TWI720618B - 用於量測高度差之方法、準位感測器系統、及微影裝置 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種準位感測器系統，其具有一氣動感測器、一溫度感測器及一控制器。該氣動感測器具有用於與一參考表面形成一參考間隙之一參考出口及用於與一量測表面形成一量測間隙之一量測出口，其中該氣動感測器經組態以做出一氣動感測器量測，該氣動感測器量測指示出自該參考出口之一氣流與出自該量測出口之一氣流之間的一差。該溫度感測器經組態以做出一溫度量測，該溫度量測指示該參考表面之一溫度及/或該量測表面之一溫度。該控制器經組態以基於該溫度量測來調節該氣動感測器量測以產生一訊號，該訊號指示該參考間隙與該量測間隙之間的一高度差。

Description

用於量測高度差之方法、準位感測器系統、及微影裝置

本說明書係關於一種準位感測器，詳言之，係關於一種在微影裝置中之準位感測器。

微影裝置為經建構以將所要圖案施加至基板上之機器。微影裝置可用於例如積體電路(IC)之製造中。微影裝置可例如將圖案化器件(例如光罩)之圖案(通常亦稱為「設計佈局」或「設計」)投影至設置於基板(例如晶圓)上的一層輻射敏感性材料(抗蝕劑)上。

為將圖案投影於基板上，微影裝置可使用電磁輻射。此輻射之波長決定圖案化於基板上之特徵的最小大小。當前在使用之典型波長為365nm(i線)、248nm、193nm及13.5nm。相比於使用例如具有193nm之波長之輻射的微影裝置，使用具有在4nm至20nm範圍內之波長(例如6.7nm或13.5nm)之極紫外線(EUV)輻射的微影裝置可用以在基板上形成更小特徵。

為在成像期間將輻射正確聚焦於基板上，應製得待成像之基板之表面的拓樸映射。用於量測基板之拓樸映射的光學及電容探測器可 受到與所量測表面下方之基板上之一或多個層的相互作用。在微影中，在成像之前，基板可經塗佈有幾個層，且此等層自一個基板至另一基板並不總為相同的。因此，歸因於製程依賴性，在微影中使用光學或電容探測器量測基板之拓樸映射係有問題的。

氣動感測器並不受到製程依賴性影響。氣動感測器使用流入參考間隙與量測間隙之氣流之間的比較來產生指示參考間隙與量測間隙之間的高度差之訊號。藉由保持參考間隙基本恆定並移動在基板之表面上之量測間隙，可產生映射之表面的高度之變化的映射。此係因為氣流之任何差為間隙之尺寸之差的結果，且不依賴於其表面形貌經量測之基板所經歷的製程。

舉例而言，需提供一種利用其中精確性經改良之氣動感測器的改良準位感測器系統。

根據一態樣，提供一種包含氣動感測器的準位感測器系統，該氣動感測器包含用於與一參考表面形成一參考間隙之一參考出口及用於與一量測表面形成一量測間隙之一量測出口，其中該氣動感測器經組態以做出一氣動感測器量測，該氣動感測器量測指示出自該參考出口之一氣流與出自該量測出口之一氣流之間的一差；一溫度感測器經組態以做出一溫度量測，該溫度量測指示該參考表面之溫度及該量測表面之溫度中之至少一者；且控制器經組態以基於該溫度量測來調節該氣動感測器量測，以產生指示該參考間隙與該量測間隙之間的一高度差之一訊號。

根據一態樣，提供一種方法，該方法包含做出一氣動感測器量測該氣動感測器量測指示出自一氣動感測器之一參考出口的一氣流與出自一氣動感測器之一量測出口的一氣流之間的一差，該氣動感測器在該 參考出口與一參考表面之間形成一參考間隙，且在該量測出口與一量測表面之間形成一量測間隙；做出一溫度量測，該溫度量測指示該參考表面之溫度及該量測表面之溫度中之至少一者；以及基於該溫度量測來調節該氣動感測器量測，以產生指示該參考間隙與該量測間隙之間的一高度差之一訊號。

