TWI699898B - 光感測器封裝組件及其製造方法和電子設備 - Google Patents

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Abstract

本發明公開了一種光學感測器封裝組件及其製作方法和電子設備，所述光學感測器封裝組件包括第一電路板；在所述第一電路板上相鄰設置的第二電路板和第一結構；以及位於所述第二電路板上的第二結構，其中，所述第一結構和所述第二結構分別具有第一高度和第二高度，所述第二電路板具有第一厚度，所述第一厚度與所述第二高度之和與所述第一高度相匹配。該封裝組件採用第二電路板補償第一結構和第二結構的高度差異，從而可以減少封裝料的模製次數，以減小封裝組件的尺寸。

Description

光感測器封裝組件及其製造方法和電子設備
本發明涉及感測器領域，尤其涉及一種光學感測器封裝組件及其製作方法和電子設備。
在一些便攜式電子設備，例如智慧手機中，通常會需要環境光學感測器(Ambient Light Sensor，ALS)來感測環境光亮度，從而可使屏幕亮度隨著環境光的變化而變化，以增加使用時間。此外，還需要接近感測器(Proximity Sensor，PS)與發光元件(如紅外LED等)來感測物體接近的程度，從而可實現當某物體，如使用者的臉部靠近屏幕時，屏幕的觸控功能會自動關閉，避免了使用者在接電話的過程中的誤觸發的情形，以增進了人機之間的互動性。
將ALS、PS及發光元件集成至同一封裝組件中形成光學感測器封裝組件，不僅可以共享空間、耗材，還能合併線路佈局。這樣的光學感測器封裝組件通常安裝在手機顯示面板的側邊，而手機表面為了應用不同類型的光學感測器封裝組件，必須設計開孔，諸如長型開孔和圓型開孔 等。為了使手機外觀更加美觀，上述開孔的孔徑需要越小越好。然而，ALS與PS在應用上的考量不同，如發光元件與PS之間的接近感測角度過大或過小皆不宜，而ALS的環境光感測角度越大越好，將ALS與PS集成在一起封裝，ALS與PS則需要一起應對所述開孔。因此，ALS與PS的集成封裝組件對手機表面開孔小型化設計極為重要。
可參考圖1a和1b，圖1a和1b分別示出了現有技術中光學感測器封裝組件的剖面圖和俯視圖。在現有技術中，將環境光感測器21與接近感測器22相互分離，使得環境光感測器21、接近感測器22均可縮短與發光元件23的距離，不僅獲得了較小的接近感測角度，也獲得了較大的環境光感測角度，同時還使得手機面板表面的開孔孔徑較小。
但由於不同客戶的需求不同，當系統客戶的光機設計TP(Touch Panel)與器件距離增高時，為符合光機應用需求，對應的，也要增大發光元件23自身的厚度。而發光元件23自身的高度過高，完成將其表面的電極透過電性導線26電連接到基板20上的焊線製程時會有較大的可靠性風險。且由於發光元件23自身的高度過高，而擋板27與發光元件23的距離比較近，完成焊接製程操作難度較大。
在此基礎上，上述光學感測器封裝組件還需要完成兩道封裝工藝，如先形成多個透明封裝料24，再形成非透 明封裝料25，工藝複雜，不利於降低封裝組件的尺寸。
為此，本發明提供了一種光學感測器封裝組件及其製作方法和電子設備，其中採用附加的電路板補償不同結構之間的高度差異以減小封裝組件的尺寸。
根據本發明的第一方面，提供一種光學感測器封裝組件，包括：第一電路板；在所述第一電路板上相鄰設置的第二電路板和第一結構；以及位於所述第二電路板上的第二結構，其中，所述第一結構和所述第二結構分別具有第一高度和第二高度，所述第二電路板具有第一厚度，所述第一厚度與所述第二高度之和與所述第一高度相匹配。
優選地，所述第一結構包括接近感測器，所述第二結構包括發光元件，所述發光元件發出照射光經反射到達所述接近感測器，以檢測外部物體的靠近。
優選地，所述第一結構包括環境光感測器，用於檢測環境光亮度。
優選地，所述接近感測器內嵌於積體電路晶片的表面，所述環境光感測器設置在所述積體電路晶片上方且位於與所述接近感測器相鄰的區域中，所述環境光感測器和所述積體電路晶片的厚度之和大致等於所述第一高度。
優選地所述環境光感測器與所述積體電路晶片電連接。
優選地，還包括位於所述第一結構和所述第二結構之 間的擋板，以阻擋所述第二結構產生的光到達所述第一結構。
優選地，所述第二電路板包括至少一個凹陷區域。優選地，所述第二電路板的至少一側邊相對於所述第一電路板的相應側邊縮進預定距離。
優選地，所述第二電路板具有彼此相對的第一側邊和第二側邊，所述第一側邊鄰近所述擋板，所述第二側邊相對於所述第一電路板的相應側邊縮進預定距離。
優選地，所述第二電路板的至少一個側邊包括凹槽。
優選地，所述凹槽為U形凹槽。
優選地，還包括透明封裝料，所述透明封裝料覆蓋所述第一結構、所述第二結構和所述第二電路板。
優選地，所述第二電路板包括第一組焊墊和第二組焊墊，分別位於所述第二電路板彼此相對的第一表面和第二表面上且彼此連接，所述第二結構位於所述第二電路板的第一表面上，並且採用焊線與所述第一組焊墊電連接。
優選地，所述第一電路板包括第三組焊墊和第四組焊墊，分別位於所述第一電路板彼此相對的第一表面和第二表面上且彼此連接，所述第一結構位於所述第一電路板的第一表面上，並且採用焊線與所述第三組焊墊電連接，所述第二組焊墊與所述三組焊墊彼此連接，所述第四組焊墊用於與外部電路電連接。
根據本發明的第二方面，提供一種電子設備，包括：外殼，所述外殼具有開孔；以及上述的光學感測器，其 中，所述光學感測器位於所述外殼內，並且經由所述開孔發出照射光，以及經由所述開孔接收所述照射光在外部物體表面反射的光以及環境光。
