TWI671212B - 列印裝置、流體晶粒及降低其峰值電力需求的方法 - Google Patents
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Abstract
流體晶粒包括可噴射來自該流體晶粒之流體的一些致動器。該等一些致動器形成一些基元。該流體晶粒包括可被包括在一行基元當中的複數個延遲以及可控制該等延遲的一處理裝置,透過該等延遲傳遞一些啟動脈衝。該等啟動脈衝啟動與該等基元相關聯的各個該等致動器。該等啟動脈衝在該等基元間經由至少一該等延遲而延遲以降低該流體晶粒的峰值電力需求。
Description
本揭露係大致關於一種流體晶粒的技術。
一流體印刷系統包括一列印頭、供應諸如墨水之流體給列印頭的一流體供應器以及控制該列印頭的一控制器。為了要將該流體列印在一列印媒體上,該列印頭可透過複數個孔口或噴嘴朝向一列印媒體射出流體,列印媒體諸如一張紙。該等孔口可被配置在一些陣列中,以致使當列印頭和列印媒體相對於彼此移動時,恰當地排序之墨水從孔口噴射以致使字元或其他影像被列印在列印媒體上。
於本揭示的一個態樣中,係特地提出一種流體晶粒,其包含:一些致動器,其可噴射來自該流體晶粒的流體,該等一些致動器形成一些基元;在一行該等基元內的複數個延遲;以及一處理裝置,其可控制該等延遲,透過該等延遲傳遞一些啟動脈衝,該等啟動脈衝啟動與該等基元相關聯的各個該等致動器;其中,該等啟動脈衝經
由至少一個該等延遲而在該等基元之間延遲以減少該流體晶粒的峰值電力需求。
於本揭示的另一個態樣中,係特地提出一種列印裝置,其包含:一些流體晶粒,其包含:一些致動器,其可噴射來自該流體晶粒的流體,該等一些致動器形成複數個基元;在一行該等基元內的複數個延遲,該等延遲被插入在各基元之間;以及一處理裝置,其可控制一些延遲,透過該等延遲傳遞一些啟動脈衝,該等啟動脈衝啟動與該等基元相關聯的該等致動器。
於本揭示的又一個態樣中,係特地提出一種降低至少一流體晶粒的峰值電力需求的方法,其包含以一處理裝置:基於從該處理裝置所接收到的指令來判定該流體晶粒的一基元延遲,該處理裝置指示該流體晶粒使用在各個該等基元之間的複數個延遲,針對在一行噴嘴基元內的一些致動器延遲一些啟動脈衝;針對該流體晶粒的各個該等噴嘴基元產生一啟動脈衝;以及經由該啟動脈衝並基於該基元延遲而啟動一些該等致動器,該等致動器與和該等噴嘴基元相關聯的一些噴嘴各者耦接。
100‧‧‧流體晶粒
101‧‧‧基元
102‧‧‧致動器
103‧‧‧處理裝置
105‧‧‧延遲
200‧‧‧列印裝置
202‧‧‧發射時脈
300‧‧‧基元延遲設計
301‧‧‧位址
302‧‧‧啟動脈衝
303‧‧‧延遲方塊
401‧‧‧電流
402‧‧‧啟動
403、404、405、406‧‧‧時間
500‧‧‧設計
501‧‧‧晶粒記憶體
502‧‧‧發射時脈
503‧‧‧啟動脈衝產生器
504‧‧‧多工器
601‧‧‧分頻器
701、702、703‧‧‧方塊
附加圖式例示說明在此描述之原則的各種範例且為說明書的部分。所例示的範例僅用於例示說明而提出,且並非限制請求項的範圍。
圖1為根據在此描述之原則的一範例的一流體晶粒的一方塊圖。
圖2為根據在此描述之原則的一範例之包括一些圖1之流體晶粒的一列印裝置的一方塊圖。
圖3為根據在此描述之原則的一範例的一基元延遲設計的一方塊圖。
圖4為根據在此描述之原則的一範例的一流體晶粒在一些基元的一啟動期間與該等基元的啟動時的一總電流比較的一線圖。
圖5為根據在此描述之原則的一範例之在一流體晶粒內的一基元延遲設計的一方塊圖。
圖6為根據在此描述之原則的另一範例之在一流體晶粒內的一基元延遲設計的一方塊圖。
圖7為描繪根據在此描述之原則的一範例之一種降低至少一流體噴射裝置的峰值電力需求的方法之一流程圖。
在整個圖式中,相同的參考編號表示相似但不一定相同的元件。圖式不一定按比例繪製,並且可誇大某些部分的尺寸以更清楚地說明所例示的範例。此外,圖式提供了與詳細說明一致的範例及/或實施;然而,描述不限於圖式中提供的範例及/或實施。
在一範例中,一列印頭可藉由啟動(activating)一些致動器而透過噴嘴射出流體。在一範例中,該等流體致動器可包括溫敏式裝置,其快速地加熱位在一汽化腔室內之小量的流體,以致使該流體汽化且被
