TWI700188B - 異方性導電薄膜的製備方法及其產物 - Google Patents

Abstract

為解決上述問題，本創作一實施例提供一種異方性導電薄膜的製備方法，方法包括：一備料步驟，提供一組成物包含彈性高分子材料、固化劑及具有磁性之導電顆粒；一混合步驟，均勻混合組成物；一填充步驟，填充組成物至一模具，模具包含一第一模具及一第二模具；一壓縮步驟，壓縮第一模具及第二模具之間的距離，同時施加一磁場於組成物，磁場具有一磁場方向使導電顆粒在所述壓縮的方向上呈定向排列；一固化步驟，固化組成物，而形成一異方性導電薄膜。

Description

異方性導電薄膜的製備方法及其產物

本創作關於一種導電薄膜的製備方法，特別指具有磁性顆粒且具有異方向性的高分子導電薄膜的製備方法。

異方向性導電膜( Anisotropic Conductive Film, ACF) （下稱異方性導電薄膜），是以高品質的樹脂及導電顆粒合成而成，主要用於連接二種不同基材和線路，這兩種不同基材的連接需要互相導通，而ACF具有上下(Z 軸)電氣導通，左右平面(X,Y 軸)絕緣的特性，並且有優良的防濕、接著、導電及絕緣功用，是應用於連接二種不同基材和線路的良好選擇。由於此ACF兼具單向導電及膠合固定的功能，因此於過去幾年間已被成功開發並主要應用在無法以高溫鉛錫焊接的製程，如 FPC、Plastic Card 及 LCDModule 等電子線路連接,目前 ACF 在 LCD Module 方面的主流應用在 TCP/COF封裝時連接至 LCD 之 OLB（Outer Lead Bonding），驅動 IC 接著於 TCP/COF 載板的 ILB（Inner Lead Bonding）製程以及采 COG 封裝時驅動 IC 與玻璃基板接合(Chip on Glass)之製程。

先前技術ACF所使用之導電顆粒，其組成多為金、鎳、高分子三者構成之球狀複合材料，由內向外第一層是有機塑膠球體，第二層是鎳，第三層是金。此種導電顆粒的要求須具有良好的粒徑均一性、真圓度、低抵抗性、復原率及硬度，常見的粒徑範圍在3~50μm之間；再者，導電顆粒還包括在ACF中分佈的參數：均勻性及填充率，其對於導電異方性有所影響，先前技術必須在製造中控制前述多項參數以獲得可用的ACF。並且，此種異方性導電膜（膠）只能在特定的低溫條件下保存。

先前技術尚揭露一種極細小的鎳粉，粒徑介於0.2μm～0.5μm之間，可產生三維絲狀結構，將其與彈性高分子攪拌後製成ACF。

先前技術揭露製作ACF時，在彈性高分子材料中加入具有磁性的導電顆粒，並在高分子材料外部施以磁場，使導電顆粒產生誘導磁矩，產生導電顆粒間的排列；其排列行為，對應外加磁場的磁力線的分布，引述電磁學基本理論可知：各磁力線之間不互相交錯，藉此，鍵結排列後的磁粉會使彈性高分子材料具有幾何異方性，進而具有導電之異方性。

在期刊2016 April 28th Nature scientific report：Understanding the Percolation Characteristics of Nonlinear Composite Dielectrics中對於導電粒子ZnO濃度於絕緣高分子材料中的導電行為的描述。

〔所欲解決的問題〕

ACF所使用的導電顆粒的大小限制了薄膜厚度的上下閾值，造成厚度在10μm以下將可能因為實施壓合造成基板導線受損，使良率降低；且厚度在100μm以上的情況無法良好地呈現薄膜的異方性並維持導電方向上的低電阻。

先前技術雖提出了粒徑更小的導電顆粒作為材料，使其在壓合過程中減少傷害基板的可能，然而， ACF在連接二種不同基材和線路時還是需要進行壓合程序。

關於導電顆粒各項參數如：均一性、真圓度、低抵抗性、復原率及硬度，以往對上述參數的要求使製造成本提高。

〔解決問題之技術手段〕

為解決上述問題，本創作一實施例提供一種異方性導電薄膜的製備方法，該方法包括：一備料步驟，提供一組成物包含彈性高分子材料、固化劑及具有磁性之導電顆粒；一混合步驟，均勻混合組成物；一填充步驟，填充組成物至一模具，模具包含一第一模具及一第二模具；一壓縮步驟，壓縮第一模具及第二模具之間的距離，同時施加一磁場於組成物，磁場具有一磁場方向使導電顆粒在所述壓縮的方向上呈定向排列；一固化步驟，固化組成物，而形成一異方性導電薄膜。

