CN111010109A - 释放孔位于封装空间外的mems器件的封装 - Google Patents
释放孔位于封装空间外的mems器件的封装 Download PDFInfo
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- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title claims abstract description 41
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims abstract description 43
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 35
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 53
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 38
- 239000012785 packaging film Substances 0.000 claims description 33
- 229920006280 packaging film Polymers 0.000 claims description 33
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 29
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 22
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 19
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 16
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 16
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 12
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 11
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 9
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 7
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 6
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 6
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 claims description 5
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 5
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- IXFOBQXJWRLXMD-ZIQFBCGOSA-N para-nitrophenyl 1-thio-β-d-glucopyranoside Chemical compound O[C@@H]1[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O[C@H]1SC1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1 IXFOBQXJWRLXMD-ZIQFBCGOSA-N 0.000 claims description 5
- 239000005360 phosphosilicate glass Substances 0.000 claims description 5
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims description 5
- 238000000429 assembly Methods 0.000 claims description 3
- 230000000712 assembly Effects 0.000 claims description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 2
- 239000011799 hole material Substances 0.000 claims 12
- 239000010408 film Substances 0.000 description 46
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 13
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 4
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- -1 SU-8) Chemical compound 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003334 KNbO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003327 LiNbO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910012463 LiTaO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- UKDIAJWKFXFVFG-UHFFFAOYSA-N potassium;oxido(dioxo)niobium Chemical compound [K+].[O-][Nb](=O)=O UKDIAJWKFXFVFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 239000002195 soluble material Substances 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
- MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N titanium tungsten Chemical compound [Ti].[W] MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02244—Details of microelectro-mechanical resonators
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
- B81B7/0032—Packages or encapsulation
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
- B81C1/00261—Processes for packaging MEMS devices
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/0538—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
- H03H9/0547—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a vertical arrangement
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- H—ELECTRICITY
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- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
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- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1057—Mounting in enclosures for microelectro-mechanical devices
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- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/24—Constructional features of resonators of material which is not piezoelectric, electrostrictive, or magnetostrictive
- H03H9/2405—Constructional features of resonators of material which is not piezoelectric, electrostrictive, or magnetostrictive of microelectro-mechanical resonators
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- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/462—Microelectro-mechanical filters
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02244—Details of microelectro-mechanical resonators
- H03H2009/02283—Vibrating means
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- Acoustics & Sound (AREA)
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Abstract
本发明涉及一种MEMS器件组件，包括：MEMS器件，包括空气隙结构；和封装薄膜，形成封闭所述MEMS器件的封装空间，其中：所述MEMS器件设置有与所述空气隙结构相通的第一释放孔；且所述第一释放孔位于所述封装空间的外侧。本发明还涉及一种具有上述MEMS器件组件的电子器件，具有上述MEMS器件组件或者电子器件的电子设备，以及一种MEMS器件的封装方法。
Description
技术领域
本发明的实施例涉及半导体领域，尤其涉及一种MEMS器件组件、一种具有该MEMS器件组件的电子器件，一种具有该MEMS器件组件或者该电子器件的电子设备，以及一种MEMS器件的封装方法。
