TWI705903B - 流體晶粒、列印裝置及相關方法 - Google Patents

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Abstract

一流體晶粒可包括一些致動器。該等一些致動器形成一些基元。該流體晶粒可包括可驅動一些延遲電路的一數位至類比轉換器(DAC)。該等延遲電路延遲會啟動與該等基元相關聯之該等致動器的一些啟動脈衝，以降低該流體晶粒的峰值電力需求。一些延遲電路可與各基元耦接。

Description

流體晶粒、列印裝置及相關方法
本發明係大致關於一種流體晶粒的技術。
一流體印刷系統包括一列印頭、供應諸如墨水之流體給列印頭的一流體供應器以及控制該列印頭的一控制器。為了要將該流體列印在一列印媒體上，該列印頭可透過複數個孔口或噴嘴朝向一列印媒體射出流體，列印媒體諸如一張紙。該等孔口可被配置在一些陣列中，以致使當列印頭和列印媒體相對於彼此移動時，恰當地排序之墨水從孔口噴射以致使字元或其他影像被列印在列印媒體上。
於本發明的一個態樣中，係特地提出一流體晶粒，其包含：一些致動器，該等一些致動器形成一些基元；可驅動一些延遲電路的一數位至類比轉換器(DAC)，該等延遲電路延遲會啟動與該等基元相關聯之該等致動器的一些啟動脈衝，以降低該流體晶粒的峰值電力需求；以及耦接至各基元的一些延遲電路。
於本發明的又一個態樣中，係特地提出一種 列印裝置，其包含：一些流體晶粒，其包含：一些致動器，該等一些致動器形成一些基元；耦接至各基元的一些延遲電路；一數位至類比轉換器(DAC)，其可驅動一些延遲電路，該等延遲電路延遲會啟動與該等基元相關聯之該等致動器的一些啟動脈衝，以降低上述流體晶粒的峰值電力需求。
於本發明的又一個態樣中，係特地提出一種降低至少一流體晶粒之峰值電力需求的方法，該方法包含：以一處理裝置：基於從該處理裝置所接收到的指令而判定該流體晶粒的一基元延遲，該處理裝置指示該流體晶粒使用與各基元及一數位至類比轉換器(DAC)耦接的一些延遲電路，而延遲用於在一行致動器基元中一些發射致動器的一些啟動脈衝以驅動一些該等延遲電路；針對該流體晶粒的各個該等致動器基元而產生一啟動脈衝；以及基於該基元延遲，經由該啟動脈衝而啟動與該等致動器基元相關聯的一些致動器。
100:流體射出裝置
150:流體晶粒
101:基元
102:致動器
103:處理裝置
104:記憶體裝置
105:延遲電路
120:DAC
150:流體晶粒
200:列印裝置
300:基元延遲設計
301:位址
302:啟動脈衝
303:延遲方塊
402-1~402-n:啟動
403、404、405、406:時間
501:校正位元
504:致能訊號
506、606:針腳
507:VCN
508:VCP
510、610:電路元件
607:延遲訊號輸出
801、802、803、804、805:方塊
900:流體匣
901:儲槽
附加圖式例示說明在此描述之原則的各種範例且為說明書的部分。所例示的範例僅用於例示說明而給出，且並非限制請求項的範圍。
圖1為根據在此描述之原則的一範例的一流體射出裝置的一方塊圖。
圖2為根據在此描述之原則的一範例之包括一些圖1之流體晶粒的一列印裝置的一方塊圖。
圖3為根據在此描述之原則的一範例的一基元延遲設計的一方塊圖。
圖4為根據在此描述之原則的一範例的一流體晶粒在一些基元的一啟動期間與該等基元的啟動內的一總電流的一線圖。
圖5為根據在此描述之原則的一範例之一數位至類比轉換器(DAC)與控制電壓產生器的一方塊圖。
圖6為根據在此描述之原則的另一範例之一電壓受控延遲胞元的一方塊圖。
圖7為描述根據在此描述之原則的一範例之一種降低至少一流體射出裝置的尖峰電力需求的方法一流程圖。
圖8為描繪根據在此描述之原則的一範例之一種校正一流體晶粒的方法之流程圖。
圖9為根據在此描述之原則的一範例之一流體匣的一方塊圖。
在整個圖式中，相同的參考編號表示相似但不一定相同的元件。圖式不一定按比例繪製，並且可誇大某些部分的尺寸以更清楚地說明所示的範例。此外，圖式提供了與描述一致的範例及/或實施；然而，描述不限於圖式中提供的範例及/或實施。
在一範例中，一列印頭可藉由啟動(activating)一些致動器而透過噴嘴射出流體。在一範 例中，該等流體致動器可包括溫敏式裝置，其快速地加熱位在一汽化腔室內之小量的流體，以致使該流體汽化且被從該等噴嘴射出。在另一範例中，該等流體致動器可包括位在一些流體腔室內的壓電材料，其在一電場施加在他們上時改變他們的形狀以增加在該流體腔室內的壓力迫使流體從該流體腔室中流出。為了啟動流體致動器，供應電力給該等流體致動器。由該等流體致動器所消耗的電力可等於Vi，在此V為跨該等流體致動器的電壓且i為流過該等流體致動器的電流。電子控制器，其係可位在一列印裝置的處理電子的一部份處，控制從在該列印頭外部的一電力供應器所供應至該等流體致動器的電力。
在一種流體噴射列印系統中，列印頭從該控制器接收包括一些啟動脈衝的啟動訊號。該控制器藉由控制該啟動訊號的時間點而控制該列印頭的液滴產生器能量。與該啟動訊號相關的時機包括啟動脈衝的寬度以及在哪個時間點出現該啟動脈衝。該控制器亦以控制電力供應器的電壓層級而藉由控制通過該流體致動器之電流而控制一液滴產生器的能量。
