層46、第二高分子層47、第一電極48a以及第二電極48b。

布拉格反射鏡堆疊結構41係形成於基材40上。布拉格反射鏡堆疊結構41係由高聲阻材料薄膜412(例如，W、Mo、HfO ₂、AlN、ZnO、Ta ₂O ₅等材料所形成的薄膜)以及低聲阻材料薄膜414(例如，SiO ₂等材料所形成的薄膜)交互堆叠而成。布拉格反射鏡堆疊結構41用以反射通訊波。

於一具體實施例中，基材40可以是矽基材，但並不以此為限。

第一導電墊42係形成於布拉格反射鏡堆疊結構41上。特別地，第一導電墊42具有陡峭的第一側壁422以及陡峭的第二側壁424。關於”陡峭的”之定義已於上文中陳述，在此不再贅述。

於一具體實施例中，第一導電墊42可以是由Ti、TiW、W、Cr、Al、Mo、Cu、Au等金屬材料所形成的薄膜，或是由上述金屬材料之組合所形成的薄膜。

聲波諧振元件43係形成於第一導電墊42上。特別地，聲波諧振元件43具有陡峭的第三側壁432以及陡峭的第四側壁434。並且，聲波諧振元件43的第三側壁432係對齊第一導電墊42的第一側壁422。於一具體實施例中，聲波諧振元件43可以包含由Ba _xSr _(1-x)TiO ₃(BST)、Al _xSc _(1-x)N、AlN、GaN、Ga _xAl _(1-x)N、Al ₂O ₃、壓電陶瓷等材料所形成的薄膜。

第一介電薄膜疊層44a係由至少一第一介電薄膜所構成，並且係形成以被覆第一導電墊42的第一側壁422以及聲波諧振元件43的第三側壁432。第二介電薄膜疊層44b係由至少一第二介電薄膜所構成，並且係形成以被覆聲波諧振元件43的第四側壁434。第三介電薄膜疊層44c係由至少一第三介電薄膜所構成，並且係形成以被覆第一導電墊42的第二側壁424。

第二導電墊45係形成以被覆第一介電薄膜疊層44a，並且延伸至聲波諧振元件43以及布拉格反射鏡堆疊結構41上。須強調的是，第一介電薄膜疊層44a、第二介電薄膜疊層44b以及第三介電薄膜疊層44c皆做為隔離層，並且其寬度皆較窄。

於一具體實施例中，第一介電薄膜疊層44a、第二介電薄膜疊層44b以及第三介電薄膜疊層44c可以包含由SiO ₂、SiN、AlN、Al _xSc _(1-x)N、Al ₂O ₃、GaN等介電材料所形成的薄膜。

於一具體實施例中，第一介電薄膜疊層44a之第一寬度為等於或小於5μm。第二介電薄膜疊層44b之第二寬度為等於或小於5μm。第三介電薄膜疊層44c之第三寬度為等於或小於5μm。

於一具體實施例中，第二導電墊45可以是由Ti、TiW、W、Cr、Al、Mo、Cu、Au等金屬材料所形成的薄膜，或是由上述金屬材料之組合所形成的薄膜。

第一高分子層46係形成於布拉格反射鏡堆疊結構41上，並且具有腔穴462。第一高分子層46的腔穴462係貫穿第一高分子層46。聲波諧振元件43係曝露於第一高分子層46的腔穴462內。第一高分子層46的腔穴462具有開口4622。

於一具體實施例中，第一高分子層46可以由第一感光分子材料或第一非感光高分子材料所形成。第一感光分子材料可以是聚二甲基矽氧烷(polydimethylsiloxane, PDMS)、SU-8(Microchem公司的產品)，或環氧樹脂系列，例如，TMMR、TMMF或NC-S0075A-F(均是Tokyo Ohka Kogyo公司的產品)、聚苯噁唑(polybenzoxazole, PBO)等。第一高分子層46若由第一非感光高分子材料所形成，須配合後續圖案化製程以形成腔穴462。

第二高分子層47係形成於第一高分子層46上以覆蓋腔穴462的開口4622，進而密封腔穴462。

於一具體實施例中，第二高分子層47可以由第二感光分子材料或第二非感光高分子材料所形成。第二感光分子材料可以是聚二甲基矽氧烷(polydimethylsiloxane, PDMS)、SU-8(Microchem公司的產品)，或環氧樹脂系列，例如，TMMR、TMMF或NC-S0075A-F(均是Tokyo Ohka Kogyo公司的產品)、PBO等。第二高分子層47可以是乾膜形式覆蓋於第一高分子層46。

第一電極48a係形成以貫穿第二高分子層47以及第一高分子層46，進而接觸第一導電墊42之第一端部份426。

第二電極48b係形成以貫穿第二高分子層47以及第一高分子層46，進而接觸第二導電墊45之第二端部份452。

於一具體實施例中，如圖15所示，第二高分子層47與第一高分子層46還具有貫穿的第一通孔464以及貫穿的第二通孔466。第一電極48a包含被覆第一通孔464的底部、內壁及開口的周圍之金屬薄膜482、被覆金屬薄膜482之底層金屬薄膜484以及填充第一通孔464的金屬凸塊486。第二電極48b包含被覆第二通孔466的底部、內壁及開口的周圍之金屬薄膜482、被覆金屬薄膜482之底層金屬薄膜484以及填充第二通孔466的金屬凸塊486。金屬薄膜482可以是由Ti、TiW、W、Cr、Al、Mo、Cu、Au等金屬材料所形成的薄膜，或是由上述金屬材料之組合所形成的薄膜。底層金屬薄膜484可以是由Ti、TiW、W、Cr、Al、Cu、Ni等金屬材料所形成的薄膜，或是由上述金屬材料之組合所形成的薄膜。金屬凸塊486可以是由Cu加Ni(或NiPd)、Sn合金(無鉛)所形成，但並不以此為限。

請參閱圖16至圖22，該等圖式係以截面視圖示意地繪示由根據本發明之第四較佳具體實施例之製造如圖15所示的微機電射頻體聲波濾波器4的方法。

如圖16所示，首先，根據本發明之第四較佳具體實施例之方法係製備基材40。

於一具體實施例中，基材40可以是矽基材，但並不以此為限。於實際應用中，構成基材40的矽基材的電阻值須高於3000 Ohm•cm。

同樣如圖16所示，接著，根據本發明之第四較佳具體實施例之方法係形成布拉格反射鏡堆疊結構41於基材40上。布拉格反射鏡堆疊結構41係由高聲阻材料薄膜412(例如，W、Mo、HfO ₂、AlN、ZnO、Ta ₂O ₅等材料所形成的薄膜)以及低聲阻材料薄膜414(例如，SiO ₂等材料所形成的薄膜)交互堆叠而成。布拉格反射鏡堆疊結構41用以反射通訊波。

同樣如圖16所示，接著，根據本發明之第四較佳具體實施例之方法係形成第一導電墊42於布拉格反射鏡堆疊結構41上。特別地，第一導電墊42具有陡峭的第一側壁422以及陡峭的第二側壁424。關於”陡峭的”之定義已於上文中陳述，在此不再贅述。

同樣如圖16所示，接著，根據本發明之第四較佳具體實施例之方法係形成聲波諧振元件43於第一導電墊42上。特別地，聲波諧振元件43具有陡峭的第三側壁432以及陡峭的第四側壁434。並且，聲波諧振元件43的第三側壁432係對齊第一導電墊42的第一側壁422。於一具體實施例中，聲波諧振元件43可以包含由Si、Ba _xSr _(1-x)TiO ₃(BST)、Al _xSc _(1-x)N、AlN、GaN、Ga _xAl _(1-x)N、Al ₂O ₃、壓電陶瓷等材料所形成的薄膜。