背景技术
小型化、高性能的薄膜体声波(FBAR，film bulk acoustic resonator)带通滤波器在移动无线通讯系统中广泛应用。薄膜体声波带通滤波器是基于高Q值的谐振器，该薄膜体声波谐振器是利用压电氮化铝(AlN)薄膜的厚度延伸模式。
薄膜体声波谐振器主要有以下三种结构：
(1)硅反面刻蚀型。此种采用的体硅微制造工艺，从硅片反面刻蚀去除大部分的硅材料,以在压电振荡堆的下表面形成空气交界面,从而将声波限制于压电振荡堆之内。由于大面积的硅衬底被去除,势必影响了器件的机械牢度,并大幅降低成品率。
(2)空气隙型。此种采用的表面微制造工艺，在硅片的上表面形成一个空气隙以限制声波在压电振荡堆之内。空气隙可以采用去除部分硅片表面形成的下沉型，也可以是不去除硅直接在硅表面之上形成的上凸形。这一类FBAR不但能很好地将声波限制于压电振荡堆之内,获得很高的Q值,同时因为采用了表面微制造工艺,不需去除大部分硅衬底,故其与硅片反面刻蚀型相比机械牢度要好很多；此外，不需要对硅衬底的反面进行加工使得这一方法可以与传统的硅集成电路工艺相兼容,有集成的可能性。
(3)固态装配型(SMR，solidly mounted resonator)。与前两者不同，SMR采用布拉格反射层将声波限制在压电振荡堆之内,布拉格反射层一般采用W和SiO2作高低阻抗的声学层,因为W和SiO2之间的声学阻抗相差较大,且这两种材料都是标准CMOS工艺之中的材料。它的最大优点是机械牢度强、集成性好,且不需要借助工艺,这使得许多不具备工艺的半导体厂商业也可以方便地加入进来。但其缺点是需要制备多层薄膜,工艺成本比空气隙型的要高,且布拉格反射层的声波反射效果终不及空气来得好,故SMR的Q值一般比空气隙型的FBAR要低一些。
图1、图2分别为典型的空气隙型FBAR的俯视图和沿俯视图中A-A相切的截面图。其中10为谐振器的空气隙结构，11为空气隙的释放孔，12为谐振器的底电极，13为谐振器的压电层，14为谐振器的顶电极。
通常，薄膜体声波谐振器在不同的应用环境下，具有特定的封装要求。例如，某些体声波谐振器可以在特定环境状态中最优地工作，如特定范围的湿度或压力或在惰性气体中。此外，特定的体声波谐振器可能对特定污染敏感。
图3A-3E示出了现有技术中谐振器的薄膜封装流程。如图所示：
已知的薄膜封装流程如下：
1)：如图3A所示为性能良好的空气隙型薄膜体声波谐振器；
2)：在谐振器上方沉积牺牲层30，如图3B所示；
3)：在牺牲层上方形成封装薄膜31，如图3C所示；
4)：在封装薄膜上31形成开孔32并将牺牲层30释放掉，形成封装空腔33，如图3D所示；
5)：在封装薄膜31上形成密封层35，将封装薄膜31中开孔密封，从而将封装空腔33密封住，如图3E所示。
但是对于空气隙型薄膜体声波谐振器，其在封装的过程中，当释放牺牲层30形成封装空腔33的过程中，由于开孔32的位置位于薄膜31的中间部位，使得药液进入封装空腔33之后，在通过释放孔11进入空气隙10的距离变长，如图3D中的箭头所示。因而牺牲层30在释放过程中产生的药液残渣等很容易滞留在空气隙10中，导致谐振器的性能变差。同时对于空气隙型FBAR，在空气隙的释放孔11之上形成的封装薄膜34中会存在台阶34，由于台阶处的应力集中较大，会导致封装结构的稳定性变差。而且，在最终进行密封时，密封剂会很容易从开孔32处掉落到器件上方，进而导致谐振器的性能变差。
已有的封装方法中，如键合封装，即在器件上方安装覆盖衬底。一个范例覆盖衬底是圆顶或帽盖形“帽盖”，可以将其定位于每一个器件上方，然后固定到支撑衬底。在被单元化之后，可以在芯片级，将器件逐个封装，例如封装于壳体中。不过此种封装方法会增加器件的总尺寸，而且由于有大量的封装步骤增加了封装成本，同时在芯片级封装中容易引入颗粒污染。另一种封装方法，如薄膜封装，加工时首先在器件上方沉积一层牺牲层，然后旋涂一层薄膜作为封装层，并刻蚀形成孔道直达牺牲层，将牺牲层释放形成空腔后再旋涂一层薄膜将其密封。此种封装方法，工艺简单，密封良好，成本较低，且与IC工艺兼容。
但是，当使用薄膜封装的方法封装空气隙FBAR时，在释放封装空腔时，容易将药液残渣等引入到器件底部的空气隙中，对器件的性能造成影响，使其Q值降低等。
发明内容
为缓解或解决现有技术中的上述问题，提出本发明。
根据本发明的实施例的一个方面，提出了一种MEMS器件组件，包括：
MEMS器件，包括空气隙结构；和
封装薄膜，形成封闭所述MEMS器件的封装空间，
其中：
所述MEMS器件设置有与所述空气隙结构相通的第一释放孔；且
所述第一释放孔位于所述封装空间的外侧。
可选的，所述封装薄膜设置有第二释放孔，第二释放孔中填充有密封材料。
可选的，所述封装薄膜覆盖并密封所述第一释放孔。
可选的，所述封装薄膜设置有多个第二释放孔。
可选的，所述MEMS器件包括体声波谐振器。进一步的，所述MEMS器件包括薄膜体声波谐振器。
在可选的实施例中，所述体声波谐振器包括底电极、压电层和顶电极，所述封装薄膜覆盖体声波谐振器，所述组件包括至少部分覆盖所述封装薄膜的密封层，组成所述密封层的材料构成填充所述第二释放孔的密封材料；且密封层的材料与顶电极的材料相同，且封装薄膜的材料与压电层的材料相同。进一步的，所述密封层的材料选自如下材料之一：二氧化硅、聚合物、旋涂玻璃、塑料、树脂、介电材料、金属、氮化硅、氮化铝等材料；所述封装薄膜的材料选自如下材料之一：硅、二氧化硅、氮化硅、氮化铝、氧化铝、金属、光刻胶、高分子聚合物、石墨烯、纳米管、TOK DFR材料等。
根据本发明的实施例的另一方面，提出了一种电子器件，包括多个上述的MEMS器件组件。
可选的，至少两个MEMS器件组件具有共用的第一释放孔。