列印頭可包括使用來從該列印頭噴射流體的複數個流體致動器，且此等流體致動器可被群聚在一起成為複數個基元。在一範例中，在各基元中的該等流體致動器的數量可因基元而異。在另一範例中，針對各基元的該等流體致動器的數量可以是相同的。
各流體啟動器包括一相關聯開關裝置，諸 如，例如一場效電晶體(FET)。在一範例中，一單一電源線提供電力給各FET與在各基元中的流體啟動器。在一範例中，在一基元中的各FET可以耦接於該FET之閘極的一分離的可通電定址導線來控制。在另一範例中，各定址導線可由多個基元所共享。該等定址導線被控制以致使僅有一個FET會在一給定時機開啟以致使在一基元中的至多一個流體致動器會有電流通過他而導致對應腔室在該給定時間噴射流體。在一範例中，該等基元可以行與列配置在該列印頭中。在該印刷頭內係可能存在任何數量行的基元以及任何數量列的基元。
在一基元中的各流體啟動器可被指定一位址。在大部分的狀況中，基於提供給該基元的位址，每個基元一次僅有一個流體啟動器會被啟動。當一啟動脈衝被傳輸(convey)到一列基元，該啟動脈衝可能會使用基元延遲裝置而在基元與基元的群組之間延遲。此等基元延遲元件可被使用來抵銷(offset)當致動器及在一行中與其相關聯的噴嘴為啟動。該延遲元件亦可被使用來降低雜訊、電流(dI/dt)改變的最大時間率以及接地上升。該延遲時間可本質上為數位或類比。
此延遲降低了峰值電流與最大dI/dt以避免該電力供應器給該列印頭的過度負擔，且提供足夠的電力給在該基元內的各致動器。基元延遲亦如一種虛擬基元作用，在此其如一未啟動或「關閉」基元作用，造成啟動或者「開啟」的基元的最大數量較少。這造成了在該列印頭 或流體晶粒內之電力消耗被限制並降低峰值電流。使得列印頭利用該基元延遲的一個代價是啟動脈衝會需要較長的時間才能到達該行基元的底部且對在該行中的所有基元完成啟動脈衝。這等同於不能盡快的完成一列印工作，因為後續或下一個啟動脈衝無法啟始第一或頂部基元直到針對先前啟動事件在底部基元已經啟始啟動。因此，在一些系統中，最大啟動頻率將會受限在對於啟動派波向下傳遞至該行基元所需的時間。換句話說，在dI與dt之間必須進行權衡。dI/dt會因為電流(I)下降且時間(T)增加而降低。以此種方式，可以將t制訂為期望值以將性能最大化。
在一些案例中，利用來自一發射脈衝的一同步時脈訊號的一數位延遲電路可被使用來提供在該等基元之間的一延遲。然而，將一時脈裝置包括在該列印頭或者該晶粒上導致晶粒上的剩餘空間之限制或者造成晶粒的尺寸增加以容納額外的時脈裝置與其它相關聯硬體。鑑於此，晶粒可能在一些案例中由諸如矽之昂貴的材料製成，且製造可能會極度困難且昂貴，證明額外的數位時脈在經濟上不允許的。此外，可在列印頭內使用銀晶粒。銀晶粒包括了一薄矽、玻璃或具有接近650微米(μm)或更小等級厚度且長寬比(L/W)為至少3的其它基材。鑑於此等銀晶粒之極小尺寸，外加數位裝置可能是不可行的。因此，在此描述的範例提供了一啟動脈衝延遲系統，其可被包括在一晶粒中而不需要將該晶粒在尺寸上擴大，同時降低峰值電流與電流改變的最大時間率(dI/dt)以避免過度負 擔，至列印頭的電力供應以及為了提供足夠的電力給在該列印頭內各個致動器。再次地，延遲時間可以是本質上為數位或類比的。使用一類比延遲而非一數位延遲可節省在晶粒上的面積且同時考量不同的列印頻率目標。相較於，例如，一數位延遲系統，一類比延遲系統在該行基元中消耗較少的面積，即使他可能消耗在該行外部的面積的一部分。這接著允許較不受限的列印遮罩以及半色調遮罩。在一個範例中，可藉由視覺檢測及/或量測高側電壓供應(high side supply voltage，VPP)電流而偵測一可變延遲。
在一行中之致動器的啟動之間的延遲可被用來限制「開啟」或者同時啟動的致動器的數量。在一範例中，數位延遲可被使用來完成此延遲。然而，數位延遲在面積上很大且若針對一編程選擇需要多於一個脈衝週期，那麼一數位啟動脈衝延遲系統會變得非常大。
由於一類比啟動脈衝延遲系統在晶粒上佔用更少的空間，一類比延遲可被替代使用以緩解空間的問題。然而，一類比啟動脈衝延遲系統可能是一「固定」延遲，諸如一數位延遲，且此「固定」延遲本身可基於程序、電壓、溫度(PVT)積體電路製造參數而改變，使得類比啟動脈衝延遲系統較不有用。
可使用一可變延遲元件，在此產生一些類比參考電壓或一數位控制訊號，且規劃(route)給該等基元。該延遲可基於類比電壓或數位值而改變。一類比電壓可能 因為相較數位輸入有較少的電線而更有效能。當增加一種外部觀察此延遲的方法，增加了寫入一數位暫存器以改變延遲的能力，一外部系統可編程該延遲為一最佳數值以最小化同時為開啟的基元之數量，且將所需啟動頻率與PVT列入考量。這可能代表對該系統的最佳化電力使用。此外，數位延遲值可以基於一區域性量測溫度或者基於由一系統控制器所量測的一晶粒溫度，藉由將時間移位而自動地針對溫度調整。一延遲解析度可取決於在該延遲暫存器中數位位元的數量以及若使用基於數位電壓延遲元件時相關聯的數位至類比轉換器(DAC)的尺寸。
