CN107094001A - 声波谐振器及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种声波谐振器及其制造方法。所述声波谐振器包括：基板，其中设置有过孔并具有形成在所述基板的第一表面上的膜结构；盖子，容纳所述膜结构并结合到所述基板。所述盖子包括与所述膜结构接触的支撑块。

Description

声波谐振器及其制造方法

本申请要求于2016年2月18日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0019011号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。

技术领域

下面的描述涉及一种声波谐振器及用于制造所述声波谐振器的方法。

背景技术

随着通信技术已迅速发展，需要信号处理和射频(RF)组件技术的相应的发展。具体来说，根据无线通信装置的小型化的趋势，射频组件技术的小型化已经十分必要。射频组件技术的小型化的示例包括利用半导体制造技术的呈体声波(BAW)谐振器的形式的滤波器。

体声波(BAW)谐振器指的是这样的谐振器：其中，谐振产生元件包括沉淀在类似硅晶圆的半导体基板上的压电介电材料的薄膜并利用压电介电材料的压电特性被实现为滤波器。

体声波(BAW)谐振器的应用包括(但不限于)移动通信装置、化学和生物装置的小且轻量化的滤波器、振荡器、谐振元件和声波谐振质量传感器。

发明内容

提供该发明内容以简化形式来介绍选择的构思，以下在具体实施方式中进一步描述该构思。本发明内容无意限定所要求保护的主题的主要特征或必要特征，也无意用于帮助确定所要求保护的主题的范围。

在一个总的方面中，一种声波谐振器包括：基板，其中设置有过孔并具有形成在所述基板的第一表面上的膜结构；盖子，容纳所述膜结构并结合到所述基板。所述盖子包括与所述膜结构接触的支撑块。

所述膜结构可覆盖所述过孔的至少一部分。

所述支撑块可支撑覆盖所述基板的过孔的膜结构。可在所述支撑块的与膜结构接触的表面上设置绝缘膜。所述绝缘膜可包括氧化膜。

所述支撑块的邻近所述膜结构的表面可包括被构造为接触膜结构的突起。所述突起可具有逐渐减小的截面积。所述支撑块可与膜结构线接触。

所述膜结构可包括电连接到设置在所述过孔中的连接导体的连接电极，所述支撑块可接触所述连接电极。所述连接电极可设置在所述过孔之上。

所述膜结构可包括多层，所述多层中的至少一层为压电层。

在另一总的方面中，一种制造声波谐振器的方法包括：在基板的第一表面上形成膜结构；将盖子结合到基板，使得设置在盖子中的支撑块接触膜结构。

所述方法还可包括：在盖子结合到基板之后，在基板中形成过孔，然后在过孔的内壁上形成连接导体。

过孔的形成可包括：在支撑块与膜结构彼此接触的部分之下形成过孔。

盖子结合到基板还可包括：在支撑块的与膜结构接触的表面上形成绝缘膜。

在另一总的方面中，一种声波谐振器包括：基板，具有设置为超过所述基板的厚度的过孔；膜，设置在所述过孔的第一端上；盖，设置在所述膜之上。所述盖包括从所述盖的内表面凸出并接触所述膜以抵消来自所述过孔的第二端的压力的凸出物。

所述盖可结合到所述基板。

所述凸出物可具有被构造为使所述凸出物与所述膜之间接触的面积最小化的形状。

所述凸出物的接触所述膜的表面可以是绝缘体。

所述膜可包括连接到设置在所述过孔中的导体的电极。

通过下面的具体实施方式、附图和权利要求，其他特征和方面将是显而易见的。

附图说明

图1是示意性地示出根据实施例的声波谐振器的截面图。

图2是示意性地示出具有图1中所示的声波谐振器的封装件的截面图。

图3至图5是示出根据实施例的在利用用于制造的方法的制造期间的声波谐振器的示图。

图6是示意性地示出根据另一实施例的声波谐振器的截面图。

图7示出图6的′A′部分的放大截面图。

在所有的附图和具体实施方式中，相同的标号指示相同的元件。附图可不按比例绘制，并且为了清楚、说明和方便起见，附图中元件的相对尺寸、比例和描绘可被放大。

具体实施方式

提供以下具体实施方式，以帮助读者获得在此描述的方法、设备和/或系统的全面理解。然而，在理解本申请的公开内容之后,在此所描述的方法、设备和/或系统的各种改变、修改及其等同物将是显而易见的。例如，在此描述的操作顺序仅仅是示例，并且其并不局限于在此所阐述的顺序，而是除了必须以特定顺序发生的操作外，可做出在理解本申请的公开内容之后将是显而易见的改变。此外，为了更加清楚和简洁，可省去本领域中公知的特征的描述。

