TWI724346B - 疊對記號結構、半導體裝置以及使用聲波來偵測疊對誤差的方法 - Google Patents

疊對記號結構、半導體裝置以及使用聲波來偵測疊對誤差的方法 Download PDF

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Abstract

一種疊對記號結構包括位於晶片上的第一週期性結構，第一週期性結構包括位於晶片上的第一層材料。疊對記號結構更包括位於鄰近於第一週期性結構的晶片的區域內的第二週期性結構，第二週期性結構包括設置在晶片上的第二層材料。疊對記號結構更包括位於晶片上的聲波發射裝置和位於晶片上的聲波接收裝置。

Description

疊對記號結構、半導體裝置以及使用聲波來偵測疊對誤差的方法
本揭露係關於一種疊對記號結構，特別是可以藉由使用聲波偵測疊對誤差的疊對記號結構。
在半導體積體電路(IC)工業中，在積體電路材料及積體電路設計的技術進步產生多個積體電路世代，每一個積體電路世代比上一個積體電路世代有更小及更複雜的電路。在積體電路發展過程中，製程可作出之幾何尺寸(例如：最小部件(或線路))會下降，而功能密度(例如:每一晶片區域的相連元件數量)通常都會增加。此微縮過程藉由增加生產效率及降低相關成本提供了優勢。此微縮亦增加了積體電路製程及製造的複雜性。
半導體製程的一個挑戰是對準。半導體製程涉及在彼此之上形成複數圖案化層。這些層中的每一層必須精確對準，否則最終裝置可能無法正確地運作。
對準技術通常涉及使用疊對記號(overlay mark)。舉例來說，將被圖案化在基板上的各種層可包括用於與其他所形成的層對準的疊對記號。匹配的疊對記號被形成在後續所形成的層的複數圖案內。這些匹配的疊對記號被設置在後續層的複數圖案內，使得當與下層的對應的複數疊對記號對準時，兩個層是對準的。然而，這種對準技術並不完美，並且希望有提供改善對準的對準技術。
本揭露實施例提供一種疊對記號結構，包括：第一週期性結構，位於晶片上，第一週期性結構包括位於晶片上的第一層材料；第二週期性結構，位於鄰近於第一週期性結構的晶片的區域內，第二週期性結構包括設置在晶片上的第二層材料；聲波發射裝置，位於晶片上；以及聲波接收裝置，位於晶片上。
本揭露實施例提供一種半導體裝置，包括：聲波發射裝置，位於晶片上；聲波接收裝置，位於晶片上；第一週期性結構，位於晶片上，第一週期性結構包括第一材料；以及第二週期性結構，位於晶片上，第二週期性結構包括第二材料。
本揭露實施例提供一種使用聲波來偵測疊對誤差的方法，包括：在半導體晶圓上形成第一材料層，第一材料層包括在半導體晶圓的疊對記號區內的第一週期性結構；在半導體晶圓上形成第二材料層，第二材料層包括在疊對記號區中的第二週期性結構；使用設置在疊對記號區內的聲波發射裝置，發射聲波跨越第一週期性結構和第二週期性結構兩者；使用聲波接收裝置，偵測聲波；以及基於聲波接收裝置所偵測到的聲波，確定第一材料層與第二材料層之間的疊對誤差。
本揭露提供許多不同的實施例或範例以實施本案的不同特徵。以下的揭露內容敘述各個構件及其排列方式的特定範例，以簡化說明。當然，這些特定的範例並非用以限定。舉例來說，若是本揭露書敘述了一第一特徵部件形成於一第二特徵部件之上或上方，即表示其可能包含上述第一特徵部件與上述第二特徵部件是直接接觸的實施例，亦可能包含了有附加特徵部件形成於上述第一特徵部件與上述第二特徵部件之間，而使上述第一特徵部件與第二特徵部件可能未直接接觸的實施例。另外，以下揭露書不同範例可能重複使用相同的參考符號及/或標記。這些重複係為了簡化與清晰的目的，並非用以限定所討論的不同實施例及/或結構之間有特定的關係。
此外，其與空間相關用詞。例如“在…下方”、“下方”、“較低的”、“上方”、“較高的”及類似的用詞，係為了便於描述圖示中一個元件或特徵部件與另一個(些)元件或特徵部件之間的關係。除了在圖式中繪示的方位外，這些空間相關用詞意欲包含使用中或操作中的裝置之不同方位。除此之外，設備可能被轉向不同方位(旋轉90度或其他方位)，則在此使用的空間相關詞也可依此相同解釋。
