TWI723154B - 用於掃描物體的方法及系統 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 48
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 73
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 20
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 14
- 241000251730 Chondrichthyes Species 0.000 description 9
- 102100040957 Actin-like protein 7B Human genes 0.000 description 7
- 101000965251 Homo sapiens Actin-like protein 7B Proteins 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 101100378170 Mus musculus Actl7a gene Proteins 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 4
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 3
- 230000008520 organization Effects 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 3
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
- H01J37/147—Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path
- H01J37/1472—Deflecting along given lines
- H01J37/1474—Scanning means
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/261—Details
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
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Abstract
一種用於以帶電粒子束掃描物體的方法與系統,其包括對於多對掃描線中的每對掃描線,重複以下步驟:(i) 沿著第一方向偏向帶電粒子束,從而沿著該對掃描線的第一掃描線掃描該物體;(ii) 在掃描物體期間沿著第一掃描線的大部分收集自該物體發射的電子;(iii) 沿著與第一方向垂直的第二方向偏向帶電粒子束;(iv) 沿著與第一方向相反的第三方向偏向帶電粒子束,從而沿著該對掃描線的第二掃描線掃描該物體;(v) 在掃描物體期間沿著第二掃描線的大部分收集自該物體發射的電子;及 (vi) 沿著與第三方向垂直的第二方向偏向帶電粒子束。
Description
本文是關於用於掃描物體的方法及系統。
掃描式電子顯微鏡(SEM)系統使用電子束以產生目標物體的圖像。在圖像形成期間,電子束以光柵方式(raster manner)在目標上移動,高能主要電子撞擊目標並引起二次電子的發射,那些二次電子被電子偵測器收集、放大和處理,以建構目標的圖像。
在目標上移動的主要波束(掃描)通常透過施加隨時間變化的電場或磁場來實現。電容性掃描電極和電壓產生器被使用於具有電掃描的SEM系統。掃描線圈和電流產生器被使用於具有磁掃描的SEM系統。
SEM系統的主要特徵之一是他有效的資料產量或掃描速率。另一個重要特徵是在掃描線期間在目標上主波束定位的線性度。
第1圖示出在光柵掃描的三個掃描線的掃描期間,理想的X掃描訊號20、X掃描訊號30、理想的Y掃描訊號60和Y掃描訊號50。