在此描述的特征可按照不同的形式实施，并且将不被解释为局限于在此描述的示例。更确切地说，已经提供了在此描述的示例，仅用于说明实现在此描述的方法、设备和/或系统的在理解本申请的公开内容之后将是显而易见的诸多可能方式中的一些。

在整个说明书中，当诸如层、区域或基板的元件被描述为“位于”另一元件“上”、“连接到”另一元件或“结合到”另一元件时，所述元件可以直接“位于”另一元件“上”、直接“连接到”另一元件或直接“结合到”另一元件，或者可存在介于它们之间的一个或更多个其他元件。相比之下，当元件被描述为“直接位于”另一元件“上”、“直接连接到”另一元件或“直接结合到”另一元件时，可不存在介于它们之间的其他元件。

如在此使用的，术语“和/或”包括任何两个或更多个相关联的所列项目中的任何一个以及任何组合。

虽然可在此使用诸如“第一”、“第二”、“第三”的术语来描述各种构件、组件、区域、层或部分，但是这些构件、组件、区域、层或部分不受这些术语所限制。更确切地说，这些术语仅用于将一个构件、组件、区域、层或部分与另一构件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离示例的教导的情况下，在此描述的示例中所称的第一构件、组件、区域、层或部分也可称作第二构件、组件、区域、层或部分。

为了便于描述，可在此使用空间关系术语(诸如“在……之上”、“上面”、“在……之下”和“下面”)以描述如图中示出的一个元件相对于另一元件的关系。这样的空间关系术语意图除了包括图中所示的方位之外，还包括装置在使用或操作时的不同方位。例如，如果图中的装置被翻转，则被描述为相对于另一元件位于“之上”或“上面”的元件将相对于另一元件位于“之下”或“下面”。因此，术语“在……之上”根据装置的空间方位而包含“在……之上”和“在……之下”两种方位。装置也可以以其他方式定位(例如，旋转90度或处于其他方位)，并可对在此使用的空间关系术语做出相应解释。

在此使用的术语仅用于描述各种示例，而不用于限制本公开。除非上下文中另外清楚地指明，否则单数冠词也意于包括复数形式。术语“包含”、“包括”和“具有”列举存在所述的特征、数量、操作、构件、元件和/或它们的组合，而不排除存在或增加一个或更多个其他特征、数量、操作、构件、元件和/或它们的组合。

由于制造技术和/或公差，可出现附图中所示的形状的变化。因此，在此描述的示例不限于附图中所示的特定形状，而是包括在制造期间出现的形状上的改变。

在理解本申请的公开内容之后将显而易见的是，在此描述的示例的特征可以以各种方式结合。此外，尽管在此描述的示例具有各种构造，但是在理解本申请的公开内容之后将显而易见的是，其他构造是可能的。

下面所描述的本公开的内容可具有各种构造且在此仅提出需要的构造，但不限于此。

图1是示意性地示出根据本公开中的实施例的声波谐振器的截面图，图2是示意性地示出具有图1中所示的声波谐振器的封装件的截面图。

参照图1，根据本公开中的实施例的声波谐振器100包括基板110、膜结构以及盖子或盖140。

膜结构指的是堆叠在基板110上用于形成谐振部120的层121、123、125、127和150以及形成在层121、123、125、127和150中的连接电极180和190的合称。

气隙130可形成在基板110和谐振部120之间，谐振部120可形成在膜层150上，以通过气隙130与基板110分开。

基板110可以是诸如例如，硅基板、绝缘体上硅(SOI)型基板或经得起半导体制造工艺的任何其他材料的基板的适合半导体基板。然而，基板110不限于此。

如在此使用的，术语“适合”材料指的是具有正在使用材料的部分或组件所需要的物理和化学性质的材料。此外，所述材料兼容于在制造或制作部分、组件或作为一个整体的装置中使用的制造方法。尽管提供了用于在适用情况下的适合材料的示例，但是在理解本申请的公开内容之后将显而易见的是，本申请的公开内容不局限于这些示例性的材料，而是包含其他适合材料。

