TWI710884B - 用於封裝裝置的設備和方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 18
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 79
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 12
- 239000012815 thermoplastic material Substances 0.000 claims description 11
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 10
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 6
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 abstract description 5
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 description 5
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 4
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229920006336 epoxy molding compound Polymers 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 230000002706 hydrostatic effect Effects 0.000 description 2
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000012768 molten material Substances 0.000 description 1
- 230000008520 organization Effects 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F1/00—Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
- G06F1/26—Power supply means, e.g. regulation thereof
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/3135—Double encapsulation or coating and encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
- H01F27/02—Casings
- H01F27/022—Encapsulation
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/565—Moulds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/3142—Sealing arrangements between parts, e.g. adhesion promotors
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
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- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
- H02M7/003—Constructional details, e.g. physical layout, assembly, wiring or busbar connections
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
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Abstract
一個實施方式涉及一種封裝裝置。這種封裝裝置包含裝置和覆蓋該裝置的第一封裝件。第一封裝件具有一或多個外表面。一或多個外表面中的一或多個凹槽被配置成接納第二封裝件。
Description
本專利申請案請求享有2015年9月15日提出申請的編號為62/218687的美國臨時專利申請和2015年10月16日提出申請的編號為62/242447的美國臨時專利申請的優先權，透過援引將這兩個專利申請全部結合在此。
本案涉及用於封裝裝置的設備和方法。
