JP7227834B2 - 基板処理装置及び物品の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、基板処理装置及び物品の製造方法に関する。

半導体デバイスや液晶表示デバイスなどの様々なデバイスの製造工程において、基板処理装置として、原版（マスク）のパターンを基板（ウエハ）に投影して、基板上に供給（塗布）された感光剤（レジスト）を露光する露光装置が用いられている。このような露光装置では、精度や生産性（所謂、スループット）を更に向上させるため、露光シーケンスや基板ステージの速度プロファイルの変更や像面照度の向上などの様々な改善が実施されている。

例えば、スループットを向上させるために、基板ステージや原版ステージなどの駆動部の高速化が進められているが、それに伴い、かかる駆動部での発熱量が増大している。このような駆動部に代表される発熱部の冷却には、水や不活性液などの冷媒が利用されている。発熱部で発生した熱を吸収して温度が上昇した冷媒は、露光装置の内部又は外部に設けられた冷却器や熱交換システムを介して温度調整（温度制御）され、その精度には、露光装置の性能を維持するために、０．１度から０．０１度程度が求められている。このような温度制御に関する技術は、従来から提案されている（特許文献１乃至３参照）。

特許第５６４１７０９号公報 特開２００３－１３３２１１号公報 特許第４５０５６６８号公報

しかしながら、近年では、露光装置のスループットの向上に伴うシーケンスの高速化に起因して、基板ステージや原版ステージなどの駆動部において、急な発熱と発熱の停止とが繰り返されるという特徴がある。このような特徴を有する駆動部の温度制御を実現するためには、フィードバック制御に加えて、フィードフォワード制御や温度制御系自体の応答性の向上が必要となる。但し、近年では、露光装置の性能の向上によって、温度制御の応答が間に合わないことが起きてきているが、このような場合であっても、性能を落とすことなく温度制御を実現する手法が要求されている。

また、露光装置では、ユーザの生産サイクルや製品に応じて、様々なプロセス基板を処理することが必要となるため、その可動状態は常に一定であるとは限らず、露光装置の内部における発熱も様々なタイミングで発生する。従って、温度制御の応答が間に合わないケースも限定的なものだけではなく、発熱量やタイミングが多岐にわたり、画一的な温度制御が困難な状況となっている。

本発明は、このような従来技術の課題に鑑みてなされ、基板を処理するための動作に伴って発熱するユニットの温度を調整するのに有利な基板処理装置を提供することを例示的目的とする。

上記目的を達成するために、本発明の一側面としての基板処理装置は、基板を処理する基板処理装置であって、前記基板を保持して移動するステージを含み、前記基板を処理するための動作に伴って発熱するユニットと、前記ユニットの温度を調整する温調部と、前記ユニットの前記動作を制御するための情報に基づいて、前記ステージに保持された前記基板のプリアライメント、フォーカス計測、アライメント計測のいずれかのタイミングで、前記温調部に対して、前記温調部が前記ユニットの温度を許容範囲内に収めるように調整するための制御パラメータを設定する設定部と、を有することを特徴とする。

本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される実施形態によって明らかにされるであろう。

本発明によれば、例えば、基板を処理するための動作に伴って発熱するユニットの温度を調整するのに有利な基板処理装置を提供することができる。

本発明の一側面としての露光装置の構成を示す概略図である。 基板ステージの温度変化の一例を示す図である。 基板ステージの温度変化の一例を示す図である。 図１に示す露光装置の動作を説明するためのフローチャートである。 温調部に設定されている制御パラメータを変更するタイミングを示すタイミングチャートである。 図１に示す露光装置の動作を説明するためのフローチャートである。

以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。なお、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。更に、添付図面においては、同一もしくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。

図１は、本発明の一側面としての露光装置１００の構成を示す概略図である。露光装置１００は、デバイスの製造工程であるフォトリソグラフィ工程に用いられるリソグラフィ装置であって、基板４を処理する、本実施形態では、基板４にパターンを形成する基板処理装置として具現化される。