X掃描訊號30和Y掃描訊號50提供「鋸齒(sawtooth)」掃描。
在第1圖中,x軸代表時間且y軸代表X掃描訊號強度或Y掃描訊號強度。
X掃描訊號30包括振盪31。振盪31在X振盪週期Tringing1 13期間衰退。
Y掃描訊號50包括振盪51。Y掃描訊號50具有Y掃描訊號振幅B1 71。
第1圖示出光柵掃描需要相對快速地改變X掃描訊號30和相對慢地改變Y掃描訊號50。
X掃描訊號30包括掃描部分81和折返(retrace)部分82。掃描部分81具有Tscan1 11的持續時間。折返部分82具有Tretrace1 15的持續時間。X掃描訊號30是具有週期T1 14的週期訊號。
所得的SEM圖像是在具有Tact1 12的持續時間的實際掃描部分期間所形成。Tact1 12比Tscan1 11小Tringing1 13。
在折返部分82期間,Y掃描訊號50改變以將主波束移動至下一個線位置。變化的大小表示為B1 71。
X掃描訊號30的分析表示出折返部分82是X掃描訊號30所產生最具挑戰性的部分。折返部分82需要X掃描訊號30的最高轉換速率(slew rate),且因此,對於特定的X掃描訊號振幅A1 41和掃描線性度,折返部分82需要整個掃描系統的最寬帶寬。
這種掃描系統的實際資料產量是由掃描工作週期DC1所定義。DC1 = Tact1 / Tperiod1。
Tact1 = T1 - Tringing1 - Tretrace1。
Tringing1取決於X掃描訊號振幅A1
41、Tretrace1 13和所需的掃描線性度。
因此,Tact1取決於給定的掃描系統的所需掃描線性度(required scan linearity)和類比成效(analog performance),如其帶寬和暫態反應(transient response)。
有越來越多提供有效掃描方法的需要。
根據本發明的實施例,可提供一種用於以帶電粒子束掃描物體的方法與系統,其包括對於多對掃描線中的每對掃描線,重複以下步驟:(i) 沿著第一方向偏向帶電粒子束,從而沿著該對掃描線的第一掃描線掃描該物體;(ii) 在掃描物體期間沿著第一掃描線的大部分收集自該物體發射的電子;(iii) 沿著與第一方向垂直的第二方向偏向帶電粒子束;(iv) 沿著與第一方向相反的第三方向偏向帶電粒子束,從而沿著該對掃描線的第二掃描線掃描該物體;(v) 在掃描物體期間沿著第二掃描線的大部分收集自該物體發射的電子;及 (vi) 沿著與第三方向垂直的第二方向偏向帶電粒子束。
方法可包括在第一振盪週期期間忽略從物體發射的電子,該第一振盪週期開始於沿著第一方向偏向帶電粒子束的開始處。
方法可包括在第二振盪週期期間忽略從物體發射的電子,該第二振盪週期開始於沿著第三方向偏向帶電粒子束的開始處。
第一掃描線的大部分可以是超過第一掃描線的百分之九十。
沿著第一方向的帶電粒子束的偏向可以以第一掃描率發生。沿著第三方向的帶電粒子束的偏向可以以第二掃描率發生,該第二掃描率與該第一掃描率相等。
沿著第一方向的帶電粒子束的偏向可以以第一掃描率發生。沿著第三方向的帶電粒子束的偏向可以以第二掃描率發生,該第二掃描率與該第一掃描率不同。
在以下實施方式中,許多特定細節被闡釋以為了提供對本發明透徹的理解。然而,所屬技術領域具有通常知識者將理解本發明可在沒有這些特定細節下實施。在其他實例中,為人熟知的方法、程序、與元件未被詳細描述以為了不混淆本發明。
視為本發明的主張標的在本說明書的總結部分被特別地指出與清楚地主張。本發明,然而,對於組織及操作的方法兩者,連同目的、特徵、及其中的優點,可藉由參照至以下實施方式而在與隨附圖式閱讀時最佳地理解。
應理解為了描述的簡單與清晰,圖式中所示的元件並未必然依比例繪製。例如,為了更清楚,一些元件的尺寸可能相對於其他元件被誇大。此外,在認為適當時,元件符號在圖式上可被重複以指示相對應或類似的元件。
因為所示本發明之實施例可在大多數情況下,使用所屬技術領域具有通常知識者所熟知的電子元件及電路來實施,為了理解與認識本發明的基本概念且為了不模糊或分散本發明的教示,細節將不會以比被考量為如以上描繪更詳細延伸地解釋。
