TWI724641B - 基板處理裝置 - Google Patents

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TWI724641B TW108142155A TW108142155A TWI724641B TW I724641 B TWI724641 B TW I724641B TW 108142155 A TW108142155 A TW 108142155A TW 108142155 A TW108142155 A TW 108142155A TW I724641 B TWI724641 B TW I724641B
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平井信行
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日商斯庫林集團股份有限公司
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Abstract

本發明之基板處理裝置(1)係使用處理液(L1)來處理基板(W)。基板處理裝置(1)係具備液體儲存部(3)、第一配管(41、51)、過濾器部(43、53)、處理液分離部(7)、脫泡管線(6a、6b)以及第二配管(8)。液體儲存部(3)係儲存處理液(L1)。第一配管(41、51)係一端連接於液體儲存部(3)，用以使處理液(L1)流通。過濾器部(43、53)係安裝於第一配管(41、51)，用以將異物從處理液(L1)去除。處理液分離部(7)係儲存處理液(L1)的泡沫，且將處理液(L1)從泡沫分離。脫泡管線(6a、6b)係連接於過濾器部(43、53)，用以將泡沫從過濾器部(43、53)往處理液分離部(7)導引。第二配管(8)係連接於處理液分離部(7)，用以將從泡沫分離出之處理液(L1)導引至液體儲存部(3)。

Description

基板處理裝置
本發明係關於一種基板處理裝置。
已知有一種使用處理液來處理基板的基板處理裝置。例如，基板處理裝置係具備：噴嘴(nozzle)，係朝向基板噴出處理液；以及處理液供給配管，係對噴嘴供給處理液。基板例如是半導體晶圓(semiconductor wafer)、或液晶顯示裝置用玻璃基板。處理液例如是阻劑液(resist liquid)、或沖洗液(rinse liquid)。
基板處理裝置係有時為了抑制高電阻不良的產生而具備過濾器裝置(filter device)。過濾器裝置係安裝於處理液供給配管，用以將氣泡(泡沫)從流通於處理液供給配管之處理液分離。例如進行蝕刻(etching)處理之基板處理裝置具備過濾器裝置(例如參照專利文獻1)。具體而言，在不使氣泡從處理液(蝕刻液)分離的情況下，溶解氧濃度較高之處理液會供給至半導體晶圓。結果，半導體晶圓中所包含的銅會氧化而成長氧化銅膜且產生高電阻不良。另外，半導體晶圓中所包含的銅會腐蝕並產生高電阻不良。使用過濾器裝置來將氣泡從處理液分離，藉此能夠使處理液中所包含之氧減少並抑制高電阻不良的產生。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2013-211525號公報。
[發明所欲解決之課題]
然而，專利文獻1的基板處理裝置係將藉由過濾器裝置從處理液分離出的泡沫排出至外部。由於泡沫係包含處理液故而將泡沫排出至外部係導致處理液的利用效率降低。
本發明係有鑑於上述課題而開發完成。本發明的目的係在於提供一種能夠使處理液的利用效率提升之基板處理裝置。 [用以解決課題之手段]
本發明的基板處理裝置，係使用處理液來處理基板。前述基板處理裝置係具備液體儲存部、第一配管、過濾器部、處理液分離部、脫泡管線(debubbling line)及第二配管。前述液體儲存部係儲存前述處理液。前述第一配管係一端連接於前述液體儲存部，用以使前述處理液流通。前述過濾器部係安裝於前述第一配管，用以將異物從前述處理液去除。前述處理液分離部係儲存前述處理液的泡沫，且將前述處理液從前述泡沫分離。前述脫泡管線係連接於前述過濾器部，用以將前述泡沫從前述過濾器部往前述處理液分離部導引。前述第二配管係連接於前述處理液分離部，用以將從前述泡沫分離出之前述處理液導引至前述液體儲存部。
在某一實施形態中，基板處理裝置係更具備泵(bump)。前述泵係安裝於前述第一配管，用以驅動前述處理液。前述泵係相對於前述處理液在前述第一配管流動之方向位在比前述過濾器部更上游側。
在某一實施形態中，前述過濾器部係具備過濾器殼體以及過濾器膜。前述過濾器膜係配置於前述過濾器殼體的內部，用以將前述過濾器殼體的內部空間劃分成上游側室與下游側室。前述上游側室係相對於前述處理液在前述第一配管流動之方向位在比前述下游側室更上游側。前述過濾器殼體係具有供前述脫泡管線連接的脫泡開口。前述脫泡開口係設置於前述過濾器殼體的上壁，用以使前述脫泡管線連通至前述上游側室及前述下游側室的一方。
在某一實施形態中，前述過濾器部係具備過濾器殼體以及過濾器膜。前述過濾器膜係配置於前述過濾器殼體的內部，用以將前述過濾器殼體的內部空間劃分成上游側室與下游側室。前述上游側室係相對於前述處理液在前述第一配管流動之方向位在比前述下游側室更上游側。前述脫泡管線係包含上游側管線與下游側管線。前述過濾器殼體係具有上游側脫泡開口以及下游側脫泡開口。前述上游側脫泡開口係供前述上游側管線連接。前述下游側脫泡開口係供前述下游側管線連接。前述上游側脫泡開口係設置於前述過濾器殼體的上壁，用以使前述上游側管線連通至前述上游側室。前述下游側脫泡開口係設置於前述過濾器殼體的上壁，用以使前述下游側管線連通至前述下游側室。
在某一實施形態中，前述處理液分離部係具備處理液分離殼體以及分隔板。前述分隔板係配置於前述處理液分離殼體的內部，用以將前述處理液分離殼體的內部空間劃分成流入室與流出室。前述分隔板係具有第一端部以及與前述第一端部為相反側的第二端部。前述處理液分離殼體係具有第一壁、第二壁、泡沫流入口以及液體流出口。前述第一壁係供前述分隔板的前述第一端部連接。前述第二壁係對向於前述第一壁。前述泡沫流入口係供前述脫泡管線連接。前述液體流出口係供前述第二配管連接。前述分隔板的前述第二端部係遠離前述第二壁。前述泡沫流入口係使前述流入室與前述脫泡管線連通。前述液體流出口係使前述流出室與前述第二配管連通。從前述第二壁至前述泡沫流入口的距離係比從前述第二壁至前述分隔板的前述第二端部之距離更長。
在某一實施形態中，前述第一配管係包含循環配管。前述循環配管係以從前述液體儲存部流入的前述處理液往前述液體儲存部回送的方式使前述處理液循環。前述過濾器部係包含第一過濾器部，前述第一過濾器部係安裝於前述循環配管。前述脫泡管線係包含第一脫泡管線，前述第一脫泡管線係連接於前述第一過濾器部。
在某一實施形態中，前述第一配管係包含回收配管，前述回收配管係供在前述基板的處理中使用後的前述處理液流入。前述回收配管係將前述處理液回送至前述液體儲存部。前述過濾器部係包含第二過濾器部，前述第二過濾器部係安裝於前述回收配管。前述脫泡管線係包含第二脫泡管線，前述第二脫泡管線係連接於前述第二過濾器部。
在某一實施形態中，前述液體儲存部係具備處理液容器以及加熱器(heater)。前述處理液容器係儲存前述處理液。前述加熱器係加熱前述處理液容器。
在某一實施形態中，基板處理裝置係具備複數個塔(tower)。另外，基板處理裝置係具備流體箱，前述流體箱係對於複數個前述塔的各個塔所設置。前述流體箱係分別收容前述液體儲存部、前述第一配管、前述過濾器部、前述處理液分離部、前述脫泡管線以及前述第二配管。複數個前述塔係分別具備複數個處理槽。複數個前述處理槽係配置於上下方向。複數個前述處理槽係分別收容前述基板。前述基板係在前述處理槽內進行處理。
在某一實施形態中，前述處理液是使用於前述基板的蝕刻處理之蝕刻液。
在某一實施形態中，前述處理液的組成係包含磷酸。