先前技術中仍存在缺陷。本發明意欲解決該等缺陷及/或改善先前技術。
在一個實施方式中，一種封裝裝置包含：裝置；第一封裝件，該第一封裝件覆蓋該裝置，並且具有一或多個外表面；和一或多個凹槽，該一或多個凹槽處於該一或多個外表面中，並且被配置成接納第二封裝件。
在另一個實施方式中，一種封裝部件包含：被第一封裝件所封裝的一或多個封裝裝置；其中每個封裝裝置具有在該第一封裝件上的外表面；位於該外表面的至少一個外表面中的一或多個凹槽；和覆蓋該一或多個封裝裝置的第二封裝材料，該第二封裝材料基本上填充該封裝裝置中至少一個封裝裝置的一或多個凹槽。
在又一個實施方式中，一種方法包含以下步驟：用第一封裝件對裝置進行封裝以形成封裝裝置；及在該第一封裝件的一或多個表面上形成凹槽，該凹槽被構造成接納隨後放置的第二封裝件，該第二封裝件將會覆蓋該封裝裝置。
在電氣系統此類系統中使用了利用例如熱固塑膠材料或者熱塑材料此類塑膠封裝的並且用封裝成型（encapsulation molding）形成的裝置，該熱固塑膠材料是例如環氧模塑化合物（epoxy molding compound；EMC）。該裝置可以被封裝以保護它免遭環境影響，並且保護它的機械和電氣完整性。在一個實施方式中，裝置端子不會被封裝以便於連接至其他物品。
裝置可以是主動裝置，例如積體電路（IC）、電晶體或者其他主動半導體裝置。裝置亦可以是被動裝置，例如電感器、電容器或者諸如加速計之類的機械裝置。裝置可以具有導電端子，導電端子是有引線的或者沒有引線的。
當把一或多個裝置安裝在安裝結構上時，就形成了部件。安裝結構包含承載件、引線框（lead frame）、基板和印刷電路板（PCB）。安裝結構可以具有有引線的或者沒有引線的端子。部件可以被安裝在另一個安裝結構上，例如將（如在承載件上的裝置此類）部件安裝在PCB上。部件亦可以被封裝（如前述並且因為同樣的原因）。
當將封裝裝置安裝在安裝結構上時，在封裝裝置與安裝結構之間形成間隙。（安裝結構可以用來製作系統級封裝（System-in-Package）或者多晶片模組（Multichip module）。）由於系統小型化要求，與待封裝部件的尺寸相比，間隙較窄。難以排出和去除存留的空氣和來自熔融的部件封裝件的揮發氣體（熔融的部件封裝物例如是諸如熔融的EMC之類的熔融熱固塑膠材料，或者是來自封閉模具的熔融熱塑材料），以使熔融材料填充間隙。
存在以下加劇的風險：在部件封裝的程序中，在間隙中形成由封裝件所包圍的一或多個空隙，即，空氣囊及/或揮發氣體囊。此類空隙加劇了熱機械不匹配（thermal mechanical mismatch），並且在部件與裝置的封裝件之間產生了介面應力。這樣會導致局部的應力集中點，這些應力集中點能夠誘發介面材料脫層（interfacial material delamination）和斷裂。另外，在空隙中可能聚集濕氣；在隨後的熱循環期間，濕氣的液體靜壓力可能誘發部件封裝的脫層，部件封裝在脫層處毗連安裝結構及/或裝置封裝。液體靜壓力亦可以在部件及/或裝置封裝中引發斷裂。因而，此類空隙不希望有地降低了封裝部件的可靠性。
此外，根據封裝裝置的形狀和大小、裝置封裝件與部件封裝件之間熱機械效能的任何差異，可能在那些材料之一或二者中誘發介面應力。例如，在部件封裝件中，諸如在封裝蓋（encapsulation cap）中，可能產生應力。這可能導致部件封裝帽中的斷裂（可能導致該帽的脫層）及/或該帽的變形。此類變形及/或斷裂亦會不希望有地降低了封裝部件的可靠性。
能夠透過增加介面處的接觸表面積來降低介面應力。為了降低形成變形、斷裂和空隙的風險，可以在裝置封裝件的一或多個表面中形成一或多個凹槽。圖1A圖示了本發明的一個實施方式，封裝部件100包含封裝裝置104和未封裝裝置106。封裝裝置104和未封裝裝置106被安裝在安裝結構108上。封裝裝置104、未封裝裝置106和安裝結構108被部件封裝件110所覆蓋。封裝裝置104被覆蓋有裝置封裝件105。
在裝置封裝件105中形成凹槽122。凹槽122A組（該組在封裝裝置的底表面114A中，該底表面114A最靠近安裝結構108並且基本上平行於安裝結構108）便於透過間隙107對部件封裝件110進行排氣。在圖1A中，間隙107更具體地說是由全部都在封裝裝置104之下的安裝結構108和未封裝裝置106的暴露區形成的。
凹槽122B組（該組在封裝裝置的頂表面114B中，該頂表面114B最靠近封裝部件100的頂表面112並且基本上平行於頂表面112）便於消除例如頂表面112周圍的脫層和斷裂。
凹槽122還用來將裝置封裝件105和部件封裝件110互鎖，因而增強了封裝部件100的機械完整性（mechanical integrity）和可靠性。此類互鎖改善了裝置封裝件105與部件封裝件110之間的附著力。典型的凹槽輪廓示於圖1B中，包含倒L形凹槽122a、L形凹槽122b、四邊形凹槽122c、平行四邊形凹槽122d、倒梯形凹槽122e、梯形凹槽122f和矩形凹槽122g。諸如L形凹槽122b、平行四邊形凹槽122d和梯形凹槽122f之類的形狀因它們的形狀而增強了互鎖強度並且減小了部件封裝件110與裝置封裝件105之間的介面應力。
