KR20170097366A - 음향 공진기 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 음향 공진기 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명의 실시예에 따른 음향 공진기는, 내부에 다수의 비아 홀이 형성되고 일면에 멤브레인 구조가 형성된 기판 및 상기 멤브레인 구조를 수용하며 상기 기판에 접합되는 캡을 포함하며, 상기 캡은 상기 멤브레인 구조와 접촉하며 상기 멤브레인 구조를 부분적으로 가압하는 지지 블록을 구비할 수 있다.

Description

음향 공진기 및 그 제조 방법{ACOUSTIC RESONATOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
본 발명은 음향 공진기 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
오늘날 통신기술이 급속도로 발전함에 따라 그에 상응하는 신호처리기술과 고주파(RF) 부품기술의 발전이 요구되고 있다.
특히 무선 통신 기기의 소형화 추세에 따라 고주파 부품기술의 소형화가 적극적으로 요구되고 있으며, 일례로 반도체 박막 웨이퍼 제조기술을 이용하는 벌크 음향 공진기(BAW, Bulk Acoustic Wave) 형태의 필터를 들 수 있다.
벌크 음향 공진기(BAW)란 반도체 기판인 실리콘 웨이퍼 상에 압전 유전체 물질을 증착하여 그 압전특성을 이용함으로써 공진을 유발시키는 박막형태의 소자를 필터로 구현한 것이다.
이용분야로는 이동통신기기, 화학 및 바이오기기 등의 소형 경량필터, 오실레이터, 공진소자, 음향공진 질량센서 등이 있다.
한국등록특허 제0653089호
본 발명의 목적은 불량을 최소화할 수 있는 구조의 음향 공진기 및 그 제조 방법을 제공하는 데에 있다.
본 발명의 실시예에 따른 음향 공진기는, 내부에 다수의 비아 홀이 형성되고 일면에 멤브레인 구조가 형성된 기판 및 상기 멤브레인 구조를 수용하며 상기 기판에 접합되는 캡을 포함하며, 상기 캡은 상기 멤브레인 구조와 접촉하며 상기 멤브레인 구조를 부분적으로 가압하는 지지 블록을 구비할 수 있다.
또한 본 발명의 실시예에 따른 음향 공진기 제조 방법은, 기판의 일면에 멤브레인 구조를 형성하는 단계 및 상기 기판에 캡을 접합하는 단계를 포함하며, 상기 캡을 접합하는 단계는, 상기 캡에 형성된 지지 블록이 상기 멤브레인 구조와 접촉하며 상기 멤브레인 구조를 부분적으로 가압하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 음향 공진기는 멤브레인 구조에서 취약한 부분인 비아 홀의 상부를 지지 블록으로 가압한다. 따라서 패키징 과정에서 멤브레인 구조가 파손되는 것을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 음향 공진기를 개략적으로 도시한 단면도.
도 2는 도 1에 도시된 음향 공진기를 갖는 패키지를 개략적으로 도시한 단면도.
도 3 내지 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 음향 공진기의 제조 방법을 설명하기 위한 도면.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 음향 공진기를 개락적으로 도시한 단면도.
도 7은 도 6의 A 부분을 확대하여 도시한 확대 단면도.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 형태들을 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당해 기술분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 더하여 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 음향 공진기를 개략적으로 도시한 단면도이고, 도 2는 도 1에 도시된 음향 공진기를 갖는 패키지를 개략적으로 도시한 단면도이다.
먼저, 도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 음향 공진기(100)는 기판(110), 멤브레인 구조, 및 캡(140)을 포함한다.
여기서 멤브레인 구조는 기판(110) 상에 공진부(120)를 형성하기 위해 적층되는 복수의 층들(121, 123, 125, 127, 150)과, 상기한 복수의 층들(121, 123, 125, 127, 150) 내에 형성되는 접속 전극들(180, 190)을 통칭한다.
기판(110)과 공진부(120) 사이에는 에어 갭(130)이 형성되며, 공진부(120)는 멤브레인층(150) 상에 형성되어 에어 갭(130)을 통해 기판(110)과 이격되도록 형성된다
기판(110)은 실리콘 기판 또는 SOI(Silicon On Insulator) 타입의 기판으로 형성될 수 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니다.
공진부(120)는 제1 전극(121), 압전층(123) 및 제2 전극(125)을 포함한다. 공진부(120)는 아래에서부터 제1 전극(121), 압전층(123) 및 제2 전극(125)이 순서대로 적층되어 형성될 수 있다. 따라서 제1 전극(121)과 제2 전극(125) 사이에 압전층(123)이 배치될 수 있다.