可选的，由一层封装薄膜形成的一个封装空间内封装有至少两个MEMS器件。
可选的，所述电子器件包括滤波器。
根据本发明的实施例的再一方面，提出了一种电子设备，包括上述的电子器件或者上述的MEMS器件组件。
根据本发明的实施例的还一方面，提出了一种MEMS器件的封装方法，所述MEMS器件包括空气隙结构，且设置有与所述空气隙结构相通的第一释放孔，所述方法包括步骤：
利用封装薄膜形成封闭所述MEMS器件的封装空间，且使得所述第一释放孔位于所述封装空间外侧；
在所述封装薄膜上开设与所述封装空间连通的至少一个第二释放孔；和
密封所述第二释放孔。
附图说明
以下描述与附图可以更好地帮助理解本发明所公布的各种实施例中的这些和其他特点、优点，图中相同的附图标记始终表示相同的部件，其中：
图1为现有技术的薄膜体声波谐振器的俯视示意图；
图2为图1中的谐振器的A-B向剖视图；
图3A-3E为现有技术中薄膜体声波谐振器的薄膜封装的流程；
图4A为根据本发明的一个示例性实施例的薄膜体声波谐振器的俯视示意图；
图4B为沿图4A中的A-A的剖面示意图；
图5A为根据本发明的一个示例性实施例的滤波器的示意性俯视图；
图5B为沿图5A中的A-A的剖面示意图；
图6A-6F示意性示出根据本发明的一个示例性实施例的薄膜体声波谐振器的薄膜封装流程。
具体实施方式
下面通过实施例，并结合附图，对本发明的技术方案作进一步具体的说明。在说明书中，相同或相似的附图标号指示相同或相似的部件。下述参照附图对本发明实施方式的说明旨在对本发明的总体发明构思进行解释，而不应当理解为对本发明的一种限制。
下面参照附图，以薄膜体声波谐振器的薄膜封装为例，示例性描述根据本发明的实施例的MEMS器件组件。
图4A为根据本发明的一个示例性实施例的薄膜体声波谐振器的俯视示意图；
图4B为沿图4A中的A-A的剖面示意图。
图4A所示的实施例中，10为FBAR的底部空腔(对应于空气隙结构)，11为底部空腔10的释放孔(对应于第一释放孔，其尺寸大小典型的数值可以为：10um)；12为FBAR的底电极，13为FBAR的压电层，14为FBAR的顶电极；20为封装薄膜，21为封装薄膜上的开孔(对应于第二释放孔)。明显的，FBAR底部空腔10的释放孔11在封装薄膜20所形成空腔的外侧。
图4B中，10为FBAR底部的空腔，11为FBAR底部空腔10的释放孔；12为FBAR的底电极。23为平坦层位于底电极12的两侧，加入的平坦层与底电极12两端的斜端面对齐，从而形成平整光滑的表面，这样有利于在底电极12与平坦层23的连接处上沉积有良好C-轴取向的压电薄膜。平坦层可以采用二氧化硅、氮化硅、碳化硅等合适的介质材料。也可以不设置平坦层。13为FBAR的压电层，14为FBAR的顶电极；20为封装薄膜，21为封装薄膜上的开孔，22为密封层。在本发明中，FBAR底部空腔10的释放孔11在封装薄膜20所形成封装空间24的外侧。
由于释放孔11在封装空间24之外，在形成封装薄膜20的过程中，释放孔便被密封住，所以在释放形成封装空间24的过程中，不会有药液残渣、颗粒等进入FBAR的底部空腔10中，因此谐振器的性能不会受到影响。而且，封装薄膜20上开孔21的位置和数量可灵活选择。在开孔位置上，能够省却与底部空腔释放孔11的对准工艺步骤，降低封装成本；同时可以增加开孔的数量，能够加快空腔24的形成。另外，对于相同面积的FBAR来说，将释放孔11封装在空腔24之外，能够减小谐振器顶部空腔24的面积，进而使得谐振器的封装尺寸得到减小。
图5A为根据本发明的一个示例性实施例的滤波器的示意性俯视图；图5B为沿图5A中的A-A的剖面示意图。
图5A所示的实施例中，滤波器是由空气隙型FBAR按照梯形结构即每一级由一个串联谐振器和一个并联谐振器组成。其中，30、31、32为串联谐振器，33和34为并联谐振器；11为谐振器底部空腔的释放孔，20为封装薄膜，21为封装薄膜20上的开孔。
图5B中，10为FBAR的底部空腔，11为FBAR底部空腔的释放孔；12为FBAR的底电极，23为平坦层，13为FBAR的压电层，14为FBAR顶电极；20为封装薄膜，21为封装薄膜的开孔，24为FBAR顶部的空腔，22为密封层。图5B中，谐振器底部空腔的释放孔11在谐振器顶部空腔24以外。
由于谐振器底部空腔的释放孔11在封装薄膜20形成的封装空间之外，因此在形成封装薄膜20的过程中释放孔11便被封装薄膜密封住，所以在释放形成封装空间24的过程中，不会有药液残渣、颗粒等进入FBAR的底部空腔10中，因此谐振器的性能不会受到影响，封装后可以获得高性能的滤波器。
图6A-6F示意性示出根据本发明的一个示例性实施例的薄膜体声波谐振器的薄膜封装流程，具体的：
1)：如图6A所示为性能良好的空腔型薄膜体声波谐振器。其包括：10底部空腔结构，11底部空腔的释放孔；12底电极，23为底电极两侧的平坦层，13压电层，14顶电极；
2)：通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、物理气相沉(PVD)、化学气相沉积法(CVD)、旋涂等类似的薄膜沉积工艺，在谐振器的顶部沉积一层牺牲层41，其厚度可以为0.1-10um，如图6B所示。牺牲层的材料可以为有机材料、聚合物、硅、非晶硅、二氧化硅、PSG、金属(如锗、钛、铜)、金属氧化物(氧化镁、氧化锌)、光刻胶等材料。
3)：通过光刻的工艺，在牺牲层表面形成刻蚀阻挡层，然后在通过干法刻蚀或者湿法刻蚀的工艺，将牺牲层上多余的材料刻蚀掉，最后去除光刻胶后，在牺牲层上方形成所需的图形，如图6C所示。
