TWI701516B - 投影系統 - Google Patents

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TWI701516B
TWI701516B TW104139223A TW104139223A TWI701516B TW I701516 B TWI701516 B TW I701516B TW 104139223 A TW104139223 A TW 104139223A TW 104139223 A TW104139223 A TW 104139223A TW I701516 B TWI701516 B TW I701516B
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漢司 巴特勒
羅歐 馬登 賽門 露普斯
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克力斯坦 路易斯 范倫丁
沙特 珍 伯納德 波萊奇莫斯 凡
威爾海莫斯 法蘭西斯可思 喬翰尼斯 西蒙斯
里昂 李奧納多斯 法蘭西斯可斯 馬克斯
強夫 羅柏特斯 喬哈奈斯 馬利那斯 迪
勞爾 強漢尼司 伊莉莎白 瑪莉
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Abstract

本發明係關於一種用於一微影裝置之投影系統，其包含：一光學路徑；複數個感測器；一或多個致動器；及一控制器。該光學路徑可操作以接收一輸入輻射光束且將一輸出輻射光束投影至一基板上以形成一影像。該光學路徑包含：複數個光學元件，該複數個光學元件包含：第一組至少兩個光學元件及第二組至少一個光學元件。每一感測器與該複數個光學元件中之一者相關聯且可操作以判定彼光學元件之一位置。每一致動器與該第二組光學元件中之一者相關聯且可操作以調整彼光學元件。該控制器可操作以使用該一或多個致動器以取決於該第一組光學元件之該經判定位置而調整該第二組光學元件，以便至少部分地補償由該第一組光學元件之該等位置造成的光學像差及/或視線誤差。

Description

投影系統
本發明係關於一種用於微影裝置之投影系統，及一種控制投影系統之關聯方法。
微影裝置為經建構以將所要圖案施加至基板上之機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。微影裝置可(例如)將圖案自圖案化器件(例如，光罩)投影至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。此可使用投影系統而達成。
由微影裝置使用以將圖案投影至基板上之輻射之波長判定可形成於彼基板上之特徵之最小的大小。使用為波長在4奈米至20奈米之範圍內之電磁輻射的EUV輻射之微影裝置相較於習知微影裝置(其可(例如)使用波長為193奈米之電磁輻射)可用以在基板上形成較小特徵。
需要增加微影裝置將所要圖案施加至基板之準確度且縮減可造成圖案失真之光學像差。
本發明之一目標係提供至少部分地處理先前技術之問題中之一或多者(無論係在本文中抑或在別處被識別)的用於微影裝置之投影系統。
根據本發明之一第一態樣，提供一種用於一微影裝置之投影系 統，該投影系統包含：一光學路徑，其可操作以接收一輸入輻射光束且將一輸出輻射光束投影至一基板上以形成一影像，該光學路徑包含複數個光學元件，該複數個光學元件包含：第一組至少兩個光學元件及第二組至少一個光學元件；複數個感測器，每一感測器與該複數個光學元件中之一者相關聯且可操作以判定彼光學元件之一位置；一或多個致動器，每一致動器與該第二組光學元件中之一者相關聯且可操作以調整彼光學元件；及一控制器，其中該控制器可操作以使用該一或多個致動器以取決於該第一組光學元件之該經判定位置而調整該第二組光學元件，以便至少部分地補償由該第一組光學元件之該等位置造成的光學像差及/或視線誤差。
有利地，此配置允許藉由調整該第二組光學元件而至少部分地校正由該第一組光學元件之該等位置造成的光學像差。此在第一組光學元件之位置不能被控制的情況下或替代地在第二組光學元件之位置相較於該第一組光學元件之該等位置可較準確地及/或運用一較高頻寬被控制的情況下可特別有利。
該控制器可為可操作以使用一模型以：判定由該第一組光學元件之該等位置造成的一光學像差；及判定至少部分地補償該經判定光學像差的針對該第二組光學元件之一調整。
由該控制器判定之該調整可包含該第二組光學元件中之該或每一光學元件之一位置改變。用於該第二組光學元件中之每一者之該等經判定位置可依據與其標稱位置之偏差予以判定。
該第二組光學元件中之一或多者可為一可調整光學元件。由該控制器判定之該調整可包含該或每一可調整光學元件之一形狀改變。
該投影系統可進一步包含一感測器框架。該複數個感測器中之每一者可為可操作以判定其關聯光學元件相對於該感測器框架之一位置。該複數個光學元件之一全域移動可引起投影至該基板上之該輸出 輻射光束之一移位。該等光學元件中之任一者相對於該等其他光學元件之移動可造成一光學像差。判定每一光學元件相對於該感測器框架之該位置會允許判定所有該等光學元件之全域移位及該等光學元件之相對移動兩者。
另外或替代地，該複數個感測器中之每一者可為可操作以判定其關聯光學元件相對於該複數個光學元件中之一或多個其他者之一位置。
該控制器可為可操作以自每一感測器接收指示其對應光學元件之該位置的一信號。
該控制器可為可操作以產生一信號且將該信號輸出至每一致動器，以便致使將一經判定調整應用於其關聯光學元件。
該複數個感測器中之每一者可具有為其關聯光學元件之最高諧振本徵頻率之最少兩倍的一取樣速率。有利地，此避免取樣之任何混疊效應。
該投影系統可進一步包含與該第一組光學元件中之每一者相關聯之一致動器，該致動器可操作以調整彼光學元件。
該第一組光學元件各自的一控制頻寬比該第二組光學元件中之每一者之控制頻寬低至少1/2。
每一光學元件可包含一鏡面。
該光學路徑可包含六個或六個以上鏡面。
根據本發明之一第二態樣，提供一種微影裝置，其包含：一照明系統，其經組態以調節一輻射光束；一支撐結構，其經建構以支撐一圖案化器件，該圖案化器件能夠在該輻射光束之橫截面中向該輻射光束賦予一圖案以形成一經圖案化輻射光束；一基板台，其經建構以固持一基板；及根據前述技術方案中任一項之一投影系統，其經組態以接收該經圖案化輻射光束作為其輸入輻射光束且將其輸出輻射光束 投影至該基板上。
該複數個感測器中之每一者可具有一足夠高之取樣速率以使得每一光學元件之該位置在該微影裝置之一曝光時間段期間被取樣複數次。
每一感測器之該取樣速率可比該微影裝置之曝光速率大至少十倍。
該控制器可為進一步可操作以取決於該第一組光學元件之該經判定位置而控制該基板台及/或該支撐結構之位置，以便至少部分地補償由該第一組光學元件之該等位置造成的對準誤差。
該微影裝置可進一步包含可操作以在該基板層級處量測該輻射光束之一波前的一感測器。
根據本發明之一第三態樣，提供一種用於控制包含複數個光學元件之一投影系統之方法，該方法包含：判定每一光學元件之一位置；使用一模型以判定由該複數個光學元件中之第一組至少兩個光學元件之該等位置造成的一光學像差及/或視線誤差；使用一模型以判定至少部分地補償該經判定光學像差及/或視線誤差的針對第二組該複數個光學元件中之每一者之一調整；及將該經判定調整應用於該第二組該複數個光學元件中之每一者。
針對該第二組該複數個光學元件中之每一者之該調整可包含彼光學元件之一移動。
另外或替代地，針對該第二組該複數個光學元件中之每一者之該調整可包含彼光學元件之一形狀失真。
該方法可進一步包含將一調整應用於該第一組光學元件。
應用於該第一組光學元件之該調整的一速率可比將該等調整應用於該第二組光學元件之一速率低至少1/2。
該方法可進一步包含：量測由該投影系統形成之一影像之一像 差、一位置或一定向中之至少一者，及使用該等量測以校準該模型。
根據本發明之一第四態樣，提供一種微影裝置，其包含一圖案化器件支撐結構、一投影系統、一基板台及一控制器，其中該投影系統包含：一光學路徑，其可操作以接收一輸入輻射光束且將一輸出輻射光束投影至一基板上以形成一影像，該光學路徑包含複數個光學元件，該複數個光學元件包含：第一組至少兩個光學元件及第二組至少一個光學元件；複數個感測器，每一感測器與該複數個光學元件中之一者相關聯且可操作以判定彼光學元件之一位置；及一或多個致動器，每一致動器與該第二組光學元件中之一者相關聯且可操作以調整彼光學元件；其中該控制器可操作以使用該一或多個致動器以取決於該第一組光學元件之該經判定位置而調整該第二組光學元件，以便至少部分地補償由該第一組光學元件之該等位置造成的一視線誤差及/或光學像差；且其中該控制器進一步可操作以調整該圖案化器件支撐結構及/或該基板台之一位置以縮減該視線誤差及/或該等光學像差。