如上所述，對準技術通常涉及使用對準記號，其有時被稱為疊對記號。舉例來說，在基板上將被圖案化的各種層可包括用於與其他所形成的層對準的疊對記號。匹配的疊對記號被形成在後續所形成的多個層的複數圖案內。這些匹配的疊對記號被設置在後續層的複數圖案內，使得當與下層的對應的複數疊對記號對準時，兩個層是對準的。然而，這種對準技術並不完美，並且希望有提供改善對準的對準技術。
根據此處所描述的原理，來自兩個不同層的疊對記號被設計來傳輸或反射聲波。此疊對記號可被設置在半導體區域中，其中半導體區域設置有轉換器(transducer)。轉換器在聲波的形式中將電能轉換為機械能。聲波接著通過與第一層相關的第一疊對記號和與不同層相關的第二疊對記號。聲波(從疊對記號反射或通過疊對記號)可接著藉由聲波接收裝置來偵測。所檢測的聲波的性質將基於第一重疊標記與第二重疊標記之間的對準而改變。因此，藉由分析所檢測的聲波，對準誤差可以被確定。
第1圖顯示了疊對記號結構100的示意圖。疊對記號結構100位於半導體晶片內的特定區域102內。疊對記號結構100可位於半導體晶圓的一或多個層內。舉例來說，疊對記號結構100可位於半導體基板上或任何後續所形成的層上(例如金屬層或介電層)。根據本揭露實施例，疊對記號結構100包括聲波發射裝置104、聲波接收裝置106以及週期性結構區112，而週期性結構區112具有第一週期性結構(periodic structure)108和第二週期性結構110。
其中設置有疊對記號的半導體晶圓可以是用於製造積體電路的圓形晶圓。在一些實施例中，疊對記號結構100可以位於半導體晶圓的切割線(scribe line)內。切割線是在半導體製程之後切割半導體晶圓的線。然而，在一些實施例中，疊對記號結構100可以位於切割線之間，並且因此是最終半導體晶片產品的一部分。
聲波發射裝置104可以為聲波發射器。換句話說，聲波發射裝置104被設計以沿著基板的表面發射聲波。在一個實施例中，聲波發射裝置104是交指狀轉換器(interdigital transducer)。聲波發射裝置104可被設計以將電訊號轉換為機械訊號。在一些實施例中，疊對記號結構100可位於壓電層(piezoelectric layer)上方。壓電材料在施加電流時可能經受機械應變或應力。因此，施加至聲波發射裝置104的AC電訊號可以使表面聲波訊號被發射而跨越週期性結構區112。
週期性結構區112包括第一週期性結構108和第二週期性結構110。在一個實施例中，第一週期性結構108沿著形成在半導體晶圓上的第一圖案化層形成。舉例來說，第一圖案化層可以是多晶矽閘極層。因此，第一週期性結構108可包括複數個多晶矽特徵部件。這些多晶矽特徵部件可以透過微影製程來形成。舉例來說，可沉積一多晶矽層。接著，可在多晶矽層上設置光阻材料。光阻材料可接著透過光罩被暴露於光源並被顯影。多晶矽層的暴露區可接著透過蝕刻製程被移除，以產生圖案化多晶矽層。如下面進一步的詳細說明，第一週期性結構108可包括複數特徵部件的二維陣列。這些特徵部件可被確定尺寸並且間隔開來，以產生發射通過第一週期性結構108或從第一週期性結構108反射的聲波所需要的頻率分佈。
第二週期性結構110與第一週期性結構108相似。具體來說，第二週期性結構110可包括二維的實體特徵部件，其特徵部件的尺寸和形狀與第一週期性結構的那些特徵部件的尺寸和形狀相似。第二週期性結構110可以與形成在半導體晶圓上的第二材料層相關。第二週期性結構110位於整個圖案內，使得當第二材料層的圖案與第一材料層的圖案對準時，第二週期性結構110位於第一週期性結構108附近。第二週期性結構110位於第一週期性結構108附近，使得當正確地對準時，來自第一週期性結構108和第二週期性結構110兩者的特徵部件形成各處具有相似間距的單一二維陣列。
在本揭露實施例中，聲波接收裝置106相對於聲波發射裝置104位在週期性結構區112的相反側。因此，聲波接收裝置106可以被設計以在聲波被發射通過第一週期性結構108和第二週期性結構110時來偵測聲波。聲波接收裝置106被設計以將機械能轉換成電能。換句話說，聲波接收裝置106偵測被發射通過第一週期性結構108和第二週期性結構110的表面聲波，並且將那些表面聲波轉換成代表表面聲波的電訊號。電訊號可被分析出指示第一週期性結構108與第二週期性結構110對準的波的特性。