谐振部120包括第一电极121、压电层123和第二电极125。谐振部120可通过自下而上顺序地堆叠第一电极121、压电层123和第二电极125而形成。因此，压电层123可设置在第一电极121与第二电极125之间。

因为谐振部120形成在膜层150上，膜层150、第一电极121、压电层123和第二电极125可顺序地形成在基板110上，从而形成基本的膜结构。

谐振部120可响应于施加到第一电极121和第二电极125的信号使压电层123谐振，以产生谐振频率和反谐振频率。

第一电极121和第二电极125可由诸如例如，金、钼、钌、铝、铂、钛、钨、钯、铬、镍或它们的任何组合的适合金属形成。

谐振部120可利用压电层123的声波。例如，当电信号被施加到第一电极121和第二电极125时，在压电层123的厚度方向上可发生机械振动，以产生声波。

压电层123可由包含(但不限于)氧化锌(ZnO)、氮化铝(AlN)、石英、锆钛酸铅(PZT)、钛酸钡(BaTiO₃)或它们的任何组合或变型的任何适合的压电材料形成。

当施加到第一电极121与第二电极125的电信号的波长是压电层123的厚度的两倍时，发生谐振。因为当发生谐振时电阻抗急剧地改变，所以声波谐振器可用作能够选择特定频率的滤波器。

谐振频率取决于包括(但不限于)压电层123的厚度、围绕压电层123的第一电极121和第二电极125的厚度以及压电层123的固有弹性波速的参数。

作为示例，当所有其他参数为常量而减小压电层123的厚度时，谐振频率增大。

谐振部120还可包括保护层127。保护层127可形成在第二电极125上，以防止第二电极125暴露到外部环境。保护层127可由适合的绝缘材料形成。绝缘材料可包括氧化硅基材料、氮化硅基材料或氮化铝基材料，但不限于此。

第一电极121和第二电极125可分别连接到第一连接电极180和第二连接电极190。第一连接电极180和第二连接电极190可被设置为确认谐振器和滤波器的特性并执行需要的频率微调(frequency trimming)。然而，第一连接电极180和第二连接电极190的功能不限于此。

为了改善品质因数，谐振部120可设置为通过气隙130与基板110分开。

例如，通过在谐振部120和基板110之间形成气隙130，从压电层123产生的声波可不受基板110的影响。

此外，从谐振部120产生的声波的反射特性可通过气隙130来改善。因为气隙130(空的空间)具有接近无穷大的阻抗，所以声波可通过气隙130而不会损耗，并且可保留在谐振部120中。因此，通过由气隙130来减小声波在纵向方向上的损耗，可提高谐振部120的品质因数值。

穿透基板110的过孔112可形成在基板110的下表面中。此外，连接导体115a和115b可形成在过孔112中的每个中。

连接导体115a和115b可分别形成在过孔112中的每个的内表面(即，过孔112的整个内壁)上，但不限于此。

此外，连接导体115a和115b的第一端可连接到形成在基板110的下表面上的外电极117，连接导体115a和115b的第二端可连接到第一电极121或第二电极125。

例如，第一连接导体115a可将第一电极121与外电极117电连接，第二连接导体115b可将第二电极125与外电极117电连接。因此，第一连接导体115a可穿透基板110和膜层150，以电连接到第一电极121；第二连接导体115b可穿透基板110、膜层150和压电层123，以电连接到第二电极125。

在理解本申请的公开内容之后将显而易见的是，尽管附图中示出了仅两个过孔112和两个连接导体115a和115b，但是过孔和连接导体的数量不限于此。可根据需要设置更多数量的过孔112和连接导体115a和115b。

盖子140被设置为保护谐振部120不受外部环境影响。盖子140可由诸如例如，聚酰亚胺(PI)、聚苯并恶唑(PBO)、苯并环丁烯(BCB)、聚硅酮、丙烯酸酯、环氧树脂或它们的任何组合的适合材料形成。