在本創作的一實施例中，其中該導電顆粒之重量百分濃度為50％以下。

在本創作的一實施例中，壓縮步驟，更包含：排出部分不帶有磁性導電顆粒的組成物。

在本創作的一實施例中，於填充步驟中，第一模具及第二模具之間更包含一邊界部，邊界部用以避免組成物在填充步驟中逸出；在壓縮步驟之前，將邊界部移除。

在本創作的一實施例中，於填充步驟中，第一模具及第二模具之間更包含一邊界部，邊界部用以避免組成物在填充步驟中逸出；邊界部更包含一以上排出口。

在本創作的一實施例中，所述邊界部可為軟性材質。

在本創作的一實施例中，於壓縮步驟中，更包含：提供一磁鐵，設置於第一模具之一側；提供一具有磁性之板材，設置於第二模具之一側。

在本創作的一實施例中，所述磁場大小為 0.1mT以上。

在本創作的一實施例中，於壓縮步驟中，壓縮第一模具與第二模具之間的距離至5～1000μm。

在本創作的一實施例中，所述導電顆粒平均粒徑大小為1.8nm~10μm。

在本創作的一實施例中，所述製備方法，其中，固化劑為一種光固化劑，固化步驟使用均勻光源進行光固化，而形成一異方性導電薄膜。

本創作透過結合「磁流變效應」以及導電複合材料之「穿隧效應」，利用磁場鏈結磁性導電顆粒使其呈現異方性的作法，著重在排列導電粉末，讓材料產生幾何異向性，進而達到導電異方性，相較於先前技術，此法能夠簡化製程，無須對導電粉末進行處理、對於粉末之均一性、真圓度要求皆不高，粉末粒徑甚至可降低至10nm之下。如此，非旦可降低材料取得的難度，更小的粒徑實際應用時亦可減低製程線寬，增加各種情境的可利用性。

而因滲透臨界值的緣故，材料尚未形成低電阻的異方性導電體。透過接續在磁鐵之上施予正向力，可壓縮粉末間距，由磁流變理論可得知，在磁流變流體中液體流速會受到黏滯力變高而下降，此處使磁流變流體黏滯力提高主因為鏈結的磁粉，因此由此理論可知，受壓力而流出的磁性高分子複合材料，其粉末濃度較原先調配之粉末濃度來的低，所示材料中多數粉末被束縛於磁場之內，隨高分子材料的減少，粉末間距的減少，而因為粉末間距減少，其穿隧電阻率會急遽下降，因此可使材料在出平面方向有低電阻的特性，而在最後液態磁性高分子複合材料固化之後，即可完全固定粉末的排列，並完成本發明所述之具異方性低電阻值導電彈性體之元件。

此外，本創作屬於常溫常壓製程，更可達到大面積且低成本的製造優勢。

此外，依本創作實施能製得厚度在100μm以上、500μm以上，甚至是1000μm以上的異方性導電薄膜，並且仍能維持薄膜體在厚度方向上低電阻的性質，增加異方性導電薄膜在各種情境的可利用性。依本創作實施能製得厚度在100μm以下，甚至是10μm以下。

本創作的另一實施例提供一種依所述方法所製得的異方性導電薄膜，包括：一彈性高分子材料構成之薄膜體，包含在面方向上分散、在厚度方向上呈定向排列具有磁性之複數導電顆粒；其中，導電顆粒平均粒徑大小為1.8nm~10μm；導電顆粒之重量百分濃度為10～40%；導電顆粒間距在厚度方向上小於6nm，間距更可以小於2nm；其中，薄膜體厚度為5～500μm。