在一些實施例中，聲波接收裝置106和聲波發射裝置104可以位於週期性結構區112的同一側。在這種實施例中，聲波接收裝置106可以被配置以在表面聲波被第一週期性結構108和第二週期性結構110反射時偵測表面聲波。
第2A圖、第2B圖以及第2C圖顯示了用於疊對記號的週期性結構的俯視圖。根據本揭露實施例，第2圖顯示了正確地對準的第一疊對記號202和第二疊對記號204。第一疊對記號202是週期性結構，例如上面所述的第一週期性結構108。第二疊對記號204也是週期性結構，例如上面所述的第二週期性結構110。
第2B圖顯示了第一疊對記號202和第二疊對記號204未對準的實施例。具體來說，第二疊對記號204與第一覆蓋標記202的間隔比它應該的間隔要更遠。第2C圖顯示了第一疊對記號202和第二疊對記號204未對準的實施例。具體來說，第二疊對記號204與第一覆蓋標記202的間隔比它應該的間隔要更近。
第3A圖、第3B圖以及第3C圖顯示了對應第2A圖、第2B圖以及第2C圖的週期性結構的配置的聲波訊號的曲線圖。具體來說，第3A圖顯示了對應第2A圖所示的第一疊對記號202和第二疊對記號204的位置的聲波訊號。第3B圖顯示了對應第2B圖所示的第一疊對記號202和第二疊對記號204的位置的聲波訊號。第3C圖顯示了對應第2C圖所示的第一疊對記號202和第二疊對記號204的位置的聲波訊號。
第3A圖顯示了具有代表振幅的垂直軸302和代表頻率的水平軸304的曲線圖。訊號308對應當疊對記號如第2A圖間隔開時所產生的聲波訊號。這種訊號的中心頻率306由虛線表示。第3B圖顯示了與第2B圖中所示的第一疊對記號202和第二疊對記號204相關的訊號310。換句話說，因為疊對記號比它們應該的間隔要更遠，訊號310的中心頻率偏移(小於)它應該的中心頻率306。相似地，第3C圖顯示了與第2C圖中所示的第一疊對記號202和第二疊對記號204相關的訊號312。換句話說，因為疊對記號比它們應該的間隔要更近，訊號312的中心頻率偏移(大於)它應該的中心頻率306。
根據此處所述的原理的一個示例，第4A圖、第4B圖以及第4C圖顯示了對應第2A圖、第2B圖以及第2C圖的週期性結構的配置的反射聲波訊號的曲線圖。具體來說，第4A圖顯示了對應第2A圖所示的第一疊對記號202和第二疊對記號204的位置的反射聲波訊號。第4B圖顯示了對應第2B圖所示的第一疊對記號202和第二疊對記號204的位置的反射聲波訊號。第4C圖顯示了對應第2C圖所示的第一疊對記號202和第二疊對記號204的位置的反射聲波訊號。
第4A圖顯示了具有代表振幅的垂直軸302和代表頻率的水平軸304的曲線圖。當第一疊對記號202和第二疊對記號204如第2A圖間隔開時，訊號402對應從第一疊對記號202和第二疊對記號204反射的聲波訊號。這種訊號的中心頻率306由虛線表示。第4B圖顯示了從第2B圖所示的第一疊對記號202和第二疊對記號204反射的訊號404。換句話說，因為第一疊對記號202和第二疊對記號204比它們應該的間隔要更遠，訊號404偏移(小於)對準的訊號402的中心頻率306。相似地，第4C圖顯示了從第2C圖所示的第一疊對記號202和第二疊對記號204所反射的訊號406。換句話說，因為第一疊對記號202和第二疊對記號204比它們應該的間隔要更近，訊號406偏移(大於)對準的訊號402。
第5A圖、第5B圖以及第5C圖顯示了對應第2A圖、第2B圖以及第2C圖的週期性結構的配置的發射聲波訊號的曲線圖。具體來說，第5A圖顯示了對應第2A圖所示的第一疊對記號202和第二疊對記號204的位置的發射聲波訊號。第5B圖顯示了對應第2B圖所示的第一疊對記號202和第二疊對記號204的位置的發射聲波訊號。第5C圖顯示了對應第2C圖所示的第一疊對記號202和第二疊對記號204的位置的發射聲波訊號。
