TWI706489B - 使用重疊及對產量重要之圖案之度量 - Google Patents

Abstract

本發明提供度量方法，其包括：識別一裝置設計中之疊對關鍵圖案，該等疊對關鍵圖案對程序變動具有高於取決於設計規格之一指定臨限值之一疊對靈敏度；且使用對應於經識別之疊對關鍵圖案之度量目標。替代地或互補地，度量方法包括根據歸因於指定程序變動之一對應程序窗變窄而識別良率關鍵圖案，其中該變窄係藉由圖案之邊緣佈置誤差(EPE)對程序參數上之一相依性而界定。本發明提供對應目標及量測。

Description

使用重疊及對產量重要之圖案之度量

本發明係關於度量之領域，且更特定言之，本發明係關於裝置圖案之度量。

隨著裝置生產程序之不斷進步，度量可應對顯著限制可用疊對預算之較小裝置細節。因此需要新類型目標、新量測演算法及新程序校正演算法。

以下係提供對本發明之一初始理解之一簡化之概要。該概要不必識別主要元件亦不必限制本發明之範疇，而是僅充當以下描述之一介紹。 本發明之一態樣提供一種方法，其包括：識別一裝置設計中之疊對關鍵圖案，該疊對關鍵圖案對程序變動具有高於取決於設計規格之一指定臨限值之一疊對靈敏度；及使用對應於經識別之疊對關鍵圖案之度量目標。 此外，在以下詳細描述中提出可從詳細描述中推理出及/或藉由實踐本發明而學習之本發明之此等額外及/或其他態樣及/或優勢。