在本創作的一實施例中，薄膜體在厚度方向上的電阻率小於0.1Ω・m。

在本創作的一實施例中，薄膜體的厚度可為5～10μm。

在本創作的一實施例中，薄膜體的厚度可為5～100μm。

在本創作的一實施例中，薄膜體的厚度可為100～1000μm。

在本創作的一實施例中，薄膜體的厚度可為500～1000μm。

在本創作的一實施例中，導電顆粒可選自鎳或碳包鐵。

在本創作的一實施例中，導電顆粒可為鎳顆粒，導電顆粒平均粒徑大小為1.8nm~2.6μm。

在本創作的一實施例中，導電顆粒可為碳包鐵顆粒，導電顆粒平均粒徑大小可為2.5nm～75nm，較佳為25～75nm。

為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯易懂，下為特舉數個實施例，並配合所附圖式，做詳細說明如下：

以下提供本發明不同實施例之詳細內容，以更加明確說明本發明，然而本發明並不受限於下述實施例：

參考圖1之操作步驟示意圖，並參考圖3之部分元件示意圖。在步驟110，係一備料步驟，提供一組成物2包含彈性高分子材料、固化劑及具有磁性之導電顆粒4。接著，在步驟120，係一混合步驟，均勻混合該組成物2。在步驟130，係一填充步驟，填充該組成物2至一模具1，該模具1包含一第一模具11及一第二模具12。在步驟140，係一壓縮步驟，壓縮該第一模具11及該第二模具12之間的距離，同時施加一磁場B於該組成物2，該磁場B具有一磁場方向使該導電顆粒4在所述壓縮的方向上呈定向排列。在一些實施例中，該壓縮步驟可包含排出部分不帶有該磁性導電顆粒4的組成物2。在步驟150，係一固化步驟，固化該組成物2，而形成一異方性導電薄膜。 在一些實施例中，可在該填充步驟之前預先提供該磁場B，使該組成物2在填充過程中不致從模具流出；所述組成物2應為膠體狀且包含該導電顆粒4。在一些實施例中，該組成物2所含之導電顆粒4重量百分濃度為50％以下。

參考圖2之操作步驟示意圖，並搭配參考圖4、圖5、圖6及圖7之部分元件示意圖。在步驟210，係一備料步驟，提供一組成物2包含彈性高分子材料、固化劑及具有磁性之導電顆粒4。接著，在步驟220，係一混合步驟，均勻混合該組成物2。在步驟230，係一填充步驟，填充該組成物2至一模具，該模具包含一第一模具11及一第二模具12。該第一模具11及該第二模具12之間更包含一邊界部13，該邊界部13用以避免該組成物2在該填充步驟中逸出。該邊界部13可以暫時設置於該第一模具11或該第二模具12；進一步說，可以在其他步驟中變更該邊界部13的位置，例如在壓縮步驟前變更全部或部分的該邊界部13位置；再進一步說，所述變更可將該邊界部13之全部或部分從模具中移除。在步驟240，將該邊界部13移除後始可以進行步驟250。步驟250係一壓縮步驟，壓縮該第一模具11及該第二模具12之間的距離，同時施加一磁場B於該組成物2，該磁場B具有一磁場方向使該導電顆粒4在所述壓縮的方向上呈定向排列。在步驟260，排出部分不帶有該磁性導電顆粒4的組成物2（參考圖5所示）。在步驟270，係一固化步驟，固化該組成物2，而形成一異方性導電薄膜。

參考圖6及圖7所示，在一些實施例中，於該壓縮步驟進行之前，提供該邊界部13一以上排出口14，進一步說，可以在不必進行步驟240的情況下進行步驟250的壓縮步驟；其中，該邊界部13最佳為軟性材質，所述軟性材料可為軟性高分子材料如：乙烯、乙酸乙烯酯共聚物、環氧樹脂、聚氨酯、聚苯乙烯或聚乙烯。在一些實施例中，提供該排出口14的方式可以是移除部分的該邊界部13。

參考圖8所示，在一些實施例中，該排出口14的口徑之最小尺寸，提供足夠小的尺寸，致使可以讓該組成物2在不受到壓力的情況下留置在該模具內，藉此無須特意移除部分該邊界部13。

參考圖9所示，在一些實施例中，該壓縮步驟中，更包含：提供一磁鐵31，設置於該第一模具11之一側；提供一具有磁性之板材32，設置於該第二模具12之一側。該磁鐵可為各種永久磁鐵（鋁鎳鈷、釤鈷、釹鐵硼...等），亦可以為電磁鐵。在一實施例中所使用為釹鐵硼磁鐵（NdFeB）。該板材32，可為各種具有軟磁性之材質例如鐵、鈷、鎳，在一實施例中所使用為不鏽鋼。在一些實施例中，該磁場B大小其數值應為0.1mT以上，進一步說，該磁場B大小應使該磁性導電顆粒4在薄膜體5厚度方向上呈良好的準直性。該板材32具有軟磁性，即一般鐵、鈷、鎳皆可，本實驗所使用為不鏽鋼。

