TWI717109B

TWI717109B - 高頻用密封材料樹脂組合物及半導體裝置

Info

Publication number: TWI717109B
Application number: TW108141941A
Authority: TW
Inventors: 宇津野智久; 小野寺駿
Original assignee: 日商京瓷股份有限公司
Priority date: 2019-01-31
Filing date: 2019-11-19
Publication date: 2021-01-21
Also published as: JP2020122115A; TW202030258A; JP7384559B2

Abstract

本發明係一種高頻用密封材料樹脂組合物，其係包含(A)環氧樹脂、(B)苯并㗁𠯤樹脂、(C)酚硬化劑、(D)硬化促進劑及(E)無機填充劑者，且藉由下述測定條件所測定之120秒時之硬化度為0.35以上且未達0.55、150秒時之硬化度為0.50以上且未達0.75，上述樹脂組合物之硬化物於70 GHz下之相對介電常數為3.40以下。 (硬化度之測定條件) 使用硫化儀，於模具溫度175℃、成形時間300秒之條件下使上述樹脂組合物硬化時，測定成形時間120秒、及150秒時之轉矩值，藉由下述式(1)及(2)算出各自之硬化度。硬化度₁₂₀ ＝轉矩值₁₂₀ /轉矩值₃₀₀ (1) 硬化度₁₅₀ ＝轉矩值₁₅₀ /轉矩值₃₀₀ (2)

Description

高頻用密封材料樹脂組合物及半導體裝置

本發明係關於一種高頻用密封材料樹脂組合物及半導體裝置。

近年來，電子裝置之輸電信號之高頻化發展，於將相關構件用於高頻區域(10 GHz～70 GHz)之情形時，要求低介電常數之密封材料。已知若密封材料使用苯并㗁𠯤樹脂，則介電常數低於通常密封材料所使用之環氧樹脂或酚系樹脂(例如專利文獻1)。然而，苯并㗁𠯤樹脂不易硬化，若不利用特定之觸媒於200℃以上之高溫下成形，則不完全硬化。因此，成為模具污漬之原因，無法連續成形，且招致可靠性之降低。

又，高頻環境下使用之通信設備使用基板上之配線細線化、高密度化及搭載零件小型化之封裝體(小型、輕量PKG)及模組。又，若為車載用之基板，則要求高可靠性。然而，由於苯并㗁𠯤樹脂為高黏度，故於密封小型、輕量PKG及模組時，存在對狹小部之填充性低下或成形物中產生孔隙等問題。又，由於苯并㗁𠯤樹脂為剛直之骨架，故存在易碎之問題。

例如專利文獻2中揭示有如下半導體密封用樹脂組合物，其含有熱硬化性樹脂組合物作為必需成分，且相對於該熱硬化性樹脂組合物100重量份，包含添加劑0.01～35重量份、及無機質填充材200～1200重量份，上述熱硬化性樹脂組合物包含具有二氫苯并㗁𠯤環之熱硬化性樹脂2～87重量%、環氧樹脂3～67重量%及酚系樹脂10～31重量%，且該等3種成分之混合物於150℃下之熔融黏度成為2 P以下。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2000-154225號公報 [專利文獻2]日本專利特開平11-60898號公報

[發明所欲解決之問題]

然而，並未針對專利文獻2中記載之密封用樹脂組合物對高頻環境之應用進行研究，小型、輕量PKG及模組所要求之特性、對狹小部之填充性、孔隙之抑制等並不充分。

本發明係鑒於此種實際情況而完成者，提供一種可獲得對狹小部之高填充性及抑制孔隙之產生而成形性優異、並且耐回焊性及密接性優異之硬化物的高頻用密封材料樹脂組合物及藉由該樹脂組合物進行密封之高可靠性之半導體裝置。 [解決問題之技術手段]

本發明者人等為解決上述問題而銳意研究，結果發現，藉由特定之測定條件而測定之120秒時之硬化度及150秒時之硬化度分別為特定之範圍內、且硬化物之70 GHz下之相對介電常數為特定值以下的高頻用密封材料樹脂組合物可解決上述問題。本發明係基於該見解而完成者。

即，本案發明係關於以下內容。 [1]一種高頻用密封材料樹脂組合物，其係包含(A)環氧樹脂、(B)苯并㗁𠯤樹脂、(C)酚硬化劑、(D)硬化促進劑及(E)無機填充劑者，且藉由下述測定條件所測定之120秒時之硬化度為0.35以上且未達0.55、150秒時之硬化度為0.50以上且未達0.75，上述樹脂組合物之硬化物於70 GHz下之相對介電常數為3.40以下。 (硬化度之測定條件) 使用硫化儀(curelastometer)，於模具溫度175℃、成形時間300秒之條件下使上述樹脂組合物硬化時，測定成形時間120秒、及150秒時之轉矩值，藉由下述式(1)及(2)而算出各自之硬化度。硬化度₁₂₀ ＝轉矩值₁₂₀ /轉矩值₃₀₀ (1) 硬化度₁₅₀ ＝轉矩值₁₅₀ /轉矩值₃₀₀ (2) [2]如上述[1]所記載之高頻用密封材料樹脂組合物，其中上述(B)苯并㗁𠯤樹脂為下述通式(1)所表示之苯并㗁𠯤樹脂。

[化1]

(通式(1)中，X為碳數1～10之伸烷基、下述通式(2)所表示之基、-SO₂ -、-CO-、氧原子或單鍵，R¹ 及R² 分別獨立地為氫原子或碳數1～10之烴基；複數個R¹ 及複數個R² 可分別相同亦可不同)

[化2]

(通式(2)中，Xa為具有芳香環之碳數6～30之烴基，m為0～6之整數) [3]如上述[1]或[2]所記載之高頻用密封材料樹脂組合物，其特徵在於：於將上述(A)環氧樹脂所具有之環氧基當量設為(a)、將基於上述(B)苯并㗁𠯤樹脂所具有之苯并㗁𠯤開環時產生之羥基的羥基當量設為(b)、將上述(C)酚硬化劑所具有之羥基當量設為(c)時，當量比[((b)＋(c))/(a)]為1.5～20。 [4]如上述[1]至[3]中任一項所記載之高頻用密封材料樹脂組合物，其特徵在於：相對於上述(A)環氧樹脂、(B)苯并㗁𠯤樹脂、及(C)酚硬化劑之合計100質量%，(A)環氧樹脂之含量為5～35質量%、(B)苯并㗁𠯤樹脂之含量為45～90質量%、(C)酚硬化劑之含量為5～20質量%。 [5]如上述[1]至[4]中任一項所記載之高頻用密封材料樹脂組合物，其特徵在於：上述(D)硬化促進劑之含量相對於上述樹脂組合物總量為0.05～2質量%，上述(E)無機填充劑之含量相對於上述樹脂組合物總量為70～95質量%。 [6]如上述[1]至[5]中任一項所記載之高頻用密封材料樹脂組合物，其特徵在於：上述(D)硬化促進劑為選自由咪唑化合物及其衍生物所組成之群中之至少1種。 [7]如上述[1]至[6]中任一項之所記載之高頻用密封材料樹脂組合物，其特徵在於進而包含(F)下述通式(3)所表示之含矽之三𠯤化合物，且該(F)含矽之三𠯤化合物之含量相對於上述樹脂組合物總量為0.05～2質量%。