在此描述的範例提供一流體晶粒。該流體晶粒包括一些致動器。該等一些致動器形成一些基元。該流體晶粒亦包括可驅動一些延遲電路的一數位至類比轉換器(DAC)。該等延遲電路延遲一些啟動脈衝，該等啟動脈衝啟動與該等基元相關聯的該等致動器以降低該流體晶粒的峰值電力需求。該流體晶粒亦包括與各基元耦接的一些延遲電路。
該DAC是一晶粒全域電路，其與各基元的該等延遲電路電氣式耦接。該流體晶粒可包括儲存在該流體晶粒上之一資料儲存裝置內的一些暫存器位元。該等暫存器位元基於針對各個該等基元所設定的一延遲而控制由該DAC所輸出的一訊號。在各個該等延遲電路內的一些電晶體被基於該DAC的輸出訊號而調整(tune)到該延遲電路的一操作點以相對於該DAC校正該等延遲電路。
該流體晶粒亦包括與該DAC耦接的一偏壓產生器以提供一偏壓電壓予該DAC。由該偏壓產生器輸出的該偏壓電壓係基於該等延遲電路的該操作點而被調整。在該流體晶粒內亦可包括一些補償裝置以補償在該流體晶粒內的一些程序、電壓與溫度(PVT)變化。
在此描述的範例亦提供一列印裝置。該列印裝置包括一些流體晶粒。該等流體晶粒包括一些致動器。該等一些致動器形成一些基元。該流體晶粒亦可包括與各基元耦接的一些延遲電路以及可驅動一些該等延遲電路的一數位至類比轉換器(DAC)。該等延遲電路延遲與該等基元相關聯之一些致動器的一些啟動脈衝以降低該流體晶粒的峰值電力需求。一列印功能係透過該列印裝置的一使用者介面定義，且該等延遲電路基於所定義的列印功能而延遲各基元。啟動脈衝的長度係基於致動器的數量、基元的數量、列印功能、列印需求與其等之組合。該等啟動脈衝可包括一脈衝列(train)，其包括一些該等啟動脈衝。該等啟動脈衝的總和形成一總啟動能量。該延遲電路與DAC係位於該流體晶粒上。
在此描述的範例進一步提供一種可降低至少一流體晶粒的峰值電力需求的方法。該方法包括，以一處理裝置基於從該處理裝置所接收到的指令而判定該流體晶粒的一基元延遲。該處理裝置可使用與各基元耦接的一些延遲電路以及可驅動一些該等延遲電路的一數位至類比轉換器(DAC)，指示該流體晶粒針對在一行致動器基元 內的一些發射致動器而延遲一些啟動脈衝。該方法亦可包括針對該流體晶粒的各致動器基元產生一啟動脈衝，並且基於該基元延遲經由該啟動脈衝而啟動與該致動器基元相關聯的一些致動器。
該方法進一步包括藉由基於該DAC之一輸出訊號以調整在各個該等延遲電路內的一些電晶體到該延遲電路的操作點而校正該等延遲電路。一些暫存器位元可被儲存在該流體晶粒的一資料儲存裝置尚且以該等暫存器位元，由該DAC所輸出的一訊號可基於針對各個該等基元的一延遲設定而受控制。該方法可包括以一些補償裝置，補償在該流體晶粒內的程序、電壓與溫度(PVT)變化。在一範例中，該流體晶粒可包括一非依電性記憶體裝置，諸如，例如，一ROM記憶體裝置，其將額外訊息返回給一控制器，該控制器輔助指出需要哪一種延遲。
如在本說明書以及附加請求項中所使用者，用字「一些」或類似的用字意思是廣義地理解為包括1到無窮大的任何正數；零不是一些，而是沒有一些。
在以下的描述中，為了解釋的用途，提出許多特定細節以提供對本系統與發明的透徹理解。然而對習於此技藝者來說，本設備、系統與方法可以不以此等特定細節而實施為顯而易見的。在說明書中提及「一範例」或類似的用字代表連同該範例所描述的一特定特徵、結構或特性被包括作為描述，但可以或可以不被包括在其他範例中。
現在接著看圖式，圖1為根據在此描述之原則的一範例的一流體射出裝置100的一方塊圖。該流體射出裝置100可為可以從諸如，例如一噴嘴的一孔口射出諸如墨水的任何裝置。雖然在此的詳細說明關於熱噴墨或壓電列印頭，描述關於基元的延遲以降低在一電力來源的電流消耗(current draws)可應用在致能噴射流體的任何裝置。
流體射出裝置100可包括一些流體晶粒150。圖1的範例描繪一流體晶粒150。然而，該流體射出裝置100可包括任何數量的流體晶粒150。在一範例中，該流體射出裝置100可包括沿著一列印棒排列的複數個流體晶粒150，以形成一陣列的流體晶粒150。
流體晶粒150可包括一些流體致動器(102-0、102-1、102-2、102-3、102-4、102-5、102-6、102-7、102-n0、102-n1、102-n2、102-n3在此聯合稱為102)以從該流體晶粒150射出流體。該致動器102可為使用來將流體以一方向或移動或者迫使該流體通過諸如一噴嘴之孔口的任何裝置。例如，該致動器102可為熱敏性裝置、壓電裝置、幫浦、微型幫浦、微型在循環幫浦其它射出裝置或者其等之組合。在一範例中，各致動器102可包括一開關裝置，諸如場效電晶體(FET)。FET可以耦接於該等FET之閘極的一分離的可通電定址導線來控制。在一範例中，各定址導線可由多個基元101所共享。該等定址導線被控制以致使僅有一個FET會在一給定時機 開啟以致使在一基元101中的至多一個單一致動器102會有電流通過他，以在該給定時間啟動該致動器102。