1:氣動感測器

10:氣動感測器

60:支撐件

100:參考出口

200:量測出口

300:質量流量感測器

400:氣體源

410:共享通道

412:入口

420:流動電阻器

430:第一通道

440:第二通道

452:參考限定器

454:量測限定器

510:溫度感測器

510a:溫度感測器

510b:溫度感測器

700:控制器

B:輻射光束

BD:光束遞送系統

C:目標部分

+C:值

GM:量測間隙

GR:參考間隙

IL:照明器

LA:微影裝置

M1:圖案化器件對準標記

M2:圖案化器件對準標記

MA:光罩

P1:基板對準標記

P2:基板對準標記

PM:第一定位器

PMS:位置感測器

PS:投影系統

PW:第二定位器

R:參考表面

RT:參考溫度

RT1:值

SO:輻射源

T:光罩台

W:基板

WT:晶圓台

現在將參看隨附示意性圖式僅藉助於實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應附圖標記指示對應部件，且在該等圖式中：圖1示意性地描繪微影裝置；圖2示意性地描繪準位感測器系統；且圖3為展示所量測高度差之溫度依賴性的圖。

在本文中，術語「輻射」及「光束」用以涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線輻射(例如具有365nm、248nm、193nm、157nm或126nm之波長)。

如本文中所採用之術語「倍縮光罩」、「光罩」或「圖案化器件」可經廣泛地解譯為係指可用以向入射輻射光束賦予經圖案化橫截面之通用圖案化器件，該經圖案化橫截面對應於待在基板之目標部分中形成之圖案。在此上下文中亦可使用術語「光閥」。除傳統光罩(透射或反射、二元、相移、混合式等)以外，其他此類圖案化器件之實例包括可程式化鏡面陣列及可程式化LCD陣列。

圖1示意性地描繪實施例之微影裝置LA。微影裝置LA包含： - 視情況選用之照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如UV輻射或DUV輻射)；- 支撐結構(例如光罩台)T，其經建構以支撐圖案化器件(例如光罩)MA且連接至經組態以根據某些參數來精確地定位該圖案化器件之第一定位器PM；- 支撐台(例如用以支撐一或多個感測器之感測器台)或基板台或晶圓台WT，其經建構以固持基板(例如塗佈有抗蝕劑之生產基板)W，連接至經組態以根據某些參數來精確地定位例如基板W之台之表面的第二定位器PW；及- 投影系統(例如折射投影透鏡系統)PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如包含晶粒之部分、一或多個晶粒)上。

在操作中，照明器IL例如經由光束遞送系統BD自輻射源SO接收輻射光束。照明系統IL可包括用於導向、塑形及/或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電及/或其他類型之光學組件，或其任何組合。照明器IL可用以調節輻射光束B，以在其圖案化器件MA之平面處的橫截面中具有所要空間及角強度分佈。

本文中所使用之術語「投影系統」PS應廣泛地解譯為涵蓋適於所使用之曝光輻射及/或適於諸如浸潤液體之用途或真空之用途的其他因素之各種類型的投影系統，包括折射、反射、反射折射、合成、磁性、電磁及/或靜電光學系統或其任何組合。本文中對術語「投影透鏡」之任何使用可視為與更一般術語「投影系統」同義。

微影裝置LA可屬於具有兩個或更多個支撐台之類型，例如 兩個或更多個支撐台，或一或多個支撐台與一或多個清潔台、感測器台或量測台之組合。舉例而言，微影裝置LA為包含位於投影系統PS之曝光側處之兩個或更多個台的多載物台裝置，各台包含且/或固持一或多個物件。在一實例中，台中之一或多者可固持輻射敏感性基板。在一實例中，台中之一或多者可固持感測器以量測來自投影系統之輻射。在一實例中，多載物台裝置包含經組態以固持輻射敏感性基板(亦即支撐台)之第一平台及不經組態以固持輻射敏感性基板(大體而言，下文中稱(且不限於)為量測台、感測器台及/或清潔台)的第二平台。第二台可包含且/或可固持除輻射敏感性基板以外之一或多個物件。此類一或多個物件可包括選自以下各者中之一或者：用以量測來自投影系統之輻射之感測器、一或多個對準標記及/或清潔器件(用以清潔例如液體約束結構)。