在某一實施形態中，前述處理液係具有發泡性。 [發明功效]
依據本發明，能夠使處理液的利用效率提升。
以下，參照圖式來說明本發明的實施形態。但是，本發明係不限於以下的實施形態，能夠在不脫離本發明的要旨之範圍內於各種的態樣中實施。再者，有的情況會針對說明重複的部位省略適當說明。另外，針對圖中相同或相當部分係附記相同的元件符號並不重複說明。
首先，參照圖1來說明本實施形態的基板處理裝置1。圖1係顯示本實施形態中的基板處理裝置1之圖。如圖1所示，基板處理裝置1係具備流體箱(fluid box)2、液體儲存部3、循環機構4、回收機構5、第一脫泡管線6a、第二脫泡管線6b、處理液分離部7以及回送配管8。
液體儲存部3係收容於流體箱2。液體儲存部3係儲存處理液L1。處理液L1係使用於基板W的處理。在本實施形態中，基板W為半導體晶圓。另外，處理液L1為蝕刻液，基板處理裝置1係進行蝕刻處理。具體而言，本實施形態的處理液L1是於前述處理液L1的組成中包含磷酸的蝕刻液。另外，本實施形態的處理液L1係具有發泡性。換言之，處理液L1是容易產生泡沫的液體。
循環機構4的一部分係收容於流體箱2。循環機構4係使處理液L1循環。循環機構4係具有循環配管41、循環泵42以及循環過濾器部43。
循環配管41為第一配管的一例。循環配管41的一部分係收容於流體箱2。循環配管41係使處理液L1流通。具體而言，已儲存於液體儲存部3的處理液L1係流入至循環配管41。循環配管41係以從液體儲存部3流入的處理液L1往液體儲存部3回送的方式使處理液L1循環。
詳言之，循環配管41的兩端係連接於液體儲存部3。具體而言，循環配管41的兩端之中供處理液L1流入的流入端係以浸泡在已儲存於液體儲存部3之處理液L1的方式所配置。較佳為：循環配管41的兩端之中供處理液L1流出的流出端亦以浸泡在已儲存於液體儲存部3之處理液L1的方式所配置。藉由循環配管41的流出端浸泡在處理液L1，就能夠減低在液體儲存部3中產生處理液L1的泡沫之量。
循環泵42係收容於流體箱2。循環泵42係安裝於循環配管41，並利用流體的壓力來驅動處理液L1。具體而言，循環泵42係利用流體的壓力來驅動處理液L1以便流通於循環配管41。循環泵42例如是伸縮泵(bellows bump)。
循環過濾器部43為第一過濾器部的一例。循環過濾器部43係收容於流體箱42。循環過濾器部43係安裝於循環配管41，用以將異物從處理液L1去除。
異物係包含處理液L1的泡沫。處理液L1的泡沫係容易在循環泵42中產生。在本實施形態中，循環泵42係相對於處理液L1在循環配管41流動之方向位在比循環過濾器部43更上游側。從而，循環過濾器部43係能夠將在循環泵42中所產生的泡沫從處理液L1去除。另外，有的情況處理液L1的泡沫會在循環過濾器部43中產生。循環過濾器部43係將在循環過濾器部43中所產生的泡沫從處理液L1去除。再者，如後所述，有的情況異物係包含從基板W所去除的微粒子(particle)。循環過濾器部43係將微粒子從處理液L1去除。
回收機構5的一部分係收容於流體箱2。回收機構5係回收在基板W的處理中所使用過之處理液L1。回收機構5係具有回收配管51、回收泵52以及回收過濾器部53。
回收配管51為第一配管的一例。回收配管51的一部分係收容於流體箱2。回收配管51係使處理液L1流通。具體而言，回收配管51係供被使用於基板W的處理之後的處理液L1流入。另外，回收配管51係將所流入的處理液L1導引至液體儲存部3為止。
詳言之，回收配管51的一端係連接於液體儲存部3。具體而言，回收配管51的兩端之中供處理液L1流出的流出端係連接於液體儲存部3。較佳為：循環配管41的流出端係以浸泡在已儲存於液體儲存部3之處理液L1的方式所配置。藉由循環配管41的流出端浸泡在處理液L1，就能夠減低處理液L1的泡沫在液體儲存部3中產生之量。
回收泵52係安裝於回收配管51，用以驅動處理液L1。具體而言，回收泵52係驅動處理液L1以便處理液L1流通於回收配管51。在本實施形態中，回收泵52係配置於流體箱2的外部。再者，回收泵52亦可收容於流體箱2。回收泵52例如是膜片泵(diaphragm pump)。但是，回收泵52亦可為與循環泵42相同種類的泵。
回收過濾器部53為第二過濾器部的一例。回收過濾器部53係收容於流體箱2。回收過濾器部53係安裝於回收配管51，用以將異物從處理液L1去除。
異物係包含從基板W所去除的微粒子。藉由回收機構5具有過濾器部53，就能夠抑制從基板W所去除的微粒子流入至液體儲存部3。
另外，異物係包含處理液L1的泡沫。處理液L1的泡沫係容易在回收泵52中產生。在本實施形態中，回收泵52係相對於處理液L1在回收配管51流動之方向位在比回收過濾器部53更上游側。從而，回收過濾器部53係能夠將在回收泵52中所產生之泡沫從處理液L1去除。另外，有的情況處理液L1的泡沫會在回收過濾器部53中產生。回收過濾器部53係將在回收過濾器部53中所產生的泡沫從處理液L1去除。
再者，回收過濾器部53係去除尺寸比較大之微粒子。從而，尺寸比較小之微粒子係有可能通過回收過濾器部53而流入至液體儲存部3。結果，尺寸比較小之微粒子有可能流入至循環配管41。循環過濾器部43係將無法由回收過濾器部53所去除的微粒子從處理液L1去除。
第一脫泡管線6a係收容於流體箱2。第一脫泡管線6a係連接於循環過濾器部43，用以將處理液L1的泡沫從循環過濾器部43往處理液分離部7導引。在本實施形態中，處理液L1的泡沫係藉由循環泵42對處理液L1所賦予的壓力從循環過濾器部43朝向處理液分離部7流動。再者，有的情況處理液L1會經由第一脫泡管線6a導引至處理液分離部7。另外，有的情況氣體(gas)會經由第一脫泡管線6a導引至處理液分離部7。氣體例如是空氣。
第二脫泡管線6b係收容於流體箱2。第二脫泡管線6b係連接於回收過濾器部53，用以將處理液L1的泡沫從回收過濾器部53往處理液分離部7導引。在本實施形態中，處理液L1的泡沫係藉由回收泵52對處理液L1所賦予的壓力從回收過濾器部53朝向處理液分離部7流動。再者，有的情況處理液L1會經由第二脫泡管線6b導引至處理液分離部7。另外，有的情況氣體會經由第二脫泡管線6b導引至處理液分離部7。氣體例如是空氣。
處理液分離部7係收容於流體箱2。處理液分離部7係儲存處理液L1的泡沫且將處理液L1從泡沫分離。具體而言，處理液分離部7係儲存經由第一脫泡管線6a從循環過濾器部43往處理液分離部7導引之處理液L1的泡沫。另外，處理液分離部7係儲存經由第二脫泡管線6b從回收過濾器部53往處理液分離部7導引之處理液L1的泡沫。
回送配管8為第二配管的一例。回送配管8係收容於流體箱2。回送配管8係連接於處理液分離部7。回送配管8係將藉由處理液分離部7從泡沫分離出之處理液L1導引至液體儲存部3。
詳言之，回送配管8的一端係連接於處理液分離部7，回送配管8的另一端係連接於液體儲存部3。處理液分離部7係位在液體儲存部3的上方，處理液L1係利用本身重量從處理液分離部7往液體儲存部3排出。或是，處理液L1係能利用循環泵42對處理液L1所賦予的壓力從處理液分離部7往液體儲存部3排出。同樣地，處理液L1係能利用回收泵52對處理液L1所賦予的壓力從處理液分離部7往液體儲存部3排出。
在本實施形態中，回送配管8的另一端係以浸泡在已儲存於液體儲存部3之處理液L1方式所配置。藉由回送配管8的另一端浸泡在處理液L1，就能夠減低處理液L1的泡沫在液體儲存部3中產生之量。
再者，有的情況回送配管8會將經由第一脫泡管線6a流入至處理液分離部7的處理液L1導引至液體儲存部3。同樣地，有的情況回送配管8會將經由第二脫泡管線6b流入至處理液分離部7的處理液L1導引至液體儲存部3。
以上，參照圖1來說明本實施形態的基板處理裝置1。依據本實施形態中，能夠回收從泡沫分離出之處理液L1。因而，可提升處理液L1的利用效率。
