KR20070016855A - 체적탄성파 공진기의 패키지 및 그 패키징 방법 - Google Patents

체적탄성파 공진기의 패키지 및 그 패키징 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 기판 위에 완성된 체적탄성파 공진기(Film Bulk Acoustic Resonator; 이하, FBAR이라 함)의 상면을 FBAR를 에워싸는 실링 패드에 접착된 캡이 커버하고, 상기 기판을 관통하여 상기 FBAR의 본딩 패드와 연결되고 상기 기판의 저면에 외부 회로장치의 신호라인 연결공간을 확보하는 VIA 패드를 포함하거나; 상면의 VIA 패드가 외부 회로장치의 신호라인 연결공간을 확보하고 하면의 연결부와 실링부가 각각 기판 위에 완성된 FBAR의 본딩 패드와 상기 FBAR를 에워싸는 실링 패드에 연결되는 커버 패드에 의해 상기 FBAR의 상면이 완전히 커버되고, 상기 커버 패드의 상면 VIA 패드와 하면 연결부는 커버 패드의 외곽 근처를 관통하는 커버 VIA에 충전된 연결 보강재에 의해 서로 연결되는 FBAR의 패키지 및 그 패키징 방법에 관한 것이다.
본 발명의 패키징 방법에 의하면, 외부 회로장치의 신호라인 연결공간을 확보하는 VIA 패드가 기판의 저면 혹은 종래의 캡 상면에 대응하는 커버 패드의 상면에 형성되므로, 종래에 비해 FBAR의 사이즈를 현저하게 소형화할 수 있다.
고주파 필터, 체적탄성파 공진기, FBAR, 패키지, 패키징 방법

Description

체적탄성파 공진기의 패키지 및 그 패키징 방법{FBAR package and packaging method thereof}
도 1은 종래의 체적탄성파 공진기의 단면도.
도 2는 종래의 체적탄성파 공진기의 제조 및 패키징 방법을 나타낸 공정도.
도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 체적탄성파 공진기의 패키징 방법을 나타낸 공정도.
도 4는 본 발명의 제2실시예에 따른 체적탄성파 공진기의 패키징 방법을 나타낸 공정도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10: 기판 10a: 피트
10b: 희생층 10c: 기판 VIA
11: 공동 12: 절연막
20: FBAR 21: 하부전극
22: 압전층 23: 상부전극
24: 본딩 패드 24': 실링 패드
30: 캡 40: VIA 패드
40a: 보강재 50: VIA 패드
50': 연결 패드 50a: 연결부
50b: 실링부 60: 커버 패드
60a: 커버 VIA 70: 연결 보강재
본 발명은 무선통신용 고주파 필터의 일종인 체적탄성파 공진기(FBAR; Film Bulk Acoustic Resonator)에 관한 것이며, 더욱 상세히는 체적탄성파 공진기의 패키지 및 그 패키징 방법에 관한 것이다.
체적탄성파 공진기(이하, FBAR이라 함)는 대략 9백㎒∼10㎓ 범위의 각종 주파수 대역을 사용하는 무선 통신 기기에 주로 많이 사용되는 박막형 고주파 필터이며, 도 1에 나타낸 바와 같이 종래의 FBAR(20)은 통상적으로 공동(cavity; 11)과 절연막(12)이 형성되어 있는 기판(10) 위에 증착된 하부전극(21)과 압전층(22), 상부전극(23), 및 상기 전극(21,23)과 연결되는 외부 회로장치의 신호라인이 연결되는 본딩 패드(24)로 구성된다.
상기 기판(10)으로는 실리콘(Si), 고저항 실리콘(HRS), 갈륨-비소(Ge-As), 유리, 또는 세라믹 등이 사용되고, 상기 절연막(12)으로는 LTO(Low Temperature Oxide), 실리콘 산화물,질화실리콘(SiXNY) 등이 사용된다.
상기 전극(21,23)으로는 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Au), 금(Au), 백금(Pt), 텅스텐(W), 탄탈(Ta), 백금-탄탈(Pt-Ta), 티타늄(Ti), 백금-티타늄(Pt-Ti) 등과 같이 전기 전도성이 우수한 금속이 사용된다.
상기 압전층(22)으로는 질화알루미늄(AlN) 또는 산화아연(ZnO) 등이 사용되고, 상기 본딩 패드(24)로는 금(Au)이 가장 많이 사용된다.
도 2를 참조하여 상기 FBAR(20)의 제조 방법을 설명하면 다음과 같다.