致動器102可被群聚在一起成為一些基元(101-0、101-1、101-n在此聯合被稱為101)。一基元101可為在一陣列的致動器102中之任何數量的致動器102之任何群組。在一範例中，在各基元101中的該等致動器102的數量可因基元而異。在另一範例中，針對在該流體晶粒150內中各基元101的該等致動器102的數量可以是相同的。在一在此描述的範例中，各基元101可各包括四個致動器102。此外，在圖式中描繪許多基元101，圖式中所包括的省略號指示可被包括在該流體晶粒150內的任何數量的基元101的可能性。省略號在圖式中使用來指出可被包括在該流體晶粒150內的任何數量之元件。
在該流體噴射裝置100內的各流體晶粒150可包括一數位至類比轉換器(DAC)120以驅動一些延遲電路105。該DAC 120轉換從例如一處理裝置所接收到的一些數位訊號成為一類比訊號，且將該類比訊號發送至至少一延遲電路105上。對於每個生產的流體晶粒150，一不同的最佳延遲可在與其相關聯的DAC 120內被調整以確保該DAC 120的效能盡可能保持一致。
此外，該流體噴射裝置100與其流體晶粒150可被指示來使用在不同頻率下操作的不同列印模式而列印。利用此等不同頻率，存在或多或少的時間來分散電流並減少最大dI/dt。因此，在一範例中，可以調整DAC 120 以針對各列印模式單獨地最佳化電力消耗和電力抖動(dithering)。在一範例中，歸因於調整該DAC 120且提供其訊號至延遲電路105的延遲可被最大化，以降低最大dI/dt。在一範例中，DAC 120可被調整且使用作為偏壓以改變該延遲電路105的一偏壓點。藉由調整該DAC 120到與其相關聯延遲電路105的最佳偏壓點，一最佳延遲可以沿著該行基元101向下傳播。這種將DAC 120調整可校正該DAC 120和延遲電路105以適用於該特定的流體晶粒150。
圖1描繪在該流體晶粒105上的一些延遲電路105；每個基元101一個延遲105。然而，該流體晶粒150可包括任何數量的延遲電路105，且在一範例中，可包括在一行該等基元101內的複數個延遲電路105。在一範例中，一組複數個延遲電路105可被包括在各基元101之間以提供給各基元101指令，做為使用來啟動該等致動器102的啟動脈衝係傳輸至各個該等基元101關於該啟動脈衝會被延遲的程度。該等延遲電路105可為任何裝置或電路，其延遲基元101之啟動脈衝的使用，否則改變一隨後基元101與其致動器102開始啟動的時間點。在一範例中，該等延遲電路105可致使在該等基元101之間的啟動之延遲為每個延遲105約接近22奈米秒(ns)，以累積在一行基元101中的延遲約接近1.5與3毫秒(μs)。
在一範例中，如在圖1中所描繪，在此使用一延遲電路105，該DAC 120供應一類比訊號給該延遲電 路105且該延遲電路供應該訊號給在該行基元101中的一第一基元101-0。一旦該第一基元101-0已經使用該訊號，該第一基元101-0可將該訊號傳遞至下一個基元101-1等等直到最後一個基元101-n已經收到該延遲訊號。該啟動脈衝如藉由一處理裝置103所指示地啟動與該等基元101相關聯的各個致動器102。該等啟動脈衝經由至少一延遲電路105在該等基元之間延遲以降低該流體晶粒的峰值電力需求。以此種方式，該等延遲電路105延遲啟動與該等基元101相關聯的一些致動器102的一些啟動脈衝以降低該流體噴射裝置100的峰值電力需求，且在一範例中，一些延遲電路105可與各基元耦接。
然而，在所有的範例中，該DAC是一晶粒全域電路，其與各基元101的該等延遲電路105電氣式耦接。如在此更詳細描述者，該流體射出裝置100可包括儲存在該流體射出裝置100上之一資料儲存裝置內的一些暫存器位元。該等暫存器位元可被使用來基於針對各個該等基元101的一延遲設定而控制由該DAC 120所輸出的一訊號。該等延遲電路105內的一些電晶體可基於該DAC 120的一輸出訊號而被調整(tune)到該延遲電路105的一操作點以相對於該DAC 120校正該等延遲電路105。一偏壓產生器可與該DAC 120耦接獲形成該DAC 120的一部份以提供一偏壓電壓予該DAC 120。由該偏壓產生器所輸出的該偏壓電壓係基於該等延遲電路105的該操作點而被調整。此外，在一範例中，該DAC 120可包括或包括在該DAC 120內一些補償裝置以補償在該流體射出裝置100內的一些程序、電壓與溫度(PVT)變化。
圖2為根據在此描述之原則的一範例之包括一些圖1之流體晶粒150的一列印裝置200的一方塊圖。包括在圖1中且連同圖1而描述之類似地標號的元件在圖2中指定類似的元件。列印裝置200可包括任何數量的流體晶粒150。此外，列印裝置200可包括一DAC 120與至少一延遲電路105。在該列印裝置200中的各流體晶粒100包括至少一延遲電路105與在該流體晶粒100上的該DAC 120。因為該DAC 120與該等延遲電路105實體上很小且在一流體晶粒100上佔用非常少的空間，該DAC 120與該等延遲電路105可直接地被製造在該流體晶粒100上而不增加該流體晶粒100的尺寸，且接著不增加該流體晶粒100製造的成本。該DAC 120與該延遲電路105亦可被包括在一銀晶粒上而不增加該銀晶粒的尺寸。
