TWI620035B - 微影設備中的圖案化裝置冷卻系統 - Google Patents

微影設備中的圖案化裝置冷卻系統 Download PDF

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TWI620035B TW105121815A TW105121815A TWI620035B TW I620035 B TWI620035 B TW I620035B TW 105121815 A TW105121815 A TW 105121815A TW 105121815 A TW105121815 A TW 105121815A TW I620035 B TWI620035 B TW I620035B
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德 凱格 馬克 黎昂 凡
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Abstract

一種微影設備，該微影設備包括：一圖案化裝置支撐結構，其經組態以支撐一圖案化裝置；一氣體入口，其經組態以橫越該圖案化裝置之一表面提供一氣流；及一溫度調節裝置，其經組態以基於一設定點而調節該氣流之溫度。該設備亦包括一感測器，該感測器經組態以在微影系統之操作使用期間量測指示加至該圖案化裝置以及該圖案化裝置與一投影系統之一透鏡之間的一容積之熱之一量的一參數。另外，該設備包括一控制器，該控制器以操作方式耦接至該感測器且經組態以基於藉由該感測器量測之該參數而調整該設定點以控制該圖案化裝置之一溫度。

Description

微影設備中的圖案化裝置冷卻系統
本發明係關於一種用於藉由使氣體流動橫越物件(例如，微影設備中之圖案化裝置)之表面來控制該物件之溫度之系統及方法。
微影設備為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影設備可用以(例如)製造積體電路(IC)。在此狀況下，圖案化裝置(例如，光罩或比例光罩)可產生待形成於IC之個別層上之電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包括晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上來進行圖案之轉印。通常，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分之網路。習知微影設備包括：所謂步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照每一目標部分；及所謂掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來輻照每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化裝置轉印至基板。
在微影設備中，輻射光束可造成圖案化裝置中之熱效應(例如，熱膨脹)。圖案化裝置可包含對例如深紫外線輻射之輻射實質上透明之基底材料，例如，熔融矽石，且可包含由實質上不透明材料(例 如，鉻)製成之圖案。熱效應可歸因於輻射光束由圖案化裝置之不透明部分之吸收，且可造成(例如)形成於基板上之圖案中之對準誤差及/或疊對誤差。輻射光束或來自經加熱圖案化裝置之對流亦可加熱圖案化裝置與近端透鏡元件之間的空氣。圖案化裝置與透鏡元件之間的此經加熱空氣可造成影像失真(諸如，疊對誤差)。為了校正歸因於圖案化裝置之熱膨脹及/或圖案化裝置與透鏡元件之間的空氣之加熱之此等誤差，當前微影設備可依賴於校正系統。舉例而言，此校正系統可包括比例光罩或晶圓對準系統、放大率校正系統、用於膨脹預測之前饋系統、透鏡校正系統，或其一組合。然而，隨著趨勢持續為按比例縮小裝置尺寸，此等校正系統可不提供此等按比例縮小裝置之開發可需要的所要程度之對準及/或疊對準確度。
因此，在一些實施例中，一系統及方法控制一微影設備中之一圖案化裝置之溫度。
在一些實施例中，一種微影設備包括：一圖案化裝置支撐結構，其經組態以支撐一圖案化裝置；一氣體入口，其經組態以橫越該圖案化裝置之一表面提供一氣流；及一溫度調節裝置，其經組態以基於一設定點而調節該氣流之溫度。該設備亦包括至少一個感測器，該至少一個感測器經組態以在微影系統之操作使用期間量測指示加至該圖案化裝置以及該圖案化裝置與一投影系統之一透鏡之間的一容積之熱之一量的一參數。另外，該設備包括一控制器，該控制器以操作方式耦接至該至少一個感測器且經組態以基於藉由該感測器量測之該參數而調整該設定點以控制該圖案化裝置之一溫度。在一些實施例中，藉由該感測器量測之該參數指示該圖案化裝置之一形狀。在一些實施例中，該感測器經組態以量測該圖案化裝置與該投影系統之該透鏡之間的該容積中之流體之一溫度。在一些實施例中，該感測器經組態以 量測該圖案化裝置之一部分之一溫度。
在一些實施例中，一種用於控制一圖案化裝置之一溫度之方法包括：使氣體橫越該圖案化裝置之一表面流動；及基於一設定點而調整該氣體之一溫度。該方法亦包括在微影系統之操作使用期間量測指示加至(a)該圖案化裝置及(b)該圖案化裝置與一投影系統之一透鏡之間的一容積中之至少一者之熱之一量的一參數。該方法進一步包括基於該經量測參數而調整該設定點。在一些實施例中，量測該參數包含量測指示該圖案化裝置之形狀之一參數。在一些實施例中，量測該參數包含量測該圖案化裝置與該投影系統之該透鏡之間的該容積中之流體之一溫度。在一些實施例中，量測該參數包含量測該圖案化裝置之一部分之一溫度。
下文參看隨附圖式詳細地描述實施例之另外特徵及優點以及各種實施例之結構及操作。應注意，本發明不限於本文所描述之特定實施例。本文僅出於說明性目的而呈現此等實施例。基於本文中含有之教示，額外實施例對於熟習相關技術者而言將顯而易見。
100‧‧‧微影設備
102‧‧‧照明系統
104‧‧‧支撐結構
106‧‧‧投影系統
108‧‧‧輻射光束/成像輻射
109‧‧‧固定淨化板
110‧‧‧圖案化裝置
112‧‧‧支撐台
114‧‧‧氣流
116‧‧‧氣體入口
118‧‧‧氣體出口
119‧‧‧噴嘴
120‧‧‧可移動組件
122‧‧‧板
124‧‧‧近端透鏡元件
126‧‧‧容積
128‧‧‧開口
130‧‧‧控制器
132‧‧‧溫度感測器
134‧‧‧溫度調節裝置
136‧‧‧感測器
2001‧‧‧記憶體
2003‧‧‧硬碟機(HDD)
