JP4091561B2 - 薄膜圧電共振器及びその製造方法 - Google Patents
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Description
第1の実施の形態に係わる薄膜圧電共振器について、図1を参照して説明する。
第2の実施の形態に係わる薄膜圧電共振器について、図2を参照し、第1の実施の形態と異なる箇所について説明する。
第3の実施の形態に係わる薄膜圧電共振器について、図3を参照し、第2の実施の形態と異なる箇所について説明する。
第4の実施の形態に係わる薄膜圧電共振器について、図4を参照して説明する。
第5の実施の形態に係わる薄膜圧電共振器の製造方法について、図5乃至図11を参照して説明する。なお、第5の実施の形態は、第1の実施の形態の薄膜圧電共振器の製造方法に係わる。
第6の実施の形態に係わる薄膜圧電共振器の製造方法について、図12乃至図14を参照し、第5の実施の形態と異なる箇所について説明する。なお、第6の実施の形態は、第2の実施の形態の薄膜圧電共振器の製造方法に係わる。
第7の実施の形態に係わる薄膜圧電共振器の製造方法について、図15乃至図17を参照し、第5の実施の形態と異なる箇所について説明する。なお、第7の実施の形態は、第3の実施の形態の薄膜圧電共振器の製造方法に係わる。
第8の実施の形態に係わる薄膜圧電共振器の製造方法について、図18乃至図22を参照し、第5の実施の形態と異なる箇所について説明する。なお、第8の実施の形態は、第4の実施の形態の薄膜圧電共振器の製造方法に係わる。
1a 圧電膜下の孔
1b 第1の孔
1c 第2の孔
2 下部電極
3 圧電膜
4 上部電極
5a 第1の埋込電極
5b 第2の埋込電極
6 絶縁層
7 側壁
8 上部基板
9 メッキシード層
10a 第1の外部電極
10b 第2の外部電極
10c 接地電極
11 被覆材
11a 第1の凹部
11b 第2の凹部
11c 下部基板に接着した接着部
11d 被覆材に接着した接着部
12 スタッドバンプ
13 マスク材
Claims (11)
- 圧電膜と、
前記圧電膜を上下に挟む内部電極と、
前記圧電膜及び前記内部電極の下に設けられ、電極孔及び前記圧電膜下の孔を有する下部基板と、
前記内部電極と電気的に接続し、前記電極孔上面及び側面を被覆する外部電極と、
前記圧電膜下の孔を封止する封止材と、
前記圧電膜及び前記内部電極を封止し、前記下部基板上に形成された側壁及び前記側壁上の上部基板とを備え、
前記外部電極は、前記下部基板下面及び前記封止材の端部を被覆することを特徴とする薄膜圧電共振器。 - 前記内部電極は、前記圧電膜下に形成される下部電極及び前記圧電膜上に形成される上部電極を備え、
前記電極孔は、第1の孔及び第2の孔を備え、
前記外部電極は、前記下部電極と接続し第1の孔上面及び側面を被覆する第1の外部電極及び前記上部電極と接続し第2の孔上面及び側面を被覆する第2の外部電極を備えることを特徴とする請求項1に記載の薄膜圧電共振器。 - 前記下部基板上に前記圧電膜を囲って形成され、前記電極孔上に孔を有する絶縁層と、
前記内部電極及び前記外部電極に電気的に接続し、前記絶縁層の孔を埋める埋込電極を備えることを特徴とする請求項1又は2に記載の薄膜圧電共振器。 - 前記封止材は、前記圧電膜下の孔を被覆する、金属酸化膜若しくは金属窒化膜からなることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の薄膜圧電共振器。
- 圧電膜と、
前記圧電膜を上下に挟む内部電極と、
前記圧電膜及び前記内部電極の下に設けられ、電極孔及び前記圧電膜下の孔を有する下部基板と、
前記内部電極と電気的に接続し、前記電極孔上面及び側面を被覆する外部電極と、
前記圧電膜下の孔を封止する封止材と、
前記圧電膜及び前記内部電極を封止し、前記下部基板上に形成された側壁及び前記側壁上の上部基板とを備え、