[相關申請案之交叉參考] 本申請案主張2014年7月13日申請之美國臨時專利申請案第62/023,882號、2015年3月27日申請之美國臨時專利申請案第62/138,974號，及2015年5月8日申請之美國臨時專利申請案第62/158,611號之權利，該等案之全文以引用之方式併入本文中。 在提出詳細描述之前，提出將在下文中使用之某些術語之定義係有幫助的。 在此申請案中使用之術語「疊對」(OVL)係指量化一生產之裝置中之不同層或結構元件之間之一水平距離之一度量。OVL通常量化經設計以覆疊之層或元件之生產過程中之不精確。 在本申請案中使用之術語「邊緣佈置誤差」(EPE)係指設計及生產元件之疊對及尺寸量測之一組合，其量化生產之元件邊緣與設計之元件邊緣之間之差異。例如，EPE可被界定為兩個生產之特徵之間之最小距離。EPE亦可指兩個特徵之間之距離，其界定對裝置功能至關之一些電性質(電容、電阻等等)關鍵。 本申請案中使用之術語「程序變動」(PV)係指一裝置設計與生產之裝置之間之可能之差異之範圍，此係由於大量生產因數，如微影程序中之各種步驟之參數。PV進一步指生產程序中之全部不精確源。 本申請案中使用之術語「程序窗」係指在給定規格下可接受之生產偏差之範圍。本申請案中使用之術語「臨限值」係指從設計規格中導出且有關於特定圖案、疊對及/或EPE之值。本申請案中使用之術語「關鍵圖案」係指對PV尤其敏感之特定設計圖案，即具有一十分低之臨限值之設計圖案。 本申請案中使用之術語「圖案佈置窗」(PPW)係指在特定PV下佈置不同圖案之變動性之範圍。 現在具體詳細參考圖式，其強調所展示之特定圖式僅供例示且僅為了本發明之較佳實施例之繪示性討論之目的，且為提供被認為係對本發明之原理及概念性態樣最有用且最易於理解之描述之目的而存在。在此方面，不需要比本發明之一必要基礎理解更詳細地展示本發明之結構性細節，結合圖式之描述使熟習技術者明白本發明之一些形式係如何可體現於實踐中的。 在詳細解釋本發明之至少一項實施例之前，應瞭解本發明在其之申請案中不限制於在以下描述中提出或在圖式中繪示之組件之建構及配置之細節。本發明應用於其他實施例或以各種方式實踐或實施。再者，應瞭解本文所採用之措辭及術語係為了描述之目的且不應被視為具有限制性。 圖1係根據本發明之一些實施例之一製造流程90背景下之度量階段100之一高階示意性方塊圖。製造流程90示意性地表示為設計階段91之一序列，(視情況)應用光學接近校正(OPC)及子解析度輔助特徵(SRAF) 92、光罩曝寫(reticle write)步驟93及包含(例如)沈積、蝕刻、化學機械平坦化(CMP)及任何其他機械、化學及光學(曝光)步驟之實際生產步驟之步驟94之一微影叢集。在現有技術中，度量程序整合於製造流程90中且包含：將目標設計GDS (圖形資料系統檔案，或以任何其他格式出現之一設計格式)併入至晶圓設計91、OPC 92、光罩曝寫93及微影叢集94中之設計階段；及隨後目標量測階段95，並且導出(例如)以疊對校正件132之形式出現之用於校正生產程序之量測。致力於設計可量測且遵守設計規則以確保其等印刷適性之目標。 度量流程100之實施例改良現有度量技術(藉由箭頭及框架中之雙線繪示)之諸多態樣。在特定實施例中，設計分析101包括識別裝置之設計91中之疊對關鍵圖案110及/或良率關鍵圖案120。應注意，關鍵圖案110包括對PV尤其敏感之設計圖案，即具有從設計規格中導出且指所需之疊對及/或EPE值之一十分低之臨限值之設計圖案。應進一步注意，一裝置設計之分析及關鍵圖案110之導出可係複雜的且涉及可從本發明之特定實施例中導出之各種考量。 疊對關鍵圖案110包括比其他裝置特徵對疊對誤差更敏感之裝置特徵，例如其中線係閉合或間隙較窄之圖案。此等圖案可設計於一或多層中及/或藉由一或多個微影步驟產生，使得可(例如)歸因於程序變動而發生不同層及/或在不同微影步驟中生產之元件之間之一疊對。在此背景下，PV可包括微影步驟之任何者中之任何種類之不精確，其包含照明瑕疵，歸因於機械及/或化學程序等等之不精確。 良率關鍵圖案120包括使用於PV之程序窗變窄之裝置特徵，即，導致不可接受之製造之裝置之一較高比率之圖案。良率關鍵圖案120涉及對疊對及特徵尺寸中之不精確敏感之特徵，諸如CD (臨界尺寸)及間隙寬度。因此，良率關鍵圖案120可涉及設計元件邊緣及相距於裝置元件邊緣之距離，通常受到產生之元件寬度之疊對及精確性影響之特徵。疊對及尺寸量測之組合通常被稱為邊緣佈置誤差(EPE)。用於PV之程序窗描述在指定準則下仍然產出可接受裝置之可允許PV。 度量流程100可進一步包括可使用諸如疊對關鍵圖案110或其衍生物之裝置特徵112產生目標102之設計檔案(例如GDS檔案)。例如，似裝置目標102可包括經對稱及重複之疊對關鍵圖案110以代表PV對經識別之疊對關鍵圖案110之影響。 在特定實施例中，可基於諸如局部元件密度、局部間隙密度、方向性密度(即，例如在x及y方向上之一種尺寸密度)、局部CD量測、局部間隙量測及此等量測之間之相關性及組合之各種參數而界定疊對關鍵圖案110之一參考空間。可相對於用於識別疊對關鍵圖案110且在一些實施例中可用於特性化裝置區域及裝置設計之特徵而界定該參數空間。 參數空間之一或多個區域可經識別為疊對關鍵圖案110之一或多種類型之特性。可相對於參數空間114之此等區域而設計目標102，例如，根據在目標102上量測之參數，目標102可經選擇為在此等區域中或經選擇以圍封此等區域。在此等實施例中，似裝置目標102可不必使用諸如疊對關鍵參數110之裝置設計元件，但可經設計而以一更普遍之方式類似於圖案110，即，代表疊對關鍵圖案110對PV之敏感度，而非直接複製疊對關鍵圖案110。假定實施一全裝置分析，目標102可對應地經設計以代表裝置對PV之整體敏感度。此外，典型目標設計可與典型裝置設計相關聯以產出度量似裝置目標設計之一甚至更普遍之做法。應注意，放寬對複製裝置圖案之需求可用於最佳化設計之目標之量測性。例如，密度需求在回應展成目標102中相對於實際裝置圖案更放寬，從而增加目標102之光學內容且因此增加其之度量敏感度。 一類似做法可應用於良率關鍵圖案120，其可在取代疊對量測而使用EPE量測或除了疊對量測以外亦使用EPE量測下識別。 