TWI705747B

TWI705747B - 多層軟性電路板及其製造方法

Info

Publication number: TWI705747B
Application number: TW108131185A
Authority: TW
Inventors: 李謨霖; 郭加弘; 許議文; 黃健原
Original assignee: 嘉聯益科技股份有限公司
Priority date: 2019-08-30
Filing date: 2019-08-30
Publication date: 2020-09-21
Also published as: TW202110299A; JP2021040118A; KR20210028042A

Abstract

本發明公開一種多層軟性電路板及其製造方法。多層軟性電路板的製造方法包括：形成至少一內嵌式線路層結構，並且內嵌式線路層結構的形成步驟包含：提供一承載基板，其具有一承載面；形成一圖案化線路於承載面上；其中，圖案化線路包含有至少一實心銅柱、與實心銅柱電性連接的至少一內層導電線路、及位於實心銅柱及內層導電線路之間的至少一填充間隙；形成一液晶高分子介電材料層於圖案化線路上；其中，液晶高分子介電材料層包覆於實心銅柱及內層導電線路的外圍、並且填充於填充間隙中，以使得圖案化線路內嵌於液晶高分子介電材料層中。

Description

多層軟性電路板及其製造方法

本發明涉及一種軟性電路板及其製造方法，特別是涉及一種具有內嵌式線路層結構的多層軟性電路板及其製造方法。

近年來，隨著4G/5G高速傳輸的相關技術愈趨發展成熟，因此相關電子產品的設計需要趨向輕薄短小，此等電子產品內部所使用的印刷電路板（printed circuit board，PCB/ flexible circuit board，FPCB）與電子零件相對也要小型化和輕量化。為了增加印刷電路板內部的線路佈設空間，已有許多製程技術是將複數佈線層堆疊而構成多層式線路結構，並在其中設置導電結構來導通各層的線路，此即所謂的增層法（build-up method）。

進一步地說，現有的軟性電路板在結構設計上及製造方式上有許多的改良，目的都是為了讓該些軟性電路板更適合應用於4G/5G高速傳輸的相關電子產品中。

然而，現有的軟性電路板仍然存在訊號在傳輸過程中容易損耗、及可靠性差（如：內層線路容易與基板或介電材料剝離）的缺陷。

於是，本發明人認為上述缺陷可改善，乃特潛心研究並配合科學原理的運用，終於提出一種設計合理且有效改善上述缺陷的本發明。

本發明所要解決的技術問題在於，針對現有技術的不足提供一種多層軟性電路板及其製造方法，能有效改善現有的軟性電路板所存在的缺陷。

為了解決上述的技術問題，本發明所採用的其中一技術方案是，提供一種多層軟性電路板的製造方法，其包括：形成至少一內嵌式線路層結構，並且所述內嵌式線路層結構是通過以下步驟所形成：提供一承載基板，其具有一承載面；形成一圖案化線路於所述承載面上；其中，所述圖案化線路包含有至少一實心銅柱、與所述實心銅柱電性連接的至少一內層導電線路、及位於所述實心銅柱及所述內層導電線路之間的至少一填充間隙；以及形成一液晶高分子介電材料層於所述圖案化線路上；其中，所述液晶高分子介電材料層包覆於所述實心銅柱及所述內層導電線路的外圍、並且填充於所述填充間隙中，以使得所述圖案化線路內嵌於所述液晶高分子介電材料層中。

為了解決上述的技術問題，本發明所採用的另外一技術方案是，提供一種多層軟性電路板，其包括：至少一內嵌式線路層結構，其包含：一圖案化線路，所述圖案化線路包含有至少一實心銅柱、與所述實心銅柱電性連接的至少一內層導電線路、及位於所述實心銅柱及所述內層導電線路之間的至少一填充間隙；以及一液晶高分子介電材料層，其包覆於所述實心銅柱及所述內層導電線路的外圍、並且填充於所述填充間隙中，以使得所述圖案化線路內嵌於所述液晶高分子介電材料層。

本發明的其中一有益效果在於，本發明所提供的多層軟性電路板及其製造方法，其能通過“所述液晶高分子介電材料層包覆於所述實心銅柱及所述內層導電線路的外圍、並且填充於所述填充間隙中，以使得所述圖案化線路內嵌於所述液晶高分子介電材料層中”的技術方案，以提升所述圖案化線路與液晶高分子介電材料層之間的結合力，並且可以有效改善訊號在傳輸過程中損耗的問題。

