TWI722402B - 螢光劑裝置 - Google Patents

Abstract

本案係關於一種螢光劑裝置，適用於發出第一波段光之光源系統，螢光劑裝置包括基板及螢光層。螢光層形成於基板，以將第一波段光轉換為第二波段光，且螢光層包括第一螢光劑及第二螢光劑。第一螢光劑將第一波段光轉換為第一色光，其中第一色光具有第一波長峰值。第二螢光劑分布於第一螢光劑之間且與第一螢光劑混合，且將第一波段光轉換為第二色光，其中第二色光具有第二波長峰值。第一色光及第二色光係整合為第二波段光，且第一波長峰值與第二波長峰值之差值係介於50至100奈米。藉此，以達到增加特定色光之純度、亮度及發光強度之功效。

Description

螢光劑裝置

本案係關於一種螢光劑裝置，尤指一種適用於光源系統之螢光劑裝置。

近年來，各式各樣的投影設備，例如投影機(Projector)已被廣泛地應用於家庭、學校或者各種商務場合中，以用於將一影像訊號源所提供之影像訊號放大顯示於屏幕。為節省電力消耗以及縮小裝置體積，目前的投影設備之光源系統(Illumination System)已使用固態發光元件，例如發光二極體或雷射元件，來取代傳統的高密度氣體放電燈(HID Lamp)或高壓汞燈。

投影設備之光源系統需能發出紅光、綠光、藍光(R、G、B)等三原色光。其中，對於發出紅光之架構，目前大多係使用固態發光元件發出一激發光至塗佈有黃色螢光劑之波長轉換裝置(例如螢光劑色輪)，並經由濾光片濾光後，以獲得所需之紅光。然而，於此架構下，所取得的紅光純度不佳，且轉換效率亦不佳。

於另一常見之架構中，係由固態發光元件發出激發光至塗佈有紅色螢光劑之波長轉換裝置，藉此以發出紅光，但此架構之光熱穩定性較差。 此外，亦可使用固態發光元件直接發出紅光雷射，以取得高純度之紅光，然其造價昂貴，且需要另外設置冷卻系統，所需成本較高。

故此，如何發展一種有別於往的螢光劑裝置，以改善習知技術中的問題與缺點，實為目前技術領域中的重點課題。

本案之主要目的為提供一種螢光劑裝置，俾解決並改善前述先前技術之問題與缺點。

本案之另一目的為提供一種螢光劑裝置，其螢光層包括混合之第一螢光劑及第二螢光劑，藉由將第一波段光轉換為由特定波長峰值之第一色光及第二色光整合所得之第二波段光，以達到增加特定色光之純度、亮度及發光強度之功效。

本案之另一目的為提供一種螢光劑裝置，透過採用出光之波長峰值在特定範圍內之第一螢光劑，以減少其出光被第二螢光劑作為吸收光譜所吸收，並提升轉換效率，增加特定色光之純度及發光強度，且具有良好之熱穩定性。

本案之另一目的為提供一種螢光劑裝置，透過採用出光之波長峰值在特定範圍內之第二螢光劑，且其具有較高之流明係數，藉此能有效提升特定色光之亮度及純度。

為達上述目的，本案之一較佳實施態樣為提供一種螢光劑裝置，適用於光源系統，光源系統發出第一波段光，螢光劑裝置包括基板以及螢光層。螢光層係形成於該基板，以將第一波段光轉換為第二波段光，螢光層包 括第一螢光劑以及第二螢光劑。第一螢光劑將第一波段光轉換為第一色光，其中第一色光具有第一波長峰值。第二螢光劑分布於第一螢光劑之間且與第一螢光劑混合，第二螢光劑將第一波段光轉換為第二色光，其中第二色光具有第二波長峰值。其中，第一色光及第二色光係整合為第二波段光，且第一波長峰值與第二波長峰值之差值係大於或等於50奈米，且小於或等於100奈米。