度量流程100可進一步包括相對於疊對及/或EPE量測之設計目標及裝置之PV回應之相關性之確認104。度量量測程序及演算法130可產出包括相對於疊對關鍵圖案110之疊對校正件132及/或一程序窗中心重定目標135之目標量測95之結果，作為改良生產程序之一新方法，此將在下文中解釋。特定實施例包括一圖案佈置窗(PPW)之分析及(視情況)偏離檢測136，如下文所解釋。 功能裝置建構為不同微影步驟上產生之諸多複雜結構。可在相對於設計之一些失真中印刷一指定微影步驟之結構。一種類型失真為疊對，即，整個結構相對於先前結構之橫向位移。由於疊對可能係最易控制及校正的，所以已發展快速及精確光學度量來量測疊對。在先進半導體製造節點中，每層之此單一疊對數目可能係不充足的。複雜層結構可分割成小圖案。此等圖案之各者可具有對程序之一不同回應且因此其可展現一不同橫向偏差，此現象被稱為圖案佈置誤差(EPE)。其可起因於(例如)掃描器像差、蝕刻、化學機械拋光或沈積。若不同圖案位移之多樣化相對於疊對規格係不可忽略的，則一單一疊對數目不可代表完整結構；此意謂應使用不同機制來補償橫向位移(諸如像差調諧、蝕刻條件變動等等)。在下文中，提出用於監測及/或控制不同圖案位移之多樣化來改良製造良率之方法。 圖2係根據本發明之一些實施例之疊對關鍵圖案110及一圖案佈置窗(PPW) 115之概念之一高階示意性圖解。發明人已發現在設計中及在對稱PV下具有一相同佈置之不同疊對關鍵圖案110 (示意地經繪示)之其等實際佈置可不同於不對稱PV下之其等實際佈置。在特定PV下不同圖案110之佈置變動性之範圍在本文中被稱為圖案佈置窗(PPW) 115，且發明人已知無法藉由應用一單一疊對校正而解決PPW 115之存在，此係由於一個圖案之一疊對校正可增加另一圖案之佈置誤差，即，不同圖案110在不對稱PV下表現不同。應注意，不對稱PV可包括諸如不對稱掃描器像差、蝕刻傾斜、CMP不對稱等等之PV態樣之一主體且歸因於不對稱PV之典型PPW 115可到達數奈米。發明人注意到，條件PPW＜＜OVL係必要的，以藉由一疊對校正有效地增加精確性，且進一步注意到，PPW 115可增加有與建立圖案有關之層及程序步驟數目。例如，5 nm之疊對預算可允許大約0.5 nm之PPW，且數nm PPW可清楚地呈現僅應用疊對校正無效。 圖案佈置窗(PPW) 115係關鍵圖案位移多樣化之一量測。圖案佈置窗(PPW) 115可被界定為相對圖案位移之三個標準偏差(在特定申請案中其可有不同之界定；例如界定為不同圖案位移之間之最大差異)。可使用特殊疊對目標102量測圖案佈置窗(PPW) 115且圖案佈置窗(PPW) 115可用於監測圖案偏差多樣化。一個可能之使用情況係若在一些晶圓位置上PPW 115超過一些指定規格時，則此等位置可遭受良率問題。此外，基於PPW圖徵或使用智慧目標設計可識別有問題之程序步驟。此允許在更早之程序步驟中之除線內根本原因分析之外之偏離監測。 藉由發明人實施之Prolith模擬已展示由掃描器像差不同地影響諸如一設計之層中之線及洞之不同裝置圖案。例如，在一個設計中，對於40 nm以下之CD，洞之圖案佈置誤差(PPE)小於針對線之PPE，而洞PPE類似於40 nm至80 nm之間之線PPE。 可使用裝置圖案表現之模擬及/或量測與所報告疊對之度量特徵(在不同程序條件下)之比較來最佳化PPW目標102之設計。在此做法中，PPW目標圖案可不同於裝置圖案。例如，若一些程序步驟很大程度上取決於一些長度比例中之密度時，目標之不同特徵將在此長度比例中具有不同密度。此等程序可為具有1 μm至10 μm之長度比例之CMP或具有50 nm至1 μm (實際數目取決於程序且可各不相同)之長度比例之蝕刻。另一實例係取決於可修改至掃描器像差之回應之間距。可經修改之額外參數係(例如)形狀、工作循環及先前層圖案。 如以下所例示，可採取兩個不同做法：(i) PPW目標102可用於監測任何像差，且因此可具有經設計以反應至關於一特定裝置特徵之任何像差之特徵，且(ii) PPW目標102可經設計以對特定像差敏感且允許線內PPW根本原因分析。此外，在做法、程序兩者中，微影及度量模擬可用於匹配不同裝置及目標特徵之相對佈置。裝置及目標PPW可相等或變大一已知倍數(即，呈現一些程序變動PPW目標=A‧PPW裝置，其中A係一已知常數)。發明人已進一步發現PPW 115可藉由應用全場域及/或全晶圓分析而用於特性化特定不對稱PV且將其與特定程序相關聯。 圖3A及圖3B示意地繪示根據本發明之一些實施例之沿一x方向之全場域PPW量測。圖3A示意地繪示監測所有像差之第一做法，其中藉由箭頭指示PPW量測，且圖3B示意地繪示其中裝置將遭受一些良率損失之場域位置，如藉由(大及)規格外之PPW值(粗體)所識別。此外，PPW之場域圖徵在掃描器像差中係典型的。此資訊可用於警示晶圓廠掃描器像差失控。 圖4A、圖4B及圖4C示意地繪示根據本發明之一些實施例之全晶圓x PPW量測。在整個晶圓80之層級中，晶圓80中之場域85上之PPW之變動性(藉由指示每場域PPW之單箭頭指示)可用於偵測各種晶圓級PV，諸如蝕刻圖徵(圖4A，藉由橫向增加之PPW指示)、蝕刻偏離(圖4B，最大粗體箭頭)、CMP圖徵及偏離(圖4C，最大粗體箭頭)及等等。跨晶圓之PPW梯度之方向性分析(例如x對y方向)可與不精確之特定源相關。場域層級中之PPW梯度與晶圓層級中之PPW梯度之間之關係亦可指示不精確之特定原因。可藉由應用PPW之一完整根本原因分析而詳細地研究此等關係。 應注意，場域及晶圓上之PPW圖案係用於量化生產之裝置上之不對稱PV之效應及影響之一量測且呈現量化此等影響之一新方法。 圖5A、圖5B及圖6A至圖6C係根據本發明之一些實施例之PPW目標102之高階示意性圖解。 圖5A示意地繪示由諸多關鍵圖案組成之一成像目標102之一俯視圖，其可包括疊對關鍵圖案110及/或良率關鍵圖案120。關鍵圖案之任何一或多個組合可用於建構任何數目之目標。 圖5B示意地繪示包括具有週期結構之目標102之特定實施例，該等週期結構具有展示不同分段間距之分段元件。