공진부(120)는 멤브레인층(150) 상에 형성되므로, 결국 기판(110)의 상부에는 멤브레인층(150), 제1 전극(121), 압전층(123) 및 제2 전극(125)이 순서대로 형성되어 기본적인 멤브레인 구조를 형성한다.
공진부(120)는 제1 전극(121)과 제2 전극(125)에 인가되는 신호에 따라 압전층(123)을 공진시켜 공진 주파수 및 반공진 주파수를 발생시킬 수 있다.
제1 전극(121) 및 제2 전극(125)은 금, 몰리브덴, 루테늄, 알루미늄, 백금, 티타늄, 텅스텐, 팔라듐, 크롬, 니켈 등과 같은 금속으로 형성될 수 있다.
공진부(120)는 압전층(123)의 음향파를 이용한다. 예를 들어, 제1 전극(121)과 제2 전극(125)에 신호가 인가되면, 압전층(123)의 두께 방향으로 기계적 진동이 발생되어 음향파가 생성된다.
여기서, 압전층(123)에는 산화 아연(ZnO), 질화 알루미늄(AlN) 및 쿼츠(Quartz) 등이 포함될 수 있다.
압전층(123)의 공진 현상은 인가된 신호 파장의 1/2이 압전층(123)의 두께와 일치할 때 발생한다. 공진 현상이 발생할 때, 전기적 임피던스가 급격하게 변하므로 본 발명의 실시예에 따른 음향 공진기는 주파수를 선택할 수 있는 필터로 사용될 수 있다.
공진 주파수는 압전층(123)의 두께, 압전층(123)을 감싸고 있는 제1 전극(121)과 제2 전극(125), 및 압전층(123)의 고유 탄성파 속도 등에 의해 결정된다.
일 예로 압전층(123)의 두께가 얇으면 얇을수록 공진 주파수는 커지게 된다.
공진부(120)는 보호층(127)을 더 포함할 수 있다. 보호층(127)은 제2 전극(125)의 상부에 형성되어 제2 전극(125)이 외부 환경에 노출되는 것을 방지한다.
제1 전극(121)과 제2 전극(125)에는 각각 제1 접속 전극(180)과 제2 접속 전극(190)이 연결된다. 제1 접속 전극(180)과 제2 접속 전극(190)은 공진기와 필터 특성을 확인하고 필요한 주파수 트리밍을 수행하기 위해 구비될 수 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니다.
공진부(120)는 품질 계수(Quality Factor)를 향상시키기 위하여 에어 갭(130)을 통해 기판(110)과 이격 배치될 수 있다.
예를 들어, 공진부(120)와 기판(110) 사이에는 에어 갭(130)이 형성되어 압전층(123)에서 발생되는 음향파(Acoustic Wave)가 기판(110)의 영향을 받지 않도록 할 수 있다.
또한, 에어 갭(130)을 통하여 공진부(120)에서 발생하는 음향파의 반사특성이 향상될 수 있다. 에어 갭(130)은 빈 공간으로서 임피던스가 무한대에 가까우므로, 음향파는 에어 갭(130)으로 손실되지 않고, 공진부(120) 내에 잔존할 수 있다.
따라서, 에어 갭(130)을 통해 종 방향의 음향파의 손실을 감소시킴으로써 공진부(120)의 품질 계수(High Quality Factor) 값을 개선시킬 수 있다.
기판(110)의 하부면에는 기판(110)을 관통하는 비아 홀(112)이 다수 개 형성된다. 그리고 각 비아 홀(112)의 내부에는 접속 도체(115a, 115b)가 형성된다.
접속 도체(115a, 115b)는 비아 홀(112)의 내부면 즉 내벽(112a, 112b) 전체에 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
또한 접속 도체(115a, 115b)는 일단이 기판(110)의 하부면에 형성된 외부 전극(117)에 연결되고, 타단은 제1 전극(121) 또는 제2 전극(125)에 연결된다.
예를 들어, 본 실시예에 따른 제1 접속 도체(115a)는 제1 전극(121)과 외부 전극(117)을 전기적으로 연결하고, 제2 접속 도체(115b)는 제2 전극(125)과 외부 전극(117)을 전기적으로 연결한다.