4)：在通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、物理气相(PVD)、化学气相沉积法(CVD)、旋涂等类似的薄膜沉积工艺，在牺牲层上形成封装薄膜20，并通过光刻和刻蚀的工艺在封装薄膜20上形成开孔21直达底部的牺牲层，如图6D所示。封装薄膜的厚度可以为1-10um，典型的可以为3um。封装薄膜材料可以为硅、二氧化硅、氮化硅、氮化铝、氧化铝、金属、光刻胶(如SU-8)、高分子聚合物、石墨烯、纳米管、TOK DFR材料等。
5)：从封装薄膜20上的开孔21引入刻蚀剂，将封装薄膜20下的牺牲层去除，并在谐振器的顶部形成空腔结构24，如图6E所示。
6)：最后用密封剂将封装薄膜20上的开孔21密封住，从而在谐振器的顶部形成一个密闭的封装空间，如图6F所示。密封层材料可以为二氧化硅等致密性的材料、聚合物、旋涂玻璃、塑料、树脂、介电材料、金属、氮化硅、氮化铝等材料。
如本领域技术人员能够理解的，虽然上述实施例以薄膜体声波谐振器为例说明了薄膜封装，但是，薄膜封装也可以适用于其他的含有空气隙结构的MEMS器件。
基于以上，本发明提出了一种MEMS器件组件，包括：
MEMS器件，包括空气隙结构(对应于空腔10)；和
封装薄膜20，形成封闭所述MEMS器件的封装空间24，
其中：
所述MEMS器件设置有与所述空气隙结构相通的第一释放孔(对应于释放孔11)；且
所述第一释放孔位于所述封装空间的外侧。
进一步的，所述封装薄膜设置有第二释放孔(对应于开孔21)，第二释放孔中填充有密封材料。
进一步的，所述封装薄膜覆盖并密封所述第一释放孔。
基于以上，本发明的实施例也提出了一种电子器件，包括多个上述的MEMS器件组件。可选的，至少两个MEMS器件组件具有共用的第一释放孔。进一步的，由一层封装薄膜形成的一个封装空间内封装有至少两个MEMS器件。
基于以上，本发明还提出了一种MEMS器件的封装方法，所述谐振器包括空气隙结构，且设置有与所述空气隙结构相通的第一释放孔，所述方法包括步骤：
利用封装薄膜形成封闭所述MEMS器件的封装空间，且使得所述第一释放孔位于所述封装空间外侧；
在所述封装薄膜上开设与所述封装空间连通的至少一个第二释放孔；和
密封所述第二释放孔。
在本发明中，电极组成材料可以是金(Au)、钨(W)、钼(Mo)、铂(Pt)，钌(Ru)、铱(Ir)、钛钨(TiW)、铝(Al)、钛(Ti)等类似金属形成。
压电层材料可以为氮化铝(AlN)、氧化锌(ZnO)、锆钛酸铅(PZT)、铌酸锂(LiNbO3)、石英(Quartz)、铌酸钾(KNbO3)或钽酸锂(LiTaO3)等材料。
牺牲层材料可以为有机材料、聚合物、硅、非晶硅、二氧化硅、PSG、金属(如Ge、Ti、Cu)、金属氧化物(如MgO、ZnO)、光刻胶(如SU-8)等易溶性的材料。
封装薄膜材料可以为硅、二氧化硅、氮化硅、氮化铝、氧化铝、金属、光刻胶、高分子聚合物、石墨烯、纳米管等材料；
密封层材料可以为二氧化硅等致密性的材料、聚合物、旋涂玻璃、塑料、树脂、介电材料、金属、氮化硅、氮化铝等材料。
在可选的实施例中，密封层的材料与顶电极的材料相同，且封装薄膜的材料与压电层的材料相同。更具体的，所述密封层的材料选自如下材料之一：二氧化硅、聚合物、旋涂玻璃、塑料、树脂、介电材料、金属、氮化硅、氮化铝等材料；所述封装薄膜的材料选自如下材料之一：硅、二氧化硅、氮化硅、氮化铝、氧化铝、金属、光刻胶、高分子聚合物、石墨烯、纳米管、TOK DFR材料等。此外，形成空气隙结构的牺牲层与形成封装空间的牺牲层可以采用相同材料，该材料选自如下材料之一：有机材料、聚合物、硅、非晶硅、二氧化硅、PSG、金属(如Ge、Ti、Cu)、金属氧化物(如MgO、ZnO)、光刻胶(如SU-8)等易溶性的材料。
虽然没有示出，本发明的实施例也涉及一种电子设备，包括上述的MEMS器件组件或者上述的电子器件。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行变化，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (17)
1.一种MEMS器件组件，包括：
MEMS器件，包括空气隙结构；和
封装薄膜，形成封闭所述MEMS器件的封装空间，
其中：
所述MEMS器件设置有与所述空气隙结构相通的第一释放孔；且
所述第一释放孔位于所述封装空间的外侧。
2.根据权利要求1所述的组件，其中：
所述封装薄膜设置有第二释放孔，第二释放孔中填充有密封材料。
3.根据权利要求1或2所述的组件，其中：
所述封装薄膜覆盖并密封所述第一释放孔。
4.根据权利要求2所述的组件，其中：
所述封装薄膜设置有多个第二释放孔。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的组件，其中：
所述MEMS器件包括体声波谐振器。
6.根据权利要求5所述的组件，其中：
所述MEMS器件包括薄膜体声波谐振器。
7.根据权利要求5或6所述的组件，其中：
所述体声波谐振器包括底电极、压电层和顶电极，所述封装薄膜覆盖体声波谐振器，所述组件包括至少部分覆盖所述封装薄膜的密封层，组成所述密封层的材料构成填充所述第二释放孔的密封材料；且
密封层的材料与顶电极的材料相同，且封装薄膜的材料与压电层的材料相同。
8.根据权利要求7所述的组件，其中：
所述密封层的材料选自如下材料之一：二氧化硅、聚合物、旋涂玻璃、塑料、树脂、介电材料、金属、氮化硅、氮化铝；
所述封装薄膜的材料选自如下材料之一：硅、二氧化硅、氮化硅、氮化铝、氧化铝、金属、光刻胶、高分子聚合物、石墨烯、纳米管、TOK DFR材料。
9.一种电子器件，包括多个根据权利要求1-8中任一项所述的MEMS器件组件。
10.根据权利要求9所述的电子器件，其中：
至少两个MEMS器件组件具有共用的第一释放孔。