2005‧‧‧唯讀記憶體(ROM)
2007‧‧‧電可抹除可程式化唯讀記憶體(EEPROM)
2009‧‧‧隨機存取記憶體(RAM)
2011‧‧‧鍵盤
2013‧‧‧滑鼠
2015‧‧‧光碟
2017‧‧‧軟碟
2019‧‧‧讀取單元
2021‧‧‧印表機
2023‧‧‧處理器
2025‧‧‧傳輸器/接收器
2027‧‧‧通信網路
2029‧‧‧顯示器
AD‧‧‧調整器
B‧‧‧輻射光束/輻射
BD‧‧‧光束遞送系統
C‧‧‧目標部分
CO‧‧‧聚光器
IAS1‧‧‧影像感測器
IAS2‧‧‧影像感測器
IF‧‧‧位置感測器
IF1‧‧‧位置感測器
IF2‧‧‧位置感測器
IL‧‧‧照明系統/照明器
IN‧‧‧積光器
IPU‧‧‧照明系統光瞳
IVR‧‧‧真空內機器人
M1‧‧‧光罩對準標記
M2‧‧‧光罩對準標記
MA‧‧‧圖案化裝置/光罩
MT‧‧‧支撐結構/光罩台
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PM‧‧‧第一定位器
PPU‧‧‧光瞳
PS‧‧‧投影系統
PW‧‧‧第二定位器
SO‧‧‧脈衝式輻射源
W‧‧‧基板
WT‧‧‧基板台/晶圓台
併入本文中且形成本說明書之部分之隨附圖式說明本發明，且連同【實施方式】進一步用以解釋本發明之原理且使熟習相關技術者能夠進行及使用本發明。
圖1A為根據一實施例之反射微影設備的示意性說明。
圖1B為根據一實施例之透射微影設備的示意性說明。
圖2為根據一實施例之基板台及基板的示意性平面圖。
圖3為根據一實施例之照明系統、支撐結構及投影系統的示意性側視圖說明。
圖4為根據另一實施例之照明系統、支撐結構及投影系統的示意性側視圖說明。
圖5為根據又一實施例之照明系統、支撐結構及投影系統的示意性側視圖說明。
圖6為根據另一實施例之照明系統、支撐結構及投影系統的示意性側視圖說明。
圖7為說明根據一實施例的隨著時間推移之氣流之設定點溫度及圖案化裝置之溫度的圖表。
圖8說明用於實施圖1A至圖7中所論述之實施例的電腦系統硬體。
根據下文在結合圖式所闡述之【實施方式】，所揭示實施例之特徵及優點將變得更顯而易見，在該等圖式中，類似元件符號始終識別對應元件。在該等圖式中，類似元件符號通常指示相同、功能上相似及/或結構上相似之元件。一元件第一次出現之圖式係在對應元件符號中由最左側數位指示。除非另有指示，否則貫穿本發明提供之圖式不應被解譯為按比例圖式。
所揭示實施例僅僅例示本發明。本發明之範疇不限於所揭示實施例。本發明係由附加於此處之申請專利範圍界定。
所描述實施例及在本說明書中對「一實例」、「一實施例」、「一實例實施例」、「一些實施例」等等之參考指示所描述實施例可包括一特定特徵、結構或特性，但每一實施例可未必包括該特定特徵、結構或特性。此外，此等片語未必指同一實施例。另外，當結合一實施例描述一特定特徵、結構或特性時，應理解，無論是否予以明確描述，結合其他實施例來實現此特徵、結構或特性皆係在熟習此項技術者之認識範圍內。
然而，在更詳細地描述此等實施例之前，有指導性的是呈現可供實施本發明之實施例之實例環境。
實例反射及透射微影系統
圖1A及圖1B分別為可供實施本發明之實施例的微影設備100及微影設備100'之示意性說明。微影設備100及微影設備100'各自包括以下各者：照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，DUV或EUV輻射)；支撐結構(例如，光罩台)MT，其經組態以支撐圖案化裝置(例如，光罩、比例光罩或動態圖案化裝置)MA且連接至經組態以準確地定位該圖案化裝置MA之第一定位器PM；及基板台(例如，晶圓台)WT，其經組態以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓)W且連接至經組態以準確地定位該基板W之第二定位器PW。微影設備100及100'亦具有投影系統PS，該投影系統PS經組態以將由圖案化裝置MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分(例如，包含一或多個晶粒之部分)C上。在微影設備100中，圖案化裝置MA及投影系統PS為反射的。在微影設備100'中，圖案化裝置MA及投影系統PS為透射的。在一些實施例中，投影系統PS為反射折射的。
照明系統IL可包括用於導向、塑形或控制輻射B的各種類型之光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
支撐結構MT以取決於圖案化裝置MA之定向、微影設備100及100'之設計及其他條件(諸如，圖案化裝置MA是否被固持於真空環境中)的方式來固持圖案化裝置MA。支撐結構MT可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化裝置MA。支撐結構MT可為(例如)框架或台，其可根據需要而固定或可移動。支撐結構MT可確保圖案化裝置(例如)相對於投影系統PS處於所要位置。
術語「圖案化裝置」MA應被廣泛地解譯為係指可用以在輻射光束B之橫截面中向輻射光束B賦予圖案以便在基板W之目標部分C中產生圖案的任何裝置。被賦予至輻射光束B之圖案可對應於目標部分C 中所產生之裝置(諸如，積體電路)中之特定功能層。
圖案化裝置MA可為透射的(如在圖1B之微影設備100'中)或反射的(如在圖1A之微影設備100中)。圖案化裝置MA之實例包括比例光罩、光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中為吾人所熟知，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便使入射輻射光束在不同方向上反射。傾斜鏡面在由鏡面矩陣反射之輻射光束B中賦予圖案。
術語「投影系統」PS可涵蓋如適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。可將真空環境用於EUV或電子束輻射，此係因為其他氣體可吸收過多輻射或電子。因此，可憑藉真空壁及真空泵而將真空環境提供至整個光束路徑。
微影設備100及/或微影設備100'可屬於具有兩個(雙載物台)或兩個以上基板台WT(及/或兩個或兩個以上光罩台)之類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外基板台WT，或可對一或多個台進行預備步驟，同時將一或多個其他基板台WT用於曝光。