[化3]

(通式(3)中，a為3～10之整數，b為0～2之整數，R³ 及R⁴ 分別獨立地為鹵素原子、胺基、羥基、烷基亞胺基、芳基亞胺基或亞胺基烷基矽烷基，R⁵ 為烷基或烷氧基，R⁶ 為烷氧基) [8]一種半導體裝置，其特徵在於具有基板、搭載於該基板上之半導體元件及密封該半導體元件之如上述[1]至[7]中任一項所記載之樹脂組合物之硬化物。 [發明之效果]

根據本發明，可提供一種能夠獲得對狹小部之高填充性及抑制孔隙之產生而成形性優異、並且耐回焊性及密接性優異之硬化物的高頻用密封材料樹脂組合物及藉由該樹脂組合物進行密封之高可靠性之半導體裝置。

以下，針對本發明，一面參照一實施形態一面詳細地說明。

＜高頻用密封材料樹脂組合物＞本實施形態之高頻用密封材料樹脂組合物(以下亦簡稱為樹脂組合物)係包含(A)環氧樹脂、(B)苯并㗁𠯤樹脂、(C)酚硬化劑、(D)硬化促進劑及(E)無機填充劑者，且藉由下述測定條件所測定之120秒時之硬化度為0.35以上且未達0.55、150秒時之硬化度為0.50以上且未達0.75，上述樹脂組合物之硬化物於70 GHz下之相對介電常數為3.40以下。 (硬化度之測定條件) 使用硫化儀，於模具溫度175℃、成形時間300秒之條件下使上述樹脂組合物硬化時，測定成形時間120秒、及150秒時之轉矩值，藉由下述式(1)及(2)而算出各自之硬化度。硬化度₁₂₀ ＝轉矩值₁₂₀ /轉矩值₃₀₀ (1) 硬化度₁₅₀ ＝轉矩值₁₅₀ /轉矩值₃₀₀ (2)

本實施形態之樹脂組合物於120秒時之硬化度為0.35以上且未達0.55，亦可為0.35以上0.50以下。若120秒時之硬化度未達0.35，則未充分地進行樹脂組合物之硬化，故有連續成型性變差之虞。另一方面，若120秒時之硬化度為0.55以上，則有流動性變差、產生孔隙之虞。

又，本實施形態之樹脂組合物於150秒時之硬化度為0.50以上且未達0.75，亦可為0.52以上0.70以下。若150秒時之硬化度未達0.50，則有產生黏附而成型性變差之虞。另一方面，若150秒時之硬化度為0.75以上，則有流動性變差、產生孔隙之虞。

上述120秒時之硬化度及150秒時之硬化度可使用硫化儀，於模具溫度175℃、成形時間300秒之條件下使上述樹脂組合物硬化時，測定成形時間120秒、及150秒時之轉矩值，並藉由下述式(1)及(2)而算出。硬化度₁₂₀ ＝轉矩值₁₂₀ /轉矩值₃₀₀ (1) 硬化度₁₅₀ ＝轉矩值₁₅₀ /轉矩值₃₀₀ (2) 再者，120秒時之硬化度及150秒時之硬化度均可藉由適當調整(D)硬化促進劑之種類及含量而設為上述範圍內。

本實施形態之樹脂組合物之硬化物於70 GHz下之相對介電常數為3.40以下，亦可為3.30以下。下限值無特別限制，可為2.80以上。若上述硬化物於70 GHz下之相對介電常數超過3.40，則有傳輸損失變大，阻礙高頻區域內之通信之虞。又，變得難以於高頻區域(10 GHz～70 GHz)使用藉由該樹脂組合物進行密封之半導體裝置。上述相對介電常數可依據JIS C2138：2007而測定，具體而言，可藉由實施例中記載之方法而測定。再者，相對介電可藉由適當調整(B)苯并㗁𠯤樹脂之種類及含量而調整為3.40以下。

以下針對作為本發明之一實施形態之樹脂組合物所含有之各成分進行詳細說明。

本實施形態中使用之(A)環氧樹脂只要為1分子中具有2個以上環氧基者即可，其分子量或分子結構等並無特別限制。作為(A)環氧樹脂，例如可列舉：聯苯芳烷基型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、雙酚型環氧樹脂、茋型環氧樹脂等結晶性環氧樹脂；苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂等酚醛清漆型環氧樹脂；三苯酚甲烷型環氧樹脂、烷基改性三苯酚甲烷型環氧樹脂等多官能環氧樹脂；具有伸苯基骨架之苯酚芳烷基型環氧樹脂；二羥基萘型環氧樹脂、使二羥基萘之二聚物縮水甘油醚化而獲得之環氧樹脂等萘酚型環氧樹脂；三縮水甘油基異氰尿酸酯、單烯丙基縮水甘油基異氰尿酸酯等含三𠯤核之環氧樹脂；二環戊二烯改性酚型環氧樹脂等橋接環狀烴化合物之改性酚型環氧樹脂等。該等環氧樹脂可單獨使用1種，亦可併用2種以上。作為(A)環氧樹脂，可為聯苯芳烷基型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、雙酚型環氧樹脂。

(A)環氧樹脂之軟化點可為40～120℃，亦可為50～110℃。若為該範圍，則熔融黏度良好。再者，本說明書中之軟化點係指「環球法軟化點」，且係指依據ASTM D36而測定之值。

又，(A)環氧樹脂之熔點可為50～120℃，亦可為60～110℃。再者，上述(A)環氧樹脂之熔點可藉由示差掃描型熱量計(DSC)之吸熱波峰而測定。

相對於(A)環氧樹脂、(B)苯并㗁𠯤樹脂、及(C)酚硬化劑之合計100質量%，(A)環氧樹脂之含量可為5～35質量%，亦可為5～30質量%。若(A)環氧樹脂之含量為5質量%以上，則樹脂組合物之硬化性提昇，若為30質量%以下，則樹脂組合物之硬化物之密接性提昇。