第5A圖顯示了具有代表振幅的垂直軸302和代表頻率的水平軸304的曲線圖。當第一疊對記號202和第二疊對記號204如第2A圖間隔開時，訊號502對應被發射通過第一疊對記號202和第二疊對記號204後的聲波訊號。這種訊號的中心頻率306由虛線表示。第5B圖顯示了被發射通過第2B圖所示的第一疊對記號202和第二疊對記號204的訊號504。換句話說，因為第一疊對記號202和第二疊對記號204比它們應該的間隔要更遠，訊號504偏移(小於)對準的訊號502的中心頻率306。相似地，第5C圖顯示了被發射通過第2C圖所示的第一疊對記號202和第二疊對記號204的訊號506。換句話說，因為第一疊對記號202和第二疊對記號204比它們應該的間隔要更近，訊號506偏移(大於)對準的訊號502。
第6A圖和第6B圖顯示了用於疊對記號的特徵部件之形狀的示意圖。根據本揭露實施例，第6A圖顯示了與具有週期性結構的第二疊對記號604相鄰的具有週期性結構的第一疊對記號602。第一疊對記號602和第二疊對記號604兩者的特徵部件為大抵矩形的形狀。更具體來說，如圖所示，第一疊對記號602和第二疊對記號604具有正方形形狀。第6B圖顯示了與具有週期性結構的第二疊對記號614相鄰的具有週期性結構的第一疊對記號612。第一疊對記號612和第二疊對記號614兩者的特徵部件為大抵橢圓形的形狀。其他形狀亦可考慮。舉例來說，此處所述的疊對記號的特徵部件可具有圓形形狀。
第7A圖至第7G圖顯示了疊對記號的各種配置的示意圖。根據本揭露實施例，第7A圖顯示了具有一組特徵部件702的第一疊對記號，特徵部件702外接或圍繞第二疊對記號的特徵部件704。雖然只有一圈特徵部件702被顯示圍繞特徵部件704，但應理解一些示例可包括圍繞特徵部件704的特徵部件702的許多排。當特徵部件702與特徵部件704未對準時，被發射通過特徵部件702和704的聲波或從特徵部件702和704反射的聲波的特性將指示未對準的性質。
第7B圖顯示了第一疊對記號與第二疊對記號交錯排列(intermingled)的示意圖。舉例來說，來自第一疊對記號的特徵部件702按排設置。相似地，來自第二疊對記號的特徵部件704按排設置。不同類型的特徵部件702和704的排在交替。當特徵部件702與特徵部件704未對準時，被發射通過特徵部件702和704的聲波或從特徵部件702和704反射的聲波的特性將指示未對準的性質。
第7C圖顯示了第一疊對記號與第二疊對記號交錯排列(intermingled)的示意圖。舉例來說，來自第一疊對記號的特徵部件702聚集在左上方和右下方。來自第二疊對記號的特徵部件704聚集在右上方和左下方。這種配置亦可允許在多於一個方向中用來確定對準。舉例來說，對準可以在第一方向和與第一方向正交的第二方向上被確定。當特徵部件702與特徵部件704未對準時，被發射通過特徵部件702和704的聲波或從特徵部件702和704反射的聲波的特性將指示未對準的性質。
第7D圖顯示了第一疊對記號在對角的方式中與第二疊對記號相鄰的示意圖。舉例來說，來自第一疊對記號的特徵部件702位於左下方。來自第二疊對記號的特徵部件704位於右上方。這種配置亦可允許在多於一個方向中用來確定對準。舉例來說，對準可以在第一方向和與第一方向正交的第二方向上被確定。當特徵部件702與特徵部件704未對準時，被發射通過特徵部件702和704的聲波或從特徵部件702和704反射的聲波的特性將指示未對準的性質。
第7E圖顯示了第一疊對記號與第二疊對記號交錯排列的示意圖。舉例來說，來自第一疊對記號的特徵部件702按排設置。相似地，來自第二疊對記號的特徵部件704按排設置。不同類型的特徵部件702和704的行在交替。然而，比起特徵部件702具有的排，特徵部件704具有更多的排。當特徵部件702與特徵部件704未對準時，被發射通過特徵部件702和704的聲波或從特徵部件702和704反射的聲波的特性將指示未對準的性質。