盖子140包括将谐振部120容纳于其中的内部空间，并且可形成为盖形式。因此，在实施例中，盖子140可键合(bond)到基板110，使得盖子140的侧壁141围绕谐振部120。

侧壁141的下表面(邻近基板110的上表面)可用作与基板110键合的键合表面。盖子140可通过诸如例如，固液互扩散(SLID)键合的适合工艺而键合到基板110。例如，可使用Cu-Sn键合作为SLID键合。然而，也可使用Au-Sn键合。

盖子140还包括支撑块或凸出物145。支撑块145可具有被构造为使得支撑块145朝向基板110推抵第一连接电极180和第二连接电极190的尺寸。因此，支撑块145可形成为从盖子140的内表面突出的块状，并且可突出足以在盖子140键合到基板110时使支撑块145的下表面与连接电极180和190的顶面接触的距离。支撑块145可具有诸如例如，立方体或圆柱体的任何适合形状。在一些实施例中，支撑块145可以呈具有规则或不规则的凸多边形(诸如，例如，四边形、五边形、六边形或八边形)的截面形状的柱子的形式。用于优化空间效率和声波谐振器模块的材料强度的其他适合截面形状也被考虑。

支撑块145可利用任何适合材料形成。例如，支撑块145可在盖子140的制造期间一体地形成，并因此可具有与盖子140的材料相同的材料。在实施例中，支撑块145可设置在盖子的内表面上。在这样的实施例中，支撑块145可由与盖子140的材料相同或不同的材料形成。例如，支撑块145可由诸如PDMS、半导体、金属或它们的组合的聚合物形成。在具有多支撑块的实施例中，不同的支撑块可由相同或不同的材料形成。

支撑块145可防止形成在过孔112上的膜结构被损坏。下面将提供其详细描述。如图2中所示，为了封装声波谐振器100，声波谐振器100可安装在封装基板10上，可形成包封部20(诸如，例如，环氧塑封料(EMC))以包封声波谐振器100。然而，当诸如EMC的模塑树脂被注射到模具中以形成包封部20时，压力可施加到过孔112。结果是，设置在过孔112之上的膜结构可暴露于潜在破坏膜结构的应力。

因此，为了防止损坏膜结构，膜结构可利用支撑结构(诸如，例如，支撑块145)从膜结构的上部被支撑在过孔112之上。支撑块145设置在膜结构的覆盖过孔112的部分上，以防止膜结构的所述部分由于经过过孔112的任何压力而导致变形。

连接电极180和190可设置在过孔112的最上部上。因此，支撑块145可与连接电极180和190接触，并因此支撑膜结构。然而，支撑块145不限于此。在连接电极180和190形成在不同位置处的情况下，支撑块145可与膜结构的最上层(即，保护层)接触，以支撑膜结构。

因此，支撑块145的截面可延伸得比过孔112的形成在基板110的上表面中的截面更宽，以支撑膜结构的悬在过孔112之上的整个区域。

尽管支撑块145形成为从盖子140的上表面部142和侧壁141突出，但是本公开的构造不限于此，并且可对支撑块145进行各种修改。例如，支撑块145可形成为以柱子的形式从盖子140的上表面部142突出。

在支撑块145由导电材料形成的实施例中，绝缘膜147可设置在支撑块145的表面上。例如，绝缘膜147可形成为氧化膜，但不限于此。

绝缘膜147可用于防止支撑块145中产生涡电流。因此，绝缘膜147可形成在支撑块145与连接电极180和190接触的部分上，以确保连接电极与支撑块145之间绝缘。

在实施例中，支撑块145可与盖子140一体地形成。因此，支撑块145可在制造盖子140的工艺中和盖子140一起制造而成。然而，支撑块145不限于此，并且可进行各种修改。例如，可在与盖子140分开地制造支撑块145之后，再将支撑块145结合到盖子140。

