CN109449151A - 一种接近光传感器封装结构及封装方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种接近光传感器封装结构及封装方法，该结构将多个侧壁集成在一个侧板上，多个传感器的封装载板集成在一个底板上，使得能够同时封装多个接近光传感器；侧板针对每一个侧壁单元还固定设置有一个中间挡墙，省去了传统步骤中进行中间挡墙的制作步骤，简化了工艺流程，因多个传感器封装结构同时封装，使得制作出的传感器尺寸一致，精度更高，因此能够提升生产品质，提高良率。
Description
【技术领域】
本发明属于传感器封装领域，具体涉及一种接近光传感器封装及封装方法。
【背景技术】
触摸屏手机流行之初，用户发现触摸屏存在一个缺陷，接听电话过程中，因脸部会碰到触摸屏幕上，极易点击或碰触到挂机键或者免提键；因此手机厂商利用MEMS技术，将MEMS接近光传感器引进至触摸屏手机中，使得用户在接听电话过程中，手机会自动锁屏，避免误触发；另一方面，手机锁屏也能够节约电量；随着触屏手机使用规模的增加，接近光传感器的用量增加。
接近光传感器的作用光是从具备传感器的发光源放射的光线照射到测量对象上，根据反射到传感器的接近用受光部的光量来判断距离测量对象的远近，以便控制显示屏发光的强弱或发光的开与关。
对接近光传感器的封装使得LED芯片和传感芯片不能横向的直接传送光线，只能向竖直方向发射光线或只能接受竖直方向的光线。其封装方式同通常有以下两种：
一，采用二次塑封工艺(第一次使用透明塑封，第二次使用黑色塑封)；
二，先做一次透明塑封，然后再用黑色的注塑塑料件贴装在透明塑封体上，形成侧壁挡墙。
这两种工艺都存在需要制作特殊模具，投资成本高，产品品质较难控制，良率不稳定等问题。
【发明内容】
本发明的目的在于克服上述现有技术的缺点，提供一种接近光传感器封装结构及封装方法；该方法通过在一个侧板上设置多个侧壁挡墙，使得一次形成封装结构，且封装结构内的侧壁挡墙一次形成，不需要进行二次封装。
为达到上述目的，本发明采用以下技术方案予以实现：
一种接近光传感器封装结构，包括底板和侧板，底板上设置有多个封装载板，每一个封装载板为一个单独接近光传感器的独立底板；侧板上设置有多个侧壁单元，侧壁单元布置方式与数量和封装载板在底板的布置方式和数量相同，每一个封装载板对应一个侧壁单元，封装载板和侧壁单元的下端面固定连接；
每一个侧壁单元包括四个依次首尾相接的侧壁挡墙，侧壁单元为四方体；侧壁单元内固定设置有中间挡墙，中间挡墙将侧壁单元沿长度方向分为第一空间和第二空间；第一空间内固定放置有接近光芯片，第二空间内固定放置有LED发光芯片；接近光芯片和LED发光芯片均和底板电连接；第一空间和第二空间内填充有透明胶体。
本发明的进一步改进在于：
优选的，中间挡墙平行于侧壁单元的两个相对的侧壁挡墙，所述两个相对的侧壁挡墙垂直于侧壁单元的纵向。
优选的，接近光芯片通过第一键合丝和底板电连接；LED发光芯片通过第二键合丝和底板电连接；第一键合丝和第二键合丝均为金属材质。
优选的，侧壁挡墙和中间挡墙选用铜材或不透光的树脂基板。
优选的，底封装载板和侧壁单元的下端面通过锡膏或硅胶粘合剂固定粘合连接。
优选的，接近光芯片和LED发光芯片均通过导电DAF或环氧树脂固定粘结在底板上。
一种上述接近光传感器封装结构的封装方法，包括以下步骤：
步骤1，通过涂胶，将底板和侧板压合，每一个封装载板对应一个侧壁单元，形成多个接近光传感器的侧壁挡墙；
步骤2，将接近光芯片著晶在第一空间内的底板上，将LED发光芯片著晶在第二空间内的底板上；
步骤3，电连接接近光芯片和底板，电连接LED发光芯片和底板，使电路导通；
步骤4，将透明胶体分别填充在第一空间和第二空间内，将第一空间和第二空间填满，烘烤固化透明胶体；
步骤5，切割成单颗接近光传感器成品。
