TWI725562B - 導電性粒子的製造方法及通過該方法製造的導電性粒子 - Google Patents

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Abstract

本發明涉及一種導電性粒子的製造方法及通過該方法製 造的導電性粒子。在彈性絕緣物質內分佈多個而形成用以電連接的導電部的導電性粒子的製造方法包括：(a)準備基板的步驟；(b)在所述基板上設置具有與所期望的導電性粒子對應的形狀的用於形成導電性粒子的凹槽的步驟；(c)在所述用於形成導電性粒子的凹槽內部填充金屬粉末的步驟；(d)對金屬粉末進行加熱而製造固體化的導電性粒子的步驟；以及(e)從所述基板分離固體化的導電性粒子的步驟。

Description

導電性粒子的製造方法及通過該方法製造的導 電性粒子
本發明是有關於一種導電性粒子的製造方法及通過該製造方法製造的導電性粒子，且特別是有關於一種可通過既精確又簡便的流程製造微小尺寸的導電性粒子的導電性粒子的製造方法及通過該製造方法製造的導電性粒子。
通常，需在製造後對半導體積體電路或半導體封裝體等電子零件、或用以構成或搭載這種電子零件的電路基板檢查電特性。為了檢查這種被檢查器件的電特性，被檢查器件與檢查裝置(測試板)需穩定地電連接，為此使用電連接用連接器。即，電連接用連接器裝置的作用如下：使被檢查器件的端子與檢查裝置的焊墊彼此電連接，從而實現電訊號的雙向交換。這種電連接用連接器使用在用以測試被檢查器件的檢查裝置，因結合被檢查器件而也稱為測試插座。
作為以往的電連接用連接器，即測試插座，通常使用各向異性導電片及彈簧式頂針。其中，各向異性導電片呈使具有彈性的導電部連接到被檢查器件的端子的構造，彈簧式頂針以通過設置在其內部的彈簧而與被檢查器件的端子彈性接觸的方式構成。
這種各向異性導電片及彈簧式頂針具有可緩衝被檢查器件與檢查裝置連接時會產生的機械衝擊的優點，因此廣泛地用作測試插座。
在圖1中，表示有作為以往的電連接用連接器的一例的各向異性導電片，圖2表示利用圖1的各向異性導電片執行電氣檢查的情況。
以往技術的各向異性導電片100包括：多個導電部110，配置在與被檢查器件130的端子131對應的位置；以及絕緣支撐部120，支撐所述多個導電部110，並且使所述多個導電部彼此絕緣。
所述導電部110呈在包括如矽橡膠的絕緣性彈性物質的基材內沿厚度方向、即垂直方向排列有導電性粒子111的構造，所述絕緣支撐部120包括與所述導電部110內的絕緣性彈性物質相同的原材料、例如矽橡膠。
在執行檢查前，各向異性導電片100搭載到檢查裝置140，此時各導電部110與檢查裝置140的焊墊141接觸。在未加壓的狀態下，導電部110呈如下狀態：在絕緣性彈性物質內，多 個導電性粒子111彼此隔開或略微接觸。
如果要求檢查的被檢查器件130下降而被檢查器件130的端子131向下側對所述導電部110加壓，則彼此隔開的導電性粒子111彼此接觸，由此導電部110成為可電性導通的狀態，在此過程中，導電部110彈性地壓縮變形而緩衝與被檢查器件130的端子131接觸時會產生的機械衝擊。
如上所述，如果在被檢查器件130的端子131與檢查裝置140的焊墊141通過各向異性導電片100的導電部110彼此電連接的狀態下從檢查裝置140的焊墊141施加特定的檢查訊號，則所述訊號經由各向異性導電片100的導電部110而傳輸到被檢查器件130的端子131，由此可執行特定的電氣檢查。
排列在這種導電部內的多個導電性粒子通常呈包括球形、葡萄形在內的不定形的粒子形態。這種通常的導電性粒子不僅不具有精確的形態，而且不具有設計者所期望的形態及形狀，因此具有難以達成所期望的功能的缺點。
尤其，通常的導電性粒子的製造方法利用水霧化法、噴霧(Atomizing)、電鍍等，通過這種製造方法製造的導電性粒子具有如下問題：其形狀及尺寸非常不均勻，除球形以外，幾乎無法固定地製作所期望的形狀。