本發明之此態樣可有利地縮減一視覺誤差及/或光學像差，此係因為其組合地處理該投影系統及該圖案化器件支撐結構及/或該基板台。
該控制器可為可操作以藉由調整該第二組光學元件而縮減該視線誤差及/或該等光學像差以使得留存一殘餘誤差，且接著藉由調整該圖案化器件支撐結構之該位置而縮減該殘餘誤差。
該控制器可為可操作以使用一模型以判定由該等光學元件及該圖案化器件支撐結構組合地造成的一經組合視線誤差及/或一經組合光學像差，且調整該第二組光學元件並調整該圖案化器件支撐結構之該位置以縮減該經組合視線誤差及/或光學像差。
該控制器可為可操作以應用該基板台之饋通控制，使得該基板台之該位置與該圖案化器件支撐結構之該位置同步。
該控制器可為可操作以藉由調整該第二組光學元件而縮減該視線誤差及/或該等光學像差以使得留存一殘餘誤差，且接著藉由調整該基板台之該位置而縮減該殘餘誤差。
該控制器可為可操作以使用一模型以判定由該等光學元件及該基板台組合地造成的一經組合視線誤差及/或一經組合光學像差，且調整該第二組光學元件並調整該基板台之該位置以縮減該經組合視線誤差及/或光學像差。
該控制器可為可操作以應用該圖案化器件支撐結構之饋通控制，使得該圖案化器件支撐結構之該位置與該基板台之該位置同步。
該控制器可為可操作以縮減該視線誤差及/或該等光學像差以使得留存一殘餘誤差，且接著藉由調整該圖案化器件支撐結構之該位置並調整該基板台之該位置而縮減該殘餘誤差。
該控制器可為可操作以使用一模型以判定由該等光學元件、該圖案化器件支撐結構及該基板台組合地造成的一經組合視線誤差及/或一經組合光學像差，且調整該第二組光學元件、調整該圖案化器件支撐結構之該位置並調整該基板台之該位置以縮減該經組合視線誤差及/或光學像差。
該圖案化器件支撐結構之該經調整位置及/或該基板台之該經調整位置的一誤差可由該控制器判定及使用以將一另外調整應用於第二組光學元件。
由該控制器判定之該調整可包含該第二組光學元件中之該或每一光學元件之一位置改變。
該第二組光學元件中之一或多者可為一可調整光學元件，且由該控制器判定之該調整可包含該或每一可調整光學元件之一形狀改變。
該微影裝置可進一步包含與該等光學元件中之至少一者相關聯 的一加速度感測器。
根據本發明之一第五態樣，提供一種微影裝置，其包含一圖案化器件支撐結構、一投影系統、一基板台及一控制器，其中該投影系統包含：一光學路徑，其可操作以接收一輸入輻射光束且將一輸出輻射光束投影至一基板上以形成一影像，該光學路徑包含複數個光學元件；複數個感測器，每一感測器與該複數個光學元件中之一者相關聯且可操作以判定彼光學元件之一位置；及複數個致動器，每一致動器與一光學元件相關聯且可操作以調整彼光學元件；其中該控制器可操作以使用該等致動器以最小化該等光學元件之間的相對移動。
該控制器可進一步為可操作以調整該圖案化器件支撐結構及/或該基板台之位置以至少部分地補償該等光學元件之淨移動。
根據本發明之一第六態樣，提供一種用於控制一微影裝置之方法，該微影裝置包含一圖案化器件支撐結構、包含複數個光學元件之一投影系統、及一基板台，該方法包含：判定每一光學元件之一位置；使用一模型以判定由該複數個光學元件中之第一組至少兩個光學元件之該等位置造成的一視線誤差及/或光學像差；使用一模型以判定針對第二組該複數個光學元件中之每一者之一調整，且判定至少部分地補償該經判定視線誤差及/或該光學像差的對該圖案化器件支撐結構及/或該基板台之一位置之一調整；及將該經判定調整應用於該第二組該複數個光學元件中之每一者且將該經判定調整應用於該圖案化器件支撐結構及/或該基板台之該位置。
可藉由調整該第二組該複數個光學元件而縮減該視線誤差及/或光學像差以使得留存一殘餘誤差，接著可藉由調整該圖案化器件支撐結構之該位置而縮減彼殘餘誤差。
可使用一模型以判定由該等光學元件及該圖案化器件支撐結構組合地造成的一經組合視線誤差及/或一經組合光學像差，且可調整 該第二組光學元件並可調整該圖案化器件支撐結構之該位置以縮減該經組合視線誤差及/或光學像差。
可藉由調整該第二組該複數個光學元件而縮減該視線誤差及/或光學像差以使得留存一殘餘誤差，接著可藉由調整該基板台之該位置而縮減彼殘餘誤差。
可使用一模型以判定由該等光學元件及該基板台組合地造成的一經組合視線誤差及/或一經組合光學像差，且可調整該第二組光學元件並可調整該基板台之該位置以縮減該經組合視線誤差及/或光學像差。
應用於該第二組光學元件之該調整可包含該第二組光學元件中之該或每一光學元件之一位置改變。
該第二組光學元件中之一或多者可為一可調整光學元件，且該調整可包含該或每一可調整光學元件之一形狀改變。
根據本發明之一第七態樣，提供一種用於控制一微影裝置之方法，該微影裝置包含一圖案化器件支撐結構、包含複數個光學元件之一投影系統、及一基板台，該方法包含判定每一光學元件之一位置，及使用致動器以移動該等光學元件中之至少一些以便最小化該等光學元件之間的相對移動。
該方法可進一步包含調整該圖案化器件支撐結構及/或該基板台之位置以至少部分地補償該等光學元件之淨移動。
上文或下文所闡明的本發明之各種態樣及特徵可與本發明之各種其他態樣及特徵進行組合，如對於熟習此項技術者而言將容易顯而易見。
1‧‧‧雷射
2‧‧‧雷射光束
3‧‧‧燃料發射器
4‧‧‧電漿形成區
5‧‧‧近正入射輻射收集器
6‧‧‧中間焦點
7‧‧‧電漿
8‧‧‧開口
9‧‧‧圍封結構
10‧‧‧琢面化場鏡面器件
11‧‧‧琢面化光瞳鏡面器件
13‧‧‧鏡面
14‧‧‧鏡面
16‧‧‧預脈衝雷射
17‧‧‧預脈衝雷射光束
18‧‧‧主雷射
19‧‧‧主雷射光束
20‧‧‧輻射收集器
21‧‧‧圍封體結構/圍封體/噴射器
22‧‧‧開口/線性加速器
23‧‧‧掠入射反射器/聚束壓縮器
24‧‧‧掠入射反射器/波盪器
25‧‧‧掠入射反射器
26‧‧‧污染截留器/電子減速器
27‧‧‧窗口
28‧‧‧窗口
29‧‧‧鏡面
100‧‧‧光束截止器/光學路徑/光學系統
200‧‧‧光學路徑
A1‧‧‧致動器
A1'‧‧‧致動器
A2‧‧‧致動器
A2'‧‧‧致動器
A3‧‧‧致動器
A3'‧‧‧致動器
A4‧‧‧致動器
B‧‧‧輻射光束
B'‧‧‧主輻射光束
Ba-Bn‧‧‧分支輻射光束
BDS‧‧‧光束遞送系統
BFEL‧‧‧輻射光束
Bin‧‧‧輸入輻射光束
Bout‧‧‧輸出輻射光束
CN‧‧‧控制器
CN'‧‧‧控制器
E‧‧‧電子射束
F‧‧‧感測器框架
F'‧‧‧支撐框架
FEL‧‧‧自由電子雷射
IL‧‧‧照明系統
LA‧‧‧微影裝置
LAa-LAn‧‧‧微影工具/微影裝置
LS‧‧‧微影系統
M1‧‧‧鏡面
M1'‧‧‧鏡面
M2‧‧‧鏡面
M2'‧‧‧鏡面
M3‧‧‧鏡面
M3'‧‧‧鏡面
M4‧‧‧鏡面
MA‧‧‧圖案化器件
MT‧‧‧支撐結構
O‧‧‧光軸
PS‧‧‧投影系統
PS1‧‧‧投影系統
PS2‧‧‧投影系統
S‧‧‧感測器
S1‧‧‧感測器
S1'‧‧‧感測器
S2‧‧‧感測器
S2'‧‧‧感測器
S3‧‧‧感測器
S3'‧‧‧感測器
S4‧‧‧感測器
SO1‧‧‧輻射源
SO2‧‧‧輻射源
SO3‧‧‧輻射源
W‧‧‧基板
WT‧‧‧基板台
現在將參看隨附示意性圖式而僅作為實例來描述本發明之實施例，在圖式中：
- 圖1描繪根據本發明之一實施例的包含投影系統之微影裝置；
- 圖2描繪可將輻射供應至圖1之微影裝置的輻射源；
- 圖3描繪可將輻射供應至圖1之微影裝置的另一輻射源；
- 圖4為微影系統之示意性說明，圖1之微影裝置可形成該微影系統之部分；
- 圖5為可形成圖4之微影系統之部分的自由電子雷射之示意性說明；
- 圖6為根據本發明之一實施例的投影系統之示意性說明，該投影系統可形成圖1之微影裝置之部分；及
- 圖7為根據本發明之一實施例的另一投影系統之示意性說明，該另一投影系統可形成圖1之微影裝置之部分。
- 圖8示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置之部分。
圖1展示根據本發明之一個實施例的包括投影系統PS之微影裝置LA。微影裝置LA進一步包含照明系統IL、經組態以支撐圖案化器件MA(例如，光罩)之支撐結構MT，及經組態以支撐基板W之基板台WT。照明系統IL經組態以在輻射光束B入射於圖案化器件MA上之前接收及調節輻射光束B。投影系統PS經組態以將輻射光束B(現在由光罩MA圖案化)投影至基板W上。基板W可包括先前形成之圖案。在此狀況下，微影裝置LA將經圖案化輻射光束B與先前形成於基板W上之圖案對準。