該列印裝置200更可包括一處理裝置103與一記憶體裝置104。該處理裝置103可控制在該列印裝置200內的所有的流體晶粒150。該列印裝置200可包括一些流體晶粒150，各個該等流體晶粒150包括可噴射來自該流體晶粒150之流體的一些致動器102。
在一範例中，該記憶體裝置104可位在該列印裝置200內。在另一範例中，該記憶體裝置104可位在該流體晶粒150中。在此描述的該記憶體裝置104與其它記憶體裝置可包括各種類型的記憶體模組，包括依電性與非依 電性記憶體。該記憶體裝置104可包括電腦可讀媒體、電腦可讀儲存媒體或一非暫時性電腦可讀媒體等等。例如，該記憶體裝置104可為但不限定於一電子式、磁式、光學式、電磁式、遠紅外線式或半導體系統、設備或裝置或者前者之任何恰當的組合。電腦可讀儲存媒體更精確的範例可包括，例如，下列各者：具有一些導線之一電子連接件、一可攜式電腦磁碟、硬碟、隨機存取記憶體(RAM)、僅讀記憶體(ROM)、可抹除可程式化僅讀記憶體(EPROM或快閃記憶體)、可攜式壓縮磁碟僅讀記憶體(CD-ROM)、光學儲存裝置、磁碟儲存裝置或前者任何恰當的組合。在此文件的內文中，一電腦可讀儲存媒體可為任何時體媒體，其包含或儲存電腦可使用程式碼以用於或者連同一指令執行系統、設備或裝置而使用。在另一範例中，一電腦可讀儲存媒體可為任何非暫時性媒體，其可包含或儲存用於或者連同一指令執行系統、設備或裝置而使用的程式。
在一範例中，該記憶體裝置104可儲存列印模式，該等列印模式包括由該延遲電路105所供應而定義出一時間延遲的暫存器。在一範例中，該處理裝置103將任意數量之可取得列印模式中所需列印模式儲存在該記憶體裝置104內，以獲得在該等基元101之間的所需時間延遲，且做為結果，在該行基元101內的所需峰值或最大電流與所需列印期間。該流體晶粒150與該列印裝置200可在任何數量的模式中操作，且此等模式可由任何數量之相關 聯時間延遲所定義，該等時間延遲可接著被儲存在該記憶體裝置104內且由該延遲電路105所使用。在一範例中，該延遲電路105可為類比延遲。在另一範例中，該等延遲電路105可為類比延遲，在此該延遲電路105係使用一數位訊號輸入至該DAC 120所選擇轉換成為一類比訊號。以該記憶體裝置104，一所需時間延遲可在透過將該延遲電路105使用儲存在該記憶體裝置104內的模式程式化而由該列印裝置200的該流體晶粒150進行列印之前被選擇。
在一範例中，一列印功能或模式可由一使用者透過該列印裝置200的一使用者介面而定義。列印模式可包括，例如，快速草稿模式、高品質模式以及照片品質模式等等。延遲電路105基於所定義的列印功能或模式而延遲各基元101。例如，該DAC 120可被提供一數位訊號，其指示一快速草稿模式且基於該數位訊號供應一類比訊號至該延遲電路，該類比訊號使該延遲電路偏壓以針對各基元101產生一延遲訊號，其相較於產生來用於一高品質或照片品質模式的一延遲訊號短。
由該DAC 120與該延遲電路105所提供給該等基元101的啟動脈波的長度以及他們個別的致動器102可基於在各基元中的致動器的數量，在該流體晶粒150內的致動器的數量以及在該流體晶粒150內之基元101的數量、一列印功能、一列印需求、流體晶粒150的溫度或其等之組合。該等啟動脈衝可包括一脈衝列，其包含一些啟動脈衝，其中，該等啟動脈衝的總和形成一總啟動能量。
圖3為根據在此描述之原則的一範例的一基元延遲設計300的一方塊圖。包括在圖1與2中類似地標號的元件連同圖1與2描述且在圖3中指定類似的元件。該基元延遲設計300可包括一些基元101，各基元101包括一些致動器102。為了要數位地啟動該等致動器102，各致動器102可被指定給一位址301，其對於其個別基元101中的其他致動器102為獨特的、對於在該流體晶粒100內的所有致動器102為獨特的或其等之組合。在一範例中，一致動器102在且給定時間於一基元101內被啟動。在此範例中，提供給一基元101的該位址301識別出哪個致動器102被啟動。
該等啟動脈衝302從該行基元101的頂端被輸入。該基元延遲設計300亦可包括由三角形代表的一些延遲方塊303，可選擇地發送該啟動脈衝302至一給定基元101並且延遲在一基元101內之該致動器102的發射。該等延遲方塊303包括如在此描述的延遲電路105且各延遲電路105由該DAC 120所驅動。以此方式，該DAC 120作為一晶粒全域電路，其提供類比訊號至在該流體晶粒100內的各延遲電路105。
當該啟動脈衝302被傳遞至該行基元101，該啟動脈衝302可在基元101或基元群組之間使用延遲方塊303而延遲，以降低峰值電流與最大dI/dt。在圖3的範例中，該啟動脈衝302從上至下傳遞，且各區域性延遲之啟動脈衝302被傳輸到相關聯基元101。