本實施形態中使用之(B)苯并㗁𠯤樹脂藉由與(A)環氧樹脂及(C)酚硬化劑一同使用，而可降低樹脂組合物之反應起始溫度，通常於使用之密封材料之成形溫度(175℃左右)下充分地硬化，故可提昇該樹脂組合物之連續成形性及可靠性。又，(A)環氧樹脂及(C)酚硬化劑之黏度較(B)苯并㗁𠯤樹脂低，故可較單獨使用(B)苯并㗁𠯤樹脂之情形降低樹脂組合物之黏度，可提昇填充性。進而，賦予樹脂組合物柔軟性，故易碎性得以改善。

(B)苯并㗁𠯤樹脂只要為1分子中具有2個以上苯并㗁𠯤環且可聚合之化合物即可，並無特別限制，可為下述通式(1)所表示之1分子中包含2個以上苯并㗁𠯤環之化合物。

[化4]

通式(1)中，X為碳數1～10之伸烷基、下述通式(2)所表示之基、-SO₂ -、-CO-、氧原子或單鍵，R¹ 及R² 分別獨立地為氫原子或碳數1～10之烴基。又，複數個R¹ 及複數個R² 可分別相同亦可不同。

[化5]

通式(2)中，Xa為具有芳香環之碳數6～30之烴基，m為0～6之整數。

X之伸烷基之碳數為1～10，亦可為1～3。作為伸烷基之具體例，可列舉：亞甲基、伸乙基、伸丙基、伸丁基、伸戊基、伸己基、伸庚基、伸辛基等。作為伸烷基，可為亞甲基、伸乙基、伸丙基，亦可為亞甲基。

作為R¹ 及R² 之碳數1～10之烴基，例如可列舉：甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基等烷基；乙烯基、烯丙基、丁烯基、戊烯基、己烯基等烯基；苯基、甲苯基、二甲苯基等芳基；苄基、苯乙基等芳烷基等1價之烴基。

於通式(1)中，X可為-SO₂ -、-CO-、或-CH₂ -，亦可為-CH₂ -。R¹ 及R² 可為氫原子。

相對於(A)環氧樹脂、(B)苯并㗁𠯤樹脂、及(C)酚硬化劑之合計100質量%，(B)苯并㗁𠯤樹脂之含量可為45～90質量%，亦可為50～85質量%。若(B)苯并㗁𠯤樹脂之含量為50質量%以上，則可降低樹脂組合物之硬化物之介電常數，若為90質量%以下，則樹脂組合物之硬化物之強度提昇，且可抑制殘料流道(cull runner)彎曲之產生。

本實施形態中使用之(C)酚硬化劑主要具有提高成形性之作用。(C)酚硬化劑只要為一分子中具有2個以上可與上述(A)環氧樹脂之環氧基反應之酚性羥基之公知之硬化劑，則可無特別限制地使用。

作為(C)酚硬化劑，例如可列舉：間苯二酚、兒茶酚、雙酚A、雙酚F、經取代或未經取代之聯苯酚等1分子中具有2個酚性羥基之酚化合物；使苯酚、甲酚、二甲苯酚、間苯二酚、兒茶酚、雙酚A、雙酚F、苯基苯酚、胺基苯酚等酚類及/或α-萘酚、β-萘酚、二羥基萘等萘酚類與甲醛、乙醛、丙醛、苯甲醛、柳醛等醛類於酸性觸媒下縮合或共縮合而獲得之酚醛清漆型酚系樹脂；由上述酚類及/或萘酚類與二甲氧基對二甲苯、雙(甲氧基甲基)聯苯等合成之苯酚芳烷基樹脂、萘酚芳烷基樹脂、聯苯芳烷基樹脂等芳烷基型酚系樹脂；對苯二甲基改性酚系樹脂、間苯二甲基改性酚系樹脂、三聚氰胺改性酚系樹脂、萜烯改性酚系樹脂等改性樹脂；藉由共聚而由酚類及/或萘酚類與二環戊二烯合成之二環戊二烯型酚系樹脂、二環戊二烯型萘酚樹脂；多環芳香環改性酚系樹脂；聯苯型酚系樹脂；三苯甲烷型酚系樹脂等。進而，可為使2種以上之上述酚系樹脂共聚而獲得之酚系樹脂。(C)酚硬化劑可單獨使用1種，亦可併用2種以上。作為(C)酚硬化劑，可為酚醛清漆型酚系樹脂、芳烷基型酚系樹脂、聯苯型酚系樹脂。

就黏連之觀點而言，(C)酚硬化劑之軟化點可為50～120℃，亦可為60～110℃。

相對於(A)環氧樹脂、(B)苯并㗁𠯤樹脂、及(C)酚硬化劑之合計100質量%，(C)酚硬化劑之含量可為5～20質量%，亦可為5～18質量%。若(C)酚硬化劑之含量為5質量%以上，則樹脂組合物之硬化物之密接性提昇，若為20質量%以下，則樹脂組合物之吸水性降低、可提昇獲得之半導體裝置之可靠性。

於本實施形態之樹脂組合物中，羥基當量與環氧基當量之比(當量比)可為1.5～20，亦可為2～20。若當量比為1.5以上，則樹脂組合物之硬化物之密接性提昇，若當量比為20以下，則樹脂組合物之硬化性變良好。再者，環氧基當量為(A)環氧樹脂所具有之環氧基當量(a)，羥基當量中不僅包含(C)酚硬化劑中之羥基，亦包含(B)苯并㗁𠯤樹脂中之苯并㗁𠯤環開環時產生之羥基，上述羥基當量係基於(B)苯并㗁𠯤樹脂所具有之苯并㗁𠯤開環時產生之羥基的羥基當量(b)及(C)酚硬化劑所具有之羥基當量(c)之合計。即，上述當量比可表示為[((b)＋(c))/(a)]。又，關於(B)苯并㗁𠯤樹脂之羥基當量，假定苯并㗁𠯤環全部開環而進行計算。苯并㗁𠯤環開環所產生之羥基通常為1個。