為達上述目的，本案之另一較佳實施態樣為提供一種螢光劑裝置，適用於光源系統，光源系統發出第一波段光，螢光劑裝置包括基板以及螢光層。螢光層係形成於基板，以將第一波段光轉換為第二波段光，螢光層包括第一螢光劑以及第二螢光劑。第一螢光劑將該第一波段光轉換為一第一色光，其中第一色光具有第一波長峰值。第二螢光劑分布於第一螢光劑之間且與第一螢光劑混合，第二螢光劑將第一波段光轉換為第二色光，其中第二色光具有第二波長峰值。其中，第一色光及第二色光係整合為第二波段光，第二波段光之波長峰值係介於第一波長峰值與第二波長峰值之間，且第一螢光劑與第二螢光劑之重量之比值為2至15。

為達上述目的，本案之另一較佳實施態樣為提供一種螢光劑裝置，適用於光源系統，光源系統發出第一波段光，螢光劑裝置包括基板以及螢光層。螢光層係形成於基板，以將第一波段光轉換為第二波段光，螢光層包括第一螢光劑以及第二螢光劑。第一螢光劑將第一波段光轉換為第一色光，其中第一色光具有第一波長峰值。第二螢光劑分布於第一螢光劑之間且與第一螢光劑混合，第二螢光劑將第一波段光轉換為第二色光，其中第二色光具有第二波長峰值。其中，第一色光及第二色光係整合為第二波段光，其中第一波長峰值係大於或等於540奈米，且小於或等於570奈米，第二波長峰值係大於或等於600奈米，且小於或等於640奈米。

為達上述目的，本案之另一較佳實施態樣為提供一種螢光劑裝置，適用於光源系統，光源系統發出第一波段光，螢光劑裝置包括基板以及螢光層。螢光層係形成於基板，以將第一波段光轉換為第二波段光，螢光層包括第一螢光劑以及第二螢光劑。第一螢光劑將第一波段光轉換為第一色光，第二螢光劑，分布於第一螢光劑之間且與第一螢光劑混合，第二螢光劑將第一波段光轉換為第二色光，其中，第一色光及第二色光係整合為第二波段光，第一色光之光譜範圍與第二色光之光譜範圍係至少部分地重疊，且第一色光之光譜的半高寬係小於120奈米，第二色光之光譜的半高寬係小於90奈米。

1:螢光劑裝置

2:光源系統

10:基板

101:第一區段

102:第二區段

103:第三區段

11:螢光層

Y、Y1、Y2、Y3、Y4、Y5:第一螢光劑

R、R1、R2、R3、R4、R5:第二螢光劑

12:反射層

13:第三螢光劑

L1:第一波段光

L2:第二波段光

C1:第一色光

C2:第二色光

第1A圖係顯示本案一實施例之螢光劑裝置及其適用之光源系統之示意圖。

第1B圖係顯示第1A圖所示之螢光劑裝置之結構示意圖。

第2圖係顯示本案一實施例之螢光劑裝置之第一螢光劑及第二螢光劑之吸收光譜與發光光譜示意圖。

第3A圖係顯示本案另一實施例之螢光劑裝置及其適用之光源系統之示意圖。

第3B圖係顯示第3A圖所示之螢光劑裝置之結構示意圖。

第4A圖係顯示不同實施例之第一螢光劑之發光光譜示意圖。

第4B圖係顯示不同實施例之第一螢光劑與第二螢光劑混合之發光光譜示意圖。

第5A圖係顯示於低瓦數下不同實施例之摻雜Ce之第一螢光劑之發光光譜示意圖。

第5B圖係顯示於高瓦數下不同實施例之摻雜Ce之第一螢光劑之發光光譜示意圖。

第6圖係顯示第一螢光劑及不同實施例之第二螢光劑之發光光譜示意圖。

第7A圖係顯示本案一實施例之螢光劑裝置之結構示意圖。

第7B圖係顯示本案另一實施例之螢光劑裝置之結構示意圖。

第7C圖係顯示本案另一實施例之螢光劑裝置之結構示意圖。

體現本案特徵與優點的一些典型實施例將在後段的說明中詳細敘述。應理解的是本案能夠在不同的態樣上具有各種的變化，其皆不脫離本案的範圍，且其中的說明及圖示在本質上係當作說明之用，而非架構於限制本案。