在操作中，輻射光束B入射至呈現於圖案化器件(例如光罩)MA上之圖案(設計佈局)上，該圖案化器件固持於支撐結構(例如光罩台)T上，且藉由圖案化器件MA圖案化。在已橫穿圖案化器件MA之情況下，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，該投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器PMS(例如干涉器件、線性編碼器、2D編碼器或電容式感測器)，可精確地移動基板台WT，例如以便使不同目標部分C在聚焦且對準位置處定位於輻射光束B之路徑中。類似地，第一定位器PM及另一位置感測器(圖1中未明確地描繪)可用以相對於輻射光束B之路徑精確地定位圖案化器件MA。可使用圖案化器件對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件MA及基板W。儘管如所說明之基板對準標記P1、P2佔據專用目標部分C，但其可位於目標部分C之間的空間中(此等標記稱為切割道對準標記)。

為使基板能夠聚焦成像，產生其表面拓樸(所謂位準感測)之高度映射(拓樸映射)。使用光學或電容探測器量測之高度映射可受到製程依賴性影響。製程依賴性意謂光學或電容探測器之結果將視此前施加於基板之一或多個製程或層而變化。

為解決光學及電容探測器之製程依賴性之問題，可使用氣動感測器。氣動感測器量測基板之表面拓樸。將氣動感測器之結果與光學或電容探測器之結果進行比較以使得可判定製程依賴性。製程依賴性之知識隨後用於校正由光學或電容探測器使用製程依賴性偏移映射量測之基板的高度映射。

現將參看圖2給出氣動感測器10之解釋，該圖說明準位感測器系統1之實例。基本原理為提供出自參考出口100之氣流及出自量測出口200之氣流，該參考出口100與參考表面R(其在此實例中經展示為在經量測表面之支撐下，但如將瞭解而不必展示)形成參考間隙GR，且該量測出口200與量測表面(在所說明之實施例中為基板W的表面)形成量測間隙GM。對於給定氣壓，較大間隙將對氣流具有較低抗性以使得在較大間隙處之氣流將大於在間隙較小時的氣流。氣動感測器10產生氣動感測器量測值，該量測值為指示參考間隙GR與量測間隙GM之間的高度差之訊號。訊號基於出自參考出口100之氣流與出自量測出口200之氣流之差而產生。

在圖2之氣動感測器10中，質量流量感測器300用以判定出自參考出口100之氣流及出自量測值出口200之氣流之間的差。氣體自氣體供應400供應至共享通道410中。視情況，在於入口412處將氣流分為參考側上之第一通道430與量測側上之第二通道440之前，流動電阻器420限 定氣流。理想地，第一通道430及第二通道440中之每一者自共享通道410之入口412接收等份之氣體。參考限定器452及量測限定器454分別將氣流限定於第一通道430及第二通道440中。在實施例中，參考限定器452及量測限定器454幫助確保氣流在第一通道430及第二通道440中相等。

第二通道440終止於量測出口200中，且第一通道430終止於參考出口100中。質量流量感測器300用於量測在第一通道430與第二通道440之間的不同質量流量。為此目的，質量流量感測器300分別在參考限定器452及量測限定器454之下游以及參考出口100及量測出口200之上游的位置處在第一通道430與第二通道440之間流體連通。與量測間隙GM相比，參考間隙GR之大小的差在質量流量感測器300之任一側上產生不同壓力。此壓力差在第一通道430與第二通道440之間產生由質量流量感測器300量測到之不同流量。藉由質量流量感測器300做出之量測的量值指示量測間隙GM與參考間隙GR的大小差，且因此為氣動感測器量測值。

在實施例中，參考間隙GR之大小基本上保持恆定。量測間隙GM之大小的變化隨後導致量測出口200處之壓力的變化，且因此導致第二通道440中之壓力的變化。第二通道440中之壓力的此變化導致藉由質量流量感測器300所做出量測的變化。質量流量之變化的量級可與量測間隙GM之高度的變化相關。