同樣如圖16所示，接著，根據本發明之第四較佳具體實施例之方法係形成中間介電薄膜疊層44以被覆聲波諧振元件43、第一導電墊42以及布拉格反射鏡堆疊結構41。中間介電薄膜疊層44係由至少一介電薄膜所構成。

接著，如圖17所示，根據本發明之第四較佳具體實施例之方法係針對中間介電薄膜疊層44執行局部乾式蝕刻製程(例如，電漿蝕刻製程)，以形成第一介電薄膜疊層44a、第二介電薄膜疊層44b以及第三介電薄膜疊層44c。於圖17中，號碼標記”P2”代表電漿。第一介電薄膜疊層44a係由至少一第一介電薄膜所構成，並且被覆第一導電墊42的第一側壁422以及聲波諧振元件43的第三側壁432。第二介電薄膜疊層44b係由至少一第二介電薄膜所構成，並且被覆聲波諧振元件43的第四側壁434。第三介電薄膜疊層44c係由至少一第三介電薄膜所構成，並且被覆第一導電墊42的第二側壁424。須強調的是，第一介電薄膜疊層44a、第二介電薄膜疊層44b以及第三介電薄膜疊層44c皆做為隔離層，並且其寬度皆較窄。

接著，如圖18所示，接著，根據本發明之第四較佳具體實施例之方法係形成第二導電墊45係形成以被覆第一介電薄膜疊層44a，並且延伸至聲波諧振元件43以及布拉格反射鏡堆疊結構41上。

接著，如圖19所示，根據本發明之第四較佳具體實施例之方法係形成第一高分子層46於布拉格反射鏡堆疊結構41上。藉由微顯影製程，致使第一高分子層46具有腔穴462。第一高分子層46的腔穴462係貫穿第一高分子層46。聲波諧振元件43係曝露於第一高分子層46的腔穴462內。第一高分子層46的腔穴462具有開口4622。

同樣如圖19所示，同樣藉由微顯影製程，致使在第一高分子層466上同時形成貫穿第一高分子層46的第一通孔464以及第二通孔466。第一導電墊42之第一端部份426係曝露於第一通孔464內，第二導電墊45之第二端部份452係曝露於第二通孔466內。

同樣如圖19所示，接著，根據本發明之第四較佳具體實施例之方法係形成金屬薄膜482以被覆第一通孔464的底部、內壁及開口的周圍，並且形成金屬薄膜482以被覆第二通孔466的底部、內壁及開口的周圍。

接著，如圖20所示，根據本發明之第四較佳具體實施例之方法係形成第二高分子層47於第一高分子層46上以覆蓋腔穴462的開口4622，進而密封腔穴462。

於一具體實施例中，第二高分子層47可以由第二感光分子材料或第二非感光高分子材料所形成。第二感光分子材料可以是聚二甲基矽氧烷(polydimethylsiloxane, PDMS)、SU-8(Microchem公司的產品)，或環氧樹脂系列，例如，TMMR、TMMF或NC-S0075A-F(均是Tokyo Ohka Kogyo公司的產品)、PBO等。第二高分子層47若由第二非感光高分子材料所形成，則必須是乾膜形式。

接著，如圖21所示，根據本發明之較佳具體實施例之方法係形成底層金屬薄膜484以被覆第二高分子層47、金屬薄膜482。第一通孔464與第二通孔466大致上仍保持原有的形態。

接著，如圖22所示，根據本發明之第四較佳具體實施例之方法係局部形成光阻層R2以被覆第二高分子層47，但未被覆第一通孔464與第二通孔466及其上方處。

同樣如圖22所示，接著，根據本發明之第四較佳具體實施例之方法係形成金屬凸塊486以填充第一通孔464與第二通孔466。

最後，根據本發明之較佳具體實施例之方法係移除光阻層R2，並局部蝕刻底層金屬薄膜484，以露出第二高分子層47，並且進而形成第一電極48a以及第二電極48b，即完成如圖15所示的微機電射頻體聲波濾波器4。第一電極48a即由金屬薄膜482、底層金屬薄膜484以及金屬凸塊486所構成。第二電極48b即由金屬薄膜482、底層金屬薄膜484以及金屬凸塊486所構成。第一電極48a係貫穿第二高分子層47以及第一高分子層46，進而接觸第一導電墊42之第一端部份426。第二電極48b係貫穿第二高分子層47以及第一高分子層46，進而接觸第二導電墊45之第二端部份452。

請參閱圖23，該圖式示意地描繪根據本發明之第五較佳具體實施例之微機電射頻體聲波濾波器5。圖23係根據本發明之第五較佳具體實施例之微機電射頻體聲波濾波器5的剖面視圖。圖23所示的微機電射頻體聲波濾波器5為薄膜塊體聲波共振器濾波器結構。

如圖23所示，根據本發明之第五較佳具體實施例之微機電射頻體聲波濾波器5包含第一基材50、第一導電墊51、聲波諧振元件52、第一介電薄膜疊層53a、第二介電薄膜疊層53b、第三介電薄膜疊層53c、第二導電墊54、第二基材55、第一電極56a以及第二電極56b。

第一基材50具有第一表面502以及下腔穴504。第一基材50的第一表面502係絕緣的。第一基材50的下腔穴504係形成於第一表面502上且向下凹陷。下腔穴504具有形成於第一基材50的第一表面502處之第一開口5042。

於一具體實施例中，如圖23所示，第一基材50可以包含矽基材50a以及形成於矽基材50a上的介電絕緣層50b，但並不以此為限。介電絕緣層50b可以是由氮化矽、氧化矽、摻雜氧化矽、氮化鋁、氮化鎵、石英，等所形成，但並不以此為限。介電絕緣層50b提供第一基材50的第一表面502。於實際應用中，構成第一基材50的矽基材50a的電阻值須高於3000 Ohm•cm。

第一導電墊51係形成於第一基材50的第一表面502上，並且覆蓋下腔穴504的第一開口5042。特別地，第一導電墊51具有陡峭的第一側壁512以及陡峭的第二側壁514。關於”陡峭的”之定義已於上文中陳述，在此不再贅述。

於一具體實施例中，第一導電墊51可以是由Ti、TiW、W、Cr、Al、Mo、Cu、Au等金屬材料所形成的薄膜，或是由上述金屬材料之組合所形成的薄膜。

聲波諧振元件52係形成於第一導電墊51上。特別地，聲波諧振元件52具有陡峭的第三側壁522以及陡峭的第四側壁524。並且，聲波諧振元件52的第三側壁522係對齊第一導電墊51的第一側壁512。於一具體實施例中，聲波諧振元件52可以包含由Ba _xSr _(1-x)TiO ₃(BST)、Al _xSc _(1-x)N、AlN、GaN、Ga _xAl _(1-x)N、Al ₂O ₃、壓電陶瓷等材料所形成的薄膜。

第一介電薄膜疊層53a係由至少一第一介電薄膜所構成，並且係形成以被覆第一導電墊51的第一側壁512以及聲波諧振元件52的第三側壁522。第二介電薄膜疊層53b係由至少一第二介電薄膜所構成，並且係形成以被覆聲波諧振元件52的第四側壁524。第三介電薄膜疊層53c係由至少一第三介電薄膜所構成，並且係形成以被覆第一導電墊51的第二側壁514。