第7F圖顯示了第一疊對記號與第二疊對記號交錯排列的示意圖。舉例來說，來自第一疊對記號的特徵部件702按排定位。相似地，來自第二疊對記號的特徵部件704按排定位。不同類型的特徵部件702和704的排在交替。然而，比起特徵部件702具有的排，特徵部件704具有更多的排。第7F圖與第7E圖相似，除了排在不同的方向上延伸。當特徵部件702與特徵部件704未對準時，被發射通過特徵部件702和704的聲波或從特徵部件702和704反射的聲波的特性將指示未對準的性質。
第7G圖顯示了第一疊對記號與第二疊對記號交錯排列的示意圖。舉例來說，來自第一疊對記號的特徵部件702和來自第二疊對記號的特徵部件704被設置在棋盤圖案中。這種配置亦可允許在多於一個方向中用來確定對準。舉例來說，對準可以在第一方向和與第一方向正交的第二方向上被確定。當特徵部件702與特徵部件704未對準時，被發射通過特徵部件702和704的聲波或從特徵部件702和704反射的聲波的特性將指示未對準的性質。
第8圖顯示了各種週期性結構、聲波發射裝置以及聲波接收裝置的示意圖。根據本揭露實施例，四個不同的疊對記號802、804、806、808被設置在週期性結構區110內的正方型圖案中。在一些實施例中，每一個疊對記號可以與不同的材料層相關。在一些實施例中，兩個疊對記號可以與相同的材料相關，另外兩個疊對記號可以與不同的材料相關。疊對記號802、804、806、808可在週期圖案中各自包括具有複數特徵部件的週期性結構，例如上面第6A圖至第7G圖所示的圖案。
在一個實施例中，裝置812是被配置來發射聲波跨越疊對記號802和804的聲波發射裝置。此聲波可以被裝置814接收。相似地，裝置816可以是被配置來發射聲波跨越疊對記號806和808的聲波發射裝置。此聲波可以被裝置818接收。此外，裝置820可以是被配置來發射聲波跨越疊對記號802和806的聲波發射裝置。此聲波可以被裝置824接收。相似地，裝置822可以是被配置來發射聲波跨越疊對記號804和808的聲波發射裝置。此聲波可以被裝置826接收。因此，在第8圖中所示的配置可被用來進行偵測。
第9圖顯示了串聯多個疊對記號區的示意圖。根據本揭露實施例，複數疊對記號區900a、900b、900c以串聯排列。換句話說，它們沿著在被發射通過疊對記號區900a、900b、900c的聲波的方向上的線排列。每一個疊對記號區900a、900b、900c包括聲波發射裝置、聲波接收裝置以及包括週期性結構的至少兩個疊對記號。
第10圖顯示了並聯多個疊對記號區的示意圖。根據本揭露實施例，複數疊對記號區1000a、1000b、1000c以並聯排列。換句話說，它們沿著在被發射通過疊對記號區1000a、1000b、1000c的聲波的方向上正交的線排列。每一個疊對記號區1000a、1000b、1000c包括聲波發射裝置、聲波接收裝置以及包括週期性結構的至少兩個疊對記號。
第11A圖至第11D圖顯示了疊對記號之形成的示意圖。根據本揭露實施例，第11A圖顯示了製程晶圓1102的兩個不同部分。第一部分是生產(production)部分1101，並且第二部分是測試部分1103。生產部分1101是晶圓的一部分，其上製造有積體電路。測試部分1103是晶圓的一部分，疊對記號可被形成在測試部分1103中，以測試在生產部分1101中形成的不同層之圖案的對準。為了討論的目的，測試部分1103可以對應隨同第1圖的所述內容中的週期性結構區112。
根據本揭露實施例，測試部分1103包括電性元件(piece electrically) 1104、第一硬光罩層1108以及第二硬光罩層1106。如上面所述，疊對記號可位於壓電層上方。壓電材料在施加電流時可能經受機械應變或應力。因此，施加至聲波發射裝置的AC電訊號可以使表面聲波訊號被發射而跨越測試部分1103。
同時，生產部分1101可具有將被圖案化的第一材料層1114。第一材料層1114可以是各種材料中的一種。舉例來說，第一材料層1114可以是用以形成閘極結構的多晶矽層，或者是用以形成內部互連的金屬層。在沉積第一材料層1114之後，沉積第一圖案化光阻層、透過光罩於光源下暴光並加以顯影。在顯影之後，光阻特徵部件1110保留在生產部分1101中，並且光阻特徵部件1112保留在測試部分1103中。光阻特徵部件1112可對應於包括複數週期性結構的第一疊對記號。