在像上述內容一樣導電性粒子呈如球形、葡萄形的形狀的情況下，存在如下情況：在頻繁地對導電部加壓的過程中，導電性粒子脫離導電部、或電連接發生不良。
為了解決這種問題，在日本公開專利公報2011-150837號中揭示有如下的導電性粒子的製造技術：用以製作具有定形成設計者所期望的形狀的導電性粒子。
例如，為了按照設計者的期望精確地製作如圖3(a)所示的板形、圖3(b)、圖3(c)所示的環形的導電性粒子，使用如下製造流程。
首先，在準備特定的基板150後(圖4(a))，在基板150上形成銅箔151(圖4(b))，在銅箔151上形成乾膜152(圖4(c))。
此後，通過光阻流程在乾膜152形成特定的凹槽152a(圖4(d))，在特定的凹槽內部鍍覆金屬111'(圖4(e))，之後對鍍覆層的上表面進行研磨而完成導電性粒子111的製造(圖4(f))。此後，為了從乾膜去除與乾膜一體化的導電性粒子111而溶解乾膜，由此獲得導電性粒子。
這種以往技術的導電性粒子的製造流程是將形成導電性粒子的模具製成乾膜，為了獲得導電性粒子而需溶解去除乾膜，故而存在需每次將嶄新的乾膜接著到基板上的問題。
另外，需利用光阻流程對接觸到基板上的乾膜形成特定的圖案，故而具有在製作模具的步驟中產生較多費用的缺點。
另外，以往技術的導電性粒子的製造方法為了製作導電性粒子而利用鍍覆流程，故而具有金屬粒子的厚度越大，則需要越多的鍍覆時間的缺點。
另外，由於利用鍍覆流程，故而存在如下缺點：為了在 鍍覆後使各導電性粒子的厚度固定，需通過化學機械拋光(Chemical Mechanical Polishing，CMP)流程對上表面進行研磨。
另外，為了從基板及乾膜分離導電性粒子而使用溶解等方法，在此過程中，乾膜不完全溶解，故而具有不易分離的缺點。
本發明是為了解決上述問題而創作，更詳細而言，其技術目的在於提供一種可使具有微小且精確的形狀的導電性粒子的製造流程簡化、縮短製造時間且減少整體製造費用的導電性粒子的製造方法。
用以達成上述目的的導電性粒子的製造方法是在彈性絕緣物質內分佈多個而形成用以電連接的導電部的導電性粒子的製造方法，其包括(a)準備基板的步驟；(b)在所述基板上設置具有與所期望的導電性粒子對應的形狀的用於形成導電性粒子的凹槽的步驟；(c)在所述用於形成導電性粒子的凹槽內部填充金屬粉末的步驟；(d)對金屬粉末進行加熱而製造固體化的導電性粒子的步驟；以及(e)從所述基板分離固體化的導電性粒子的步驟。
所述導電性粒子的製造方法在所述(c)步驟中，所述金屬粉末的直徑可為數μm。
在所述(c)步驟中，所述金屬粉末的直徑可為數nm至 數百nm。
在所述(d)步驟中，對所述金屬粉末進行加熱的溫度可以是在(c)步驟中基於填充到用於形成導電性粒子的凹槽內部的金屬粉末的熔點的45%至97%的溫度。
在所述(d)步驟中，對所述金屬粉末進行加熱的溫度能夠以在(c)步驟中基於填充到用於形成導電性粒子的凹槽內部的金屬粉末的熔點的10%至97%的溫度。
在所述導電性粒子的製造方法中，所述金屬粉末可包括鎳、鈷中的至少任一種或其混合物質。
在所述導電性粒子的製造方法中，所述基板可包括矽、玻璃、石英及氮化矽、陶瓷中的至少任一種原材料。
所述導電性粒子的製造方法中，在所述(b)步驟中，所述用於形成導電性粒子的凹槽可通過乾式蝕刻、雷射加工、化學蝕刻中的任一方法形成到所述基板上。
在所述導電性粒子的製造方法中，所述用於形成導電性粒子的凹槽可呈與導電性粒子對應的圓板、圓柱、圓環、管及多段積層體中的任一形狀。
用以達成上述目的的本發明的導電性粒子的製造方法是在彈性絕緣物質內分佈多個而形成用以電連接的導電部的導電性粒子的製造方法，其可包括(a)準備基板的步驟；(b)在所述基板上設置具有與所期望的導電性粒子對應的形狀的用於形成導電性粒子的凹槽的步驟；(c)在所述用於形成導電性粒子的凹槽內 部填充非金屬粉末的步驟；(d)對非金屬粉末進行加熱而製造固體化的粒子的步驟；(e)從所述基板分離固體化的粒子的步驟；以及(f)在所述粒子的表面形成金屬鍍覆層的步驟。