上述準位感測的一個困難為，已發現氣動感測器10對量測表面或參考表面R之溫度變化敏感。此係因為可視參考表面R之溫度或量測表面(在此情形下，基板W之表面)之表面而加熱或冷卻出自參考出口100及量測出口200的氣流。若兩個表面具有相同恆定溫度，則此並不為一困難。然而，參考表面R與基板W之表面之間的溫度之差將導致自量測 出口200及參考出口100排出之氣體具有不同屬性。氣體之不同屬性(例如黏度)將導致藉由質量流量感測器300量測的質量流率之變化，該變化可經記錄為量測間隙GM之量測高度的變化。溫度之差對氣動感測器10增益亦有較小影響，從而導致參考側與量測側之間的氣動感測器量測的非所要差。若量測表面與參考表面R之間的溫度差基本恆定，則此並不為一個較大的問題，且該溫度差可在藉由質量流量感測器300對質量流量之量測值與量測間隙GM之高度或絕對高度之變化的對比期間予以解釋。然而，量測表面或參考表面R之溫度的變化不能如此補償。

圖3說明當參考表面R與參考出口100以及量測出口200與基板W之相對位置保持恆定時，如實驗量測之此現象。基板W之溫度保持恆定，且參考表面R之溫度自如沿x軸標繪的參考溫度RT發散。如可見，y軸上之參考間隙GR與量測間隙GM之間的所量測高度差發生變化。

藉由使用至少一個溫度感測器510、510a、510b，可改良高度之訊號指示的精確性，該至少一個溫度感測器510、510a、510b經組態以做出指示參考表面R之溫度及量測表面之溫度中之至少一者的溫度量測。此藉由視所量測溫度而調節氣動感測器10之輸出來完成。基於溫度量測來調節輸出以產生指示參考間隙GR與量測間隙之間的高度差之訊號，該高度差補償來自參考溫度RT之所量測溫度的任何變化。

在微影裝置中，諸如基板W之所量測表面之溫度可經控制至高精確準位。舉例而言，在經置放至基板台WT上之前，基板W可經置放於基板支撐件60上。基板支撐件60可經熱控制，例如藉由具有用於熱調節流體之一或多個通道或藉由具有一或多個電熱傳遞器件(例如電加熱器)。溫度的變化可只有幾mK左右。然而，限定參考表面R之基板台WT 之頂部表面在此實例中可能並未得到優良熱控制。舉例而言，基板台WT之溫度可極大地變化(與基板W之溫度相比)，例如該溫度可變化高達100mK。參考表面R之溫度的僅100mK之變化可導致量測間隙GM之大小之量測值的10nm之誤差。

在實施例中，準位感測器系統1具備至少一個溫度感測器510、510a、510b。溫度感測器510、510a、510b經組態以做出指示參考表面R之溫度及/或量測表面(例如基板W)之溫度的溫度量測。

在實施例中，溫度感測器510設置於參考間隙GR或量測間隙GM之參考表面R或量測表面側上。在實施例中，溫度感測器510a、510b設置於參考間隙GR或量測間隙GM之氣動感測器10側上。參考間隙GR或量測間隙GM之氣動感測器10側為與參考表面R或量測表面相對的參考間隙GR或量測間隙GM之側。下文進一步描述兩個配置之一或多個優點及/或缺點。

在圖2之上述實施例中，準位感測器系統1用於量測基板W之表面拓樸。然而，準位感測器系統1可用於量測在量測出口200與所量測表面之間形成的任何參考間隙GR與任何量測間隙GM之間的高度差。在此類實施例中，量測表面之溫度可與參考表面R的溫度變化一樣大或更大。因此在此實施例中，至少一個溫度感測器510、510a、510b可量測量測表面之溫度替代參考表面之溫度或除參考表面的溫度之外。