第11B圖顯示了蝕刻製程1120，以圖案化在測試部分1103中的第二硬光罩層1106和在生產部分1101中的第一材料層1114。第二硬光罩層1106可被選擇以具有用於圖案化在生產部分1101中的第一材料層1114的在相同蝕刻製程中可移除的材料。在蝕刻製程之後，光阻特徵部件1110和1112可被移除。
第11C圖顯示了額外的層。具體來說，第11C圖顯示了沉積在生產部分1101中的第一材料層特徵部件上的層間介電層1132。生產部分1101還包括沉積在層間介電層1132上的第二材料層1134。第二材料層1134可以是各種材料中的一種。舉例來說，第二材料層1134可以是用以形成金屬線或介層窗(via)的金屬材料。
接著，沉積第二光阻層。第二光阻層(在被曝光和顯影之後)包括在生產部分1101中的第一光阻特徵部件1130和在測試部分1103中的第二光阻特徵部件1136。光阻特徵部件1136對應於包括複數週期特徵部件的第二疊對記號。第一光阻特徵部件1130和第二光阻特徵部件1136使用了相同的光罩來形成。此光罩被設計使得當第一光阻特徵部件1130與第一材料層1114的特徵部件對準時，第二光阻特徵部件1136被設置使得它們與第二硬光罩層1106的特徵部件形成單一的疊對記號(例如：如第2A圖所示)。換句話說，第二硬光罩層1106的特徵部件和第二光阻特徵部件1136的所有特徵部件將具有相似的間隔。這在通過特徵部件的所檢測的聲波中產生所需的(desired)頻率訊號。如果第一光阻特徵部件1130與第一材料層1114(例如：如第2B圖和第2C圖所示)未正確地對準，則第二光阻特徵部件1136相對於第二硬光罩層1106的特徵部件不會正確地間隔開來。
第11D圖顯示了蝕刻製程1140。在形成第一光阻特徵部件1130和第二光阻特徵部件1136後，可執行蝕刻製程以圖案化第二材料層1134和第一硬光罩層1108。第二硬光罩層1106的特徵部件和第二光阻特徵部件1136定義了將被轉移到第一硬光罩層1108的圖案。在一些實施例中，蝕刻製程1140可以與第一硬光罩層1108和第二材料層1134的材料一起被選擇，使得第一硬光罩層1108和第二材料層1134藉由相同的蝕刻製程被移除。
第11D圖顯示了在蝕刻製程1140之後，以及第二光阻特徵部件1136和第二硬光罩層1106被移除之後的狀態。在這些特徵部件被移除後，保留了第一硬光罩層1108的剩餘的特徵部件1142和1144。特徵部件1142可對應於第一疊對記號(例如：第1圖的第一週期性結構108)，並且特徵部件1144可對應第二疊對記號(例如：第1圖的第二週期性結構110)。在特徵部件1142和1144形成之後，聲波可被發射而跨越特徵部件1142和1144，以確定特徵部件1134與第一材料層1114的特徵部件是否正確地對準。
第12圖顯示了使用聲波來偵測疊對誤差的方法的流程圖。根據本揭露實施例，方法1200包括操作1202，在半導體晶圓上形成第一材料層，第一材料層包括在半導體晶圓的疊對記號區內的第一週期性結構。根據本揭露實施例，方法1200包括操作1204，在半導體晶圓上形成第二材料層，第二材料層包括在疊對記號區中的第二週期性結構。根據本揭露實施例，方法1200包括操作1206，使用設置在疊對記號區內的聲波發射裝置，發射聲波跨越第一週期性結構和第二週期性結構兩者。根據本揭露實施例，方法1200包括操作1208，使用聲波接收裝置偵測聲波。根據本揭露實施例，方法1200包括操作1210，基於聲波接收裝置所偵測到的聲波，確定第一材料層與第二材料層之間的疊對誤差。
根據本揭露實施例，疊對記號結構包括位於晶片上的第一週期性結構，第一週期性結構包括位於晶片上的第一層材料。疊對記號結構更包括位於鄰近於第一週期性結構的晶片的區域內的第二週期性結構，第二週期性結構包括設置在晶片上的第二層材料。疊對記號結構更包括位於晶片上的聲波發射裝置和位於晶片上的聲波接收裝置。
在一些實施例中，聲波接收裝置鄰近於聲波發射裝置。
在一些實施例中，第一週期性結構的特徵部件和第二週期性結構的特徵部件位於交替的複數列中。