參看圖1A及圖1B，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當源SO為準分子雷射時，源SO及微影設備100、100'可為分離實體。在此等狀況下，不認為源SO形成微影設備100或100'之部件，且輻射光束B係憑藉包括(例如)合適導向鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統BD(在圖1B中)而自源SO傳遞至照明器IL。在其他狀況下，源SO可為微影設備100、100'之整體部件──例如當源SO為水銀燈時。源SO及照明器IL連同光束遞送系統BD(在需要時)可被稱作輻射系 統。
照明器IL可包括用於調整輻射光束之角強度分佈之調整器AD(在圖1B中)。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ-外部及σ-內部)。另外，照明器IL可包含各種其他組件(在圖1B中)，諸如，積光器IN及聚光器CO。照明器IL可用以調節輻射光束B，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。
參看圖1A，輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台)MT上之圖案化裝置(例如，光罩)MA上，且係由該圖案化裝置MA而圖案化。在微影設備100中，輻射光束B係自圖案化裝置(例如，光罩)MA反射。在自圖案化裝置(例如，光罩)MA反射之後，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該輻射光束B聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器IF2(例如，干涉量測裝置、線性編碼器或電容式感測器)，可準確地移動基板台WT(例如，以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中)。相似地，第一定位器PM及另一位置感測器IF1可用以相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化裝置(例如，光罩)MA。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化裝置(例如，光罩)MA及基板W。
參看圖1B，輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台MT)上之圖案化裝置(例如，光罩MA)上，且係由該圖案化裝置而圖案化。在已橫穿光罩MA的情況下，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。投影系統具有與照明系統光瞳IPU共軛之光瞳PPU。輻射之部分自照明系統光瞳IPU處之強度分佈發散且橫穿光罩圖案而不受到光罩圖案處之繞射影響，產生照明系統光瞳IPU處之強度分佈之影像。
憑藉第二定位器PW及位置感測器IF(例如，干涉量測裝置、線性編碼器或電容式感測器)，可準確地移動基板台WT(例如，以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中)。相似地，第一定位器PM及另一位置感測器(圖1B中未繪示)可用以相對於輻射光束B之路徑來準確地定位光罩MA(例如，在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間)。
一般而言，可憑藉形成第一定位器PM之部件之長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現光罩台MT之移動。相似地，可使用形成第二定位器PW之部件之長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進器(相對於掃描器)之狀況下，光罩台MT可僅連接至短衝程致動器，或可固定。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準光罩MA及基板W。儘管基板對準標記(如所說明)佔據專用目標部分，但其可位於目標部分之間的空間中(此等標記被稱為切割道對準標記)。相似地，在一個以上晶粒提供於光罩MA上之情形中，光罩對準標記可位於該等晶粒之間。
光罩台MT及圖案化裝置MA可處於真空腔室中，其中真空內機器人IVR可用以將諸如光罩之圖案化裝置移進及移出真空腔室。替代地，當光罩台MT及圖案化裝置MA係在真空腔室外部時，相似於真空內機器人IVR，真空外機器人可用於各種輸送操作。真空內機器人及真空外機器人兩者需要經校準以用於任何有效負載(例如，光罩)至轉移站之固定運動安裝台之平滑轉移。
微影設備100及100'可用於以下模式中之至少一者中：
1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束B之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，光罩台)MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位使得可曝光不同目標部分C。
2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束B之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構(例如，光罩台)MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構(例如，光罩台)MT之速度及方向。
3.在另一模式中，使支撐結構(例如，光罩台)MT保持實質上靜止，從而固持可程式化圖案化裝置，且在將被賦予至輻射光束B之圖案投影至目標部分C上時，移動或掃描基板台WT。可使用脈衝式輻射源SO，且在基板台WT之每一移動之後或在一掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化裝置。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化裝置(諸如，上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。