在一範例中，為了允許一先前啟動脈衝302傳遞至該行基元101中的至少最後一個基元101，在各基元101中可包括一記憶體裝置，同時下一個或隨後啟動脈衝302在該行基元101的頂部啟始該第一基元101。然而，以下一個或隨後啟動脈衝302對一最頂部基元101的啟動無法啟始，直到先前啟動脈衝302已經啟始在最底部基元101的啟動。因此，在一範例中，最大啟動頻率可受到啟動脈衝302沿著該行基元101向下傳播所花費的時間的限制。
圖4為根據在此描述之原則的一範例的一流體晶粒100在一些基元101的一啟動期間與該等基元101的啟動(402-1、402-2、402-3、402-n在此聯合稱為402)內的一總電流401的一線圖。可進行該等基元101之一些致動器102的啟動402，以致使一隨後基元101的一啟動402-2、402-3之前導邊緣會出現在一先前基元101之一較早啟動402-1的期間與之後，且所有的基元也是如此地被啟動(402-n)。因此，在時間t1 403，電流開始攀升如該第一(402-1)與隨後(402-2、402-3)基元101啟動。最終在t2 404與t3 405之間，電流維持為高原(current plateaus)，且在最後的一些基元101開始停用(deactivate)，電流開始減少。電流減少直到最後基元101在t4 406完成了其啟動與停用。以此種方式，延遲基元101及其各別的致動器102的啟動，允許整體總電流隨時間降低。
圖5為根據在此描述之原則的一範例之一數 位至類比轉換器(DAC)120與控制電壓產生器的一方塊圖。該DAC 120係使用來產生具有恰當偏壓電壓的一類比訊號，其接著被調整給該延遲電路105。該延遲電路105可具有最佳操作點。因此，該DAC 120可包括一些校正位元501。
圖5之DAC 120的設計可進一步減少在該流體晶粒100上之DAC 120的尺寸。該DAC 120可包括五個校正位元501。雖然在圖5中的範例包括五個位元，可包括任何數量的位元501。透過此等位元，數位訊號被轉換為類比訊號且被針對該延遲電路105而最佳化。此外，該DAC 120可被設計為一固定長度DAC或可調變長度DAC取決於DAC 120的位元之設計。例如，若DAC 120的五個位元為固定長度位元，那該等位元的閘區域可能消耗在該流體晶粒100上大約1,248μm2的面積。相對地，若DAC 120的五個位元為可調變長度位元，那該等位元的閘區域可能消耗在該流體晶粒100上大約132μm2的面積。雖然在固定長度位元與可調變長度位元之間存在尺寸減少之數量級，相對較大之固定長度的範例之尺寸可為足夠小，以致使其不會佔用流體晶粒100上的空間而造成該流體晶粒100被製造成較大的尺寸。
可提供一致能訊號504給該DAC 120以致能該DAC 120。一電力供應器(Vdd)505可提供電力給該DAC 120。此外一接地(GND)針腳506可被包括在內以使該DAC 120接地。該DAC 120亦可被稱為一偏壓產生 器，由於該DAC 120的輸出VCN 507與VCP 508可被基於該等電路元件510的數值而被調整，電路元件諸如在該DAC 120內的電晶體與位元501的該。該DAC 120的許多電路元件510在圖5中被識別。然而，為了要達到所需輸出，可在該DAC 120中使用任何數量的電路元件510。DAC 120的該VCN507與VCP508輸出做為該延遲電路105的輸入。
圖6為根據在此描述之原則的另一範例之一電壓受控延遲胞元105的一方塊圖。該延遲電路105為一電壓控制延遲胞元105，其中控制係建立在VCN507與VCP508處如從DAC 120所獲得者。一電力供應器Vdd 605可提供電力給該延遲電路105。此外，一GND針腳606可被包括在內以將該延遲電路105接地。一些電路元件610可被包括在該延遲電路105內。該延遲電路105的許多該等電路元件610在圖6中被識別。然而，為了要達到所需輸出，可在該延遲電路105中使用任何數量的電路元件610。
該延遲電路105可包括一些致能訊號601輸入以致能該延遲電路105。以被致能的該延遲電路105，該VCN507與VCP508輸入可被使用來產生一延遲訊號輸出607其被發送至在該流體晶粒100內的該等基元101。
如圖5與6，該等電路元件510、610可包括在該DAC 120及/或該延遲電路105內的一些補償電路，其補償在該流體晶粒100內的一些程序、電壓、溫度(PVT)變化。此等補償電路可降低在PVT內變異量的範圍。例 如，若10ns延遲為所需的，但該流體晶粒100的操作可能造成溫度增加致使延遲被推到超過目標的10ns延遲。在此範例中，一溫度偏壓電路可被包括在該DAC 120及/或該延遲電路105內以補償溫度的意外升高。以此方式，該等補償電路可允許提供目標延遲更多的幅度。
在該等基元101之間的延遲可為子列印頻率的層級。在一範例中，列印頻率可在12與48千赫(kHz)。此外，於該流體晶粒100上在該一行基元內可能存在10到90個基元100。
圖7為描述根據在此描述之原則的一範例之一種降低至少一流體射出裝置100的尖峰電力需求的方法一流程圖。該處理裝置103與該記憶體裝置104可被使用來執行圖7的方法。該方法可在基於從該處理裝置所接收到的指令而判定(方塊701)該流體射出裝置之一基元延遲處開始。該延遲可基於由該列印裝置200的一使用者所輸入的一列印模式。該處理裝置103指示該流體晶粒100使用與各基元101及該DAC 120耦接的一些延遲電路105而延遲針對在該致動器基元101內之一些致動器102的一些啟動脈衝，以驅動一些該等延遲電路105。