對於僅量測參考表面R之溫度且假設量測表面之溫度恆定的情況，以下將描述準位感測器系統1藉以使用至少一個溫度感測器510、510a、510b之輸出以補償質量流量感測器300之輸出的方式。然而，將顯而易見，在量測表面溫度之情況下可使用相同技術。對於量測表 面及參考表面R兩者之溫度的情況，除實驗產生類似於圖3之圖但其中z軸指示與量測表面之參考溫度的偏差以外，可使用類似的技術。量測表面及參考表面R之參考溫度不需要相同。

準位感測器系統1具備控制器700。控制器700使用氣動感測器10之輸出(其為指示出自參考出口100之氣流與出自量測出口200之氣流之間的差之原始氣動感測器量測值)以產生指示參考間隙GR與量測間隙GM之間的高度差之訊號。控制器700基於溫度感測器510在溫度校正步驟中做出之溫度量測來調節指示參考間隙GR與量測間隙GM之間的高度差之訊號。亦即，控制器700可使用量測溫度與氣動感測器量測值之變化之間的實驗判定之關係(諸如圖3所說明)來校正所量測溫度之原始氣動感測器量測值，且藉此產生指示參考間隙GR與量測間隙GM之間的高度差之訊號，該訊號在精確性上得到改良。舉例而言，若溫度感測器510、510a將參考表面R之溫度判定為值RT1(大於參考溫度RT)，自圖3可見，原始氣動感測器量測值預期比實際情況大+C(因為圖3之關係恰巧為線性的，儘管未必為該情況)。因此，在校正步驟中，藉由以C將原始氣動感測器量測值減小至指示參考間隙GR與量測間隙GM之間高度差之訊號來調節原始氣動感測器量測值。以此方式，藉由準位感測器系統1做出之量測值補償參考表面R之任何溫度變化，其可導致如圖3中所說明之系統性誤差。

在實施例中，藉由控制器700使用溫度量測值之查找表來校正氣動感測器量測值。在額外或替代實施例中，控制器700經組態以使用基於溫度量測值之計算來調節原始氣動感測器量測值，例如使用描述溫度量測與需施加於原始氣動感測器量測值之校正之間的關係之公式來補償與參考表面R之參考溫度的任何偏差。

在額外或替代實施例中，控制器700可經組態以基於第一原理做出溫度校正步驟。在此系統中，控制器700經組態以針對參考間隙GR中之氣體的黏度與量測間隙GM中之氣體的黏度相比之差來調節原始氣動感測器量測值。氣體之黏度可至少部分地基於溫度感測器510、510a、510b做出之溫度量測值來計算，例如使用薩瑟蘭公式(Sutherland's formula)

，其中μ為在輸入溫度T(以K為單位)下之動態黏度(以Pas為單位)，μ₀為在參考溫度T₀(以K為單位)下之參考黏度(以Pas為單位)，且C為氣體之薩瑟蘭常量(Sutherland's constant)。在參考間隙GR及/或量測間隙GM中之氣體的黏度可另外基於所量測溫度或自量測出口200及/或參考出口100排出之氣體的估計溫度來計算。

基板台WT通常配備有至少一個溫度感測器510。在實施例中，此溫度感測器510可用於準位感測器系統1中。舉例而言，基板WT可包括在參考表面R及/或量測表面(其中相應的參考或量測表面在基板台WT上或附近)中或附近之溫度感測器510，且控制器700可使用來自此溫度感測器510之溫度量測值。換言之，出於其他目的，溫度感測器510可能已存在於參考或量測表面中或附近，且另外可用於本發明之實施例的目的。氣動感測器10之參考出口100及/或量測出口200可定位於溫度感測器510附近。在替代或額外實施例中，可提供溫度感測器510以專供準位感測器系統1使用。相對於量測或參考表面(例如基板台WT)，溫度感測器510可在固定位置中。溫度感測器510可嵌入基板台WT及/或支撐件60內。