亦可使用對所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同之使用模式。
圖2示意性地描繪根據一實施例的在圖1A或圖1B之微影設備中所描繪的基板台WT之配置，其中基板台WT包括影像感測器。在一些實施例中，如圖2中所展示，基板台WT包括兩個影像感測器IAS1及IAS2。影像感測器IAS1及IAS2可用以藉由經由圖案(例如，物件標記)之空中影像掃描影像感測器IAS1或IAS2而判定該空中影像在光罩MA上之部位。可自運用影像感測器IAS1、IAS2獲得之資訊推論出光罩MA上之物件標記相對於晶圓台WT之相對位置，且可自光罩MA上之物件標記之經量測位置計算數個參數。舉例而言，光罩MA之此等參數可包括MA之放大率(M)、圍繞z軸之旋轉度(R)、沿著光罩MA之x軸及y軸之平移(Cx、Cy)、在y方向上之放大率(My)，及掃描扭曲(RI)。
必須理解，代替兩個影像感測器IAS1及IAS2，可存在更多或更少影像感測器，例如一個或三個影像感測器。此等感測器及電子件之 形式為熟習此項技術者所知且將對其不進行進一步詳細地描述。對準機構之替代形式係可能的，且在本發明之範疇內有用。在其他實施例中，有可能免除影像感測器IAS1、IAS2，或將其提供於與攜載基板之晶圓台分離之支撐件上。
儘管在本文中可特定地參考微影設備在IC製造中之使用，但應理解，本文所描述之微影設備可具有其他應用，諸如，製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)，及薄膜磁頭。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更一般之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文所提及之基板。適用時，可將本文之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，例如，以便產生多層IC，使得本文所使用之術語基板亦可指已經含有一或多個經處理層之基板。
儘管上文可特定地參考在光學微影之內容背景中對實施例之使用，但應瞭解，實施例可用於其他應用(例如，壓印微影)中，且在內容背景允許時不限於光學微影。在壓印微影中，圖案化裝置中之構形(topography)界定產生於基板上之圖案。可將圖案化裝置之構形壓入被供應至基板之抗蝕劑層中，然後抗蝕劑係藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後，將圖案化裝置移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。
在一另外實施例中，微影設備100包括極紫外線(EUV)源，該EUV源經組態以產生用於EUV微影之EUV輻射光束。一般而言，EUV源經組態於輻射系統中，且對應的照明系統經組態以調節EUV源之EUV輻射光束。
在本文所描述之實施例中，術語「透鏡」及「透鏡元件」在內容背景允許時可指各種類型之光學組件中之任一者或組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。
另外，本文所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為365奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長λ)、極紫外線(EUV或軟X射線)輻射(例如，具有在5奈米至20奈米之範圍內之波長，諸如，13.5奈米)或在小於5奈米下工作之硬X射線，以及粒子束(諸如，離子束或電子束)。通常，具有介於約780奈米至3000奈米(或更大)之間的波長之輻射被認為是IR輻射。UV係指具有近似100奈米至400奈米之波長的輻射。在微影內，術語「UV」亦應用於可由水銀放電燈產生之波長：G線436奈米；H線405奈米；及/或I線365奈米。真空UV或VUV(亦即，由氣體吸收之UV)係指具有近似100奈米至200奈米之波長的輻射。深UV(DUV)通常係指具有在126奈米至428奈米之範圍內的波長之輻射，且在一實施例中，準分子雷射可產生在微影設備內使用之DUV輻射。應瞭解，具有在(例如)5奈米至20奈米之範圍內的波長之輻射係關於具有某一波長帶之輻射，該波長帶之至少一部分係在5奈米至20奈米之範圍內。
術語「透鏡」在內容背景允許時可指各種類型之光學組件(包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件)中之任一者或組合。
微影設備之例示性實施例
圖3為根據一實施例之微影設備100的示意性側視圖，其包括照明系統102、經組態以支撐圖案化裝置110之支撐結構104，及投影系統106。
在一些實施例中，微影設備100在結構及功能方面相似於上文參看圖1A及圖1B所描述之微影設備100及100'。舉例而言，微影設備100 包括照明系統102，照明系統102經組態以調節輻射光束108(例如，DUV或EUV輻射)，諸如以上之圖1A及圖1B中所論述之輻射光束B。輻射光束108經導向於圖案化裝置110上。
微影設備100亦包括支撐結構104(例如，如圖1A及圖1B中所論述之光罩台MT)，該支撐結構104經組態以支撐圖案化裝置110(例如，光罩、比例光罩或動態圖案化裝置)。支撐結構104經組態而以取決於圖案化裝置110之定向之方式固持圖案化裝置110。支撐結構104可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以將圖案化裝置110固持至支撐台112，該支撐台112直接支撐圖案化裝置110。支撐結構104可經組態以確保圖案化裝置110(例如)相對於投影系統106處於所要位置。舉例而言，支撐結構104可包括經組態以準確地定位圖案化裝置110(例如，沿著x軸或y軸)之可移動組件120，諸如比例光罩載物台之短衝程模組或長衝程模組。
在一些實施例中，如圖3中所展示，微影設備100包括介於照明系統102與支撐結構104之間的固定淨化板109。舉例而言，固定淨化板109可在支撐台112上方約1.5毫米處。固定淨化板109可部分地界定在圖案化裝置110與固定淨化板109之底部表面之間的區域中含有清潔氣體之經加壓環境。
投影系統106(例如，如圖1A及圖1B中所論述之投影系統PS)經組態以將由圖案化裝置110賦予至輻射光束108之圖案投影至基板(圖3中未繪示)之目標部分(例如，一或多個晶粒之部分)上。投影系統106包括在一些實施例中鄰近於支撐結構104之近端透鏡元件124。