微影裝置LA可形成微影系統之部分，該微影系統進一步包含輻射源。輻射源經組態以產生極紫外線(EUV)輻射光束B。
在一些實施例中，微影裝置LA具備專用輻射源。亦即，微影系統包含一個輻射源及僅一個微影裝置。對於此等實施例，輻射源可(例如)為雷射產生電漿(LPP)EUV輻射源。
圖2所展示之輻射源SO1屬於可被稱作雷射產生電漿(LPP)源之類型。可(例如)為CO2雷射之雷射1經配置以經由雷射光束2而將能量沈積至自燃料發射器3提供的諸如錫(Sn)之燃料中。儘管在以下描述中提及錫，但可使用任何合適燃料。燃料可(例如)呈液體形式，且可(例如)為金屬或合金。燃料發射器3可包含經組態以沿著朝向電漿形成區4之軌跡導向(例如)呈小滴之形式之錫的噴嘴。雷射光束2在電漿形成區4處入射於錫上。雷射能量至錫中之沈積會在電漿形成區4處產生電漿7。在電漿之離子之去激發及再結合期間自電漿7發射包括EUV輻射之輻射。
由近正入射輻射收集器5(有時更一般化地被稱作正入射輻射收集器)收集及聚焦EUV輻射。收集器5可具有經配置以反射EUV輻射(例如，具有諸如13.5奈米之所要波長之EUV輻射)之多層結構。收集器5可具有橢圓形組態，其具有兩個橢圓焦點。第一焦點可處於電漿形成區4，且第二焦點可處於中間焦點6，如下文所論述。
雷射1可與輻射源SO1分離。在此狀況下，雷射光束2可憑藉包含(例如)合適導向鏡面及/或光束擴展器及/或其他光學件之光束遞送系統(圖中未繪示)而自雷射1傳遞至輻射源SO1。雷射1及輻射源SO1可一起被視為輻射系統。
由收集器5反射之輻射形成輻射光束B。輻射光束B聚焦於點6處以形成電漿形成區4之影像，其充當用於照明系統IL之虛擬輻射源。輻射光束B聚焦之點6可被稱作中間焦點。輻射源SO1經配置以使得中間焦點6位於輻射源之圍封結構9中之開口8處或附近。
圖3展示具有對圖2所展示之輻射源之替代組態的雷射產生電漿(LPP)輻射源SO2。輻射源SO2包括經組態以將燃料遞送至電漿形成區4之燃料發射器3。燃料可(例如)為錫，但可使用任何合適燃料。預脈衝雷射16發射預脈衝雷射光束17，其入射於燃料上。預脈衝雷射光束 17用以預加熱燃料，藉此改變燃料之屬性，諸如其大小及/或形狀。主雷射18發射主雷射光束19，其在預脈衝雷射光束17之後入射於燃料上。主雷射光束將能量遞送至燃料，且藉此將燃料轉換成EUV輻射發射電漿7。
可為所謂掠入射收集器之輻射收集器20經組態以收集EUV輻射，且將EUV輻射聚焦於可被稱作中間焦點之點6處。因此，輻射發射電漿7之影像形成於中間焦點6處。輻射源SO2之圍封體結構21包括在中間焦點6處或附近之開口22。EUV輻射通過開口22而傳遞至微影裝置(例如，屬於圖1示意性地所展示之形式)之照明系統。
輻射收集器20可為巢套式收集器，其具有複數個掠入射反射器23、24及25(例如，如示意性地所描繪)。掠入射反射器23、24及25可經安置成圍繞光軸O軸向地對稱。所說明之輻射收集器20僅僅作為一實例被展示，且可使用其他輻射收集器。
污染截留器26位於電漿形成區4與輻射收集器20之間。污染截留器26可(例如)為旋轉箔片截留器，或可為任何其他合適形式之污染截留器。在一些實施例中，可省略污染截留器26。
輻射源SO2之圍封體21包括預脈衝雷射光束17可傳遞至電漿形成區4所通過的窗口27，及主雷射光束19可傳遞至該電漿形成區所通過的窗口28。鏡面29用以將主雷射光束19通過污染截留器26中之開口而導向至電漿形成區4。
圖2及圖3所展示之輻射源SO1、SO2可包括未繪示之組件。舉例而言，光譜濾光器可提供於輻射源中。光譜濾光器可實質上透射EUV輻射，但實質上阻擋其他波長之輻射，諸如紅外線輻射。
在一替代實施例中，微影系統可包含各自將輻射提供至複數個微影裝置LA之一或多個輻射源。圖4展示根據本發明之一個實施例的此微影系統LS。微影系統LS包含輻射源SO3、光束遞送系統BDS及複 數個微影工具LAa至LAn。輻射源SO3經組態以產生極紫外線(EUV)輻射光束B'(其可被稱作主光束)，且可(例如)包含至少一個自由電子雷射。微影工具LAa至LAn中之每一者可實質上屬於圖1所展示之微影裝置LA之形式，但將瞭解，該等工具並不受到如此限制。舉例而言，工具可包含微影裝置、光罩檢測裝置或空中影像量測系統(AIMS)。
光束遞送系統BDS包含光束分裂光學件。光束分裂光學件將主輻射光束B'分裂成n個單獨輻射光束Ba至Bn(其可被稱作分支光束)，該等輻射光束中之每一者經導向至n個微影裝置LA1至LAn中之一不同微影裝置。
光束遞送系統BDS可進一步包含光束擴展光學件及/或光束塑形光學件。光束擴展光學件可經配置以增加主輻射光束B'及/或分支輻射光束Ba至Bn之橫截面積。此減低光束擴展光學件下游之鏡面上之熱負荷之功率密度。此可允許光束擴展光學件下游之鏡面屬於較低規格、具有較少冷卻且因此較不昂貴。另外，此等鏡面上之較低功率密度造成歸因於熱膨脹的其光學表面之較少變形。另外或替代地，縮減下游鏡面上之熱負荷之功率密度可允許此等鏡面接收處於較大掠入射角之主輻射光束或分支輻射光束。舉例而言，鏡面可接收處於5度而非(比如)2度之掠入射角之輻射。光束塑形光學件可經配置以更改主輻射光束B'及/或分支輻射光束Ba至Bn之橫截面形狀及/或強度剖面。
在替代實施例中，光束遞送系統BDS可不包含光束擴展光學件或光束塑形光學件。
在一些實施例中，光束遞送系統BDS可包含光束縮減光學件，其可經配置以減低主輻射光束B'及/或分支輻射光束中之一或多者之橫截面積。如上文所論述，光束擴展光學件可縮減由光束遞送系統BDS內之鏡面接收之熱負荷之功率密度，此可為理想的。然而，光束擴展光學件亦將增加該等鏡面之大小，此可為不理想的。光束擴展光學件 及光束縮減光學件可用以達到所要光束大小，其可為造成低於給定臨限值位準之光學像差之最小光束橫截面。
再次參看圖4，輻射源SO3經組態以產生具有足夠功率以向微影裝置LAa至LAn中之每一者供應之EUV輻射光束B'。如上文所指出，輻射源SO3可包含自由電子雷射。圖5為包含噴射器21、線性加速器22、聚束壓縮器23、波盪器24，電子減速器26及光束截止器100之自由電子雷射FEL的示意性描繪。
噴射器21經配置以產生聚束式電子射束E，其係由線性加速器22加速至較高能量。噴射器21及線性加速器22可被視為形成可操作以產生聚束式相對論性電子射束E之電子源。視情況，電子射束E傳遞通過安置於線性加速器22與波盪器24之間的聚束壓縮器23。聚束壓縮器23可經配置以空間上壓縮電子射束E中之現有電子聚束。
電子射束E接著傳遞通過波盪器24。波盪器24包含週期性磁體結構，其可操作以產生週期性磁場且經配置以便沿著週期性路徑導引由噴射器21及線性加速器22產生之相對論性電子射束E。因此，在波盪器24內，電子大體上在其週期性路徑之中心軸線之方向上輻射電磁輻射。
隨著電子移動通過波盪器24，其與輻射之電場相互作用，從而與輻射交換能量。一般而言，除非條件接近諧振條件，否則在電子與輻射之間交換的能量之量將快速地振盪。在諧振條件下，電子一起聚束成微聚束，其在波盪器24內以輻射波長被調變，且沿著中心軸線之相干輻射發射受到刺激。
在波盪器24內由電子射束遵循之路徑可為正弦形且平面的，其中電子週期性地穿越中心軸線，或可為螺旋狀的，其中電子圍繞中心軸線而旋轉。振盪路徑之類型可影響由自由電子雷射發射之輻射之偏振。舉例而言，致使電子沿著螺旋狀路徑傳播之自由電子雷射可發射 圓形偏振輻射，且致使電子沿著正弦形路徑傳播之自由電子雷射可發射線性偏振輻射。
波盪器24中產生之輻射作為輻射光束BFEL退出該波盪器，輻射光束BFEL可(例如)對應於圖4中之輻射光束B'。
在離開波盪器24之後，由截止器100吸收電子射束E。可藉由將電子射束E導向通過安置於波盪器24與光束截止器100之間的減速器26而在電子射束E中之電子進入截止器100之前縮減該等電子之能量。在一實施例中，退出波盪器24之電子射束E可由線性加速器22減速。亦即，線性加速器22可用以減速自波盪器24輸出之電子且用以加速自噴射器21輸出之電子。此配置被稱為能量恢復線性加速器(ERL)。
再次參看圖1，照明系統IL及投影系統PS兩者可經建構及配置以使得其可與外部環境隔離。真空可提供於照明系統IL及/或投影系統PS中。在良好地低於大氣壓力之壓力下的少量氣體(例如，氫)可提供於照明系統IL及/或投影系統PS中。