例如，具有成像目標102之元件103A (及可能之額外結構)之不同週期結構103 (諸如AIM (「進階成像度量」))可在分段間距(p₁ 、p₂ 等等)及/或元件CD (CD₁ 、CD₂ 等等)方面各不相同，從而模擬不同關鍵圖案及/或在PV下特性化PPW 115。相同週期結構可維持分段元件與元件寬度D之間之間隔G。特定實施例包括(例如)具有不同間距p_i 及/或不同CD_i (例如，80 nm、100 nm、150 nm及200 nm之間距)之週期結構之四個集合。(例如，包含微負載及遮蔽(深寬比)效應之反應離子蝕刻之)蝕刻模擬證實PPW之歸因於蝕刻效應之相關長度比例可為大約50奈米至200奈米(針對一些裝置佈局及蝕刻程序)。根據圖5B中繪示之原理設計之PPW目標102可為其中所有特徵處於同一層之成像疊對目標，分段間距(P_i )在不同光柵之間係不同的，而粗空間(G)及分段工作循環(D)保持恆定。不同特徵之間之相對偏移之量測可代表裝置PPW。應注意，如圖5B中繪示之PPW目標102可含有兩個以上圖案。 特定實施例包括成像目標102，其包括具有複數個相同指定幾何參數值之複數個結構103。在特定實施例中，結構103可為具有諸如相同粗空間(G)及一相同工作循環(D)之相同幾何參數值之週期結構103。週期結構103包括具有在週期結構103中各不相同之一分段間距之分段元件103A。 圖6A至圖6C示意地繪示根據本發明之一些實施例之SCOL (散射疊對)目標102。 圖6A示意地繪示SCOL目標102之一側視圖，其包括由諸多關鍵圖案組成之可包括疊對關鍵圖案110及/或良率關鍵圖案120之一第一目標層102A，及包括相同或類似且相對於目標102之所有關鍵圖案而共用之結構之一第二目標層102B。應注意，目標102可用於實際量測及/或模擬中以估計PPW 115。在特定實施例中，目標102可在程序參數之不同集合下經量測及/或模擬且因此用於在程序參數之範圍下特性化PV。 圖6B示意地繪示具有週期結構之SCOL目標102之一層之一俯視圖，該等週期結構具有一共同間距(p₁ =p₂ =p₃ )及不同CD (CD₁ 、CD₂ 、CD₃ 等等)。特定實施例包括(例如)具有不同CD_i (例如，50 nm、75 nm、100 nm及125 nm之CD)之週期結構之四個集合。諸多單元可經設計成具有不同當前層CD，同時保持所有單元之先前層光柵係相同的。頂部及底部單元分別具有+f₀ 及-f₀ 之偏移。特定實施例包括SCOL目標102，其包括複數個單元對103，單元103A共用在目標102之一先前層上之一週期結構(圖中未展示，但類似於圖6A中之層102B)。各對103中之單元103A具有相對於共用週期結構之經相反設計之偏移(+f₀ 及-f₀ )。各單元對103A之頂層(等同於圖6A中之層102A)上之週期結構103相對於其他單元對103A具有一相同間距(p₁ =p₂ =p₃ )及一不同CD (CD₁ ≠CD₂ ≠CD₃ )。 圖6C示意地繪示具有一單層(並排SCOL)之SCOL目標102之一俯視圖，SCOL目標102具有在一重複圖案中具有不同間距(p₁ 、p₂ 、p₃ 等等)及不同CD (CD₁ 、CD₂ 、CD₃ 等等)且在不同元件中具有一共同間距P之分段元件。可使用在美國專利申請案第62/110,431號中(該案之全文以引用之方式併入本文中)描述之引入偏移及演算法來量測此等目標102。特定實施例包括單層SCOL目標102，其包括具有包括在間距(p₁ ≠p₂ ≠p₃ )及CD (CD₁ ≠CD₂ ≠CD₃ )方面彼此不同之複數個週期元件103A之一重複結構103 (在週期或間距P中重複)之一週期結構。 在特定實施例中，度量目標102包括在一裝置設計中經識別為對程序變動具有高於一指定臨限值之一疊對敏感性之複數個疊對關鍵圖案。可藉由疊對關鍵圖案之對稱及重複來設計度量目標102。度量目標102可：設計為包括多重單元之成像目標，各單元根據疊對關鍵圖案之一不同者來設計；或設計為包括多重單元之SCOL目標設計，各單元根據疊對關鍵圖案之一不同者來設計，且在所有單元中，具有至少一週期結構之至少一共用層具有相同參數。在特定實施例中，目標102可設計成在疊對關鍵圖案之一經計算之參數空間內或圍封該經計算之參數空間。應注意，不同圖案在CD及/或間距方面係不同的，或可具有相同CD及/或間距但在其他幾何性質方面係不同的。 有利地，PPW監測提供使用光學疊對度量線內監測裝置圖案佈置多樣性以及基於線內PPW監測之目標及偏離偵測。此外，PPW分析可提供基於代表相同層中之不同裝置圖案之相對佈置之目標設計來控制程序步驟(例如，蝕刻、CMP、沈積、掃描器像差等等)。PPW做法亦實現使用程序、微影及度量模擬匹配不同裝置及包含其中目標PPW相對於裝置PPW變大一已知倍數之目標特徵之相對佈置(而非將單一目標最佳化至單一裝置及程序)。最終，PPW做法允許基於以下任何組合之線內PPW根本原因分析：PPW場域圖徵、PPW晶圓圖徵、PPW偏離步驟(例如，微影之後、蝕刻之後、CMP之後等等)及在不同長度比例中具有密度變動或為特定程序之其他幾何變動之特定目標。 圖7係根據本發明之一些實施例之將疊對與尺寸量測組合之邊緣佈置誤差(EPE)之概念及計算之一高階示意性圖解。圖7示意性地繪示(例如) FinFET (場效電晶體)裝置之生產步驟84A、84B，其包括可藉由雙重、四重或通常多重圖案化生產之作用層82及閘層81。在步驟84A中生產層81、82之後，施加(94A)一切割遮罩83以移除閘層81 (在所繪示之情況中)之部分且因此產出功能裝置。在圖7中藉由標示切割件之位置及尺寸之橢圓代表切割遮罩83。當應用此程序時，採用多重精確量測以特性化相同及不同層中之元件之間之空間關係，該等空間關係通常被稱為不同位置處之邊緣佈置誤差(EPE)。例示代表此等空間關係之八個EPE 95A。明確地，EPE 95A可被界定為方程式1，其中OVL表示相對於層82之層81之(共用)疊對，ΔCD₁ 、ΔCD₂ 、ΔCD₃ 為根據其等位置順序之元件82之CD中之誤差，ΔCD_s2 為元件82之間之空間之CD中之誤差，且ΔCD_c1 及ΔCDc₂ 為切割件83 (Δ切割CD)之CD中之誤差。