如圖3中所展示，支撐結構104及投影系統106界定支撐結構104與投影系統106之間的容積126，例如，直接在支撐結構104之支撐台112與投影系統106之近端透鏡元件124之間的容積。在一些實施例中，容積126提供經調節氣體環境，成像輻射108可自圖案化裝置110 通過該經調節氣體環境而行進至投影系統106。在一些實施例中，微影設備包括將支撐結構104與投影系統106分離之板122。舉例而言，板122可定位於支撐結構104之支撐台112與投影系統106之近端透鏡元件124之間。在一些實施例中，板122經組態為淨化板。在一些實施例中，容積126可具有可藉由自板122中之開口供應氣體且經由板122之對置側上之開口抽取經供應沖洗氣體而產生之連續氣流。板122界定允許輻射光束108自照明系統102傳遞至投影系統106之開口128。在輻射108入射於圖案化裝置110上且傳遞通過圖案化裝置110時，圖案化裝置110自輻射108吸收能量，此情形可造成圖案化裝置110之溫度增加及關聯熱膨脹且造成容積126中之氣體之溫度增加，此情形可導致影像失真。
在一些實施例中，微影設備100包括一或多個氣體入口116及一或多個氣體出口118。氣體入口116及氣體出口118經定位且經組態以產生氣流114，氣流114橫越圖案化裝置110之表面(例如(如圖3中所展示)圖案化裝置110之面對照明系統102之頂部表面)行進。氣體入口116引入氣流114，且氣體出口118抽取氣流114。在一些實施例中，氣流114實質上平行於圖案化裝置110之表面而自氣體入口116行進至氣體出口118。氣體出口118在一些實施例中在氣流114自氣體入口116到達圖案化裝置110之相對側時抽取氣流114。在氣體出口118處進行之氣流114之抽取可為主動的或被動的。在一些實施例中，氣流114包含氦或基本上由氦組成。在一些實施例中，氣流114包含極清潔乾式氣體或空氣。在一些實施例中，當將圖案化裝置110裝載於支撐結構104上或自支撐結構104卸載圖案化裝置110時可暫時地及選擇性地停止氣流114，以避免干擾裝載程序。在一些實施例中，當無需圖案化裝置110之冷卻時可暫時地及選擇性地停止氣流114。
在一些實施例中，如圖3中所展示，氣體入口116及氣體出口118 定位於照明系統102與圖案化裝置110之間。舉例而言，在一些實施例中，支撐結構104在支撐結構104之一側上包括氣體入口116。氣體入口116在一些實施例中可與可移動組件120整合。舉例而言，如圖3中所展示，可移動組件120包括界定氣體入口116之噴嘴119。在其他實施例(圖3中未繪示)中，氣體入口116可與可移動組件120分離，例如，傳遞通過由可移動組件120界定之開口之分離噴嘴。在其他實施例中，氣體入口116可由固定淨化板109界定。在一些實施例中，氣體入口116接近圖案化裝置110之末端。在一些實施例中，氣體入口116經組態成使得氣體入口116在微影設備100之操作使用期間隨著圖案化裝置110移動。
在一些實施例(圖3中未繪示)中，可移動組件120包括氣體出口118。舉例而言，氣體出口118可與可移動組件120整合，或氣體出口118可與可移動組件120分離，例如，傳遞通過由可移動組件120界定之開口之分離噴嘴。氣體出口118可定位於圖案化裝置110相對於氣體入口116之對置側處。氣體出口118可鄰近於與氣體入口116所鄰近之圖案化裝置110之末端相對的圖案化裝置110之末端。在一些實施例中，氣體出口118係由固定淨化板109界定。且在一些實施例中，如圖3中所展示，固定淨化板109及可移動組件120至少部分地集體地界定氣體出口118。氣體入口116及氣體出口118可各自經定位成緊鄰的，例如，鄰近於圖案化裝置110之同一表面，例如圖案化裝置110之頂部表面。
在一些實施例(圖中未繪示)中，氣體入口116及氣體出口118係介於圖案化裝置110與投影系統106之間。在此等實施例中，氣體入口116及氣體出口118可經定位成使得氣流114橫越圖案化裝置110之面對投影系統106之底部表面流動。
在一些實施例(圖中未繪示)中，微影設備100可包括緊鄰於圖案 化裝置110之頂部表面之氣體入口116，及緊鄰於圖案化裝置110之底部表面之一或多個額外氣體入口，與緊鄰於圖案化裝置110之頂部表面及底部表面的對應氣體出口。此組態產生橫越圖案化裝置110之頂部表面及底部表面之雙平行氣流。
在一些實施例中，圖案化裝置110為反射圖案化裝置，如以上關於圖1A所論述(圖3中未繪示)。輻射光束108仍入射於圖案化裝置110上，但將自圖案化裝置110反射。在此等情況下，圖案化裝置110仍可由於圖案化裝置110之所得熱膨脹及圍繞圖案化裝置110之氣體之加熱而經受加熱及降級效應。支撐結構104仍可包含經定位成緊鄰於圖案化裝置110之表面之氣體入口116及氣體出口118，如上文所論述。
在如下文所解釋之一些實施例中，氣流114可由氣體出口118抽取且經再循環回至氣體入口116。
氣流114調節(例如，改變或維持)圖案化裝置110之溫度。舉例而言，氣流114可縮減、增加或維持圖案化裝置110之溫度。在一些實施例中，氣流114抵消由輻射108之吸收造成的圖案化裝置110之加熱，此情形縮減圖案化裝置110之熱膨脹及圍繞圖案化裝置110之流體(包括容積126中之流體)之加熱。圖案化裝置110之熱膨脹及圍繞圖案化裝置110之流體(包括容積126中之流體)之溫度之此縮減會縮減基板處之影像失真。在一些實施例中，氣流114在大氣壓下將圖案化裝置110維持處於或接近22℃。熟習此項技術者應瞭解，其他目標溫度係可能的，及/或對於給定應用而言可更理想。
再次轉向圖3，微影設備100在一些實施例中可包括至少一個溫度調節裝置134。溫度調節裝置134可為(例如)一或多個加熱器(例如，壓電加熱器)或一或多個冷卻裝置(例如，諸如帕耳帖裝置之熱交換器)。在一些實施例中，微影設備100可包括加熱器及冷卻裝置兩者。在一些實施例中，溫度調節裝置134經組態以基於自(例如)下文進一 步所描述之控制器130接收之設定點而維持及動態地改變氣流114之溫度。在一些實施例中，溫度調節裝置134定位於支撐結構104處。舉例而言，溫度調節裝置134可定位於可移動組件120之噴嘴119處，使得溫度調節裝置134在氣流114射出噴嘴119時維持或改變該氣流之溫度。溫度調節裝置134可位於其他部位處，例如，位於氣體入口116上游之任何其他部位處。在一些實施例中，溫度調節裝置134經組態以基於所接收設定點信號而動態地調節氣流114以使其具有在約19℃至約25℃之範圍內的溫度。舉例而言，在一些實施例中，溫度調節裝置134經組態以基於所接收設定點信號而動態地調節氣流114以使其具有在約22℃至約21℃之範圍內的任何溫度。舉例而言，在一些實施例中，溫度調節裝置134經組態以基於所接收設定點信號而調節氣流114以使其具有在約21.8℃至約21.2℃之範圍內的溫度。