本實施形態中使用之(D)硬化促進劑只要為一般作為環氧樹脂之硬化促進劑使用者，則無特別限制地使用。作為(D)硬化促進劑，例如可列舉：1,8-二氮雜雙環[5.4.0]十一烯-7、1,5-二氮雜雙環[4.3.0]壬烯-5、5,6-二丁基胺基-1,8-二氮雜雙環[5.4.0]十一烯-7等環脒化合物；對該等環脒化合物加成順丁烯二酸酐、1,4-苯醌、2,5-甲基苯醌、1,4-萘醌、2,3-二甲基苯醌、2,6-二甲基苯醌、2,3-二甲氧基-5-甲基-1,4-苯醌、苯基-1,4-苯醌等醌化合物、重氮苯基甲烷、酚系樹脂等具有π鍵之化合物而成之具有分子內極化之化合物；二甲苄胺、三乙醇胺、二甲基胺基乙醇、三(二甲基胺基甲基)苯酚等三級胺化合物及該等之衍生物；2-甲基咪唑、2-乙基咪唑、2-苯基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、2-十七烷基咪唑、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑、2,4-二胺基-6-[2'-甲基咪唑基-(1')]-乙基-均三𠯤、2,4-二胺基-6-[2'-十一烷基咪唑基-(1')]-乙基-均三𠯤、2,4-二胺基-6-[2'-乙基-4'-甲基咪唑基-(1')]-乙基-均三𠯤等具有咪唑環之二胺基-均-含矽之三𠯤化合物等咪唑化合物及該等之衍生物；三丁基膦、甲基二苯基膦、三苯基膦、三(4-甲基苯基)膦、二苯基膦、苯基膦等有機膦化合物；對該等有機膦化合物加成順丁烯二酸酐、1,4-苯醌、2,5-甲基苯醌、1,4-萘醌、2,3-二甲基苯醌、2,6-二甲基苯醌、2,3-二甲氧基-5-甲基-1,4-苯醌、苯基-1,4-苯醌等醌化合物、重氮苯基甲烷、酚系樹脂等具有π鍵之化合物而成之具有分子內極化之磷化合物；四苯基鏻四苯基硼酸鹽、四苯基鏻乙基三苯基硼酸鹽、四丁基鏻四丁基硼酸鹽等四取代鏻-四取代硼酸鹽；2-乙基-4-甲基咪唑-四苯基硼酸鹽、N-甲基𠰌啉-四苯基硼酸鹽等四苯基硼鹽及該等之衍生物等。作為(D)硬化促進劑，就提昇硬化性之觀點而言，可為咪唑化合物及其衍生物，亦可為2,4-二胺基-6-[2'-甲基咪唑基-(1')]-乙基-均三𠯤。 (D)硬化促進劑可單獨使用1種，亦可併用2種以上。

相對於樹脂組合物總量，(D)硬化促進劑之含量可為0.05～2質量%，可為0.1～1質量%，亦可為0.1～0.5質量%。若(D)硬化促進劑之含量為0.05質量%以上，則可以實用速度硬化，若為2質量%以下，則可抑制孔隙之產生。

本實施形態中使用之(E)無機填充劑只要為樹脂組合物中一般使用之無機填充劑，則可無特別限制地使用。作為(E)無機填充劑，具體而言，可使用熔融氧化矽、結晶氧化矽、氧化鋁、鋯石、矽酸鈣、碳酸鈣、鈦酸鉀、鈦酸鋇、碳化矽、氮化矽、氮化鋁、氮化硼、氧化鈹、氧化鋯、鎂橄欖石、塊滑石、尖晶石、莫來石、二氧化鈦等粉體、使該等球形化而成之珠粒、單晶纖維、玻璃纖維等。(E)無機填充劑可單獨使用1種，亦可併用2種以上。

作為(E)無機填充劑，就成本之觀點而言，可為熔融矽，又，就提高高導熱性之觀點而言，可為氧化鋁。又，就提昇成形時之流動性、抑制模具之磨耗之觀點而言，(E)無機填充劑之形狀可為球形。尤其，若考慮成本與性能之平衡，則作為(E)無機填充劑，可使用熔融矽，亦可使用熔融球狀矽。

(E)無機填充劑之平均粒徑可為0.5～30 μm，亦可為3～20 μm。藉由將(E)無機填充劑之平均粒徑設為0.5 μm以上，成形性變良好，藉由設為30 μm以下，填充性變良好。再者，於本說明書中，平均粒徑例如可藉由雷射繞射式粒度分佈測定裝置而求出，係於利用該裝置測定之粒度分佈中累計體積成為50%之粒徑(d50)。

相對於樹脂組合物總量，(E)無機填充劑之含量可為70～95質量%，亦可為80～92質量%。若(E)無機填充劑之含量為70質量%以上，則可抑制孔隙之產生，若為95質量%以下，則可抑制熔融黏度之增大，流動性提昇，成形性變良好。

本實施形態之樹脂組合物可藉由進而包含(F)下述通式(3)所表示之含矽之三𠯤化合物(以下亦簡稱為含矽之三𠯤化合物)，而提高樹脂組合物之硬化物之密接性。

[化6]

通式(3)中，a為3～10之整數，b為0～2之整數，R³ 及R⁴ 分別獨立地為鹵素原子、胺基、羥基、烷基亞胺基、芳基亞胺基或亞胺基烷基矽烷基，R⁵ 為烷基或烷氧基，R⁶ 為烷氧基。

作為R³ 及R⁴ 之鹵素原子，可列舉：氟原子、氯原子、溴原子等。作為R³ 及R⁴ 之烷基亞胺基，例如可列舉：甲基亞胺基、乙基亞胺基、丙基亞胺基、丁基亞胺基等。作為R³ 及R⁴ 之芳基亞胺基，例如可列舉苯基亞胺基。

於上述通式(3)中，作為R³ 及R⁴ ，可為胺基。

作為R⁵ 之烷基，可為碳數1～10之烷基，具體而言可列舉：甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第三丁基、正戊基、異戊基、新戊基、正己基、異己基等。作為R⁵ 之烷基，可為甲基、乙基。

作為R⁵ 及R⁶ 之烷氧基，例如可列舉：甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基等。作為R⁵ 及R⁶ 之烷氧基，可為甲氧基、乙氧基。

(F)含矽之三𠯤化合物例如可藉由使下述通式(4)所表示之含有胺基烷基矽烷基之有機矽化合物與鍵結於下述通式(5)所表示之三聚鹵化氰之鹵素原子之至少1個反應而製造。三聚鹵化氰上之其他2個鹵素原子亦可與胺基烷基矽化合物反應，亦可直接附著於三𠯤環。進而，可使該等2個殘存鹵素原子之一者或兩者與水、氨或有機一級胺反應。

[化7]

通式(4)中，a為3以上之整數，可為3～4之整數，b為0～2之整數，R⁵ 表示烷基或烷氧基，R⁶ 表示烷氧基。

[化8]