먼저, 상기 기판(10)이 마련되면, 사진 식각 공정(photolithography)을 이용하여 기판(10)의 일측 상부를 소정의 깊이로 식각하여 피트(10a)를 형성한다(S10).
이어서, 상기 피트(10a)에 폴리실리콘(poly-silicon), 인-실리케이트 유리(phosphor-silicate glass; PSG), 산화아연, 또는 폴리머 등을 화학 기상 증착(CVD) 방법, 스퍼터링 방법 또는 스핀 코팅(spin coating) 방법 등으로 증착하여 희생층(10b)을 형성한 다음(S12), 화학 기상 증착(CVD) 방법, 플라스마 증대 화학 기상 증착(Plasma Enhanced CVD; PECVD) 또는 스퍼터링(sputtering) 방법 등으로 상기 희생층(10b)이 형성된 기판(10)의 상면에 절연막(12)을 증착한다(S14).
상기 절연막(12)이 형성되고 나면, 상기 기판(10)의 절연막(12) 위에 상기 하부 전극(21)과, 압전층(22), 상부 전극(23), 및 본딩 패드(24)를 차례로 적층하면서 패터닝한 다음(S16), 상기 희생층(10b)을 제거하여 도 1에 나타낸 바와 같은 FBAR(20)을 완성한다(S18).
이때, 상기 희생층(10b)은 그 재질에 따라서 불화 크세논(XeF2), 불화 브롬(BrF2), BOE(Buffered Oxide Etchant), 불화 수소(HF), 아세톤을 포함하는 유기 용제 등을 사용하여 제거한다.
한편, 상기와 같이 FBAR(20)이 완성되고 나면, 상기 기판(10) 위에 완성된 FBAR(20)은 드라이 필름(Dry film) 등과 같은 폴리머를 이용하여 제작한 캡(30)에 의해 상기 FBAR(20)의 상면이 커버되며(S20), 이에 따라서 FBAR(20)에 대한 패키징 처리가 완료된다. 이때, 상기 캡(30)의 하단부는 상기 FBAR(20)의 본딩 패드(24)에 접착된다.
하지만, 상기와 같이 폴리머로 제작된 캡(30)을 상기 FBAR(20)의 상면에 접착하여 FBAR(20)을 패키징 처리하는 종래의 방법에 의하면, 상기 캡(30)의 하단부를 상기 FBAR(20)의 본딩 패드(24)에 접착할 때, 도 2의 S20단계에서 나타낸 바와 같이, 상기 전극(21,23)과 연결되는 외부 회로장치의 신호라인을 상기 본딩 패드(24)에 안정적으로 연결하기 위한 신호라인 연결공간(A)을 확보해야 하기 때문에, FBAR(20)의 사이즈가 커지는 단점이 있다.
본 발명은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적 은 기판 위에 완성된 FBAR의 상면을 상기 FBAR를 에워싸도록 패터닝된 실링 패드에 접착된 캡이 완전히 커버하고, 상기 기판을 관통하여 상기 FBAR의 본딩 패드와 연결되고 상기 기판의 저면에 외부 회로장치의 신호라인 연결공간을 확보하는 VIA 패드를 포함하는 FBAR의 패키지 및 그 패키징 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 상면의 VIA 패드가 외부 회로장치의 신호라인 연결공간을 확보하고 하면의 연결부와 실링부가 각각 기판 위에 완성된 FBAR의 본딩 패드와 상기 FBAR를 에워싸는 실링 패드에 연결되는 커버 패드에 의해 상기 FBAR의 상면이 완전히 커버되고, 상기 커버 패드의 상면 VIA 패드와 하면 연결부는 커버 패드의 외곽 근처를 관통하는 커버 VIA에 충전된 연결 보강재에 의해 서로 연결되는 FBAR의 패키지 및 그 패키징 방법을 제공하는 데 있다.