從該等噴嘴射出。在另一範例中,該等流體致動器可包括位在一些流體腔室內的壓電材料,其在一電場施加在他們上時改變他們的形狀以增加在該流體腔室內的壓力迫使流體從該流體腔室中流出。為了啟動流體致動器,供應電力給該等流體致動器。由該等流體致動器所消耗的電力可等於Vi,在此V為跨該等流體致動器的電壓且i為流過該等流體致動器的電流。電子控制器,其可位在一列印裝置的處理電子的一部份處,控制從在該列印頭外部的一電力供應器所供應至該等流體致動器的電力。
在一種流體噴射列印系統中,列印頭從該控制器接收包括一些啟動脈衝的啟動訊號。該控制器藉由控制該啟動訊號的時間點而控制該列印頭的液滴產生器能量。與該啟動訊號相關的時機包括啟動脈衝的寬度以及在哪個時間點出現該啟動脈衝。該控制器亦以控制電力供應器的電壓層級而藉由控制通過該流體致動器之電流而控制一液滴產生器的能量。
列印頭可包括使用來從該列印頭噴射流體的複數個流體致動器,且此等流體致動器可被群聚在一起成為複數個基元。在一範例中,在各基元中的該等流體致動器的數量可因基元而異。在另一範例中,針對各基元的該等流體致動器的數量可以是相同的。
各流體致動器包括一相關聯開關裝置,諸如,例如一場效電晶體(FET)。在一範例中,一單一電源線提供電力給各FET與在各基元中的流體致動器。在一
範例中,在一基元中的各FET可以耦接於該FET之閘極的一分離的可通電定址(energizable address)導線來控制。在另一範例中,各定址導線可由多個基元所共享。該等定址導線被控制以致使僅有一個FET會在一給定時機開啟以致使在一基元中的至多一個單一流體致動器會有電流通過他導致對應腔室在該給定時間噴射流體。在一範例中,該等基元可以行與列配置在該列印頭中。在該印刷頭內可能存在任何數量行的基元以及任何數量列的基元。
在一基元中的各流體致動器可被指定一位址。在大部分的狀況中,基於提供給該基元的位址,每個基元一次僅有一個流體致動器會被啟動。當一啟動脈衝被傳輸(convey)到一列基元,該啟動脈衝會在基元與基元的群組之間延遲。這個延遲降低了峰值電流與電流(di/dt)改變的最大時間率,以避免該電力供應器給該列印頭的過度負擔,且提供足夠的電力給在該基元內的各致動器。基元延遲亦如一種虛擬基元作用,在此其如一未啟動或「關閉」基元作用,造成啟動或者「開啟」的基元的最大數量較少。這造成了在該列印頭或流體晶粒內之電力消耗被限制並降低峰值電流。使得列印頭利用該基元延遲的一個代價是啟動脈衝會需要較長的時間才能到達該行基元的底部且對在該行中的所有基元完成啟動脈衝。這等同於不能盡快的完成一列印工作,因為直到針對先前啟動事件在底部基元已經啟始啟動,後續或下一個啟動脈衝無法啟始第一或頂部基元。因此,在一些系統中,最大啟動頻率將會受
限在對於啟動脈衝向下傳遞至該行基元所需的時間。因為在此描述的理由,在列印頭內提供電流較多控制的一流體晶粒可證明在確保在該流體晶粒內之電流(di/dt)的最大時間改變率為有效的。
在此描述的範例提供一流體晶粒。該流體晶粒可包括可噴射來自該流體晶粒之流體的一些致動器。該等一些致動器形成一些基元。複數個延遲可被包括在一行基元當中。該流體晶粒亦可包括可控制延遲的一處理裝置,透過該等延遲傳遞一些啟動脈衝。該等啟動脈衝啟動與該等基元相關聯的各個致動器。該等啟動脈衝在該等基元間經由至少一該等延遲而延遲以降低該流體晶粒的峰值電力需求。
該流體晶粒可進一步包括在該流體晶粒上的一啟動脈衝產生器。在一範例中,該等致動器可基於由該發射脈衝(fire pulse)產生器產生的一前驅脈衝時間(PCP)、一空檔時間(dead time,DT)與一發射脈衝時間(FPT)而被驅動。進一步地,針對該等啟動脈衝的各個邊緣的一時間被儲存在一晶粒記憶體內。該啟動脈衝產生器發送該PCP、DT與FPT至該行基元中。在另一範例中,一單一發射脈衝(FP)可被發送到該行中。然而,在此等範例兩者中,在此描述的該等延遲元件對該等兩種脈衝供應相同的功能。
透過其傳遞該等啟動脈衝的該等複數個延遲,可基於在各基元內的噴嘴的數量、該基元的數量、一
列印功能、一列印需求或其等之組合。該等啟動脈衝包括一脈衝列(pulse train),其包含一些該等啟動脈衝,其中,該等啟動脈衝的總和形成一總啟動能量。該等啟動脈衝經由複數個該等延遲在基元間延遲。該流體晶粒可進一步包括與各基元耦接的一多工器以從該等延遲中選擇一些該等訊號。
在此描述的範例亦提供一列印裝置。該列印裝置可包括一些流體晶粒。該流體晶粒可包括可噴射來自該流體晶粒之流體的一些致動器,在此,該等一些致動器的形成複數個基元。該流體晶粒亦可包括在一列該等基元中的複數個延遲,以及可控制一些延遲的一處理裝置,該等延遲被插入在各基元之間,透過該等延遲傳遞一些啟動脈衝,該啟動脈衝啟動與該等基元相關聯的該等致動器。