用以達成上述目的的本發明的導電性粒子的製造方法是在彈性絕緣物質內分佈多個而形成用以電連接的導電部的導電性粒子的製造方法，其可包括(a)準備基板的步驟；(b)在所述基板上設置具有與所期望的導電性粒子對應的形狀的用於形成導電性粒子的凹槽的步驟；(c)在所述用於形成導電性粒子的凹槽內部填充金屬與非金屬的混合粉末的步驟；(d)對混合粉末進行加熱而製造固體化的導電性粒子的步驟；以及(e)從所述基板分離固體化的導電性粒子的步驟。
所述導電性粒子的製造方法還可包括(f)在所述導電性粒子的表面形成金屬鍍覆層的步驟。
可通過上述方法製造用以達成上述目的的本發明的導電性粒子。
根據本發明的導電性粒子的製造方法，與以往的製造方法不同，不執行乾膜、光阻流程，可再使用現有的基板，因此具有減少費用的效果較大的優點。
另外，根據本發明的導電性粒子的製造方法，其不利用鍍覆方式製造導電性粒子，故而具有也可容易地製造厚度較大的導電性粒子的優點。
另外，根據本發明的導電性粒子的製造方法，無需另外的導電性粒子表面研磨作業，故而具有整體製造流程簡化的優點。
另外，根據本發明的導電性粒子製造方法，可從基板容易地分離導電性粒子，故而具有可使製造流程簡化的優點。
另外，根據本發明的導電性粒子的製造方法，具有如下優點：可製造形成有氣孔的導電性粒子，可製造不同材料的混合粒子保持固有的性質構成的一個導電性粒子。
10、11、12、150:基板
10a、11a、12a:凹槽
20、111:導電性粒子
20':金屬粉末
21:環形導電性粒子
22:“C”形導電性粒子
100:各向異性導電片
110:導電部
111':金屬
120:絕緣支撐部
130:被檢查器件
131:端子
140:檢查裝置
141:焊墊
151:銅箔
152:乾膜
152a:凹槽
S100~S500:步驟
圖1是表示通常的各向異性導電片的情況的圖。
圖2是表示利用圖1的各向異性導電片執行被檢查器件的電氣檢查的情況的圖。
圖3(a)至圖3(c)是表示以往的導電性粒子的形態及形狀的圖。
圖4(a)至圖4(f)是表示製造圖3(a)至圖3(c)的導電性粒子的製造流程的圖。
圖5(a)至圖5(e)是表示本發明的一實施例的導電性粒子的製造流程的圖。
圖6是圖5(a)至圖5(e)的製造流程的框圖。
圖7是表示通過本發明的製造方法製造的導電性粒子的一例的圖。
圖8是表示在本發明的製造流程中使用的基板的一形狀的圖。
圖9是表示由圖8的基板製造的導電性粒子的一例的圖。
圖10是表示在本發明的製造流程中使用的基板的另一形狀的圖。
圖11是表示由圖10的基板製造的導電性粒子的另一例的圖。
以下，一面參照附圖，一面詳細地對本發明的一實施例的導電性粒子的製造方法進行說明。
本發明的導電性粒子插入到廣泛地用作檢查用插座的各向異性導電片的導電部內。此時，以如下方式形成各向異性導電片：在液態的彈性絕緣物質內含有導電性粒子，使電磁鐵位於與電部對應的各位置而施加磁場，之後沿特定方向對準導電性粒子，將液態的彈性絕緣物質硬化。在所形成的各向異性導電片中，將對準有導電性粒子的部分設為導電部，將不存在導電部的部分設為絕緣部。
在各向異性導電片中，導電性粒子在作為彈性絕緣物質的矽橡膠內密集多個而沿厚度方向對準，在由被檢查器件加壓時，導電部壓縮而彼此隔開的導電性粒子彼此接觸，從而實現導電部的電性導通。
在各向異性導電片中，導電部的導電性粒子彼此接觸， 由此實現電性導通，可通過這種導電部將被檢查器件電連接到檢查裝置。
通過如下的製造順序製造這種導電性粒子。
首先，如圖5(a)所示，準備板形態的基板10(步驟S100)。此時，基板10優選為使用矽、玻璃、石英、陶瓷等原材料以可反復使用，但並不限定於此，只要為耐久性優異而可反復再使用的原材料，則當然可使用任一種原材料。