輻射光束B傳遞至照明系統IL中，照明系統IL經組態以調節該輻射光束。照明系統IL可包括琢面化場鏡面器件10及琢面化光瞳鏡面器件11。琢面化場鏡面器件10及琢面化光瞳鏡面器件11一起向輻射光束B提供所要橫截面形狀及所要角度分佈。輻射光束B自照明系統IL傳遞且入射於由支撐結構MT固持之圖案化器件MA上。圖案化器件MA反射及圖案化輻射光束B。除了琢面化場鏡面器件10及琢面化光瞳鏡面器件11以外或代替琢面化場鏡面器件10及琢面化光瞳鏡面器件11，照明系統IL亦可包括其他鏡面或器件。
在自圖案化器件MA反射之後，經圖案化輻射光束B進入投影系統PS。投影系統PS包含經組態以將輻射光束B投影至由基板台WT固持之基板W上的複數個鏡面13、14。投影系統PS可將縮減因數應用於輻射光束，從而形成特徵小於圖案化器件MA上之對應特徵之影像。 舉例而言，可應用為4之縮減因數。
微影裝置LA可(例如)用於掃描模式中，其中同步地掃描支撐結構MT及基板台WT，同時將被賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分上(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之縮小率及影像反轉特性而判定基板台WT相對於支撐結構MT之速度及方向。
由基板W之目標部位接收之輻射的劑量取決於該目標部位被曝光之輻射光束(例如，經圖案化輻射光束B)的功率，及基板W之目標部位被曝光至該輻射光束的時間量。在一實施例中，微影裝置LA可經組態以在掃描模式中操作，使得藉由相對於橫向於掃描方向的橫越基板W之目標部分延伸之輻射帶來掃描基板W而曝光該目標部分。輻射帶可被稱作曝光隙縫。在基板W上之目標部位處接收之輻射的劑量取決於輻射光束(例如，經圖案化輻射光束B)被導向至彼目標部位上期間的曝光時間段，及在該曝光時間段期間發生於輻射光束中之脈衝的數目及持續時間。舉例而言，在掃描微影裝置LA中，基板W之目標部位被曝光至輻射光束的時間量取決於使彼目標部位行進通過曝光隙縫所花費之時間。在目標部位處接收之輻射的劑量取決於在彼曝光時間段期間發生之輻射光束之脈衝的數目，及與每一脈衝一起遞送至目標部位之平均能量。在一實施例中，可相對於曝光隙縫來掃描基板W，使得曝光時間段為大約1毫秒。在其他實施例中，曝光時間段可大於1毫秒，且可(例如)長達5毫秒(例如，歸因於晶圓相對於曝光隙縫之較慢掃描移動)。
儘管投影系統PS在圖1中被描繪為具有兩個鏡面13、14，但將瞭解，此為投影系統PS之示意性表示，且實務上，投影系統PS可包括任何數目個鏡面。舉例而言，在一些實施例中，投影系統PS可包含兩個以上鏡面(例如，六個或六個以上鏡面)。具有兩個以上鏡面係有利的，此係因為其增加投影系統PS可被調整之範圍，例如，以縮減光學 像差。因此，具有兩個以上鏡面(例如，六個或六個以上鏡面)之投影系統相較於具有兩個鏡面之配置可允許在基板W上形成較佳品質之影像。
圖6展示根據本發明之一個實施例的投影系統PS1，其可形成圖1之投影系統PS。投影系統PS1包含可操作以接收輸入輻射光束Bin(其對應於來自圖案化器件MA之經圖案化輻射光束B)且將輸出輻射光束Bout投影至由基板台WT固持之基板W(圖6中未繪示)上的光學路徑100。光學路徑100包含四個鏡面M1、M2、M3，M4。將瞭解，光學路徑100可進一步包含額外鏡面(圖中未繪示)。圖6為投影系統PS1之示意性表示，且已線性地表示光學路徑100。然而，將瞭解，輻射沿著光學路徑100(光軸)之方向將在每一鏡面M1、M2、M3、M4處改變。
一般而言，投影系統PS1之鏡面M1、M2、M3、M4中之任一者相對於光罩支撐結構MT及/或基板台WT之任何移動將影響投影至基板W上之影像。形成光學路徑100之鏡面M1、M2、M3、M4之全域移動可引起視線誤差，從而造成基板W上之影像相對於基板W平移。若未經校正，則此可引起對準/疊對誤差，亦即，影像可相對於先前已形成於基板W上之圖案移位。另外，鏡面M1、M2、M3、M4中之任一者相對於其他鏡面M1、M2、M3、M4之任何移動可造成形成於基板W上之影像失真。詳言之，鏡面M1、M2、M3、M4中之任一者相對於其他鏡面M1、M2、M3、M4之移動可在輻射光束傳遞通過投影系統PS1之後造成輻射光束之波前(亦即，恆相線)失真。此可被稱作光學像差。當鏡面M1、M2、M3、M4中之每一者處於所要位置(其可被稱作標稱位置)中時，可達成基板W上之最佳成像。亦即，當鏡面M1、M2、M3、M4中之每一者安置於其標稱位置中時，投影至基板W上之影像可為所要影像。當鏡面M1、M2、M3、M4中之一或多者自其標 稱位置位移時，投影至基板W上之影像可失真及/或移位。亦即，鏡面M1、M2、M3、M4中之任一者與其標稱位置之任何偏差可引起視線誤差及/或光學像差。
投影系統PS1進一步包含感測器框架F。鏡面M1、M2、M3、M4中之每一者相對於感測器框架F之位置受到主動地控制，如現在所描述。亦即，感測器框架F充當用於鏡面M1、M2、M3、M4中之每一者之位置參考。將瞭解，對於任何三維物件，術語「位置」可指該物件之部位(例如，其質心之部位)及/或該物件之定向。因此，可使用六個自由度(三個用於其部位且三個用於其定向)來特性化每一鏡面之位置。
投影系統PS1進一步包含複數個感測器S1、S2、S3、S4。每一感測器S1、S2、S3、S4分別與鏡面M1、M2、M3、M4中之一者相關聯且可操作以判定及輸出指示彼光學元件相對於感測器框架F之位置的信號。每一感測器可包含一或多個線性編碼器，每一線性編碼器包含經配置以讀取刻度之編碼器頭，該刻度指示位置。編碼器頭可安置於感測器框架F上，且刻度可提供於鏡面M1、M2、M3、M4中之每一者之本體上。每一感測器S1、S2、S3、S4可操作以按一取樣速率取樣其關聯鏡面M1、M2、M3、M4相對於感測器框架F之位置(且輸出指示該位置之信號)。每一感測器S1、S2、S3、S4之取樣速率可取決於所使用之編碼器頭之類型。每一感測器S1、S2、S3、S4可使用相同類型之感測器頭且可為可操作以按實質上相同取樣速率取樣其關聯鏡面M1、M2、M3、M4相對於感測器框架F之位置。取樣速率可足夠高以使得每一鏡面M1、M2、M3、M4相對於感測器框架F之位置在微影裝置LA之曝光時間段(亦即，基板上之給定部位接收到經圖案化輻射期間之時間)期間被取樣若干次。此可被稱作即時取樣。在一些實施例中，每一感測器S1、S2、S3、S4之取樣速率可比微影裝置LA之曝 光速率(被定義為曝光時間段之倒數)大至少十倍。在一些實施例中，曝光時間段可為大約1毫秒(等效於1kHz之曝光速率)，且每一感測器S1、S2、S3、S4之取樣速率可為大約數十kHz，例如，介於10kHz至20kHz之間。每一感測器S1、S2、S3、S4之取樣頻率可為其關聯鏡面M1、M2、M3、M4之最高諧振(本徵)頻率的至少兩倍。此避免取樣之任何混疊效應。
感測器框架F之任何變形將導致鏡面M1、M2、M3、M4之位置誤差，此又將引起視線誤差及/或光學像差。儘管將發生感測器框架F之一些變形，但感測器框架F可足夠熱穩定及機械穩定以將此等誤差保持低於可接受的容差位準。
投影系統PS1進一步包含複數個致動器A1、A2、A3、A4。每一致動器A1、A2、A3、A4分別與鏡面M1、M2、M3、M4中之一者相關聯且可操作以更改彼鏡面M1、M2、M3、M4之位置。
投影系統PS1進一步包含鏡面支撐框架F'。鏡面M1、M2、M3、M4中之每一者經由其關聯致動器A1、A2、A3、A4而連接至鏡面支撐框架F'。替代地，在其他實施例中，鏡面M1、M2、M3、M4中之每一者可經由其關聯致動器A1、A2、A3、A4而連接至感測器框架F。
每一致動器A1、A2、A3、A4可操作以運用控制頻寬來更改其對應鏡面M1、M2、M3、M4相對於感測器框架F之位置。每一鏡面M1、M2、M3、M4之控制頻寬可被定義為如下頻率：在低於該頻率的情況下，彼鏡面M1、M2、M3、M4準確地追蹤感測器框架F。舉例而言，致動器A1、A2、A3、A4可經配置以使得當感測器框架F移動時，其對應鏡面將以相似方式移動以便補償感測器框架F之運動且維持鏡面M1、M2、M3、M4相對於感測器框架F之位置。每一鏡面M1、M2、M3、M4不能補償頻率高於其控制頻寬的感測器框架F之任何移動。通常，每一鏡面M1、M2、M3、M4可補償頻率低於其控制 頻寬的感測器框架F之任何移動。另外，鏡面M1、M2、M3、M4之控制頻寬與感測器框架F之運動頻率之間的差愈大，則鏡面對彼運動之補償可愈準確。舉例而言，具有50Hz及200Hz之各別頻寬之兩個鏡面將皆能夠補償頻率在5Hz至20Hz之範圍內的感測器框架之運動。然而，具有200Hz之頻寬之鏡面將以較大準確度補償運動。若第一鏡面具有比第二鏡面之頻寬大α倍的頻寬，則第一鏡面之追蹤準確度可比第二鏡面之追蹤準確度大大約α4倍(對於良好地低於兩個控制頻寬的感測器框架F之運動)。應注意，自高於及低於每一鏡面之控制頻寬之行為的轉變並非不連續的。實情為，存在以每一鏡面M1、M2、M3、M4之控制頻寬為中心的頻率範圍，其中放大感測器框架F相對於彼鏡面M1、M2、M3、M4之移動。