通式(5)中，R⁷ ～R⁹ 分別獨立地表示氟原子、氯原子、溴原子等鹵素原子。

作為通式(4)所表示之有機矽化合物，可使用胺基烷基烷氧基矽烷、胺基烷基烷基矽烷及胺基烷基聚矽氧烷。進而，具體而言，可列舉：γ-胺基丙基甲基二乙氧基矽烷、γ-胺基丙基乙基二乙氧基矽烷、γ-胺基丙基苯基二乙氧基矽烷、γ-胺基丙基三甲基矽烷、γ-胺基丙基苯基二甲基矽烷、δ-胺基丁基噻吩基二乙氧基矽烷、δ-胺基丁基二乙氧基矽烷、δ-胺基丁基苯基二乙氧基矽烷、Ω-胺基己基三乙基矽烷等。

三聚鹵化氰與胺基烷基矽化合物之反應可於惰性氣體之存在下及惰性液體有機溶劑中反應，作為液體有機化合物，可使用二乙醚、甲苯、苯、丙酮、乙醇、四氯化碳等。

相對於樹脂組合物總量，(F)含矽之三𠯤化合物之含量可為0.05～2質量%，可為0.1～1.5質量%，亦可為0.1～1質量%。若(F)含矽之三𠯤化合物之含量為上述範圍內，則可進一步提昇該樹脂組合物之硬化物之密接性。

本實施形態之樹脂組合物可進而包含(G)薰草哢樹脂(coumarone resin)。藉由該樹脂組合物包含(G)薰草哢樹脂，而使得硬化物之熱時彈性模數降低，可使耐回焊性提昇。 (G)薰草哢樹脂作為應力緩和劑發揮作用，有助於樹脂組合物之硬化物之低彈性化。(G)薰草哢樹脂為薰草哢、茚、苯乙烯之共聚物樹脂，例如可使用具有下述通式(6)所表示之骨架之樹脂。

[化9]

於上述通式(6)中，u、v及w為0或1以上之整數，且為滿足u＋v≧1之數。

(G)薰草咔樹脂之軟化點可為90～140℃，亦可為100～140℃。若(G)薰草咔樹脂之軟化點為90℃以上，則硬化物之外觀變良好，若軟化點為140℃以下，則混練時之分散性變良好，可抑制硬化物內部中產生之孔隙。

作為此種薰草咔樹脂，可列舉：Nitto Resin Coumarone G-90(軟化點90℃)、Nitto Resin Coumarone G-100(軟化點100℃)、Nitto Resin Coumarone V-120(軟化點120℃)(以上任一者均為日塗化學(股)製造、商品名)等。

相對於樹脂組合物總量，(G)薰草咔樹脂之含量可為0.1～2質量%，可為0.1～1質量%，亦可為0.1～0.5質量%。若(G)薰草咔樹脂之含量為0.1質量%以上，則獲得充分之低彈性化效果，焊料回焊時半導體元件或引線框架與樹脂組合物之硬化物之界面所產生之應力得以緩和，變得不易產生剝離。另一方面，若(G)薰草咔樹脂之含量為2質量%以下，則硬化性變良好，可抑制硬化物內部產生之孔隙。

本實施形態之樹脂組合物中，上述(A)～(E)成分之含量可為80質量%以上，可為90質量%以上，亦可為95質量%以上。

本實施形態之樹脂組合物除作為必需成分之上述(A)～(E)成分以外，可視需要調配上述(F)成分及(G)成分，進而於不阻礙本發明之效果之範圍內可視需要調配密封用樹脂組合物中一般調配之其他添加劑。作為其他添加劑，可列舉：阻燃劑；偶合劑；合成蠟、天然蠟、高級脂肪酸、高級脂肪酸之金屬鹽等脫模劑；碳黑、鈷藍等著色劑；聚矽氧油、聚矽氧橡膠等改質劑；水滑石類等穩定劑；離子捕捉劑等。該等各添加劑均可單獨使用1種，亦可併用2種以上。

作為偶合劑之具體例，可列舉：環氧矽烷系、胺基矽烷系、脲基矽烷系、乙烯基矽烷系、烷基矽烷系、有機鈦酸酯系、醇化鋁系等偶合劑。就提昇硬化性之觀點而言，可為胺基矽烷系偶合劑，尤其可為3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三乙氧基矽烷、3-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-胺基丙基甲基二乙氧基矽烷、3-苯基胺基丙基三甲氧基矽烷。

於本實施形態之樹脂組合物含有偶合劑之情形時，其含量相對於樹脂組合物總量可為0.05～3質量%，可為0.1～2質量%，亦可為0.1～1質量%。

製備本實施形態之樹脂組合物時，只要於藉由攪拌器等將(A)環氧樹脂、(B)苯并㗁𠯤樹脂、(C)酚硬化劑、(D)硬化促進劑、(E)無機填充劑、視需要調配之(F)含矽之三𠯤化合物、(G)薰草咔樹脂及各種添加劑充分地混合(乾摻)之後，藉由熱輥或捏合機等混練裝置進行熔融混練並冷卻後，粉碎為適當大小即可。

本實施形態之樹脂組合物之硬化物於10 GHz下之相對介電常數可為3.7以下，可為3.6以下，亦可為3.5以下。本實施形態之樹脂組合物之硬化物於10 GHz下之介電損耗正切及於70 GHz下之介電損耗正切均可為0.007以下。上述相對介電常數及介電損耗正切可藉由實施例中記載之方法而求出。

本實施形態之樹脂組合物可用於各種電氣零件、或半導體元件等各種電子零件之被覆、絕緣、密封等。

＜半導體裝置＞本實施形態之半導體裝置具有基板、搭載於該基板上之半導體元件、及密封該半導體元件之上述樹脂組合物之硬化物。作為半導體元件，可例示：電晶體、積體電路、二極體、閘流體等。作為藉由本實施形態之樹脂組合物而密封搭載於基板上之半導體元件等電子零件之方法，可使用轉注成形、壓縮成形、射出成形等成形方法。該成形例如可於溫度120～200℃、壓力2～20 MPa下進行。 [實施例]

以下，藉由實施例具體地說明本發明，但本發明並不受該等例任何限制。

(實施例1～12、比較例1～5) 使用攪拌器將表1中記載之種類及調配量之各成分於常溫(23℃)下加以混合，使用熱輥於70～110℃下進行加熱混練，冷卻後進行粉碎而製備樹脂組合物。再者，表1中，空欄表示未調配。

樹脂組合物之製備所使用之表1中記載之各成分之詳情如下所述。

[(A)環氧樹脂] ・NC-3000：聯苯酚醛清漆環氧樹脂(商品名、日本化藥(股)製造、環氧基當量276、軟化58℃) ・YSLV-80XY：雙酚型環氧樹脂(商品名、新日鐵住金化學(股)製造、環氧基當量193、熔點66℃) ・YX-4000H：聯苯型環氧樹脂(商品名、三菱化學(股)製造、環氧基當量192、熔點105℃)