なお、本発明は、基板処理装置を露光装置に限定するものではなく、インプリント装置や描画装置にも適用することができる。ここで、インプリント装置は、基板上に供給されたインプリント材とモールドとを接触させ、インプリント材に硬化用のエネルギーを与えることにより、モールドのパターンが転写された硬化物のパターンを形成する。描画装置は、荷電粒子線（電子線）やレーザビームで基板に描画を行うことにより基板上にパターン（潜像パターン）を形成する。また、本発明は、各種の精密加工装置や各種の精密計測装置などの基板を処理する装置に適用することができる。

露光装置１００は、図１に示すように、マスク２を照明する照明光学系１と、マスク２のパターンの像を基板４に投影する投影光学系３と、基板４を保持して移動する基板ステージ５と、制御部１７とを有する。

露光装置１００は、ステップ・アンド・スキャン方式やステップ・アンド・リピート方式を採用する。露光装置１００は、ｉ線、或いは、ＫｒＦエキシマレーザやＡｒＦエキシマレーザなどの光源から射出した光を、照明光学系１を介して、マスク２に照射する。マスク２を通過した光は、投影光学系３で縮小されて基板４に投影され、基板４にマスク２のパターンが転写される。ステップ・アンド・スキャン方式では、マスク２と基板４とを同期走査しながら基板４を露光し、ステップ・アンド・リピート方式では、基板４を静止させた状態で基板４を露光する。

基板ステージ５は、モータ部６を含み、モータ部６によって動作（移動）するユニット（駆動部）である。基板ステージ５は、本実施形態では、マスク２を介して基板４を露光して基板４にパターンを形成する露光処理において、移動（例えば、ステップ移動）と静止とを高速に繰り返す。このような移動と静止との繰り返しによって、基板ステージ５、詳細には、モータ部６が発熱するため、モータ部６の発熱を抑えて基板ステージ５を目標温度に維持する必要がある。

そこで、露光装置１００は、冷媒を用いてモータ部６を冷却して基板ステージ５の温度を調整する（温調する）温調部１０を有している。温調部１０は、タンク１１と、ポンプ１２と、ヒータ１３と、冷却器１４と、センサ１５及び１６とを含む。温調部１０は、本実施形態では、ポンプ１２を動力源として冷媒を循環させる循環系を構成している。温調部１０は、冷却器１４で冷却した冷媒をタンク１１に貯留して、タンク１１で冷媒の温度をなじませ、センサ１５及び１６で計測する温度が所定温度となるようにヒータ１３で冷媒を加熱することで、基板ステージ５の温度を目標温度に維持する。

制御部１７は、ＣＰＵやメモリなどを含むコンピュータで構成され、記憶部に記憶されたプログラムに従って露光装置１００の各部を統括的に制御して露光装置１００を動作させる。制御部１７は、露光処理や露光処理に関連する処理を制御する。制御部１７は、本実施形態では、基板ステージ５（モータ部６）の温度が目標温度となるように、温調部１０を制御する。後述するように、制御部１７は、基板ステージ５の動作を制御するための情報に基づいて、基板ステージ５の動作の開始前に、温調部１０に対して、温調部１０が基板ステージ５の温度を調整するための制御パラメータを設定する設定部として機能する。

制御部１７における基板ステージ５の温度制御について説明する。制御部１７は、通常、センサ１５及び１６で計測される温度が所定温度Ｔｅｍｐ１になるように、温調部１０をフィードバック制御する。ここで、所定温度Ｔｅｍｐ１は、基板ステージ５の温度を目標温度とするために、温調部１０に対して設定される制御パラメータである。従って、所定温度Ｔｅｍｐ１には、基板ステージ５が目標温度であるときにセンサ１５及び１６で計測される温度が設定される。但し、センサ１５及び１６で計測される温度と基板ステージ５の温度との間に差がない場合には、所定温度Ｔｅｍｐ１に基板ステージ５の目標温度を設定してもよい。