說明書中對方法的任何參照應依能執行該方法的系統進行適用(mutatis mutandis)而應用,且應依照儲存指令的非暫態電腦可讀取媒體進行適用而應用,該等指令一旦被電腦執行將造成該方法的執行。
說明書中對系統的任何參照應依可被該系統執行的方法進行適用(mutatis mutandis)而應用,且應依照儲存可被該系統執行的指令之非暫態電腦可讀取媒體進行適用而應用。
說明書中對非暫態電腦可讀取媒體的任何參照應依能執行儲存於該非暫態電腦可讀取媒體中之指令的系統進行適用(mutatis mutandis)而應用,且應依照可被電腦執行之方法,該電腦讀取儲存於該非暫態電腦可讀取媒體中之指令,而進行適用而應用。
第2圖示出根據本發明的實施例的各種掃描訊號。這些各種掃描訊號在所謂的「鯊魚牙(shark tooth)」掃描期間產生。
第2圖示出在「鯊魚牙」掃描的三個掃描線的掃描期間,理想的X掃描訊號120、X掃描訊號130、理想的Y掃描訊號160和Y掃描訊號150。
在第2圖中,x軸代表時間且y軸代表X掃描訊號強度或Y掃描訊號強度。
X掃描訊號130包括振盪131。振盪131比振盪31小得多,並且在X振盪週期Tringing2 113期間被衰退。當產生與第1圖的X掃描訊號30相同的週期和振幅的X掃描訊號130時,Tringing2 113比現有技術的X振盪週期Tringing1 13小得多。
Y掃描訊號150包括振盪151。
X掃描訊號130包括掃描部分81,閒置部分84和後掃部分83。後掃部分83之後還有閒置部分,繼而是掃描部分81。
後掃部分83和閒置部分84的累積持續時間表示為T2 114。閒置部分84和掃描部分81的累積持續時間可以等於T2 114。
掃描部分81具有Tscan2 111的持續時間。
閒置部分84具有Tidle 119的持續時間。
後掃部分83具有Tscan3 118的持續時間。
所得的SEM圖像是形成於,(i)具有Tact 2 112的持續時間的實際掃描部分和(ii)具有Tact 3 116的持續時間的實際後掃部分,的期間。
Tact2 112比Tscan2 111小Tringing2 113。
Tact3 116比Tscan3 118小Tringing2 113。
這種掃描系統的實際資料產量是由掃描工作週期DC2所定義。DC2 =(Tact2 + Tact3)/(2 * Tperiod2)。
X掃描訊號130具有X掃描訊號振幅A2 42。Y掃描訊號150具有Y掃描訊號振幅B2 72。
假設A2 42等於A1 41,並且B1 71等於B2 72。
實際掃描發生於雙向,在掃描部分81期間(在Tact 2 112期間)和在後掃部分83期間(在Tact3 116期間)。
當應用「鯊魚牙」掃描時,不再有折返(retrace)。通常,X掃描訊號和Y掃描訊號的硬體掃描驅動是相同的。因此,為了產生具有給定線性度的相對較小振幅的Y掃描訊號,「鯊魚牙」掃描中的Y驅動將需要比X驅動更少的時間以在先前技術「鋸齒」掃描中完整折返。因此,可以減少線切換時間(t2
-t1
= t4
-t3
= t6
-t5
),並且可增加「鋸齒」掃描系統中的掃描速率。
對於掃描期間相同的X掃描訊號的轉換速率,振動(ringing)初始振幅較低。因此,Tact2 112和Tact3 116比Tsca1 12長。因此,「鯊魚牙」掃描系統的掃描率較高。
對於給定的掃描線性度,X掃描訊號的轉換速率,即掃描速率,可能顯著地增加(掃描週期減少)。
或者,對於給定的掃描速率和資料產量,線性度可顯著地改善。
第3圖示出根據本發明的實施例的先前技術的X掃描訊號181和X掃描訊號182。第4圖示出先前技術的X掃描訊號頻譜內容191和根據本發明的實施例的X掃描訊號頻譜內容192。
在高達1.3MHz頻率X掃描訊號182具有比先前技術的X掃描訊號181較低的功率含量。因此,為了重現X掃描訊號182,系統可有具有帶寬的掃描類比路徑(scan analog path),其帶寬窄於「鋸齒」訊號。這些效益可用於一些方式,用於顯著地改善線性度或顯著地增加掃描率或適度地改善兩者。