方程式 1 相關品量準則對所有EPE_i (對所有i來說，EPE_i ＞EPE_臨限值 )來說係一較低界限，以確保所有元件邊緣對之間之合適間隔。 由於OVL及各種CD對PV具有不同敏感性，所以EPE_i 之一者或部分可傾向於歸因於PV而小於其他EPE_i ，且計量反饋可包括等化整個設計之EPE_i 之校正。例如，在特定實施例中，切割件83可經修改或重定目標至切割件123 (例如，經重新定位或放大)從而提供一較寬程序窗，如下文所解釋。具體言之，可藉由切割CD重定目標而補償芯軸CD誤差(芯軸為支撐翼片之產生及判定翼片之間之空間之元件)。 圖8A至圖8D係根據本發明之一些實施例EPE限制對程序窗之影響之高階示意性圖解。圖8A示意地繪示OVL及Δ切割CD值之一分佈70上之EPE限制71 (方程式1)。此實例中僅呈現四個最具限制性之EPE限制71。圖8B示意地繪示一程序窗75，其被界定為允許之OVL及Δ切割CD值，而將從程序窗75中排除76造成EPE之任意者變得太小之OVL及Δ切割CD值。圖8C示意地繪示PV (程序變動)對EPE限制71之影響，即，進一步使得程序窗75變窄之多重EPE限制71A之產生。圖8D示意地繪示2 nm芯軸CD誤差對EPE限制71及程序窗75之影響。誤差使得一些EPE限制137變得在OVL及Δ切割CD值之分佈70中切割地更深且減少程序窗75 (在所繪示之情況中引起大約1%之良率損失)。儘管疊對控制可變嚴格以回應PV誤差(在所繪示之情況中需要一幾乎1 nm之較嚴格之OVL控制)，重定切割CD目標可減少程序窗之尺寸減少量且同時維持疊對預算。 圖9A至圖9C係根據本發明之一些實施例之用於藉由歸因於芯軸CD誤差之程序窗變窄而減少良率損失之切割CD重定目標之高階示意性圖解。圖9A繪示程序窗75及引起大約1%之一良率減少之用於一2 nm芯軸CD誤差之排除值76之一實例。圖9B繪示較嚴格之疊對控制(注意較窄總體值分佈，示意地從圖9A中之-10 nm＜OVL＜10 nm至圖9B中之-8 nm＜OVL＜8 nm)，其將良率損失減少至0.5%以下。圖9C繪示切割CD重定目標之實施例，在所繪示之情況中為依2 nm (注意分佈之位移)，同樣地將良率損失減少至0.5%以下而無需嚴格疊對控制。因此，基於EPE量測修改生產程序提供對較小裝置尺寸之PV影響之一有效適應。應注意，可以一類似方式藉由校正之其他生產參數消除或緩解其他PV因數之影響。 圖10係根據本發明之一些實施例之多個切割CD重定目標之一高階示意性圖解。在特定實施例中，對EPE上具有類似影響之切割遮罩之不同部分可依不同值重定目標。一般而言，可藉由程序窗之不同重定目標校正來補償對EPE具有不同影響之PV因數，以進一步增強良率。在所繪示之實例中，依-2 nm重定遮罩部分(或遮罩) 140A中之切割件83A目標 (指示為頂部程序窗重定目標圖式135A中之一點)以產出各自程序窗75A；而依+2 nm重定遮罩部分(或遮罩) 140B中之切割件83B目標 (指示為底部程序窗重定目標圖式135B中之一點)以產出各自程序窗75B。應注意，對PPW 115而言，可共同校正使得PPW 115沿一個方向擴充之因數，且使得該等因數與使得PPW 115沿相反方向擴充之因數分離。設計分析101可包括各種情況中之類似校正。 圖11係根據本發明之一些實施例之一方法200之一高階流程圖。藉由至少一電腦處理器(例如在一度量模組中)至少部分實施方法200。特定實施例包括電腦程式產品，其包括具有體現於其中且經組態以執行方法200之相關階段之電腦可讀程式之一電腦可讀儲存媒體。特定實施例包括藉由方法200之實施例設計之各自目標之目標設計檔案。 方法200可包括在一裝置設計中識別疊對關鍵圖案(階段210)且使用及設計對應於疊對關鍵圖案之度量目標(階段220)。例如，疊對關鍵圖案可為對程序變動具有高於一特定臨限值之一疊對敏感度之圖案。 在特定實施例中，可藉由概括及重複關鍵圖案來設計目標(階段222)。在特定實施例中，度量目標可經設計以包括多重單元(例如，經並排定位)，各單元根據疊對關鍵圖案之一不同者而設計；及/或經設計以包括在至少一共用層中具有在所有單元中具有相同參數之至少一週期結構之多重單元(階段225)。 方法200可進一步包括計算關鍵圖案之一參數空間(階段230)且將目標與該所計算之參數空間相關聯(階段235)，例如藉由將目標設計於所計算之參數空間內及/或藉由設計該等目標以圍封該所計算之參數空間。 在特定實施例中，方法200可包括導出一圖案佈置寬度(PPW)量測來量化歸因於不對稱程序變動(PV)之疊對關鍵圖案之可變佈置(階段240)且基於線內PPW量測而監測偏離(階段245)。方法200可進一步包括根據導出之PPW量測且相對於可變佈置而校正佈置誤差(階段250)。方法200可進一步包括使用PPW量測來特性化場域及/或晶圓層級中之PV (階段260)。 在特定實施例中，方法200可包括根據歸因於指定程序變動之一對應程序窗變窄而識別良率關鍵圖案(階段270)，其中藉由圖案之邊緣佈置誤差(EPE)對程序參數之一相依性界定該變窄。方法200可進一步包括估計歸因於PV對良率關鍵圖案之影響之程序窗之變窄(階段275)及/或修改至少一程序參數以減少程序窗之變窄(階段280)。 在特定實施例中，方法200可包括根據經識別之良率關鍵圖案對程序窗之影響而使該等經識別之良率關鍵圖案(階段290)相關聯及校正程序窗變窄，通常係針對相關聯之圖案(階段295)，例如，藉由分割一切割遮罩以使相關聯之關鍵圖案之生產相關聯(階段297)。 方法200可包括設計成像目標以具有多重週期結構，該等多重週期結構具有相同粗空間及工作循環及不同元件分段間距(階段300)。 方法200可包括設計具有共用一先前層週期結構且在當前(上)層中具有一相同間距及一不同CD之多重單元對之SCOL目標(階段310)；各對中之單元具有相對於先前(底)層上之共用週期結構之經相反設計之偏移。 方法200可包括將單層SCOL目標設計為具有在間距及CD方面彼此不同之元件之一週期重複結構(階段320)。 方法200可進一步包括產生設計之目標之任何者(階段330)及/或量測該等目標之任何者且從量測中導出度量量測(階段340)。 在以上描述中，一實施例為本發明之一實例或實施方案。各種「一項實施例」、「一實施例」、「特定實施例」或「一些實施例」之出現不必都係指相同實施例。 儘管可在一單一實施例之背景下描述本發明之各種特徵，但亦可分開或以任何適合之組合提供該等特徵。相反地，儘管為了清楚起見，本文可在分離實施例之背景下描述本發明，但亦可在一單一實施例中實施本發明。 本發明之特定實施例可包含以上揭示之不同實施例中之特徵，且特定實施例可併入以上揭示之其他實施例中之元件。在一特定實施例之背景下之本發明之元件之揭示內容不應視為僅將其等用途限制於特定實施例中。 此外，應瞭解可以各種方式實施或實踐本發明且可在特定實施例中而非以上描述中所論述之實施例中實施本發明。 本發明不限制於此等圖式或對應描述。例如，流程無需移動經過各個繪示之框或狀態，或明確地按照所繪示及描述之相同順序。 熟習本發明所屬之技術者通常將瞭解本文所使用之技術及科學術語之意義，除非其等經另外界定。 儘管已相對於數個有限實施例描述本發明，此等實施例不應解譯為對本發明之範疇之限制，而應作為一些較佳實施例之例示。其他可能之變動、修改及應用亦落於本發明之範疇內。據此，不應藉由迄今已經描述之內容而應藉由隨附申請專利範圍及其等合法等效物限制本發明之範疇。