該印刷裝置亦可包括與各基元耦接的一多工器,可從該等延遲中基於從該處理裝置所接收到的指令而選擇一些該等訊號。從該處理裝置所接收到的該等指令定義在各基元間的一時間延遲(temporal delay)以降低該流體晶粒的峰值電力需求。該多工器從該等延遲中選擇複數個訊號。該印刷裝置可包括一可編程時脈分頻器(clock divider),在此可編程時脈分頻器將來自一移位時脈(shift clock)的一訊號分頻,以降低該等啟動脈衝在該行基元中的傳播。基元之間的時間延遲可以基於在各基元內的一些致動器的數量、基元的數量、印刷功能、一印刷需求或其組合。啟動脈衝包含一脈衝列,其包含一些
啟動脈衝,其中,該等啟動脈衝的總和形成一總啟動能量。
在此描述的範例進一步提供一種可降低至少一流體晶粒的峰值電力需求的方法。該方法可包括,以一處理裝置基於從該處理裝置所接收到的指令而判定該流體晶粒的一基元延遲。該處理裝置可使用在各基元之間的複數個延遲,指示該流體晶粒針對在一行噴嘴基元內的一些致動器延遲一些啟動脈衝。該方法亦可包括針對該流體晶粒的各噴嘴基元產生一啟動脈衝,並且基於該基元延遲經由該啟動脈衝而啟動與各個一些噴嘴耦接的一些致動器,該等一些噴嘴與該等噴嘴基元相關聯。該方法亦可包括經由複數個延遲而延遲在各噴嘴基元之間的該等啟動脈衝。該方法可進一步包括以與該等複數個延遲耦接的一多工器從該等複數個延遲中選擇一些訊號。
如在本說明書以及附加請求項中所使用者,用字「一些」或類似的用字意思是廣義地理解為包括1到無窮大的任何正數;零不是一些,而是沒有一些。
在以下的描述中,為了解釋的用途,提出許多特定細節以提供對本系統與發明的透徹理解。然而對習於此技藝者來說,本設備、系統與方法可以不以此等特定細節而實施為顯而易見的。在說明書中提及「一範例」或類似的用字代表連同該範例所描述的一特定特徵、結構或特性被包括作為描述,但可以或可以不被包括在其他範例中。
現在接著看圖式,圖1為為根據在此描述之
原則的一範例的一流體晶粒100的一方塊圖。該流體晶粒100可為可以從諸如,例如一噴嘴的一孔口射出諸如墨水的任何裝置。雖然在此的詳細說明關於熱噴墨或壓電列印頭,描述關於基元的延遲以降低在一電力來源的電流汲取(current draws)。
流體晶粒100可包括一些流體致動器(102-0、102-1、102-2、102-3、102-4、102-5、102-6、102-7、102-n0、102-n1、102-n2、102-n3在此聯合稱為102)以從該流體晶粒100射出流體。該致動器102可為使用來將流體以一方向或移動或者迫使該流體通過諸如一噴嘴之孔口的任何裝置。例如,該致動器102可為熱敏性裝置、壓電裝置、幫浦、微型幫浦、微型在循環幫浦其它射出裝置或者其等之組合。在一範例中,各致動器102可包括一開關裝置,諸如場效電晶體(FET)。FET可以耦接於該等FET之閘極的一分離的可通電定址導線來控制。在一範例中,各定址導線可由多個基元101所共享。該等定址導線被控制以致使僅有一個FET會在一給定時機開啟以致使在一基元101中的至多一個單一致動器102會有電流通過他,以在該給定時間啟動該致動器102。
致動器102可被群聚在一起成為一些基元(101-0、101-1、101-n在此聯合被稱為101)。一基元101為在一致動器102的一陣列中一些致動器102的任何群組。在一範例中,在各基元101中的該等致動器102的數量可因基元而異。在另一範例中,針對在該流體晶粒100內
中各基元101的該等致動器102的數量可以是相同的。在一在此描述的範例中,各基元101可各包括四個致動器102。此外,在圖式中描繪許多基元101,圖式中所包括的省略號指示可被包括在該流體晶粒100內的任何數量的基元101的可能性。省略號在圖式中使用來指出可被包括在該流體晶粒100內的任何數量之元件。
流體晶粒100可包括在一行該等基元101內的複數個延遲105。在一範例中,一組複數個延遲105可被包括在各基元101之間以提供給各基元101指令,做為使用來啟動該等致動器102的啟動脈衝係傳輸至各個該等基元101關於該啟動脈衝會被延遲的程度。該等延遲105可為任何裝置或電路,其延遲基元101之啟動脈衝的使用否則改變一隨後基元101與其致動器102開始啟動的時間點。在一範例中,該等延遲105可致使在該等基元101之間的啟動之延遲為每個延遲105約接近22奈米秒(ns),以累積在一行基元101中的延遲約接近1.5與3毫秒(μs)。