因為快速折返部分不存在於「鯊魚牙」掃描之中,對於掃瞄系統類比成效的帶寬和暫態反應可顯著地緩和,或者,掃描週期可顯著地減少(即,掃描率增加)。
具有給定掃描週期和掃描線性度(即,類比成效)的掃描系統將在「鯊魚牙」掃描中提供比「鋸齒」掃描顯著地更高的資料產量。
為了實施具有「鯊魚牙」掃描的SEM系統並且最小化掃描方向相依的失真,必須要實施具有對稱脈衝回應的類比偵測通道。
第5圖示出根據本發明的實施例的系統300和物體100。
系統300是SEM且配置以產生第2圖的X掃描訊號130和Y掃描訊號150。
系統300包括電源310、內部透鏡偵測器362、陽極330、電子槍320、孔340、第一偏向線圈351、第二偏向線圈352、透鏡中偵測器361、物鏡370、電極380、機械台390和控制器333。
電源310饋送電子槍320。
電子槍320產生主要電子波束400。
陽極330提供迫使主要電子波束400向物體100傳播的加速電壓。電極380可以提供減速電壓,減速電壓在電子撞擊到物體100之前降低主要電子波束400的電子能量。
主要電子波束400穿過孔340並沿著第一垂直光軸。
主要電子波束400接著透過第一組偏向線圈。第一組偏向線圈包括四個第一偏向線圈351。第一組偏向線圈實行主要電子波束的兩個偏向 - 向右偏向,並接著是第一反偏向,使得主要電子波束沿著第二垂直光軸離開第一組偏向,該第二垂直光軸位於第一垂直光軸的右側。
主要電子波束400接著透過第二組偏向線圈。第二組偏向線圈包括四個第二偏向線圈352。第二組偏向線圈實行主要電子波束的兩個偏向 - 向左偏向,並接著是第二反偏向,使得主要電子波束沿著第三垂直光軸離開第二組偏向,該第三垂直光軸可與該第一垂直光軸一致(coincide)。
主要電子波束400接著透過形成在透鏡中偵測器361中的孔,並被物鏡370聚焦到物體100上。物鏡370可包括引入電場和磁場的靜電透鏡和磁性透鏡。
從物體100發射的二次電子(由於以主要電子波束400對物體100撞擊的結果)是由透鏡中偵測器361偵測或者是傳播透過透鏡中偵測器的孔,以被第二組偏向線圈向左偏向 - 朝向內部透鏡偵測器362。
除了上述偏向之外,控制器333控制第一組偏向線圈和第二組偏向線圈以執行「鯊魚牙」掃描。例如 - 透過提供如第2圖所示的X掃描訊號和Y掃描訊號。
第6圖圖示根據本發明實施例的方法401。
方法401可包括步驟410、420、430、440、450和460的多次重複。步驟410、420、430、440、450和460導致一對掃描線的掃描。當依照包括許多對掃描線的掃描圖案掃描時 - 步驟410、420、430、440、450和460應重複。
任何重複從步驟410和420開始。步驟410和420之後是步驟430。步驟430之後是步驟440和450。步驟440和450之後是步驟460。
步驟410可以包括沿著第一方向偏向帶電粒子束,從而沿著該對掃描線的第一掃描線掃描物體。
步驟420可包括在掃描物體期間沿著第一掃描線的大部分收集從物體發射的電子。步驟420可以包括產生指示偵測到電子的偵測訊號。
步驟430可包括使帶電粒子束沿著與第一方向垂直的第二方向偏向。
步驟440可包括使帶電粒子束沿著與第一方向相反的第三方向偏向,從而沿著該對掃描線的第二掃描線掃描物體。
步驟450可包括在掃描物體期間沿著第二掃描線的大部分收集從物體發射的電子。步驟450可以包括產生指示偵測到電子的偵測訊號。
步驟460可包括使帶電粒子束沿著與第三方向垂直的第二方向偏向。
步驟420可包括在第一振盪週期期間忽略從物體發射的電子,該第一振盪週期開始於沿著第一方向偏向帶電粒子束的開始處。
步驟440可包括在第二振盪週期期間忽略從物體發射的電子,該第二振盪週期開始於沿著第三方向偏向帶電粒子束的開始處。
第一掃描線的大部分可以是超過第一掃描線的百分之八十、百分之八十五、百分之九十、百分之九十五。
步驟410的偏向以第一掃描率發生。步驟430的偏向以第二掃描率發生。第二掃描率可以等於第一掃描率。第二掃描率可能與第一掃描率不同。