70‧‧‧分佈 71‧‧‧EPE限制 71A‧‧‧EPE限制 75‧‧‧程序窗 75A‧‧‧程序窗 75B‧‧‧程序窗 76‧‧‧排除值 80‧‧‧晶圓 81‧‧‧閘層 82‧‧‧作用層/元件 83‧‧‧切割遮罩/切割件 83A‧‧‧切割件 83B‧‧‧切割件 84A‧‧‧產生步驟 84B‧‧‧產生步驟 85‧‧‧場域 90‧‧‧製造流程 91‧‧‧設計階段/晶圓設計 92‧‧‧子解析度輔助特徵(SRAF) 93‧‧‧光罩曝寫步驟 94‧‧‧微影叢集/步驟 94A‧‧‧施加 95‧‧‧目標量測階段 95A‧‧‧邊緣佈置誤差(EPE) 100‧‧‧度量流程 101‧‧‧設計分析 102‧‧‧設計目標/似裝置目標 102A‧‧‧第一目標層 102B‧‧‧第二目標層 103‧‧‧週期結構 103A‧‧‧分段元件 104‧‧‧確認 110‧‧‧疊對關鍵圖案 112‧‧‧導出之裝置特徵 114‧‧‧參數空間 115‧‧‧圖案佈置窗(PPW) 120‧‧‧良率關鍵圖案 123‧‧‧切割件 130‧‧‧演算法 132‧‧‧疊對校正件 135‧‧‧程序窗中心重定目標 135A‧‧‧頂部程序窗重定目標圖式 135B‧‧‧底部程序窗重定目標圖式 136‧‧‧偏離檢測 137‧‧‧EPE限制 140A‧‧‧遮罩部分(或遮罩) 140B‧‧‧遮罩部分(或遮罩) 200‧‧‧方法 210‧‧‧階段 220‧‧‧階段 222‧‧‧階段 225‧‧‧階段 230‧‧‧階段 235‧‧‧階段 240‧‧‧階段 245‧‧‧階段 250‧‧‧階段 260‧‧‧階段 270‧‧‧階段 275‧‧‧階段 280‧‧‧階段 290‧‧‧階段 295‧‧‧階段 297‧‧‧階段 300‧‧‧階段 310‧‧‧階段 320‧‧‧階段 330‧‧‧階段 340‧‧‧階段 CD₁‧‧‧臨界尺寸 CD₂‧‧‧臨界尺寸 CD₃‧‧‧臨界尺寸 PV‧‧‧程序變動 P‧‧‧間距 P₁‧‧‧間距 P₂‧‧‧間距 P₃‧‧‧間距