凹槽122的尺寸取決於用來形成凹槽的技術、裝置封裝件105的尺寸、所需便於排氣的尺寸和所需用來增強裝置封裝件105與部件封裝件110之間附著力的凹槽122的數量。在一個實施方式中，凹槽122的高度和寬度各自大於或者等於五十微米。在另一個實施方式中，凹槽122的寬度與封裝裝置104的寬度之比在百分之一與百分之二十五之間。封裝裝置104的寬度將會與相應凹槽122的寬度尺寸相同。在再一個實施方式中，凹槽122的寬度與凹槽122的高度之比在百分之五十與百分之一百之間。
圖2A圖示了裝置封裝件105中的典型凹槽122。每個凹槽122由在裝置封裝件105的標定（nominal）外表面210以下延伸的兩個側壁204形成。圖2B圖示了裝置封裝件105的標定外表面210以上的另一典型凹槽122。凹槽122由具有側壁204的突起206形成，側壁204在裝置封裝件105的標定外表面210以上延伸。
在一個實施方式中，裝置封裝件105中的凹槽122可以沿著一或多個軸形成。在另一個實施方式中，兩個或兩個以上凹槽122可以彼此以任意角度斜交（skew），角度例如從零度到一百八十度；在一個實施方式中，這些凹槽以九十度相交。圖3A圖示了具有沿著一個軸平行的多個凹槽122的實施方式；這樣典型的凹槽延伸穿過裝置封裝件105的一個軸。圖3B圖示了具有一個軸上的多個平行凹槽122和沿著垂直軸的單個凹槽122的另一個實施方式。
在一個實施方式中，封裝部件100可以用來實現DC-DC電壓變壓器（voltage converter）（例如，降壓變壓器（buck converter）、升壓變壓器（boost converter）、降壓-升壓變壓器或者同步降壓變壓器（synchronous buck converter））的全部或者部分。圖4圖示了典型電氣系統400，系統400包含負載（例如處理系統416）和電源402，電源402包含DC-DC電壓變壓器404，DC-DC電壓變壓器404例如被製造為像圖1A的封裝部件100那樣的封裝部件。在一個實施方式中，處理系統416被構造成電氣連接至DC-DC電壓變壓器404以接收DC電力。在另一個實施方式中，DC-DC電壓變壓器404和處理系統416被構造成透過資料匯流排450來彼此連接，資料匯流排450便於它們之間通訊；這使得處理系統416能夠控制DC-DC電壓變壓器404。該電氣系統400可以是與電信、汽車、半導體測試和製造設備、消費電子或者其他類型的電子設備有關的裝置。
電源402可以是AC轉DC的電源，或者可以是由電池供電的DC電源。在一個實施方式中，處理系統416可以包含彼此連接的處理器418和記憶體420。在另一個實施方式中，處理器418可以是一或多個微處理器、微控制器、嵌入式處理器、數位訊號處理器，或者前述各者中的兩種或者更多種的組合。在再一個實施方式中，記憶體420可以是一或多個揮發性記憶體及/或非揮發性記憶體（諸如靜態隨機存取記憶體、動態隨機存取記憶體、唯讀記憶體和快閃記憶體），或者前述各者中的兩種或者更多種的組合。
在一個實施方式中，如圖4中圖示所示，DC-DC電壓變壓器404包含脈寬調制（「PWM」）控制器和驅動器406、功率電晶體和輸出濾波器410，功率電晶體例如是上金屬氧化物半導體場效應電晶體（「MOSFET」）408A和下MOSFET 408B。PWM控制器和驅動器406使得上MOSFET 408A和下MOSFET 408B交替導通和截止。在另一個實施方式中，控制器和驅動器406可以包含死區時間控制（dead time control）。輸出濾波器410包含例如串聯電感器412和並聯電容器414。PWM控制器和啟動器406、功率電晶體和輸出濾波器410（或者它的分開組成部分---電感器412和電容器414）可以實現為封裝部件100中的一或多個封裝裝置及/或未封裝裝置。
在一個實施方式中，PWM控制器和驅動器406被裝配在單個IC上。或者，PWM控制器和驅動器406可以被裝配在分開的IC上。在又一個實施方式中，上MOSFET 408A和下MOSFET 408B可以被裝配在單個IC上。在再一個實施方式中，上MOSFET 408A和下MOSFET 408B可以與PWM控制器和驅動器406裝配在同一IC上。
在另外的實例中，封裝部件100將包含其他電力管理系統的一或多個部件，包含全部或者部分的充電器、熱插拔控制器、AC-DC變壓器或者橋路驅動器（bridge driver）。
圖5圖示了製造先前描述的封裝部件100和封裝裝置104、隨後將封裝部件100安裝在第二安裝結構上的典型方法500。在方塊502中，形成一或多個封裝裝置104（如將要在下面進一步描述的那樣）。在一個實施方式中，當在裝置封裝件105中例如用諸如注模之類的封裝成型以熱塑材料或者諸如EMC之類的熱固塑膠材料來覆蓋裝置時，形成凹槽122。可以將模具設計成形成分別圖示於圖2A和2B中的突起206及/或凹槽122。