此後，如圖5(b)所示，在所述基板10上形成具有與所期望的導電性粒子對應的形狀的用於形成導電性粒子的凹槽10a(步驟S200)。具體而言，為了製造如圖7的圓板形態的導電性粒子20，將具有與相應的導電性粒子對應的形狀的用於形成導電性粒子的凹槽10a形成到基板10上。
此時，作為在基板10形成用於形成導電性粒子的凹槽的方法，可使用乾式蝕刻方法、雷射加工、化學蝕刻等各種方法。
此後，如圖5(c)所示，在所述用於形成導電性粒子的凹槽10a內部填充金屬粉末20'(步驟S300)。此時，以具有與所期望的導電性粒子20的形狀對應的形狀的方式填充金屬粉末20'。作為金屬粉末20'，優選為包括如鎳、鈷、鐵的導電性優異且耐久性良好的原材料，但並不限定於此，可使用各種原材料。另外，可分別使用鎳、鈷，當然也可混合而並用。
具體而言，可使用高導電性金屬、強磁性體金屬、陶瓷、高強度金屬及其組合、在其組合中混合碳原材料而成者、在其組 合中包括如聚乙烯、蠟的可熱分解的非金屬粉末粒子而成者。
此時，高導電性金屬可包括金、銀、銅、鈀、銠、鉑等，強磁性金屬可包括鈷、鎳、鐵、鐵氧體等，高強度金屬可包括鎢、鈦等。另外，碳原材料可包括碳納米管(Carbon Nano Tube，CNT)、碳纖維、富勒烯等。
此後，如圖5(d)所示，對金屬粉末進行加熱而製造固體化的導電性粒子20(步驟S400)。具體而言，在接近金屬粉末的熔點的溫度下進行加熱，由此使金屬粉末彼此密接而固結(consolidation)化。此時，用以燒結的加熱溫度可根據金屬粉末的尺寸而從以金屬粉末的材料的熔點為基準的10%開始，用以燒結的有效的加熱溫度優選為基於熔點的45%至97%的水準。具體而言，在金屬粉末的直徑為數μm水準時，優選為基於材料的熔點的10%至97%的加熱溫度，在金屬粉末的直徑為數μm水準時，加熱至基於材料的熔點的45%至97%的加熱溫度進行燒結。
在像上述內容一樣在較高的溫度下加熱金屬粉末的情況下，原子或分子彼此凝聚而與外部接觸的面積縮小。在此過程中，可獲得尺寸略微小於現有的用於形成導電性粒子的凹槽的導電性粒子。鑒於像上述內容一樣在加熱後固體化的導電性粒子的體積略微小於用於形成導電性粒子的凹槽的方面，用於形成導電性粒子的凹槽以較所期望的導電性粒子略大的方式設置到基板上為宜。
此後，如圖5(e)所示，從用於形成導電性粒子的凹槽 10a分離已完成製造的導電性粒子20(步驟S500)。此時，導電性粒子20略微小於用於形成導電性粒子的凹槽10a，故而可容易地從用於形成導電性粒子的凹槽10a分離。
根據這種本發明的一實施例的製造方法，與圖4(a)至圖4(f)的製造方法相比，具有如下優點。
首先，在本發明的製造方法中，可不進行乾膜形成流程及光阻流程而再使用基板，故而具有減少費用的優點。例如，在圖4(a)至圖4(f)的製造流程中，通過鍍覆製造導電性粒子，故而已完成製造的導電性粒子在鍍覆過程中與周邊的模具一體化，因此需使用在製造後廢棄的1次性乾膜。與此相反，本案發明在對金屬粉末進行加熱而固體化的過程中，導電性粒子易於從周邊的模具收縮而分離，故而無需使用如乾膜的1次性原材料。
即，可持續反復使用包括如矽、玻璃、石英、陶瓷的原材料的基板，因此可有效地減少製造費用。
另外，在導電性粒子的厚度較大的形狀的情況下，根據圖4(a)至圖4(f)的製造方法，使用鍍覆方式，故而具有鍍覆時間與厚度成正比地增加的缺點。與此相反，本案發明是在按照所期望的厚度填充金屬粉末後，通過加熱製造固體化的導電性粒子，故而具有即便導電性粒子的厚度增加，整體製造時間也不增加的優點。
另外，根據圖4(a)至圖4(f)的製造流程，為了去除在進行鍍覆處理後殘留在圖案周邊的多餘的鍍覆層，需進行研磨 表面的作業(CMP)，但根據本發明的製造流程，可直接製作所期望的形態，因此具有無需另外的研磨作業的優點。