根據本發明的第三方面，提供一種光學感測器封裝組件的製作方法，包括：在第一電路板設置第二電路板和第一結構，所述第二電路板與所述第一結構相鄰；以及在所述第二電路板上設置第二結構，其中，所述第一結構和所述第二結構分別具有第一高度和第二高度，所述第二電路板具有第一厚度，所述第一厚度與所述第二高度之和與所述第一高度相匹配。
優選地，所述第一結構包括接近感測器，所述第二結構包括發光元件，所述發光元件發出照射光經反射到達所述接近感測器，以檢測外部物體的靠近。
優選地，所述第一結構包括環境光感測器，用於檢測環境光亮度。
優選地，所述接近感測器內嵌於積體電路晶片的表面，所述環境光感測器設置在所述積體電路晶片上方且位於與所述接近感測器相鄰的區域中，所述環境光感測器和所述積體電路晶片的厚度之和大致等於所述第一高度。
優選地，所述第二電路板的至少一側邊相對於所述第一電路板的相應側邊縮進預定距離。
優選地，還包括：在所述第一結構和所述第二結構之間設置擋板，以阻擋所述第二結構產生的光到達所述第一結構。
優選地，所述第二電路板包括第一組焊墊和第二組焊墊，分別位於所述第二電路板彼此相對的第一表面和第二表面上且彼此連接，所述第二結構位於所述第二電路板的第一表面上，所述方法還包括：採用焊線將所述第二結構與所述第一組焊墊電連接。
優選地，所述第一電路板包括第三組焊墊和第四組焊墊，分別位於所述第一電路板彼此相對的第一表面和第二表面上且彼此連接，所述第一結構位於所述第一電路板的第一表面上，所述方法還包括：採用焊線將所述第一結構與所述第三組焊墊電連接，將所述第二組焊墊與所述三組焊墊彼此連接，其中，所述第四組焊墊用於與外部電路電連接。
優選地，還包括：採用透明封裝料同時覆蓋所述第一結構、所述第二結構和所述第二電路板。
採用本發明的技術方案後，採用第二電路板補償第一結構和第二結構的高度差異。第二結構中的發光元件被墊高。在實際應用時，無論系統客戶設計的TP(Touch Panel)與器件距離的高低如何，均無需再調節接近感測器、環境光感測器以及發光元件的厚度即可符合所有客戶的光機應用需求，且在焊線製程中，可靠性問題可以得到保障。
進一步地，所述第二結構中的發光元件靠近封裝組件的表面，所述發光元件自發光源的出射路徑範圍縮小，由此可以在環境光感測器的環境光感測範圍增大時，減少發 光元件自發光源的反射光對環境光感測器的干擾，且可以使發光元件和接近感測器之間的接近感測視角得到進一步的優化。
此外，由於僅需要一道封裝料模製製程，不僅工藝簡單，還可以進一步縮小光學感測器封裝組件的體積。
11‧‧‧自發光
12‧‧‧反射光
13‧‧‧物體
100‧‧‧光學感測器封裝組件
101‧‧‧第一電路板
102‧‧‧第二電路板
103‧‧‧擋板
104‧‧‧積體電路晶片
105‧‧‧環境光感測器
106‧‧‧接近感測器
107‧‧‧第一焊墊
108‧‧‧第二焊墊
109‧‧‧第三焊墊
110‧‧‧第四焊墊
111‧‧‧第五焊墊
112‧‧‧發光元件
113‧‧‧焊線
114‧‧‧第一透明封裝料
115‧‧‧第六焊墊
116‧‧‧開孔
117‧‧‧自發光源的出射路徑範圍
118‧‧‧環境光感測範圍
200‧‧‧電子設備
201‧‧‧外殼
透過以下參照附圖對發明實施例的描述，本發明的上述以及其他目的、特徵和優點將更為清楚，在附圖中：圖1a示出了現有技術中光學感測器封裝組件的剖面圖。
圖1b示出了現有技術中光學感測器封裝組件的俯視圖。
圖2、圖3以及圖4分別示出了根據本發明第一實施例的光學感測器封裝組件基於不同角度的透視圖。
圖5示出了根據本發明第一實施例的光學感測器封裝組件的俯視圖。
圖6示出了根據本發明第二實施例的光學感測器封裝組件的透視圖。
圖7示出了根據本發明第三實施例的光學感測器封裝組件的透視圖。
圖8a至圖8g示出了根據本發明第一實施例的光學感測器封裝組件製作方法不同階段的透視圖。
圖9a示出了根據本發明第四實施例的電子設備在使 用狀態的透視圖。
圖9b示出了根據本發明第四實施例的電子設備在使用狀態的剖面圖。
以下基於實施例對本發明進行描述，但是本發明並不僅僅限於這些實施例。在下文對本發明實施例的細節描述中，詳盡描述了一些特定的細節部分，對本領域技術人員來說沒有這些細節部分的描述也可以完全理解本發明。為了避免混淆本發明的實質，公知的方法、過程、流程沒有詳細敍述。
在各個附圖中，相同的元件採用類似的附圖標記來表示。為了清楚起見，附圖中的各個部分沒有按比例繪製。此外，在圖中可能未示出某些公知的部分。附圖中的流程圖、方塊圖圖示了本發明的實施例的系統、方法、裝置的可能的體系框架、功能和操作，附圖的方塊以及方塊順序只是用來更好的圖示實施例的過程和步驟，而不應以此作為對發明本身的限制。
圖2至圖4分別示出了根據本發明第一實施例的光學感測器封裝組件基於不同角度的透視圖。圖5示出了根據本發明第一實施例的光學感測器封裝組件的俯視圖。
如圖2至圖5所示，本發明第一實施例的光學感測器封裝組件包括第一電路板101和第二電路板102，所述第二電路板102設置於所述第一電路板101的第一表面上， 所述第二電路板102邊長較長的兩側邊分別為所述第二電路板102的第一側邊和第二側邊，所述第二電路板102的第一側邊和所述第一電路板101的第一側邊對齊設置。其中，所述第二電路板102例如為LED封裝載板。