第二導電墊54係形成以被覆第一介電薄膜疊層53a，並且延伸至聲波諧振元件52以及第一基材50的第一表面502上。須強調的是，第一介電薄膜疊層53a、第二介電薄膜疊層53b以及第三介電薄膜疊層53c皆做為隔離層，並且其寬度皆較窄。

於一具體實施例中，第一介電薄膜疊層53a、第二介電薄膜疊層53b以及第三介電薄膜疊層53c可以包含由SiO ₂、SiN、AlN、Al _xSc _(1-x)N、Al ₂O ₃、GaN等介電材料所形成的薄膜。

於一具體實施例中，第一介電薄膜疊層53a之第一寬度為等於或小於5μm。第二介電薄膜疊層53b之第二寬度為等於或小於5μm。第三介電薄膜疊層53c之第三寬度為等於或小於5μm。

於一具體實施例中，第二導電墊54可以是由Ti、TiW、W、Cr、Al、Mo、Cu、Au等金屬材料所形成的薄膜，或是由上述金屬材料之組合所形成的薄膜。

第二基材55具有第二表面552以及上腔穴554。第二基材55的上腔穴554係形成於第二表面552上且向上凹陷。上腔穴554具有形成於第二表面552處之第二開口5542。第二基材55係以第二表面552接合至第一基材50之第一表面502上，致使聲波諧振元件52置於上腔穴554的第二開口5542內。並且，下腔穴504與上腔穴554被密封。於一具體實施例中第二基材55可以是矽基材或玻璃基材，但並不以此為限。

第一電極56a係形成以貫穿第二基材55，進而接觸第一導電墊51之第一端部份516。

第二電極56b係形成以貫穿第二基材55，進而接觸第二導電墊54之第二端部份542。

於一具體實施例中，如圖23所示，第二基材55還具有貫穿的第一通孔556以及貫穿的第二通孔557。第一電極56a包含被覆第一通孔556的底部、內壁及開口的周圍之金屬薄膜562、被覆金屬薄膜562之底層金屬薄膜564以及填充第一通孔556的金屬凸塊566。第二電極56b包含被覆第二通孔557的底部、內壁及開口的周圍之金屬薄膜562、被覆金屬薄膜562之底層金屬薄膜564以及填充第二通孔557的金屬凸塊566。金屬薄膜562可以是由Ti、TiW、W、Cr、Al、Mo、Cu、Au等金屬材料所形成的薄膜，或是由上述金屬材料之組合所形成的薄膜。底層金屬薄膜564可以是由Ti、TiW、W、Cr、Al、Cu、Ni等金屬材料所形成的薄膜，或是由上述金屬材料之組合所形成的薄膜。金屬凸塊566可以是由Cu加Ni(或NiPd)、Sn合金(無鉛)所形成，但並不以此為限。

請參閱圖24至圖31，該等圖式係以截面視圖示意地繪示由根據本發明之第六較佳具體實施例之製造如圖23所示的微機電射頻體聲波濾波器5的方法。

如圖24所示，首先，根據本發明之第六較佳具體實施例之方法係製備第一基材50。第一基材50具有第一表面502。第一基材50的第一表面502係絕緣的並且朝上。

於一具體實施例中，如圖24所示，第一基材50可以包含矽基材50a以及形成於矽基材50a上的介電絕緣層50b，但並不以此為限。介電絕緣層50b提供第一基材50的第一表面502。於實際應用中，構成第一基材50的矽基材50a的電阻值須高於3000 Ohm•cm。

同樣如圖24所示，接著，根據本發明之第六較佳具體實施例之方法係局部蝕刻第一基材50的第一表面502以形成下腔穴504。下腔穴504具有形成於第一基材50的第一表面502處之第一開口5042。

同樣如圖24所示，接著，根據本發明之第六較佳具體實施例之方法係形成犧牲材料59以填充第一基材50的下腔穴504。

同樣如圖24所示，接著，根據本發明之第六較佳具體實施例之方法係形成第一導電墊51於第一基材50的第一表面502上且覆蓋犧牲材料59。特別地，第一導電墊51具有陡峭的第一側壁512以及陡峭的第二側壁514。關於”陡峭的”之定義已於上文中陳述，在此不再贅述。

同樣如圖24所示，接著，根據本發明之第六較佳具體實施例之方法係形成聲波諧振元件52於第一導電墊51上。特別地，聲波諧振元件52具有陡峭的第三側壁522以及陡峭的第四側壁524。並且，聲波諧振元件52的第三側壁522係對齊第一導電墊51的第一側壁512。於一具體實施例中，聲波諧振元件52可以包含由Si、Ba _xSr _(1-x)TiO ₃(BST)、Al _xSc _(1-x)N、AlN、GaN、Ga _xAl _(1-x)N、Al ₂O ₃、壓電陶瓷等材料所形成的薄膜。

如圖25所示，接著，根據本發明之第六較佳具體實施例之方法係形成中間介電薄膜疊層53以被覆聲波諧振元件52、第一導電墊51以及第一基材50的第一表面502。中間介電薄膜疊層53係由至少一介電薄膜所構成。

接著，如圖26所示，根據本發明之第六較佳具體實施例之方法係針對中間介電薄膜疊層53執行局部乾式蝕刻製程(例如，電漿蝕刻製程)，以形成第一介電薄膜疊層53a、第二介電薄膜疊層53b以及第三介電薄膜疊層53c。於圖5中，號碼標記”P3”代表電漿。第一介電薄膜疊層53a係由至少一第一介電薄膜所構成，並且被覆第一導電墊51的第一側壁512以及聲波諧振元件52的第三側壁522。第二介電薄膜疊層53b係由至少一第二介電薄膜所構成，並且被覆聲波諧振元件52的第四側壁524。第三介電薄膜疊層53c係由至少一第三介電薄膜所構成，並且被覆第一導電墊51的第二側壁514。須強調的是，第一介電薄膜疊層53a、第二介電薄膜疊層53b以及第三介電薄膜疊層53c皆做為隔離層，並且其寬度皆較窄。

接著，如圖27所示，接著，根據本發明之第六較佳具體實施例之方法係形成第二導電墊54係形成以被覆第一介電薄膜疊層53a，並且延伸至聲波諧振元件52以及第一基材50的第一表面502上。

同樣如圖27所示，接著，根據本發明之第六較佳具體實施例之方法係蝕刻犧牲材料59以恢復第一基材50的下腔穴504。於一具體實施例中，第一導電墊51與聲波諧振元件52上具有微通孔，犧牲材料59通過微通孔進行蝕刻，進而形成下腔穴504。

接著，如圖28所示，根據本發明之第六較佳具體實施例之方法係製備第二基材55。第二基材55具有第二表面552。

同樣如圖28所示，接著，根據本發明之第六較佳具體實施例之方法係局部蝕刻第二基材55之第二表面552以形成上腔穴554。第二基材55的上腔穴554具有形成於第二表面552處之第二開口5542。

同樣如圖28所示，接著，根據本發明之第六較佳具體實施例之方法係將第二基材55之第二表面接合至第一基材50之第一表面552上，致使聲波諧振元件52置於上腔穴554的第二開口5542內。並且，上腔穴554與下腔穴504被密封。

於一具體實施例中，第二基材55的厚度可以小於100μm，但並不以此為限。

如圖29所示，接著，根據本發明之第六較佳具體實施例之方法係執行蝕刻製程同時形成貫穿第二基材55的第一通孔556以及第二通孔557。第一導電墊51之第一端部份516係曝露於第一通孔556內，第二導電墊54之第二端部份542係曝露於第二通孔557內。