在另一個實施方式中，首先以裝置封裝件105來覆蓋裝置。隨後，接著透過去除裝置封裝件105的多個部分來在每個封裝裝置104中形成一或多個凹槽122。能夠例如透過光刻法和化學蝕刻法、鐳射消融法、諸如利用鋸法的機械去除法或者它們的任何組合來實現裝置封裝件105的去除。
在一個實施方式中，在方塊504中，將封裝裝置104安裝在一或多個安裝結構108每一個上。返回到圖1A，在一個實施方式中，用焊料150將封裝裝置端子152電連接至安裝結構端子154。
在可選的方塊506中，將其它封裝裝置104及/或未封裝裝置106安裝在安裝結構108上。根據未封裝裝置106的位置，可能不得不在方塊504中安裝封裝裝置104之前安裝此類未封裝裝置106。例如，若將未封裝裝置106安裝在封裝裝置104的下面，則將在安裝封裝裝置104之前安裝未封裝裝置106。在一個實施方式中，以與將封裝裝置104安裝至安裝結構108（如前述）同樣的方式將這些其它裝置安裝在安裝結構108上。
在方塊508中，用部件封裝件110（例如以用於對裝置進行封裝的上述方式）來覆蓋裝置和安裝結構108。在方塊510中，將封裝部件100安裝在第二安裝結構156上（如圖1A中圖示的那樣）。在一個實施方式中，以與將封裝裝置104安裝至安裝結構上（如前述）同樣的方式可以將封裝部件100安裝在第二安裝結構156上，例如，用焊料150將封裝部件端子158電連接至第二安裝結構端子160。
可按照同時製造多個封裝裝置104及/或封裝部件100的方式對封裝裝置104及/或封裝部件100進行製造。因此，能夠將多個封裝裝置104做成彼此相鄰。如圖6中所圖示的那樣，在一個實施方式中，能夠將這些封裝裝置104製造在陣列600中，並且被諸如切口（kerf）之類的連接件602所接合。一旦組裝完，透過基本上消除連接件602的方式，例如透過鋸法，例如在方塊502之後，能夠將各封裝裝置104單個分出（singulate）。類似地，如以上對封裝部件100所圖示的那樣，能夠將多個封裝部件100一起製造。可以將這些封裝部件100製造在陣列600中，並且例如在方塊508之後，例如以上述方式可以將各封裝部件100單個分出。這樣，在一個實施方式中，上述方塊502可以包含形成多於一個的封裝裝置104和其中的凹槽122。在另一個實施方式中，方塊502亦可以包含例如透過鋸法的切口去除來單個分出陣列600的其中帶有凹槽122的封裝裝置104。
已經透過所附的申請專利範圍限定了許多實例。儘管如此，將理解的是，在不背離所要求保護的本發明的範圍的情況下，可以對所描述的實例進行各種修改。本文所描述的特定實例的各特徵和各態樣能夠與其它實例的各特徵和各態樣相結合或者被其它實例的各特徵和各態樣所替代。因此，其它實例落入所附申請專利範圍的範圍內。 實施方式實例
實例1包含一種封裝裝置，該封裝裝置包含：裝置；第一封裝件，該第一封裝件覆蓋該裝置，並且具有一或多個外表面；和一或多個凹槽，該一或多個凹槽處於該一或多個外表面中，並且被配置成接納第二封裝件。
實例2包含實例1的封裝裝置，其中該一或多個凹槽位於該第一封裝件的相對的表面上。
實例3包含實例1的封裝裝置，其中該第一封裝件是熱固塑膠材料或者熱塑材料中的一種。
實例4包含實例1的封裝裝置，其中該第二封裝件是熱固塑膠材料或者熱塑材料中的一種。
實例5包含實例1的封裝裝置，其中該裝置是電感器。
實例6包含實例1的封裝裝置，其中該一或多個凹槽中的至少一個凹槽的高度和寬度各自大於或者等於五十微米。
實例7包含實例1的封裝裝置，其中該一或多個凹槽中的至少一個凹槽的寬度與該一或多個凹槽中的該至少一個凹槽的高度之比在百分之五十與百分之一百之間。
實例8包含實例1的封裝裝置，其中該一或多個凹槽是L形凹槽、平行四邊形凹槽和梯形凹槽中的一種。
實例9包含一種封裝部件，該封裝部件包含：被第一封裝件所封裝的一或多個封裝裝置；其中每個封裝裝置具有在該第一封裝件上的外表面；位於該外表面的至少一個外表面中的一或多個凹槽；和覆蓋該一或多個封裝裝置的第二封裝材料，該第二封裝材料基本上填充該封裝裝置中至少一個封裝裝置的一或多個凹槽。
實例10包含實例9的封裝部件，該封裝部件進一步包含：安裝結構，該封裝裝置被附裝至該安裝結構；位於該封裝裝置與該安裝結構之間的間隙；及其中該第二封裝材料基本上填充該間隙。
實例11包含實例9的封裝部件，其中該第一封裝件是熱固塑膠材料或者熱塑材料中的一種。
實例12包含實例9的封裝部件，其中該第二封裝件是熱固塑膠材料或者熱塑材料中的一種。
實例13包含實例9的封裝部件，其中一個封裝裝置的外表面中的該一或多個凹槽中的一個凹槽的寬度與這一個封裝裝置的寬度之比在百分之一與百分之二十五之間。