在一些實施例中，第一週期性結構的特徵部件和第二週期性結構的特徵部件以棋盤圖案的方式進行設置。
在一些實施例中，疊對記號結構更包括在第一週期性結構和第二週期性結構的下方的壓電層。
根據本揭露實施例，半導體裝置包括位於晶片上的聲波發射裝置、位於晶片上的聲波接收裝置以及位於晶片上的第一週期性結構，第一週期性結構包括第一材料。半導體裝置更包括位位於晶片上的第二週期性結構，第二週期性結構包括第二材料。
在一些實施例中，聲波發射裝置包括交指狀轉換器。
在一些實施例中，聲波發射裝置包括聲波發射器。
根據本揭露實施例，使用聲波來偵測疊對誤差的方法包括在半導體晶圓上形成第一材料層，第一材料層包括在半導體晶圓的疊對記號區內的第一週期性結構。使用聲波來偵測疊對誤差的方法更包括在半導體晶圓上形成第二材料層，第二材料層包括在疊對記號區中的第二週期性結構。使用聲波來偵測疊對誤差的方法更包括使用設置在疊對記號區內的聲波發射裝置，發射聲波跨越第一週期性結構和第二週期性結構兩者。使用聲波來偵測疊對誤差的方法更包括使用聲波接收裝置，偵測聲波。使用聲波來偵測疊對誤差的方法更包括基於聲波接收裝置所偵測到的聲波，確定第一材料層與第二材料層之間的疊對誤差。
在一些實施例中，使用聲波來偵測疊對誤差的方法更包括藉由分析所偵測的聲波來確定焦點曲線。
前述內文概述了許多實施例的特徵，使本技術領域中具有通常知識者可以從各個方面更佳地了解本揭露。本技術領域中具有通常知識者應可理解，且可輕易地以本揭露為基礎來設計或修飾其他製程及結構，並以此達到相同的目的及/或達到與在此介紹的實施例等相同之優點。本技術領域中具有通常知識者也應了解這些相等的結構並未背離本揭露的發明精神與範圍。在不背離本揭露的發明精神與範圍之前提下，可對本揭露進行各種改變、置換或修改。
100‧‧‧疊對記號結構102‧‧‧特定區域104‧‧‧聲波發射裝置106‧‧‧聲波接收裝置108‧‧‧第一週期性結構110‧‧‧第二週期性結構112‧‧‧週期性結構區202‧‧‧第一疊對記號204‧‧‧第二疊對記號302‧‧‧垂直軸304‧‧‧水平軸306‧‧‧中心頻率308、310、312‧‧‧訊號402、404、406‧‧‧訊號502、504、506‧‧‧訊號602‧‧‧第一疊對記號604‧‧‧第二疊對記號612‧‧‧第一疊對記號614‧‧‧第二疊對記號702、704‧‧‧特徵部件802、804、806、808‧‧‧疊對記號812、814、816、818、820、822、824、826‧‧‧裝置900a、900b、900c‧‧‧疊對記號區1000a、1000b、1000c‧‧‧疊對記號區1101‧‧‧生產部分1102‧‧‧製程晶圓1103‧‧‧測試部分1104‧‧‧電性元件1106‧‧‧第二硬光罩層1108‧‧‧第一硬光罩層1110‧‧‧光阻特徵部件1112‧‧‧光阻特徵部件1114‧‧‧第一材料層1120‧‧‧蝕刻製程1130‧‧‧第一光阻特徵部件1132‧‧‧層間介電層1134‧‧‧第二材料層1136‧‧‧第二光阻特徵部件1140‧‧‧蝕刻製程1142‧‧‧特徵部件1144‧‧‧特徵部件1200‧‧‧方法1202-1210‧‧‧操作
本揭露之觀點從後續實施例以及附圖可以更佳理解。須知示意圖係為範例，並且不同特徵部件並無示意於此。不同特徵部件之尺寸可能任意增加或減少以清楚論述。 第1圖係為根據本揭露實施例之疊對記號結構的示意圖。 第2A圖、第2B圖以及第2C圖係為根據本揭露實施例之用於疊對記號的週期性結構的俯視圖。 第3A圖、第3B圖以及第3C圖係為根據本揭露實施例之對應第2A圖、第2B圖以及第2C圖的週期性結構的配置的聲波訊號的曲線圖。 第4A圖、第4B圖以及第4C圖係為根據本揭露實施例之顯示了對應第2A圖、第2B圖以及第2C圖的週期性結構的配置的反射聲波訊號的曲線圖。 第5A圖、第5B圖以及第5C圖係為根據本揭露實施例之對應第2A圖、第2B圖以及第2C圖的週期性結構的配置的發射聲波訊號的曲線圖。 第6A圖和第6B圖係為根據本揭露實施例之用於疊對記號的特徵部件形狀的示意圖。 第7A圖至第7G圖係為根據本揭露實施例之疊對記號的各種配置的示意圖。 第8圖係為根據本揭露實施例之各種週期性結構、聲波發射裝置以及聲波接收裝置的示意圖。 第9圖係為根據本揭露實施例之串聯多個疊對記號區的示意圖。 第10圖係為根據本揭露實施例之並聯多個疊對記號區的示意圖。 第11A圖至第11D圖係為根據本揭露實施例之疊對記號的形成的示意圖。 第12圖係為根據本揭露實施例之使用聲波來偵測疊對誤差的方法的流程圖。