另外，依據本實施形態，循環過濾器部43係安裝於循環配管41。從而，與不將過濾器裝置安裝於循環配管41的情況相較，更能夠減低被供給至基板W(半導體晶圓)之處理液L1的溶解氧濃度。結果，能夠抑制在半導體晶圓中產生高電阻不良。
另外，依據本實施形態，則將從泡沫分離出之處理液L1往液體儲存部3回收。從而，比起將處理液L1的泡沫往液體儲存部3回收的情況，更能夠減低儲存於液體儲存部3之處理液L1的溶解氧濃度。結果，能夠減低被供給至基板W(半導體晶圓)之處理液L1的溶解氧濃度，並抑制在半導體晶圓中產生高電阻不良。
然後，參照圖1進一步說明本實施形態的基板處理裝置1。如圖1所示，液體儲存部3係具有處理液容器31以及第一加熱器32。
處理液容器31係儲存處理液L1。第一加熱器32係加熱處理液容器31。藉由第一加熱器32加熱處理液容器31就可加熱處理液L1。
利用第一加熱器32來加熱處理液L1，藉此就能夠將供給至基板W之處理液L1的溫度維持在比室溫更高的規定溫度。規定溫度係表示能夠對基板W實現規定的處理速率之溫度。在本實施形態中，規定溫度係表示能夠對基板W實現規定的蝕刻速率(etching rate)之溫度。藉由處理液L1的溫度為規定溫度，就能夠對基板W在規定時間內達成規定的處理結果。本實施形態係能夠對基板W在規定時間內達成規定的蝕刻量。
如圖1所示，本實施形態的液體儲存部3係更具有溫度偵測感測器33。溫度偵測感測器33係偵測儲存於處理液容器31之處理液L1的溫度。在本實施形態中，係根據溫度偵測感測器33的輸出控制第一加熱器32。
如圖1所示，循環機構4較佳是具有第二加熱器44。第二加熱器44係加熱流通於循環配管41的處理液L1。藉由第二加熱器44加熱處理液L1，供給至基板W之處理液L1的溫度就很難成為比規定溫度更低。
在本實施形態中，第二加熱器44係收容於流體箱2。詳言之，第二加熱器44係相對於處理液L1在循環配管41流動之方向位在比循環泵42更上游側。從而，第二加熱器44係加熱流入至循環配管41的處理液L1。
如圖1所示，本實施形態的循環機構4係更具有流量計45。流量計45係收容於流體箱2。流量計45係計測流通於循環配管41之處理液L1的流量。在本實施形態中，係根據流量計45的輸出控制循環泵42。
如圖1所示，基板處理裝置1係更具備脫氣管線9。脫氣管線9的一部分係收容於流體箱2。脫氣管線9係連接於處理液分離部7，用以將氣體從處理液分離部7往流體箱2的外部排出。或是，脫氣管線9係將氣體往基板處理裝置1的外部排出。氣體係藉由處理液分離部7從泡沫分離處理液L1而產生。或是，氣體有可能是經由第一脫泡管線6a往處理液分離部7所導引的氣體。另外，氣體有可能是經由第二脫泡管線6b往處理液分離部7所導引的氣體。
詳言之，脫氣管線9係具有氣體流通管91。氣體流通管91的一部分係收容於流體箱2。氣體流通管91的一端係連接於處理液分離部7。氣體流通管91為管狀的構件，氣體流通管91係使氣體流通。具體而言，氣體係利用循環泵42對處理液L1所賦予的壓力而於氣體流通管91流動。另外，氣體係利用回收泵52對處理液L1所賦予的壓力而於氣體流通管91流動。
如圖1所示，基板處理裝置1係更具備原液供給機構10。原液供給機構10係將處理液L1的原液L2往液體儲存部3供給。詳言之，原液供給機構10係具有主配管11、分支配管12、第一開閉閥13、第二開閉閥14、流量計15以及流量調整閥16。
主配管11的一部分係收容於流體箱2。主配管11係將原液L2往液體儲存部3導引。在本實施形態中，主配管11的一端係以浸泡在已儲存於液體儲存部3之處理液L1的方式所配置。藉由主配管11的一端浸泡在處理液L1，就能夠減低處理液L1的泡沫在液體儲存部3中產生之量。
第一開閉閥13係收容於流體箱2。第一開閉閥13係安裝於主配管11。第一開閉閥13係可在開狀態與閉狀態之間進行切換。在第一開閉閥13為開狀態的情況下，原液L2會經由主配管11導引至液體儲存部3。在第一開閉閥13為閉狀態的情況下，第一開閉閥13會停止原液L2經由主配管11朝向液體儲存部3的流動。
分支配管12係收容於流體箱2。分支配管12係從主配管11分支，用以將原液L2往液體儲存部3導引。在本實施形態中，分支配管12的一端係以浸泡在已儲存於液體儲存部3之處理液L1的方式所配置。藉由分支配管12的一端浸泡在處理液L1，就能夠減低在液體儲存部3中產生處理液L1的泡沫之量。
第二開閉閥14係收容於流體箱2。第二開閉閥14係安裝於分支配管12。第二開閉閥14係可在開狀態與閉狀態之間進行切換。在第二開閉閥14為開狀態的情況下，原液L2會經由分支配管12導引至液體儲存部3。在第二開閉閥14為閉狀態的情況下，第二開閉閥14會停止原液L2經由分支配管12朝向液體儲存部3流動。
流量計15及流量調整閥16係收容於流體箱2。流量計15及流量調整閥16係安裝於分支配管12。流量計15係計測流動於分支配管L1之原液L2的流量。流量調整閥16係調整流動於分支配管12之原液L2的流量。詳言之，原液L2係以與流量調整閥16之開啟度對應的流量來於分支配管12流動。開啟度係表示流量調整閥16開啟的程度。在本實施形態中，係根據流量計15的輸出控制流量調整閥16。
如圖1所示，基板處理裝置1係更具備稀釋液供給機構20。稀釋液供給機構20係將稀釋液L3往液體儲存部3供給。稀釋液L3例如是DIW(deionized water；去離子水)。稀釋液L3係將原液L2予以稀釋。詳言之，稀釋液供給機構20係具有一次配管21、稀釋液容器22、二次配管23以及泵24。
一次配管21的一部分係收容於流體箱2。一次配管21係將稀釋液L3往稀釋液容器22導引。稀釋液容器22、二次配管23以及泵24係收容於流體箱2。稀釋液容器22係儲存稀釋液L3。二次配管23係連接於稀釋液容器22，用以將稀釋液L3往液體儲存部3導引。泵24係安裝於二次配管23。藉由泵24驅動，稀釋液容器22內的稀釋液L3就會朝向液體儲存部3流動。
再者，二次配管23的一端係以浸泡在已儲存於液體儲存部3之處理液L1的方式所配置。藉由二次配管23的一端浸泡在處理液L1，就能夠減低在液體儲存部3中產生的處理液L1的泡沫之量。
如圖1所示，基板處理裝置1係具備控制裝置100。控制裝置100係控制基板處理裝置1的各部的動作。具體而言，控制裝置100係具備控制部101以及記憶部102。
控制部101係具有處理器(processor)。處理器例如是CPU(Central Processing Unit；中央處理單元)、或是MPU(Micro Processing Unit；微處理單元)。或者，處理器有可能是通用運算器(general purpose arithmetic unit)。
記憶部102係記憶資料(data)以及電腦程式(computer program)。記憶部102係具有主記憶裝置以及輔助記憶裝置。主記憶裝置例如是半導體記憶體。輔助記憶裝置例如是硬碟機(Hard Disk Drive)或是半導體記憶體。輔助記憶裝置亦可藉由硬碟機以及半導體記憶體所構成。再者，記憶部102亦可包含可移除式媒體(removable media)。
控制部101的處理器係執行記憶部102所記憶的電腦程式以控制基板處理裝置1的各部的動作。具體而言，控制部101的處理器係控制循環泵42、回收泵52、第一加熱器32、第二加熱器44、第一開閉閥13、第二開閉閥14、流量調整閥16以及泵24。例如，控制部101的處理器係基於流量計45的輸出來控制循環泵42的動作。另外，控制部101的處理器係基於溫度偵測感測器33的輸出來控制第一加熱器32的溫度。另外，控制部101的處理器係基於流量計15的輸出來控制流量調整閥16的開啟度。
然後，參照圖2來進一步說明本實施形態的循環過濾器部43以及第一脫泡管線6a。圖2係顯示本實施形態中的循環過濾器部43以及第一脫泡管線6a之圖。
如圖2所示，循環過濾器部43係具有過濾器膜401、上游側室402以及下游側室403。另外，第一脫泡管線6a係具有上游側管線61a以及下游側管線62a。