該啟動脈衝如由一處理裝置103所指示者,啟動與該等基元101相關聯的各致動器102。在一範例中,該等複數個延遲105可為可程式化的。此外,在該等基元101之間的各組延遲105可被編程。在此範例中,該等延遲105可各被不同地編程以延遲一不同時間量的啟動脈衝。以此種方式,一處理裝置103可使用來將該等延遲105編程。各延遲105可基於處理裝置103選擇了該等延遲105中的哪一者,而被使用來延遲啟動脈衝與在該等基元101內
之致動器102的啟動。在該等基元間的啟動脈衝經由該等延遲中的至少一者而被延遲,以降低該流體晶粒的峰值電力需求。在此以下提供關於該流體晶粒100更詳細的描述。
在一範例中,一些基元101可被群集在一起以致使施加在第一個該等基元101的延遲105可由在該群中之基元的數量而被分頻(divided)。例如,若有兩個基元101被群集在一起,被選擇用於兩個基元101之該群組的一延遲105,那麼針對該等兩個基元101的延遲為每個基元100為該延遲的一半。以此種方式,該等延遲105可被程式化來將一基元101延遲到一程式化時間延遲,且以此等方式群集的該等基元101可被使用來分隔該延遲105對於那些延遲群組會相當於在該群中基元101的數量。
圖2為根據在此描述之原則的一範例之包括一些圖1之流體晶粒100的一列印裝置200的一方塊圖。包括在圖1中類似地標號的元件與連同圖1所描述在圖2中指定類似元件。列印裝置200可為流體晶粒100可併入其中的任何裝置。該列印裝置200可包括與該流體晶粒100介接的任何硬體並且提供指令給該流體晶粒100以列印流體。該等指令可以使用控制該列印裝置200功能且列印一人類可讀表示的圖像或文字的頁面描述語言(PDL)的形式而提供給該流體晶粒100。
任何數量的流體晶粒100可被包括在該列印裝置100中。因此,雖然一流體晶粒100被描繪為在圖2的列印裝置200內,可包括複數個流體晶粒100。在該列印
裝置200中有多個流體晶粒100的此範例中,該處理裝置103可控制在該列印裝置200內的所有流體晶粒100。該列印裝置200可包括一些流體晶粒100,且各流體晶粒100包括可噴射來自該流體晶粒100之流體的一些致動器102。該等一些致動器102形成或可群聚成為複數個基元101。該列印裝置200可包括在一行該等基元101中的複數個延遲,在此,延遲105被插入在各基元101之間。此外,該列印裝置200亦可包括可控制一些延遲105的一處理裝置103,透過該等延遲105傳遞一些啟動脈衝302。該等啟動脈衝302啟動與該等基元101相關聯的該等流體致動器102。
圖3為根據在此描述之原則的一範例的一基元延遲設計300的一方塊圖。包括在圖1和2中類似地標號的元件與連同圖1和2所描述者在圖3中指定類似元件。該基元延遲設計300可包括一些基元101,各基元101包括一些致動器102。為了要數位地啟動該等致動器102,各致動器102可被指定一位址301,其為對在其個別基元101內其他致動器102為獨特的、對在該流體晶粒100內的所有致動器102為獨特的,或其等之組合。在一範例中,在一基元101中,在一以及給定時間內啟動一致動器102。在此範例中,提供給一基元101的位址301識別出哪個致動器102被啟動。
該啟動脈衝302在該行基元101的頂端處被輸入。各啟動脈衝302包括一脈衝列(pulse train),在此該等啟動脈衝的總和形成一總啟動能量。在一範例中,
各脈衝列可包括一前驅脈衝時間(PCP)、一空檔時間脈衝(dead time,DT)與一發射脈衝(FP)。該PCP、DTP與FP形成啟動脈衝302的總啟動能量。
該基元延遲設計300亦可包括一些延遲方塊303、由三角形代表,以選擇地發送該啟動脈衝302至一給定基元101並且延遲在一基元101內之該致動器102的發射。該等延遲方塊303包括如在此描述的延遲105。當該啟動脈衝302被傳遞至該行基元101,該啟動脈衝302可在基元101或基元群組之間延遲以降低峰值電流與最大di/dt。在圖3的範例中,該啟動脈衝302從上至下傳遞,且各區域性地延遲啟動脈衝302被傳輸到相關聯基元101。
在一範例中,為了允許一先前啟動脈衝302傳遞至該行基元101中的至少最後一個基元101,一記憶體裝置可被包括在各基元101中,同時下一個或隨後啟動脈衝302在該行基元101的頂部啟始該第一基元101。然而,直到先前啟動脈衝302已經啟始在最底部基元101的啟動前,以下一個或隨後啟動脈衝302對一最頂部基元101的啟動無法啟始。因此,在一範例中,最大啟動頻率可受到啟動脈衝302沿著該行基元101向下傳播所花費的時間的限制。