為使能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與圖式，然而所提供的圖式僅用於提供參考與說明，並非用來對本發明加以限制。

以下是通過特定的具體實施例來說明本發明所公開的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所公開的內容瞭解本發明的優點與效果。本發明可通過其他不同的具體實施例加以施行或應用，本說明書中的各項細節也可基於不同觀點與應用，在不悖離本發明的構思下進行各種修改與變更。另外，本發明的附圖僅為簡單示意說明，並非依實際尺寸的描繪，事先聲明。以下的實施方式將進一步詳細說明本發明的相關技術內容，但所公開的內容並非用以限制本發明的保護範圍。

應當可以理解的是，雖然本文中可能會使用到“第一”、“第二”、“第三”等術語來描述各種元件或者信號，但這些元件或者信號不應受這些術語的限制。這些術語主要是用以區分一元件與另一元件，或者一信號與另一信號。另外，本文中所使用的術語“或”，應視實際情況可能包括相關聯的列出項目中的任一個或者多個的組合。

本發明提供一種多層軟性電路板及其製造方法。所述多層軟性電路板包含：至少一內嵌式線路層結構。所述內嵌式線路層結構包含一圖案化線路及一液晶高分子介電材料層。其中，所述圖案化線路包含有至少一實心銅柱、與所述實心銅柱電性連接的至少一內層導電線路、及位於所述實心銅柱及所述內層導電線路之間的至少一填充間隙。所述液晶高分子介電材料層包覆於所述實心銅柱及所述內層導電線路的外圍、並且填充於所述填充間隙中，以使得所述圖案化線路內嵌於所述液晶高分子介電材料層。

以上為本發明的多層軟性電路板的內嵌式線路層結構的大致構造，以下將分別於本發明的第一實施例至第三實施例中，詳細說明所述多層軟性電路板的內嵌式線路層結構的詳細製造方式及其應用方式。

[第一實施例]

請參閱圖1至圖8所示，本發明的第一實施例提供一種多層軟性電路板及其製造方法。所述多層軟性電路板的製造方法包含：形成至少一內嵌式線路層結構100，並且所述內嵌式線路層結構100是通過下述步驟S110至步驟S140，所形成。必須說明的是，本實施例所載之各步驟的順序與實際的操作方式可視需求而調整，並不限於本實施例所載。

如圖1所示，所述步驟S110包含：提供一承載基板C，所述承載基板C具有一承載面C1。在本實施例中，所述承載基板C主要是用來提供如下述的圖案化線路1及液晶高分子介電材料層2形成於其承載面C1上。而在形成所述圖案化線路1及液晶高分子介電材料層2後，所述承載基板C可以選擇性地被移除，從而使得最終形成的多層軟性電路板1000未包含有任何的承載基板C。再者，所述承載基板C的材質可以例如是聚醯亞胺（polyimide，PI）、聚碳酸酯（polycarbonate，PC）、聚對苯二甲酸乙二酯（polyethylene terephthalate，PET）、及聚四氟乙烯（polytetrafluoroethylene，PTFE）的至少其中之一，但本發明不受限於此。

如圖1至圖4所示，所述步驟S120包含：形成一圖案化線路1於所述承載面C1上（如圖4）。其中，所述圖案化線路1包含有至少一實心銅柱11、與所述實心銅柱11電性連接的至少一內層導電線路12、及位於所述實心銅柱11及內層導電線路12之間的至少一填充間隙13。

其中，在本實施例中，所述圖案化線路1較佳是通過半加成法（semi-additive process，SAP）的方式形成於承載基板C的承載面C1上，但本發明不受限於此。舉例來說，在本發明未繪示的實施例中，所述圖案化線路1也可以例如是通過減成法的方式、或全加成法的方式形成於承載基板C的承載面C1上。

更具體地說，在形成所述圖案化線路1於承載面C1上的步驟中，以本實施例所採用的半加成法為例，所述圖案化線路1能通過下述步驟S121至步驟S124所形成。

如圖1所示，所述步驟S121包含：在所述承載基板C的承載面C1上形成有全面覆蓋於其上的一金屬晶種層C2。其中，所述金屬晶種層C2可以例如是通過無電鍍（electroless plating）或濺鍍（sputtering）的方式所形成，並且所述金屬晶種層C2的材質可以例如是銅金屬，但本發明不受限於此。