[(B)苯并㗁𠯤樹脂] ・苯并㗁𠯤P-d：於通式(1)中，X為亞甲基，R¹ 及R² 為氫原子之苯并㗁𠯤樹脂(商品名、四國化成工業(股)製造、羥基當量(開環時)217、軟化點80℃)。

[(C)酚硬化劑] ・HE200C-10：聯苯型酚系樹脂(商品名、AIR WATER(股)製造、羥基當量204、軟化點66℃) ・BRG-557：酚醛清漆型酚系樹脂(商品名、愛克工業(股)製造、羥基當量104、軟化點84℃) ・MEHC-7800SS：芳烷基型酚系樹脂(商品名、明和化成(股)製造、羥基當量172、軟化點65℃)

[(D)硬化促進劑] ・2MZA-PW：2,4-二胺基-6-[2'-甲基咪唑基(1')]-乙基-均三𠯤(商品名、四國化工業(股)製造) ・TPP：三苯基膦(商品名、Hokko Chemical(股)製造)

[(E)無機填充劑] ・FC920G-SQ：熔融球狀二氧化矽(商品名、Admatechs(股)製造、平均粒徑5 μm)

[(F)含矽之三𠯤化合物] ・VD-5：商品名、四國化工業(股)製造

[(G)薰草咔樹脂] ・Nitto Resin Coumarone V-120：商品名、日塗化學(股)製造、軟化點120℃

[其他成分] ・偶合劑：Z-6883(商品名、東麗道康寧(股)製造) ・脫模劑：巴西棕櫚蠟(商品名：巴西棕櫚蠟1號、Toyo-Adl(股)製造) ・穩定劑：ALCAMIZER1(商品名、協和化學工業(股)製造) ・著色劑：MA-100RMJ(商品名、三菱化學(股)製造)

藉由以下所示之測定條件，進行實施例1～12、及比較例1～5中製備之樹脂組合物之特性之測定及評價。將評價結果示於表1。

[評價項目] (1)硬化度為了求出樹脂組合物之反應率，使用硫化儀(Curelastometer_型號7、A&D(股)製造)進行硬化度之測定。測定模具溫度175℃、成形時間300秒之硫化轉矩之值，根據將300秒時之轉矩值設為100%時之120秒及150秒之轉矩值，藉由下述式(1)及(2)而算出各自之硬化度。硬化度₁₂₀ ＝轉矩值₁₂₀ /轉矩值₃₀₀ (1) 硬化度₁₅₀ ＝轉矩值₁₅₀ /轉矩值₃₀₀ (2)

(2)相對介電常數、介電損耗正切使樹脂組合物於模具溫度175℃、成形壓力8.0 MPa、成形時間2分鐘之條件下進行轉移成形，製作長15 mm×寬4 mm×厚3 mm之成形品，進而，於175℃下進行8小時之後硬化，獲得試片。針對獲得之試片，使用Q meter(橫川惠普(股)製造)、PNA網路分析儀(N5227A、N5261A、基恩士(股)製造)，依據JIS C2138：2007，藉由下述測定條件，測定頻率1 MHz、10 GHz、70 GHz下之相對介電常數、介電損耗正切。 (測定條件) ・測定方法：同軸激勵平衡型圓板共振器法・測定原理：自圓板中央部激勵至利用同軸激勵線而電場耦合之平衡型圓板共振器之內部・根據TMOmO模式(m＝1、2、3・・・)之共振特性算出相對介電常數、介電損耗正切。・試樣形狀：平板50 mm見方(厚度為0.4～0.5 mm) ・測定環境：溫度24℃、濕度40%RH 再者，70 GHz下之相對介電常數將3.4以下設為合格、10 GHz下之相對介電常數將3.7以下設為合格。又，10 GHz及70 GHz下之介電損耗正切均將0.007以下設為合格。

(3)玻璃轉移溫度(Tg) 使樹脂組合物於模具溫度175℃、成形壓力8.0 MPa、成形時間2分鐘之條件下轉移成形，製作長15 mm×寬4 mm×厚3 mm之成形品，進而，於175℃下進行8小時之後硬化，獲得試片。針對獲得之試片，使用熱機械分析裝置(TMA/SS150、島津製作所(股)製造)以升溫速度5℃/分鐘、於空氣中藉由壓縮測定而進行分析，獲得熱機械分析(TMA)曲線。讀取獲得之TMA曲線之60℃及240℃之切線之交點處之溫度，將該溫度設為玻璃轉移溫度(單位：℃)。

(4)熱時彈性模數使樹脂組合物於模具溫度175℃、成形壓力8.0 MPa、成形時間2分鐘之條件下轉移成形，製作長30 mm×寬4 mm×厚3 mm之成形品，進而，於175℃下進行8小時之後硬化，獲得試片。針對獲得之試片，使用動態黏彈性試驗裝置(DMS 6100、Seiko Instruments(股)製造)，藉由DMS法測定彎曲彈性模數。測定條件為支點間距離20 mm、升溫速度5℃/分鐘、頻率10 Hz，藉由彎曲模式而於30℃～300℃下測定，求出260℃下之彎曲彈性模數。將該值設為熱時彈性模數(單位：GPa)。

(5)密接性於轉移成形機內之模具上配置Cu引線框架(三井高科技(股)製造、商品名：KLF-125)，於Cu引線框架上填充樹脂組合物，於模具溫度175℃、成形壓力8.0 MPa、成形時間2分鐘之條件下進行轉移成形，進而於175℃下進行8小時之後硬化，獲得直徑3.5 mm之布丁狀成形物。使用黏結強度試驗機(SS-30WD、Seishin-Syoji(股)製造)，自距離成形品之下部0.1 mm之高度，以速度5 mm/min於剪切方向上剝離成形於Cu引線框架上之直徑3.5 mm之布丁狀成形物，並測定成形物與Cu引線框架之密接力。將該操作進行4次，求出平均值。測定溫度為25℃與260℃。再者，於測定溫度25℃下，將6.5 MPa以上設為合格，於260℃下，將1.5 MPa以上設為合格。

(6)成形性(填充性、孔隙、殘料流道彎曲) 使用樹脂組合物，使FBGA封裝體(50 mm×50 mm×0.54 mm、晶片厚0.31 mm)於模具溫度175℃、成形壓力8.0 MPa、成形時間2分鐘之條件下轉移成形之後，目視觀察獲得之20個成形品之外觀，以下述基準評價模具與半導體元件間之狹小部之未填充部之產生。又，目視觀察獲得之成形品3次射注量(6框架)之外觀，並且藉由超音波探傷裝置(Hitachi Kenki FineTech(股)製造、商品名：FS300II)觀察內部及外部之孔隙之產生狀況。進而，研究是否產生殘料流道彎曲。藉由以下基準判定該等。 (填充性) A：無未填充部分 C：有未填充部分 (孔隙) A：無孔隙之產生 B：產生直徑0.5 mm以下之孔隙 C：產生直徑超過0.5 mm之孔隙 (殘料流道彎曲) A：無 C：有