請參閱第1A圖、第1B圖及第2圖，其中第1A圖係顯示本案一實施例之螢光劑裝置及其適用之光源系統之示意圖，第1B圖係顯示第1A圖所示之螢光劑裝置之結構示意圖，以及第2圖係顯示本案一實施例之螢光劑裝置之第一螢光劑及第二螢光劑之吸收光譜與發光光譜示意圖。如第1A圖、第1B圖及第2圖所示，本案之螢光劑裝置1適用於一光源系統2，其中光源系統2發出一第一波段光L1。螢光劑裝置1包括基板10及螢光層11，其中基板10係為反射式基板。螢光層11係形成於基板10，以將第一波段光L1轉換為第二波段光L2。其中，第一波段光L1為例如但不限於藍光或紫外光，且第二波段光L2為例如但不限於橘光，此外該基板10也可以為不具光學性質之基板，例如陶瓷基板等可以載設螢光層11之材料。

螢光層11係包括第一螢光劑Y及第二螢光劑R。第一螢光劑Y將第一波段光L1轉換為第一色光C1，其中第一色光C1所呈現的光譜具有一特定波長範圍並包含第一波長峰值。第二螢光劑R的成分係分布於第一螢光劑Y之間且與第一螢光劑Y混合，第二螢光劑R將第一波段光L1轉換為第二色光C2，其中第二色光C2在光譜上也具有一特定波長範圍並包含第二波長峰值。第一色光C1及第二色光C2係整合為第二波段光L2，第一波長峰值與第二波長峰值之差值係大於或等於50奈米，且小於或等於100奈米。其中，第二波段光L2之波長峰值係介於第一色光C1之第一波長峰值與第二色光C2之第二波長峰值之間。要說明的是，圖示中的第一色光C1與第二色光C2分開表示並往行進方向匯聚是為表達整合為第二波段光L2之示意，換言之，第二波段光L2指的就是從螢光劑裝置1所發出的第一色光C1與第二色光C2之整體。

在此實施例以及後續的實施例中，第一螢光劑Y係為例如黃色螢光劑，且係為YAG(yttrium aluminum garnet)材料，以將第一波段光轉換為呈黃光之第一色光C1。第二螢光劑R係為例如紅色螢光劑，且係可包括氮化物螢光材料，以將第一波段光轉換為呈紅光之第二色光C2。呈黃光之第一色光C1與呈紅光之第二色光C2係整合為呈橘光之第二波段光L2，其中第一色光C1之光譜範圍與第二色光C2之光譜範圍係至少部分地重疊。藉此，可使光源系統2經過濾光後輸出的紅光之純度、亮度及發光強度提升。於一些實施例中，經第一螢光劑Y轉換所發出之第一色光C1之光譜的半高寬(full width at half maximum，或稱FWHM)係小於120奈米，且經第二螢光劑R轉換所發出之第二色光C2之光譜的半高寬係小於90奈米，藉此以獲得較高之出光純度，但並不以此為限。

於一些實施例中，第二螢光劑R係可以平均分佈或梯度分佈之方式分佈於第一螢光劑Y之間，或者，第二螢光劑R係可透過一混合方法與第一螢光劑Y混合為一混合物。其中，第一螢光劑Y與第二螢光劑R之重量之比值較佳為2至15，以有效提升光源系統2經過濾光後輸出的紅光之純度、亮度及發光強度，然並不以此為限。

於一些實施例中，螢光劑裝置1更可包括反射層12，係設置於基板10與螢光層11之間，以反射至少該第二波段光L2。於一些實施例中，反射層12可為例如但不限於由SiO₂、TiO₂、Al₂O₃、ZrO₂、ZnO或BN等無機金屬氧化物粒子或者白膠所構成之漫反射層，以增加整體之出光效率，其中漫反射層之厚度為例如但不限於20至150微米。於一些實施例中，反射層12係具有針對第二色光C2之反射率大於鋁對於第二色光C2之反射率之反射頻譜，以提升第二色光C2之出光強度，其中反射層12為例如但不限於為介電膜層。