如圖2所示，所述步驟S122包含：形成一圖案化遮罩M於承載基板C上。更具體地說，所述圖案化遮罩M是直接地形成於金屬晶種層C2上、且位於承載基板C的承載面C1上方。其中，所述圖案化遮罩M可以例如是依序通過覆蓋光阻劑（如：壓制乾膜光阻劑、或塗佈濕膜光阻劑）、且對光阻劑進行曝光及顯影等製程所形成。再者，所述圖案化遮罩M的內側包圍形成有多個圖案化間隙M1，並且所述金屬晶種層C2的未被圖案化遮罩M遮蔽的部分是曝露於多個圖案化間隙M1，以提供電鍍的導電金屬E（如：電鍍銅）形成於其上。

如圖3所示，所述步驟S123包含：於多個圖案化間隙M1中，利用電鍍的方式形成多個導電金屬E。更具體地說，多個所述導電金屬E是自金屬晶種層C2朝著相反於承載基板C的方向延伸地形成、且填充於多個所述圖案化間隙M1中。值得一提的是，在本實施例中，為了讓多個所述導電金屬E之間具有不同的高度，以產生高低斷差的結構，所述圖案化遮罩M的不同部分也可以設計為具有不同的高度（如圖2），以使得最終電鍍形成的多個所述導電金屬E之間具有高低斷差（如：圖4的實心銅柱11的高度高於內層導電線路12的高度），但本發明不受限於此。舉例來說，在本發明的另一實施例中，所述圖案化遮罩M也可以設計為具有大致相同的高度，從而使得最終電鍍形成的多個所述導電金屬E之間也具有大致相同的高度（圖未繪示）。

如圖4所示，所述步驟S124包含：移除所述圖案化遮罩M，並且使得多個所述導電金屬E形成為圖案化線路1。更具體地說，為了讓導電金屬E形成為圖案化線路1，在本實施例中，在移除所述圖案化遮罩形之後，所述步驟S124進一步包含：對所述金屬晶種層C2進行蝕刻（如：微蝕、閃蝕），以將所述金屬晶種層C2的未被多個導電金屬E覆蓋的部分移除，從而使得多個所述導電金屬E形成為所述圖案化線路1（包含：實心銅柱11及內層導電線路12）。也就是說，所述金屬晶種層C2的被移除的部分即是金屬晶種層C2的原本被圖案化遮罩M覆蓋的部分。

如圖5所示，所述步驟S130包含：形成一液晶高分子（liquid crystal polymer，LCP）介電材料層2於圖案化線路1上、且包覆於圖案化線路1的外圍。更具體地說，所述液晶高分子介電材料層2經配置包覆於實心銅柱11及內層導電線路12的外圍、且填充於所述填充間隙13中，以使得所述圖案化線路1內嵌於液晶高分子介電材料層2中。

再者，所述液晶高分子介電材料層2的形成方式，可以例如是將呈流動狀態的液晶高分子介電材料塗佈於圖案化線路1上，以形成濕膜。並且，該濕膜於塗佈的過程中，能包覆於實心銅柱11及內層導電線路12的外圍、且填充於填充間隙13中。接著，該濕膜能經由固化處理（如：冷卻固化處理），而形成為所述液晶高分子介電材料層2，並且所述圖案化線路1能被內嵌於液晶高分子介電材料層2中、從而與液晶高分子介電材料層2之間具有良好的密合度。

藉此，所述液晶高分子介電材料層2的厚度可以通過控制濕膜的厚度來達到精準的控制，並且可以根據實際的需求而進行調整。需說明的是，本發明的液晶高分子介電材料層2的形成方式，並不以濕式塗佈的方式為限，其也可以例如是通過壓合乾膜的方式所形成。

如圖6所示，所述步驟S140包含：於所述液晶高分子介電材料層2的相反於承載基板C的一側表面上（如圖6液晶高分子介電材料層2的頂面），形成一外層導電金屬3，並且讓所述外層導電金屬3通過實心銅柱11而與內嵌於液晶高分子介電材料層2中的內層導電線路12彼此電性連接。或者，所述外層導電金屬3也可以例如是依序通過雷射鑽孔及表面金屬化等加工方式、而形成一盲孔結構31以使得所述外層導電金屬3能通過其盲孔結構31與內嵌於所述液晶高分子介電材料層2中的內層導電線路12彼此電性連接。