將視線誤差及/或光學像差維持低於指定位準所需要之控制頻寬可取決於感測器框架F之移動量及其頻譜。對於微影裝置LA用於掃描模式中之實施例，頻譜可取決於支撐結構MT及基板台WT之掃描運動之頻率。在一些實施例中，此掃描運動可具有在5Hz至20Hz之範圍內的頻率。
每一鏡面M1、M2、M3、M4之控制頻寬可取決於所使用之致動器A1、A2、A3、A4之類型。另外，每一致動器A1、A2、A3、A4可提供之最大頻寬受到其關聯鏡面M1、M2、M3、M4之諧振頻率限制。每一鏡面M1、M2、M3、M4之諧振頻率取決於鏡面M1、M2、M3、M4之機械設計(亦即，其大小及形狀)，及其被形成所用之材料。舉例而言，相對薄之鏡面具有相對低之諧振頻率且因此具有低控制頻寬。另外，相對大之鏡面傾向於相對平坦，且因此傾向於具有較低諧振頻率並因此具有較低控制頻寬。
在一些實施例中，形成光學路徑100之複數個鏡面M1、M2、M3、M4具有不同控制頻寬之範圍。詳言之，鏡面M1、M2、M3、M4 中之至少兩者相較於其他鏡面可具有顯著較低之控制頻寬。在一個實施例中，第一組鏡面M1、M4具有相對低之控制頻寬，且第二組鏡面M2、M3具有相對高之控制頻寬。舉例而言，第一組鏡面M1、M4可大於且薄於第二組鏡面M2、M3。鏡面M1、M4可具有(例如)大約<100Hz(例如，大約50Hz)之控制頻寬。鏡面M2、M3可具有(例如)大約<1KHz(例如，大約200Hz)之控制頻寬。應注意，對於鏡面具有大約50Hz之控制頻寬且鏡面M2、M3具有大約200Hz之控制頻寬的實施例，鏡面M2、M3之追蹤準確度可比鏡面M1、M4之追蹤準確度大大約44=256。
一般而言，第一組鏡面M1、M4的控制頻寬可(例如)比第二組鏡面M2、M3之控制頻寬低至少1/2。第一組鏡面M1、M4可(例如)具有比第二組鏡面M2、M3之控制頻寬低大約四倍或四倍以上的控制頻寬。
每一致動器A1、A2、A3、A4可包含一或多個線性馬達。每一線性馬達可(例如)控制與彼致動器A1、A2、A3、A4相關聯之鏡面M1、M2、M3、M4在不同方向上之運動。每一線性馬達可為勞侖茲(Lorentz)型致動器，其包含定子及動子。定子可安置於支撐鏡面M1、M2、M3、M4之鏡面支撐框架F'上，且動子可直接地連接至鏡面M1、M2、M3、M4之本體。動子可包含由一或多個永久磁體形成之磁軛，且動子可包含一或多個導線線圈。當通過一或多個線圈提供電流時，圍繞線圈產生磁場，該磁場與由永久磁體產生之磁場相互作用，使得定子將力施加於動子上。
投影系統PS1進一步包含控制器CN。控制器CN可操作以自每一感測器S1、S2、S3、S4接收指示其對應鏡面M1、M2、M3、M4相對於感測器框架F之位置的信號。控制器CN進一步可操作以回應於來自每一感測器之信號而產生一信號且將該信號輸出至每一致動器A1、 A2、A3、A4。可使用模型來產生由控制器CN產生及輸出之信號。該等信號可使得致動器A1、A2、A3、A4移動其各別鏡面M1、M2、M3、M4，以便縮減鏡面M1、M2、M3、M4之位置與其標稱位置之偏差。因此，該等信號可使得致動器A1、A2、A3、A4移動其各別鏡面M1、M2、M3、M4，以便縮減視線誤差及光學像差。
該等信號可使得致動器A1、A2、A3、A4移動其各別鏡面M1、M2、M3、M4，以便將任何視線誤差縮減至低於指定對準臨限值位準。亦即，致動器A1、A2、A3、A4可移動其各別鏡面M1、M2、M3、M4，以便縮減鏡面M1、M2、M3、M4自其標稱位置之任何全域移動。指定對準臨限值位準可取決於微影裝置LA之臨界尺寸。在一些實施例中，指定臨限值位準可小於1奈米，例如，為0.25奈米或0.1奈米。
相似地，該等信號可使得致動器A1、A2、A3、A4移動其各別鏡面M1、M2、M3、M4，以便將光學像差位準縮減至低於指定像差臨限值位準。亦即，致動器A1、A2、A3、A4可移動其各別鏡面M1、M2、M3、M4，以便縮減鏡面M1、M2、M3、M4中之任一者相對於其他鏡面M1、M2、M3、M4之任何移動。光學像差可被定義為在輻射光束傳遞通過投影系統PS1之後的輻射光束之波前(亦即，恆相線)失真。因此，光學像差可被視為引入對輸出輻射光束Bout之波前形狀之調變。光學像差之大小可被視為此調變之大小，其可被表達為輻射波長之分率。在一些實施例中，用於光學像差之指定像差臨限值位準針對EUV輻射可為大約0.02奈米，其可為用於微影裝置之總光學像差規格的大約十分之一。
指定對準及像差臨限值位準設定鏡面M1、M2、M3、M4應被控制之準確度。指定臨限值位準愈小，則鏡面M1、M2、M3、M4應被控制之準確度愈高。
如上文所描述，在本發明之實施例中，一組至少兩個鏡面M1、M4具有有限控制頻寬。然而，感測器S1、S4可操作以即時準確地監測此等鏡面M1、M4之位置。一般而言，此兩個鏡面M1、M4中之任一者之位置與其標稱位置之任何偏差將造成視線誤差及/或光學像差。
控制器CN可操作以判定由鏡面M1、M4之位置與其標稱位置之任何此類偏差造成的光學像差。可出於判定由鏡面M1、M4之位置與其標稱位置之偏差造成的光學像差之目的而將其他鏡面M2、M3假定為處於其標稱位置。可自如由感測器S1、S4所判定的鏡面M1、M4中之每一者之位置判定光學像差。亦即，存在定義光學像差之十二個輸入值(針對兩個鏡面M1、M4中之每一者之位置有六個自由度)。然而，此十二個輸入值可不為獨立的，且該等輸入值中之一些可為相關的。取決於鏡面M1、M4之形狀，該等輸入值中之一些相較於其他輸入值可對經判定光學像差具有較大效應。
控制器CN進一步可操作以判定將至少部分地補償經判定光學像差的針對其他鏡面M2、M3中之每一者之調整。經判定調整為用於鏡面M2、M3中之每一者之經判定位置。亦即，控制器CN可操作以判定縮減形成於基板W上之影像之光學像差位準的用於其他鏡面M2、M3中之每一者之位置(與其標稱位置之偏差)。由控制器CN使用模型來判定用於其他鏡面M2、M3中之每一者之位置。以此方式達成的光學像差之校正可不為完美的，但其可縮減光學像差且可使影像在指定容差位準內。控制器CN進一步可操作以將信號輸出至與其他鏡面M2、M3相關聯之致動器A2、A3中之每一者，以便致使該等鏡面M2、M3中之每一者移動至該等經判定位置。
控制器CN亦可為可操作以將信號發送至基板台WT之致動器(圖中未繪示)。該信號可致使基板台WT移動以便至少部分地校正由鏡面 M1、M4之位置造成的任何視線誤差。另外或替代地，控制器CN亦可為可操作以將信號發送至光罩支撐結構MT之致動器(圖中未繪示)。該信號可致使光罩支撐結構MT移動以便至少部分地校正由鏡面M1、M4之位置造成的任何視線誤差。
因為可以高取樣速率準確地量測每一鏡面M1、M2、M3、M4之位置，所以可即時判定由鏡面M1、M4造成的經組合視線誤差及光學像差。此資訊可接著用以驅使高頻寬鏡面M2、M3校正視線誤差及/或光學像差。
因此，儘管存在具有相對低之控制頻寬之至少兩個鏡面M1、M4，但投影系統PS1仍可操作以即時校正由此兩個鏡面M1、M4造成的光學像差及視線誤差。相較於藉由使用標準主動回饋迴路歸因於鏡面M1、M4之低控制頻寬而將可能達成的情形，此配置可用以達成改良的視線準確度。
如上文所描述，將瞭解，光學路徑100可包含四個以上鏡面M1、M2、M3、M4。舉例而言，在一些實施例中，投影系統PS1可包含六個或六個以上鏡面。對於此等實施例，光學系統100可包含具有相對低之控制頻寬之兩個或兩個以上鏡面，且剩餘鏡面可具有相對高之控制頻寬。另外，光學路徑100可包含三個鏡面：具有相對低之控制頻寬之兩個鏡面，及具有相對高之控制頻寬之一個鏡面。將瞭解，一些實施例可具有其他數目個鏡面。
控制器CN可為可操作以實施一模型以便判定由鏡面M1、M4之位置造成的光學像差。該模型可含有與每一鏡面M1、M2、M3、M4之形狀及標稱位置相關的資訊。控制器CN可為可操作以直接地使用合適演算法(例如，使用矩陣反轉技術)來計算光學像差及鏡面M2、M3之所要位置。替代地，控制器CN可為可操作以使用一或多個查找表或相似者以判定光學像差及鏡面M2、M3之所要位置。可存在將引 起由鏡面M1、M4之位置造成的光學像差縮減的鏡面M2、M3之一組以上位置。若如此，則控制器CN可(例如)選擇鏡面M2、M3之該組位置，此引起由鏡面M1、M4之位置造成的光學像差極大地縮減。