請參閱第3A圖及第3B圖，其中第3A圖係顯示本案另一實施例之螢光劑裝置及其適用之光源系統之示意圖，以及第3B圖係顯示第3A圖所示之螢光劑裝置之結構示意圖。如第3A圖及第3B圖所示，本案之螢光劑裝置1適用於一光源系統2，其中光源系統2發出一第一波段光L1。螢光劑裝置1包括基板10及螢光層11，其中基板10係為穿透式基板。螢光層11係形成於基板10，以將第一波段光L1轉換為由第一色光C1及第二色光C2整合所得之第二波段光L2，其中螢光層11及各色光係與前述實施例相同，故於此不再贅述。於此實施例中，螢光劑裝置1更可包括反射層12，係設置於基板10與螢光層11之間，以反射至少該第二波段光L2。於一些實施例中，反射層12係為分光層，以反射至少第一色光C1及 第二色光C2，或是與第二波段光L2具有相同波長範圍之色光，然並不以此為限，實際上分光層12當然可視情況設計其欲反射的波長範圍。

換言之，本案係提供一種螢光劑裝置，其螢光層包括混合之第一螢光劑及第二螢光劑，藉由將第一波段光轉換為由特定波長峰值之第一色光及第二色光整合所得之第二波段光，以達到增加紅光之純度、亮度及發光強度之功效。

請參閱第2圖、第4A圖及第4B圖，其中第4A圖係顯示不同實施例之第一螢光劑之發光光譜示意圖，第4B圖係顯示不同實施例之第一螢光劑與第二螢光劑混合之發光光譜示意圖。如第2圖、第4A圖及第4B圖所示，經第一螢光劑Y轉換所發出之第一色光C1中，部分的出光會被第二螢光劑R作為吸收光譜使用，因此，為了減少出光被第二螢光劑R所吸收，需要選擇出光之波段較長之第一螢光劑Y，以與第二螢光劑R進行混合。

提供所發出之第一色光C1為不同波段長度之第一螢光劑Y1、Y2及Y3，其中，出光之波長峰值為Y1<Y2<Y3，如第4A圖所示。並且，將第一螢光劑Y1、Y2及Y3分別與第二螢光劑R混合，於色點Rx=0.670所得之紅光出光強度與未與第二螢光劑R混合之第一螢光劑Y1之紅光出光強度對比之出光效率係如第4B圖及下表1所示。根據測試結果，選擇發出第一色光C1之波段與波長峰值較長之第一螢光劑Y3，與第二螢光劑R進行混合，可得到強度及純度較高之紅光。

請參閱第5A圖及第5B圖，其中第5A圖係顯示於低瓦數下不同實施例之摻雜Ce之第一螢光劑之發光光譜示意圖，以及第5B圖係顯示於高瓦數下不同實施例之摻雜Ce之第一螢光劑之發光光譜示意圖。於一些實施例中，第一螢光劑Y係可包括摻雜Ce之YAG材料(Y₃Al₅O₁₂)。其中，Ce摻雜量增加，係可使第一螢光劑Y之發光光譜紅移，即使得發出之第一色光C1之波段的波長峰值較長，藉此可以減少出光被第二螢光劑R所吸收。然而，Ce摻雜量增加，缺陷區域亦隨之增加，會因此而造成熱穩定性變差。

提供因Ce摻雜量不同而使得所發出之第一色光C1為不同波段長度之第一螢光劑Y4及Y5，其中，Ce摻雜量為Y4>Y5，出光之波長峰值為Y4>Y5。並且，將第一螢光劑Y4及Y5分別應用於低瓦數(約100瓦)及高瓦數(約200瓦)之架構。根據測試結果，於低瓦數且熱影響低的情況下，如第5A圖所示，所得之波長為約600nm以上之紅光強度係為Y5小於Y4約20%；且於高瓦數下且熱影響高的情況下，如第5B圖所示，所得之波長為約600nm以上之紅光強度係為Y4小於Y5約10%。也就是說，於低瓦數下，可選用Ce摻雜量較多且所發出之第一色光C1之波段及波長峰值較長的第一螢光劑Y；而於高瓦數下，由於需考量缺陷造成的熱影響，第一螢光劑Y中不應摻雜過多之Ce，故選用之第一螢光劑Y所發出之第一色光C1之波段及波長峰值之長度具有上限。