在一些實施例中，微影設備100亦包括至少一個感測器，該至少一個感測器經組態以在微影設備100之操作使用期間量測指示加至(1)圖案化裝置110及(2)支撐結構104與投影系統106之間的容積126中之至少一者之熱之量的參數。
在圖3中，舉例而言，微影設備100包括一感測器，該感測器經組態以在微影設備100之操作使用期間量測指示加至支撐結構104與投影系統106之間的容積126之熱之量的參數。如圖3中所展示，微影設備100包括一溫度感測器132，該溫度感測器132定位於支撐結構104與投影系統106之間(例如，在圖案化裝置110之下且在投影系統106之近端透鏡元件124之上)且量測容積126中之流體之溫度。如圖3中所展示，感測器132耦接至板122且經定位成鄰近於由板122界定之開口128。
圖4說明根據另一實施例之照明系統、支撐結構及投影系統。說明經組態以在微影設備100之操作使用期間量測指示加至(1)圖案化裝 置110及(2)支撐結構104與投影系統106之間的容積126中之至少一者之熱之量的參數之感測器之另一例示性置放。舉例而言，如圖4中所展示，感測器132耦接至板122但經定位成遠離由板122界定之開口128。
在一些實施例中，微影設備100可包括至少兩個感測器132，例如，如圖3中所展示而定位的一個感測器132及如圖4中所展示而定位的另一感測器132。
在其他實施例中，微影設備100可包括定位於任何其他合適部位處以用於量測容積126中之流體之溫度的一或多個感測器132。
圖5說明根據另一實施例之照明系統、支撐結構及投影系統。說明經組態以在微影設備100之操作使用期間量測指示至少加至圖案化裝置110之熱之量的參數之感測器之另一例示性置放。舉例而言，如圖5中所展示，微影設備100包括感測器136，該感測器136經組態以量測圖案化裝置110之至少一部分(例如，圖案化裝置110之背離容積126且朝向照明系統102之表面部分)之溫度。在此等實施例中，感測器136可定位於照明系統102與支撐結構104之間。在此等實施例中，感測器136可為(例如)紅外線溫度感測器。
在一些實施例中，指示加至圖案化裝置110以及支撐結構104與投影系統106之間的容積126中之至少一者之熱之量的經量測參數為指示圖案化裝置110之形狀之參數。舉例而言，在一些實施例中，微影設備100包括量測圖案化裝置110之對準參數之至少一個影像感測器(例如，如圖2中所論述之影像感測器IAS1及IAS2)，例如，量測圖案化裝置110之放大率(M)、圍繞z軸之旋轉度(R)、沿著x軸或y軸之平移(Cx、Cy)、沿著y軸之放大率(My)及掃描扭曲(RI)之感測器。基於經量測對準參數，控制器130可判定圖案化裝置110之形狀，且基於圖案化裝置110之經判定形狀，控制器130可判定圖案化裝置110或支撐結 構104與投影系統106之間的容積126之溫度量變曲線。
在一些實施例中，微影設備包括如圖3中所展示之至少一個感測器132、如圖4中所展示之至少一個感測器132、如圖5中所展示之至少一個感測器136、至少量測圖案化裝置110之對準參數之感測器(例如，如圖2中所論述之影像感測器IAS1及IAS2)，或其任何組合。
微影設備100亦可包括經組態以自一或多個感測器(例如，圖3中之感測器132、如圖4中所展示之感測器132、如圖5中所展示之感測器136，或對準參數感測器)接收信號之控制器130(例如，處理器)。此等所接收感測器信號指示經量測參數(例如，容積126或圖案化裝置110之溫度)，該經量測參數指示加至(1)圖案化裝置110及(2)支撐結構104與投影系統106之間的容積126中之至少一者之熱之量。在一些實施例中，控制器130經組態以自(1)如圖3中所展示之至少一個感測器132、(2)如圖4中所展示之至少一個感測器132、(3)如圖5中所展示之至少一個感測器136及(4)至少量測圖案化裝置110之對準參數之感測器(例如，如圖2中所論述之影像感測器IAS1及IAS2)中的兩者或兩者以上接收信號。舉例而言，圖6說明根據另一實施例之照明系統、支撐結構及投影系統，其中控制器130與如圖3中所描述之感測器132及如圖5中所描述之感測器136耦接。
在一些實施例中，基於自一或多個感測器所接收之信號，控制器130經組態以計算(1)圖案化裝置110之溫度量變曲線及(2)容積126之溫度量變曲線中的至少一者。在一些實施例中，控制器130經組態以比較針對圖案化裝置110或容積126之所計算溫度量變曲線與所要溫度量變曲線，且基於此比較，控制器130維持或動態地改變用於溫度調節裝置134之設定點溫度。圖案化裝置110或容積126之所要溫度量變曲線可為均一的或非均一的。
舉例而言，若所計算溫度量變曲線高於所要溫度量變曲線，則 控制器130可降低用於溫度調節裝置134之溫度設定點以達成用於圖案化裝置110或容積126之所要溫度量變曲線。若所計算溫度量變曲線低於所要溫度量變曲線，則控制器130可提昇用於溫度調節裝置134之溫度設定點以達成用於圖案化裝置110或容積126之所要溫度量變曲線。若所計算溫度量變曲線等於所要溫度量變曲線，則控制器130可維持用於溫度調節裝置134之設定點以維持用於圖案化裝置110或容積126之所要溫度量變曲線。在一些實施例中，用於圖案化裝置110或容積126之所要溫度量變曲線係基於微影設備100之操作狀態。舉例而言，用於圖案化裝置110或容積126之所要溫度量變曲線在圖案化裝置110被對準時比在圖案化裝置110被曝光時可更高。
控制器130以操作方式直接或間接地耦接至溫度調節裝置134使得溫度調節裝置134接收指示藉由控制器130判定之溫度設定點之溫度設定點信號。基於所接收溫度設定點，溫度調節裝置134可動態地調整氣流114之溫度。