一方、露光装置１００には、近年、スループットの更なる向上が求められている。そのため、基板ステージ５の高速化（高加速度化や高速度化）に起因するモータ部６の発熱量の増加や露光装置１００のソフトウエアの最適化によるシーケンスの無駄時間の削減に起因する基板ステージ５の駆動頻度の増加が生じている。従って、基板ステージ５（モータ部６）の単位時間当たりの発熱量が増加する傾向にあるため、モータ部６の発熱が温調部１０の温調性能を超えた状態となる可能性がある。このような状態で温度制御された基板ステージ５（モータ部６）の温度は、図２に示すような挙動を示し、基板ステージ５の許容温度閾値Ｔｅｍｐ２を超えてしまうことがある。基板ステージ５の温度変化の一例を示す図であって、縦軸は、基板ステージ５の温度を示し、横軸は、時間を示している。

そこで、本実施形態では、図３に示すように、基板ステージ５が発熱するよりも前のタイミング、即ち、基板ステージ５の動作の開始前に、温調部１０に対して、基板ステージ５の温度を調整するための制御パラメータとして、温度Ｔｅｍｐ１’を設定する。具体的には、基板ステージ５の動作の開始前に、温調部１０に対して設定されている制御パラメータを、所定温度Ｔｅｍｐ１（第１制御パラメータ）から温度Ｔｅｍｐ１’（第２制御パラメータ）に変更する。なお、温度Ｔｅｍｐ１’は、所定温度Ｔｅｍｐ１とは異なる温度、具体的には、所定温度Ｔｅｍｐ１よりも低い温度である。これにより、図３に示すように、基板ステージ５（モータ部６）の温度変化（揺れ幅）を小さくすることができ、基板ステージ５の温度を許容温度閾値Ｔｅｍｐ２の範囲内に収めることが可能となる。図３は、本実施形態における基板ステージ５の温度変化の一例を示す図であって、縦軸は、基板ステージ５の温度を示し、横軸は、時間を示している。

露光装置１００では、温調部１０に対して制御パラメータを設定（変更）するタイミングを、露光装置１００の各シーケンス情報、具体的は、基板ステージ５の動作を制御するための情報から決定する。これにより、基板ステージ５に実際に動作指令を与えて基板ステージ５が発熱するよりも前のタイミングにおいて、温調部１０に設定されている制御パラメータの変更が可能となる。従って、基板ステージ５の温度変化を軽減し、基板ステージ５の温度制御の精度向上を実現することができる。

なお、温調部１０に設定されている制御パラメータを変更したままシーケンスが終了し、基板ステージ５（モータ部６）の発熱が停止すると、基板ステージ５の温度が下がりすぎてしまう可能性がある。そこで、本実施形態では、シーケンスが終了したら、温調部１０に設定されている制御パラメータを元に戻す。具体的には、基板ステージ５の動作の終了後に、温調部１０に対して設定されている制御パラメータを、温度Ｔｅｍｐ１’から所定温度Ｔｅｍｐ１に変更する。なお、温調部１０に対して設定されている制御パラメータを元に戻すタイミングに関しても、露光装置１００の各シーケンス情報、具体的は、基板ステージ５の動作を制御するための情報から決定する。

図４を参照して、露光装置１００の動作を具体的に説明する。ここでは、露光装置１００の動作として、複数の基板４を連続的に露光する場合を例に説明する。

Ｓ４０２では、露光装置１００に基板４を搬入する。Ｓ４０４では、露光装置１００に搬入した基板４の温度を、露光装置１００での処理に適した温度に調整する。Ｓ４０６では、プリアライメントを行う。プリアライメントでは、基板４の外形を基準として基板４の向きを補正し、かかる基板４を基板ステージ５に搬送する（基板４を基板ステージ５に保持させる）。