另外，根據本發明的製造流程，在導電性粒子的內部形成無數個氣孔，在利用形成有多個氣孔的導電性粒子製造各向異性導電片時，液態的彈性絕緣物質滲入到導電性粒子的氣孔內，如果以該狀態硬化，則導電部內的導電性粒子可與彈性絕緣物質保持牢固的固定，從而具有所述導電性粒子不易從導電部脫離的優點。
根據這種本發明的製造方法，可容易地制作圖7的圓板形導電性粒子20、圖9的環形導電性粒子21、圖11的“C”形導電性粒子22。
例如，為了製造圖7的圓板形導電性粒子20，只要以與圓板對應的形態在基板10上形成用於形成導電性粒子的凹槽10a即可。
另外，為了製造圖9的環形導電性粒子21，只要像圖8所示一樣在基板11上形成具有與環形導電性粒子21對應的形狀的用於形成導電性粒子的凹槽11a即可。
另外，為了製造圖11的“C”形導電性粒子22，只要像圖10所示一樣在基板12上形成具有與“C”形導電性粒子22對應的形狀的用於形成導電性粒子的凹槽12a即可。另一方面，根據“C”形導電性粒子的製造方法，與製造圖9的環形導電性粒子的方法相比，具有可容易地製造導電性粒子的優點。例如，在用 於製造環形導電性粒子的基板中，僅柱形成部的下表面附著到中央而獨立地設置，與此相比，在“C”形導電性粒子中，柱形成部的側面及下表面同時附著在基板的周邊，因此具有可牢固地保持位置的優點。
本發明的導電性粒子的製造方法也可像下述內容一樣變形。
在上述實施例中，揭示有在僅將金屬粉末填充到用於形成導電性粒子的凹槽內後，對所述金屬粉末進行加熱而製造固體化的導電性粒子的技術，但並不限定於此，可在用於形成導電性粒子的凹槽內填充包括金屬粉末及非金屬粉末的混合物質後進行加熱而製造固體化的導電性粒子。在像上述內容一樣連同金屬粉末一併將樹脂成分的非金屬粉末放入到基板的用於形成導電性粒子的凹槽內的情況下，非金屬粉末在熱處理結束前熱分解，由此可在固體化的導電性粒子的內外部形成氣孔而製作具有氣孔的粒子。
具體而言，作為在彈性絕緣物質內分佈多個而形成用以電連接的導電部的導電性粒子的製造方法，可包括：(a)準備基板的步驟；(b)在所述基板上設置具有與所期望的導電性粒子對應的形狀的用於形成導電性粒子的凹槽的步驟；(c)在所述用於形成導電性粒子的凹槽內部填充非金屬粉末的步驟；(d)對非金屬粉末進行加熱而製造固體化的粒子的步驟；(e)從所述基板分離固體化的粒子的步驟；以及(f)在所述粒子的表面形成金屬鍍 覆層的步驟。
另一方面，在製造導電性粒子後，優選為利用如金、銀的導電性優異的特定金屬對所述導電性粒子的表面執行鍍覆處理。
另一方面，在上述實施例中例示了使用通常的金屬粉末的情況，但在將金屬粉末用作經氧化的原材料的情況下，在進行熱處理前，需進行利用氫氣的還原流程。
另一方面，在上述實施例中例示了製造具有圓板、環形板、“C”形板形狀的導電性粒子的情況，但並不限定於此，可製造具有圓柱、管、“C”形柱或多段積層體等各種形狀的導電性粒子。
另外，當然可將導電性粒子製成上下積層具有不同的直徑的板而成的多段積層體形態。
以上，列舉各種實施例對本發明進行了說明，但並不限定於此，只要可根據本發明的申請專利範圍合理地解釋，則均屬於本發明的範圍。
S100~S500:步驟

Claims (14)

  1. 一種導電性粒子的製造方法，其是在彈性絕緣物質內分佈多個而形成用以電連接的導電部的導電性粒子的製造方法，包括：(a)準備基板的步驟；(b)在所述基板上設置具有與所期望的導電性粒子對應的形狀的用於形成導電性粒子的凹槽的步驟；(c)在所述用於形成導電性粒子的凹槽內部填充金屬粉末的步驟；(d)對所述金屬粉末進行加熱而製造固體化的導電性粒子的步驟，其中以低於所述金屬粉末的熔點的溫度進行加熱以獲得尺寸小於所述凹槽的所述固體化的導電性粒子；以及(e)從所述基板分離所述固體化的導電性粒子的步驟。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的導電性粒子的製造方法，其中在所述(c)步驟中，所述金屬粉末的直徑為數μm。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的導電性粒子的製造方法，其中在所述(c)步驟中，所述金屬粉末的直徑為數nm至數百nm。