在步驟420和450期間產生的偵測訊號可以被處理以提供SEM圖像。
儘管前面範例涉及SEM,本發明可應用於以帶電粒子束掃描物體的任何系統。這種系統的一個例子是電子束檢查系統。
在前述說明書中,本發明已參照至本發明之實施例的特定範例來描述。然而,很明顯的,各種修改與改變可在其中被完成而不悖離如隨附申請專利範圍中所闡釋之本發明的更寬廣之精神與範疇。
此外,在說明書與申請專利範圍中用語「前」、「後」、「頂部」、「底部」、「上」、「下」等等,若有的話,是用於描述的目的且不必然用於描述永久的相對位置。應理解用語被如此使用是在合適的狀況下可互換的,使得本文描述之發明的實施例,舉例而言,能夠操作於與那些圖示或本文中所描述不同的其他方向中。
如本文所論述之連接可以是適合自或往個別節點、單元或裝置傳輸訊號的任意種類的連接,例如經由中介裝置。因此,除非暗示或是另有說明,連接可,舉例而言,是直接連接或間接連接。連接可被圖示或是描述參照為單一連接、複數個連接、單向連接、或雙向連接。然而,不同實施例可改變連接的實施。例如,可使用分離的單向連接而不是雙向連接,反之亦然。此外,複數個連接可被單一連接取代,其序列地或以時間上選擇地方式傳輸多個訊號。同樣地,攜帶多個訊號的單一連接可被分離到攜帶這些訊號的子集合之各種不同連接。因此,存在許多選項用於傳輸訊號。
儘管在範例中已描述特定導電類型或電位極性,應理解導電類型及電位極性可以是相反的。
本文所述的每個訊號可被設計為正或負邏輯。在負邏輯訊號的情況下,訊號是低態有效,其中邏輯上為真的狀態對應於邏輯位準0。在正邏輯訊號的情況下,訊號是高態有效,其中邏輯上為真的狀態對應於邏輯位準1。需注意本文所述之任何訊號可被設計為負或正邏輯訊號。因此,在替代實施例中,被描述為正邏輯訊號的那些訊號可被實施為負邏輯訊號,且被描述為負邏輯訊號的那些訊號可被實施為正邏輯訊號。
此外,用語「確立」或「設置」與「取消」(或「反確立」或「清除」)在本文中被個別使用當參照至使得訊號、狀態位元、或類似設備使其邏輯上為真或邏輯上為假的狀態。若邏輯上為真的狀態是邏輯位準1,則邏輯上為假的狀態是邏輯位準0。並且若邏輯上為真的狀態是邏輯位準0,則邏輯上為真的狀態是邏輯位準1。
所屬技術領域具有通常知識者將理解在邏輯方塊間的邊界是僅說明性的,且其他的實施例可合併邏輯方塊或電路元件或是在各種邏輯方塊或電路元件上施加功能的替代分解。因此,應理解本文所描繪的架構僅只是示例性的,並且事實上許多其他達成相同功能的架構可被實施。
配置以達成相同功能的任何元件是有效地「相關聯的」,使得所欲之功能被實現。因此,在此任意兩個元件被組合以達成特定功能可被視為彼此「相關聯的」使得所欲的功能被達成,而不論架構或中介元件。同樣地,如此相關聯的任意兩個元件亦可被視為彼此「操作地連接的」,或是「操作地耦合的」,以達成所欲之功能。
此外,所屬技術領域具有通常知識者將理解到在前文所述之操作間的邊界僅是說明性的。多個操作可被結合為單一操作,單一操作可被分散於額外的操作中且操作可至少部分地在時間上重疊地被執行。此外,其他的實施例可包括特定操作的多個實例,且在各種其他實施例中操作的順序可被改變。
又例如,在一個實施例中,所示之範例可被實施為位於單一積體電路上或在相同裝置中之電路。或者,範例可被實施為彼此以適合方式交互連接之任意數量分開的積體電路或分開的裝置。
然而,其他修改、變化和替換亦是可能的。因此,說明書與圖示將被視為說明性的而不是限制意義。
在申請專利範圍中,任何置於括號間之參照符號不應被解釋為限制申請專利範圍。「包括」一詞不排除申請專利範圍中所列之那些以外的其他元件或步驟的存在。此外,如本文所使用之用語「一(a)」或「一(an)」,被定義為一個或更多個。此外,在申請專利範圍中之引介片語的使用例如「至少一個」及「一個或多個」,不應被解釋為暗示由不定冠詞「一(a)」或「一(an)」引介之另一請求項元件限制任意特定請求項包括此引介之發明的請求項元件僅包括一個此元件,即使當相同的請求項包括引介片語「一個或多個」或「至少一個」及不定冠詞例如「一(a)」或「一(an)」。對於定冠詞的使用亦是相同的。除非另有說明,用語例如「第一」和「第二」被用以任意的在這些用語所描述的元件間區別。因此,這些用語不一定意圖指示這些元件的時間或其他優先順序,特定措施被記載於彼此不同的請求項中之純粹事實並不指示這些措施的結合不可被有利的使用。