따라서, 제1 접속 도체(115a)는 기판(110)과 멤브레인층(150)을 관통하여 제1 전극(121)에 전기적으로 연결되고, 제2 접속 도체(115b)는 기판(110)과 멤브레인층(150), 그리고 압전층(123)을 관통하여 제2 전극(125)에 전기적으로 연결될 수 있다.
한편 본 실시예에서는 2개의 비아 홀(112)과, 2개의 접속 도체(115a, 115b)만을 도시하여 설명하고 있으나, 이에 한정되지 않으며, 필요에 따라 더 많은 수의 비아 홀(112)과 접속 도체(115a, 115b)를 구비할 수 있다.
캡(140)은 공진부(120)를 외부 환경으로부터 보호하기 구비된다.
캡(140)은 공진부(120)가 수용되는 내부 공간을 구비하는 커버 형태로 형성될 수 있다. 따라서, 캡(140)은 측벽(141)이 공진부(120)의 주변을 둘러싸는 형태로 기판(110)에 접합된다.
측벽(141)의 하부면은 기판(100)과의 접합면으로 이용된다. 본 실시예에 따른 캡(140)은 SLID 본딩(Solid Liquid Inter - Diffusion bonding)에 의해 기판(110)에 접합될 수 있다. SLID 본딩은 예를 들어 Cu-Sn 본딩이 이용될 수 있다. 그러나 Au-Sn 본딩을 이용하는 것도 가능하다.
또한 본 실시예에 따른 음향 공진기(100)는 캡(140)의 내부에 지지 블록(145)이 구비된다.
지지 블록(145)은 제1 접속 전극(180)와 제2 접속 전극(190)을 하부 방향으로 가압하기 위해 마련된다. 따라서 지지 블록(145)은 캡(140)의 내부면에서 돌출되는 블록 형태로 형성되며, 캡(140)이 기판(110)에 접합될 때, 지지 블록(145)의 하부면이 접속 전극(180, 190)의 상면에 접촉할 수 있는 거리로 돌출된다.
이러한 지지 블록(145)은 비아 홀(112)의 상부에 형성된 멤브레인 구조가 파손되는 것을 방지한다. 이를 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.
본 실시예에 따른 음향 공진기(100)를 패키징하기 위해서는, 도 2에 도시된 바와 같이, 패키지 기판(10) 상에 음향 공진기(100)를 실장한 후, EMC와 같은 밀봉부(20)를 형성하여 음향 공진기(100)를 밀봉하는 공정을 거치게 된다.
그런데 밀봉부(20)를 형성하기 위해 EMC와 같은 성형 수지를 금형 내부에 주입하게 되면, 비아 홀(112) 내부에 압력이 가해지게 되며, 이에 비아 홀(112) 상부에 위치하는 멤브레인 구조가 가압되어 멤브레인 구조가 파손될 수 있다.
따라서 본 실시예에 따른 음향 공진기(100)는 상기한 문제를 방지하기 위해 지지 블록(145)을 이용하여 멤브레인 구조의 상부에서 비아 홀(112) 측으로 멤브레인 구조를 가압한다.
본 실시예의 경우, 비아 홀(112)의 최 상부에 접속 전극들(180, 190)이 배치된다. 따라서 지지 블록(145)은 접속 전극들(180, 190)과 접촉하며 멤브레인 구조를 가압한다. 그러나 이에 한정되지 않으며, 접속 전극들(180, 190)이 다른 위치에 형성되는 경우, 지지 블록(145)은 멤브레인 구조의 최 상층(예컨대 보호층)에 직접 접촉하며 멤브레인 구조를 가압할 수 있다.
따라서, 본 실시예에 따른 지지 블록(145)은 기판(110)의 상면에 형성된 비아 홀(112)의 직경보다 넓은 면적으로 멤브레인 구조를 가압하도록 구성된다.
본 실시예의 경우, 지지 블록(145)이 캡(140)의 상면부(142)와 측벽(141)에서 함께 돌출되는 형태로 형성되나, 본 발명의 구성이 이에 한정되는 것은 아니며, 캡(140)의 상면부(142)에서 기둥 형태로 돌출되도록 구성하는 등 다양한 변형이 가능하다.
지지 블록(145)의 표면에는 절연막(147)이 형성된다. 절연막(147)은 산화막의 형태로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
절연막(147)은 지지 블록(145)에 와전류가 발생하는 것을 방지하기 위해 구비된다. 따라서 절연막(147)은 접속 전극(180, 190)이 접촉하는 부분에 형성되어 접속 전극과 지지 블록(145) 간의 절연을 확보한다.