상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 제1실시예에 따른 FBAR의 패키지는, 기판 위에 완성된 FBAR의 상면을 상기 FBAR를 에워싸도록 패터닝된 실링 패드에 접착된 캡이 완전히 커버하고, 상기 기판을 관통하여 상기 FBAR의 본딩 패드와 연결되고 상기 기판의 저면에 외부 회로장치의 신호라인 연결공간을 확보하는 VIA 패드를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 제1실시예에 따른 FBAR의 패키징 방법은, 기판 위에 완성된 FBAR를 에워싸는 실링 패드를 패터닝하는 단계와; 기판 위에 완성된 FBAR를 에워싸는 실링 패드에 캡을 접착하여 상기 FBAR의 상면을 완전히 커버하는 단계; 상기 기판의 저면에서부터 상기 FBAR의 본딩 패드의 저면까지 통하는 기판 VIA를 형성하는 단계; 상기 기판 VIA의 내면과 상기 기판의 저면 전체에 상기 FBAR의 본딩 패드와 연결되는 VIA 패드를 형성하는 단계; 및 상기 기판의 저면 전체에 형성된 VIA 패드의 일부를 제거하여 외부 회로장치의 신호라인 연결공간을 확보하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 제2실시예에 따른 FBAR의 패키지는, 상면의 VIA 패드가 외부 회로장치의 신호라인 연결공간을 확보하고 하면의 연결부와 실링부가 각각 기판 위에 완성된 FBAR의 본딩 패드와 상기 FBAR를 에워싸는 실링 패드에 연결되는 커버 패드에 의해 상기 FBAR의 상면이 완전히 커버되고, 상기 커버 패드의 상면 VIA 패드와 하면 연결부는 커버 패드의 외곽 근처를 관통하는 커버 VIA에 충전된 연결 보강재에 의해 서로 연결되는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 제2실시예에 따른 FBAR의 패키징 방법은, 기판 위에 완성된 FBAR를 에워싸는 실링 패드를 패터닝하는 단계와; 상기 커버 패드의 외곽 근처에 커버 VIA를 형성하는 단계; 상기 커버 VIA의 내면에 연결 보강재를 충전하는 단계; 상기 커버 패드의 상면 전체와 하면 전체에 각각 VIA 패드와 연결 패드를 형성하는 단계; 상기 커버 패드의 상면 전체에 형성된 VIA 패드의 일부를 제거하여 외부 회로장치의 신호라인 연결공간을 확보하고, 상기 커버 패드의 하면 전체에 형성된 연결 패드의 일부를 제거하여 연결부 와 실링부를 형성하는 단계; 및 상기 커버 패드 하면의 연결부와 실링부를 각각 기판 위에 완성된 FBAR의 본딩 패드와 상기 FBAR를 에워싸는 실링 패드에 접착하여 상기 FBAR의 상면을 완전히 커버하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명의 제1실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명하기로 한다.
본 발명의 제1실시예에 따른 FBAR은 도 2의 S10단계에서부터 S18단계를 거쳐 제조된 후, 패키징 처리된다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 제1실시예에 따른 FBAR의 패키지는 도 2에 나타낸 FBAR(20) 제조 공정을 거쳐 기판(10) 위에 완성된 FBAR(20)의 상면을 상기 FBAR(20)를 에워싸도록 패터닝된 실링 패드(24')에 접착된 캡(30)이 커버하고, 상기 기판(10)과 절연막(12) 및 FBAR(20)의 하부전극(21)을 관통하여 상기 FBAR(20)의 본딩 패드(24)와 연결되고 상기 기판(10)의 저면에 외부 회로장치의 신호라인 연결공간(B)을 확보하는 VIA 패드(40)를 포함한다.
상기 실링 패드(24')는 본딩 패드(24)와 동일 재질로서 상기 본딩 패드(24)를 패터닝할 때 함께 패터닝된다.
상기 캡(30)은 외벽과 내벽으로 구분되는 이중벽 구조를 가지며, 외벽과 내벽은 각각 상기 실링 패드(24')와 상기 본딩 패드(24)에 접착된다.
상기 캡(30)으로는 고저항 실리콘(HRS), 유리, 세라믹, 폴리머 등이 사용되고, 상기 VIA 패드(40)로는 금(Au)을 사용하는 것이 바람직하다.
상기 VIA 패드(40)는 상기 기판(10)의 저면에서부터 상기 FBAR(20)의 본딩 패드(24)의 저면까지 통하는 기판 VIA(10c)의 내면과 상기 기판(10)의 저면에 형성된다.
상기 기판 VIA(10c)의 내면에 대응하는 VIA 패드(40) 부분에는 저항 개선 및 기판 파손 방지용 보강재(40a)가 전체적으로 혹은 부분적으로 충전되며, 상기 보강재(40a)의 재질은 VIA 패드(40)와 동일한 것이 바람직하다.
상기와 같이 구성되는 본 발명의 제1실시예에 따른 FBAR의 패키지 방법은 다음과 같이 수행된다.