Ｓ４０８では、基板ステージ５が動作しているか（即ち、動作中であるか）どうかを判定する。基板ステージ５が動作中である場合には、Ｓ４１０に移行する。一方、基板ステージ５が動作中でない場合には、Ｓ４２２に移行する。

Ｓ４１０では、フォーカス計測を行う。フォーカス計測では、基板ステージ５に保持された基板上の各計測点にてフォーカス（基板４の高さ方向の位置）を計測する。Ｓ４１２では、アライメント計測を行う。アライメント計測は、基板４の位置ずれを計測する処理であって、例えば、基板４と基板ステージ５との間の位置ずれを計測する処理やマスク２と基板４との間の位置ずれを計測する処理などを含む。

Ｓ４１４では、露光を行う。露光では、Ｓ４１０でのフォーカス計測の結果やＳ４１２でのアライメント計測の結果に基づいて、マスク２と基板４とを同期走査しながら、或いは、基板４を静止させた状態で基板４を露光する。

露光においては、基板ステージ５が移動と静止とを高速に繰り返し、モータ部６が発熱するため、上述したように、通常、温調部１０をフィードバック制御することで、基板ステージ５の温度を制御している。但し、露光が開始されてから、即ち、基板ステージ５の動作の開始後に、温調部１０に設定されている制御パラメータを変更したのでは、温調部１０の温度制御の応答が間に合わず、基板ステージ５（モータ部６）の温度上昇を抑えきれないことがある。

そこで、本実施形態では、図４に示すように、基板ステージ５の動作の開始前、具体的には、プリアライメント（Ｓ４０６）とフォーカス計測（Ｓ４１０）との間のタイミングであって、基板ステージ５が動作中でない場合に、Ｓ４２２を行う。Ｓ４２２では、温調部１０に対して設定されている制御パラメータを変更する。具体的には、上述したように、温調部１０に対して設定されている制御パラメータを、所定温度Ｔｅｍｐ１から温度Ｔｅｍｐ１’に変更する。これにより、基板ステージ５（モータ部６）の発熱に対して冷媒を予め低くすることができ、図３に示したように、基板ステージ５の温度変化を小さくして、基板ステージ５の温度を許容温度閾値Ｔｅｍｐ２の範囲内に収めることができる。

Ｓ４１６では、Ｓ４１４で露光が行われた基板４が最終基板であるかどうかを判定する。例えば、１ロットが２５枚の基板４を含む場合、２５枚目の基板が最終基板となる。Ｓ４１４で露光が行われた基板４が最終基板でない場合には、Ｓ４１８に移行する。Ｓ４１８では、露光装置１００から基板４を搬出する。一方、Ｓ４１４で露光が行われた基板４が最終基板である場合には、Ｓ４２４に移行する。最終基板の露光が終了すると、基板ステージ５が発熱しなくなるため、Ｓ４２４では、温調部１０に対して設定されている制御パラメータを変更する（元の制御パラメータに戻す）。具体的には、上述したように、温調部１０に対して設定されている制御パラメータを、温度Ｔｅｍｐ１’から所定温度Ｔｅｍｐ１に変更する。これにより、基板ステージ５の温度が下がりすぎてしまうことを防止して、基板ステージ５の温度を目標温度に維持することが可能となる。

複数の基板４を連続的に露光する場合には、図４に示すシーケンスが繰り返されることになる。この場合、温調部１０に設定されている制御パラメータがどのようなタイミングで変更されるのかを示すタイミングチャートを図５に示す。図５を参照するに、露光装置１００に搬入された１枚目の基板４に対して、上述したように、Ｓ４０２乃至Ｓ４１８、及び、Ｓ４２２の各工程が行われるが、最終基板ではないため、Ｓ４２４の工程は行われない。