值得一提的是，在本實施例中，在形成所述內嵌式線路層結構100的過程中，所述圖案化線路1的實心銅柱11及內層導電線路12是同時形成的，並且所述圖案化線路1與外層導電金屬3皆為相同的材質、且是由相同的方式所形成（如：電鍍銅）。因此，所述圖案化線路1與外層導電金屬3之間能具有良好的結合力，而使得最終形成的多層軟性電路板1000具有良好的可靠性。

如圖7所示，所述步驟S150包含：移除所述承載基板C，以使得所述圖案化線路1、液晶高分子介電材料層2、及外層導電金屬3共同形成為一個所述內嵌式線路層結構100。需說明的是，在本發明的其它實施例中，所述內嵌式線路層結構100也可以僅包含有圖案化線路1及液晶高分子介電材料層2、而不包含有外層導電金屬3。

在本實施例中，在所述內嵌式線路層結構100中，所述實心銅柱11的底面、在所述承載基板C被移除後、被曝露出所述液晶高分子介電材料層2、且切齊於所述液晶高分子介電材料層2的底面。

再者，所述實心銅柱11的頂面也切齊於液晶高分子介電材料層2的頂面，但本發明不受限於此。

值得一提的是，在本實施例的內嵌式線路層結構100中，所述實心銅柱11的底面大致切齊於內層導電線路12的底面，也就是說，所述實心銅柱11的底面與內層導電線路12的底面大致位於相同的水平線上，並且所述實心銅柱11與內層導電線路12是位於相同的液晶高分子介電材料層2中。

再者，所述實心銅柱11的高度H1是高於內層導電線路12的高度H2，以使得所述實心銅柱11與內層導電線路12共同形成一高低斷差的結構。

在本發明的一實施例中，所述實心銅柱11的高度H1是介於150微米至250微米之間，並且所述內層導電線路12的高度H2不大於150微米，但本發明不受限於此。

需說明的是，本實施例雖然是以所述實心銅柱11與內層導電線路12共同形成高低斷差的結構為例作說明，但本發明不受限於此。

如圖13，舉例來說，在本發明的下述第二實施例中，所述實心銅柱11與內層導電線路12之間也可以具有大致相同的高度，而所述液晶高分子介電材料層2是完全覆蓋於實心銅柱11的頂面，而僅讓實心銅柱11的底面切齊於液晶高分子介電材料層2的底面。

根據上述製造方法所形成的內嵌式線路層結構100至少具有以下優點。例如：由於液晶高分子介電材料具備低吸濕、低介電常數（Dk）、及低介電耗損（Df）等特性，因此本實施例所採用的液晶高分子介電材料層2能使得最終形成的多層軟性電路板1000具備優異的電氣特性及可靠性，並且使得該多層軟性電路板1000特別適合應用於4G/5G高速傳輸的相關電子產品中。

進一步地說，由於所述圖案化線路1是被內嵌於液晶高分子介電材料層2中，因此所述圖案化線路1與液晶高分子介電材料層2之間具有良好的結合力、且彼此不容易分離。

再者，在本發明的一實施例中，為了改善介電損耗的問題，所述圖案化線路1的表面較佳為一光滑的表面。一般來說，若圖案化線路的表面越光滑，其與介電層之間的結合力將會越差。然而，在本實施例中，由於所述圖案化線路1與液晶高分子介電材料層2之間具有內嵌的結構，因此儘管圖案化線路1的表面光滑，兩者之間仍然會具有良好的結合力。

如圖8及圖9所示，至少一所述內嵌式線路層結構100、100’的數量為兩個。兩個所述內嵌式線路層結構100、100’在構造上可以相同也可以不同。在本實施例中，其中一個所述內嵌式線路層結構100的構造具有盲孔結構31（如圖8的位於上側的內嵌式線路層結構100），而其中另一個所述內嵌式線路層結構100’的構造則不具有盲孔結構（如圖8的位於下側的內嵌式線路層結構100’）。

再者，所述多層軟性電路板的製造方法進一步包括：將兩個所述內嵌式線路層結構100、100’彼此堆疊在一起；以及將其中一個所述內嵌式線路層結構100的液晶高分子介電材料層2接觸、且直接地黏著於另一個所述內嵌式線路層結構100’的液晶高分子介電材料層2’。