도 2의 S10단계에서부터 S18단계를 거쳐 FBAR(20)이 제조되고 나면, 가장 먼저 상기 기판(10) 위에 완성된 FBAR(20)를 에워싸는 실링 패드(24')를 패터닝한다(S30a). 바람직하게는, 상기 실링 패드(24')는 상기 FBAR(20)의 본딩 패드(24)를 패터닝할 때 함께 패터닝된다.
상기 기판(10) 위에 완성된 FBAR(20)를 에워싸는 실링 패드(24')가 패터닝되고 나면, 상기 실링 패드(24')에 캡(30)을 접착하여 상기 FBAR(20)의 상면을 완전히 커버한다(S30).
이때, 상기 캡(30)의 외벽과 내벽은 각각 상기 실링 패드(24')와 상기 본딩 패드(24)에 접착되며, 특히 상기 본딩 패드(24)에 접착되는 내벽은 하기의 기판 VIA(10c)를 형성할 때 상기 본딩 패드(24)를 지지하는 역할을 한다. 또한, 상기 본딩 패드(24)와 VIA 패드(40), 실링 패드(24')와 캡(30)을 접착하는 방법으로는 금(Au)-주석(Sn) 저온 용접(eutectic welding) 방법 혹은 금(Au)-금(Au) 용접 방법을 활용하는 것이 바람직하다.
상기 캡(30)이 FBAR(20)의 상면에 접착되고 나면, 이어서 상기 기판(10)의 저면에서부터 상기 FBAR(20)의 본딩 패드(24)의 저면까지 통하는 기판 VIA(10c)를 형성한다(S32).
이때, 상기 기판 VIA(10c)를 형성하는 방법으로는 실리콘 딥 에칭(Si deep etching) 방법이나 수산화칼륨(KOH) 및 TMAH(Tetra Methyl Ammonium Hydroxide)를 이용하는 습식 에칭(wet etching) 방법을 활용하는 것이 바람직하다.
상기 기판 VIA(10c)가 형성되고 나면, 다음으로 상기 기판 VIA(10c)의 내면과 상기 기판(10)의 저면 전체에 상기 FBAR(20)의 본딩 패드(24)와 연결되는 VIA 패드(40)를 형성한 후(S34), 계속해서 상기 기판(10)의 저면 전체에 형성된 VIA 패드(40)의 일부를 제거하여 외부 회로장치의 신호라인 연결공간(B)을 확보함으로써 FBAR(20) 패키징 처리가 완료된다(S36).
한편, 본 발명에 따른 제1실시예에서는, 도 3에 나타낸 바와 같이, 상기 기판 VIA(10c)가 형성된 기판(10)의 파손을 방지하거나 상기 FBAR(20)의 본딩 패드(24)와 전기적으로 연결되는 VIA 패드(40)의 전기 저항값을 조절하기 위하여 상기 기판 VIA(10c)의 내면에 대응하는 VIA 패드(40) 부분에 보강재(40a)를 충전할 수 있다(S38).
이때, 상기 보강재(40a)의 재질은 VIA 패드(40)와 동일한 것이 바람직하며, 상기 기판 VIA(10c)의 내면에 대응하는 VIA 패드(40) 부분에 보강재(40a)를 전체적으로 혹은 부분적으로 충전함에 따라서 VIA 패드(40)의 전기 저항값이 조절된다.
참고로, 도 3의 S38단계에서는 상기 기판 VIA(10c)의 내면에 대응하는 VIA 패드(40) 부분에 보강재(40a)를 전체적으로 충전한 상태를 나타내고 있다.
이하, 본 발명의 제2실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명하기로 한다.
본 발명의 제2실시예에 따른 FBAR은 도 2의 S10단계에서부터 S18단계를 거쳐 제조된 후, 패키징 처리된다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 제2실시예에 따른 FBAR의 패키지는 상면의 VIA 패드(50)가 외부 회로장치의 신호라인 연결공간(C)을 확보하고 하면의 연결부(50a)와 실링부(50b)가 각각 도 2에 나타낸 FBAR(20) 제조 공정을 거쳐 기판(10) 위에 완성된 FBAR(20)의 본딩 패드(24)와 상기 FBAR(20)를 에워싸는 실링 패드(24')에 연결되는 커버 패드(60)에 의해 상기 FBAR(20)의 상면이 완전히 커버된다.
상기 커버 패드(60)의 상면 VIA 패드(50)와 하면 연결부(50a)는 커버 패드(60)의 외곽 근처를 관통하는 커버 VIA(60a)에 충전된 연결 보강재(70)에 의해 서로 연결된다.