圖4為根據在此描述之原則的一範例的一流體晶粒100在一些基元101的一啟動期間與該等基元101的啟動(402-1、402-2、402-3、402-n在此聯合稱為402)時的一總電流401比較的一線圖。可進行該等基元101之一
些致動器102的啟動402,以致使一隨後基元101的一啟動402-2、402-3之前導邊緣會出現在一先前基元101之一較早啟動402-1的期間與之後,且接著所有的基元以此方式啟動402-n。因此,在時間t1 403,電流開始攀升如該第一(402-1)與隨後(402-2、402-3)基元101啟動。最終在t2 404與t3 405之間,電流維持為高原(current plateaus),且在最後的一些基元101開始停用(deactivate),電流開始減少。電流減少直到最後基元101在t4 406完成了其啟動與停用。以此種方式,延遲基元101及其各別的致動器102的啟動,允許整體總電流隨時間降低。現在將利用圖3和圖4來描述圖5和圖6。
圖5為根據在此描述之原則的一範例之在一流體晶粒100內的一基元延遲設計500的一方塊圖。包括在圖5中類似編號的元件結合圖1至圖4指定在圖5中的類似元件。圖5的基元延遲設計500可以包括晶粒記憶體501。在一個範例中,如圖5與6中所描繪者晶粒記憶體501可以位於流體晶粒100上。在此描述的晶粒記憶體501和其他記憶體裝置可以包括各種類型的記憶體模組,包括依電性和非依電性記憶體。晶粒記憶體(501)可包括計算機可讀媒體、計算機可讀儲存媒體或非暫時性計算機可讀媒體等等。例如,該晶粒記憶體501可以是但不限於電子、磁、光、電磁、紅外線或半導體系統、設備或裝置,或前述者的任何合適的組合。計算機可讀儲存媒體的更具體範例可包括,例如,下列各者:具有一些電線的一電連接、可攜
式計算機磁碟、硬碟、隨機存取記憶體(RAM)、僅讀記憶體(ROM),可抹除可編程僅讀記憶體(EPROM或快閃記憶體)、可攜式光碟僅讀記憶體(CD-ROM)、光學儲存裝置、磁儲存裝置或前述的任何合適組合。在本文件的上下文中,計算機可讀儲存媒體可以是任何有形媒體,其可以包含或儲存計算機可用程式碼以供一指令執行系統、設備或裝置使用或與其結合使用。在另一範例中,計算機可讀儲存媒體可以是任何非暫時性媒體,其可以包含或儲存程式以供指令執行系統、設備或裝置使用或與其結合使用。
晶粒記憶體501儲存列印模式,該等列印模式包括可選擇至少一個延遲105的暫存器。在一範例中,處理裝置103在晶粒記憶體501中儲存任意數量的可用列印模式中的期望列印模式,以使得在該等基元101之間獲得一期望的時間延遲,並且,做為一結果,一行基元101內和列印持續時間內所需的峰值或最大電流。流體晶粒100和列印裝置200可以以任何數量的模式操作,並且這些模式可以定義任何數量之相關聯的時間延遲,其可以接著而被編程到延遲105中。在一個範例中,圖4的延遲105可以是類比延遲。在另一範例中,圖4的延遲105可以是數位延遲,其中,使用數位訊號選擇延遲105。以晶粒記憶體501,可以在列印裝置200的流體晶粒100列印之前通過使用儲存在晶粒記憶體501中的模式,將延遲105編程而選擇期望的時間延遲。
基元延遲設計500還可以包括發射時脈202,以提供同步數位時脈訊號以協調該等基元101的動作,包括例如,啟動它們各別的致動器102。發射時脈202將其時脈訊號饋送到包括延遲105的各個延遲方塊302。
啟動脈衝產生器503亦可以被包括在基元延遲設計500中。在一個範例中,啟動脈衝產生器503可以位於流體晶粒100上。啟動脈衝產生器503可以是能產生方形啟動脈衝203的任何電子電路,並將這些啟動脈衝203發送到該行基元101中的第一基元101-1。啟動脈衝產生器503可基於來自發射時脈202的輸入而產生一些啟動脈衝203。在一個範例中,啟動脈衝產生器503發送訊號至第一基元101,該訊號指示在各基元101內的哪個致動器102將被啟動。在一個範例中,流體晶粒100的處理裝置103可以基於用於控制列印工作的PDL來控制啟動脈衝產生器503。
致動器102係基於由發射脈衝產生器503所產生的前驅脈衝時間(PCPT)、空檔時間(DT)和發射脈衝時間(FPT)而被驅動。啟動脈衝302的每個邊緣的時間可以儲存在晶粒記憶體501中。啟動脈衝產生器503沿著該行基元向下發送PCPT、DT和FPT。
晶粒記憶體501可以電氣式耦合於一些多工器(504-1、504-2,在此統稱為504)。多工器504可以是從延遲105中選擇若干類比或數位輸入訊號之一的任何裝置,並且將所選擇的輸入轉發到在流體晶粒100內該行