同樣如圖29所示，接著，根據本發明之第六較佳具體實施例之方法係形成金屬薄膜562以被覆第一通孔556的底部、內壁及開口的周圍，並且形成金屬薄膜562以被覆第二通孔557的底部、內壁及開口的周圍。

接著，如圖30所示，根據本發明之第六較佳具體實施例之方法係形成底層金屬薄膜564以被覆第三高分子層37、金屬薄膜562。第一通孔556與第二通孔557大致上仍保持原有的形態。

接著，如圖31所示，根據本發明之第六較佳具體實施例之方法係局部形成光阻層R3以被覆第二基材55，但未被覆第一通孔556與第二通孔557及其上方處。

同樣如圖31所示，接著，根據本發明之第六較佳具體實施例之方法係形成金屬凸塊566以填充第一通孔556與第二通孔557。

最後，根據本發明之第六較佳具體實施例之方法係移除光阻層R3，並局部蝕刻底層金屬薄膜564，以露出第二基材55，並且進而形成第一電極56a以及第二電極56b，即完成如圖23所示的微機電射頻體聲波濾波器5。第一電極56a即由金屬薄膜562、底層金屬薄膜564以及金屬凸塊566所構成。第二電極56b即由金屬薄膜562、底層金屬薄膜564以及金屬凸塊566所構成。第一電極56a係貫穿第第二基材55，進而接觸第一導電墊51之第一端部份516。第二電極56b係貫穿第二基材55，進而接觸第二導電墊54之第二端部份542。

請參閱圖32，該圖式示意地描繪根據本發明之第七較佳具體實施例之微機電射頻體聲波濾波器6。圖32係根據本發明之第七較佳具體實施例之微機電射頻體聲波濾波器6的剖面視圖。圖32所示的微機電射頻體聲波濾波器6為固態堆疊共振器濾波器結構。

如圖32所示，根據本發明之第七較佳具體實施例之微機電射頻體聲波濾波器6包含第一基材60、布拉格反射鏡堆疊結構61、第一導電墊62、聲波諧振元件63、第一介電薄膜疊層64a、第二介電薄膜疊層64b、第三介電薄膜疊層64c、第二導電墊65、第二基材66、第一電極67a以及第二電極67b。

布拉格反射鏡堆疊結構61係形成於第一基材60上。布拉格反射鏡堆疊結構61係由高聲阻材料薄膜612(例如，W、Mo、HfO ₂、AlN、ZnO、Ta ₂O ₅等材料所形成的薄膜)以及低聲阻材料薄膜614(例如，SiO ₂等材料所形成的薄膜)交互堆叠而成。布拉格反射鏡堆疊結構61用以反射通訊波。

於一具體實施例中，第一基材60可以是矽基材，但並不以此為限。於實際應用中，構成第一基材60的矽基材的電阻值須高於3000 Ohm•cm。

第一導電墊62係形成於布拉格反射鏡堆疊結構61上。特別地，第一導電墊62具有陡峭的第一側壁622以及陡峭的第二側壁624。關於”陡峭的”之定義已於上文中陳述，在此不再贅述。

於一具體實施例中，第一導電墊62可以是由Ti、TiW、W、Cr、Al、Mo、Cu、Au等金屬材料所形成的薄膜，或是由上述金屬材料之組合所形成的薄膜。

聲波諧振元件63係形成於第一導電墊62上。特別地，聲波諧振元件63具有陡峭的第三側壁632以及陡峭的第四側壁634。並且，聲波諧振元件63的第三側壁632係對齊第一導電墊62的第一側壁622。於一具體實施例中，聲波諧振元件63可以包含由Ba _xSr _(1-x)TiO ₃(BST)、Al _xSc _(1-x)N、AlN、GaN、Ga _xAl _(1-x)N、Al ₂O ₃、壓電陶瓷等材料所形成的薄膜。

第一介電薄膜疊層64a係由至少一第一介電薄膜所構成，並且係形成以被覆第一導電墊62的第一側壁622以及聲波諧振元件63的第三側壁632。第二介電薄膜疊層64b係由至少一第二介電薄膜所構成，並且係形成以被覆聲波諧振元件63的第四側壁634。第三介電薄膜疊層64c係由至少一第三介電薄膜所構成，並且係形成以被覆第一導電墊62的第二側壁624。

第二導電墊65係形成以被覆第一介電薄膜疊層64a，並且延伸至聲波諧振元件63以及布拉格反射鏡堆疊結構61上。須強調的是，第一介電薄膜疊層64a、第二介電薄膜疊層64b以及第三介電薄膜疊層64c皆做為隔離層，並且其寬度皆較窄。

於一具體實施例中，第一介電薄膜疊層64a、第二介電薄膜疊層64b以及第三介電薄膜疊層64c可以包含由SiO ₂、SiN、AlN、Al _xSc _(1-x)N、Al ₂O ₃、GaN等介電材料所形成的薄膜。

於一具體實施例中，第一介電薄膜疊層64a之第一寬度為等於或小於5μm。第二介電薄膜疊層64b之第二寬度為等於或小於5μm。第三介電薄膜疊層64c之第三寬度為等於或小於5μm。

於一具體實施例中，第二導電墊65可以是由Ti、TiW、W、Cr、Al、Mo、Cu、Au等金屬材料所形成的薄膜，或是由上述金屬材料之組合所形成的薄膜。

第二基材66具有下表面662以及腔穴664。第二基材66的腔穴664係形成於下表面662上且向上凹陷。第二基材66的腔穴664具有形成於下表面662處之開口6642。第二基材66係以下表面662接合至布拉格反射鏡堆疊結構61上，致使聲波諧振元件63置於腔穴664的開口6642內。並且，腔穴664被密封。

第一電極67a係形成以貫穿第二基材66，進而接觸第一導電墊62之第一端部份626。

第二電極67b係形成以貫穿第二基材66，進而接觸第二導電墊65之第二端部份652。

於一具體實施例中，如圖32所示，第二基材66還具有貫穿的第一通孔666以及貫穿的第二通孔667。第一電極67a包含被覆第一通孔666的底部、內壁及開口的周圍之金屬薄膜672、被覆金屬薄膜672之底層金屬薄膜674以及填充第一通孔666的金屬凸塊676。第二電極67b包含被覆第二通孔667的底部、內壁及開口的周圍之金屬薄膜672、被覆金屬薄膜672之底層金屬薄膜674以及填充第二通孔667的金屬凸塊676。金屬薄膜672可以是由Ti、TiW、W、Cr、Al、Mo、Cu、Au等金屬材料所形成的薄膜，或是由上述金屬材料之組合所形成的薄膜。底層金屬薄膜674可以是由Ti、TiW、W、Cr、Al、Cu、Ni等金屬材料所形成的薄膜，或是由上述金屬材料之組合所形成的薄膜。金屬凸塊676可以是由Cu加Ni(或NiPd)、Sn合金(無鉛)所形成，但並不以此為限。

請參閱圖33至圖38，該等圖式係以截面視圖示意地繪示由根據本發明之第八較佳具體實施例之製造如圖32所示的微機電射頻體聲波濾波器6的方法。

如圖33所示，首先，根據本發明之第八較佳具體實施例之方法係製備第一基材60。

同樣如圖33所示，接著，根據本發明之第八較佳具體實施例之方法係形成布拉格反射鏡堆疊結構61於第一基材60上。布拉格反射鏡堆疊結構61係由高聲阻材料薄膜612(例如，W、Mo、HfO ₂、AlN、ZnO、Ta ₂O ₅等材料所形成的薄膜)以及低聲阻材料薄膜614(例如，SiO ₂等材料所形成的薄膜)交互堆叠而成。布拉格反射鏡堆疊結構61用以反射通訊波。