優選地，所述第二電路板102除所述第一側邊和所述第二側邊之外的第三側邊和第四側邊分別有一凹槽，所述凹槽縱向貫穿所述第二電路板102。優選地，在本實施例中，所述凹槽為U形凹槽。由於設置了所述凹槽，用於封裝的透明封裝料可將所述第二電路板102緊密固定於所述第一電路板101的上表面上，從而避免在高熱情況中所述第二電路板102脫落。
如圖2和圖5所示，所述積體電路晶片104和所述第二電路板102並列設置於所述第一電路板101的第一表面上，所述第一電路板101第一表面上還設置有多個第三焊墊109，所述第三焊墊109排列成兩行，相對設置於所述積體電路晶片104兩側。
所述積體電路晶片104的上表面嵌有接近感測器106，且所述積體電路晶片104的上表面上設置有環境光感測器105，所述環境光感測器105相對於所述積體電路晶片104上表面凸起一預定高度，且所述環境光感測器105未遮蔽所述接近感測器106。
所述積體電路晶片104上表面未嵌入接近感測器106，且未安裝有環境光感測器105的區域設置有多個第二焊墊108，所述環境光感測器105上表面設置有多個第 一焊墊107。
所述第一焊墊107和所述第三焊墊109分別透過焊線113與對應的所述第二焊墊108電性連接。
如圖3和圖5所示，在所述第二電路板102的上表面設置有第四焊墊110和第五焊墊111，且在所述第五焊墊的上表面上設置有發光元件112，所述發光元件112例如為光垂直腔面發射雷射器(VCSEL)、發光二極體(VCSEL LED)或鐳射二極體(ASIC Die)中的任意一種。所述發光元件112透過焊線113與所述第四焊墊110電性連接。
如圖4所示，在所述第一電路板101的第二表面設置有多個第六焊墊115，所述第六焊墊115位於所述第一電路板101的第二表面上，且透過所述第一電路板101和所述第二電路板102的內部，與所述積體電路晶片104、所述發光元件112相互耦接，使得所述光學感測器封裝組件形成表面黏著元件。
其中，所述第一焊墊107、第二焊墊108、第三焊墊109、第四焊墊110、第五焊墊111以及第六焊墊115例如均為鋁焊墊，所述焊線113例如均為金線。
如圖2至圖5所示，所述發光元件112和所述積體電路晶片104之間設置有擋板103，所述擋板103設置於所述第一電路板101的第一表面上，且與所述第二電路板102的第二側邊緊密相鄰。所述擋板103可阻擋所述發光元件112與所述環境光感測器105之間的不期望的直接、 散射或折射光的透射，並由此使得所述發光元件112和所述環境光感測器105之間的串擾和干涉最小。
可以理解的是，在所述發光元件112例如為紅外LED燈的情況下，相對應的，所述擋板103例如為阻絕紅外光的塑料、陶瓷或金屬中的任意一種。
本發明第一實施例的光學感測器封裝組件還包括第一透明封裝料114，所述發光元件112、嵌有所述接近感測器106的所述積體電路晶片104以及所述環境光感測器105均在所述第一透明封裝料114的封裝範圍內，且所述擋板103也在所述第一透明封裝料114的封裝範圍內。
本發明第一實施例的光學感測器封裝組件相對於現有技術而言，由於增加了所述第二電路板102，所述發光元件112被墊高，在實際應用時，無論系統客戶設計的TP(Touch Panel)與器件距離的高低如何，均無需再調節接近感測器106、環境光感測器105以及發光元件112的厚度即可符合所有客戶的光機應用需求，且由於接近感測器106、環境光感測器105以及發光元件112的厚度無需做得很厚，在焊線製程中，可靠性問題可以得到保障，且由於發光元件112的厚度可以做得比較小，其可盡可能的接近擋板103，這可盡可能的減小封裝組件的尺寸，且減小手機面板上開孔的孔徑，同時還無需犧牲接近感測器106的感測範圍。
在此基礎上，由於增加了第二電路板，所述發光元件112被墊高，所述發光元件112自發光源的出射路徑範圍 117縮小，由此可以在環境光感測器105的環境光感測範圍118增大時，減少發光元件112自發光源的反射光對環境光感測器105的干擾，且可以使發光元件112和接近感測器106之間的接近感測視角得到進一步的優化。
此外，本發明第一實施例的光學感測器封裝組件，僅需要一道封裝料模製製程，相比現有技術中的兩次而言，不僅工藝簡單，還可以進一步縮小光學感測器封裝組件的體積。
圖6示出了根據本發明第二實施例的光學感測器封裝組件的透視圖。如圖6所示，本發明第二實施例的光學感測器封裝組件相對於本發明第一實施例的光學感測器封裝組件，其區別僅在於，所述第二電路板102的第一側邊相對於所述第一電路板101的第一側邊內縮一預定距離。
相對於本發明第一實施例的光學感測器封裝組件僅在所述第二電路板102上設置凹槽相比，將所述第二電路板102的第一側邊相對於所述第一電路板101的第一側邊內縮一預定距離，使得所述透明封裝料對所述第二電路板102的固定效果更加優越，從而避免在高熱情況中所述第二電路板102脫落。
圖7示出了根據本發明第三實施例的光學感測器封裝組件的透視圖。如圖7所示，本發明第三實施例的光學感測器封裝組件相對於本發明第二實施例的光學感測器封裝組件，其區別僅在於，將原本位於所述第一電路板101第一表面上，且緊鄰所述第二電路板102第二側邊的擋板 103，設置於所述第二電路板102的上表面上，且緊鄰所述第二電路板102第二側邊。
與本發明所第二實施例的光學感測器封裝組件相比，本發明第三實施例的光學感測器封裝組件由於將所述擋板103設置於所述第二電路板102的上表面上，所述第二擋板103對所述第二電路板102起到了固定作用，使得所述透明封裝料對所述第二電路板102的固定效果更加優越，從而避免在高熱情況中所述第二電路板102脫落。