更具體地說，兩個所述內嵌式線路層結構100、100’的液晶高分子介電材料層2、2’之間可以例如是通過加熱的方式或熱壓合的方式直接地黏著在一起、而不需要通過任何額外的黏著材料或貼合膠體間接地黏著在一起。也就是說，兩個所述內嵌式線路層結構100、100’之間可以通過液晶高分子介電材料的自黏特性，而彼此直接地黏著在一起。

請繼續參閱圖9，所述多層軟性電路板的製造方法進一步包括：將其中一個所述內嵌式線路層結構100的實心銅柱11直接接觸、且電性連接於另一個所述內嵌式線路層結構100’的實心銅柱11’。根據上述配置，兩個所述內嵌式線路層結構100、100’的圖案化線路1、1’能通過兩個實心銅柱11、11’的接觸，而彼此電性連接。

另外，其中一個所述內嵌式線路層結構100的內層導電線路12較佳是未直接接觸於另一個所述內嵌式線路層結構100’的內層導電線路12’，並且兩個所述內嵌式線路層結構100、100’的內層導電線路12、12’之間是通過液晶高分子介電材料層2、2’彼此間隔地設置，但本發明不受限於此。舉例來說，在本發明未繪示的實施例中，兩個所述內嵌式線路層結構100、100’的內層導電線路12、12’之間也可以例如是彼此接觸的關係。

根據上述配置，本實施例的多層軟性電路板1000具有彼此堆疊的兩個內嵌式線路層結構100、100’，從而形成具有多層線路結構的軟性電路板1000。

值得一提的是，在本發明的其它實施例中，所述多層軟性電路板也可以例如是具有三個或三個以上、且依序堆疊的內嵌式線路層結構，本發明並不予以限制。

[第二實施例]

如圖10至圖13所示，其為本發明的第二實施例。本實施例與上述實施例在內嵌式線路層結構100的製造方法大致相同。不同之處在於，本實施例的多層軟性電路板1000’僅具有一個內嵌式線路層結構100，並且於所述內嵌式線路層結構100的外層是利用半加成法的方式形成與內層導電線路12電性連接的外層導電線路4。

更具體地說，本實施例的多層軟性電路板是通過下述步驟完成：提供一個內嵌式線路層結構100（如圖10），其中，所述內嵌式線路層結構100上形成有外層導電金屬3及盲孔結構31，並且所述內嵌式線路層結構100的下方設置有承載基板C；接著，形成一外層圖案化遮罩M’於外層導電金屬3上（如圖11）；接著，依序通過電鍍金屬、移除外層圖案化遮罩M’及蝕刻等步驟，以形成所述外層導電線路4（如圖12），並且所述外層導電線路4與內層導電線路12彼此電性連接；最後，移除所述承載基板C，以形成具有雙層線路結構的軟性電路板1000’（如圖13）。

[第三實施例]

如圖14及圖15所示，其為本發明的第三實施例。本實施例與上述實施例在內嵌式線路層結構100的製造方法大致相同。不同之處在於，本實施例的內嵌式線路層結構100可以進一步用來提供一銅箔基板P壓合在液晶高分子介電材料層2上，以利於後續不同電路板製程上的應用。

其中，所述銅箔基板P可以例如是不與圖案化線路1接觸（如圖14）、或者所述銅箔基板P也可以例如是與圖案化線路1接觸（如圖15），本發明並不予以限制。

[實施例的有益效果]

再者，由於液晶高分子介電材料具備低吸濕、低介電常數（Dk）、及低介電耗損（Df）等特性，因此本發明所採用的液晶高分子介電材料層能使得最終形成的多層軟性電路板具備優異的電氣特性及可靠性，並且使得該多層軟性電路板特別適合應用於4G/5G高速傳輸的相關電子產品中。

進一步來說，本發明能通過液晶高分子介電材料具備自黏的特性，而使得兩個彼此獨立的內嵌式線路層結構可以通過其液晶高分子介電材料層、彼此直接地黏著在一起，並且使得最終形成的多層軟性電路板具有內埋式的線路結構，如：實心銅柱及內層導電線路內埋於液晶高分子介電材料層中，並且實心銅柱的底面及內層導電線路的底面皆位於相同的水平線上。根據上述配置，兩個彼此獨立的內嵌式線路層結構可在不需要額外的黏著材料或貼合膠體的情況下，直接地黏著在一起，因此具有製程簡單及製程良率高的優勢。