由控制器CN使用之模型可在鏡面M1、M2、M3、M4之位置範圍內為線性的。週期性地，例如，在兩個基板W之曝光之間，微影裝置LA可為可操作以在基板層級處量測經圖案化輻射光束B之波前以便直接地判定光學像差。此光學像差可與由控制器CN使用模型而判定之像差相比較。此直接量測可用以週期性地校準由控制器使用之模型。相似地，微影裝置LA可為可操作以週期性地(例如，在兩個基板W之曝光之間)量測由投影系統PS1形成於基板W之平面中之影像之位置及定向。影像之位置及/或定向之量測可用以週期性地校準由控制器使用之模型。
可使用感測器及剪切干涉儀來進行影像之光學像差以及位置及定向之量測，如現在所描述。
感測器S可提供於微影裝置(參見圖1)之基板台WT上。感測器S經組態以量測由投影系統PS投影之輻射光束之像差。感測器S可(例如)包含成像陣列(例如，CCD陣列)。繞射光柵(圖中未繪示)提供於圖案化器件MA或支撐結構MT上。為了執行由投影系統PS造成之像差之量測，移動支撐結構MT以使得輻射光束B照明繞射光柵。投影系統PS在基板台WT處形成繞射光柵之影像。感測器S定位於投影系統PS下方以捕捉繞射光柵之影像。在相對於焦平面之不同位置(亦即，在垂直於基板台WT之平面之方向上之不同位置)處捕捉一系列繞射光柵影像。分析該等影像以提供已由投影系統PS引入至輻射光束B中之像差之量測。波前可被表達為任尼克(Zernike)多項式與適當任尼克係數之線性組合，如此項技術中所知。因此，像差可(例如)被表達為一組任尼克係數。可在沿著曝光隙縫之不同位置處運用繞射光柵及感測器S 來執行一組量測。替代地，感測器S可包含成像陣列(例如，CCD陣列)，其足夠大以沿著曝光隙縫之整個範圍(在非掃描方向上)捕捉影像。在此狀況下，繞射光柵可完全地沿著曝光隙縫相似地延伸。因此沿著曝光隙縫判定像差量測，藉此提供由投影系統PS遍及曝光隙縫之整個區域而引入之像差的特性化。
圖7展示根據本發明之另一實施例的替代投影系統PS2，其可形成圖1之投影系統PS。投影系統PS2包含可操作以接收輸入輻射光束Bin(其對應於來自圖案化器件MA之經圖案化輻射光束B)且將輸出輻射光束Bout投影至由基板台WT固持之基板W上的光學路徑200。投影系統PS2大體上相似於投影系統PS1，且以下描述將集中於兩個投影系統PS1、PS2之間的差異。
光學路徑200包含三個鏡面M1'、M2'、M3'，但將瞭解，光學路徑200可進一步包含額外鏡面(圖中未繪示)。如同投影系統PS1，投影系統PS2進一步包含：複數個感測器S1'、S2'、S3'；複數個致動器A1'、A2'、A3'；及控制器CN'。每一感測器S1'、S2'、S3'分別與鏡面M1'、M2'、M3'中之一者相關聯且可操作以判定及輸出指示彼光學元件相對於感測器框架F之位置的信號。每一致動器A1'、A2'、A3'分別與鏡面M1'、M2'、M3'中之一者相關聯且可操作以更改彼鏡面M1'、M2'、M3'(例如)相對於感測器框架F之位置。感測器S1'、S2'、S3'及致動器A1'、A2'、A3'可實質上相同於上文結合投影系統PS1所描述之感測器及致動器。
投影系統PS2包含鏡面支撐框架F'，且鏡面M1'、M2'、M3'中之每一者經由其關聯致動器A1'、A2'、A3'而連接至該鏡面支撐框架。替代地，在其他實施例中，鏡面M1'、M2'、M3'中之每一者可經由其關聯致動器A1'、A2'、A3'而連接至感測器框架F。
如同投影系統PS1，鏡面M1'、M2'、M3'中之至少兩者相較於其 他鏡面可具有顯著較低之控制頻寬。在此實施例中，第一組鏡面M1'、M2'、M3'具有相對低之控制頻寬，且第二組鏡面M1'、M2'、M3'具有相對高之控制頻寬。第一組包含兩個鏡面M1'、M3'，且第二組包含一個鏡面M2'。
控制器CN'可操作以自每一感測器S1'、S2'、S3'接收指示其對應鏡面M1'、M2'、M3'相對於感測器框架F之位置的信號。控制器CN'進一步可操作以回應於來自每一感測器之信號而產生一信號且將該信號輸出至每一致動器A1'、A2'、A3'。該等信號可使得致動器A1'、A2'、A3'移動其各別鏡面M1'、M2'、M3'，以便縮減鏡面M1'、M2'、M3'之位置與其標稱位置之偏差。因此，該等信號係使得致動器A1'、A2'、A3'移動其各別鏡面M1'、M2'、M3'，以便縮減視線誤差及光學像差。該等信號可使得致動器A1'、A2'、A3'移動其各別鏡面M1'、M2'、M3'，以便將任何視線誤差縮減至低於指定對準臨限值位準。相似地，該等信號可使得致動器A1'、A2'、A3'移動其各別鏡面M1'、M2'、M3'，以便將光學像差位準縮減至低於指定像差臨限值位準。
指定對準及像差臨限值位準設定鏡面M1'、M2'、M3'應被控制之準確度。指定臨限值位準愈小，則鏡面M1'、M2'、M3'應被控制之準確度愈高。
如上文所描述，一組兩個鏡面M1'、M3'具有有限控制頻寬。然而，感測器S1'、S3'可操作以即時準確地監測此等鏡面M1'、M3'之位置。一般而言，此兩個鏡面M1'、M3'中之任一者之位置與其標稱位置之任何偏差將造成視線誤差及/或光學像差。
以與投影系統PS1之控制器CN相似之方式，控制器CN'可操作以判定由鏡面M1'、M3'之位置與其標稱位置之任何此類偏差造成的光學像差。
光學路徑200包含調適性光學件，其中鏡面M2'為可調整光學元 件。詳言之，鏡面M2'為可變形鏡面。鏡面M2'可(例如)被稱作多任尼克鏡面。致動器A2'進一步可操作以控制鏡面M2'之反射表面之形狀。控制器CN'可操作以判定將至少部分地補償經判定光學像差的針對鏡面M2'之調整。針對鏡面M2'之經判定調整為鏡面M2'之經判定形狀及/或位置。亦即，控制器CN'可操作以判定縮減形成於基板W上之影像之光學像差位準的鏡面M2'之形狀及/或位置。以此方式達成的光學像差之校正可不為完美的，但其可縮減光學像差且可使影像在指定容差位準內。控制器CN'進一步可操作以將信號輸出至與鏡面M2'相關聯之致動器A2'以便致使鏡面M2'變形為該經判定形狀/移動至該經判定位置。
另外，類似於投影系統PS1之控制器CN，控制器CN'可為可操作以將信號發送至基板台WT之致動器(圖中未繪示)及/或將信號發送至支撐結構MT之致動器(圖中未繪示)。該等信號可致使基板台WT及/或支撐結構MT移動以便至少部分地校正由鏡面M1'、M3'之位置造成的任何視線誤差。
因此，儘管存在具有相對低之控制頻寬之至少兩個鏡面M1'、M3'，但投影系統PS2仍可操作以即時校正由此兩個鏡面M1'、M3'造成的光學像差。相較於藉由使用標準主動回饋迴路歸因於鏡面M1'、M3'之低控制頻寬而將可能達成的情形，此配置可用以達成改良的視線準確度及縮減的光學像差位準。
如上文所描述，將瞭解，光學路徑200可包含三個以上鏡面M1'、M2'、M3'。舉例而言，在一些實施例中，投影系統PS2可包含六個鏡面。對於此等實施例，光學系統200可包含具有相對低之控制頻寬之兩個鏡面及具有相對高之控制頻寬之四個鏡面。
圖6之投影系統PS1及圖7之投影系統PS2中的每一者可操作以至少部分地補償由具有相對低之控制頻寬之兩個或兩個以上鏡面之位置 造成的光學像差。在圖6之投影系統PS1中，兩個或兩個以上鏡面M2、M3之位置用以達成此校正。在圖7之投影系統PS2中，可變形鏡面M2之形狀用以達成此校正。在一替代實施例中，投影系統PS可使用可移動鏡面與可變形鏡面之組合以至少部分地補償由具有相對低之控制頻寬之兩個或兩個以上鏡面之位置造成的光學像差。
用以至少部分地補償由具有相對低之控制頻寬之兩個或兩個以上鏡面之位置造成的光學像差之光學元件可被稱作主動波前補償器。
圖8示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置之部分。描繪經組態以支撐圖案化器件MA(例如，光罩)之支撐結構MT、投影系統PS，及經組態以支撐基板W之基板台WT。支撐結構MT及基板台WT可包括上文結合圖1所描述之特徵，且可形成與如上文所描述之微影裝置大體上對應之微影裝置之部分。投影系統PS可(例如)與上文結合圖6所描述之投影系統(PS1)大體上對應，或可與上文結合圖7所描述之投影系統(PS2)大體上對應。圖8亦描繪控制器CN。控制器CN可包括上文結合其他實施例所描述之特徵。
如由箭頭示意性地所指示，控制器CN接收關於投影系統PS中之鏡面之位置的信號，且亦發送控制投影系統中之鏡面之位置的信號。控制器CN可接收關於投影系統之一或多個鏡面之形狀的信號，且控制器可發送控制投影系統之一或多個鏡面之形狀的信號。另外，控制器CN接收關於基板台WT之位置的信號，且傳輸控制基板台之位置的信號。最後，控制器CN接收指示圖案化器件支撐結構MT之位置的信號，且傳輸控制圖案化器件支撐結構之位置的信號。