基元101中的一隨後基元101。多工器504藉由從晶粒記憶體501接收關於列印裝置200指示流體晶粒100列印的列印模式的資料,而作為可編程基元延遲選擇器。因此,以晶粒記憶體501和多工器504,可以在透過將延遲105編程和使用儲存在晶粒記憶體501中之模式的多工器504,在列印裝置200的流體晶粒100進行列印之前選擇期望的時間延遲。
儲存在用於列印工作之晶粒記憶體501中的列印模式可以包括關於在列印過程期間要使用哪些延遲105的資訊,以在嘗試使啟動脈衝203沿著該行基元101和致動器102盡快地向下傳播,且盡快的完成整個列印作業時,將流體晶粒100內與各個接續啟動脈衝203期間的峰值電流最小化。選擇要使用哪些延遲105在特定列印作業是可組態的。例如,在列印作業需要相對較高的列印密度而更頻繁地啟動更多致動器102的情況下,可以選擇具有相對較高的時間延遲值的延遲105,以確保達成在列印文件中所需的密度。然而,相反地,在列印速度是一個因素、且列印密度可能相對較低的情況下,例如在文字文件中,可以選擇時間上較短的延遲,以允許啟動脈衝203更快地沿著該行基元101與啟動起102傳播而導致更快的列印。
啟動脈衝203從基元101饋送到包括延遲105和多工器504的延遲方塊303。各延遲105藉由將啟動脈衝203延遲到某個時間程度來修改啟動脈衝203。接著將這些延遲訊號饋送到多工器504。多工器504從晶粒記憶體
501接收關於要選擇哪個延遲105的指令。在一個範例中,處理裝置103可以在晶粒記憶體501中儲存特定列印作業的延遲值及其相應的啟動脈衝203,並且該資料被發送到各個多工器504,使得多工器504可選擇適當的延遲105。透過啟動脈衝302傳遞的延遲105可以基於在各基元101內的一些致動器102和相應的噴嘴、基元101的數量、由晶粒儲存器501所儲存的列印功能或模式或其等之組合。
如在此所述,可以將每個延遲105不同地編程以將啟動脈衝203延遲到不同的時間量。在一個範例中,在各個延遲方塊302內的多工器504選擇相同的延遲105。在此範例中,在各個基元101之間經歷一相同的時間延遲。在另一範例中,多工器504可以選擇不同的延遲105,使得在至少兩個分離的基元101之間經歷不同的時間延遲。此外,在一個範例中,多工器504可以選擇多於一個延遲105以便獲得為多個延遲105的總和的一時間延遲。在此範例中,多工器504能夠選擇至少兩個延遲105並且添加該等至少兩個延遲105的總程式化的時間延遲以獲得新的時間延遲。在一個範例中,此新的時間延遲可以是選擇各延遲方塊303內的任何給定的一個延遲105無法獲得的時間延遲量。
使用圖5的範例基元延遲設計500,可以控制基元101之間的延遲,以便確保流體晶粒100及其該行基元101內的峰值或最大電流和致動器102保持在所需水平以下。峰值電流的減少和電流的最大時間變化率(di/dt)避
免了對流體晶粒100之電源供應器的過度負荷,並且為流體晶粒100內的各致動器102提供足夠的電力。此外,減少了在任何給定時間啟動的基元101的數量。
圖5的範例包括位於圖式的底部的省略號,用來指示在流體晶粒100內可以包括任何數量的基元101,並且包括多個延遲方塊303,包括它們各自的延遲105和多工器504可以插入在每個基元101之間。以此方式,流體晶粒100內的每個基元101可以按照指示延遲。
圖6是根據在此描述之原則的另一個範例的一流體晶粒100內的原始延遲設計600的方塊圖。包括在圖6中類似編號的元件與連同圖1至5所所描述者在圖6中指定類似元件。圖6的範例可以包括時脈分頻器601。時脈分頻器601可以由晶粒記憶體501編程,以將來自發射時脈502的訊號分頻。時脈分頻器601將來自發射時脈502的訊號除以整數,以獲得分頻時脈訊號。然後將該分頻時脈訊號發送到每個延遲105。在一範例中,在各個基元101之間包括單一個延遲105。與圖5類似,圖6包括位於圖式的底部的省略符號,以指示在流體晶粒100內可以包括任何數量的基元101,並且包括它們各自的一些延遲105的延遲105和多工器504可以插入各個基元101之間。以此種方式,流體晶粒100內的各個基元101可以如指示延遲。
在一範例中,時脈分頻器601可以將來自發射時脈502的時脈訊號除以整數。然而,在另一範例中,如果包括相鎖回圈(phase-locked loop,PLL),一先
進CMOS所驅動程序可允許來自發射時脈502的時脈訊號以非整數比率。在一範例中,PLL可以位於流體晶粒100上。