由於本發明的多層軟性電路板的層與層之間的線路是通過實心銅柱連接，並且實心銅柱及線路為相同的材料，而實心銅柱及線路的表面可以設計為趨近於光滑的表面（如：Rz≤0.2um的表面），因此可以有效改善多層軟性電路板在進行訊號傳輸時，訊號損耗的問題，而使得該多層軟性電路板特別適合應用於4G/5G高速傳輸的相關電子產品中。

以上所公開的內容僅為本發明的優選可行實施例，並非因此侷限本發明的申請專利範圍，所以凡是運用本發明說明書及圖式內容所做的等效技術變化，均包含於本發明的申請專利範圍內。

1000、1000’:多層軟性電路板

100、100’:內嵌式線路層結構

1、1’:圖案化線路

11、11’:實心銅柱

12、12’:內層導電線路

13、13’:填充間隙

2、2’:液晶高分子介電材料層

3:外層導電金屬

31:盲孔結構

4:外層導電線路

C:承載基板

C1:承載面

C2:金屬晶種層

M:圖案化遮罩

M1:圖案化間隙

M’:外層圖案化遮罩

E:導電金屬

H1、H2:高度

P:銅箔基板

圖1為本發明第一實施例軟性電路板的製造方法示意圖（一）。

圖2為本發明第一實施例軟性電路板的製造方法示意圖（二）。

圖3為本發明第一實施例軟性電路板的製造方法示意圖（三）。

圖4為本發明第一實施例軟性電路板的製造方法示意圖（四）。

圖5為本發明第一實施例軟性電路板的製造方法示意圖（五）。

圖6為本發明第一實施例軟性電路板的製造方法示意圖（六）。

圖7為本發明第一實施例軟性電路板的製造方法示意圖（七）。

圖8為本發明第一實施例軟性電路板的製造方法示意圖（八）。

圖9為本發明第一實施例最終形成的軟性電路板的示意圖。

圖10為本發明第二實施例軟性電路板的製造方法示意圖（一）。

圖11為本發明第二實施例軟性電路板的製造方法示意圖（二）。

圖12為本發明第二實施例軟性電路板的製造方法示意圖（三）。

圖13為本發明第二實施例最終形成的軟性電路板的示意圖。

圖14為本發明第三實施例的內嵌式線路層結構的示意圖（一）。

圖15為本發明第三實施例的內嵌式線路層結構的示意圖（二）。

100:內嵌式線路層結構

1:圖案化線路

11:實心銅柱

12:內層導電線路

13:填充間隙

2:液晶高分子介電材料層

3:外層導電金屬

31:盲孔結構

H1、H2:高度

Claims

一種多層軟性電路板的製造方法，其包括：形成至少一內嵌式線路層結構，並且所述內嵌式線路層結構是通過以下步驟所形成：提供一承載基板，其具有一承載面；形成一圖案化線路於所述承載面上；其中，所述圖案化線路包含有至少一實心銅柱、與所述實心銅柱電性連接的至少一內層導電線路、及位於所述實心銅柱及所述內層導電線路之間的至少一填充間隙；以及形成一液晶高分子介電材料層於所述圖案化線路上；其中，所述液晶高分子介電材料層包覆於所述實心銅柱及所述內層導電線路的外圍、並且填充於所述填充間隙中，以使得所述圖案化線路內嵌於所述液晶高分子介電材料層中；其中，至少一所述內嵌式線路層結構的數量為兩個，並且所述多層軟性電路板的製造方法進一步包括：將兩個所述內嵌式線路層結構彼此堆疊在一起；以及將其中一個所述內嵌式線路層結構的所述液晶高分子介電材料層接觸、且直接地黏著於另一個所述內嵌式線路層結構的所述液晶高分子介電材料層。
如申請專利範圍第1項所述的多層軟性電路板的製造方法，其中，在形成所述圖案化線路於所述承載面上的步驟中，所述圖案化線路是通過以下步驟所形成：形成一圖案化遮罩於所述承載面的上方；其中，所述圖案化遮罩的內側包圍形成有多個圖案化間隙；形成多個導電金屬於多個所述圖案化間隙中；以及移除所述圖案化遮罩，並且使得多個所述導電金屬形成為所述圖案化線路。