控制器CN可(例如)經組態以使用上文結合圖6所描述之方法以控制投影系統之鏡面之位置。控制器CN可另外經組態以控制圖案化器件支撐結構MT之位置以縮減由投影系統投影之輻射光束之殘餘視線誤差及/或以縮減輻射光束之殘餘光學像差。在此內容背景中，術語 「殘餘」意欲係指在已使用上文結合圖6進一步所描述之方法而調整鏡面之位置之後留存的誤差。
控制器CN可使用模型以在校正已應用於鏡面位置之後基於鏡面之位置而計算殘餘誤差。應用於圖案化器件支撐結構MT之位置的經計算調整經配置以縮減此經計算殘餘誤差。
因此，控制器CN並不僅僅試圖分離地最小化個別地與投影系統PS之每一鏡面相關聯之位置誤差以及最小化圖案化器件支撐結構MT之位置誤差(亦即，試圖將此等者中之每一者保持儘可能地接近其標稱位置)。代替地，控制器CN使用模型化鏡面之位置誤差之效應及圖案化器件支撐結構MT之位置誤差之效應的模型。控制器使用該模型以判定將縮減視線誤差及/或縮減輻射光束之像差的鏡面之位置之校正。控制器接著判定將縮減投影至基板W上之輻射光束之視線之殘餘誤差(及/或縮減輻射光束之像差)的圖案化器件支撐結構MT之位置。
在一實施例中，可以等效方式控制基板台WT之位置。亦即，控制器CN可計算在已使用上文結合圖6所描述之方法而校正鏡面之位置之後留存的殘餘誤差。接著可由控制器調整基板台WT之位置以縮減彼殘餘誤差。
在一實施例中，控制器CN可計算待應用於圖案化器件支撐結構MT之位置之調整，且控制器可另外控制基板台WT之位置以跟隨圖案化器件支撐結構之位置。換言之，控制器CN使基板台與圖案化器件支撐結構MT同步地移動(考量投影系統之縮減因數以及圖案化器件支撐結構MT及基板台WT可具有在相對方向上之掃描移動的事實)。因此，控制器CN基於在鏡面調整之後的經計算殘餘誤差而計算圖案化器件支撐結構MT之位置調整，但不需要亦基於在鏡面調整之後的經計算殘餘誤差而計算基板台WT之位置調整。代替地，第一計算係足夠的，亦即，針對圖案化器件支撐結構之計算。基板台之位置僅僅與 圖案化器件支撐結構之位置同步。可被稱作基板台自圖案化器件支撐結構之饋通控制的同步可由控制器CN控制。
一般而言，控制器CN可控制圖案化器件支撐結構MT及基板台WT兩者之位置以縮減一旦已根據上文結合圖6所描述之實施例而校正鏡面之位置就留存的殘餘誤差。
在一另外實施例中，控制器CN可控制圖案化器件支撐結構MT及/或基板台WT之位置以縮減在已校正投影系統PS之一鏡面或若干鏡面之形狀及/或位置(例如，使用上文結合圖7所描述之方法)之後留存的殘餘誤差。
在以上實施例中，由控制器CN計算在校正鏡面位置及/或形狀之後留存的殘餘誤差。控制器CN接著藉由控制圖案化器件支撐結構MT及/或基板台WT之位置而縮減殘餘誤差。在一經修改途徑中，判定經組合誤差，其為由鏡面位置及/或形狀造成之誤差與由圖案化器件支撐結構位置造成之誤差的組合。控制器接著結合圖案化器件支撐結構MT之位置而控制鏡面之位置及/或形狀以最小化此誤差。在此實施例中，基板台WT可與圖案化器件支撐結構MT同步。
一等效途徑可用於由鏡面之位置及/或形狀以及基板台WT之位置造成的經組合誤差。控制器判定經組合誤差，其為由鏡面位置及/或形狀造成之誤差與由基板台位置造成之誤差的組合。控制器接著結合基板台WT之位置而控制鏡面之位置及/或形狀以最小化此誤差。在此實施例中，圖案化器件支撐結構MT可與基板台WT同步。
在一另外實施例中，判定由鏡面之位置及/或形狀、圖案化器件支撐結構之位置及基板台WT之位置造成的經組合誤差。控制器接著結合圖案化器件支撐結構MT之位置及基板台WT之位置而控制鏡面之位置及/或形狀以最小化此誤差。
在一實施例中，可以多向方式向及自控制器CN提供回饋。因 此，舉例而言，如上文所描述，在已調整投影系統PS之鏡面之位置及/或形狀之後的殘餘誤差可在判定圖案化器件支撐結構MT之位置時用作輸入。另外，然而，圖案化器件支撐結構MT之經調整位置之誤差可由控制器CN使用以計算待應用於投影系統之鏡面之位置及/或形狀之調整。此為多向回饋。
在多向回饋之另外實例中，在已調整投影系統PS之鏡面之位置及/或形狀之後的殘餘誤差可在判定基板台WT之位置時用作輸入(如上文所描述)。另外，基板台WT之經調整位置之誤差可由控制器CN使用以計算待應用於投影系統之鏡面之位置及/或形狀之調整。
在多向回饋之另外實例中，在已調整投影系統PS之鏡面之位置及/或形狀之後的殘餘誤差可在判定圖案化器件支撐結構MT及基板台WT之位置時用作輸入(如上文所描述)。圖案化器件支撐結構MT及基板台WT之經調整位置之誤差可由控制器CN使用以計算待應用於投影系統之鏡面之位置及/或形狀之調整。
在多向回饋之另一實例中，在已調整投影系統PS之鏡面之位置及/或形狀之後的殘餘誤差可被回饋及用作控制器之輸入，其可接著計算投影系統之鏡面之位置及/或形狀之另外調整。在此實例中，僅關於投影系統之鏡面而應用多向回饋。
在一實施例中，控制器CN可經組態以最小化投影系統PS之鏡面中之每一者之間的相對移動。此相對移動可被稱作鏡面之同步移動，使得其皆一起同時地移動。控制器CN可經組態以將此同步應用於投影系統之所有鏡面，而無論給定鏡面具有相對高之控制頻寬抑或相對低之控制頻寬。參看圖6，當使用此途徑時，可發生所有鏡面M1、M2、M3、M4相對於感測器框架F之淨移動。一般而言，可發生投影系統之鏡面相對於參考系統(例如，參考框架)之淨移動。可經由圖案化器件支撐結構MT之位置之調整而至少部分地補償淨移動。亦可對 應地調整基板台WT之位置。可由控制器CN基於鏡面之經量測淨移動而判定此等調整。此途徑可有利地提供視線校正。鏡面同步實施例可與此文件中所描述之其他實施例進行組合。
儘管本發明之所描述實施例使用感測器以量測投影系統之鏡面之位置，但可使用量測其他屬性之感測器。舉例而言，可使用量測鏡面之加速度的感測器(此等感測器可被稱作加速計)。加速度感測器可在判定由鏡面之位置(可藉由積分經量測加速度而判定鏡面之位置)造成的誤差時提供改良的準確度。加速度感測器可允許待應用於投影系統之鏡面之調整、待應用於圖案化器件支撐結構MT之調整及/或待應用於基板台WT之調整的改良的判定。
本發明之實施例中之至少一些提供其可校正投影系統PS之鏡面之位置漂移的優勢。此校正可包括投影系統PS之鏡面之位置及/或形狀之一些前饋調整。由控制器CN使用之模型可包括鏡面隨鏡面溫度而變之位置漂移之模型。溫度感測器可用以量測鏡面溫度。此等溫度可由控制器CN在計算待應用於鏡面之位置及/或形狀之校正及/或待應用於圖案化器件支撐結構MT之位置(及/或基板台WT之位置)之校正時使用。
一般而言，上文所描述之實施例已提及調整圖案化器件支撐結構MT之位置以校正殘餘誤差。在此情況下，基板台WT之位置可與圖案化器件支撐結構MT之位置同步。在一替代途徑中，可調整基板台WT之位置以校正殘餘誤差。在此情況下，圖案化器件支撐結構MT之位置可與基板台WT之位置同步。
在上文所描述之實施例中，所提及之鏡面可被視為光學元件之實例。可使用其他形式之光學元件。
儘管可在本文中特定地參考在微影裝置之內容背景中的本發明之實施例，但本發明之實施例可用於其他裝置中。本發明之實施例可 形成量測或處理諸如晶圓(或其他基板)或光罩(或其他圖案化器件)之物件之光罩檢測裝置、度量衡裝置或任何裝置之部分。此等裝置可通常被稱作微影工具。此微影工具可使用真空條件或環境(非真空)條件。
在一實施例中，本發明可形成光罩檢測裝置之部分。光罩檢測裝置可使用EUV輻射以照明光罩且使用成像感測器以監測自光罩反射之輻射。由成像感測器接收之影像用以判定缺陷是否存在於光罩中。光罩檢測裝置可包括經組態以自EUV輻射源接收EUV輻射且將其形成為輻射光束以導向於光罩處之光學件(例如，鏡面)。光罩檢測裝置可進一步包括經組態以收集自光罩反射之EUV輻射且在成像感測器處形成光罩之影像的光學件(例如，鏡面)。該光學件可包含根據本發明之一實施例的投影系統。光罩檢測裝置可包括經組態以分析成像感測器處之光罩影像且自彼分析判定任何缺陷是否存在於光罩上的處理器。處理器可經進一步組態以判定經偵測光罩缺陷在光罩由微影裝置使用時是否將在投影至基板上之影像中造成不可接受的缺陷。
在一實施例中，本發明可形成度量衡裝置之部分。度量衡裝置可用以量測形成於基板上之抗蝕劑中之經投影圖案相對於已經存在於基板上之圖案的對準。此相對對準量測可被稱作疊對。度量衡裝置可(例如)經定位成緊鄰於微影裝置且可用以在基板(及抗蝕劑)已被處理之前量測疊對。