由發射時脈502和時脈分頻器601所產生的分頻時脈訊號被發送到各個延遲105,且各個延遲105可以基於分頻時脈訊號被編程為可延遲基元101的啟動和它們各自的致動器102。例如,時脈分頻器601可以由晶粒記憶體501編程,以將來自發射時脈502的訊號分頻一半。這將導致啟動脈衝302內的各個計數的分辨率(resolution)被分成兩半,並且相對於沒有分頻的時間段內可以被開啟的基元101的數量,在任何給定時間段內開啟了一半數量的基元101。換句話說,時脈分頻器601將來自發射時脈502的訊號除以一半將導致基元101之間的延遲加倍並使啟動脈衝302傳播通過所有基元101和它們各自的致動器102所需的時間加倍。
為了增加基元101的啟動之間的延遲,時脈分頻器601進一步將來自發射時脈502的訊號分頻。每個基元101之間的延遲105用於基於由時脈分頻器601提供的分頻訊號來延遲每個連續基元101的啟動。
參考圖5和6,流體晶粒100編程n組延遲105以延遲基元的啟動。如果流體晶粒100基於,例如一列印模式緩慢列印,則流體晶粒100可以利用更大的基元延遲來滿足目標時間的電流變化率di/dt。較大的基元延遲減少了在任何給定時間段內被啟動或開啟的基元101的數量。
在一VPP軌道上傳遞高電壓,且在電源供應器和流體晶粒100之間存在電阻。此外,有限寄生效應存在於流體晶粒100本身至該致動器102且直到該行基元101。因此,當汲取(draw)電流以啟動致動器102時,在VPP軌道上發生電壓下垂。該電壓降可以被稱為VPP下垂,(droop),且致動器102處的實際實現的電壓係低於原始電源電壓。在電源接地返回(PGND)上發生相同的電壓降,在此在電壓源處可能沒有電壓,但是在流體晶粒100上,PGND的電壓可以更高。在給定原始電源電壓的情況下,這可能導致電壓的總△降低到低於預期。該VPP下垂和PGND上升是流體晶粒100汲取多少電流的函數。延遲105藉由提供在給定時間段內與較少致動器102及/或基元101重疊的啟動脈衝302而消除VPP下垂和PGND上升的影響,這導致較低的峰值電流且由於汲取電流減少,VPP下垂和PGND上升減少。此外,由於VPP下垂和PGND上升的減少,諸如下降/600th的列印密度可能增加。
在使用每個基元101一個延遲105的範例中,前驅脈衝PCP可以達到3安培(A),其具有特定持續時間的空檔時間(DT),接著由發射脈衝產生器所產生的發射脈衝(FP)可以達到大約8.5A。在使用每個基元101的兩個延遲105的範例中,前驅脈衝PCP可以達到1.5安培(A),其具有特定持續時間的空檔時間(DT)接著由發射脈衝產生器所產生的發射脈衝(FP)可以達到大約5.5A。在每個基元101使用四個延遲105的範例中,前驅
脈衝PCP可以達到0.8安培A,其具有特定持續時間的空檔時間(DT)接著由發射脈衝產生器所產生的發射脈衝(FP)可以達到大約2.8A。隨著延遲105使用數量的增加,整個啟動脈衝的持續時間或電流被汲取的時間(等於啟動脈衝302的寬度)也增加。在一個範例中,可以使用之延遲105的數量可以取決於一啟動頻率。在此範例中,列印設備200可以基於列印設備200尋求列印的頻率來確定可以使用多少延遲105。
圖7為描繪根據在此描述之原則的範例之降低至少一個流體噴射裝置的峰值電力需求的方法之流程圖。該方法可以包括,以處理裝置103,基於從處理裝置103所接收到的指令,判定(方塊701)流體晶粒100的基元延遲。處理裝置103可以指示流體晶粒100使用在各基元101之間的複數個延遲105來延遲在一行噴嘴基元內的多個致動器102的多個啟動脈衝302。該方法可以繼續為流體晶粒100的各個基元101產生(方塊702)啟動脈衝302,並且經由啟動脈衝302基於基元延遲來啟動(方塊703)一些致動器102,該等致動器與該等基元101相關聯的多個噴嘴中的各者耦合。該方法還可以包括經由複數個延遲105來延遲各個基元101之間的啟動脈衝302。在此範例中,該方法可包括以與複數個延遲105耦合的多工器504來從多該等複數個延遲105中選擇一些訊號。
本系統和方法的各種態樣在此參考根據在此描述之原則的範例的方法、設備(系統)和計算機程式
產品的流程圖及/或方塊圖來描述。流程圖例示的各個方塊與方塊圖及流程圖例示中的方塊與和方塊圖中的組合可以由計算機可用程式碼實施。計算機可用程式碼可以被提供給一般用途計算機、特定用途計算機或其他可編程資料處理裝置的處理器以產生一機器,以致使計算機可用程序代碼在經由例如流體晶粒100之處理裝置103或其他可編程資料處理裝置執行時,實施在流程圖及/或方塊圖中所指定的功能或動作。在一個範例中,計算機可用程式碼可以包含在計算機可讀儲存媒體中;計算機可讀儲存媒體為計算機程式產品的一部分。在一個範例中,計算機可讀儲存媒體是非暫時性計算機可讀媒體。