實例14包含實例9的封裝部件，其中該一或多個凹槽中的至少一個凹槽之一的高度和寬度各自大於或者等於五十微米。
實例15包含實例9的封裝部件，其中該一或多個凹槽中的一個凹槽的寬度與這一個凹槽的高度之比在百分之五十與百分之一百之間。
實例16包含實例9的封裝部件，其中該凹槽中的一個凹槽是L形凹槽、平行四邊形凹槽和梯形凹槽中的一種。
實例17包含實例9的封裝部件，其中該封裝裝置中的至少一個封裝裝置是電感器、PWM控制器和驅動器、電容器以及至少一個功率電晶體中的一種。
實例18包含實例10的封裝部件，其中該封裝部件是DC-DC電壓變壓器，該DC-DC電壓變壓器包含：PWM控制器和驅動器；至少一個功率電晶體，該功率電晶體連接至該PWM控制器和驅動器的輸出部；及輸出濾波器，該輸出濾波器連接至該至少一個功率電晶體。
實例19包含實例18的封裝部件，其中該DC-DC電壓變壓器的輸出連接至處理系統。
實例20包含實例19的封裝部件，其中該處理系統包含處理器，該處理器連接至記憶體。
實例21包含一種方法，該方法包含以下步驟：用第一封裝件對裝置進行封裝以形成封裝裝置；及在該第一封裝件的一或多個表面上形成凹槽，該凹槽被構造成接納隨後放置的第二封裝件，該第二封裝件將會覆蓋該封裝裝置。
實例22包含實例21的方法，進一步包含以下步驟：將該封裝裝置安裝在安裝結構上。
實例23包含實例21的方法，進一步包含以下步驟：將一或多個附加的封裝裝置或者附加的未封裝裝置安裝在安裝結構上。
實例24包含實例21的方法，進一步包含以下步驟：用該第二封裝件覆蓋該封裝裝置和安裝結構，基本上填充該凹槽中的至少一個凹槽。
100‧‧‧封裝部件104‧‧‧封裝裝置105‧‧‧裝置封裝件106‧‧‧未封裝裝置107‧‧‧間隙108‧‧‧安裝結構110‧‧‧部件封裝件112‧‧‧頂表面114A‧‧‧底表面114B‧‧‧頂表面122‧‧‧凹槽122A‧‧‧倒L形凹槽122B‧‧‧L形凹槽122c‧‧‧四邊形凹槽122d‧‧‧平行四邊形凹槽122e‧‧‧倒梯形凹槽122f‧‧‧梯形凹槽122g‧‧‧矩形凹槽150‧‧‧焊料152‧‧‧封裝裝置端子154‧‧‧安裝結構端子156‧‧‧第二安裝結構158‧‧‧封裝部件端子160‧‧‧第二安裝結構端子204‧‧‧側壁206‧‧‧突起210‧‧‧標定外表面400‧‧‧系統402‧‧‧電源404‧‧‧DC-DC電壓變壓器406‧‧‧PWM控制器和驅動器408A‧‧‧上MOSFET408B‧‧‧下MOSFET410‧‧‧輸出濾波器412‧‧‧串聯電感器414‧‧‧並聯電容器416‧‧‧處理系統418‧‧‧處理器420‧‧‧記憶體450‧‧‧資料匯流排500‧‧‧方法502‧‧‧方塊504‧‧‧方塊506‧‧‧方塊508‧‧‧方塊510‧‧‧方塊600‧‧‧陣列602‧‧‧連接件
圖1A是包含封裝裝置和未封裝裝置的封裝部件的一個實施方式的截面圖。
圖1B是凹槽的各實施方式的截面圖。
圖2A是裝置封裝件中凹槽的一個實施方式的截面圖。
圖2B是裝置封裝件中凹槽的另一個實施方式的截面圖。
圖3A是沿著一個軸平行的多個凹槽的一個實施方式的透視圖。
圖3B是一個軸上的多個平行凹槽與沿著垂直軸的單個凹槽的一個實施方式的透視圖。
圖4是圖示電氣系統的一個實施方式的圖。
圖5是圖示一種製造封裝裝置和封裝部件隨後將封裝部件安裝在安裝結構上的方法的一個實施方式的圖。
圖6圖示了透過連接件把封裝部件的陣列彼此接合（attach）的一個實施方式。
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100‧‧‧封裝部件
104‧‧‧封裝裝置
105‧‧‧裝置封裝件
106‧‧‧未封裝裝置
107‧‧‧間隙
108‧‧‧安裝結構
110‧‧‧部件封裝件
112‧‧‧頂表面
114A‧‧‧底表面
114B‧‧‧頂表面
122‧‧‧凹槽
122A‧‧‧倒L形凹槽
122B‧‧‧L形凹槽
122c‧‧‧四邊形凹槽
122d‧‧‧平行四邊形凹槽
122e‧‧‧倒梯形凹槽
122f‧‧‧梯形凹槽
122g‧‧‧矩形凹槽
150‧‧‧焊料
152‧‧‧封裝裝置端子
154‧‧‧安裝結構端子
156‧‧‧第二安裝結構
158‧‧‧封裝部件端子
160‧‧‧第二安裝結構端子
Claims (22)
- 一種封裝裝置，包含：一裝置；一第一封裝件，該第一封裝件覆蓋該裝置，並且具有一或多個外表面；和一或多個凹槽，該一或多個凹槽處於該一或多個外表面中，並且被配置成接納一第二封裝件；其中該一或多個凹槽中的至少一個凹槽的一寬度與該一或多個凹槽中的該至少一個凹槽的一高度之一比在百分之五十與百分之一百之間。
- 如請求項1之封裝裝置，其中該一或多個凹槽位於該第一封裝件的相對的表面上。
- 如請求項1之封裝裝置，其中該第一封裝件是一熱固塑膠材料或者一熱塑材料中的一種。
- 如請求項1之封裝裝置，其中該第二封裝件是一熱固塑膠材料或者一熱塑材料中的一種。