한편, 본 실시예에 따른 지지 블록(145)은 캡(140)과 일체로 형성되며, 따라서 캡(140)을 제조하는 과정에서 함께 제조된다. 그러나 이에 한정되지 않으며, 캡(140)과 별도로 지지 블록을 제조한 후, 캡(140)에 접합하는 등 다양한 변형이 가능하다.
이와 같이 구성되는 본 실시예에 따른 음향 공진기는, 멤브레인 구조에서 취약한 부분인 비아 홀의 상부를 지지 블록으로 가압한다. 따라서 패키징 과정에서 멤브레인 구조가 파손되는 것을 방지할 수 있다.
이어서 본 실시예에 따른 음향 공진기의 제조 방법을 설명한다.
도 3 내지 도 6은 본 발명의 실시예에 따른 음향 공진기의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
먼저 도 3을 참조하면, 먼저 기판(110) 상에 공진부(120)를 포함하는 멤브레인구조를 형성한다. 멤브레인 구조는 기판(110) 상에 멤브레인층(150), 제1 전극(121), 압전층(123), 제2 전극(125), 및 보호층(127)을 순서대로 적층하여 형성할 수 있다. 또한 맴브레인층(150)을 형성하기 전에 희생층(미도시)을 형성한 후, 추후에 제거하여 에어 갭(130)을 형성한다.
제1 전극(121)과 제2 전극(125)은 도전층을 형성한 다음, 도전층의 상부에 포토레지스트를 증착하며, 포토리소그래피 공정을 통해 패터닝을 수행한 후, 패터닝 된 포토레지스트를 마스크로 하여 필요한 패턴으로 형성될 수 있다.
본 실시예에 있어서 제1 전극(121)은 몰리브덴(Mo) 재질로 형성되고, 제2 전극(125)은 루테늄(Ru)으로 형성될 수 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니며, 금, 루테늄, 알루미늄, 백금, 티타늄, 텅스텐, 팔라듐, 크롬, 니켈 등 필요에 따라 다양한 금속이 제1, 제2 전극(121, 125)으로 이용될 수 있다.
또한 압전층(123)은 질화 알루미늄(AlN)으로 형성될 수 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니며, 산화 아연(ZnO)이나 쿼츠(Quartz) 등 다양한 압전 재질이 이용될 수 있다.
보호층(127)은 절연 물질로 형성될 수 있다. 여기서 절연 물질로는 실리콘 옥사이드 계열, 실리콘 나이트라이드 계열 및 알루미늄 나이트라이드 계열의 물질이 포함될 수 있다.
이어서, 제1 전극(121)과 제2 전극(125)에 주파수 트리밍을 위한 접속 전극(180, 190)을 형성한다. 접속 전극(180, 190)은 제1, 제2 전극(121, 125)의 상부에 형성되며, 보호층(127)이나 압전층(123)을 관통하여 1, 제2 전극(121, 125)에 접합된다.
제1 접속 전극(190)은 식각을 통해 보호층(127)과 압전층(123)을 부분적으로 제거하여 제1 전극(121)을 외부로 노출시킨 후, 금(Au) 또는 구리(Cu) 등을 제1 전극(121) 상에 증착하여 형성할 수 있다.
마찬가지로, 제2 접속 전극(190)은 식각을 통해 보호층(127)을 부분적으로 제거하여 제2 전극(125)을 외부로 노출시킨 후, 금(Au) 또는 구리(Cu) 등을 제2 전극(125) 상에 증착하여 형성할 수 있다.
이후, 접속 전극들(180, 190)을 이용하여 공진부(120)와 필터 특성을 확인하고 필요한 주파수 트리밍을 수행한 후, 에어 갭(130)을 형성한다.
에어 갭(130)은 희생층을 제거함에 따라 형성되며, 이에 본 실시예에 따른 멤브레인 구조 및 공진부(도 3의 120)가 완성된다.
이어서, 도 4에 도시된 바와 같이, 기판(100) 상에 캡(140)을 접합한다.
캡(140)은 웨이퍼 레벨에서 웨이퍼 본딩을 통해 형성할 수 있다. 즉, 단위 기판(110)이 다수개 배치된 기판 웨이퍼와, 캡(140)이 다수개 배치된 캡 웨이퍼를 상호 접합함으로써 일체로 형성할 수 있다.