圖8a至圖8g示出了根據本發明第一實施例的光學感測器封裝組件製作方法不同階段的透視圖。為便於更好的實施本發明第一實施例的集模製光學器件，本發明第五實施例還提供一種集模製光學器件的製作方法。其中名詞的含義與本發明第一實施例中相同，具體實現細節可參考本發明第一實施例中的說明。
如圖8a所示，首先，在所述第一電路板101的第一表面上設置所述第二電路板102，所述第二電路板102的第一側邊與所述第一電路板101的第一側邊對齊。
如圖8b所示，進一步地，在所述第一電路板101的第一表面上設置擋板103，所述擋板103緊鄰所述第二電路板102的第二側邊。
如圖8c所示，進一步地，在所述第一電路板101第一表面上未被所述第二電路板102和所述擋板103覆蓋的區域，設置所述積體電路晶片104，所述積體電路晶片104的上表面嵌有所述接近感測器106。
如圖8d所示，進一步地，在所述積體電路晶片104的上表面上設置環境光感測器105，所述環境光感測器105相對於所述積體電路晶片104上表面凸起一預定高度，且所述環境光感測器105未遮蔽所述接近感測器106。
如圖8e所示，進一步地，在所述第二電路板102的第五焊墊111的上表面上設置一發光元件112。
如圖8f所示，進一步地，用焊線113將對應的焊墊和焊墊，焊墊和元件之間進行連接。
如圖8g所示，最後，對圖8f所示器件進行封裝，形成第一透明封裝料114，所述發光元件112、積體電路晶片104以及環境光感測器105均在所述第一透明封裝料114的封裝範圍內，且所述擋板103也在所述第一透明封裝料114的封裝範圍內。
圖9a和圖9b分別示出了根據本發明第四實施例的電子設備在使用狀態的俯視圖和剖面圖。該如圖所示，該電子設備包括外殼201，所述外殼201具有開孔116。光學感測器封裝組件100位於所述外殼201內，並且經由所述開孔116發出照射光，以及經由所述開孔116接收所述照射光在外部物體表面反射的光以及環境光。
該電子設備200表面具有小口徑開孔116，例如智慧手機，所述光學感測器封裝組件100透過位於其上方的小口徑開孔116進行環境光感測和距離偵測。需要強調的是，為實現對環境光亮度的感測和對物體接近程度的感 測，所述光學感測器封裝組件100的發光元件112自發光源的出射路徑範圍117，以及所述環境光感測器105的環境光感測範圍118，均在所述小孔徑開孔116所限制的區域內。其中，為了更加清晰地示出本發明第四實施例的電子設備的使用狀態，在圖9b中只示意性的繪出了部分主要器件。
在實際應用時，當物體13接近位於所述光學感測器封裝組件100上方的小口徑開孔116時，發光元件112的自發光源，例如自發光11經由所述小口徑開孔116射到物體13表面，經反射得到的反射光12同樣透過所述小口徑開口116射到接近感測器106，其中，所述自發光11和反射光12之間的夾角即為發光元件112和接近感測器106之間的接近感測角。
應當說明的是，在本文中，諸如第一和第二等之類的關係術語僅僅用來將一個實體或者操作與另一個實體或操作區分開來，而不一定要求或者暗示這些實體或操作之間存在任何這種實際的關係或者順序。而且，術語“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要件的過程、方法、物品或者設備不僅包括那些要件，而且還包括沒有明確列出的其他要件，或者是還包括為這種過程、方法、物品或者設備所固有的要件。在沒有更多限制的情況下，由語句“包括一個......”限定的要件，並不排除在包括所述要件的過程、方法、物品或者設備中還存在另外的相同要件。
依照本發明的實施例如上文所述，這些實施例並沒有詳盡敍述所有的細節，也不限制該發明僅為所述的具體實施例。顯然，根據以上描述，可作很多的修改和變化。本說明書選取並具體描述這些實施例，是為了更好地解釋本發明的原理和實際應用，從而使所屬技術領域技術人員能很好地利用本發明以及在本發明基礎上的修改使用。本發明僅受申請專利範圍及其全部範圍和等效物的限制。
101‧‧‧第一電路板
102‧‧‧第二電路板
103‧‧‧擋板
110‧‧‧第四焊墊
111‧‧‧第五焊墊
112‧‧‧發光元件
113‧‧‧焊線
114‧‧‧第一透明封裝料

Claims (22)

  1. 一種光學感測器封裝組件，包括：第一電路板；在該第一電路板上相鄰設置的第二電路板和第一結構；以及位於該第二電路板上的第二結構，其中，該第一結構和該第二結構分別具有第一高度和第二高度，該第二電路板具有第一厚度，該第一厚度與該第二高度之和與該第一高度相匹配，其中，該第一結構包括接近感測器，該第二結構包括發光元件，該發光元件發出照射光經反射到達該接近感測器，以檢測外部物體的靠近。
  2. 根據申請專利範圍第1項所述的光學感測器封裝組件，其中，該第一結構包括環境光感測器，用於檢測環境光亮度。
  3. 根據申請專利範圍第2項所述的光學感測器封裝組件，其中，該接近感測器內嵌於積體電路晶片的表面，該環境光感測器設置在該積體電路晶片上方且位於與該接近感測器相鄰的區域中，該環境光感測器和該積體電路晶片的厚度之和大致等於該第一高度。
  4. 根據申請專利範圍第3項所述的光學感測器封裝組件，其中該環境光感測器與該積體電路晶片電連接。
  5. 根據申請專利範圍第1項所述的光學感測器封裝組件，還包括位於該第一結構和該第二結構之間的擋板， 以阻擋該第二結構產生的光到達該第一結構。