使用基板台WT及/或支撐件60之溫度感測器510，且詳言之，使用基板台WT及/或支撐件60之現有溫度感測器510(其並非出於校正氣動感測器10量測值之唯一目的而提供)的可能缺點在於，此現有溫度 感測器510之位置為預定且固定的。若參考出口100及/或量測出口200在量測期間定位於溫度感測器510附近以在溫度感測器510附近之位置處形成各別間隙，則藉由準位感測器系統1之精確溫度補償為最佳的。然而，可適用間隙之此固定預定位置對於氣動感測器10量測可能並不理想。舉例而言，現有溫度感測器510可位於比可應用量測及/或參考表面處或其上之其他位置經受更大熱量及磁場變化的位置(其可能不利地影響氣動感測器10量測性能)。在溫度感測器510可定位之量測及/或參考表面中或附近的位置(例如在基板台WT之表面中)受到空間約束以及與嵌入各別表面中或附近之其他組件或感測器之相互作用的限制。若溫度感測器510嵌入基板台WT及/或支撐件60中，則參考及/或量測間隙之位置可並不經自由選擇以便對於氣動感測器10量測處於理想位置。

在實施例中，溫度感測器510a作為準位感測器系統1之部分設置於例如參考間隙GR之氣動感測器10側上。溫度感測器510a可相對於參考出口100固定地定位。此允許自由選擇在參考表面R上之參考間隙GR的位置。參考間隙GR在參考表面R上之位置可經選擇為例如特別適合於氣動感測器10量測的位置，諸如在參考表面R上具有比參考表面R上之其他或大多數位置更低的熱及/或磁場變化之位置。

在實施例中，可能需要量測量測表面之溫度。此量測可另外或可替代地量測參考表面R之溫度來進行。在一個實施例中，量測表面之溫度藉由溫度感測器510b來量測，該溫度感測器510b設置於量測間隙GM之氣動感測器10側上。在實施例中，量測表面之溫度可藉由在量測間隙GM之量測表面側上的溫度感測器來量測。舉例而言，可鄰近於量測表面及/或與量測表面接觸地設置溫度感測器。

溫度感測器510a、510b可為非接觸式溫度感測器。在溫度感測器為非接觸式溫度感測器之情況下，溫度感測器可包含IR溫度感測器。此非接觸式溫度感測器可直接量測在可應用間隙之位置或接近於可應用間隙之位置處的可應用表面之溫度，該溫度為影響出自可應用出口之氣流的特性且因此影響氣動感測器10量測之溫度。因此，可達成對氣動感測器10量測值之更精確校正。

在實施例中，溫度感測器510、510a、510b經組態以偵測小於10mK之溫度的變化。此允許準位感測器系統1補償溫度變化，從而導致參考間隙GR與量測間隙GM之間的高度差處於奈米量級。此奈米精確性對於微影處理為合乎需要的。

在量測間隙GM或參考間隙GR之氣動感測器10側上設置溫度感測器510a、510b的優點在於，參考出口100可相對於參考表面R移動，或可利用微影裝置內之幾個不同參考表面R。然而，在一實施例中，參考出口100與參考表面R相對於彼此在固定位置中。在此情況下，因為參考間隙GR之大小將極為熟知且固定的，故可提高準位感測器系統1之精確性。

在實施例中，量測出口200相對於例如藉由基板W所形成的量測表面可移動。此可意謂量測出口200相對於準位感測器系統1之其他組件固定，但例如基板W之量測表面可例如使用基板台WT相對於準位感測器系統1之其餘部分移動。

在實施例中，氣動感測器10可包含複數個量測出口200及/或複數個參考出口100。在此實施例中，準位感測器系統1可包含用以量測在各參考出口100處之參考表面R之溫度的複數個溫度感測器510、 510a、510b(例如一個溫度感測器510、510a)，及/或用以量測在各量測出口200處之量測表面之溫度的一個溫度感測器510b。

雖然已在上文關於量測基板W之表面描述準位感測器系統1，但準位感測器系統1可用於量測任何量測表面。

儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文中所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等。熟習此項技術者將瞭解，在此類替代應用之內容背景中，可認為本文中對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更一般術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在例如塗佈顯影系統(典型地將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文中所提及之基板。在適用情況下，可將本文中之揭示內容應用於此類及其他基板處理工具。此外，可將基板處理多於一次，例如以便形成多層IC，以使得本文中所使用之術語基板亦可指已含有一或多個經處理層之基板。