同樣如圖33所示，接著，根據本發明之第八較佳具體實施例之方法係形成第一導電墊62於布拉格反射鏡堆疊結構61上。特別地，第一導電墊62具有陡峭的第一側壁622以及陡峭的第二側壁624。關於”陡峭的”之定義已於上文中陳述，在此不再贅述。

同樣如圖33所示，接著，根據本發明之第八較佳具體實施例之方法係形成聲波諧振元件63於第一導電墊62上。特別地，聲波諧振元件63具有陡峭的第三側壁632以及陡峭的第四側壁634。並且，聲波諧振元件63的第三側壁632係對齊第一導電墊62的第一側壁622。於一具體實施例中，聲波諧振元件63可以包含由Si、Ba _xSr _(1-x)TiO ₃(BST)、Al _xSc _(1-x)N、AlN、GaN、Ga _xAl _(1-x)N、Al ₂O ₃、壓電陶瓷等材料所形成的薄膜。

同樣如圖33所示，接著，根據本發明之第八較佳具體實施例之方法係形成中間介電薄膜疊層64以被覆聲波諧振元件63、第一導電墊62以及布拉格反射鏡堆疊結構61。中間介電薄膜疊層64係由至少一介電薄膜所構成。

接著，如圖34所示，根據本發明之第八較佳具體實施例之方法係針對中間介電薄膜疊層64執行局部乾式蝕刻製程(例如，電漿蝕刻製程)，以形成第一介電薄膜疊層64a、第二介電薄膜疊層64b以及第三介電薄膜疊層64c。於圖34中，號碼標記”P4”代表電漿。第一介電薄膜疊層64a係由至少一第一介電薄膜所構成，並且被覆第一導電墊62的第一側壁622以及聲波諧振元件63的第三側壁632。第二介電薄膜疊層64b係由至少一第二介電薄膜所構成，並且被覆聲波諧振元件63的第四側壁634。第三介電薄膜疊層64c係由至少一第三介電薄膜所構成，並且被覆第一導電墊62的第二側壁624。須強調的是，第一介電薄膜疊層64a、第二介電薄膜疊層64b以及第三介電薄膜疊層64c皆做為隔離層，並且其寬度皆較窄。

接著，如圖35所示，接著，根據本發明之第八較佳具體實施例之方法係形成第二導電墊65係形成以被覆第一介電薄膜疊層64a，並且延伸至聲波諧振元件63以及布拉格反射鏡堆疊結構61上。

接著，如圖36所示，根據本發明之第八較佳具體實施例之方法係製備第二基材66。第二基材66具有下表面662。

同樣如圖36所示，接著，根據本發明之第八較佳具體實施例之方法係局部蝕刻第二基材66之下表面662以形成腔穴664。第二基材66的腔穴664具有形成於下表面662處之開口6642。

同樣如圖36所示，接著，根據本發明之第八較佳具體實施例之方法係將第二基材66之下表面662接合至布拉格反射鏡堆疊結構61上，致使聲波諧振元件63置於腔穴664的開口6642內。並且，腔穴664被密封。

同樣如圖36所示，同樣藉由微顯影製程，致使在第二基材666上同時形成貫穿第二基材66的第一通孔666以及第二通孔667。第一導電墊62之第一端部份626係曝露於第一通孔666內，第二導電墊65之第二端部份652係曝露於第二通孔667內。

同樣如圖36所示，接著，根據本發明之第八較佳具體實施例之方法係形成金屬薄膜672以被覆第一通孔666的底部、內壁及開口的周圍，並且形成金屬薄膜672以被覆第二通孔667的底部、內壁及開口的周圍。

接著，如圖37所示，根據本發明之較佳具體實施例之方法係形成底層金屬薄膜674以被覆第二基材66、金屬薄膜672。第一通孔666與第二通孔667大致上仍保持原有的形態。

接著，如圖38所示，根據本發明之第八較佳具體實施例之方法係局部形成光阻層R4以被覆第二基材66，但未被覆第一通孔666與第二通孔667及其上方處。

同樣如圖38所示，接著，根據本發明之第八較佳具體實施例之方法係形成金屬凸塊676以填充第一通孔666與第二通孔667。

最後，根據本發明之較佳具體實施例之方法係移除光阻層R4，並局部蝕刻底層金屬薄膜674，以露出第二基材66，並且進而形成第一電極67a以及第二電極67b，即完成如圖32所示的微機電射頻體聲波濾波器6。第一電極67a即由金屬薄膜672、底層金屬薄膜674以及金屬凸塊676所構成。第二電極67b即由金屬薄膜672、底層金屬薄膜674以及金屬凸塊676所構成。第一電極67a係貫穿第二基材66，進而接觸第一導電墊62之第一端部份626。第二電極67b係貫穿第二基材66，進而接觸第二導電墊65之第二端部份652。

藉由以上對本發明之詳述，可以清楚了解根據本發明之微機電射頻體聲波濾波器具有較低的形貌變化導致較低的寄生電容，進而在其運作時發生的雜訊較低。並且，做為隔離層的第一介電薄膜疊層、第二介電薄膜疊層以及第三介電薄膜疊層的寬度較窄，讓同一晶圓上同時製造多個微機電射頻體聲波濾波器的密度提升。並且，根據本發明之微機電射頻體聲波濾波器在製造上並不利用犧牲材料層與聲波諧振元件的微通孔來形成下腔穴。根據本發明之微機電射頻體聲波濾波器的腔穴大多是採用高分子材料且藉由微顯影製成所形成。根據本發明之製造微機電射頻體聲波濾波器之方法製程耗時短，良率較高，成本較低。

藉由以上較佳具體實施例之詳述，係希望能更加清楚描述本發明之特徵與精神，而並非以上述所揭露的較佳具體實施例來對本發明之面向加以限制。相反地，其目的是希望能涵蓋各種改變及具相等性的安排於本發明所欲申請之專利範圍的面向內。因此，本發明所申請之專利範圍的面向應該根據上述的說明作最寬廣的解釋，以致使其涵蓋所有可能的改變以及具相等性的安排。