過濾器膜401係將異物從處理液L1去除。過濾器膜401為網狀(mesh-like)。上游側室402以及下游側室403係使過濾器膜401介於中間而對向。上游側室402係相對於處理液L1在循環配管41流動之方向位在比下游側室403更上游側。
上游側管線61a係連接於循環過濾器部43，用以將處理液L1的泡沫從上游側室402往處理液分離部7導引。再者，有的情況處理液L1會經由上游側管線61a導引至處理液分離部7。另外，有的情況氣體會經由上游側管線61a導引至處理液分離部7。
下游側管線62a係連接於循環過濾器部43，用以將處理液L1的泡沫從下游側室403往處理液分離部7導引。再者，有的情況處理液L1會經由下游側管線62a導引至處理液分離部7。另外，有的情況氣體會經由下游側管線62a導引至處理液分離部7。以下，有的情況會將處理液L1的泡沫、處理液L1以及氣體統一記載為「處理液L1的泡沫等」。
詳言之，上游側管線61a係具有上游側流通管611a以及流量調整閥612a。上游側流通管611a為管狀的構件。上游側流通管611a的一端係連接於循環過濾器部43。上游側流通管611a係流通處理液L1的泡沫等。流量調整閥612a係安裝於上游側流通管611a，用以調整流動於上游側流通管611a之處理液L1的泡沫等的流量。詳言之，處理液L1的泡沫等係以與流量調整閥612a的開啟度對應之流量來於上游側流通管611a流動。流量調整閥612a的開啟度係藉由參照圖1所說明的控制裝置100(控制部101的處理器)所控制。
下游側管線62a係具有下游側流通管621a以及流量調整閥622a。下游側流通管621a為管狀的構件。下游側流通管621a的一端係連接於循環過濾器部43。下游側流通管621a係流通處理液L1的泡沫等。流量調整閥622a係安裝於下游側流通管621a，用以調整流動於下游側流通管621a之處理液L1的泡沫等的流量。詳言之，處理液L1的泡沫等係以與流量調整閥622a的開啟度對應之流量來於下游側流通管621a流動。流量調整閥622a的開啟度係藉由參照圖1所說明的控制裝置100(控制部101的處理器)所控制。
然後，參照圖3來進一步說明本實施形態的回收過濾器部53以及第二脫泡管線6b。圖3係顯示本實施形態中的回收過濾器部53以及第二脫泡管線6b之圖。
如圖3所示，回收過濾器部53係具有過濾器膜501、上游側室502以及下游側室503。另外，第二脫泡管線6b係具有上游側管線61b以及下游側管線62b。
過濾器膜501係將異物從處理液L1去除。過濾器膜501為網狀。上游側室502以及下游側室503係使過濾器膜501介於中間而對向。上游側室502係相對於處理液L1在回收配管51流動之方向位在比下游側室503更上游側。
上游側管線61b係連接於回收過濾器部53，用以將處理液L1的泡沫等從上游側室502往處理液分離部7導引。下游側管線62b係連接於回收過濾器部53，用以將處理液L1的泡沫等從下游側室503往處理液分離部7導引。
詳言之，上游側管線61b係具有上游側流通管611b以及流量調整閥612b。上游側流通管611b為管狀的構件。上游側流通管611b的一端係連接於回收過濾器部53。上游側流通管611b係流通處理液L1的泡沫等。流量調整閥612b係安裝於上游側流通管611b，用以調整流動於上游側流通管611b之處理液L1的泡沫等的流量。詳言之，處理液L1的泡沫等係以與流量調整閥612b的開啟度對應之流量來於上游側流通管611b流動。流量調整閥612b的開啟度係藉由參照圖1所說明的控制裝置100(控制部101的處理器)所控制。
下游側管線62b係具有下游側流通管621b以及流量調整閥622b。下游側流通管621b為管狀的構件。下游側流通管621b的一端係連接於回收過濾器部53。下游側流通管621b係流通處理液L1的泡沫等。流量調整閥622b係安裝於下游側流通管621b，用以調整流動於下游側流通管621b之處理液L1的泡沫等的流量。詳言之，處理液L1的泡沫等係以與流量調整閥622b的開啟度對應之流量來於下游側流通管621b流動。流量調整閥622b的開啟度係藉由參照圖1所說明的控制裝置100(控制部101的處理器)所控制。
然後，參照圖4來進一步說明本實施形態的循環過濾器部43。圖4係顯示本實施形態中的循環過濾器部43的構成之圖。如圖4所示，循環過濾器部43係除了具有過濾器膜401、上游側室402以及下游側室403以外，還更具有殼體411。殼體411為過濾器殼體的一例。
過濾器膜401係配置於殼體411的內部，用以將殼體411的內部空間劃分成上游側室402與下游側室403。殼體411係具有處理液流入口412以及處理液流出口413。另外，殼體411係具有上壁411a。
處理液流入口412係相對於處理液L1在循環配管41流動之方向位在比處理液流出口413更上游側。處理液流入口412係與循環配管41連接，用以使循環配管41與上游側室402連通。處理液流出口413係與循環配管41連接，用以使循環配管41與下游側室403連通。
流動於循環配管41的處理液L1係在經由處理液流入口412流入至上游側室402(殼體411的內部)之後，通過過濾器膜401而流入至下游側室403。已流入至下游側室403的處理液L1係經由處理液流出口413往殼體411的外部(循環配管41)流出。在本實施形態中，處理液流入口412以及處理液流出口413係配置於上壁411a附近。當處理液L1填充於殼體411內部且處理液L1的液面達到上壁411a附近時，處理液L1就會通過循環過濾器部43(殼體411)。
殼體411係更具有上游側脫泡開口405以及下游側脫泡開口406。上游側脫泡開口405係與上游側管線61a連接。下游側脫泡開口406係與下游側管線62a連接。具體而言，上游側脫泡開口405係與上游側流通管611a連接。下游側脫泡開口406係與下游側流通管621a連接。
在本實施形態中，處理液L1的泡沫等係滯留於上壁411a附近。上游側脫泡開口405係設置於上壁411a，用以使上游側室402連通至上游側管線61a(上游側流通管611a)。另外，下游側脫泡開口406係設置於上壁411a，用以使下游側室403連通至下游側管線62a(下游側流通管621a)。滯留於上壁411a附近之處理液L1的泡沫等係從上游側室402經由上游側脫泡開口405流入至上游側管線61a(上游側流通管611a)。另外，滯留於上壁411a附近之處理液L1的泡沫等係從下游側室403經由下游側脫泡開口406流入至下游側管線62a(下游側流通管621a)。
以上，已參照圖4針對循環過濾器43加以說明。依據參照圖4所說明的循環過濾器部43，能夠將處理液L1的泡沫等往處理液分離部7導引。再者，由於回收過濾器部53的構成係與循環過濾器部43同樣，故而省略前述回收過濾器部53的構成的說明。
然後，參照圖5至圖7來進一步說明本實施形態的處理液分離部7。圖5係顯示本實施形態中的處理液分離部7之仰視圖。如圖5所示，處理液分離部7係具有殼體71、第一連接器(first connecter)711、第二連接器712、第三連接器713、第四連接器714、第五連接器715以及第六連接器716。殼體71為處理液分離殼體的一例。
殼體71為長方體狀，且具有第一側壁701、第二側壁702、第三側壁703以及第四側壁704。第一側壁701係與第二側壁702對向，第三側壁703係與第四側壁704對向。第三側壁703係與第一側壁701的一方的端部連接，並且與第二側壁702的一方的端部連接。第四側壁704係與第一側壁701的另一方的端部連接，並且與第二側壁702的另一方的端部連接。
第一連接器711係從殼體71突出。在本實施形態中，第一連接器711係從第一側壁701突出。第一連接器711係與第一脫泡管線6a的上游側管線61a連接。具體而言，第一連接器711係與上游側流通管611a連接。
第二連接器712係從殼體71突出。在本實施形態中，第二連接器712係從第一側壁701突出。第二連接器712係與第一脫泡管線6a的下游側管線62a連接。具體而言，第二連接器712係與下游側流通管621a連接。