在一些實施例中，控制器130適應性地調整設定點溫度以在存在由輻射108產生之時變熱負荷的情況下達成圖案化裝置110或容積126之恆定或實質上恆定溫度量變曲線。舉例而言，當圖案化裝置110之溫度約等於周圍系統溫度時，控制器130可調整用於溫度調節裝置134之設定點以等於約周圍系統溫度，例如，約21.8℃。控制器130可在曝光期間逐漸縮減用於溫度調節裝置134之設定點。在一些實施例中，可將設定點降低至低達約19℃之溫度。在其他實施例中，可將設定點降低至約21.2℃之溫度。舉例而言，圖7說明控制器130在曝光期間隨著時間推移可如何縮減用於溫度調節裝置134之設定點(TSP)以在存在由輻射108產生之時變熱負荷的情況下達成圖案化裝置110或容積126之實質上恆定溫度(TPD)。
控制圖案化裝置之溫度之方法的例示性實施例
現在將描述根據各種實施例之用於控制圖案化裝置之溫度的例示性方法。應瞭解，可按任何次序執行以下所解釋之操作，且並非可需要所描述之所有操作。開始時，運用輻射光束108照明圖案化裝置110。橫越圖案化裝置110之表面(例如，頂部或底部表面)供應氣流114。氣流114調節(例如，維持或改變)圖案化裝置110之溫度，此係(例如)因為氣流114處於較低溫度。可藉由適應性地調整由溫度調節裝置134接收之設定點而動態地調整氣流114之溫度以可變地影響圖案化裝置110之溫度。自圖案化裝置110之表面抽取氣流114。在一些實施例中，當微影設備100在操作中時不斷地供應氣流114。在一些實施例中，當微影設備100在操作中時不斷地供應氣流114使得恆定地維持圖案化裝置110或容積126之溫度。在一些實施例中，將圖案化裝置110之溫度維持處於或約(例如)21.8℃之目標溫度。
圖8說明用於實施圖1A至圖7中所論述之實施例的電腦系統硬體。圖8說明用作處理器之電腦總成，該處理器經組態以：自一或多個感測器接收資料，該一或多個感測器經組態以量測指示加至(1)圖案化裝置110及(2)支撐結構104與投影系統106之間的容積126中之至少一者之熱之量的參數；且判定如何適應性地調整用於溫度調節裝置134之設定點以改變或維持圖案化裝置110之溫度量變曲線。該電腦總成可為在該總成之實施例中呈控制單元之形式的專用電腦，或替代地，為控制微影投影設備之中央電腦。該電腦總成可經配置以用於裝載包含電腦可執行碼之電腦程式產品。
連接至處理器2023之記憶體2001可包含數個記憶體組件，比如，硬碟機(HDD)2003、唯讀記憶體(ROM)2005、電可抹除可程式化唯讀記憶體(EEPROM)2007，及隨機存取記憶體(RAM)2009。並不需要存在所有前述記憶體組件。此外，前述記憶體組件不必實體地緊鄰於處理器2023或彼此緊鄰。該等記憶體組件及該處理器2023可定位 成彼此相隔一距離。
處理器2023亦可連接至某種類之使用者介面，例如，鍵盤2011或滑鼠2013。亦可使用觸控式螢幕、軌跡球、語音轉換器或為熟習此項技術者所知之其他介面。
處理器2023可連接至讀取單元2019，讀取單元2019經配置以讀取(例如)呈電腦可執行碼之形式的資料，自一些情況且在一些情況下將資料儲存於資料載體(比如，軟碟2017或光碟2015)上。亦可使用DVD、快閃記憶體或為熟習此項技術者所知之其他資料載體。
處理器2023亦可連接至印表機2021以在紙張上印出輸出資料，以及連接至顯示器2029，例如，監視器或液晶顯示器(LCD)或為熟習此項技術者所知的任何其他類型之顯示器。
處理器2023可借助於負責輸入/輸出(I/O)之傳輸器/接收器2025而連接至通信網路2027，例如，公眾交換電話網路(PSTN)、區域網路(LAN)、廣域網路(WAN)等等。處理器2023可經配置以經由通信網路2027而與其他通信系統通信。在一實施例中，外部電腦(圖中未繪示)(例如，操作者之個人電腦)可經由通信網路2027而登入至處理器2023中。
處理器2023可經實施為獨立系統或經實施為並行地操作之數個處理單元，其中每一處理單元經配置以執行一較大程式之子任務。亦可將處理單元劃分成一或多個主處理單元與若干子處理單元。處理器2023之一些處理單元可甚至定位成與其他處理單元相隔一距離且經由通信網路2027而通信。可使模組之間的連接為有線的或無線的。
電腦系統可為具有經配置以執行此處所論述之功能的類比及/或數位及/或軟體技術之任何信號處理系統。
儘管在本文中可特定地參考微影設備在IC製造中之使用，但應理解，本文中所描述之微影設備可具有其他應用，諸如，製造整合式 光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更一般術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文所提及之基板。適用時，可將本文之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，(例如)以便產生多層IC，使得本文所使用之術語「基板」亦可指已經含有多個經處理層之基板。
儘管上文可特定地參考在光學微影之內容背景中對實施例之使用，但應瞭解，實施例可用於其他應用(例如，壓印微影)中，且在內容背景允許時不限於光學微影。在壓印微影中，圖案化裝置中之構形界定產生於基板上之圖案。可將圖案化裝置之構形壓入被供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑係藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後，將圖案化裝置移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。
應理解，本文中之措詞或術語係出於描述而非限制之目的，使得本說明書之術語或措詞應由熟習相關技術者鑒於本文中之教示予以解譯。
在本文所描述之實施例中，術語「透鏡」及「透鏡元件」在內容背景允許時可指各種類型之光學組件中之任一者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。