經考量波段長度、Ce摻雜量以及光瓦數等因素對於紅光之強度與純度之影響，較佳地係選用發出之色光之波長峰值係介於540奈米至570奈米 之第一螢光劑Y，即第一色光C1之第一波長峰值係大於或等於540奈米，且小於或等於570奈米。最佳地係選用發出之色光之波長峰值係介於550奈米至560奈米之第一螢光劑Y，即第一色光C1之第一波長峰值係大於或等於550奈米，且小於或等於560奈米。

易言之，本案係提供一種螢光劑裝置，透過採用出光之波長峰值在特定範圍內之第一螢光劑，以減少其出光被第二螢光劑作為吸收光譜所吸收，並提升轉換效率，增加紅光之純度及發光強度，且具有良好之熱穩定性。

根據視效響應，人眼視覺對顏色的刺激，不同波段之色光所產生的亮度效益是不一樣的，其中又以黃綠光之流明係數為最高。提供所發出之第二色光C2為不同波段之第二螢光劑R1及R2，所得到之出光表現係如下表2所示。根據測試結果，兩者所發出的光瓦數幾乎相同，但在亮度上的表現則有約10%的差異，主要就是流明係數的影響。換言之，選擇發出之第二色光C2之波段長度較接近黃綠光之第二螢光劑R1，與第一螢光劑Y進行混合，可得到較高之紅光亮度。

請參閱第6圖，第6圖係顯示第一螢光劑及不同實施例之第二螢光劑之發光光譜示意圖。提供所發出之第二色光C2為不同波段長度之第二螢光 劑R3、R4及R5，其中，出光之波長峰值為R3<R4<R5。第一螢光劑Y與第二螢光劑R3、R4及R5之出光強度及出光效率係如第6圖及下表3所示，其中表3所示的「色點x」及「色點y」係指CIE xy色彩空間中的x座標值及y座標值。根據測試結果，出光之波長峰值接近600奈米之第二螢光劑R3，其紅光強度較低，且出光之波長峰值接近640奈米之第二螢光劑R5，其紅光亮度較低。

經考量流明係數及波段長度等因素對於紅光之亮度與純度之影響，較佳地係選用發出之色光之波長峰值係介於600奈米至640奈米之第二螢光劑R，即第二色光C2之第二波長峰值係大於或等於600奈米，且小於或等於640奈米。最佳地係選用發出之色光之波長峰值係介於600奈米至630奈米之第二螢光劑R，即第二色光C2之第二波長峰值係大於或等於600奈米，且小於或等於630奈米。

換言之，本案係提供一種螢光劑裝置，透過採用出光之波長峰值在特定範圍內之第二螢光劑，且其具有較高之流明係數，藉此能有效提升紅光之亮度以及純度。

透過選用發出之第一色光C1之第一波長峰值介於540至570奈米之第一螢光劑Y，以及發出之第二色光C2之第二波長峰值介於600至640奈米之第二螢光劑R，並將第一螢光劑Y與第二螢光劑R混合且形成於厚度為100 毫米之鋁基板，於色點Rx=0.670且不同之入射光瓦數下進行紅光強度測試，並與習知技術中使用黃色螢光劑所得之紅光強度進行比較，結果係如下表4所示。由測試結果可知，採用出光之波長峰值在特定範圍內之第一螢光劑Y與第二螢光劑R進行混合，可以有效提升紅光之出光強度。

請參閱第7A圖、第7B圖及第7C圖，並配合第1A圖、第1B圖、第3A圖及第3B圖，其中第7A圖係顯示本案一實施例之螢光劑裝置之結構示意圖，第7B圖係顯示本案另一實施例之螢光劑裝置之結構示意圖，以及第7C圖係顯示本案另一實施例之螢光劑裝置之結構示意圖。於一些實施例中，如第7A圖所示，螢光劑裝置1係為例如螢光粉色輪，其中基板10係包括第一區段101，且包括第一螢光劑Y及第二螢光劑R之螢光層11係形成於第一區段101，以將第一波段光L1轉換為第二波段光L2。其中，第一波段光L1係為藍光或紫外光，第二波段光L2係為橘光，第一螢光劑Y係為黃色螢光劑，且第二螢光劑R係為紅色螢光劑，然皆不以此為限。於一些實施例中，更可於基板10上製作立體結構，以增加熱擾流並提升紅光之出光效率。