具有如在此所述的构造的声波谐振器可利用支撑块来支撑膜结构的悬在过孔112之上的部分。因此，可防止在声波谐振器的封装期间膜结构的损坏。

下面对用于制造在此所述的声波谐振器的方法进行详细描述。

图3至图5是示出根据实施例的在利用用于制造的方法的制造期间的声波谐振器的示图。

参照图3，首先在基板110上形成包括谐振部120的膜结构。膜结构可通过在基板110上顺序地堆叠膜层150、第一电极121、压电层123、第二电极125和保护层127而形成。在具有气隙130的实施例中，气隙130可通过在形成膜层150之前形成牺牲层(未示出)、然后去除牺牲层而形成。牺牲层可由诸如例如，多晶硅、二氧化硅、氮化硅或光刻胶聚合物的适合材料形成。牺牲层可通过诸如例如，CVD、氧化、喷雾热解或旋转涂覆的任何适合工艺形成。在一些实施例中，用于形成牺牲层的工艺包括不止一个步骤。例如，在实施例中，通过诸如例如，蚀刻或激光钻孔的适合工艺在基板中形成空腔(未示出)。然后可在基板110上旋转涂覆负性光刻胶，以填充空腔，通过曝光到UV光而使光刻胶的在空腔之内的部分硬化，通过在适合的显影剂中溶解来除去光刻胶的在空腔之外的部分。在这样的示例中，牺牲层可稍后通过适合的工艺(诸如，例如，曝光到氧等离子体)在适当的时候除去。在理解本申请的公开内容之后将显而易见的是，用于形成(和最后除去)牺牲层的其他适合工艺也被考虑。

第一电极121和第二电极125可通过形成导电层、在导电层上沉积光刻胶、利用例如光刻步骤执行图案化工艺、然后使用图案化的光刻胶作为掩膜来除去导电层的不需要的部分而形成为期望的图案。导电层的部分除去可利用任何适合的步骤(诸如，例如，湿蚀刻或干蚀刻或离子研磨)来执行。

根据本实施例，第一电极121可由钼(Mo)形成，第二电极125可由钌(Ru)形成。然而，第一电极121和第二电极125的材料不限于此，第一电极121和第二电极125可由诸如例如，金、钌、铝、铂、钛、钨、钯、铬或镍的各种金属形成。包括例如热沉积、物理气相沉积、脉冲激光沉积或RF溅射的任何适合方法可用于形成导电层。如在理解本申请的公开内容之后将显而易见的是，工艺的选择将取决于该工艺与在形成声波谐振器模块的其他组件、部分或层中使用的其他材料和工艺的兼容性。

此外，压电层123可由氮化铝(AlN)形成。然而，压电层123的材料不限于此，压电层123可由诸如氧化锌(ZnO)、石英、锆钛酸铅(PZT)、钛酸钡(BaTiO₃)或它们的任何组合或变型的各种压电材料形成。可根据所使用的材料选择用于沉积压电材料的任何适合工艺。例如，氧化锌压电层可利用包括(但不限于)喷雾热解、热沉积、溶胶-凝胶沉积、旋转涂覆或RF溅射的工艺中的任何一种来沉积。

保护层127可由绝缘材料形成。这里，绝缘材料可包括氧化硅基材料、氮化硅基材料和氮化铝基材料。可使用用于形成保护层127的任何适合工艺。适合工艺的示例包括(但不限于)氧化或化学气相沉积。

接着，可分别在第一电极121和第二电极125上形成用于频率微调的第一连接电极180和第二连接电极190。第一连接电极180和第二连接电极190可形成在第一电极121和第二电极125上，并且可穿透保护层127或压电层123，以结合到第一电极121和第二电极125。

第一连接电极180可通过以下步骤形成：通过适合的蚀刻工艺来部分地除去保护层127和压电层123，以暴露第一电极121，然后在第一电极121上沉积诸如例如，金(Au)、铜(Cu)、铝(Al)或银(Ag)的适合金属。

类似地，第二连接电极190可通过以下步骤形成：通过蚀刻来部分地除去保护层127，以暴露第二电极125，然后在第二电极125上沉积诸如例如，金(Au)、铜(Cu)、铝(Al)或银(Ag)的适合金属。第一连接电极180和第二连接电极190可利用与声波谐振器100的其他部分和组件的制造相兼容的任何适合工艺来形成。