11.根据权利要求9所述的电子器件，其中：
由一层封装薄膜形成的一个封装空间内封装有至少两个MEMS器件。
12.根据权利要求9-11中任一项所述的电子器件，其中：
所述电子器件包括滤波器。
13.一种电子设备，包括根据权利要求9-12中任一项所述的电子器件或者根据权利要求1-8中任一项所述的MEMS器件组件。
14.一种MEMS器件的封装方法，所述MEMS器件包括空气隙结构，且设置有与所述空气隙结构相通的第一释放孔，所述方法包括步骤：
利用封装薄膜形成封闭所述MEMS器件的封装空间，且使得所述第一释放孔位于所述封装空间外侧；
在所述封装薄膜上开设与所述封装空间连通的至少一个第二释放孔；和
密封所述第二释放孔。
15.根据权利要求14所述的方法，还包括步骤：
利用所述封装薄膜覆盖并且封住所述第一释放孔。
16.根据权利要求14所述的方法，其中：
所述空气隙结构通过释放第一牺牲层形成，所述封装空间通过释放第二牺牲层形成；且
第一牺牲层与第二牺牲层的材料相同，且选自如下材料之一：有机材料、聚合物、硅、非晶硅、二氧化硅、PSG、金属、金属氧化物、光刻胶。
17.根据权利要求16所述的方法，其中：
所述MEMS器件为体声波谐振器，所述体声波谐振器包括底电极、压电层和顶电极，所述封装薄膜覆盖体声波谐振器，所述组件包括至少部分覆盖所述封装薄膜的密封层，组成所述密封层的材料构成填充所述第二释放孔的密封材料；且
密封层的材料与顶电极的材料相同，且选自如下材料之一：二氧化硅、聚合物、旋涂玻璃、塑料、树脂、介电材料、金属、氮化硅、氮化铝等材料；且
封装薄膜的材料与压电层的材料相同，且选自如下材料之一：有机材料、聚合物、硅、非晶硅、二氧化硅、PSG、金属、金属氧化物、光刻胶。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910157931.5A CN111010109B (zh) | 2019-03-02 | 2019-03-02 | 释放孔位于封装空间外的mems器件的封装 |
| PCT/CN2020/076211 WO2020177558A1 (zh) | 2019-03-02 | 2020-02-21 | 释放孔位于封装空间外的mems器件的封装 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910157931.5A CN111010109B (zh) | 2019-03-02 | 2019-03-02 | 释放孔位于封装空间外的mems器件的封装 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111010109A true CN111010109A (zh) | 2020-04-14 |
| CN111010109B CN111010109B (zh) | 2024-01-26 |
Family
ID=70111762
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910157931.5A Active CN111010109B (zh) | 2019-03-02 | 2019-03-02 | 释放孔位于封装空间外的mems器件的封装 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111010109B (zh) |
| WO (1) | WO2020177558A1 (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111934639A (zh) * | 2020-06-28 | 2020-11-13 | 杭州见闻录科技有限公司 | 一种体声波谐振器的空腔结构及制作工艺 |
| CN114180514A (zh) * | 2021-12-03 | 2022-03-15 | 瑞声声学科技(深圳)有限公司 | 密封腔结构及其制备方法 |
| CN114674485A (zh) * | 2022-02-21 | 2022-06-28 | 华中科技大学 | 小量程mems电容式压力传感器及其制备方法 |
| CN115589212A (zh) * | 2022-12-12 | 2023-01-10 | 成都频岢微电子有限公司 | 一种具有薄膜封装的体声波谐振器、制造方法及滤波器 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN118083906B (zh) * | 2024-04-23 | 2024-07-09 | 芯联越州集成电路制造（绍兴）有限公司 | 一种mems器件及其制备方法和电子装置 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1373556A (zh) * | 2001-03-01 | 2002-10-09 | 安捷伦科技有限公司 | 制造薄膜体声谐振器的改进方法和以该法实现的薄膜体声谐振器结构 |
| JP2010245829A (ja) * | 2009-04-06 | 2010-10-28 | Taiyo Yuden Co Ltd | 電子デバイスおよびその製造方法 |
| CN104767500A (zh) * | 2014-01-03 | 2015-07-08 | 李国强 | 空腔型薄膜体声波谐振器及其制备方法 |
| CN105680813A (zh) * | 2016-02-25 | 2016-06-15 | 锐迪科微电子（上海）有限公司 | 一种薄膜体声波谐振器及其制造方法 |