於一些實施例中，如第7B圖所示，螢光劑裝置1更進一步包括第三螢光劑13，用以將第一波段光L1轉換為第三波段光。基板10係包括第一區段101及第二區段102，包括第一螢光劑Y及第二螢光劑R之螢光層11係形 成於第一區段101，以將第一波段光L1轉換為第二波段光L2，且第三螢光劑13係形成於第二區段102，以將第一波段光L1轉換為第三波段光。其中，第一波段光L1係為藍光或紫外光，第二波段光L2係為橘光，第三波段光係為綠光或黃綠光，第一螢光劑Y係為黃色螢光劑，第二螢光劑R係為紅色螢光劑，且第三螢光劑13係為綠色螢光劑或黃綠色螢光劑，然皆不以此為限。

於一些實施例中，如第7C圖所示，基板10更進一步包括第三區段103，且第三區段103為一反射區段或透射區段，用以直接反射或透射第一波段光L1。其中，透射區段例如為鏤空結構或為一玻片塗佈有使第一波段光L1可透過之光學膜，然並不以此為限。

綜上所述，本案係提供一種螢光劑裝置，其螢光層包括混合之第一螢光劑及第二螢光劑，藉由將第一波段光轉換為由特定波長峰值之第一色光及第二色光整合所得之第二波段光，以達到增加特定色光之純度、亮度及發光強度之功效。並且，透過採用出光之波長峰值在特定範圍內之第一螢光劑，以減少其出光被第二螢光劑作為吸收光譜所吸收，並提升轉換效率，增加特定色光之純度及發光強度，且具有良好之熱穩定性。以及，透過採用出光之波長峰值在特定範圍內之第二螢光劑，且其具有較高之流明係數，藉此能有效提升特定色光之亮度及純度。

縱使本發明已由上述之實施例詳細敘述而可由熟悉本技藝之人士任施匠思而為諸般修飾，然皆不脫如附申請專利範圍所欲保護者。

1:螢光劑裝置

10:基板

11:螢光層

12:反射層

Y:第一螢光劑

R:第二螢光劑

L1:第一波段光

C1:第一色光

C2:第二色光

Claims (16)