在任何這些實施例中，該壓縮步驟中，壓縮該第一模具11與該第二模具12之間的距離至5～1000μm。

在本創作的一實施例中，壓縮該第一模具11與該第二模具12之間的距離至5～10μm。

在本創作的一實施例中，壓縮該第一模具11與該第二模具12之間的距離至5～100μm。

在本創作的一實施例中，壓縮該第一模具11與該第二模具12之間的距離至5～500μm。

在本創作的一實施例中，壓縮該第一模具11與該第二模具12之間的距離至100～1000μm。

在本創作的一實施例中，壓縮該第一模具11與該第二模具12之間的距離至500～1000μm。

在任何這些實施例中，在該填充步驟中，透過將組合物倒入表面光滑的模具1之中，以網版印刷製程技術將上述材料填充於模具1之中，該模具1可為高分子或一般傳統加工製造所使用之模具，而由於此元件製作屬於翻模製程，因此，模具1表面平整度會轉印至元件表面上；進一步說，該模具1表面粗糙度低於100奈米。該第一模具11及該第二模具12可以同時或其中之一具有透光性質，藉以可以透過光固化方式使該組成物2固化。不以光固化方式固化組成物2情況，該第一模具11及該第二模具12亦可為鋁、銅、壓克力(聚甲基丙烯酸甲酯)所製成。

參考圖10所示，本創作提供一種依前述任一實例所製得的異方性導電薄膜，包括：一彈性高分子材料構成之薄膜體5，包含在面方向上分散、在厚度方向上呈定向排列具有磁性之複數導電顆粒4；其中，該導電顆粒4平均粒徑大小為1.8nm~10μm；該導電顆粒4之重量百分濃度為10～40%；該導電顆粒4間距在厚度方向上小於6nm；其中，該薄膜體5厚度為5～500μm。

在一些實施例中，該導電顆粒4在厚度方向上的間距小於2nm，透過實施壓縮步驟後再行固化步驟，使該導電顆粒4間距可以更小。所述間距小於2nm包含了相接觸的情況。一般情況，該導電顆粒4在中的厚度方向上的間距，如未施加磁場B及未給予正向力：其間距約為30～50nm；施加磁場B且未給予正向力：約為6～10nm；施加磁場B及給予正向力：約為0～2nm。

以本創作之方法製得之異方性導電薄膜，在各種厚度下仍然能維持厚度方向上的低電阻特性，進一步說，厚度為500μm具有的優勢在於同材料之下越厚的薄膜5其剛性較低。此外，更能製造出薄至10μm、5μm，厚至500μm，甚至1000μm的薄膜體5，代表能夠適應的使用情境甚廣。進一步說，可以製得的規格更為多元。亦即，該薄膜體5的厚度可為5～10μm，更可為5～100μm；此厚度之功效之一在於該薄膜體5用於各種需要超薄的情境，例如追求超薄的異方性導電功效的薄膜。由於本創作所提供之異方性導電薄膜具有可撓性，亦可適用在可撓設備上，該薄膜體5的厚度更可為100～1000μm 或500～1000μm；在此一厚度之下，其功效之一在於撓曲的曲率可以更大，可以是用不同型態的情境，可被壓縮，且仍保有厚度方向上低電阻且具有異方向性。

在任何這些實施例中，所述或所製得之異方性導電薄膜，該薄膜體5在厚度方向上的電阻率約小於0.1Ω・m。

在任何這些實施例中，該導電顆粒4平均粒徑大小為1.8nm~10μm。進一步說，該導電顆粒4可為鎳顆粒，該導電顆粒4平均粒徑大小可為1.8nm~2.6μm。進一步說，該導電顆粒4可為碳包鐵顆粒，該導電顆粒4平均粒徑大小可為2.5nm～75nm，較佳為25～75nm。該導電顆粒4可選自鎳、碳包鐵或其他相似性質之導電顆粒4；所謂相似性質之導電顆粒4，係由具有磁性的金屬與具有導電性的金屬構成的合金顆粒，例如鎳、鐵和鈷等金屬作為導電顆粒4的核心顆粒，再將導電金屬，例如金、銀、鈀或銠，電鍍於核心顆粒外得到導電顆粒4。其中，該導電顆粒4可為非圓形之型態。導電顆粒4的大小會影響該磁場B所需使以的大小，進一步說，基本上該導電顆粒4的大小與所需施以的磁場B大小成負相關，亦即，導電顆粒4越小所需施以的磁場B需要較大。