該DAC 120與該等延遲電路105(方塊702)針對該流體晶粒100射出裝置的致動器基元101之各者產生一啟動脈衝。該方法可藉由繼續基於由該DAC 120與該等延遲電路105所供應的基元延遲，經由該啟動脈衝而啟動(方塊703)與該等致動器基元101相關聯的一些致動器 102。
圖8為描繪根據在此描述之原則的一範例之一種校正一流體晶粒的方法之流程圖。各流體晶粒100可在該流體晶粒100製造之後，相對於其DAC 120與延遲電路105校正。在進行叫證實，該流體晶粒100可被放置(方塊801)進入一測試模式且來自該延遲方塊303的訊號包括該DAC 120、該等延遲電路105與各個該等基元101係(方塊802)被觀察。在一範例中，至少一基元101的最終輸出被觀察。使用測試模式，該流體晶粒100係使用由該處理裝置103所執行且儲存在該記憶體裝置104內的一測試模式暫存器位元而被控制。未被該流體晶粒100使用的任何電子墊可被使用來觀察該等基元100的最終輸出延遲。
一列印模式可被選擇且使用以在校正期間作為用於判定在該行基元101中延遲的基礎。列印模式可定義一些參數，諸如，例如，每秒鐘幾吋、列印媒體速度、流體晶粒100的溫度、由該流體晶粒100所接收的電壓以及其他參數，並且針對該等致動器102的各啟動事件定義一最大操作脈衝寬度空間。這可針對任何數量的列印模式而執行且產生一延遲表格，其包括針對各列印模式的一些延遲數值。此延遲表格將該DAC 120對基元101延遲特徵化。
該測試模式(方塊801)指示該流體晶粒100啟動在該等基元101內的該等致動器102中之至少一者。關於該啟動脈衝302在哪個時間會被發送至該流體晶粒100以及該流體晶粒100在哪個延遲會開始啟動該等致動器 102的資料被儲存在該記憶體裝置104的該延遲表格中。在發送該啟動脈衝302的時間與該流體晶粒100開始啟動該等致動器102的時間之間可被判定來獲得一延遲期間。該延遲期間可被儲存在該記憶體裝置104內。一些暫存器為完可被儲存在該記憶體裝置104上以控制由該DAC 120所輸出的數值。因為各流體晶粒100係相對於另一流體晶粒100被不同地校正或調整，該記憶體裝置104可儲存暫存器位元。可針對各列印模式儲存一組暫存器位元以及其對應的延遲數值。
此外，該延遲期間可針對各基元101而被獲得(方塊803)且針對在該晶粒內的所有該等基元101以分別獲得個別的基元延遲以及所有基元101的總延遲。獲得該總基元101延遲且此數值被除以(方塊804)在該流體晶粒100中的基元101的總數以獲得每個基元延遲數值。
以針對各列印模式被識別的最大脈衝寬度(PW)以及在該行中基元101的數量，同步(concurrent)基元101的數量被啟動或者在一開啟狀態，此狀態造成一最佳化流體晶粒100延遲等於最大脈衝寬度除以該確認延遲。同步基元101的數量啟動係與該延遲數值成反比。因此，在該流體晶粒100內的電流將會以一種與在該基元101中的延遲成反比的方式調節。一旦包括用於在各列印模式之所有基元101之延遲的該延遲表格被決定，此數值可被使用來將該DAC 120編程(805)。在將該DAC 120編程時，延遲表格係使用來判斷哪個數位值要輸入至該DAC 120以從該等延遲電路105獲得一所需與最佳化延遲。因此，該DAC 120可被調整以針對該延遲電路105輸出一類比訊號而在延遲在該行內的該等基元101時使用。使用校正程序而將在該流體晶粒100內的延遲最佳化可能導致在列印期間由該流體晶粒100所經歷的峰值電流降低30%。這是藉由在一給定時間內減少被啟動的同步基元101的數量而達成。
在一範例中，校正可能發生在製造的時候以及終端使用者獲得該列印裝置200或流體晶粒100之前。在另一範例中，校正可發生在當該流體晶粒100被第一次插入至一列印裝置200時。在此範例中，該列印裝置200可使用該處理裝置103與該記憶體裝置104以進行校正程序且儲存關於偏壓的資料。在另一範例中，校正可能發生在每個列印工作之前。在又一範例中，校正可能發生在當該列印裝置200被開啟時。
在一範例中，關於校正的資料可被儲存在該列印裝置200的該記憶體裝置104內。該列印裝置200可進行校正的所有態樣，包括與該校正相關聯的量測。在此範例中，一旦該流體晶粒100被電氣式耦接至該列印裝置200，諸如當其被插入該列印裝置200以準備用於列印時，列印裝置200可初始化校正程序。
圖9為根據在此描述之原則的一範例之一流體匣900的一方塊圖。在一範例中，在此描述的該流體晶粒15可被包括在一流體匣900內，諸如，例如使用來列印 影像至媒體上的一列印匣。該流體匣900可包括一外殼901。該外殼901容裝與在此描述之該流體晶粒150流體耦接的一流體儲槽902。該流體儲槽902供應該流體晶粒150所噴射的流體給該流體晶粒150。該流體晶粒150包括在此描述的該等元件而提供針對一列印條件最佳化的延遲，而最小化峰值電力使用。