本發明之實施例已在輸出EUV輻射光束之輻射源SO1、SO2、SO3之內容背景中加以描述。然而，輻射源可經組態以輸出具有任何波長之輻射。因此，本發明之一些實施例可包含輸出不為EUV輻射光束之輻射光束的輻射源。
術語「EUV輻射」可被視為涵蓋具有在4奈米至20奈米之範圍內(例如，在13奈米至14奈米之範圍內)之波長的電磁輻射。EUV輻射可 具有小於10奈米之波長，例如，在4奈米至10奈米之範圍內之波長，諸如6.7奈米或6.8奈米。
一般而言，根據本發明之一實施例的投影系統可包含可操作以接收輸入輻射光束(來自圖案化器件MA之經圖案化輻射光束B)且將輸出輻射光束投影至由基板台WT固持之基板W上的光學路徑。光學路徑包含複數個光學元件。在上文所描述之實施例中，輻射光束B包含良好地由物質吸收之EUV輻射。出於此原因，在上文所描述之實施例中，複數個光學元件中之每一者為一鏡面。將瞭解，對於其他實施例(例如，使用深紫外線輻射(DUV)之實施例)，複數個光學元件中之每一者可包含透射光學元件(亦即，透鏡)。在一些其他實施例中，投影系統可為包含反射光學元件與透射光學元件之混合物的反射折射混合系統。
儘管圖2及圖3描繪雷射產生電漿LPP源且圖5描繪自由電子雷射，但任何合適源可用以產生EUV輻射。舉例而言，可藉由使用放電以將燃料(例如，錫)轉換成電漿狀態而產生EUV發射電漿。此類型之輻射源可被稱作放電產生電漿(DPP)源。放電可由電力供應器產生，該電力供應器可形成輻射源之部分或可為經由電連接而連接至輻射源之單獨實體。
儘管可在本文中特定地參考在IC製造中的微影裝置之使用，但應理解，本文中所描述之微影裝置可具有其他應用。可能的其他應用包括製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等等。
本發明之實施例可以硬體、韌體、軟體或其任何組合予以實施。本發明之實施例亦可被實施為儲存於機器可讀媒體上之指令，其可由一或多個處理器讀取及執行。機器可讀媒體可包括用於儲存或傳輸呈可由機器(例如，運算器件)讀取之形式之資訊的任何機構。舉例 而言，機器可讀媒體可包括：唯讀記憶體(ROM)；隨機存取記憶體(RAM)；磁碟儲存媒體；光學儲存媒體；快閃記憶體器件；電學、光學、聲學或其他形式之傳播信號(例如，載波、紅外線信號、數位信號等等)；及其他者。另外，韌體、軟體、常式、指令可在本文中被描述為執行某些動作。然而，應瞭解，此等描述係僅僅出於方便起見，且此等動作事實上係由運算器件、處理器、控制器或執行韌體、軟體、常式、指令等等之其他器件引起。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但將瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。
100‧‧‧光束截止器/光學路徑/光學系統
A1‧‧‧致動器
A2‧‧‧致動器
A3‧‧‧致動器
A4‧‧‧致動器
Bin‧‧‧輸入輻射光束
Bout‧‧‧輸出輻射光束
CN‧‧‧控制器
F‧‧‧感測器框架
F'‧‧‧支撐框架
M1‧‧‧鏡面
M2‧‧‧鏡面
M3‧‧‧鏡面
M4‧‧‧鏡面
PS1‧‧‧投影系統
S1‧‧‧感測器
S2‧‧‧感測器
S3‧‧‧感測器
S4‧‧‧感測器

Claims (15)

  1. 一種用於一微影裝置之投影系統，該投影系統包含：一光學路徑，其可操作以接收一輸入輻射光束且將一輸出輻射光束投影至一基板上以形成一影像，該光學路徑包含複數個光學元件，該複數個光學元件包含：第一組至少兩個光學元件及第二組至少一個光學元件；複數個感測器，每一感測器與該複數個光學元件中之一者相關聯且可操作以判定彼光學元件之一位置；一或多個致動器，每一致動器與該第二組光學元件中之一者相關聯且可操作以調整彼光學元件；及一控制器，其中該控制器可操作以使用該一或多個致動器以取決於該第一組光學元件之該經判定位置而調整該第二組光學元件，以便至少部分地補償由該第一組光學元件之該等位置造成的光學像差及/或視線(line-of-sight)誤差，其中該第一組光學元件之每一者具有比該第二組光學元件之每一者較低的諧振頻率(resonant frequency)，該第二組光學元件之每一者具有比該第一組光學元件之每一者較高的控制頻寬，使得該第二組光學元件之每一者具有比該第一組光學元件之每一者較高的追蹤準確度(tracking accuracy)。
  2. 如請求項1之投影系統，其中該控制器可操作以使用一模型以：判定由該第一組光學元件之該等位置造成的一光學像差；及判定至少部分地補償該經判定光學像差的針對該第二組光學元件之一調整。
  3. 如請求項2之投影系統，其中該第二組光學元件中之一或多者為一可調整光學元件，且由該控制器判定之該調整包含該或每一 可調整光學元件之一形狀改變。
  4. 如請求項1至3中任一項之投影系統，其中該控制器可操作以自每一感測器接收指示其對應光學元件之該位置的一信號。
  5. 如請求項1至3中任一項之投影系統，其進一步包含與該第一組光學元件中之每一者相關聯之一致動器，該致動器可操作以調整彼光學元件，其中該第一組光學元件各自的一控制頻寬比該第二組光學元件中之每一者之控制頻寬低至少1/2。
  6. 一種微影裝置，其包含：一照明系統，其經組態以調節一輻射光束；一支撐結構，其經建構以支撐一圖案化器件，該圖案化器件能夠在該輻射光束之橫截面中向該輻射光束賦予一圖案以形成一經圖案化輻射光束；一基板台，其經建構以固持一基板；及一如請求項1-5中任一項之投影系統，其經組態以接收該經圖案化輻射光束作為其輸入輻射光束且將其輸出輻射光束投影至該基板上。
  7. 如請求項6之微影裝置，其中該控制器進一步可操作以取決於該第一組光學元件之該經判定位置而控制該基板台及/或該支撐結構之位置，以便至少部分地補償由該第一組光學元件之該等位置造成的對準誤差。
  8. 一種用於控制包含複數個光學元件之一投影系統之方法，該方法包含：判定每一光學元件之一位置；使用一模型以判定由該複數個光學元件中之第一組至少兩個光學元件之該等位置造成的一光學像差及/或視線誤差；使用一模型以判定至少部分地補償該經判定光學像差及/或視 線誤差的針對第二組該複數個光學元件中之每一者之一調整；及將該經判定調整應用於該第二組該複數個光學元件中之每一者，其中該第一組光學元件之每一者具有比該第二組光學元件之每一者較低的諧振頻率(resonant frequency)，該第二組光學元件之每一者具有比該第一組光學元件之每一者較高的控制頻寬，使得該第二組光學元件之每一者具有比該第一組光學元件之每一者較高的追蹤準確度(tracking accuracy)。
  9. 如請求項8之方法，其中針對該第二組該複數個光學元件中之每一者之該調整包含彼光學元件之一移動。
  10. 如請求項8或9之方法，其中針對該第二組該複數個光學元件中之每一者之該調整包含彼光學元件之一形狀失真。
  11. 如請求項8或9之方法，其進一步包含將一調整應用於該第一組光學元件。
  12. 如請求項11之方法，其中應用於該第一組光學元件之該調整的一速率比將該等調整應用於該第二組光學元件之一速率低至少1/2。
  13. 一種用於控制一微影裝置之方法，該微影裝置包含一圖案化器件支撐結構、包含複數個光學元件之一投影系統、及一基板台，該方法包含：判定每一光學元件之一位置；使用一模型以判定由該複數個光學元件中之第一組至少兩個光學元件之該等位置造成的一視線誤差及/或光學像差；使用一模型以判定針對第二組該複數個光學元件中之每一者之一調整，且判定至少部分地補償該經判定視線誤差及/或該光學像差的對該圖案化器件支撐結構及/或該基板台之一位置之一 調整；及將該經判定調整應用於該第二組該複數個光學元件中之每一者且將該經判定調整應用於該圖案化器件支撐結構及/或該基板台之該位置，其中該第一組光學元件之每一者具有比該第二組光學元件之每一者較低的諧振頻率(resonant frequency)，該第二組光學元件之每一者具有比該第一組光學元件之每一者較高的控制頻寬，使得該第二組光學元件之每一者具有比該第一組光學元件之每一者較高的追蹤準確度(tracking accuracy)。
  14. 如請求項13之方法，其中藉由調整該第二組該複數個光學元件而縮減該視線誤差及/或光學像差以使得留存一殘餘誤差，接著藉由調整該圖案化器件支撐結構之該位置而縮減彼殘餘誤差。
  15. 如請求項13之方法，其中藉由調整該第二組該複數個光學元件而縮減該視線誤差及/或光學像差以使得留存一殘餘誤差，接著藉由調整該基板台之該位置而縮減彼殘餘誤差。
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