| CN107181470A (zh) * | 2016-03-10 | 2017-09-19 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 薄膜体声波谐振器、半导体器件及其制造方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3939939B2 (ja) * | 2001-07-17 | 2007-07-04 | 富士通株式会社 | 圧電薄膜共振素子の製造方法 |
| CN107196618A (zh) * | 2017-02-16 | 2017-09-22 | 杭州左蓝微电子技术有限公司 | 薄膜体声波谐振器及其制备方法 |
| CN108900173B (zh) * | 2018-07-04 | 2022-03-04 | 杭州左蓝微电子技术有限公司 | 一种以硅为牺牲层的薄膜体声波谐振器制备方法 |
-
2019
- 2019-03-02 CN CN201910157931.5A patent/CN111010109B/zh active Active
-
2020
- 2020-02-21 WO PCT/CN2020/076211 patent/WO2020177558A1/zh active Application Filing
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1373556A (zh) * | 2001-03-01 | 2002-10-09 | 安捷伦科技有限公司 | 制造薄膜体声谐振器的改进方法和以该法实现的薄膜体声谐振器结构 |
| JP2010245829A (ja) * | 2009-04-06 | 2010-10-28 | Taiyo Yuden Co Ltd | 電子デバイスおよびその製造方法 |
| CN104767500A (zh) * | 2014-01-03 | 2015-07-08 | 李国强 | 空腔型薄膜体声波谐振器及其制备方法 |
| CN105680813A (zh) * | 2016-02-25 | 2016-06-15 | 锐迪科微电子（上海）有限公司 | 一种薄膜体声波谐振器及其制造方法 |
| CN107181470A (zh) * | 2016-03-10 | 2017-09-19 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 薄膜体声波谐振器、半导体器件及其制造方法 |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111934639A (zh) * | 2020-06-28 | 2020-11-13 | 杭州见闻录科技有限公司 | 一种体声波谐振器的空腔结构及制作工艺 |
| CN111934639B (zh) * | 2020-06-28 | 2021-10-29 | 见闻录(浙江)半导体有限公司 | 一种体声波谐振器的空腔结构及制作工艺 |
| US20230238933A1 (en) * | 2020-06-28 | 2023-07-27 | Jwl (Zhejiang) Semiconductor Co., Ltd | Cavity structure of bulk acoustic resonator, and manufacturing process |
| EP4160916A4 (en) * | 2020-06-28 | 2023-11-22 | JWL (Zhejiang) Semiconductor Co., Ltd. | VOLUME ACOUSTIC RESONATOR CAVITY STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD |
| JP7527412B2 (ja) | 2020-06-28 | 2024-08-02 | 見聞録（浙江）半導体有限公司 | バルク音響共振器のキャビティ構造及び製造工程 |
| CN114180514A (zh) * | 2021-12-03 | 2022-03-15 | 瑞声声学科技(深圳)有限公司 | 密封腔结构及其制备方法 |
| CN114674485A (zh) * | 2022-02-21 | 2022-06-28 | 华中科技大学 | 小量程mems电容式压力传感器及其制备方法 |
| CN115589212A (zh) * | 2022-12-12 | 2023-01-10 | 成都频岢微电子有限公司 | 一种具有薄膜封装的体声波谐振器、制造方法及滤波器 |
| CN115589212B (zh) * | 2022-12-12 | 2023-04-11 | 成都频岢微电子有限公司 | 一种具有薄膜封装的体声波谐振器、制造方法及滤波器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2020177558A1 (zh) | 2020-09-10 |
| CN111010109B (zh) | 2024-01-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| PP01 | Preservation of patent right | ||
| PP01 | Preservation of patent right |
Effective date of registration: 20240130 Granted publication date: 20240126 |