儘管發明之特定特徵已在本文中說明與描述,許多修改、替換、改變、與均等現將為所屬技術領域具有通常知識者所能想到。因此,應理解隨附申請專利範圍係欲涵蓋所有這些修改與改變為落於本發明之真正精神內。
11‧‧‧持續時間Tscan1
12‧‧‧持續時間Tact1
13‧‧‧振盪週期Tringing1
14‧‧‧週期T1
15‧‧‧持續時間Tretrace1
20‧‧‧X掃描訊號
30‧‧‧X掃描訊號
31‧‧‧振盪
41‧‧‧X掃描訊號振幅A1
42‧‧‧X掃描訊號振幅A2
50‧‧‧Y掃描訊號
51‧‧‧振盪
60‧‧‧Y掃描訊號
71‧‧‧Y掃描訊號振幅B1
72‧‧‧Y掃描訊號振幅B2
81‧‧‧掃描部分
82‧‧‧折返部分
83‧‧‧後掃部分
84‧‧‧閒置部分
100‧‧‧物體
111‧‧‧持續時間Tscan2
112‧‧‧持續時間Tact2
113‧‧‧X振盪週期Tringing2
114‧‧‧累積持續時間T2
116‧‧‧持續時間Tact3
118‧‧‧持續時間Tscan3
119‧‧‧持續時間Tidle
120‧‧‧X掃描訊號
130‧‧‧X掃描訊號
131‧‧‧振盪
150‧‧‧Y掃描訊號
151‧‧‧振盪
160‧‧‧Y掃描訊號
181‧‧‧X掃描訊號
182‧‧‧X掃描訊號
191‧‧‧X掃描訊號頻譜內容
192‧‧‧X掃描訊號頻譜內容
300‧‧‧系統
310‧‧‧電源
320‧‧‧電子槍
330‧‧‧陽極
333‧‧‧控制器
340‧‧‧孔
351‧‧‧第一偏向線圈
352‧‧‧第二偏向線圈
361‧‧‧透鏡中偵測器
362‧‧‧內部透鏡偵測器
370‧‧‧物鏡
380‧‧‧電極
390‧‧‧機械台
400‧‧‧主要電子波束
401‧‧‧方法
410-460‧‧‧步驟
視為本發明的主張標的在本說明書的總結部分被特別地指出與清楚地主張。本發明,然而,對於組織及操作的方法兩者,連同目的、特徵、及其中的優點,可藉由參照至以下實施方式而在與隨附圖式閱讀時最佳地理解,其中:
第1圖示出了各種先前技術的掃描訊號;
第2圖示出了根據本發明的實施例的各種掃描訊號;
第3圖示出了先前技術的掃描訊號和根據本發明的實施例的掃描訊號;
第4圖示出了先前技術的掃描訊號的頻譜內容和根據本發明的實施例的掃描訊號的頻譜內容;
第5圖示出了根據本發明的實施例的系統;和
第6圖示出了根據本發明的實施例的方法。
應理解為了描述的簡單與清晰,圖式中所示的元件並未必然依比例繪製。例如,為了更清楚,一些元件的尺寸可能相對於其他元件被誇大。此外,在認為適當時,元件符號在圖式上可被重複以指示相對應或類似的元件。
國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無
國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
11‧‧‧持續時間Tscan1
12‧‧‧持續時間Tact1
13‧‧‧振盪週期Tringing1
14‧‧‧週期T1
15‧‧‧持續時間Tretrace1
20‧‧‧X掃描訊號
30‧‧‧X掃描訊號
31‧‧‧振盪
41‧‧‧X掃描訊號振幅A1
50‧‧‧Y掃描訊號
51‧‧‧振盪
60‧‧‧Y掃描訊號
71‧‧‧Y掃描訊號振幅B1
Claims (6)