另外，本文所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為365奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長λ)、極紫外線(EUV或軟X射線)輻射(例如，具有在5奈米至20奈米之範圍內之波長，諸如，13.5奈米)或 在小於5奈米下工作之硬X射線，以及粒子束(諸如，離子束或電子束)。通常，具有介於約400奈米至約700奈米之間的波長之輻射被認為是可見光輻射；具有介於約780奈米至3000奈米(或更大)之間的波長之輻射被認為是IR輻射。UV係指具有近似100奈米至400奈米之波長的輻射。在微影內，術語「UV」亦應用於可由水銀放電燈產生之波長：G線436奈米；H線405奈米；及/或I線365奈米。真空UV或VUV(亦即，由氣體吸收之UV)係指具有近似100奈米至200奈米之波長的輻射。深UV(DUV)通常係指具有在126奈米至428奈米之範圍內的波長之輻射，且在一實施例中，準分子雷射可產生在微影設備內使用之DUV輻射。應瞭解，具有在(例如)5奈米至20奈米之範圍內的波長之輻射係關於具有某一波長帶之輻射，該波長帶之至少一部分係在5奈米至20奈米之範圍內。
如本文所使用之術語「基板」通常描述後續材料層經添加至之材料。在實施例中，基板自身可經圖案化，且添加於基板之頂部上之材料亦可經圖案化，或可保持不圖案化。
如本文所使用之術語「實質接觸」通常描述彼此實體地接觸而彼此僅具有微小分離度的元件或結構，該分離度通常係由未對準容許度引起。應理解，本文所使用之一或多個特定特徵、結構或特性之間的相對空間描述(例如，「垂直對準」、「實質接觸」等等)係僅出於說明之目的，且本文所描述之結構之實務實施可在不脫離本發明之精神及範疇的情況下包括未對準容許度。
雖然上文已描述特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐實施例。該描述不意欲限制本發明。
以上之描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。
應瞭解，【實施方式】章節而非【發明內容】及【中文發明摘要】章節意欲用以解譯申請專利範圍。【發明內容】及【中文發明摘要】章節可闡述如由本發明人預期之一或多個而並非所有例示性實施例，且因此，不意欲以任何方式限制本發明及附加申請專利範圍。
上文已憑藉說明特定功能及該等功能之關係之實施的功能建置區塊來描述實施例。為了便於描述，本文已任意地界定此等功能建置區塊之邊界。只要適當地執行指定功能及其關係，便可界定替代邊界。
對特定實施例之前述描述將因此充分地揭露本發明之一般性質：在不脫離本發明之一般概念的情況下，其他人可藉由應用熟習此項技術者所瞭解之知識針對各種應用而易於修改及/或調適此等特定實施例，而無需進行不當實驗。因此，基於本文中所呈現之教示及指導，此等調適及修改意欲在所揭示實施例之等效者的涵義及範圍內。應理解，本文中之措辭或術語係出於描述而非限制之目的，使得本說明書之術語或措辭待由熟習此項技術者按照該等教示及該指導進行解譯。
本發明之廣度及範疇不應受到上述例示性實施例中之任一者限制，而應僅根據以下申請專利範圍及其等效者進行界定。

Claims (17)

  1. 一種微影設備，其包含：一圖案化裝置支撐結構，其經組態以支撐一圖案化裝置；一氣體入口，其經組態以橫越(across)該圖案化裝置之一表面提供一氣流；一溫度調節裝置，其經組態以基於一設定點而調節(to condition)該氣流之溫度；一感測器，其經組態以量測一參數，該參數指示在微影系統之操作使用期間加至(a)該圖案化裝置及(b)該圖案化裝置與一投影系統之一透鏡之間的一容積(volume)中之至少一者的熱之一量，其中藉由該感測器量測之該參數指示該圖案化裝置之一形狀；及一控制器，其以操作方式耦接至該感測器且經組態以基於藉由該感測器量測之該參數而調整該設定點以控制該圖案化裝置之一溫度，其中該控制器經組態以基於該圖案化裝置之該形狀而計算該圖案化裝置之一溫度量變曲線(temperature profile)以及該圖案化裝置與該投影系統之該透鏡之間的該容積之一溫度量變曲線中的至少一者。
  2. 如請求項1之微影設備，其中藉由該感測器量測之該參數為一圖案化裝置對準參數。
  3. 如請求項2之微影設備，其中該圖案化裝置對準參數為一放大率參數。
  4. 如請求項1之微影設備，其中該感測器為一光學感測器。
  5. 如請求項1之微影設備，其中該感測器經組態以量測該圖案化裝置與該投影系統之該透鏡之間的該容積中之流體之一溫度。
  6. 如請求項1之微影設備，其中該感測器耦接至將該圖案化裝置與該投影系統之該透鏡分離之一板(plate)。
  7. 如請求項1之微影設備，其中該感測器經組態以量測該圖案化裝置之一部分之一溫度。
  8. 如請求項7之微影設備，其中該圖案化裝置之該部分為該圖案化裝置之背離該圖案化裝置與一投影系統之一透鏡之間的容積之一表面。
  9. 如請求項1之微影設備，其中該溫度調節裝置包含一加熱器。
  10. 如請求項1之微影設備，其中該溫度調節裝置進一步包含一冷卻裝置。
  11. 如請求項10之微影設備，其中該冷卻裝置包含一帕耳帖(Peltier)裝置。
  12. 一種用於控制一圖案化裝置之一溫度之方法，其包含：使氣體橫越該圖案化裝置之一表面流動；基於一設定點而調整該氣體之一溫度；量測一參數，該參數指示在微影系統之操作使用期間加至(a)該圖案化裝置及(b)該圖案化裝置與一投影系統之一透鏡之間的一容積中之至少一者的熱之一量，其中量測該參數包含量測指示該圖案化裝置之形狀之一參數；基於該經量測參數判定該圖案化裝置之該形狀；基於該圖案化裝置之該經判定形狀而計算該圖案化裝置之一溫度量變曲線以及該圖案化裝置與該投影系統之該透鏡之間的該容積之一溫度量變曲線中的至少一者；及基於該經量測參數而調整該設定點。
  13. 如請求項12之方法，其中該經量測參數為一圖案化裝置對準參數。
  14. 如請求項12之方法，其中該圖案化裝置對準參數為一放大率參數。
  15. 如請求項12之方法，其中基於該經量測參數調整該設定點包含基於該圖案化裝置之一溫度量變曲線以及該圖案化裝置與該投影系統之該透鏡之間的該容積之一溫度量變曲線中的該所計算之至少一者來調整該設定點。
  16. 如請求項12之方法，其中量測該參數包含：量測該圖案化裝置與該投影系統之該透鏡之間的該容積中之流體之一溫度。
  17. 如請求項16之方法，其進一步包含：基於該圖案化裝置與該投影系統之該透鏡之間的該容積中之流體之該經量測溫度而計算該圖案化裝置之一溫度量變曲線以及該圖案化裝置與該投影系統之該透鏡之間的該容積之一溫度量變曲線中的至少一者，其中基於該經量測參數調整該設定點包含基於該圖案化裝置之一溫度量變曲線以及該圖案化裝置與該投影系統之該透鏡之間的該容積之一溫度量變曲線中的該所計算之至少一者來調整該設定點。
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