次いで、露光装置１００に搬入された２枚目の基板４に対して、１枚目の基板４と同様に各工程が行われるが、２枚目の基板４のプリアライメント（Ｓ４０６）のタイミングは、１枚目の基板４の露光（Ｓ４１４）のタイミングと重なっている。従って、基板ステージ５が動作中であるため、Ｓ４２２の工程は行われない。このように、２枚目の基板４に対する処理では、プリアライメント（Ｓ４０６）のタイミングで基板ステージ５が既に動作しているか、及び、温調部１０に設定されている制御パラメータが既に変更されているかを確認する。そして、基板ステージ５が動作しておらず、且つ、温調部１０に設定されている制御パラメータが変更されていない場合にのみ、制御パラメータを変更する。また、１枚目の基板４に対する処理と同様に、２枚目の基板４に対する処理では、最終基板ではないため、Ｓ４２４の工程は行われない。Ｎ枚目の基板４に対する処理までは、同様な処理となる。

次に、露光装置１００に搬入された最終基板に対して、１枚目の基板４と同様に各工程が行われるが、Ｎ枚目の基板４までの処理と同様に、Ｓ４２２の工程は行われない。但し、最終基板の露光（Ｓ４１４）が終了すると、基板ステージ５が発熱しなくなるため、Ｓ４２４の工程が行われる。

本実施形態では、プリアライメントを開始するタイミング、具体的には、基板４の外形の計測を開始するタイミングで温調部１０に対して設定されている制御パラメータを変更することを想定しているが、これに限定されるものではない。例えば、基板４の外形の計測が終了するタイミング、基板４の向きの補正を開始するタイミング、或いは、基板４の向きの補正が終了するタイミングで、温調部１０に対して設定されている制御パラメータを変更してもよい。

また、本実施形態では、１枚目の基板４のプリアライメントのタイミング、及び、最終基板の露光のタイミングで、温調部１０に対して設定されている制御パラメータを変更する場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。露光装置１００が有する温調部１０の温調性能や応答性を考慮して、その他のタイミングで制御パラメータを変更してもよい。

本実施形態では、プリアライメントのタイミングで温調部１０に対して設定されている制御パラメータを変更しているが、その前の工程、即ち、基板４を搬入するタイミングで温調部１０に対して設定されている制御パラメータを変更してもよい。この場合、例えば、基板ハンドに基板４を渡すタイミングやプリアライメント位置に基板４を搬送するタイミングで温調部１０に対して設定されている制御パラメータを変更することが可能である。

また、Ｓ４０４では、上述したように、基板４の温度を、露光装置１００での処理に適した温度（最適温度）に調整する。従って、基板４の温度が最適温度に対して許容範囲に収まったタイミングや基板４の温度が最適温度に到達したタイミングに応じて、その後の工程を開始するタイミングが変動する。そこで、かかるタイミングにおいて、温調部１０に対して設定されている制御パラメータを変更してもよい。

このように、基板ステージ５の動作の開始前であれば、温調部１０に対して設定されている制御パラメータを変更することが可能である。具体的には、基板４の搬入（Ｓ４０２）、温度の調整（Ｓ４０４）、プリアライメント（Ｓ４０６）、フォーカス計測（Ｓ４０８）、アライメント計測（Ｓ４１０）のいずれかのタイミングで、温調部１０に対して設定されている制御パラメータを変更すればよい。

なお、温調部１０に対して設定されている制御パラメータを変更する回数は、１回に限定されるものではなく、複数回であってもよい。この場合、各工程の結果に応じて、予め決められた範囲で制御パラメータを変更することが可能である。