第三連接器713係從殼體71突出。在本實施形態中，第三連接器713係從第一側壁701突出。第三連接器713係與第二脫泡管線6b的上游側管線61b連接。具體而言，第三連接器713係與上游側流通管611b連接。
第四連接器714係從殼體71突出。在本實施形態中，第四連接器714係從第一側壁701突出。第四連接器714係與第二脫泡管線6b的下游側管線62b連接。具體而言，第四連接器714係與下游側流通管621b連接。
第五連接器715係從殼體71突出。在本實施形態中，第五連接器715係從第三側壁703突出。第五連接器715係與回送配管8連接。
第六連接器716係從殼體71突出。在本實施形態中，第六連接器716係從第三側壁703突出。第六連接器716係與脫氣管線9連接。具體而言，第六連接器716係與氣體流通管91連接。
如圖5所示，處理液分離部7係更具有分隔板72、流入室73以及流出室74。分隔板72係配置於殼體71的內部，用以將殼體71的內部空間劃分成流入室73與流出室74。第一連接器711至第四連接器714係與流入室73對向。第五連接器715以及第六連接器716係與流出室74對向。
圖6係顯示本實施形態中的處理液分離部7之側視圖。詳言之，圖6係從第一側壁701側觀察處理液分離部7之圖。另外，圖6係顯示第一連接器711至第四連接器714的剖面。如圖6所示，第一側壁701係具有第一泡沫流入口711a、第二泡沫流入口712a、第三泡沫流入口713a以及第四泡沫流入口714a。
第一泡沫流入口711a係使參照圖5所說明的流入室73與殼體71的外部連通。第一連接器711係設置於與第一泡沫流入口711a對應的位置。從而，第一泡沫流入口711a係與第一脫泡管線6a的上游側管線61a(上游側流通管611a)連接，用以使參照圖5所說明的流入室73、與第一脫泡管線6a的上游側管線61a(上游側流通管611a)連通。
同樣地，第二泡沫流入口712a係使參照圖5所說明的流入室73與殼體71的外部連通。第二連接器712係設置於與第二泡沫流入口712a對應的位置。從而，第二泡沫流入口712a係與第一脫泡管線6a的下游側管線62a(下游側流通管621a)連接，用以使參照圖5所說明的流入室73、與第一脫泡管線6a的下游側管線62a(下游側流通管621a)連通。
另外，第三泡沫流入口713a係使參照圖5所說明的流入室73與殼體71的外部連通。第三連接器713係設置於與第三泡沫流入口713a對應的位置。從而，第三泡沫流入口713a係與第二脫泡管線6b的上游側管線61b(上游側流通管611b)連接，用以使參照圖5所說明的流入室73、與第二脫泡管線6b的上游側管線61b(上游側流通管611b)連通。
另外，第四泡沫流入口714a係使參照圖5所說明的流入室73與殼體71的外部連通。第四連接器714係設置於與第四泡沫流入口714a對應的位置。從而，第四泡沫流入口714a係與第二脫泡管線6b的下游側管線62b(下游側流通管621b)連接，用以使參照圖5所說明的流入室73、與第二脫泡管線6b的下游側管線62b(下游側流通管621b)連通。
圖7係顯示本實施形態中的處理液分離部7之剖視圖。詳言之，圖7係顯示沿著圖5的VII-VII線之剖面。如圖7所示，第三側壁703係具有液體流出口715a以及氣體流出口716a。液體流出口715a以及氣體流出口716a係使流出室74與殼體71的外部連通。
參照圖5所說明的第五連接器715係設置於與液體流出口715a對應的位置。另外，參照圖5所說明的第六連接器716係設置於與氣體流出口716a對應的位置。從而，液體流出口715a係與回送配管8連接，用以使流出室74與回送配管8連通。另外，氣體流出口716a係與脫氣管線9(氣體流通管91)連接，用以使流出室74與脫氣管線9(氣體流通管91)連通。
另外，如圖7所示，殼體71係具有上壁705以及與上壁705對向的下壁706。液體流出口715a係設置於比氣體流出口716a更接近下壁706的位置。再者，上壁705為第一壁的一例，下壁706為第二壁的一例。
在本實施形態中，分隔板72係具有第一端部721以及與第一端部721為相反側的第二端部722。分隔板72的第一端部721係連接於上壁705。另一方面，分隔板72的第二端部722係遠離下壁706。
更且，在本實施形態中，從下壁706至第一泡沫流入口711a的距離D1係比從下壁706至分隔板72的第二端部722之距離D2更長。從下壁706至第二泡沫流入口712a的距離、從下壁706至第三泡沫流入口713a的距離、以及從下壁706至第四泡沫流入口714a的距離，亦與第一泡沫流入口711a同樣地比距離D2更長。
從第一泡沫流入口711a至第四泡沫流入口714a流入至流入室73之處理液L1的泡沫係儲存於流入室73。另外，處理液L1的泡沫亦經由下壁706與分隔板72的第二端部722之間隙來儲存於流出室74。換言之，處理液L1的泡沫係儲存於殼體71的內部空間的下部。處理液L1的泡沫係藉由儲存於殼體71內而分離成處理液L1與氣體。從泡沫所分離出的處理液L1係從液體流出口715a流入至回送配管8，並往參照圖1所說明的液體儲存部3回收。另一方面，從泡沫分離出之氣體係位在比處理液L1的液面更上方且經由氣體流出口716a流入至脫氣管線9(氣體流通管91)。
再者，如已說明般，有的情況處理液L1會經由第一脫泡管線6a的上游側管線61a往處理液分離部7(流入室73)流入。在此情況下，處理液L1係通過下壁706與分隔板72的第二端部722之間隙並從液體流出口715a流入至回送配管8。處理液L1經由第一脫泡管線6a的下游側管線62a、第二脫泡管線6b的上游側管線61b、以及第二脫泡管線6b的下游側管線62b往處理液分離部7(流入室73)流入的情況亦同樣，處理液L1係從液體流出口715a流入至回送配管8。
另外，如已說明般，有的情況氣體會經由第一脫泡管線6a的上游側管線61a往處理液分離部7(流入室73)流入。在此情況下，由於氣體係比處理液L1以及處理液L1的泡沫更輕，故而會比處理液L1以及處理液L1的泡沫更早流入至處理液分離部7(流入室73)。已流入至流入室73的氣體係通過下壁706與分隔板72的第二端部722之間隙並從氣體流出口716a流入至脫氣管線9(氣體流通管91)。氣體經由第一脫泡管線62的下游側管線62a、第二脫泡管線6b的上游側管線61b、以及第二脫泡管線6b的下游側管線62b往處理液分離部7(流入室73)的情況亦同樣，氣體係從氣體流出口716a流入至脫氣管線9(氣體流通管91)。
以上，已參照圖5至圖7針對處理液分離部7加以說明。依據參照圖5至圖7所說明的處理液分離部7，能夠從藉由第一脫泡管線6a的上游側管線61a以及下游側管線62a、和第二脫泡管線6b的上游側管線61b以及下游側管線62b所導引之處理液L1的泡沫回收處理液L1。
更且，在本實施形態中，從下壁706至第一泡沫流入口711a的距離D1係比從下壁706至分隔板72的第二端部722之距離D2更長。從下壁706至第二泡沫流入口712a的距離、從下壁706至第三泡沫流入口713a的距離、以及從下壁706至第四泡沫流入口714a的距離亦與從下壁706至第一泡沫流入口711a的距離同樣地比距離D2更長。從而，能夠減低處理液L1的泡沫流入至脫氣管線9的可能性。
然後，參照圖8至圖9來進一步說明本實施形態的基板處理裝置1。圖8係顯示本實施形態中的基板處理裝置1之俯視圖。如圖8所示，基板處理裝置1係更具備流體櫃(fluid cabinet)110、複數個流體箱2、複數個塔TW、複數個裝載埠口(load port)LP、索引機器人(indexer robot)IR以及中心機器人(center robot)CR。各個塔TW係具有複數個處理單元1A。控制裝置100(控制部101的處理器)係控制裝載埠口LP、索引機器人IR、中心機器人CR以及處理單元1A。