在任何這些實施例中，所述彈性高分子材料可以為：矽氧樹脂、液體矽膠、聚甲基矽氧烷材料，進一步說，可以是楊氏模數介於500KPa至2MPa之間的彈性高分子材料。

在任何這些實施例中，固化步驟可以是熱固化或光固化。在一些實施例中，以光固化方式實施固化步驟，基本上所使用材料與熱固化大致相同，更可以在該模具加入發光元件。參考圖9，該發光元件可設置於該第一模具11或該第二模具12，所設置之模具材料應選用前述具有透光能力之材質。其中，若選用壓克力材料，其目的之一即在於具有透光能力，且可作為讓發明物表面平整的模具。所述發光元件可以為LED，進一步說，發光元件所使用的波段可為200nm～400nm或較佳為405nm。

若欲使用光固化的手段進行固化，欲照射的該組成物2所形成的薄膜（經過壓縮步驟取得的組成物2之導電顆粒4重量百分濃度約50％，其中該導電顆粒4粒徑大小平均約為1μm），以大致為400nm波長的光線照射，薄膜厚度大致需小於50μm，始能完全讓光線穿透達成良好固化效果。然而，依本創作實施方式可以提供厚度遠低於50μm，甚至低於10μm的厚度，使光固化效率及效果皆提高。

進一步說明，帶有導電顆粒4的薄膜厚度會影響光線的穿透率，影響光固化效果（其中該導電顆粒4粒徑大小平均約為1μm）。本創作依據實驗結果得知，經過壓縮步驟後的組成物2，其導電顆粒4的重量百分比若為30％以上，以大致為400nm波長的光線照射，其最大可穿透厚度大致為50μm；反之，若經過壓縮步驟後的組成物2，其導電顆粒4的重量百分比若為30％以下，其最大可穿透厚度可大於50μm。進一步說，若重量百分比若為20％，最大穿透厚度大致為200μm；若重量百分比若為10％，最大穿透厚度大致為700μm。

進一步說明，導電顆粒4的粒徑大小會影響光線的穿透率。所述薄膜包含的導電顆粒4，在本創作實施的粒徑低於1μm情況下，透光率將會上升，提高光固化之效果。

參考圖11為圖10的實際拍攝照片示意圖。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。任何該領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾。因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。本說明書(包括隨附申請專利範圍)中之所有參數數值(例如，數量或條件之數值)係理解為在所有情況下皆經用語「約(about)」修飾，無論「約」是否實際出現在數值之前。「約」表示所述之數值容許些微不精確(在數值上有一些接近至確切；約略或合理接近該數值；幾乎)。如果「約」所提供之不精確在該技術領域中無法以其他方式用一般意義被理解，則本文中所使用之「約」指示可能由一般測量方法及使用此等參數所引起之最小變異。此外，在可能時可修改步驟、程序、及操作之順序，並且可採用額外或替代步驟。本說明書中所使用之用語「或(or)」包括相關聯所列出項目之任一者及所有組合。

110、120、130、140、150‧‧‧步驟210、220、230、240、250、260、270‧‧‧步驟A‧‧‧異方性導電薄膜B‧‧‧磁場1‧‧‧模具11‧‧‧第一模具12‧‧‧第二模具13‧‧‧邊界部14‧‧‧排出口2‧‧‧組成物31‧‧‧磁鐵32‧‧‧板材4‧‧‧導電顆粒5‧‧‧薄膜體

圖1為本創作一實施例之操作步驟示意圖。

圖2為本創作另一實施例之操作步驟示意圖。

圖3為本創作實施操作步驟的結構示意圖。

圖4為本創作實施操作步驟的另一結構示意圖。

圖5為本創作實施操作步驟的另一結構示意圖。

圖6為本創作實施操作步驟的另一結構示意圖。

圖7為本創作實施操作步驟的另一結構示意圖。

圖8為本創作實施操作步驟的另一結構示意圖。

圖9為本創作實施操作步驟的另一結構示意圖。

圖10為本創作一實施例之剖面示意圖。

圖11為圖10的實際拍攝照片示意圖。

110、120、130、140、150‧‧‧步驟

Claims (20)