儘管可在本文中特定地參考在不同裝置之內容背景中之本發明的實施例，但本發明之實施例可用於一或多個不同裝置中。本發明之實施例可形成以下各者之部分或與以下各者一起使用：微影裝置、圖案化器件檢測裝置、檢測或度量衡裝置或量測或處理諸如晶圓(或其他基板)或光罩(或其他圖案化器件)之物件的任何裝置。此等裝置一般可稱為微影工具。此微影工具可使用真空條件或環境(非真空)條件。

儘管上文可特定地參考在光學微影之內容背景中對本發明之實施例的使用，但將瞭解，本發明在內容背景允許之情況下不限於光學 微影且可用於其他應用(例如壓印微影)中。

回應於處理器執行諸如記憶體之電腦可讀媒體中所含有之一或多個指令的一或多個序列，如本文中所描述之方法中之一或多種可藉由電腦系統執行及/或促使其執行。可將此類指令自另一電腦可讀媒體(諸如儲存器件)讀取至記憶體中。指令序列之執行促使處理器系統執行本文中所描述之製程步驟中之一或多者。亦可採用呈多處理配置之一或多個處理器來執行指令序列。在實施例中，可代替軟體指令或與軟體指令結合使用硬連線電路。因此，本文中之描述不限於硬體電路與軟體之任何特定組合。

如本文中所使用之術語「電腦可讀媒體」係指參與將指令提供至處理器系統以供執行之任何媒體。此媒體可呈許多形式，包括但不限於非揮發性媒體、揮發性媒體及傳輸媒體。非揮發性媒體包括例如光碟或磁碟，諸如儲存器件。揮發性媒體包括動態記憶體。傳輸媒體包括同軸電纜、銅線及光纖。傳輸媒體亦可採用聲波或光波之形式，諸如在射頻(RF)及紅外線(IR)資料通信期間所產生之彼等聲波或光波。電腦可讀媒體之常見形式包括例如軟性磁碟、可撓性磁碟、硬碟、磁帶、任何其他磁媒體、CD-ROM、DVD、任何其他光學媒體、打孔卡、紙帶、具有孔圖案之任何其他實體媒體、RAM、PROM及EPROM、FLASH-EPROM、任何其他記憶體晶片或卡匣、載波或電腦可讀取之任何其他媒體。非暫時性電腦可讀媒體為可觸、實體形式之任何電腦可讀媒體，諸如RAM、ROM、快閃記憶體等。

以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情 況下對如所描述之本發明進行修改。

1:氣動感測器

10:氣動感測器

60:支撐件

100:參考出口

200:量測出口

300:質量流量感測器

400:氣體源

410:共享通道

412:入口

420:流動電阻器

430:第一通道

440:第二通道

452:參考限定器

454:量測限定器

510:溫度感測器

510a:溫度感測器

510b:溫度感測器

700:控制器

GM:量測間隙

GR:參考間隙

R:參考表面

W:基板

WT:晶圓台

Claims (15)