- 一種用於以一帶電粒子束掃描一物體的方法,該方法包括以下步驟:對於多對掃描線中的每對掃描線,重複以下步驟:沿著一第一方向偏向該帶電粒子束,從而沿著該對掃描線的一第一掃描線掃描該物體;在該掃描該物體期間沿著該第一掃描線的一大部分收集自該物體發射的電子;沿著與該第一方向垂直的一第二方向偏向該帶電粒子束;沿著與該第一方向相反的一第三方向偏向該帶電粒子束,從而沿著該對掃描線的一第二掃描線掃描該物體;在該掃描該物體期間沿著該第二掃描線的一大部分收集自該物體發射的電子;沿著與該第三方向垂直的該第二方向偏向該帶電粒子束;及使用在沿著該第一掃描線的該掃描和在沿著該第二掃描線的該掃描的期間所產生的偵測訊號來形成該物體的一圖像,其中:該物體的該圖像不使用從一第一振盪週期的一第一部分的偵測訊號來形成,該第一振盪週期的 該第一部分開始於沿著該第一方向的該帶電粒子束的該偏向的一開始處,其中該第一振盪週期的該第一部分的一持續時間大於零且小於該第一掃描線的一持續時間的百分之十;該物體的該圖像使用從該第一振盪週期的一第二部分的偵測訊號來形成,該第一振盪週期的該第二部分從該第一振盪週期的該第一部分的一結束處延伸至該第一振盪週期的一結束處,其中該第一振盪週期的該第二部分的一持續時間大於零;該物體的該圖像使用從該第一掃描線的一非振盪週期的偵測訊號來形成,該第一掃描線的該非振盪週期從該第一振盪週期的該結束處延伸至該第一掃描線的一結束處,其中該第一振盪週期的該第二部分的一持續時間加上該第一掃描線的該非振盪週期的一持續時間超過該第一掃描線的該持續時間的百分之九十;該物體的該圖像不使用從一第二振盪週期的一第一部分的偵測訊號來形成,該第二振盪週期的該第一部分開始於沿著該第三方向的該帶電粒子束的該偏向的一開始處,其中該第二振盪週期的該第一部分的一持續時間大於零且小於該第二掃 描線的一持續時間的百分之十;該物體的該圖像使用從該第二振盪週期的一第二部分的偵測訊號來形成,該第二振盪週期的該第二部分從該第二振盪週期的該第一部分的一結束處延伸至該第二振盪週期的一結束處,其中該第一振盪週期的該第二部分的一持續時間大於零;且該物體的該圖像使用從該第二掃描線的一非振盪週期的偵測訊號來形成,該第二掃描線的該非振盪週期從該第二振盪週期的該結束處延伸至該第二掃描線的一結束處,其中該第二振盪週期的該第二部分的一持續時間加上該第二掃描線的該非振盪週期的一持續時間超過該第二掃描線的該持續時間的百分之九十。
- 如請求項1所述之方法,其中該帶電粒子束沿著該第一方向的該偏向是以一第一掃描率發生;且其中該帶電粒子束沿著該第三方向的該偏向是以第二掃描率發生,該第二掃描率與該第一掃描率相等。
- 如請求項1所述之方法,其中該帶電粒子束沿著該第一方向的該偏向是以一第一掃描率發生;且其中該帶電粒子束沿著該第三方向的該偏向是以第二掃描率發生,該第二掃描率與該第一掃描率不同。
- 一種用於掃描一物體的系統,包括:一帶電粒子源,該帶電粒子源經配置以產生一帶電粒子束;偏向線圈,該等偏向線圈經配置以偏向該帶電粒子束;一物鏡,該物鏡經配置以將該帶電粒子束聚焦於該物體上;一偵測器,該偵測器經配置以偵測自該物體發射的電子;一處理器,該處理器經配置以使用從該偵測器的偵測訊號來形成該物體的一圖像;及一控制器,該控制器經配置以藉由對於多對掃描線中的每對掃描線,重複以下步驟,來掃描該物體:沿著一第一方向偏向該帶電粒子束,從而沿著該對掃描線的一第一掃描線掃描該物體;在該掃描該物體期間沿著該第一掃描線的一大部分收集自該物體發射的電子;沿著與該第一方向垂直的一第二方向偏向該帶電粒子束;沿著與該第一方向相反的一第三方向偏向該帶電粒子束,從而沿著該對掃描線的一第二掃描線掃描該物體; 在該掃描該物體期間沿著該第二掃描線的一大部分收集自該物體發射的電子;沿著與該第三方向垂直的該第二方向偏向該帶電粒子束;及使用在沿著該第一掃描線的該掃描和在沿著該第二掃描線的該掃描的期間所產生的偵測訊號來形成該物體的一圖像,其中:該物體的該圖像不使用從一第一振盪週期的一第一部分的偵測訊號來形成,該第一振盪週期的該第一部分開始於沿著該第一方向的該帶電粒子束的該偏向的一開始處,其中該第一振盪週期的該第一部分的一持續時間大於零且小於該第一掃描線的一持續時間的百分之十;該物體的該圖像使用從該第一振盪週期的一第二部分的偵測訊號來形成,該第一振盪週期的該第二部分從該第一振盪週期的該第一部分的一結束處延伸至該第一振盪週期的一結束處,其中該第一振盪週期的該第二部分的一持續時間大於零;該物體的該圖像使用從該第一掃描線的一非振盪週期的偵測訊號來形成,該第一掃描線的該非振盪週期從該第一振盪週期的該結束處延伸至該 