100‧‧‧疊對記號結構
102‧‧‧特定區域
104‧‧‧聲波發射裝置
106‧‧‧聲波接收裝置
108‧‧‧第一週期性結構
110‧‧‧第二週期性結構
112‧‧‧週期性結構區

Claims (10)

  1. 一種疊對記號結構，包括：一壓電層，位於一晶片上；一第一週期性結構，位於上述壓電層上，上述第一週期性結構包括位於上述晶片上的一第一層材料；一第二週期性結構，位於鄰近於上述第一週期性結構的上述壓電層上，上述第二週期性結構包括設置在上述晶片上的一第二層材料；一聲波發射裝置，位於上述晶片上；以及一聲波接收裝置，位於上述晶片上。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之疊對記號結構，其中上述第一週期性結構和上述第二週期性結構位於上述聲波發射裝置與上述聲波接收裝置之間。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之疊對記號結構，其中上述第一週期性結構包括複數特徵部件的一二維陣列，上述特徵部件具有以下一者：一矩形、一橢圓形或一正方形。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之疊對記號結構，其中上述第一週期性結構的特徵部件與上述第二週期性結構的特徵部件交錯排列。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之疊對記號結構，其中上述第一週期性結構的特徵部件圍繞上述第二週期性結構的特徵部件。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之疊對記號結構，更包括，上述晶片的複數區域，上述區域之每一者包括複數額外的週期性結構、一額外聲波接收裝置以及一額外聲波發射裝置，上述區域以串聯或並聯排列。
  7. 一種半導體裝置，包括：一聲波發射裝置，位於一晶片上； 一聲波接收裝置，位於上述晶片上；一第一週期性結構，位於上述晶片上，上述第一週期性結構包括一第一材料；以及一第二週期性結構，位於上述晶片上，上述第二週期性結構包括一第二材料，其中上述第一週期性結構和上述第二週期性結構形成在同一水平並位於上述聲波發射裝置以及上述聲波接收裝置之間。
  8. 一種使用聲波來偵測疊對誤差的方法，包括：在一半導體晶圓上形成一壓電層；在上述壓電層上形成一第一材料層，上述第一材料層包括在上述半導體晶圓的一疊對記號區內的一第一週期性結構；在上述壓電層上形成一第二材料層，上述第二材料層包括在上述疊對記號區中的一第二週期性結構；使用設置在上述疊對記號區內的一聲波發射裝置，發射一聲波跨越上述第一週期性結構和上述第二週期性結構兩者；使用一聲波接收裝置，偵測上述聲波；以及基於上述聲波接收裝置所偵測到的上述聲波，確定上述第一材料層與上述第二材料層之間的一疊對誤差。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之使用聲波來偵測疊對誤差的方法，其中上述聲波接收裝置所偵測到的上述聲波為傳輸通過上述第一週期性結構和上述第二週期性結構的聲波，或由上述第一週期性結構和上述第二週期性結構反射的聲波。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之使用聲波來偵測疊對誤差的方法，其中確定上述疊對誤差的步驟包括： 使用一散射頻率數、一散射角度、一半高寬與一中心頻率中之一者分析所偵測的上述聲波；以及確定在一第一方向和與上述第一方向正交的一第二方向中的誤差。
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