各個裝載埠口LP係將複數片的基板W予以積層並收容。索引機器人IR係在裝載埠口LP與中心機器人CR之間搬運基板W。中心機器人CR係在索引機器人IR與塔TW(處理單元1A)之間搬運基板W。各個處理單元1A係對基板W噴出處理液L1來處理基板W。流體櫃110係收容原液L2以及稀釋液L3。
複數個塔TW係在俯視觀察下以包圍中心機器人CR的方式所配置。再者，在本實施形態中，雖然基板處理裝置1係具備四個塔TW，但是塔TW的數目係不限於四個。基板處理裝置1亦可具備一個塔TW。或者，基板處理裝置1亦可具備二個塔TW、三個塔TW或是五個以上的塔TW。
各個塔TW係具備積層於上下方向的複數個處理單元1A。再者，在本實施形態中，雖然各個塔TW係具備三個處理單元1A，但是各個塔TW中所包含之處理單元1A的數目係不限於三個。各個塔TW亦可具備一個處理單元1A。或者，各個塔TW亦可具備二個處理單元1A、或是四個以上的處理單元1A。
複數個流體箱2係分別對應於複數個塔TW所設置。各個流體箱2係對所對應之塔TW中所包含之全部的處理單元1A供給處理液L1。流體櫃110係對各個流體箱2供給原液L2以及稀釋液L3。
然後，參照圖9來進一步說明本實施形態的塔TW、處理單元1A以及回收機構5。圖9係顯示本實施形態中的塔TW之圖。如圖9所示，塔TW係收容循環配管41的一部分、回收機構5的一部分以及複數個處理單元1A。
各個處理單元1A係具有流量計111、流量調整閥112、開閉閥113、液體供給配管120以及腔室130。腔室130為處理槽的一例。
液體供給配管120係使處理液L1流通。具體而言，液體供給配管120係連接於循環配管41，用以將處理液L1往腔室130導引。流量計111、流量調整閥112以及開閉閥113係安裝於液體供給配管120。在本實施形態中，流量調整閥112以及開閉閥113係藉由控制裝置100(控制部101的處理器)所控制。
流量計111係計測流動於液體供給配管120之處理液L1的流量。流量調整閥112係調整流動於液體供給配管120之處理液L1的流量。詳言之，處理液L1係以與流量調整閥112的開啟度對應之流量來於液體供給配管120流動。在本實施形態中，係根據流量計111的輸出控制流量調整閥112。
開閉閥113係能夠在開狀態與閉狀態之間進行切換。在開閉閥113為開狀態的情況下，處理液L1會經由液體供給配管120導引至腔室130。在開閉閥113為閉狀態的情況下，開閉閥113會停止經由液體供給配管120朝向腔室130之處理液L1的流動。
回收機構5係更具備回收容器54。另外，回收配管51係具有一次配管511以及二次配管512。如圖9所示，塔TW係收容一次配管511、二次配管512的一部分、回收泵52以及回收容器54。
一次配管511係使被使用於基板W的處理之後的處理液L1流通。具體而言，一次配管511係連接於各個腔室130，用以將處理液L1從各個腔室130往回收容器54導引。以下，有的情況會將在基板W的處理中使用後的處理液L1記載為「使用後的處理液L1」。在本實施形態中，複數個腔室130係配置於上下方向，回收容器54係配置於比最下側的腔室130更下方的位置。使用後的處理液L1係可利用本身重量從各個腔室130往回收容器54排出。
回收容器54係儲存使用後的處理液L1。二次配管512係使使用後的處理液L1流通。具體而言，二次配管512係連接於回收容器54，用以將處理液L1往參照圖1所說明的液體儲存部3導引。回收泵52係安裝於二次配管512。藉由回收泵52驅動，處理液L1就會從回收容器54往二次配管512流入，且處理液L1會經由二次配管512流動至液體儲存部3為止。
然後，參照圖10來針對處理單元1A加以說明。圖10係顯示本實施形態中的處理單元1A之圖。如圖10所示，處理單元1A係更具有噴嘴132、旋轉夾具(spin chuck)134、杯體(cup)136以及噴嘴移動單元138。
腔室130係收容噴嘴132、旋轉夾具134、杯體136以及噴嘴移動單元138。另外，腔室130係收容藉由參照圖8所說明的中心機器人CR所搬運的基板W。本實施形態的基板處理裝置1是逐片處理基板W的葉片式，在腔室130係逐片收容基板W。
旋轉夾具134係一邊將基板W保持於水平一邊使基板W繞著旋轉軸線AX1進行旋轉。旋轉夾具134係例如具備夾持式的夾具、或是真空式(vacuum type)的夾具。旋轉夾具134的動作係藉由控制裝置100(控制部101的處理器)所控制。
杯體136係具有大致筒形狀。杯體136係配置於旋轉夾具134的周圍，用以接住從基板W排出之使用後的處理液L1。杯體136係具有液體滯留部136a。液體滯留部136a係設置於杯體136的下部。杯體136所接住的處理液L1係利用本身重量掉落至液體滯留部136a。結果，使用後的處理液L1可集中於液體滯留部136a。回收配管51(一次配管511)係連接於液體滯留部136a。集中於液體滯留部136a的處理液L1係利用本身重量流入至回收配管51(一次配管511)。
噴嘴移動單元138係繞著轉動軸線AX2進行轉動，用以使噴嘴132水平地移動。具體而言，噴嘴移動單元138係在待機位置與處理位置之間使噴嘴132水平地移動。待機位置係表示相對於旋轉軸線AX1比旋轉夾具134更外側的第一規定位置。處理位置係表示基板W的上方的第二規定位置。噴嘴移動單元138的動作係藉由控制裝置100(控制部101的處理器)所控制。
噴嘴132係朝向基板W噴出處理液L1。藉由噴嘴132朝向基板W噴出處理液L1，則就可在腔室130內處理基板W。液體供給配管120係往噴嘴132供給處理液L1。
處理液L1相對於噴嘴132的供給開始以及供給停止係藉由開閉閥113所切換。供給至噴嘴132之處理液L1的流量係藉由流量計111所檢測。流量係可藉由流量調整閥112而變更。當開閉閥113成為開狀態時，處理液L1就會以與流量調整閥112的開啟度對應之流量從液體供給配管120供給至噴嘴132。結果，可從噴嘴132噴出處理液L1。
以上，已參照圖式針對本發明的實施形態加以說明。再者，圖式係為了易於理解本發明而在主體上示意性地顯示各自的構成要素，所圖示之各個構成要素的厚度、長度、個數、間隔等，從圖式製作考量有的情況也會與實際不同。另外，上述的實施形態所示之構成為一例而不是特別限定，當然在實質上不脫離本發明之功效的範圍內可有各種的變更。
例如，在本發明的實施形態中，雖然第一脫泡管線6a以及第二脫泡管線6b係與處理液分離部7連接，但是第一脫泡管線6a以及第二脫泡管線6b亦可不與處理液分離部7連接。例如，亦可使處理液的泡沫等利用本身重量從第一脫泡管線6a的下游側的端部、以及第二脫泡管線6b的下游側的端部往處理液分離部7的殼體71的內部空間掉落。在此情況下，殼體71的上壁705係具有開口，處理液的泡沫等係經由上壁705的開口掉落至殼體71的內部空間。
另外，在本發明的實施形態中，雖然處理液L1是包含磷酸的蝕刻液，但是處理液L1係不限於包含磷酸的蝕刻液。處理液L1亦可為不包含磷酸的蝕刻液。例如，處理液L1亦可能為硫酸過氧化氫混合洗滌液(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture；SPM)。
另外，在本發明的實施形態中，雖然處理液L1係具有發泡性，但是處理液L1亦可為不具有發泡性的液體。即便是在處理液L1不具有發泡性的情況下，仍會在循環泵42以及回收泵52中產生泡沫。另外，即便是在處理液L1不具有發泡性的情況下，仍有可能在循環過濾器部43以及回收過濾器部53中產生泡沫。
另外，在本發明的實施形態中，雖然第一脫泡管線6a係具有上游側管線61a以及下游側管線62a，但是第一脫泡管線6a亦可僅具有上游側管線61a與下游側管線62a當中的一方。同樣地，第二脫泡管線6b亦可僅具有上游側管線61b與下游側管線62b當中的一方。
另外，在本發明的實施形態中，雖然基板處理裝置1係具備有第一脫泡管線6a以及第二脫泡管線6b，但是亦可省略第一脫泡管線6a以及第二脫泡管線6b當中的一方。