1. 一種螢光劑裝置，適用於一光源系統，該光源系統發出一第一波段光，該螢光劑裝置包括：一基板；一螢光層，係形成於該基板，以將該第一波段光轉換為一第二波段光，該螢光層包括：一第一螢光劑，將該第一波段光轉換為一第一色光，其中該第一色光具有一第一波長峰值；以及一第二螢光劑，分布於該第一螢光劑之間且與該第一螢光劑混合，該第二螢光劑將該第一波段光轉換為一第二色光，其中該第二色光具有一第二波長峰值；以及一反射層，設置於該基板與該螢光層之間，以反射該第二波段光，其中該反射層為一漫反射層，且該漫反射層係由無機金屬氧化物粒子或者白膠所構成；其中，該第一色光及該第二色光係整合為該第二波段光，且該第一波長峰值與該第二波長峰值之差值係大於或等於50奈米，且小於或等於100奈米。
2. 如申請專利範圍第1項所述之螢光劑裝置，其中該第二波段光之波長峰值係介於該第一波長峰值與該第二波長峰值之間。
3. 如申請專利範圍第1項所述之螢光劑裝置，其中該第一波長峰值係大於或等於540奈米，且小於或等於570奈米。
4. 如申請專利範圍第1項所述之螢光劑裝置，其中該第二波長峰值係大於或等於600奈米，且小於或等於640奈米。
5. 如申請專利範圍第1項所述之螢光劑裝置，其中該第一螢光劑為黃色螢光劑，且該第二螢光劑為紅色螢光劑。
6. 如申請專利範圍第5項所述之螢光劑裝置，其中該第一螢光劑係包括摻雜Ce之YAG材料。
7. 如申請專利範圍第5項所述之螢光劑裝置，其中該第一螢光劑與該第二螢光劑之重量之比值為2至15。
8. 如申請專利範圍第1項所述之螢光劑裝置，其中該反射層具有針對該第二色光之反射率大於鋁對於該第二色光之反射率之反射頻譜。
9. 如申請專利範圍第1項所述之螢光劑裝置，更包括一第三螢光劑，用以將該第一波段光轉換為一第三波段光，且其中該基板係包括一第一區段及一第二區段，該螢光層係形成於該第一區段，且該第三螢光劑係形成於該第二區段。
10. 如申請專利範圍第9項所述之螢光劑裝置，其中該第一螢光劑為黃色螢光劑，該第二螢光劑為紅色螢光劑，且該第三螢光劑為綠色螢光劑或黃綠色螢光劑。
11. 如申請專利範圍第9項所述之螢光劑裝置，其中該基板更包括一第三區段，且該第三區段為一反射區段或透射區段，用以直接反射或透射該第一波段光。
12. 一種螢光劑裝置，適用於一光源系統，該光源系統發出一第一波段光，該螢光劑裝置包括：一基板；一螢光層，係形成於該基板，以將該第一波段光轉換為一第二波段光，該螢光層包括：一第一螢光劑，將該第一波段光轉換為一第一色光，其中該第一色光具有一第一波長峰值；以及一第二螢光劑，分布於該第一螢光劑之間且與該第一螢光劑混合，該第二螢光劑將該第一波段光轉換為一第二色光，其中該第二色光具有一第二波長峰值；以及一反射層，設置於該基板與該螢光層之間，以反射該第二波段光，其中該反射層為一漫反射層，且該漫反射層係由無機金屬氧化物粒子或者白膠所構成；其中，該第一色光及該第二色光係整合為該第二波段光，該第二波段光之波長峰值係介於該第一波長峰值與該第二波長峰值之間，且該第一螢光劑與該第二螢光劑之重量之比值為2至15。
13. 一種螢光劑裝置，適用於一光源系統，該光源系統發出一第一波段光，該螢光劑裝置包括：一基板；一螢光層，係形成於該基板，以將該第一波段光轉換為一第二波段光，該螢光層包括： 一第一螢光劑，將該第一波段光轉換為一第一色光，其中該第一色光具有一第一波長峰值；以及一第二螢光劑，分布於該第一螢光劑之間且與該第一螢光劑混合，該第二螢光劑將該第一波段光轉換為一第二色光，其中該第二色光具有一第二波長峰值；以及一反射層，設置於該基板與該螢光層之間，以反射該第二波段光，其中該反射層為一漫反射層，且該漫反射層係由無機金屬氧化物粒子或者白膠所構成；其中，該第一色光及該第二色光係整合為該第二波段光，其中該第一波長峰值係大於或等於540奈米，且小於或等於570奈米，該第二波長峰值係大於或等於600奈米，且小於或等於640奈米。
14. 一種螢光劑裝置，適用於一光源系統，該光源系統發出一第一波段光，該螢光劑裝置包括：一基板；一螢光層，係形成於該基板，以將該第一波段光轉換為一第二波段光，該螢光層包括：一第一螢光劑，將該第一波段光轉換為一第一色光；以及一第二螢光劑，分布於該第一螢光劑之間且與該第一螢光劑混合，該第二螢光劑將該第一波段光轉換為一第二色光；以及一反射層，設置於該基板與該螢光層之間，以反射該第二波段光，其中該反射層為一漫反射層，且該漫反射層係由無機金屬氧化物粒子或者白膠所構成； 其中，該第一色光及該第二色光係整合為該第二波段光，該第一色光之光譜範圍與該第二色光之光譜範圍係至少部分地重疊，且該第一色光之光譜的半高寬係小於120奈米，該第二色光之光譜的半高寬係小於90奈米。
15. 如申請專利範圍第14項所述之螢光劑裝置，其中該第一螢光劑係包括摻雜Ce之材料，以增長該第一色光之一第一波長峰值。
16. 如申請專利範圍第14項所述之螢光劑裝置，其中該第二色光之一第二波長峰值係大於或等於600奈米，且小於或等於640奈米。

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