- 如請求項1之封裝裝置，其中該裝置是一電感器。
- 如請求項1之封裝裝置，其中該一或多個凹槽中的至少一個凹槽的一高度和一寬度各自大於或者等於五十微米。
- 如請求項1之封裝裝置，其中該一或多個凹 槽是一L形凹槽、一平行四邊形凹槽和一梯形凹槽中的一種。
- 一種封裝部件，包含：一或多個封裝裝置，該一或多個封裝裝置被一第一封裝件所封裝；其中每個封裝裝置具有在該第一封裝件上的一外表面；一或多個凹槽，該一或多個凹槽位於該外表面的至少一個外表面中；和一第二封裝件，該第二封裝件覆蓋該一或多個封裝裝置，該第二封裝件基本上填充該封裝裝置中的至少一個封裝裝置的一或多個凹槽；其中該一或多個凹槽中的一個凹槽的一寬度與該一個凹槽的一高度之一比在百分之五十與百分之一百之間。
- 如請求項8之封裝部件，進一步包含：一安裝結構，該封裝裝置被附裝至該安裝結構；一間隙，該間隙位於該封裝裝置與該安裝結構之間；及其中該第二封裝件基本上填充該間隙。
- 如請求項8之封裝部件，其中該第一封裝件是一熱固塑膠材料或者一熱塑材料中的一種。
- 如請求項8之封裝部件，其中該第二封裝件是一熱固塑膠材料或者一熱塑材料中的一種。
- 如請求項8之封裝部件，其中一個封裝裝置的外表面中的該一或多個凹槽中的一個凹槽的一寬度與這一個封裝裝置的一寬度之比在百分之一與百分之二十五之間。
- 如請求項8之封裝部件，其中該一或多個凹槽中的至少一個凹槽之一的一高度和一寬度各自大於或者等於五十微米。
- 如請求項8之封裝部件，其中該一或多個凹槽中的一個凹槽是一L形凹槽、一平行四邊形凹槽和一梯形凹槽中的一種。
- 如請求項8之封裝部件，其中該封裝裝置中的至少一個封裝裝置是一電感器、一PWM控制器和驅動器、一電容器以及至少一個功率電晶體中的一種。
- 如請求項9之封裝部件，其中該封裝部件是一DC-DC電壓變壓器，該DC-DC電壓變壓器包含：一PWM控制器和驅動器；至少一個功率電晶體，該功率電晶體連接至該PWM控制器和驅動器的輸出部；及 一輸出濾波器，該輸出濾波器連接至該至少一個功率電晶體。
- 如請求項16之封裝部件，其中該DC-DC電壓變壓器的一輸出連接至一處理系統。
- 如請求項17之封裝部件，其中該處理系統包含一處理器，該處理器連接至一記憶體。
- 一種用於封裝裝置的方法，包含以下步驟：用一第一封裝件對一裝置進行封裝以形成一封裝裝置；及在該第一封裝件的一或多個表面上形成凹槽，該等凹槽被構造成接納一隨後放置的第二封裝件，該第二封裝件將會覆蓋該封裝裝置；其中該等凹槽中的至少一個凹槽的一寬度與該等凹槽中的該至少一個凹槽的一高度之一比在百分之五十與百分之一百之間。
- 如請求項19之方法，進一步包含以下步驟：將該封裝裝置安裝在一安裝結構上。
- 如請求項19之方法，進一步包含以下步驟：將一或多個附加的封裝裝置或者附加的未封裝裝置安裝在一安裝結構上。
- 如請求項19之方法，進一步包含以下步驟： 用該第二封裝件覆蓋該封裝裝置和一安裝結構，基本上填充該凹槽中的至少一個凹槽。
Applications Claiming Priority (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201562218687P | 2015-09-15 | 2015-09-15 | |
| US62/218,687 | 2015-09-15 | ||
| US201562242447P | 2015-10-16 | 2015-10-16 | |
| US62/242,447 | 2015-10-16 | ||
| US15/045,630 | 2016-02-17 | ||
| US15/045,630 US10317965B2 (en) | 2015-09-15 | 2016-02-17 | Apparatuses and methods for encapsulated devices |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201719329A TW201719329A (zh) | 2017-06-01 |
| TWI710884B true TWI710884B (zh) | 2020-11-21 |
Family
ID=58237453
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW105129724A TWI710884B (zh) | 2015-09-15 | 2016-09-13 | 用於封裝裝置的設備和方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US10317965B2 (zh) |
| CN (1) | CN107026130B (zh) |