如申請專利範圍第2項所述的多層軟性電路板的製造方法，其中，在提供所述承載基板的步驟中，所述承載基板的所述承載面上形成有全面覆蓋於其上的一金屬晶種層；在形成所述圖案化遮罩的步驟中，所述圖案化遮罩是直接地形成於所述金屬晶種層上、且位於所述承載面的上方；在形成多個所述導電金屬的步驟中，多個所述導電金屬是自所述金屬晶種層朝著相反於所述承載基板的方向延伸地形成、且填充於多個所述圖案化間隙中；其中，多個所述導電金屬是通過電鍍的方式所形成；以及在移除所述圖案化遮罩之後，所述多層軟性電路板的製造方法進一步包括：對所述金屬晶種層進行蝕刻，以將所述金屬晶種層的未被多個所述導電金屬覆蓋的部分移除，從而使得多個所述導電金屬形成為所述圖案化線路。
如申請專利範圍第1項所述的多層軟性電路板的製造方法，其中，在形成所述液晶高分子介電材料層於所述圖案化線路上之後，所述多層軟性電路板的製造方法進一步包括：移除所述承載基板，以使得所述圖案化線路及所述液晶高分子介電材料層共同形成為一個所述內嵌式線路層結構；其中，在所述內嵌式線路層結構中，所述實心銅柱的底面、在所述承載基板被移除後、被曝露出所述液晶高分子介電材料層、且切齊於所述液晶高分子介電材料層的底面。
如申請專利範圍第4項所述的多層軟性電路板的製造方法，其中，在移除所述承載基板之前，所述多層軟性電路板的製造方法進一步包括：於所述液晶高分子介電材料層的相反於所述承載基板的一側表面上，形成一外層導電金屬，並且讓所述外層導電金屬通過所述實心銅柱而與內嵌於所述液晶高分子介電材料層中的所述內層導電線路彼此電性連接。
如申請專利範圍第4項所述的多層軟性電路板的製造方法，其中，在移除所述承載基板之前，所述多層軟性電路板的製造方法進一步包括：於所述液晶高分子介電材料層的相反於所述承載基板的一側表面上形成一外層導電金屬；其中，所述外層導電金屬能依序通過雷射鑽孔及表面金屬化、而形成一盲孔結構，以使得所述外層導電金屬能通過其盲孔結構與內嵌於所述液晶高分子介電材料層中的所述內層導電線路彼此電性連接。
如申請專利範圍第1項所述的多層軟性電路板的製造方法，其中，兩個所述內嵌式線路層結構的所述液晶高分子介電材料層之間是通過加熱的方式直接地黏著在一起、而未通過任何額外的黏著材料或貼合膠體間接地黏著在一起。
如申請專利範圍第1項所述的多層軟性電路板的製造方法，其進一步包括：將其中一個所述內嵌式線路層結構的所述實心銅柱直接接觸、且電性連接於另一個所述內嵌式線路層結構的所述實心銅柱；其中，其中一個所述內嵌式線路層結構的所述內層導電線路未直接接觸於另一個所述內嵌式線路層結構的所述內層導電線路，並且兩個所述內嵌式線路層結構的所述內層導電線路之間是通過所述液晶高分子介電材料層彼此間隔地設置。
如申請專利範圍第1項所述的多層軟性電路板的製造方法，其中，在每個所述內嵌式線路層結構中，所述實心銅柱的底面切齊於所述內層導電線路的底面，並且所述實心銅柱的高度高於所述內層導電線路的高度，以使得所述實心銅柱與所述內層導電線路是位於相同的液晶高分子介電材料層中、且共同形成一高低斷差的結構。
一種多層軟性電路板，其包括：至少一內嵌式線路層結構，其包含：一圖案化線路，所述圖案化線路包含有至少一實心銅柱、與所述實心銅柱電性連接的至少一內層導電線路、及位於所述實心銅柱及所述內層導電線路之間的至少一填充間隙；以及一液晶高分子介電材料層，其包覆於所述實心銅柱及所述內層導電線路的外圍、並且填充於所述填充間隙中，以使得所述圖案化線路內嵌於所述液晶高分子介電材料層；其中，至少一所述內嵌式線路層結構的數量為兩個，兩個所述內嵌式線路層結構彼此堆疊在一起，並且其中一個所述內嵌式線路層結構的所述液晶高分子介電材料層是接觸、且直接地黏著於另一個所述內嵌式線路層結構的所述液晶高分子介電材料層。