另外，在本發明的實施形態中，雖然基板處理裝置1係具備有循環過濾器部43以及回收過濾器部53，但是亦可省略循環過濾器部43以及回收過濾器部53當中的一方。
另外，在本發明的實施形態中，雖然循環泵42驅動了處理液L1，但是驅動處理液L1的要素係不限於循環泵42。例如，循環機構4亦可具備循環容器與氣體供給機構來作為驅動處理液L1的要素。循環容器係儲存流動於循環配管41的處理液L1。氣體供給機構係對儲存於循環容器之處理液L1的液面噴吹氣體。在此情況下，藉由噴吹至處理液L1的液面之氣體的壓力，處理液L1就會流通於循環配管41。
另外，在本發明的實施形態中，雖然回收泵52驅動了使用後的處理液L1，但是驅動使用後的處理液L1之要素係不限於回收泵52。例如，回收機構5亦可具備氣體供給機構來作為驅動使用後的處理液L1之要素。氣體供給機構係對儲存於回收容器54之使用後的處理液L1的液面噴吹氣體。在此情況下，藉由噴吹至使用後的處理液L1的液面之氣體的壓力，使用後的處理液L1就會流通於回收配管51(二次配管512)。或者，使用後的處理液L1亦可利用本身重量流動達至液體儲存部3。具體而言，藉由將液體儲存部3配置於複數個腔室130當中比位在最下側之腔室130更下方的位置，就能夠將使用後的處理液L1利用本身重量流動達至液體儲存部3。
另外，在本發明的實施形態中，雖然基板處理裝置1係具備有回收機構5，但是亦可省略回收機構5。
另外，在本發明的實施形態中，雖然基板處理裝置1係進行基板W的蝕刻處理，但是本發明亦能夠應用於對基板W進行與蝕刻處理不同之處理的基板處理裝置。例如，本發明係能夠應用於洗淨基板W之基板處理裝置。
另外，在本發明的實施形態中，雖然處理液L1為蝕刻液，但是處理液L1係不限於蝕刻液。例如，處理液L1係能為洗淨液。洗淨液係使用於基板W的洗淨。例如，處理液L1亦可為如SC1(Standard clean-1；第一標準清洗液(亦即氨氣過氧化氫混合液(ammonia-hydrogen peroxide mixture)))、或SC2(Standard clean-2；第二標準清洗液(亦即鹽酸過氧化氫混合液(hydrochloric acid /hydrogen peroxide mixture)))。或者，處理液L1例如亦可為DIW或是IPA(isopropyl alcohol；異丙醇)的沖洗液。沖洗液係為了將供給至基板W的藥液從基板W去除所使用。
另外，在本發明的實施形態中，雖然基板處理裝置1是逐片處理基板W的葉片式，但是基板處理裝置1亦可為同時處理複數個基板W的批次式(batch type)。
另外，在本發明的實施形態中，雖然基板W為半導體晶圓，但是基板W係不限於半導體晶圓。基板W亦能為光罩(photomask)用的玻璃基板、液晶顯示裝置用的玻璃基板、有機EL顯示器(organic electro luminescence display；有機電致發光顯示器)等的平面顯示器(flat panel display)用的基板、光碟用的基板、磁碟用的基板、或是磁光碟用的基板等。
另外，在本發明的實施形態中，雖然流量調整閥612a的開啟度係藉由控制裝置100(控制部101的處理器)所控制，但是流量調整閥612a的開啟度係可藉由作業員調整。同樣地，流量調整閥622a的開啟度亦可藉由作業員調整。
另外，在本發明的實施形態中，雖然流體箱2係針對每一塔TW所設置，但是流體箱2亦可不針對每一塔TW所設置。流體箱2的數目亦可比塔TW的數目還少。例如，基板處理裝置1亦可具備一個流體箱2。在此情況下，可從一個流體箱2對全部的處理單元1A供給處理液L1。 [產業可利用性]
本發明係可較佳地用於使用處理液來處理基板的基板處理裝置。
1:基板處理裝置 1A:處理單元 2:流體箱 3:液體儲存部 4:循環機構 5:回收機構 6a:第一脫泡管線 6b:第二脫泡管線 7:處理液分離部 8:回送配管 9:脫氣管線 10:原液供給機構 11:主配管 12:分支配管 13:第一開閉閥 14:第二開閉閥 15,45,111:流量計 16,112,612a,612b,622a,622b:流量調整閥 20:稀釋液供給機構 21:一次配管 22:稀釋液容器 23:二次配管 24:泵 31:處理液容器 32:第一加熱器 33:溫度偵測感測器 41:循環配管 42:循環泵 43:循環過濾器部 44:第二加熱器 51:回收配管 52:回收泵 53:回收過濾器部 54:回收容器 61a,61b:上游側管線 62a,62b:下游側管線 71,411:殼體 72:分隔板 73:流入室 74:流出室 91:體流通管 100:控制裝置 101:控制部 102:記憶部 110:流體櫃 112:流量調整閥 113:開閉閥 120:液體供給配管 130:腔室 132:噴嘴 134:旋轉夾具 136:杯體 136a:液體滯留部 138:噴嘴移動單元 401,501:過濾器膜 402,502:上游側室 403,503:下游側室 405:上游側脫泡開口 406:下游側脫泡開口 411a,705:上壁 412:處理液流入口 413:處理液流出口 511:一次配管 512:二次配管 611a,611b:上游側流通管 621a, 621b:下游側流通管 701:第一側壁 702:第二側壁 703:第三側壁 704:第四側壁 706:下壁 711:第一連接器 712:第二連接器 713:第三連接器 714:第四連接器 715:第五連接器 716:第六連接器 711a:第一泡沫流入口 712a:第二泡沫流入口 713a:第三泡沫流入口 714a:第四泡沫流入口 715a:液體流出口 716a:氣體流出口 721:第一端部 722:第二端部 AX1:旋轉軸線 AX2:轉動軸線 CR:中心機器人 D1,D2:距離 IR:索引機器人 L1:處理液 L2:原液 L3:稀釋液 LP:裝載埠口 TW:塔 W:基板
[圖1]係顯示本發明的實施形態中的基板處理裝置之圖。 [圖2]係顯示本發明的實施形態中的循環過濾器部以及第一脫泡管線之圖。 [圖3]係顯示本發明的實施形態中的回收過濾器部以及第二脫泡管線之圖。 [圖4]係顯示本發明的實施形態中的循環過濾器部的構成之圖。 [圖5]係顯示本發明的實施形態中的處理液分離部之仰視圖。 [圖6]係顯示本發明的實施形態中的處理液分離部之側視圖。 [圖7]係顯示本發明的實施形態中的處理液分離部之剖視圖。 [圖8]係顯示本發明的實施形態中的基板處理裝置之俯視圖。 [圖9]係顯示本發明的實施形態中的塔之圖。 [圖10]係顯示本發明的實施形態中的處理單元之圖。
1:基板處理裝置
2:流體箱
3:液體儲存部
4:循環機構
5:回收機構
6a:第一脫泡管線
6b:第二脫泡管線
7:處理液分離部
8:回送配管
9:脫氣管線
10:原液供給機構
11:主配管
12:分支配管
13:第一開閉閥
14:第二開閉閥
15:流量計
16:流量調整閥
20:稀釋液供給機構
21:一次配管
22:稀釋液容器
23:二次配管
24:泵
31:處理液容器
32:第一加熱器
33:溫度偵測感測器
41:循環配管
42:循環泵
43:循環過濾器部
44:第二加熱器
45:流量計
51:回收配管
52:回收泵
53:回收過濾器部
91:體流通管
100:控制裝置
101:控制部
102:記憶部
L1:處理液
L2:原液
L3:稀釋液

Claims (21)

  1. 一種基板處理裝置，係使用處理液來處理基板，前述基板處理裝置係具備：液體儲存部，係儲存前述處理液；第一配管，係一端連接於前述液體儲存部，用以使前述處理液流通；過濾器部，係安裝於前述第一配管，用以將異物從前述處理液去除；處理液分離部，係儲存前述處理液的泡沫，且將前述處理液從前述泡沫分離；脫泡管線，係連接於前述過濾器部，用以將前述泡沫從前述過濾器部往前述處理液分離部導引；以及第二配管，係連接於前述處理液分離部，用以將從前述泡沫分離出之前述處理液導引至前述液體儲存部；前述第一配管係包含循環配管，前述循環配管係以從前述液體儲存部流入的前述處理液往前述液體儲存部回送的方式使前述處理液循環；前述過濾器部係包含第一過濾器部，前述第一過濾器部係安裝於前述循環配管；前述脫泡管線係包含第一脫泡管線，前述第一脫泡管線係連接於前述第一過濾器部。