然后，在利用第一连接电极180和第二连接电极190确认谐振部120和滤波器的特性并执行需要的频率微调之后，可形成气隙130。

气隙130可通过利用与声波谐振器的其他组件和层的材料兼容的适合工艺来除去牺牲层(未示出)而形成。用于除去牺牲层的工艺的示例包括例如，在适合的溶剂中溶解、湿蚀刻或干蚀刻或者曝光到氧等离子体。因此，可完成膜结构和谐振部120(图3)。

如图4中所示，然后可利用诸如，例如，直接键合、表面活化键合、固-液互扩散键合、等离子活化键合、热压键合、瞬态液相扩散键合、粘合或它们的任何组合的适合工艺将盖子140结合到基板110上。

盖子140可通过在晶圆级的晶圆键合而形成。就是说，其上设置有多个单元基板110的基板晶圆和其上设置有多个盖子140的盖子晶圆可彼此键合，以彼此一体地形成。

在这种情况下，彼此键合的基板晶圆和盖子晶圆可通过稍后的切割工艺被切割，以分成单独的声波谐振器100。

盖子140可设置在基板110上，以使支撑块145的下表面与第一连接电极180和第二连接电极190接触。因此，支撑块145可防止膜结构在设置盖子140的方向上被分层或改变。

在支撑块的突出距离等于盖子140的上表面部142与连接电极180和190之间的距离的实施例中，支撑块145可能由于制造公差而不会与连接电极接触。因此，支撑块145不是简单地与膜结构接触，而是可从盖子140的上表面部142突出可在恒定压力下支撑膜结构的距离。

在实施例中，支撑块145的突出距离(或厚度)可延伸为比盖子140的上表面部142与连接电极180和190之间的距离长。在这样的实施例中，当支撑块145的延伸距离太长时，支撑块145可能损坏膜结构。因此，可将支撑块145的延伸距离确定为支撑块145支撑膜结构而不损坏膜结构的距离。例如，延伸距离可确定为1μm或更小。

因此，当盖子140结合到基板110时，支撑块145的下表面可与连接电极180和190接触，然后以与延伸距离一样多的距离推抵膜结构，从而牢固地支撑膜结构。

参照图5，在基板110中形成过孔112之后，然后可在过孔112中形成连接导体115a和115b。过孔112可通过诸如例如，激光钻孔或光刻和蚀刻的组合的适合方法形成。

过孔112可形成在支撑块145和膜结构彼此接触的部分之下。因为支撑块145与连接电极180和190接触，所以过孔112可形成在连接电极180和190之下。然而，在支撑块145在不同位置(而不是连接电极180和190)处与膜结构接触的实施例中，过孔112可形成在支撑块145与膜结构接触的相应位置之下。

连接导体115a和115b可通过在过孔112的内表面上形成导电层来设置。例如，连接导体115a和115b可通过沿过孔112的内壁沉积或涂覆导电金属(例如，金、铜等)而形成。

然后，可通过在基板110的下表面上形成外电极117来完成图1中所示的声波谐振器100。

外电极117可形成在延伸到基板110的下表面的连接导体115a和115b上。可使用由Sn材料形成的焊料球作为外电极117，但外电极117的材料不限于此。

在用于制造根据具有如上所述的构造的实施例的声波谐振器的方法中，因为支撑块可在制造盖子的操作中与盖子一起形成，所以可不需要形成支撑块的单独的工艺。

此外，可通过支撑块来防止在封装声波谐振器的工艺中膜结构的损坏。

同时，根据本公开的声波谐振器和用于制造所述声波谐振器的方法不限于上面所提到的实施例，而是可进行各种修改。

图6是示意性地示出根据另一实施例的声波谐振器的截面图，图7是图6的′A′部分的放大截面图。

参照图6和图7，根据实施例的声波谐振器100具有设置在支撑块145的下表面上的突起149。

突起149可具有锥形端部，并且可设置为彼此成排。突起149可呈其端部的截面积逐渐减小且其端部为锥形的形状。此外，突起149可形成为成线性地突出。

因此，在盖子140键合到基板110的实施例中，支撑块145的突起149的末端可与连接电极180和190接触。

根据本公开的突起形状不限于上面所提到的构造，而是可进行各种修改。例如，可使用设置为呈同心且具有不同半径的多个圆形突起等。

在具有如上所述的构造的声波谐振器中，因为支撑块145与连接电极180和190彼此线接触，所以可显著地减小支撑块145与连接电极180和190之间的接触面积。此外，绝缘膜147可形成在突起的表面上，以防止涡电流形成或感应到支撑块145或突起149中。