1:薄膜塊體聲波共振器濾波器 10:第一基材 102:下腔穴 1022:開口 11:第一導電墊 112:第一端部份 12:聲波諧振元件 122:第一側壁 124:第二側壁 13:第一介電薄膜疊層 14:第二介電薄膜疊層 112:第一端部份 12:聲波諧振元件 120:第一邊緣 122:第二邊緣 13:第一介電薄膜疊層 14:第二介電薄膜疊層 15:第二導電墊 152:第二端部份 16:第二基材 162:上腔穴 17:第一電極 18:第二電極 2:固態堆疊共振器濾波器 20:第一基材 21:第一導電墊 212:第一端部份 22:聲波諧振元件 222:第一側壁 224:第二側壁 23:第一介電薄膜疊層 24:第二介電薄膜疊層 25:第二導電墊 252:第二端部份 26:第二基材 262:上腔穴 27:第一電極 28:第二電極 29:布拉格反射鏡堆疊結構 292:高聲阻材料薄膜 294:低聲阻材料薄膜 3:微機電射頻體聲波濾波器 30:第一基材 30a:矽基材 30b:介電絕緣層 302:第一表面 304:第二表面 306:上腔穴 3062:第一開口 3064:第二開口 307:第一通孔 308:第二通孔 31:第一導電墊 312:第一側壁 314:第二側壁 316:第一端部份 32:聲波諧振元件 322:第三側壁 324:第四側壁 33:中間介電薄膜疊層 33a:第一介電薄膜疊層 33b:第二介電薄膜疊層 33c:第三介電薄膜疊層 34:第二導電墊 342:第二端部份 35:第一高分子層 352:下腔穴 3522:第三開口 36:第二高分子層 37:第三高分子層 38a:第一電極 38b:第二電極 382:金屬薄膜 384:底層金屬薄膜 386:金屬凸塊 39:第二基材 P1:電漿 R1:光阻層 4:微機電射頻體聲波濾波器 40:基材 41:布拉格反射鏡堆疊結構 412:高聲阻材料薄膜 414:低聲阻材料薄膜 42:第一導電墊 422:第一側壁 424:第二側壁 426:第一端部份 43:聲波諧振元件 432:第三側壁 434:第四側壁 44:中間介電薄膜疊層 44a:第一介電薄膜疊層 44b:第二介電薄膜疊層 44c:第三介電薄膜疊層 45:第二導電墊 452:第二端部份 46:第一高分子層 462:腔穴 4622:開口 464:第一通孔 466:第二通孔 47:第二高分子層 48a:第一電極 48b:第二電極 482:金屬薄膜 484:底層金屬薄膜 486:金屬凸塊 P2:電漿 R2:光阻層 5:微機電射頻體聲波濾波器 50:第一基材 50a:矽基材 50b:介電絕緣層 502:第一表面 504:下腔穴 5042:第一開口 51:第一導電墊 512:第一側壁 514:第二側壁 516:第一端部份 52:聲波諧振元件 522:第三側壁 524:第四側壁 53:中間介電薄膜疊層 53a:第一介電薄膜疊層 53b:第二介電薄膜疊層 53c:第三介電薄膜疊層 54:第二導電墊 542:第二端部份 55:第二基材 552:第二表面 554:上腔穴 5542:第二開口 556:第一通孔 557:第二通孔 56a:第一電極 56b:第二電極 562:金屬薄膜 564:底層金屬薄膜 566:金屬凸塊 59:犧牲材料 P3:電漿 R3:光阻層 6:微機電射頻體聲波濾波器 60:第一基材 61:布拉格反射鏡堆疊結構 612:高聲阻材料薄膜 614:低聲阻材料薄膜 62:第一導電墊 622:第一側壁 624:第二側壁 626:第一端部份 63:聲波諧振元件 632:第三側壁 634:第四側壁 64:中間介電薄膜疊層 64a:第一介電薄膜疊層 64b:第二介電薄膜疊層 64c:第三介電薄膜疊層 65:第二導電墊 652:第二端部份 66:第二基材 662:下表面 664:腔穴 6642:開口 666:第一通孔 667:第二通孔 67a:第一電極 67b:第二電極 672:金屬薄膜 674:底層金屬薄膜 676:金屬凸塊 P4:電漿 R4:光阻層

圖1係先前技術之薄膜塊體聲波共振器濾波器的剖面視圖。圖2係先前技術之體聲波濾波器的剖面視圖。圖3係根據本發明之第一較佳具體實施例之微機電射頻體聲波濾波器的剖面視圖。圖4至圖14係根據本發明之第二較佳具體實施例之製造微機電射頻體聲波濾波器的方法各製程階段所得結構的剖面視圖。圖15係根據本發明之第三較佳具體實施例之微機電射頻體聲波濾波器的剖面視圖。圖16至圖22係根據本發明之第四較佳具體實施例之製造微機電射頻體聲波濾波器的方法各製程階段所得結構的剖面視圖。圖23係根據本發明之第五較佳具體實施例之微機電射頻體聲波濾波器的剖面視圖。圖24至圖31係根據本發明之第六較佳具體實施例之製造微機電射頻體聲波濾波器的方法各製程階段所得結構的剖面視圖。圖32係根據本發明之第七較佳具體實施例之微機電射頻體聲波濾波器的剖面視圖。圖33至圖38係根據本發明之第八較佳具體實施例之製造微機電射頻體聲波濾波器的方法各製程階段所得結構的剖面視圖。