상기 커버 VIA(60a)에 충전된 연결 보강재(70)는 구리(Cu), 금(Au), 은(Ag) 등으로 된 페이스트이다.
상기 연결부(50a)와 실링부(50b)는 각각 커버 패드(60)의 하면에 형성된 연결 패드(50')를 패터닝하여 형성한다.
상기 커버 패드(60)로는 실리콘(Si)에 비해 상대적으로 가공이 용이하고 재료비가 저렴한 상용의 PCB를 사용하는 것이 바람직하며, 접착 방식에 따른 온도 특 성에 적합하게 실리콘(Si)의 열팽창 계수와 유사한 폴리머, 세라믹 등의 다양한 재료를 선택적으로 사용할 수 있다.
상기와 같이 구성되는 본 발명의 제2실시예에 따른 FBAR의 패키지 방법은 다음과 같이 수행된다.
도 2의 S10단계에서부터 S18단계를 거쳐 FBAR(20)이 제조되고 나면, 가장 먼저 상기 기판(10) 위에 완성된 FBAR(20)를 에워싸는 실링 패드(24')를 패터닝한다(S40a). 바람직하게는, 상기 실링 패드(24')는 상기 FBAR(20)의 본딩 패드(24)를 패터닝할 때 함께 패터닝된다.
상기 기판(10) 위에 완성된 FBAR(20)를 에워싸는 실링 패드(24')가 패터닝되고 나면, 상기 FBAR(20)과 별개로 마련된 상기 커버 패드(60)의 외곽 근처에 커버 VIA(60a)를 형성한다(S40).
이때, 상기 커버 VIA(60a)는 공지의 PCB 펀칭 방식에 의해 형성된다.
상기 커버 패드(60)의 외곽 근처에 커버 VIA(60a)가 형성되고 나면, 이어서 상기 커버 VIA(60a)의 내면에 연결 보강재(70)를 충전한다(S42).
이때, 상기 연결 보강재(70)로는 구리(Cu), 금(Au), 은(Ag) 등으로 된 페이스트를 사용하는 것이 바람직하다.
상기 연결 보강재(70)가 충전되고 나면, 다음으로 상기 커버 패드(60)의 상면 전체와 하면 전체에 각각 VIA 패드(50)와 연결 패드(50')를 형성한 다음(S44), 계속해서 상기 커버 패드(60)의 상면 전체에 형성된 VIA 패드(50)의 일부를 제거하 여 외부 회로장치의 신호라인 연결공간(C)을 확보하고, 상기 커버 패드(60)의 하면 전체에 형성된 연결 패드(50')의 일부를 제거하여 연결부(50a)와 실링부(50b)를 형성한다(S46).
이때, 상기 VIA 패드(50)에 패터닝되는 외부 회로장치의 신호라인 연결공간(C)과 상기 연결부(50a) 및 실링부(50b)는 기존의 본딩 패드(24)를 패터닝하는 방식과 동일한 방식으로 패터닝된다.
상기와 같이 커버 패드(60)의 상면과 하면에 외부 회로장치의 신호라인 연결공간(C)과 상기 연결부(50a) 및 실링부(50b)가 패터닝되고 나면, 상기 커버 패드(60) 하면의 연결부(50a)와 실링부(50b)를 각각 기판(10) 위에 완성된 FBAR(20)의 본딩 패드(24)와 상기 FBAR(20)을 에워싸는 실링 패드(24')에 접착하여 상기 FBAR(20)의 상면을 완전히 커버함으로써 상기 FBAR(20) 패키징 처리가 완료된다(S48).
이때, 상기 본딩 패드(24)와 연결부(50a), 실링 패드(24')와 실링부(50b)를 접착하는 방법으로는 금(Au)-주석(Sn) 저온 용접(eutectic welding) 방법 혹은 금(Au)-금(Au) 용접 방법을 활용하는 것이 바람직하다.
상술한 바와 같은 본 발명에 의하면, 외부 회로장치의 신호라인 연결공간을 확보하는 VIA 패드가 기판의 저면 혹은 종래의 캡 상면에 대응하는 커버 패드의 상면에 형성되므로, 종래에 비해 FBAR의 사이즈를 현저하게 소형화할 수 있다.
이상에서 설명한 것은 본 발명에 따른 FBAR의 패키지 및 그 패키징 방법을 실시하기 위한 하나의 실시예에 불과한 것으로서, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하의 특허청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 발명의 기술적 정신이 있다고 할 것이다.