如上面所阐述的，根据本公开中的实施例，声波谐振器可利用支撑块支撑过孔的上部(膜结构中易受损的部分)。因此，可防止在封装声波谐振器的工艺中膜结构的损坏。

尽管在本公开中使用了特定的术语(例如，谐振部)，但是在理解本申请的公开内容之后将显而易见的是，可使用不同的术语来描述相同的特征，并且这样不同的术语可出现在其他申请中。

虽然本公开包括特定的示例，但在理解本申请的公开内容之后将显而易见的是，在不脱离权利要求及其等同物的精神及范围的情况下，可对这些示例做出形式和细节上的各种改变。这里所描述的示例将被理解为仅是描述性的含义，而非限制的目的。每个示例中的特征或方面的描述将被理解为可适用于其他示例中的类似的特征或方面。如果以不同的顺序执行所描述的技术，和/或如果按照不同的方式组合和/或通过其他组件或它们的等同物替换或增补所描述的系统、架构、装置或电路中的组件，则可获得合适的结果。因此，本公开的范围不由具体实施方式而由权利要求及其等同物来限定，并且在权利要求及其等同物的范围之内的全部变型将被理解为包含于本公开。

Claims (20)

1.一种声波谐振器，包括：

基板，基板中设置有过孔，并具有设置在所述基板的第一表面上的膜结构；以及

盖子，容纳所述膜结构并结合到所述基板，

其中，所述盖子包括与所述膜结构接触的支撑块。

2.根据权利要求1所述的声波谐振器，其中，所述膜结构覆盖所述过孔的至少一部分。

3.根据权利要求2所述的声波谐振器，其中，所述支撑块支撑覆盖所述基板的过孔的膜结构。

4.根据权利要求3所述的声波谐振器，其中，在所述支撑块的与膜结构接触的表面上设置绝缘膜。

5.根据权利要求4所述的声波谐振器，其中，所述绝缘膜包括氧化膜。

6.根据权利要求1所述的声波谐振器，其中，所述支撑块的表面包括突起，并且所述突起接触膜结构。

7.根据权利要求6所述的声波谐振器，其中，所述突起具有逐渐减小的截面积。

8.根据权利要求7所述的声波谐振器，其中，所述支撑块与膜结构线接触。

9.根据权利要求1所述的声波谐振器，其中，所述膜结构包括电连接到设置在所述过孔中的连接导体的连接电极，

所述支撑块接触所述连接电极。

10.根据权利要求9所述的声波谐振器，其中，所述连接电极设置在所述过孔之上。

11.根据权利要求1所述的声波谐振器，其中，所述膜结构包括多层，所述多层中的至少一层为压电层。

12.一种制造声波谐振器的方法，所述方法包括：

在基板的第一表面上形成膜结构；以及

将盖子结合到基板，使得设置在盖子中的支撑块接触膜结构。

13.根据权利要求12所述的方法，所述方法还包括：在盖子结合到基板之后，

在基板中形成过孔；以及

在过孔的内壁上形成连接导体。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，过孔的形成包括：在支撑块与膜结构彼此接触的部分之下形成过孔。

15.根据权利要求13所述的方法，其中，盖子结合到基板还包括：在支撑块的与膜结构接触的表面上形成绝缘膜。

16.一种声波谐振器，包括：

基板，具有设置为超过所述基板的厚度的过孔；

膜，设置在所述过孔的第一端上；以及

盖，设置在所述膜之上，

其中，所述盖包括从所述盖的内表面凸出并接触所述膜以抵消来自所述过孔的第二端的压力的凸出物。

17.根据权利要求16所述的声波谐振器，其中，所述盖结合到所述基板。

18.根据权利要求16所述的声波谐振器，其中，所述凸出物具有被构造为使所述凸出物与所述膜之间接触的面积最小化的形状。

19.根据权利要求16所述的声波谐振器，其中，所述凸出物的接触所述膜的表面包括绝缘体。

20.根据权利要求16所述的声波谐振器，其中，所述膜包括连接到设置在所述过孔的内壁上的导体的电极。