前記外部電極は、前記下部基板下面一部に延在し、前記封止材は金属被覆層により被覆されることを特徴とする薄膜圧電共振器。 - 前記内部電極は、前記圧電膜下に形成される下部電極及び前記圧電膜上に形成される上部電極を備え、
前記電極孔は、第1の孔及び第2の孔を備え、
前記外部電極は、前記下部電極と接続し第1の孔上面及び側面を被覆する第1の外部電極及び前記上部電極と接続し第2の孔上面及び側面を被覆する第2の外部電極を備えることを特徴とする請求項5に記載の薄膜圧電共振器。 - 前記下部基板上に前記圧電膜を囲って形成され、前記電極孔上に孔を有する絶縁層と、
前記内部電極及び前記外部電極に電気的に接続し、前記絶縁層の孔を埋める埋込電極を備えることを特徴とする請求項5又は6に記載の薄膜圧電共振器。 - 前記封止材は、前記圧電膜下の孔を被覆する、金属酸化膜若しくは金属窒化膜からなることを特徴とする請求項5乃至7のいずれか1項に記載の薄膜圧電共振器。
- 下部基板上に圧電膜及び前記圧電膜を上下に挟む内部電極を形成する工程と、
前記下部基板上に前記圧電膜及び前記内部電極を封止する側壁及び上部基板を形成する工程と、
前記下部基板に電極孔及び前記圧電膜下の孔を形成する工程と、
前記電極孔及び前記圧電膜下の孔を封止する封止材を形成する工程と、
前記電極孔下の前記封止材を開口する工程と、
前記電極孔の上面及び側面を被覆する外部電極を形成する工程とを備え、
前記外部電極を形成する工程は、前記電極孔上面及び側面並びに前記下部基板下面をメッキシード層で被覆する工程と、前記封止材下の前記メッキシード層下にマスク材を形成する工程と、前記メッキシード層を被覆する前記外部電極を形成する工程と、前記マスク材を除去する工程と、前記マスク材で被覆していた前記メッキシード層を除去する工程とを備えることを特徴とする薄膜圧電共振器の製造方法。 - 下部基板上に圧電膜及び前記圧電膜を上下に挟む内部電極を形成する工程と、
前記下部基板上に前記圧電膜及び前記内部電極を封止する側壁及び上部基板を形成する工程と、
前記下部基板に電極孔及び前記圧電膜下の孔を形成する工程と、
前記電極孔及び前記圧電膜下の孔を封止する封止材を形成する工程と、
前記電極孔下の前記封止材を開口する工程と、
前記電極孔の上面及び側面を被覆する外部電極を形成する工程とを備え、
前記封止材を開口する工程では、前記圧電膜下の孔と前記電極孔間の下部基板下の前記封止材に凹部を形成する工程も行い、
前記外部電極を形成する工程は、前記電極孔上面及び側面並びに前記下部基板下面をメッキシード層で被覆する工程と、前記凹部の前記メッキシード層を除去する工程と、前記メッキシード層を被覆する前記外部電極を形成する工程とを備えることを特徴とする薄膜圧電共振器の製造方法。 - 下部基板上に圧電膜及び前記圧電膜を上下に挟む内部電極を形成する工程と、
前記下部基板上に前記圧電膜及び前記内部電極を封止する側壁及び上部基板を形成する工程と、
前記下部基板に電極孔及び前記圧電膜下の孔を形成する工程と、
前記電極孔及び前記圧電膜下の孔を封止する封止材を形成する工程と、
前記電極孔下の前記封止材を開口する工程と、
前記電極孔の上面及び側面を被覆する外部電極を形成する工程とを備え、
前記封止材を開口する工程では、前記圧電膜下の孔と前記電極孔間の下部基板下の前記封止材に凹部を形成する工程も行い、
前記外部電極を形成する工程は、前記電極孔上面及び側面並びに前記下部基板下面をメッキシード層で被覆する工程と、前記凹部と前記電極孔間の前記メッキシード層下にマスク材を形成する工程と、前記メッキシード層を被覆する前記外部電極を形成する工程と、
前記マスク材を除去する工程と、前記マスク材で被覆していた前記メッキシード層を除去する工程とを備えることを特徴とする薄膜圧電共振器の製造方法。
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