  6. 根據申請專利範圍第5項所述的光學感測器封裝組件，該第二電路板包括至少一個凹陷區域。
  7. 根據申請專利範圍第6項所述的光學感測器封裝組件，其中，該第二電路板的至少一側邊相對於該第一電路板的相應側邊縮進預定距離。
  8. 根據申請專利範圍第7項所述的光學感測器封裝組件，其中，該第二電路板具有彼此相對的第一側邊和第二側邊，該第一側邊鄰近該擋板，該第二側邊相對於該第一電路板的相應側邊縮進預定距離。
  9. 根據申請專利範圍第6項所述的光學感測器封裝組件，其中，該第二電路板的至少一個側邊包括凹槽。
  10. 根據申請專利範圍第9項所述的光學感測器封裝組件，其中，該凹槽為U形凹槽。
  11. 根據申請專利範圍第1項所述的光學感測器封裝組件，還包括透明封裝料，該透明封裝料覆蓋該第一結構、該第二結構和該第二電路板。
  12. 根據申請專利範圍第1項所述的光學感測器封裝組件，其中，該第二電路板包括第一組焊墊和第二組焊墊，分別位於該第二電路板彼此相對的第一表面和第二表面上且彼此連接，該第二結構位於該第二電路板的第一表面上，並且採用焊線與該第一組焊墊電連接。
  13. 根據申請專利範圍第12項所述的光學感測器封裝組件，其中，該第一電路板包括第三組焊墊和第四組焊 墊，分別位於該第一電路板彼此相對的第一表面和第二表面上且彼此連接，該第一結構位於該第一電路板的第一表面上，並且採用焊線與該第三組焊墊電連接，該第二組焊墊與該三組焊墊彼此連接，該第四組焊墊用於與外部電路電連接。
  14. 一種電子設備，包括：外殼，該外殼具有開孔；以及根據申請專利範圍第1至13項中任一項所述的光學感測器封裝組件，其中，該光學感測器封裝組件位於該外殼內，並且經由該開孔發出照射光，以及經由該開孔接收該照射光在外部物體表面反射的光以及環境光。
  15. 一種光學感測器封裝組件的製作方法，包括：在第一電路板設置第二電路板和第一結構，該第二電路板與該第一結構相鄰；以及在該第二電路板上設置第二結構，其中，該第一結構和該第二結構分別具有第一高度和第二高度，該第二電路板具有第一厚度，該第一厚度與該第二高度之和與該第一高度相匹配，其中，該第一結構包括接近感測器，該第二結構包括發光元件，該發光元件發出照射光經反射到達該接近感測器，以檢測外部物體的靠近。
  16. 根據申請專利範圍第15項所述的方法，其中，該第一結構包括環境光感測器，用於檢測環境光亮度。
  17. 根據申請專利範圍第16項所述的方法，其中，該接近感測器內嵌於積體電路晶片的表面，該環境光感測器設置在該積體電路晶片上方且位於與該接近感測器相鄰的區域中，該環境光感測器和該積體電路晶片的厚度之和大致等於該第一高度。
  18. 根據申請專利範圍第15項所述的方法，該第二電路板的至少一側邊相對於該第一電路板的相應側邊縮進預定距離。
  19. 根據申請專利範圍第15項所述的方法，還包括：在該第一結構和該第二結構之間設置擋板，以阻擋該第二結構產生的光到達該第一結構。
  20. 根據申請專利範圍第15項所述的方法，該第二電路板包括第一組焊墊和第二組焊墊，分別位於該第二電路板彼此相對的第一表面和第二表面上且彼此連接，該第二結構位於該第二電路板的第一表面上，該方法還包括：採用焊線將該第二結構與該第一組焊墊電連接。
  21. 根據申請專利範圍第20項所述的方法，該第一電路板包括第三組焊墊和第四組焊墊，分別位於該第一電路板彼此相對的第一表面和第二表面上且彼此連接，該第一結構位於該第一電路板的第一表面上，該方法還包括：採用焊線將該第一結構與該第三組焊墊電連接，將該第二組焊墊與該三組焊墊彼此連接，其中，該第四組焊墊用於與外部電路電連接。
  22. 根據申請專利範圍第15項所述的方法，還包 括：採用透明封裝料同時覆蓋該第一結構、該第二結構和該第二電路板。
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Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160103415A (ko) * 2015-02-24 2016-09-01 엘지이노텍 주식회사 근접센서와 이를 포함하는 카메라 모듈과 이를 포함하는 이동 단말기
CN106847802B (zh) * 2016-12-29 2019-09-24 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 光学传感器封装组件及其制作方法和电子设备
CN108132138A (zh) * 2017-11-23 2018-06-08 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 光学检测组件
EP3553563B1 (en) 2018-04-11 2021-06-16 STMicroelectronics (Research & Development) Limited Electronic module
US11287312B2 (en) 2018-05-09 2022-03-29 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Optical system and method of manufacturing the same
US20220052128A1 (en) * 2018-09-10 2022-02-17 Sharp Kabushiki Kaisha Display device