이 경우, 상호 접합된 기판 웨이퍼와 캡 웨이퍼는 추후에 절단 공정을 통해 절단되어 다수의 개별 음향 공진기(100)로 분리될 수 있다.
캡(140)은 지지 블록(145) 하부면이 접속 전극(180, 190)에 접촉하도록 기판(110) 상에 배치된다. 따라서 지지 블록(145)은 캡(140)이 배치된 방향으로 멤브레인 구조가 들뜨거나 변형되는 것을 억제할 수 있다.
한편, 지지 블록(145)의 돌출 거리가 캡(140)의 상면부(142)과 접속 전극(180, 190) 간의 거리와 동일하게 형성되는 경우, 제조 공차에 의해 지지 블록(145)이 접속 전극과 접촉하지 않을 수 있다.
따라서, 본 실시예에 따른 지지 블록(145)은 멤브레인 구조와 단순 접촉이 아닌, 멤브레인 구조를 일정한 압력으로 가압할 수 있는 길이로 상면부(142)에서 돌출된다.
보다 구체적으로, 지지 블록(145)의 돌출 거리(또는 두께)는 캡(140)의 상면부(142)와 접속 전극(180, 190) 간의 거리보다 더 길게 연장될 수 있다.
이때, 지지 블록(145)의 연장된 길이가 너무 길면 지지 블록(145)에 의해 멤브레인 구조가 파손될 수 있다. 따라서 지지 블록(145)의 연장된 길이는 멤브레인 구조를 파손시키지 않으면서 가압할 수 있는 길이로 규정된다. 예를 들어 상기한 연장된 길이는 1um 이하의 길이로 규정될 수 있다.
이에, 캡(140)이 기판(110)에 접합되면, 지지 블록(145)의 하부면은 접속 전극(180, 190)과 접촉한 후, 상기한 연장된 길이만큼 멤브레인 구조를 가압하게 되며, 이에 멤브레인 구조를 견고하게 지지할 수 있다.
이어서, 도 5에 도시된 바와 같이, 기판(110)에 비아 홀(112)을 형성한 후, 비아 홀(112)의 내부에 접속 도체(115a, 115b)를 형성한다.
비아 홀(112)은 지지 블록(145)과 멤브레인 구조가 접촉한 부분의 하부에 형성된다. 본 실시예에서는 지지 블록(145)이 접속 단자들(180, 190)과 접촉하므로, 비아 홀(112)은 접속 단자들(180, 190)의 하부에 형성된다. 그러나, 지지 블록(145)이 접속 단자(180, 190)가 아닌, 다른 위치에서 멤브레인 구조와 접촉하는 경우, 비아 홀(112)은 해당 위치의 하부에 형성된다.
접속 도체(115a, 115b)는 비아 홀(112)의 내부면에 도전층을 형성함으로써 제조될 수 있다. 예를 들어, 접속 도체(115a, 115b)는 비아 홀(112)의 내벽을 따라 도전성 금속(예컨대 금이나 구리 등)을 증착하거나 도포하여 형성할 수 있다.
이어서, 기판(110)의 하부면에서 외부 전극(117)을 형성하여 도 1에 도시된 본 실시예에 따른 음향 공진기(100)를 완성한다.
외부 전극(117)은 기판(110)의 하부면으로 연장된 접속 도체(115a, 115b)에 형성된다. 외부 전극(117)으로는 Sn 재질의 솔더 볼이 이용될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
이상과 같이 구성되는 본 실시예에 따른 음향 공진기 제조 방법은, 캡을 제조하는 과정에서 지지 블록을 함께 형성할 수 있으므로, 지지 블록을 형성하기 위한 별도의 공정이 요구되지 않는다.
또한 지지 블록을 통해 음향 공진기를 패키징하는 과정에서 멤브레인 구조가 파손되는 것을 방지할 수 있다.
한편 본 발명에 따른 음향 공진기와 그 제조 방법은 전술한 실시예에 한정되지 않으며 다양한 변형이 가능하다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 음향 공진기를 개락적으로 도시한 단면도이고, 도 7은 도 6의 A 부분을 확대하여 도시한 확대 단면도이다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 본 실시예에 따른 음향 공진기(100)는 지지 블록(145)의 하부면에 다수의 돌기(149)가 배치된다.
돌기(149)는 끝단이 뾰족한 형태로 형성될 수 있으며, 다수개가 나란하게 배치될 수 있다. 본 실시예에 따른 돌기(149)는 끝단으로 갈수록 단면적이 축소되며 뾰족해지는 형상으로 형성된다. 또한 돌기(149)들은 선형으로 돌출 형성된다.