說明書和圖式描述了一種流體晶粒,其包括可噴射來自流體晶粒之流體的一些致動器。該等一些致動器形成一些基元。流體晶粒包括一行基元內的複數個延遲,以及可控制一些啟動脈衝透過其傳遞之延遲的處理裝置。啟動脈衝啟動與該等基元相關聯的各個致動器。經由至少一個該等延遲在基元之間延遲啟動脈衝,以減少流體晶粒的峰值電力需求。
在此描述的流體晶粒和列印裝置提供基元延遲的可編程選擇,其中可以包括任何數量的延遲,並且延遲的選擇可以基於儲存在一晶粒上記憶體上的資料來確定要使用哪個延遲。延遲降低了流體晶粒內的電流di/dt的最大時間變化率。
先前的描述已經呈現來說明和描述所描述
的原則的範例。此描述並非全面性的或將這些原則限制於所揭露的任何精確形式。鑑於上述教示,許多修改和變化都是可能的。
Claims (15)
- 一種流體晶粒,其包含: 一些致動器,其噴射來自該流體晶粒的流體,該等一些致動器形成一些基元; 在一行該等基元內的複數個延遲;以及 一處理裝置,其控制該等延遲,一些啟動脈衝透過該等延遲而傳遞,該等啟動脈衝啟動與該等基元相關聯的各個該等致動器; 其中,該等啟動脈衝經由至少一個該等延遲而在該等基元之間延遲以減少該流體晶粒的峰值電力需求。
- 如請求項1的流體晶粒,進一步包含在該流體晶粒上的一啟動脈衝產生器,其中: 該等致動器係基於由該發射脈衝產生器產生的一前驅脈衝時間(pre-cursor pulse,PCP)、一空檔時間(dead time,DT)與一發射脈衝時間(FPT)而被驅動; 針對該等啟動脈衝的各個邊緣的一時間被儲存在一晶粒記憶體內,並且 該啟動脈衝產生器發送該PCP、DT與FPT至該行基元中。
- 如請求項1的流體晶粒,其中,透過其傳遞該等啟動脈衝的該等複數個延遲係基於在各基元內的噴嘴的一數量、該等基元的數量、一列印功能、一列印需求或其等之組合。
- 如請求項1的流體晶粒,其中,該等啟動脈衝包含一脈衝列,該脈衝列包含一些該等啟動脈衝,其中,該等啟動脈衝的總和形成一總啟動能量。
- 如請求項1的流體晶粒,其中,該等啟動脈衝經由複數個該等延遲而在該等基元之間延遲。
- 如請求項1的流體晶粒,包含一多工器,該多工器與各基元耦接以從該等延遲中選擇一些訊號。
- 一種列印裝置,其包含: 一些流體晶粒,其包含: 一些致動器,其噴射來自該流體晶粒的流體,該等一些致動器形成複數個基元; 在一行該等基元內的複數個延遲,該等延遲被插入在各基元之間;以及 一處理裝置,其控制一些延遲,一些啟動脈衝透過該等延遲而傳遞,該等啟動脈衝啟動與該等基元相關聯的該等致動器。
- 如請求項7的列印裝置,其包含一多工器,該多工器與各基元耦接以基於從該處理裝置所接收到的指令而選擇來自該等延遲的一些訊號,從該處理裝置所接收到的該等指令定義了在各個該等基元之間的一時間延遲以減少該流體晶粒的峰值電力需求。
- 如請求項8的列印裝置,其中,該多工器從該等延遲中選擇複數個訊號。
- 如請求項7的列印裝置,其包含一可編程時脈分頻器,其中,該可編程時脈分頻器將來自一移位時脈的一訊號分頻以降低該等啟動脈衝在該行基元中的傳播。
- 如請求項7的列印裝置,其中,在該等基元之間的一時間延遲係基於在各基元內的致動器的一數量、該等基元的數量、一列印功能、一列印需求或其等之組合。
- 如請求項7的列印裝置,其中,該等啟動脈衝包含一脈衝列,該脈衝列包含一些該等啟動脈衝,其中,該等啟動脈衝的總和形成一總啟動能量。
- 一種降低至少一流體晶粒的峰值電力需求的方法,其包含: 以一處理裝置: 基於從該處理裝置所接收到的指令來判定該流體晶粒的一基元延遲,該處理裝置指示該流體晶粒使用在各個該等基元之間的複數個延遲,針對在一行噴嘴基元內的一些致動器延遲一些啟動脈衝; 針對該流體晶粒的各個該等噴嘴基元產生一啟動脈衝;以及 經由該啟動脈衝並基於該基元延遲而啟動一些該等致動器,該等致動器與和該等噴嘴基元相關聯的一些噴嘴各者耦接。
- 如請求項13的方法,包含經由複數個該等延遲而延遲在各個該等噴嘴基元之間的該等啟動脈衝。
- 如請求項14的方法,包含以一與該等複數個延遲耦接的多工器,從該等複數個延遲中選擇一些訊號。
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