CN109461662B (zh) * 2018-09-28 2020-06-02 深圳赛意法微电子有限公司 多点近距离感应器的封装方法
CN111337995B (zh) * 2018-12-18 2023-05-23 夏普株式会社 光学式接近传感器以及便携终端装置
CN109449151A (zh) * 2018-12-20 2019-03-08 华天科技（西安）有限公司 一种接近光传感器封装结构及封装方法
CN111668167B (zh) * 2019-03-06 2023-08-29 复凌科技（上海）有限公司 一种芯片模组的封装方法
CN110095426B (zh) * 2019-04-12 2022-01-07 华中科技大学鄂州工业技术研究院 一种基于红外发射和探测集成芯片的红外气体传感器
US11573485B2 (en) * 2019-09-03 2023-02-07 Himax Technologies Limited Projector, 3D sensing module and method for fabricating the projector
CN110649012A (zh) * 2019-09-29 2020-01-03 青岛歌尔智能传感器有限公司 系统级封装结构和电子设备
US11302682B2 (en) * 2019-10-25 2022-04-12 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Optical device package
TWI721815B (zh) * 2020-03-10 2021-03-11 勝麗國際股份有限公司 感測器封裝結構
US10912430B1 (en) * 2020-03-17 2021-02-09 Faner Aroma Product Co., Ltd. Paper quantity detection device and paper containing box having the paper quantity detection device
TWI744987B (zh) * 2020-07-17 2021-11-01 新加坡商光寶科技新加坡私人有限公司 光學感測器封裝結構及其製造方法
CN114234817A (zh) * 2021-12-16 2022-03-25 昆山乔格里光电科技有限公司 一种环境光与距离感测器及其封装方法
US11790816B1 (en) * 2022-09-07 2023-10-17 Qualcomm Incorporated Sensor integrated circuit (IC) with opposite facing ambient light sensor and proximity sensor, and related electronic devices and fabrication methods

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007109851A (ja) * 2005-10-13 2007-04-26 Citizen Electronics Co Ltd フォトインタラプタ
TWM526184U (zh) * 2016-03-30 2016-07-21 Dapa Inc 適用於小孔徑之複合型光學感測器

Family Cites Families (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7714265B2 (en) * 2005-09-30 2010-05-11 Apple Inc. Integrated proximity sensor and light sensor
SG132533A1 (en) 2005-11-21 2007-06-28 St Microelectronics Asia Ultra-thin quad flat no-lead (qfn) package and method of fabricating the same
JP5598787B2 (ja) * 2006-04-17 2014-10-01 マイクロンメモリジャパン株式会社 積層型半導体装置の製造方法
US8232541B2 (en) * 2009-04-14 2012-07-31 Intersil Americas Inc. Optical sensors that reduce specular reflections
CN101866934B (zh) * 2009-04-20 2013-04-10 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 镜头模组
US9525093B2 (en) * 2009-06-30 2016-12-20 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Infrared attenuating or blocking layer in optical proximity sensor