(7)連續成形性使用成形模具(30 mm×30 mm×1.0 mm)，於模具溫度175℃、成形壓力8.0 MPa、成形時間120秒之條件下使樹脂組合物連續成形。每進行50次連續成形即以目視觀察成形之模具表面之污漬，藉由下述基準進行連續成形性之評價。 A：可連續成形100次以上 B：可連續成形至50次、不可連續成形至100次 C：不可連續成形至50次

(8)耐回焊性(1) 使用樹脂組合物，使FBGA封裝體(50 mm×50 mm×0.54 mm、晶片厚0.31 mm)於模具溫度175℃、成形時間2分鐘之條件下轉移成形，獲得32個成形品。使獲得之32個成形品於175℃下進行8小時之後硬化之後，於30℃、相對濕度60%RH下進行192小時之吸濕處理。其後，於260℃之紅外線回焊爐內進行加熱，冷卻後，藉由超音波探傷裝置(Hitachi Kenki FineTech(股)製造、商品名：FS300II)檢查樹脂硬化物與框架之界面、及樹脂硬化物與半導體晶片之界面處是否存在剝離，並數出剝離產生之個數(NG數)。

耐回焊性(2) 使用樹脂組合物，使FBGA封裝體(50 mm×50 mm×0.54 mm、晶片厚0.31 mm)於模具溫度175℃、成形時間2分鐘之條件下轉移成形，獲得32個成形品。使獲得之32個成形品於175℃下進行8小時之後硬化之後，於85℃、相對濕度85%RH下進行168小時之吸濕處理。其後，於260℃之紅外線回焊爐內進行加熱，冷卻後藉由超音波探傷裝置(Hitachi Kenki FineTech(股)製造、商品名：FS300II)檢查樹脂硬化物與框架之界面、及樹脂硬化物與半導體晶片之界面處是否存在剝離，並數出剝離產生之個數(NG數)。

[表1]

表1
	單位	實施例	比較例
1	2	3	4	5	6	7	8	9	10	11	12	1	2	3	4	5
組成	(A)環氧樹脂	NC-3000	質量%	1.5	1.5	1.5	1.5	3.9	0.8			2.7	2.34	1.5	1.5	7	7	7	1.5	1.5
YSLV-80XY	質量%							1.5
YX-4000H	質量%								1.5
(B)苯并㗁𠯤樹脂	苯并㗁𠯤P-d	質量%	9.25	10.8	8.9	10.5	7	10	9.25	9.25	16.65	4.2	9.25	9.25		5.5	3.6	6.1	11.6
(C)酚硬化劑	HE200C-10	質量%	2.35	0.7	2.6	1.1	2.1	2.2			4.23	1.28	2.35	2.35	6.1	0.6	3	6
BRG-557	質量%							2.35
MEHC-7800SS	質量%								2.35
(D)硬化促進劑	2MZA-PW	質量%	0.3	0.3	0.3	0.3	0.3	0.3	0.3	0.3	0.54	0.18	0.3		0.3	0.3	0.3	0.3	0.3
TPP	質量%												0.4
(E)無機填充劑	FC920G-SQ	質量%	84.5	84.6	84.6	84.5	85	84.6	84.5	84.5	72.82	90.7	84.5	84.5	84.5	84.5	84.5	84.5	84.5
(F)含矽之三𠯤化合物	VD-5	質量%	0.5	0.5	0.5	0.5	0.5	0.5	0.5	0.5	0.9	0.3		0.5	0.5	0.5			0.5
(G)薰草咔樹脂	Nitto Resin Coumarone V-120	質量%	0.4	0.4	0.4	0.4		0.4	0.4	0.4		0.24	0.4	0.4	0.4	0.4	0.4	0.4	0.4
偶合劑	Z-6883	質量%	0.5	0.5	0.5	0.5	0.5	0.5	0.5	0.5	0.9	0.3	0.5	0.5	0.5	0.5	0.5	0.5	0.5
脫模劑	巴西棕櫚蠟1號	質量%	0.2	0.2	0.2	0.2	0.2	0.2	0.2	0.2	0.36	0.12	0.2	0.2	0.2	0.2	0.2	0.2	0.2
穩定劑	ALCAMIZER1	質量%	0.2	0.2	0.2	0.2	0.2	0.2	0.2	0.2	0.36	0.12	0.2	0.2	0.2	0.2	0.2	0.2	0.2
著色劑	MA-100RMJ	質量%	0.3	0.3	0.3	0.3	0.3	0.3	0.3	0.3	0.54	0.18	0.3	0.3	0.3	0.3	0.3	0.3	0.3
合計	質量%	100	100	100	100	100	100	100	100	100	100	99.5	100.1	100	100	100	100	100
調配比	相對於(A)成分、(B)成分、(C)成分之合計100質量%之(A)成分之含量	質量%	11.5	11.5	11.5	11.5	30.0	6.2	11.5	11.5	11.5	29.9	11.5	11.5	53.4	53.4	51.5	11.0	11.5
相對於(A)成分、(B)成分、(C)成分之合計100質量%之(B)成分之含量	質量%	70.6	83.1	68.5	80.2	53.8	76.9	70.6	70.6	70.6	53.7	70.6	70.6	0.0	42.0	26.5	44.9	88.5
相對於(A)成分、(B)成分、(C)成分之合計100質量%之(C)成分之含量	質量%	17.9	5.4	20.0	8.4	16.2	16.9	17.9	17.9	17.9	16.4	17.9	17.9	46.6	4.6	22.1	44.1	0.0
當量比[((b)＋(c))/(a)]^*1	-	10.0	9.8	9.9	9.9	3.0	19.6	8.4	7.2	10.0	3.0	10.0	10.0	1.2	1.1	1.2	10.6	9.8
特性	硬化度	120℃	-	0.42	0.36	0.43	0.38	0.49	0.36	0.42	0.41	0.42	0.48	0.42	0.38	0.68	0.55	0.59	0.55	0.32
150℃	-	0.58	0.55	0.60	0.56	0.67	0.57	0.60	0.59	0.59	0.69	0.58	0.56	0.88	0.76	0.77	0.75	0.48
相對介電常數	1 MHz	-	3.61	3.53	3.63	3.55	3.78	3.56	3.62	3.60	3.58	3.63	3.60	3.64	4.15	3.85	3.96	3.83	3.46
10 GHz	-	3.38	3.28	3.39	3.32	3.47	3.33	3.39	3.37	3.35	3.40	3.39	3.42	3.70	3.51	3.58	3.49	3.27
70 GHz	-	3.30	3.24	3.31	3.25	3.38	3.26	3.30	3.29	3.28	3.33	3.31	3.35	3.58	3.42	3.48	3.41	3.20
介電損耗正切	1 MHz	-	0.0098	0.0072	0.01	0.0082	0.011	0.0083	0.0093	0.0095	0.0092	0.01	0.0097	0.01	0.015	0.013	0.012	0.012	0.006
10 GHz	-	0.0055	0.0047	0.0059	0.0051	0.0068	0.0049	0.0063	0.0062	0.0062	0.0066	0.0055	0.0058	0.0095	0.0086	0.0078	0.0075	0.0035
70 GHz	-	0.0051	0.0042	0.0056	0.005	0.0065	0.0045	0.0062	0.006	0.006	0.0063	0.0052	0.0054	0.0083	0.0078	0.0074	0.0071	0.0034
玻璃轉移溫度(Tg)	℃	168	175	165	171	162	170	165	167	167	169	169	160	125	148	143	150	179
熱時彈性模數(260℃)	GPa	0.8	1	0.7	0.9	0.7	0.8	0.7	0.7	0.4	1.2	0.8	0.7	0.9	1	0.08	0.09	1
密接性	布丁杯試驗25℃	MPa	9.2	9.1	8.3	8.7	7.2	9.1	9.0	9.1	7.9	7.6	6.8	9.1	3.5	6.5	2.4	3.8	9.5
布丁杯試驗260℃	MPa	2.4	2.5	2.1	2.2	2.1	2.6	2.5	2.4	2.1	2.2	1.8	2.3	0.4	1.3	0.4	0.8	2.4
成形性	填充性	-	A	A	A	A	A	A	A	A	A	A	A	A	A	A	A	A	C
孔隙	-	A	A	A	A	A	A	A	A	A	A	A	A	B	B	B	C	C
殘料流道彎曲	-	A	A	A	A	A	A	A	A	A	A	A	A	A	C	A	A	C
連續成形性	-	A	B	A	A	A	B	A	A	A	A	A	B	A	A	A	A	C
耐回焊性(1)	剝離產生數/樣品數	個/個	0/32	0/32	0/32	0/32	0/32	0/32	0/32	0/32	1/32	1/32	1/32	0/32	3/32	1/32	3/32	1/32	0/32
耐回焊性(2)	剝離產生數/樣品數	個/個	1/32	1/32	2/32	1/32	2/32	0/32	1/32	1/32	2/32	2/32	2/32	1/32	16/32	6/32	8/32	7/32	1/32