第一掃描線的一結束處,其中該第一振盪週期的該第二部分的一持續時間加上該第一掃描線的該非振盪週期的一持續時間超過該第一掃描線的該持續時間的百分之九十;該物體的該圖像不使用從一第二振盪週期的一第一部分的偵測訊號來形成,該第二振盪週期的該第一部分開始於沿著該第三方向的該帶電粒子束的該偏向的一開始處,其中該第二振盪週期的該第一部分的一持續時間大於零且小於該第二掃描線的一持續時間的百分之十;該物體的該圖像使用從該第二振盪週期的一第二部分的偵測訊號來形成,該第二振盪週期的該第二部分從該第二振盪週期的該第一部分的一結束處延伸至該第二振盪週期的一結束處,其中該第一振盪週期的該第二部分的一持續時間大於零;且該物體的該圖像使用從該第二掃描線的一非振盪週期的偵測訊號來形成,該第二掃描線的該非振盪週期從該第二振盪週期的該結束處延伸至該第二掃描線的一結束處,其中該第二振盪週期的該第二部分的一持續時間加上該第二掃描線的該非振盪週期的一持續時間超過該第二掃描線的該 持續時間的百分之九十。
- 如請求項4所述之系統,其中該控制器經配置以以一第一掃描率沿著該第一方向偏向該帶電粒子束並以一第二掃描率沿著該第三方向偏向該帶電粒子束,該第二掃描率與該第一掃描率相等。
- 如請求項4所述之系統,其中該控制器經配置以以一第一掃描率沿著該第一方向偏向該帶電粒子束並以一第二掃描率沿著該第三方向偏向該帶電粒子束,該第二掃描率與該第一掃描率不同。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US15/134,324 US9881765B2 (en) | 2016-04-20 | 2016-04-20 | Method and system for scanning an object |
US15/134,324 | 2016-04-20 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201801125A TW201801125A (zh) | 2018-01-01 |
TWI723154B true TWI723154B (zh) | 2021-04-01 |
Family
ID=60089661
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW106113073A TWI723154B (zh) | 2016-04-20 | 2017-04-19 | 用於掃描物體的方法及系統 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9881765B2 (zh) |
JP (1) | JP7277070B2 (zh) |
TW (1) | TWI723154B (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 2016-04-20 US US15/134,324 patent/US9881765B2/en active Active
-
2017
- 2017-04-19 TW TW106113073A patent/TWI723154B/zh active
- 2017-04-20 JP JP2017083311A patent/JP7277070B2/ja active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201801125A (zh) | 2018-01-01 |
US9881765B2 (en) | 2018-01-30 |
JP2017195184A (ja) | 2017-10-26 |
JP7277070B2 (ja) | 2023-05-18 |
US20170309439A1 (en) | 2017-10-26 |
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