US8143608B2 (en) * 2009-09-10 2012-03-27 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Package-on-package (POP) optical proximity sensor
US8097852B2 (en) * 2009-09-10 2012-01-17 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Multiple transfer molded optical proximity sensor and corresponding method
US8502151B2 (en) * 2010-01-31 2013-08-06 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Optical proximity sensor package with lead frame
GB2485996A (en) * 2010-11-30 2012-06-06 St Microelectronics Res & Dev A combined proximity and ambient light sensor
US8816963B2 (en) * 2010-12-13 2014-08-26 Sae Magnetics (H.K.) Ltd. Optical navigation module and mobile electronic appliance using optical navigation module
US9063005B2 (en) * 2012-04-05 2015-06-23 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. Reflowable opto-electronic module
TWI467777B (zh) * 2012-06-06 2015-01-01 Pixart Imaging Inc 光學裝置之封裝結構
TWM448798U (zh) * 2012-08-10 2013-03-11 Meicer Semiconductor Inc 光學元件封裝模組
TWI476907B (zh) * 2012-09-06 2015-03-11 Ubiq Semiconductor Corp 接近感測器之封裝體及其封裝方法
US8994154B2 (en) * 2012-10-01 2015-03-31 Texas Instruments Incorporated Proximity sensor having light blocking structure in leadframe
US8946620B2 (en) * 2012-10-16 2015-02-03 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Proximity sensor device with internal channeling section
US9804003B2 (en) * 2012-10-23 2017-10-31 Apple Inc. Electronic devices with environmental sensors
DE202013012818U1 (de) * 2012-10-30 2020-01-23 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Linse und lichtemittierendes Modul zur Flächenbeleuchtung
US9322901B2 (en) * 2013-02-20 2016-04-26 Maxim Integrated Products, Inc. Multichip wafer level package (WLP) optical device
US9291495B2 (en) * 2013-03-06 2016-03-22 Apple Inc. Proximity sensor with combined light sensor having an increased viewing angle
US10884551B2 (en) * 2013-05-16 2021-01-05 Analog Devices, Inc. Integrated gesture sensor module
US9685425B2 (en) * 2014-01-28 2017-06-20 Apple Inc. Integrated circuit package
CN105814682B (zh) * 2014-05-30 2019-09-06 富士电机株式会社 半导体装置
US9746557B2 (en) * 2014-07-25 2017-08-29 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. Proximity sensor module including time-of-flight sensor wherein a second group of light sensitive elements is in a second one of the chambers of the module