3:微機電射頻體聲波濾波器

30:第一基材

30a:矽基材

30b:介電絕緣層

302:第一表面

304:第二表面

306:上腔穴

3062:第一開口

3064:第二開口

307:第一通孔

308:第二通孔

31:第一導電墊

312:第一側壁

314:第二側壁

316:第一端部份

32:聲波諧振元件

322:第三側壁

324:第四側壁

33a:第一介電薄膜疊層

33b:第二介電薄膜疊層

33c:第三介電薄膜疊層

34:第二導電墊

342:第二端部份

35:第一高分子層

352:下腔穴

3522:第三開口

36:第二高分子層

37:第三高分子層

38a:第一電極

38b:第二電極

382:金屬薄膜

384:底層金屬薄膜

386:金屬凸塊

39:第二基材

Claims

一種微機電射頻體聲波濾波器，包含：一基材，具有一第一表面、一第二表面以及一上腔穴，該第一表面與該第二表面互為反面，該第一表面係絕緣的，該上腔穴係貫穿該基材，該上腔穴具有形成於該第一表面處之一第一開口以及形成於該第二表面處之一第二開口；一第一導電墊，係形成於該基材之該第一表面上且覆蓋該第一開口，該第一導電墊具有一陡峭的第一側壁以及一陡峭的第二側壁；一聲波諧振元件，係形成於該第一導電墊上且具有一陡峭的第三側壁以及一陡峭的第四側壁，該第三側壁係對齊該第一側壁；一第一介電薄膜疊層，係由至少一第一介電薄膜所構成且係形成以被覆該第一導電墊之該第一側壁以及該聲波諧振元件之該第三側壁；一第二介電薄膜疊層，係由至少一第二介電薄膜所構成且係形成以被覆該聲波諧振元件之該第四側壁；一第三介電薄膜疊層，係由至少一第三介電薄膜所構成且係形成以被覆該第一導電墊之該第二側壁；一第二導電墊，係形成以被覆該第一介電薄膜疊層且延伸至該聲波諧振元件以及該基材之該第一表面上；一第一高分子層，係形成於該基材之該第一表面上且具有一下腔穴，該下腔穴係貫穿該第一高分子層，該聲波諧振元件係曝露於該下腔穴內，該下腔穴具有一第三開口；一第二高分子層，係形成於該第一高分子層上以覆蓋該第三開口；一第三高分子層，係形成於該基材之該第二表面上以覆蓋該第二開口；一第一電極，係形成以貫穿該第三高分子層以及該基材進而接觸該第一導電墊之一第一端部份；以及一第二電極，係形成以貫穿該第三高分子層以及該基材進而接觸該第二導電墊之一第二端部份。
如請求項1所述之微機電射頻體聲波濾波器，其中該第一介電薄膜疊層之一第一寬度為等於或小於5μm，該第二介電薄膜疊層之一第二寬度為等於或小於5μm，該第三介電薄膜疊層之一第三寬度為等於或小於5μm，該第一高分子層係由一第一感光分子材料或一第一非感光高分子材料所形成，該第二高分子層係由一第二感光分子材料或一第二非感光高分子材料所形成，並且該第三高分子層係由一第三感光分子材料所形成。
一種微機電射頻體聲波濾波器，包含：一基材；一布拉格反射鏡堆疊結構，係形成於該基材上；一第一導電墊，係形成於該布拉格反射鏡堆疊結構上，該第一導電墊具有一陡峭的第一側壁以及一陡峭的第二側壁；一聲波諧振元件，係形成於該第一導電墊上且具有一陡峭的第三側壁以及一陡峭的第四側壁，該第三側壁係對齊該第一側壁；一第一介電薄膜疊層，係由至少一第一介電薄膜所構成且形成以被覆該第一導電墊之該第一側壁以及該聲波諧振元件之該第三側壁；一第二介電薄膜疊層，係由至少一第二介電薄膜所構成且形成以被覆該聲波諧振元件之該第四側壁；一第三介電薄膜疊層，係由至少一第三介電薄膜所構成且形成以被覆該第一導電墊之該第二側壁；一第二導電墊，係形成以被覆該第一介電薄膜疊層且延伸至該聲波諧振元件以及該布拉格反射鏡堆疊結構上；一第一高分子層，係形成於該布拉格反射鏡堆疊結構上且具有一腔穴，該腔穴係貫穿該第一高分子層，該聲波諧振元件係曝露於該腔穴內，該腔穴具有一開口；一第二高分子層，係形成於該第一高分子層上以覆蓋該開口；一第一電極，係形成以貫穿該第二高分子層以及該第一高分子層進而接觸該第一導電墊之一第一端部份；以及一第二電極，係形成以貫穿該第二高分子層以及該第一高分子層進而接觸該第二導電墊之一第二端部份。
如請求項3所述之微機電射頻體聲波濾波器，其中該第一介電薄膜疊層之一第一寬度為等於或小於5μm，該第二介電薄膜疊層之一第二寬度為等於或小於5μm，該第三介電薄膜疊層之一第三寬度為等於或小於5μm，該第一高分子層係由一第一感光分子材料或一第一非感光高分子材料所形成，並且該第二高分子層係由一第二感光分子材料或一第二非感光高分子材料所形成。
一種製造一微機電射頻體聲波濾波器之方法，包含下列步驟： (a)製備一第一基材，該第一基材具有一第一表面以及一第二表面，該第一表面與該第二表面互為反面，該第一表面係絕緣的且朝上；(b)形成一第一導電墊於該第一基材之該第一表面上，該第一導電墊具有一陡峭的第一側壁以及一陡峭的第二側壁；(c)形成一聲波諧振元件於該第一導電墊上，該聲波諧振元件具有一陡峭的第三側壁以及一陡峭的第四側壁，該第三側壁係對齊該第一側壁；(d)形成一第一介電薄膜疊層、一第二介電薄膜疊層以及一第三介電薄膜疊層，該第一介電薄膜疊層係由至少一第一介電薄膜所構成且被覆該第一導電墊之該第一側壁以及該聲波諧振元件之該第三側壁，該第二介電薄膜疊層係由至少一第二介電薄膜所構成且被覆該聲波諧振元件之該第四側壁，該第三介電薄膜疊層係由至少一第三介電薄膜所構成且被覆該第一導電墊之該第二側壁；(e)形成一第二導電墊以被覆該第一介電薄膜疊層，該第二導電墊並且延伸至該聲波諧振元件以及該第一基材之該第一表面上；(f)形成一第一高分子層於該第一基材之該第一表面上，該第一高分子層具有一下腔穴，該下腔穴係貫穿該第一高分子層，該聲波諧振元件係曝露於該下腔穴內，該下腔穴具有一第一開口；(g)形成一第二高分子層於該第一高分子層上以覆蓋該第一開口；(h)接合一第二基材至該第二高分子層上；(i)將於步驟(h)中所獲得之結構翻面，致使該第一基材之該第二表面朝上；(j)形成一第一通孔、一第二通孔以及一上腔穴以貫穿該第一基材，其中該第一導電墊之一第一端部份係曝露於該第一通孔內，該第二導電墊之一第二端部份係曝露於該第二通孔內，該上腔穴具有形成於該第一表面處之一第二開口以及形成於該第二表面處之一第三開口，該第二開口係由該第一導電墊覆蓋；(k)形成一第三高分子層於該第一基材之該第二表面上以覆蓋該第三開口；以及(l)形成一第一電極以及一第二電極，該第一電極填充該第一通孔進而接觸該第一導電墊之該第一端部份，該第二電極填充該第二通孔進而接觸該第二導電墊之該第二端部份。
如請求項5所述之方法，其中該第一介電薄膜疊層之一第一寬度為等於或小於5μm，該第二介電薄膜疊層之一第二寬度為等於或小於5μm，該第三介電薄膜疊層之一第三寬度為等於或小於5μm，該第一高分子層係由一第一感光分子材料或一第一非感光高分子材料所形成，該第二高分子層係由一第二感光分子材料或一第二非感光高分子材料所形成，並且該第三高分子層係由一第三感光分子材料所形成。
一種製造一微機電射頻體聲波濾波器之方法，包含下列步驟：製備一基材；形成一布拉格反射鏡堆疊結構於該基材上；形成一第一導電墊於該布拉格反射鏡堆疊結構上，該第一導電墊具有一陡峭的第一側壁以及一陡峭的第二側壁；形成一聲波諧振元件於該第一導電墊上，該聲波諧振元件具有一陡峭的第三側壁以及一陡峭的第四側壁，該第三側壁係對齊該第一側壁；形成一第一介電薄膜疊層、一第二介電薄膜疊層以及一第三介電薄膜疊層，該第一介電薄膜疊層係由至少一第一介電薄膜所構成且被覆該第一導電墊之該第一側壁以及該聲波諧振元件之該第三側壁，該第二介電薄膜疊層係由至少一第二介電薄膜所構成且被覆該聲波諧振元件之該第四側壁，該第三介電薄膜疊層係由至少一第三介電薄膜所構成且被覆該第一導電墊之該第二側壁；形成一第二導電墊以被覆該第一介電薄膜疊層，該第二導電墊並且延伸至該聲波諧振元件以及該布拉格反射鏡堆疊結構上；形成一第一高分子層於該布拉格反射鏡堆疊結構以及該聲波諧振元件上；形成一腔穴、一第一通孔以及一第二通孔以貫穿該第一高分子層，其中該聲波諧振元件係曝露於該腔穴內，該腔穴具有一開口，該第一導電墊之一第一端部份係曝露於該第一通孔內，該第二導電墊之一第二端部份係曝露於該第二通孔內；以及形成一第二高分子層於該第一高分子層上以覆蓋該開口；形成一第一電極以及一第二電極，該第一電極填充該第一通孔進而接觸該第一導電墊之該第一端部份，該第二電極填充該第二通孔進而接觸該第二導電墊之該第二端部份。