  4. 如申請專利範圍第2項所述的導電性粒子的製造方法，其中在所述(d)步驟中，對所述金屬粉末進行加熱的溫度為以所述(c)步驟中基於填充到所述用於形成導電性粒子的凹槽內部的所述金屬粉末的熔點的45%至97%的溫度。
  5. 如申請專利範圍第3項所述的導電性粒子的製造方法，其中在所述(d)步驟中，對所述金屬粉末進行加熱的溫度為以所述(c)步驟中基於填充到所述用於形成導電性粒子的凹槽內部的所述金屬粉末的熔點的10%至97%的溫度。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的導電性粒子的製造方法，其中所述金屬粉末包括鎳、鈷、鐵、金、銀、銅中的至少任一種或其混合物質。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的導電性粒子的製造方法，其中所述基板包括矽、玻璃、石英及陶瓷中的至少任一種原材料。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的導電性粒子的製造方法，其中在所述(b)步驟中，所述用於形成導電性粒子的凹槽通過乾式蝕刻、雷射加工、化學蝕刻中的任一方法形成到所述基板上。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的導電性粒子的製造方法，其中所述用於形成導電性粒子的凹槽具有與所述導電性粒子對應的圓板、圓柱、圓環、管及多段積層體中的任一形狀。
  10. 一種導電性粒子的製造方法，其是在彈性絕緣物質內分佈多個而形成用以電連接的導電部的導電性粒子的製造方法，包括：(a)準備基板的步驟；(b)在所述基板上設置具有與所期望的導電性粒子對應的形 狀的用於形成導電性粒子的凹槽的步驟；(c)在所述用於形成導電性粒子的凹槽內部填充金屬粉末與非金屬粉末混合而成的混合粉末的步驟；(d)對所述混合粉末進行加熱而製造固體化的導電性粒子的步驟，其中以低於所述金屬粉末的熔點的溫度進行加熱以獲得尺寸小於所述凹槽的所述固體化的導電性粒子，且所述非金屬粉末在熱處理結束前熱分解以在所述固體化的導電性粒子的內外部形成氣孔；以及(e)從所述基板分離所述固體化的導電性粒子的步驟。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的導電性粒子的製造方法，其中還包括(f)在所述導電性粒子的表面形成金屬鍍覆層的步驟。
  12. 如申請專利範圍第10項所述的導電性粒子的製造方法，其中在所述(d)步驟中，在接近所述金屬粉末的熔點的溫度下加熱所述混合粉末，此時所述混合粉末中的所述非金屬粉末在所述金屬粉末固體化前熱分解。
  13. 一種導電性粒子，其是通過申請專利範圍第1至12項中的任一項所述的導電性粒子的製造方法製造。
  14. 一種導電性粒子的製造方法，其是在彈性絕緣物質內分佈多個而形成用以電連接的導電部的導電性粒子的製造方法，包括：(a)準備基板的步驟； (b)在所述基板上設置具有與所期望的導電性粒子對應的形狀的用於形成導電性粒子的凹槽的步驟；(c)在所述用於形成導電性粒子的凹槽內部填充非金屬粉末的步驟；(d)對所述非金屬粉末進行加熱而製造固體化的粒子的步驟，其中所述非金屬粉末在熱處理結束前熱分解以在所述固體化的粒子的內外部形成氣孔；(e)從所述基板分離所述固體化的粒子的步驟；以及(f)在所述粒子的表面形成金屬鍍覆層的步驟。
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