  2. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中更具備：泵，係安裝於前述循環配管，用以驅動前述處理液；前述泵係相對於前述處理液在前述循環配管流動之方向位在比前述第一過濾器部更上游側。
  3. 如請求項1或2所記載之基板處理裝置，其中前述第一過濾器部係具備：過濾器殼體；以及過濾器膜，係配置於前述過濾器殼體的內部，用以將前述過濾器殼體的內部空間劃分成上游側室與下游側室；前述上游側室係相對於前述處理液在前述循環配管流動之方向位在比前述下游側室更上游側；前述過濾器殼體係具有供前述第一脫泡管線連接的脫泡開口；前述脫泡開口係設置於前述過濾器殼體的上壁，用以使前述第一脫泡管線連通至前述上游側室及前述下游側室的一方。
  4. 如請求項1或2所記載之基板處理裝置，其中前述第一過濾器部係具備：過濾器殼體；以及過濾器膜，係配置於前述過濾器殼體的內部，用以將前述過濾器殼體的內部空間劃分成上游側室與下游側室；前述上游側室係相對於前述處理液在前述循環配管流動之方向位在比前述下游側室更上游側；前述第一脫泡管線係包含上游側管線與下游側管線；前述過濾器殼體係具有：上游側脫泡開口，係供前述上游側管線連接；以及下游側脫泡開口，係供前述下游側管線連接； 前述上游側脫泡開口係設置於前述過濾器殼體的上壁，用以使前述上游側管線連通至前述上游側室；前述下游側脫泡開口係設置於前述過濾器殼體的上壁，用以使前述下游側管線連通至前述下游側室。
  5. 如請求項1或2所記載之基板處理裝置，其中前述處理液分離部係具備：處理液分離殼體；以及分隔板，係配置於前述處理液分離殼體的內部，用以將前述處理液分離殼體的內部空間劃分成流入室與流出室；前述分隔板係具有第一端部以及與前述第一端部為相反側的第二端部；前述處理液分離殼體係具有：第一壁，係供前述分隔板的前述第一端部連接；第二壁，係對向於前述第一壁；泡沫流入口，係供前述第一脫泡管線連接；以及液體流出口，係供前述第二配管連接；前述分隔板的前述第二端部係遠離前述第二壁；前述泡沫流入口係使前述流入室與前述第一脫泡管線連通；前述液體流出口係使前述流出室與前述第二配管連通；從前述第二壁至前述泡沫流入口的距離係比從前述第二壁至前述分隔板的前述第二端部之距離更長。
  6. 如請求項1或2所記載之基板處理裝置，其中前述第一配管係進一步包含回收配管，前述回收配管係供在前述基板的處理中使用後的前述處理液流入；前述回收配管係將前述處理液回送至前述液體儲存部；前述過濾器部係進一步包含安裝於前述回收配管的第二過濾器部；前述脫泡管線係進一步包含第二脫泡管線，前述第二脫泡管線係連接於前述第二過濾器部。
  7. 如請求項1或2所記載之基板處理裝置，其中前述液體儲存部係具備處理液容器以及加熱器，前述處理液容器係儲存前述處理液，前述加熱器係加熱前述處理液容器。
  8. 如請求項1或2所記載之基板處理裝置，其中具備：複數個塔；以及流體箱，係對於複數個前述塔的各個塔所設置；前述流體箱係分別收容前述液體儲存部、前述第一配管、前述過濾器部、前述處理液分離部、前述脫泡管線以及前述第二配管；複數個前述塔係分別具備複數個處理槽；複數個前述處理槽係配置於上下方向；複數個前述處理槽係分別收容前述基板；前述基板係在前述處理槽內進行處理。
  9. 如請求項1或2所記載之基板處理裝置，其中前述處理液是使用於前述基板的蝕刻處理之蝕刻液。
  10. 如請求項9所記載之基板處理裝置，其中前述處理液的組成係包含磷酸。
  11. 如請求項1或2所記載之基板處理裝置，其中前述處理液係具有發泡性。
  12. 一種基板處理裝置，係使用處理液來處理基板，前述基板處理裝置係具備：液體儲存部，係儲存前述處理液；第一配管，係一端連接於前述液體儲存部，用以使前述處理液流通；過濾器部，係安裝於前述第一配管，用以將異物從前述處理液去除；處理液分離部，係儲存前述處理液的泡沫，且將前述處理液從前述泡沫分離；脫泡管線，係連接於前述過濾器部，用以將前述泡沫從前述過濾器部往前述處理液分離部導引；以及第二配管，係連接於前述處理液分離部，用以將從前述泡沫分離出之前述處理液導引至前述液體儲存部；前述第一配管係包含回收配管，前述回收配管係供在前述基板的處理中使用後的前述處理液流入；前述回收配管係將前述處理液回送至前述液體儲存部；前述過濾器部係安裝於前述回收配管。
  13. 如請求項12所記載之基板處理裝置，其中更具備：泵，係安裝於前述回收配管，用以驅動前述處理液； 前述泵係相對於前述處理液在前述回收配管流動之方向位在比前述過濾器部更上游側。
  14. 如請求項12或13所記載之基板處理裝置，其中前述過濾器部係具備：過濾器殼體；以及過濾器膜，係配置於前述過濾器殼體的內部，用以將前述過濾器殼體的內部空間劃分成上游側室與下游側室；前述上游側室係相對於前述處理液在前述回收配管流動之方向位在比前述下游側室更上游側；前述過濾器殼體係具有供前述脫泡管線連接的脫泡開口；前述脫泡開口係設置於前述過濾器殼體的上壁，用以使前述脫泡管線連通至前述上游側室及前述下游側室的一方。
  15. 如請求項12或13所記載之基板處理裝置，其中前述過濾器部係具備：過濾器殼體；以及過濾器膜，係配置於前述過濾器殼體的內部，用以將前述過濾器殼體的內部空間劃分成上游側室與下游側室；前述上游側室係相對於前述處理液在前述回收配管流動之方向位在比前述下游側室更上游側；前述脫泡管線係包含上游側管線與下游側管線；前述過濾器殼體係具有：上游側脫泡開口，係供前述上游側管線連接；以及下游側脫泡開口，係供前述下游側管線連接； 前述上游側脫泡開口係設置於前述過濾器殼體的上壁，用以使前述上游側管線連通至前述上游側室；前述下游側脫泡開口係設置於前述過濾器殼體的上壁，用以使前述下游側管線連通至前述下游側室。
  16. 如請求項12或13所記載之基板處理裝置，其中前述處理液分離部係具備：處理液分離殼體；以及分隔板，係配置於前述處理液分離殼體的內部，用以將前述處理液分離殼體的內部空間劃分成流入室與流出室；前述分隔板係具有第一端部以及與前述第一端部為相反側的第二端部；前述處理液分離殼體係具有：第一壁，係供前述分隔板的前述第一端部連接；第二壁，係對向於前述第一壁；泡沫流入口，係供前述脫泡管線連接；以及液體流出口，係供前述第二配管連接；前述分隔板的前述第二端部係遠離前述第二壁；前述泡沫流入口係使前述流入室與前述脫泡管線連通；前述液體流出口係使前述流出室與前述第二配管連通；從前述第二壁至前述泡沫流入口的距離係比從前述第二壁至前述分隔板的前述第二端部之距離更長。
  17. 如請求項12或13所記載之基板處理裝置，其中前述液體儲存部係具備處理液容器以及加熱器，前述處理液容器係儲存前述處理液，前述加熱器係加熱前述處理液容器。
  18. 如請求項12或13所記載之基板處理裝置，其中具備：複數個塔；以及流體箱，係對於複數個前述塔的各個塔所設置；前述流體箱係分別收容前述液體儲存部、前述第一配管、前述過濾器部、前述處理液分離部、前述脫泡管線以及前述第二配管；複數個前述塔係分別具備複數個處理槽；複數個前述處理槽係配置於上下方向；複數個前述處理槽係分別收容前述基板；前述基板係在前述處理槽內進行處理。
  19. 如請求項12或13所記載之基板處理裝置，其中前述處理液是使用於前述基板的蝕刻處理之蝕刻液。
  20. 如請求項19所記載之基板處理裝置，其中前述處理液的組成係包含磷酸。
  21. 如請求項12或13所記載之基板處理裝置，其中前述處理液係具有發泡性。
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