Claims (11)

  1. 기판 위에 완성된 FBAR의 상면을 상기 FBAR를 에워싸도록 패터닝된 실링 패드에 접착된 캡이 완전히 커버하고, 상기 기판을 관통하여 상기 FBAR의 본딩 패드와 연결되고 상기 기판의 저면에 외부 회로장치의 신호라인 연결공간을 확보하는 VIA 패드를 포함하는 것을 특징으로 하는 체적탄성파 공진기의 패키지.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 캡은 외벽과 내벽으로 구분되는 이중벽 구조를 가지며, 외벽과 내벽은 각각 상기 실링 패드와 상기 본딩 패드에 접착되는 것을 특징으로 하는 체적탄성파 공진기의 패키지.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 캡은 고저항 실리콘(HRS), 유리, 세라믹 중 어느 하나로 된 것을 특징으로 하는 체적탄성파 공진기의 패키지.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 VIA 패드는 상기 기판의 저면에서부터 상기 FBAR의 본딩 패드의 저면까지 통하는 기판 VIA의 내면과 상기 기판의 저면에 형성되는 것을 특징으로 하는 체적탄성파 공진기의 패키지.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 기판 VIA의 내면에 대응하는 VIA 패드 부분에 저항 개선 및 기판 파손 방지용 보강재가 충전된 것을 특징으로 하는 체적탄성파 공진기의 패키지.
  6. 기판 위에 완성된 FBAR를 에워싸는 실링 패드를 패터닝하는 단계와;
    기판 위에 완성된 FBAR를 에워싸는 실링 패드에 캡을 접착하여 상기 FBAR의 상면을 완전히 커버하는 단계;
    상기 기판의 저면에서부터 상기 FBAR의 본딩 패드의 저면까지 통하는 기판 VIA를 형성하는 단계;
    상기 기판 VIA의 내면과 상기 기판의 저면 전체에 상기 FBAR의 본딩 패드와 연결되는 VIA 패드를 형성하는 단계; 및
    상기 기판의 저면 전체에 형성된 VIA 패드의 일부를 제거하여 외부 회로장치의 신호라인 연결공간을 확보하는 단계
    로 이루어지는 것을 특징으로 하는 체적탄성파 공진기의 패키징 방법.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 기판 VIA의 내면에 대응하는 VIA 패드 부분에 보강재를 충전하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 체적탄성파 공진기의 패키 징 방법.
  8. 상면의 VIA 패드가 외부 회로장치의 신호라인 연결공간을 확보하고 하면의 연결부와 실링부가 각각 기판 위에 완성된 FBAR의 본딩 패드와 상기 FBAR를 에워싸는 실링 패드에 연결되는 커버 패드에 의해 상기 FBAR의 상면이 완전히 커버되고, 상기 커버 패드의 상면 VIA 패드와 하면 연결부는 커버 패드의 외곽 근처를 관통하는 커버 VIA에 충전된 연결 보강재에 의해 서로 연결되는 것을 특징으로 하는 체적탄성파 공진기의 패키지.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 커버 패드는 PCB, 폴리머, 세라믹 중 어느 하나로 된 것을 특징으로 하는 체적탄성파 공진기의 패키지.
  10. 제 8 항에 있어서, 상기 커버 VIA에 충전된 연결 보강재는 구리(Cu), 금(Au), 은(Ag) 중 어느 하나로 된 페이스트인 것을 특징으로 하는 체적탄성파 공진기의 패키지.
  11. 기판 위에 완성된 FBAR를 에워싸는 실링 패드를 패터닝하는 단계와;
    상기 커버 패드의 외곽 근처에 커버 VIA를 형성하는 단계;
    상기 커버 VIA의 내면에 연결 보강재를 충전하는 단계;
    상기 커버 패드의 상면 전체와 하면 전체에 각각 VIA 패드와 연결 패드를 형성하는 단계;
    상기 커버 패드의 상면 전체에 형성된 VIA 패드의 일부를 제거하여 외부 회로장치의 신호라인 연결공간을 확보하고, 상기 커버 패드의 하면 전체에 형성된 연결 패드의 일부를 제거하여 연결부와 실링부를 형성하는 단계; 및
    상기 커버 패드 하면의 연결부와 실링부를 각각 기판 위에 완성된 FBAR의 본딩 패드와 상기 FBAR를 에워싸는 실링 패드에 접착하여 상기 FBAR의 상면을 완전히 커버하는 단계
    로 이루어지는 것을 특징으로 하는 체적탄성파 공진기의 패키징 방법.
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