이에 따라, 캡(140)이 기판(110)에 접합되는 경우, 지지 블록(145)은 돌기(149)의 끝단이 접속 전극들(180, 190)과 접촉하게 된다.
한편, 본 발명의 돌기 형상은 상기한 구성으로 한정되지 않으며, 예를 들어 동심을 가지며 반경이 다른 다수의 환형 돌기들을 배치하여 이용하는 등 다양한 변형이 가능하다.
이와 같이 구성되는 본 실시예에 따른 음향 공진기는 지지 블록(145)과 접속 전극(180, 190)이 선(line) 접촉하므로, 지지 블록(145)과 접속 전극(180, 190)과의 접촉 면적을 최소화할 수 있다. 또한 전술한 실시예와 마찬가지로, 돌기의 표면은 절연층(147)이 형성된다. 따라서 지지 블록(145)에서 와전류가 발생하는 것을 최소화할 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이다.
100: 음향 공진기
110: 기판
112: 비아 홀 115a, 115b: 접속 도체
117: 외부 전극 120: 공진부
121: 제1 전극 123: 압전층
125: 제2 전극 127: 보호층
130: 에어 갭
140: 캡 150: 멤브레인층
145: 지지 블록
147: 절연막
149: 돌기
180: 제1 접속 전극 190: 제2 접속 전극

Claims (13)

  1. 내부에 다수의 비아 홀이 형성되고 일면에 멤브레인 구조가 형성된 기판; 및
    상기 멤브레인 구조를 수용하며 상기 기판에 접합되는 캡;
    을 포함하며,
    상기 캡은,
    상기 멤브레인 구조와 접촉하며 상기 멤브레인 구조를 부분적으로 가압하는 지지 블록을 구비하는 음향 공진기.
  2. 제1항에 있어서, 상기 지지 블록은,
    상기 기판의 상기 비아 홀 상부에 형성된 상기 멤브레인 구조를 가압하는 음향 공진기.
  3. 제2항에 있어서, 상기 지지 블록은,
    상기 멤브레인 구조와 접촉하는 표면에 절연막이 형성되는 음향 공진기.
  4. 제3항에 있어서, 상기 절연막은
    산화막으로 형성되는 음향 공진기.
  5. 제1항에 있어서, 상기 지지 블록은,
    상기 멤브레인 구조와 접촉하는 면에 다수의 돌기가 형성되며, 상기 돌기들을 통해 상기 멤브레인 구조를 가압하는 음향 공진기.
  6. 제5항에 있어서, 상기 돌기들은,
    끝단으로 갈수록 단면적이 축소되어 뾰족하게 형성되는 음향 공진기.
  7. 제6항에 있어서, 상기 지지 블록은,
    상기 멤브레인 구조와 선 접촉하는 음향 공진기.
  8. 제1항에 있어서, 상기 멤브레인 구조는,
    상기 비아 홀에 형성된 접속 도체와 전기적으로 연결되는 접속 단자를 포함하며, 상기 지지 블록은 상기 접속 단자를 가압하는 음향 공진기.
  9. 제8항에 있어서, 상기 접속 단자는,
    상기 비아 홀의 상부에 배치되는 음향 공진기.
  10. 기판의 일면에 멤브레인 구조를 형성하는 단계; 및
    상기 기판에 캡을 접합하는 단계;
    를 포함하며,
    상기 캡을 접합하는 단계는,
    상기 캡에 형성된 지지 블록이 상기 멤브레인 구조와 접촉하며 상기 멤브레인 구조를 부분적으로 가압하는 단계를 포함하는 음향 공진기 제조 방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 캡을 접합하는 단계 이후,
    상기 기판에 비아 홀을 형성하는 단계; 및
    상기 비아 홀의 내벽에 접속 도체를 형성하는 단계;
    를 더 포함하는 음향 공진기 제조 방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 비아 홀을 형성하는 단계는,
    상기 지지 블록과 상기 멤브레인 구조가 접촉한 부분의 하부에 상기 비아 홀을이 형성하는 단계인 음향 공진기 제조 방법.
  13. 제11항에 있어서, 상기 상기 캡을 접합하는 단계는,
    상기 멤브레인 구조와 접촉하는 상기 지지 블록의 표면에 절연막을 형성하는 단계를 더 포함하는 음향 공진기 제조 방법.
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