US9590129B2 (en) * 2014-11-19 2017-03-07 Analog Devices Global Optical sensor module
US9627424B2 (en) * 2014-11-19 2017-04-18 Silicon Laboratories Inc. Photodiodes for ambient light sensing and proximity sensing
CN105679753B (zh) * 2014-11-20 2018-05-08 日月光半导体制造股份有限公司 光学模块、其制造方法及电子装置
US9735135B2 (en) 2014-12-04 2017-08-15 Pixart Imaging (Penang) Sdn. Bhd. Optical sensor package and optical sensor assembly
US10429509B2 (en) * 2014-12-24 2019-10-01 Stmicroelectronics Pte Ltd. Molded proximity sensor
CN105890631B (zh) * 2014-12-25 2018-09-28 意法半导体有限公司 模制邻近传感器
CN105789197B (zh) * 2014-12-25 2019-03-15 日月光半导体制造股份有限公司 光学模块、其制造方法以及具有光学模块的电子装置
CN105895625B (zh) * 2014-12-25 2018-09-21 意法半导体有限公司 用于邻近传感器的晶片级封装
US9752925B2 (en) * 2015-02-13 2017-09-05 Taiwan Biophotonic Corporation Optical sensor
US9588224B2 (en) * 2015-03-06 2017-03-07 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Proximity-sensing device
US9632209B2 (en) * 2015-03-25 2017-04-25 Hana Microelectronics, Inc. Proximity sensor with light blocking compound
US9525094B2 (en) * 2015-03-27 2016-12-20 Stmicroelectronics (Grenoble 2) Sas Proximity and ranging sensor
US20160307881A1 (en) * 2015-04-20 2016-10-20 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Optical sensor module and method for manufacturing the same
CN106469721A (zh) * 2015-08-21 2017-03-01 意法半导体有限公司 邻近传感器及其制造方法
TWI585437B (zh) * 2016-03-30 2017-06-01 Composite optical sensor for small aperture and its preparation method
US11069667B2 (en) * 2016-03-31 2021-07-20 Stmicroelectronics Pte Ltd Wafer level proximity sensor
US10203398B2 (en) * 2016-05-04 2019-02-12 Ting-Yi Chen Optical proximity sensor and manufacturing method thereof
CN106057778B (zh) * 2016-05-27 2018-11-30 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 封装结构及其制造方法
CN106847802B (zh) * 2016-12-29 2019-09-24 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 光学传感器封装组件及其制作方法和电子设备
CN108132138A (zh) * 2017-11-23 2018-06-08 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 光学检测组件
CN108711566A (zh) * 2018-05-25 2018-10-26 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 光学感测系统、光学感测组件及其制造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007109851A (ja) * 2005-10-13 2007-04-26 Citizen Electronics Co Ltd フォトインタラプタ
TWM526184U (zh) * 2016-03-30 2016-07-21 Dapa Inc 適用於小孔徑之複合型光學感測器

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