為了對本發明之實施例有一更好之理解且展示其等係如何起作用的，將僅以實例方式參考其中相同元件符號標示全文中之對應元件或段之隨附圖式。 在隨附圖式中： 圖1係根據本發明之一些實施例之一製造流程背景下之度量階段之一高階示意性方塊圖。 圖2係根據本發明之一些實施例之疊對關鍵圖案及一程序窗寬度之概念之一高階示意性圖解。 圖3A及圖3B示意地繪示根據本發明之一些實施例之沿一x方向之全場域PPW量測。 圖4A、圖4B及圖4C示意地繪示根據本發明之一些實施例之全晶圓xPPW量測。 圖5A、圖5B及圖6A至圖6C係根據本發明之一些實施例之PPW目標之高階示意性圖解。 圖7係根據本發明之一些實施例之將疊對與尺寸量測組合之邊緣佈置誤差(EPE)之概念及計算之一高階示意性圖解。 圖8A至圖8D係根據本發明之一些實施例之EPE限制對程序窗之影響之高階示意性圖解。 圖9A至圖9C係根據本發明之一些實施例之用於藉由歸因於芯軸臨界尺寸(CD)誤差之程序窗變窄而減少良率損失之切割CD重定目標之高階示意性圖解。 圖10係根據本發明之一些實施例之多切割CD重定目標之一高階示意性圖解。 圖11係根據本發明之一些實施例之繪示一方法之一高階流程圖。