﹡1)(a)表示(A)環氧樹脂所具有之環氧基當量、(b)表示基於(B)苯并㗁𠯤樹脂所具有之苯并㗁𠯤開環時產生之羥基的羥基當量、(c)表示(C)酚硬化劑所具有之羥基當量。

可知藉由特定之測定條件而測定之120秒時之硬化度及150秒時之硬化度分別為特定之範圍內、且硬化物之70 GHz下之相對介電常數為特定值以下的實施例1～12之高頻用密封材料樹脂組合物均填充性較高、無孔隙之產生及殘料流道彎曲，成形性優異，並且該樹脂組合物之硬化物之耐回焊性及密接性均優異。

Claims

一種高頻用密封材料樹脂組合物，其係包含(A)環氧樹脂、(B)苯并
樹脂、(C)酚硬化劑、(D)硬化促進劑及(E)無機填充劑者，且藉由下述測定條件所測定之120秒時之硬化度為0.35以上且未達0.55，150秒時之硬化度為0.50以上且未達0.75，上述樹脂組合物之硬化物於70GHz下之相對介電常數為3.40以下；(硬化度之測定條件)使用硫化儀(curelastometer)，於模具溫度175℃、成形時間300秒之條件下使上述樹脂組合物硬化時，測定成形時間120秒、及150秒時之轉矩值，藉由下述式(1)及(2)算出各自之硬化度：硬化度₁₂₀=轉矩值₁₂₀/轉矩值₃₀₀ (1) 硬化度₁₅₀=轉矩值₁₅₀/轉矩值₃₀₀ (2)。
如請求項1之高頻用密封材料樹脂組合物，其中上述(B)苯并
樹脂為下述通式(1)所表示之苯并
樹脂：
(通式(1)中，X為碳數1~10之伸烷基、下述通式(2)所表示之基、-SO₂-、-CO-、氧原子或單鍵，R¹及R²分別獨立地為氫原子或碳數1~10之烴基；複數個R¹及複數個R²可分別相同亦可不同)
(通式(2)中，Xa為具有芳香環之碳數6~30之烴基，m為0~6之整數)。
如請求項1或2之高頻用密封材料樹脂組合物，其中於將上述(A)環氧樹脂所具有之環氧基當量設為(a)、將基於上述(B)苯并
樹脂所具有之苯并
開環時產生之羥基的羥基當量設為(b)、將上述(C)酚硬化劑所具有之羥基當量設為(c)時，當量比[((b)+(c))/(a)]為1.5~20。
如請求項1或2之高頻用密封材料樹脂組合物，其中相對於上述(A)環氧樹脂、(B)苯并
樹脂、及(C)酚硬化劑之合計100質量%，(A)環氧樹脂之含量為5~35質量%、(B)苯并
樹脂之含量為45~90質量%、(C)酚硬化劑之含量為5~20質量%。
如請求項1或2之高頻用密封材料樹脂組合物，其中上述(D)硬化促進劑之含量相對於上述樹脂組合物總量為0.05~2質量%，上述(E)無機填充劑之含量相對於上述樹脂組合物總量為70~95質量%。
如請求項1或2之高頻用密封材料樹脂組合物，其中上述(D)硬化促進劑為選自由咪唑化合物及其衍生物所組成之群中之至少1種。
如請求項1或2之高頻用密封材料樹脂組合物，其進而包含(F)下述通式(3)所表示之含矽之三
化合物，且該(F)含矽之三
化合物之含量相對於上述樹脂組合物總量為0.05~2質量%，
(通式(3)中，a為3~10之整數，b為0~2之整數，R³及R⁴分別獨立地為鹵素原子、胺基、羥基、烷基亞胺基、芳基亞胺基或亞胺基烷基矽烷基，R⁵為烷基或烷氧基，R⁶為烷氧基)。
一種半導體裝置，其特徵在於具有基板、搭載於該基板上之半導體元件、及密封該半導體元件之如請求項1至7中任一項之樹脂組合物之硬化物。