本系統和方法的各種態樣在此參考根據在此描述之原則的範例的方法、設備(系統)和計算機程式產品的流程圖及/或方塊圖來描述。流程圖例示的各個方塊與方塊圖及流程圖例示中的方塊與和方塊圖中的組合可以由計算機可用程式碼實施。計算機可用程式碼可以被提供給一般用途計算機、特定用途計算機或其他可編程資料處理裝置的處理器以產生一機器，以致使計算機可用程序代碼在經由例如列印裝置200之處理裝置103或其他可編程資料處理裝置執行時，實施在流程圖及/或方塊圖中所指定的功能或動作。在一個範例中，計算機可用程式碼可以包含在計算機可讀儲存媒體中；計算機可讀儲存媒體為計算機程式產品的一部分。在一個範例中，計算機可讀儲存媒體是非暫時性計算機可讀媒體。
說明書與圖式描述一流體晶粒其可包括一些致動器。該等一些致動器形成一些基元。該流體晶粒可包括一數位至類比轉換器(DAC)以驅動一些延遲電路105。該等延遲電路延遲會啟動與該等基元相關聯之該等致動器的一些啟動脈衝，以降低該流體晶粒的峰值電力需 求。一些延遲電路可與各基元耦接。
該流體晶粒可提供基元延遲，該等基元延遲係針對特定列印條件最佳化以最小化峰值電力使用。這實現了一較大流體設計空間，包括電阻尺寸、FET尺寸與電力線寬度等等，以及較大列印遮罩空間以及半色調遮罩空間。該流體晶粒亦提供空間非常緊密的啟動脈衝延遲系統，其在一流體晶粒上消耗很少或幾乎不佔用額外面積。
先前的描述已經呈現來說明和描述所描述的原則的範例。此描述並非全面性的或將這些原則限制於所揭露的任何精確形式。鑑於上述教示，許多修改和變化都是可能的。
100:流體晶粒
101:基元
102:致動器
103:處理裝置
104:記憶體裝置
105:延遲

Claims (13)

  1. 一種流體晶粒，其包含：數個致動器，該等數個致動器形成數個基元；耦接至各基元的數個延遲電路；以及可驅動數個該等延遲電路的一數位至類比轉換器(DAC)，該等延遲電路延遲會啟動與該等基元相關聯之該等致動器的數個啟動脈衝，以降低該流體晶粒的峰值電力需求，其中，在各個該等延遲電路內的數個電晶體基於該DAC的一輸出訊號而被調諧至該延遲電路的一操作點，以相對於該DAC校準該等延遲電路。
  2. 如請求項1的流體晶粒，其中，該DAC為與各基元的該等延遲電路電氣式耦接的一晶粒全域電路。
  3. 如請求項1的流體晶粒，其包含儲存在該流體晶粒上之一資料儲存裝置內的數個暫存器位元，該等暫存器位元可基於針對各個該等基元的一延遲設定而控制由該DAC所輸出的一訊號。
  4. 如請求項1的流體晶粒，其包含與該DAC耦接的一偏壓產生器，用以提供一偏壓電壓給該DAC，由該偏壓產生器所輸出的該偏壓電壓係基於該等延遲電路的該操作點而被調諧。
  5. 如請求項1的流體晶粒，其包含數個補償裝置，用以補償該流體晶粒內的數個程序、電壓與溫度(PVT)變化。
  6. 一種列印裝置，其包含：數個流體晶粒，其包含：數個致動器，該等數個致動器形成數個基元；耦接至各基元的數個延遲電路；一數位至類比轉換器(DAC)，其可驅動數個該等延遲電路，該等延遲電路延遲會啟動與該等基元相關聯之該等致動器的數個啟動脈衝，以降低上述流體晶粒的峰值電力需求，其中，在各個該等延遲電路內的數個電晶體基於該DAC的一輸出訊號而被調諧至該延遲電路的一操作點，以相對於該DAC校準該等延遲電路。
  7. 如請求項6的列印裝置，其中，一列印功能係透過該列印裝置的一使用者介面所定義，且該等延遲電路基於所定義的該列印功能而延遲各基元。
  8. 如請求項6的列印裝置，其中，該等啟動脈衝的一長度係基於該等致動器的數量、該等基元的數量、一列印功能、一列印需求或其等之組合。
  9. 如請求項6的列印裝置，其包含一流體匣，該流體匣包含：一殼體；以及與該流體晶粒耦接的一流體儲槽。
  10. 如請求項6的列印裝置，其中，該等延遲電路與該DAC係位於該等流體晶粒上。
  11. 一種降低至少一流體晶粒之峰值電力需求的 方法，該方法包含：以一處理裝置：基於從該處理裝置所接收到的指令而決定該流體晶粒的一基元延遲，該處理裝置指示該流體晶粒使用與各基元耦接的數個延遲電路及用以驅動數個該等延遲電路一數位至類比轉換器(DAC)，而延遲用於在一行致動器基元中數個發射致動器的數個啟動脈衝；針對該流體晶粒的各個該等致動器基元而產生一啟動脈衝；基於該基元延遲，經由該啟動脈衝而啟動與該等致動器基元相關聯的數個致動器；以及藉由基於該DAC的一輸出訊號以調諧各個該等延遲電路內之數個電晶體至該延遲電路的一操作點，而校準該等延遲電路。
  12. 如請求項11的方法，其包含：在該流體晶粒的一資料儲存裝置上儲存數個暫存器位元；以及以該等暫存器位元基於針對各個該等基元的一延遲設定而控制由該DAC所輸出的一訊號。
  13. 如請求項11的方法，其包含以數個補償裝置補償該流體晶粒內的數個程序、電壓與溫度(PVT)變化。
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