また、温調部１０に対して設定されている制御パラメータを変更すべきタイミングは、制御部１７において、基板ステージ５の動作を制御するための情報に基づいて決定される。ここで、基板ステージ５の動作を制御するための情報は、例えば、基板４のレイアウト情報、露光条件に関する情報及びアライメントに関する情報のうち少なくとも１つを含む。基板４のレイアウト情報とは、基板上のショット領域（処理対象領域）の配列を示す情報である。露光条件に関する情報とは、基板４を処理するための処理条件に関する情報であって、例えば、露光量や露光モードなどを含む。アライメントに関する情報とは、基板４をアライメントするために計測するマークに関する情報や基板４をアライメントするためにマークを計測するショット領域（サンプルショット領域）を示す情報である。制御部１７は、これらの情報から基板ステージ５の動作のプロファイル、所謂、駆動プロファイルを生成し、かかる駆動プロファイルに基づいて、温調部１０に対して設定されている制御パラメータを変更すべきタイミングを決定する。この場合、露光装置１００を動作させる前に、温調部１０に対して設定されている制御パラメータを変更すべきタイミングを事前に決定することができる。

また、基板ステージ５の動作を制御するための情報は、例えば、基板処理開始情報、アライメント計測開始情報、アライメント計測リトライ情報及びエラー情報のうち少なくとも１つであってもよい。基板処理開始情報とは、基板４の露光（処理）の開始を指示する情報であり、アライメント計測開始情報とは、基板４のアライメントの開始を指示する情報である。アライメント計測リトライ情報とは、基板４のアライメントのリトライを指示する情報であり、エラー情報とは、基板４の露光やアライメント（処理）に関するエラーを示す情報である。制御部１７は、これらの情報から、温調部１０に対して設定されている制御パラメータを変更すべきタイミングを決定する。この場合、露光装置１００を動作させながら、温調部１０に対して設定されている制御パラメータを変更すべきタイミングをリアルタイムに決定することができる。

また、基板ステージ５の動作を制御するための情報は、例えば、基板処理進行情報及び基板位置情報のうち少なくとも１つであってもよい。基板処理進行情報とは、基板４の処理の進行状況を示す情報であり、及び、基板位置情報とは、露光装置内における基板４の位置を示す情報である。制御部１７は、これらの情報から、温調部１０に対して設定されている制御パラメータを変更すべきタイミングを決定する。この場合、露光装置１００の処理状況に応じて、温調部１０に対して設定されている制御パラメータを変更すべきタイミングをリアルタイムに決定することができる。

また、本実施形態では、温調部１０が基板ステージ５の温度を調整するための制御パラメータを、基板ステージ５が目標温度であるときにセンサ１５及び１６で計測される温度（基板ステージ５の目標温度）としているが、これに限定されるものではない。制御パラメータは、例えば、温調部１０による基板ステージ５の温度の調整をＯＮ／ＯＦＦするためのパラメータや基板ステージ５の温度の異常を判定する閾値を示すパラメータ（即ち、許容温度閾値Ｔｅｍｐ２）であってもよい。

また、本実施形態では、基板４を処理するための動作に伴って発熱するユニットを基板ステージ５として説明したが、これに限定されるものではない。基板４を処理するための動作に伴って発熱するユニットは、基板ステージ５の動作と連動して動作又は温度変化するユニット、例えば、マスク２を保持して移動するマスクステージや露光装置１００の振動を低減する除振装置であってもよい。

また、温調部１０に対して設定されている制御パラメータの変更に関しては、露光装置１００に異常が発生した場合の処理が重要となる。図６は、露光装置１００に異常が発生した場合における露光装置１００の動作を示すフローチャートである。露光装置１００では、装置内外で異常が発生すると、その動作を停止する、或いは、異常状態から復旧するための復旧処理を行う必要がある。従って、露光装置１００の通常の動作で変更した制御パラメータについては、露光装置１００に異常が発生した際に、変更前の制御パラメータに戻さなければならない。露光装置１００の動作においては、その各工程で異常が発生する可能性がある。そこで、図６に示すように、各工程に対して、温調部１０に対して設定されている制御パラメータを変更する（戻す）工程を追加する。

また、図６に示すように、露光装置１００が異常状態から復帰する際には、基板ステージ５の状態に応じて、温調部１０に対して設定されている制御パラメータを変更する。具体的には、基板ステージ５の温度を確認し、所定温度Ｔｅｍｐ１からの乖離に応じて、温調部１０に対して設定されている制御パラメータを変更する（戻す）タイミングを決定する。そして、復旧処理において、決定したタイミングで、温調部１０に対して設定されている制御パラメータを変更する（戻す）。