1. 一種異方性導電薄膜的製備方法，該方法包括：一備料步驟，提供一組成物包含彈性高分子材料、固化劑及具有磁性之導電顆粒；一混合步驟，均勻混合該組成物；一填充步驟，填充該組成物至一模具，該模具包含一第一模具及一第二模具；一壓縮步驟，壓縮該第一模具及該第二模具之間的距離，同時施加一磁場於該組成物，該磁場具有一磁場方向使該導電顆粒在所述壓縮的方向上呈定向排列；一固化步驟，固化該組成物，而形成一異方性導電薄膜。
2. 如請求項1所述之異方性導電薄膜的製備方法，其中該導電顆粒之重量百分濃度為50%以下。
3. 如請求項1所述之異方性導電薄膜的製備方法，其中於該壓縮步驟中，更包含：排出部分不帶有該磁性導電顆粒的組成物。
4. 如請求項3所述之異方性導電薄膜的製備方法，其中於該填充步驟中，該第一模具及該第二模具之間更包含一邊界部，該邊界部用以避免該組成物在該填充步驟中逸出；在該壓縮步驟之前，將該邊界部移除。
5. 如請求項3所述之異方性導電薄膜的製備方法，其中於該填充步驟中，該第一模具及該第二模具之間更包含一邊界部，該邊界部用以避免該組成物在該填充步驟中逸出；其中，於該壓縮步驟之前，提供該邊界部更包含一以上排出口。
6. 如請求項3所述之異方性導電薄膜的製備方法，其中，該邊界部為軟性材質。
7. 如請求項1所述之異方性導電薄膜的製備方法，其中於該壓縮步驟中，更包含：提供一磁鐵，設置於該第一模具之一側；提供一具有磁性之板材，設置於該第二模具之一側。
8. 如請求項1所述之異方性導電薄膜的製備方法，其中於該壓縮步驟中，該磁場大小為0.1mT以上。
9. 如請求項1所述之異方性導電薄膜的製備方法，於該壓縮步驟中，壓縮該第一模具與該第二模具之間的距離至5~1000μm。
10. 如請求項1所述之異方性導電薄膜的製備方法，於該壓縮步驟中，壓縮該第一模具與該第二模具之間的距離至5~10μm
11. 如請求項1所述之異方性導電薄膜的製備方法，該導電顆粒平均粒徑大小為1.8nm~10μm。
12. 如請求項1所述之異方性導電薄膜的製備方法，其中，該固化劑為一種光固化劑，該固化步驟使用均勻光源進行光固化，而形成一異方性導電薄膜。
13. 一種依請求項1方法所製得的異方性導電薄膜，包括：一彈性高分子材料構成之薄膜體，包含在面方向上分散、在厚度方向上呈定向排列具有磁性之複數導電顆粒；其中，該導電顆粒平均粒徑大小為1.8nm~10μm；該導電顆粒之重量百分濃度為10~40%；該導電顆粒間距在厚度方向上小於6nm；其中，該薄膜厚度為5~500μm。
14. 如請求項11所述之異方性導電薄膜的製備方法，其中，該薄膜體在厚度方向上的電阻率小於0.1Ω‧m。
15. 如請求項11所述之異方性導電薄膜的製備方法，該導電顆粒間距在厚度方向上小於2nm。
16. 如請求項11所述之異方性導電薄膜的製備方法，其中，該磁性高分子複合薄膜的厚度為5~100μm。
17. 如請求項11所述之異方性導電薄膜的製備方法，其中，該磁性高分子複合薄膜的厚度為100~1000μm。
18. 如請求項11所述之異方性導電薄膜的製備方法，其中，該導電顆粒可選自鎳、碳包鐵。
19. 如請求項16所述之異方性導電薄膜的製備方法，其中，該導電顆粒可為鎳顆粒，該導電顆粒平均粒徑大小為1.8nm~2.6μm。
20. 如請求項16所述之異方性導電薄膜的製備方法，其中，該導電顆粒可為碳包鐵顆粒，該導電顆粒平均粒徑大小為2.5nm~75nm。

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