| TW (1) | TWI710884B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10522526B2 (en) * | 2017-07-28 | 2019-12-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | LTHC as charging barrier in InFO package formation |
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| TW200707606A (en) * | 2005-06-29 | 2007-02-16 | Koninkl Philips Electronics Nv | Method of manufacturing an assembly and assembly |
| TW200743190A (en) * | 2006-05-10 | 2007-11-16 | Chung-Cheng Wang | A heat spreader for electrical device |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007521656A (ja) | 2003-06-25 | 2007-08-02 | アドバンスド インターコネクト テクノロジーズ リミテッド | 半導体パッケージのためのリード・フレーム・ルーティングされたチップ・パッド |
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| US8093693B2 (en) | 2006-09-15 | 2012-01-10 | Stats Chippac Ltd. | Integrated circuit package system with encapsulation lock |
| US7718884B2 (en) | 2008-07-17 | 2010-05-18 | Sony Computer Entertainment America Inc. | Method and apparatus for enhanced gaming |
| US8551820B1 (en) | 2009-09-28 | 2013-10-08 | Amkor Technology, Inc. | Routable single layer substrate and semiconductor package including same |
| US8871572B2 (en) | 2012-12-20 | 2014-10-28 | Intersil Americas LLC | Lead frame having a perimeter recess within periphery of component terminal |
| EP3033778A4 (en) * | 2013-08-12 | 2017-03-29 | 3M Innovative Properties Company | Emissive article with light extraction film |
| CN104538425B (zh) * | 2014-12-19 | 2018-01-12 | 上海天马微电子有限公司 | 一种阻挡膜及其制作方法、显示装置 |
-
2016
- 2016-02-17 US US15/045,630 patent/US10317965B2/en active Active
- 2016-09-13 TW TW105129724A patent/TWI710884B/zh active
- 2016-09-14 CN CN201610826015.2A patent/CN107026130B/zh active Active
-
2019
- 2019-06-07 US US16/435,287 patent/US11150710B2/en active Active
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20170077807A1 (en) | 2017-03-16 |
| TW201719329A (zh) | 2017-06-01 |
| CN107026130B (zh) | 2022-10-21 |
| US10317965B2 (en) | 2019-06-11 |
| US11150710B2 (en) | 2021-10-19 |
| CN107026130A (zh) | 2017-08-08 |
| US20190294225A1 (en) | 2019-09-26 |
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