1. 一種準位感測器系統，其包含：一氣動感測器(pneumatic sensor)，其包含配置為與一參考表面形成一參考間隙之一參考出口(reference outlet)及配置為與一量測表面形成一量測間隙之一量測出口(measurement outlet)，其中該氣動感測器經組態以做出一氣動感測器量測值，該氣動感測器量測值指示出自該參考出口之一氣流與出自該量測出口之一氣流之間的一差；一溫度感測器，其經組態以做出一溫度量測值，該溫度量測值指示(i)該參考表面之一溫度，(ii)該量測表面之一溫度，或(iii)(i)及(ii)兩者；以及一控制器，其經組態以基於該溫度量測值來調節該氣動感測器量測值，以產生指示該參考間隙與該量測間隙之間的一高度差之一訊號。
2. 如請求項1之準位感測器系統，其中該溫度感測器設置於該量測間隙或參考間隙之該氣動感測器側上，且/或經組態以量測小於10mK之溫度的變化，且/或該溫度感測器包含一非接觸式溫度感測器(contactless temperature sensor)及/或一IR溫度感測器。
3. 如請求項1或2之準位感測器系統，其中該參考出口與該參考表面相對於彼此在一固定位置中，其中該量測出口與該量測表面相對於彼此係可移動的(movable)，且其中該溫度感測器經組態以做出指示該參考表面之該溫度的該溫度 量測值。
4. 如請求項1或2之準位感測器系統，其中該溫度感測器包含經組態以做出指示該參考表面之該溫度之一溫度量測值的第一溫度感測器，以及經組態以做出指示該量測表面之該溫度之一溫度量測值的一第二溫度感測器，且其中該控制器經組態以基於該第一溫度感測器及該第二溫度感測器之溫度量測值來調節該氣動感測器量測值以產生指示該參考間隙與該量測間隙之間的一高度差之一訊號。
5. 如請求項1或2之準位感測器系統，其中該控制器經組態以針對自該參考出口排出之氣體的黏度(viscosity)以及自該量測出口排出之氣體的黏度之差來調節該氣動感測器量測值，其中該溫度量測值指示自該參考出口排出之氣體的黏度以及自該量測出口排出之氣體的黏度之差。
6. 如請求項1或2之準位感測器系統，其中該控制器經組態以使用溫度量測值之一查找表(look-up table)及/或基於該溫度量測值的一計算來調節該氣動感測器量測值。
7. 如請求項1或2之準位感測器系統，其中該氣動感測器進一步包含：一入口，其經組態以接收一壓縮氣體，一第一通道，其經組態以將一氣流自該入口提供至該參考出口，且一第二通道經組態以將一氣流自該入口提供至該量測出口，以及 一質量流量感測器(mass flow sensor)，其經組態以量測該第一通道與該第二通道之間的一不同質量流量(differential mass flow)，其中該質量流量感測器經組態以做出該氣動感測器量測值。
8. 如請求項7之準位感測器系統，其中該第一通道及該第二通道經組態以自該入口接收基本上等份之氣體。
9. 一種微影裝置，其包含如請求項1至8中任一項之準位感測器系統。
10. 如請求項9所述之微影裝置，其進一步包含一基板台(substrate table)，其中該氣動感測器經組態以在一基板與該氣動感測器之該量測出口之間形成該量測間隙，且其中該氣動感測器經組態以形成在該基板台及該氣動感測器之該參考出口之間的該參考間隙。
11. 如請求項9或10之微影裝置，其中該溫度感測器經組態以量測該參考表面之該溫度，且該溫度感測器安置於一物件上而非該基板台上，或該溫度感測器安置於該基板台上。
12. 一種用於量測高度差之方法，其包含：做出一氣動感測器量測值，該氣動感測器量測值指示出自一氣動感測器之一參考出口之一氣流與出自一氣動感測器之一量測出口之一氣流之 間的一差，該氣動感測器在該參考出口與一參考表面之間形成一參考間隙，且在該量測出口與一量測表面之間形成一量測間隙；做出指示該參考表面之一溫度及/或該量測表面之一溫度的一溫度量測值；以及基於該溫度量測值來調節該氣動感測器量測值以產生指示該參考間隙與該量測間隙之間的一高度差之一訊號。
13. 如請求項12之用於量測高度差之方法，其中該溫度感測器設置於該量測間隙或參考間隙之該氣動感測器側上。
14. 如請求項12或13之用於量測高度差之方法，其中該參考出口與該參考表面相對於彼此在一固定位置中，其中該量測出口與該量測表面相對於彼此係可移動的，且其中該溫度感測器經組態以做出指示該參考表面之該溫度的該溫度量測值。
15. 如請求項12之用於量測高度差之方法，其包含做出指示該參考表面之該溫度及該量測表面之該溫度的該溫度量測值，以及基於該參考表面及該量測表面之該溫度量測值來調節該氣動感測器量測值以產生指示該參考間隙與該量測間隙之間的一高度差之一訊號。

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