200‧‧‧方法

210‧‧‧階段

220‧‧‧階段

222‧‧‧階段

225‧‧‧階段

230‧‧‧階段

235‧‧‧階段

240‧‧‧階段

245‧‧‧階段

250‧‧‧階段

260‧‧‧階段

270‧‧‧階段

275‧‧‧階段

280‧‧‧階段

290‧‧‧階段

295‧‧‧階段

297‧‧‧階段

300‧‧‧階段

310‧‧‧階段

320‧‧‧階段

330‧‧‧階段

340‧‧‧階段

Claims (20)

1. 一種度量方法，其包括：識別一裝置設計中之疊對關鍵圖案；使用對應於該等經識別之疊對關鍵圖案之度量目標；及計算該疊對關鍵圖案之一參數空間；及將該等目標與該所計算之參數空間相關聯。
2. 如請求項1之度量方法，其中根據該裝置設計中之該等疊對關鍵圖案設計該等使用之度量目標。
3. 如請求項2之度量方法，其進一步包括藉由該等疊對關鍵圖案之對稱及重複來設計該等度量目標。
4. 如請求項2或3之度量方法，其進一步包括設計該等度量目標以包括多重單元，各單元根據該等疊對關鍵圖案之一不同者設計。
5. 如請求項4之度量方法，其進一步包括設計該等單元以在至少一共用層中包括在所有單元中具有相同參數之至少一週期結構。
6. 如請求項1之度量方法，其中將該等目標與該所計算之參數空間相關聯包括將該等目標設計於該所計算之參數空間內。
7. 如請求項1之度量方法，其中將該等目標與該所計算之參數空間相關聯包括設計該等目標以圍封該所計算之參數空間。
8. 如請求項1之度量方法，其進一步包括導出一圖案佈置窗(PPW)量測來量化歸因於不對稱程序變動(PV)之該等疊對關鍵圖案之可變佈置。
9. 如請求項8之度量方法，其進一步包括基於線內PPW量測而監測偏離。
10. 如請求項8之度量方法，其進一步包括根據該導出之PPW量測且相對於該可變佈置而校正佈置誤差。
11. 如請求項8之度量方法，其進一步包括使用該PPW量測來特性化場域及/或晶圓層級中之該PV。
12. 一種電腦程式產品，其包括具有體現於其中之電腦可讀程式之一非暫時性電腦可讀儲存媒體，該電腦可讀程式經組態以實施請求項1至11之任一項之度量方法之步驟之至少一者。
13. 一種度量目標，其包括在一裝置設計中經識別為對程序變動具有高於一特定臨限值之一疊對靈敏度之複數個疊對關鍵圖案。
14. 如請求項13之度量目標，其藉由該等疊對關鍵圖案之對稱及重複而 設計。
15. 如請求項13或14之度量目標，其設計為包括多重單元之一成像目標，各單元根據該等疊對關鍵圖案之一不同者設計。
16. 如請求項13或14之度量目標，其設計為散射疊對(SCOL)目標，其包括多重單元，各單元根據該等疊對關鍵圖案之一不同者設計，及具有在所有單元中具有相同參數之至少一週期結構之至少一共用層。
17. 如請求項13之度量目標，其設計於或圍封該疊對關鍵圖案之一所計算之參數空間。
18. 一種散射疊對(SCOL)目標，其包括複數個單元對，該等單元在該目標之一底層共用一週期結構且各對中之該等單元具有相對於該共用週期結構之經相反設計之偏移，其中各單元對之一頂層上之週期結構具有相對於其他單元對之複數個相同指定幾何參數值。
19. 如請求項18之SCOL目標，其中該等指定幾何參數包括間距及CD。
20. 一種度量量測，其針對如請求項13-17中任一項之度量目標。

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