如請求項7所述之方法，其中該第一介電薄膜疊層之一第一寬度為等於或小於5μm，該第二介電薄膜疊層之一第二寬度為等於或小於5μm，該第三介電薄膜疊層之一第三寬度為等於或小於5μm，該第一高分子層係由一第一感光分子材料或一第一非感光高分子材料所形成，並且該第二高分子層係由一第二感光分子材料或一第二非感光高分子材料所形成。
一種微機電射頻體聲波濾波器，包含：一第一基材，具有一第一表面以及一下腔穴，該第一表面係絕緣的，該下腔穴係形成於該第一表面上且向下凹陷，該下腔穴具有形成於該第一表面處之一第一開口；一第一導電墊，係形成於該第一基材之該第一表面上且覆蓋該第一開口，該第一導電墊具有一陡峭的第一側壁以及一陡峭的第二側壁；一聲波諧振元件，係形成於該第一導電墊上且具有一陡峭的第三側壁以及一陡峭的第四側壁，該第三側壁係對齊該第一側壁；一第一介電薄膜疊層，係由至少一第一介電薄膜所構成且形成以被覆該第一導電墊之該第一側壁以及該聲波諧振元件之該第三側壁；一第二介電薄膜疊層，係由至少一第二介電薄膜所構成且形成以被覆該聲波諧振元件之該第四側壁；一第三介電薄膜疊層，係由至少一第三介電薄膜所構成且形成以被覆該第一導電墊之該第二側壁；一第二導電墊，係形成以被覆該第一介電薄膜疊層且延伸至該聲波諧振元件以及該第一基材之該第一表面上；一第二基材，具有一第二表面以及一上腔穴，該上腔穴係形成於該第二表面上且向上凹陷，該上腔穴具有形成於該第二表面處之一第二開口，該第二基材係以該第二表面接合至該第一基材之該第一表面上，致使該聲波諧振元件置於該第二開口內；一第一電極，係形成以貫穿該第二基材進而接觸該第一導電墊之一第一端部份；以及一第二電極，係形成以貫穿該第二基材進而接觸該第二導電墊之一第二端部份。
如請求項9所述之微機電射頻體聲波濾波器，其中該第一介電薄膜疊層之一第一寬度為等於或小於5μm，該第二介電薄膜疊層之一第二寬度為等於或小於5μm，該第三介電薄膜疊層之一第三寬度為等於或小於5μm。
一種微機電射頻體聲波濾波器，包含：一第一基材；一布拉格反射鏡堆疊結構，係形成於該第一基材上；一第一導電墊，係形成於該布拉格反射鏡堆疊結構上，該第一導電墊具有一陡峭的第一側壁以及一陡峭的第二側壁；一聲波諧振元件，係形成於該第一導電墊上且具有一陡峭的第三側壁以及一陡峭的第四側壁，該第三側壁係對齊該第一側壁；一第一介電薄膜疊層，係由至少一第一介電薄膜所構成且形成以被覆該第一導電墊之該第一側壁以及該聲波諧振元件之該第三側壁；一第二介電薄膜疊層，係由至少一第二介電薄膜所構成且形成以被覆該聲波諧振元件之該第四側壁；一第三介電薄膜疊層，係由至少一第三介電薄膜所構成且形成以被覆該第一導電墊之該第二側壁；一第二導電墊，係形成以被覆該第一介電薄膜疊層且延伸至該聲波諧振元件以及該布拉格反射鏡堆疊結構上；一第二基材，具有一下表面以及一腔穴，該腔穴係形成於該下表面上且向上凹陷，該腔穴具有形成於該下表面處之一開口，該第二基材係以該下表面接合至該布拉格反射鏡堆疊結構上，致使該聲波諧振元件置於該開口內；一第一電極，係形成以貫穿該第二基材進而接觸該第一導電墊之一第一端部份；以及一第二電極，係形成以貫穿該第二基材進而接觸該第二導電墊之一第二端部份。
如請求項11所述之微機電射頻體聲波濾波器，其中該第一介電薄膜疊層之一第一寬度為等於或小於5μm，該第二介電薄膜疊層之一第二寬度為等於或小於5μm，該第三介電薄膜疊層之一第三寬度為等於或小於5μm。
一種製造一微機電射頻體聲波濾波器之方法，包含下列步驟：製備一第一基材，該第一基材具有一第一表面，該第一表面係絕緣的且朝上；局部蝕刻該第一基材之該第一表面以形成一下腔穴；形成一犧牲材料以填充該下腔穴；形成一第一導電墊於該第一基材之該第一表面上且覆蓋該犧牲材料，該第一導電墊具有一陡峭的第一側壁以及一陡峭的第二側壁；形成一聲波諧振元件於該第一導電墊上，該聲波諧振元件具有一陡峭的第三側壁以及一陡峭的第四側壁，該第三側壁係對齊該第一側壁；形成一第一介電薄膜疊層、一第二介電薄膜疊層以及一第三介電薄膜疊層，該第一介電薄膜疊層係由至少一第一介電薄膜所構成且被覆該第一導電墊之該第一側壁以及該聲波諧振元件之該第三側壁，該第二介電薄膜疊層係由至少一第二介電薄膜所構成且被覆該聲波諧振元件之該第四側壁，該第三介電薄膜疊層係由至少一第三介電薄膜所構成且被覆該第一導電墊之該第二側壁；形成一第二導電墊以被覆該第一介電薄膜疊層，該第二導電墊並且延伸至該聲波諧振元件以及該第一基材之該第一表面上；蝕刻該犧牲材料以恢復該下腔穴；製備一第二基材，該第二基材具有一第二表面；局部蝕刻該第二基材之該第二表面以形成一上腔穴，該上腔穴具有形成於該第二表面處之一開口；將該第二基材之該第二表面接合至該第一基材之該第一表面上，致使該聲波諧振元件置於該開口內；形成一第一通孔以及一第二通孔以貫穿該第二基材，其中該第一導電墊之一第一端部份係曝露於該第一通孔內，該第二導電墊之一第二端部份係曝露於該第二通孔內；以及形成一第一電極以及一第二電極，該第一電極填充該第一通孔進而接觸該第一導電墊之該第一端部份，該第二電極填充該第二通孔進而接觸該第二導電墊之該第二端部份。
如請求項13所述之方法，其中該第一介電薄膜疊層之一第一寬度為等於或小於5μm，該第二介電薄膜疊層之一第二寬度為等於或小於5μm，該第三介電薄膜疊層之一第三寬度為等於或小於5μm。
一種製造一微機電射頻體聲波濾波器之方法，包含下列步驟：製備一第一基材；形成一布拉格反射鏡堆疊結構於該第一基材上；形成一第一導電墊於該布拉格反射鏡堆疊結構上，該第一導電墊具有一陡峭的第一側壁以及一陡峭的第二側壁；形成一聲波諧振元件於該第一導電墊上，該聲波諧振元件具有一陡峭的第三側壁以及一陡峭的第四側壁，該第三側壁係對齊該第一側壁；形成一第一介電薄膜疊層、一第二介電薄膜疊層以及一第三介電薄膜疊層，該第一介電薄膜疊層係由至少一第一介電薄膜所構成且被覆該第一導電墊之該第一側壁以及該聲波諧振元件之該第三側壁，該第二介電薄膜疊層係由至少一第二介電薄膜所構成且被覆該聲波諧振元件之該第四側壁，該第三介電薄膜疊層係由至少一第三介電薄膜所構成且被覆該第一導電墊之該第二側壁；形成一第二導電墊以被覆該第一介電薄膜疊層，該第二導電墊並且延伸至該聲波諧振元件以及該布拉格反射鏡堆疊結構上；製備一第二基材，該第二基材具有一下表面；局部蝕刻該第二基材之該下表面以形成一腔穴，該腔穴具有形成於該下表面處之一開口；將該第二基材之該下表面接合至該布拉格反射鏡堆疊結構上，致使該聲波諧振元件置於該開口內；形成一第一通孔以及一第二通孔以貫穿該第二基材，其中該第一導電墊之一第一端部份係曝露於該第一通孔內，該第二導電墊之一第二端部份係曝露於該第二通孔內；以及形成一第一電極以及一第二電極，該第一電極填充該第一通孔進而接觸該第一導電墊之該第一端部份，該第二電極填充該第二通孔進而接觸該第二導電墊之該第二端部份。
如請求項15所述之方法，其中該第一介電薄膜疊層之一第一寬度為等於或小於5μm，該第二介電薄膜疊層之一第二寬度為等於或小於5μm，該第三介電薄膜疊層之一第三寬度為等於或小於5μm。