本発明の実施形態における物品の製造方法は、例えば、デバイス（半導体素子、磁気記憶媒体、液晶表示素子など）などの物品を製造するのに好適である。かかる製造方法は、露光装置１００を用いて、基板にパターンを形成する工程と、パターンが形成された基板を処理する工程と、処理された基板から物品を製造する工程とを含む。また、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージングなど）を含みうる。本実施形態における物品の製造方法は、従来に比べて、物品の性能、品質、生産性及び生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。

発明は上記実施形態に制限されるものではなく、発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、発明の範囲を公にするために請求項を添付する。

１００：露光装置 ４：基板 ５：基板ステージ ６：モータ部 １０：温調部 １７：制御部

Claims (11)

1. 基板を処理する基板処理装置であって、
   前記基板を保持して移動するステージを含み、前記基板を処理するための動作に伴って発熱するユニットと、
   前記ユニットの温度を調整する温調部と、
   前記ユニットの前記動作を制御するための情報に基づいて、前記ステージに保持された前記基板のプリアライメント、フォーカス計測、アライメント計測のいずれかのタイミングで、前記温調部に対して、前記温調部が前記ユニットの温度を許容範囲内に収めるように調整するための制御パラメータを設定する設定部と、
   を有することを特徴とする基板処理装置。
2. 前記設定部は、前記情報に基づいて、前記温調部に対して前記制御パラメータを設定すべきタイミングを決定し、当該タイミングにおいて前記制御パラメータを設定することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記設定部は、前記情報から前記ユニットの前記動作のプロファイルを生成し、当該プロファイルに基づいて、前記タイミングを決定することを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
4. 前記情報は、前記基板上の処理対象領域の配列を示す情報、前記基板を処理するための処理条件を示す情報、前記基板をアライメントするために計測するマークに関する情報、及び、前記基板をアライメントするためにマークを計測する処理対象領域を示す情報のうち少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項２又は３に記載の基板処理装置。
5. 前記情報は、前記基板の処理の開始を指示する情報、前記基板のアライメントの開始を指示する情報、前記基板のアライメントのリトライを指示する情報、及び、前記基板の処理に関するエラーを示す情報のうち少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の基板処理装置。
6. 前記情報は、前記基板の処理の進行状況を示す情報、及び、前記基板処理装置における前記基板の位置を示す情報のうち少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
7. 前記制御パラメータは、前記ユニットの目標温度を示すパラメータ、及び、前記ユニットの温度の異常を判定する閾値を示すパラメータのうち少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１乃至６のうちいずれか１項に記載の基板処理装置。
8. 前記設定部は、前記動作の開始前に、前記制御パラメータを第１制御パラメータから前記第１制御パラメータとは異なる第２制御パラメータに変更し、前記動作の終了後に、前記制御パラメータを前記第２制御パラメータから前記第１制御パラメータに変更することを特徴とする請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載の基板処理装置。
9. 前記設定部は、複数の基板のうち最初の基板を処理するための前記動作の開始前に、前記制御パラメータを第１制御パラメータから前記第１制御パラメータとは異なる第２制御パラメータに変更し、前記複数の基板のうち最後の基板を処理するための前記動作の終了後に、前記制御パラメータを前記第２制御パラメータから前記第１制御パラメータに変更することを特徴とする請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載の基板処理装置。
10. 前記ステージに保持された前記基板にマスクのパターンの像を投影する投影光学系を更に有することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
11. 請求項１乃至１０のうちいずれか１項に記載の基板処理装置を用いてパターンを基板に形成する工程と、
    前記工程で前記パターンが形成された前記基板を処理する工程と、
    処理された前記基板から物品を製造する工程と、
    を有することを特徴とする物品の製造方法。

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