与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：
本发明公开了一种接近光传感器封装结构，该结构将多个侧壁集成在一个侧板上，多个传感器的封装载板集成在一个底板上，使得能够同时封装多个接近光传感器；侧板针对每一个侧壁单元还固定设置有一个中间挡墙，省去了传统步骤中进行中间挡墙的制作步骤，简化了工艺流程，因多个传感器封装结构同时封装，使得制作出的传感器尺寸一致，精度更高，因此能够提升生产品质，提高良率。
进一步的，本发明的中间挡墙设置将一个接近光传感器沿纵向分成两个空间，一次性形成两个空间单元。
进一步的，本发明的接近光芯片及LED发光芯片均和底板电连接，实现传感器的功能。
进一步的，侧壁挡墙和中间挡墙均选用铜材或不透光的树脂基板，实现接近光传感器的功能。
本发明还公开了一种接近光传感器封装结构的封装方法，该方法能够同时形成多个接近光传感器，同时简化了中间挡墙的制作步骤；使得该方法不需要投资模具，生产成本低，并能同时能够制作多个传感器，提升了生产品质，提高了良率。
【附图说明】
图1为本发明的底板结构图；
图2为本发明的侧板结构图；
图3为本发明的侧板剖视图；
图4为本发明的封装结构单元图；
其中：1-封装载板；2-侧壁挡墙；3-接近光芯片；4-第一键合丝；5-透明胶体；6-LED发光芯片；7-第二键合丝；8-底板；9-侧板；10-中间挡墙；11-第一空间；12-第二空间；13-侧壁单元。
【具体实施方式】
下面结合附图对本发明做进一步详细描述：
参见图1和图2，本发明公开的一种接近光传感器封装结构，包括底板8和侧板9；参见图1，底板8上阵列设置有多个封装载板1，每一个封装载板1为一个单独的接近光传感器的底板，底板8上封装载板1的排列数量，排列方式均可根据实际需要进行布置；一般封装载板1为阵列，即成行或成列布置，便于后期单独接近光传感器封装结构的切割；参见图2，侧板9上设置有多个侧壁单元13，每一个侧壁单元13为一个接近光传感器的完整侧壁，侧板9上的侧壁单元13的布置方式和布置数量根据底板8上的封装载板1的排列数量和排列方式确定，即呈行或成列布置，底板8中有空白区域是，侧板9中也对应的包括空白区域，保证一个封装载板1对应一个侧壁单元13；当底板8和侧板9压合时，能够同时形成多个半成品的接近光传感器封装结构。
参见图2、图3和图4，每一个侧壁单元13包括四个侧壁挡墙2，两两平行设置，四个侧壁挡墙2首尾相接，形成一个接近光传感器的侧壁；每一个侧壁挡墙2均垂直于封装载板1；在纵向(垂直于纵向设置)的两个侧壁挡墙2之间设置中间挡墙10，中间挡墙10平行于在纵向上的两个侧壁挡墙2，中间挡墙10的两侧和横向的两个侧壁挡墙2固定连接；中间挡墙10使得接近光传感器沿纵向被分为第一空间11和第二空间12，第一空间11用于放置接近光芯片3，第二空间12用于放置LED发光芯片6；接近光芯片3通过第一键合丝4和封装载板1电连接，LED发光芯片6通过第二键合丝7和封装载板1电连接；每一个接近光传感器将接近光芯片3及LED发光芯片6均和封装载板1电连接后，在第一空间11和第二空间12内填充有透明胶体5，透明胶体5为环氧树脂。
参见图2和图3，当接近光传感器相邻设置时，每一个侧壁单元13在侧板9上也是相邻设置，则每一个侧壁挡墙2同时属于两个侧壁单元13。
本发明将每一个侧壁单元13设置有中间挡墙10，使得每一个接近光的传感器一次塑封，避免了二次制作中间挡墙10的工艺；进一步，多个封装载板1集中设置在一个底板8上，将多个侧壁单元13集中在一个侧板9上，因为使得同时可以制作多个接近光传感器，且因为填充过程为统一填充，使得制作出的传感器的尺寸统一，精度高。
本发明的制备过程：
步骤1，将底板8和侧板9进行压合，形成传感器的侧壁挡墙2；压合前先对底板8进行涂胶，采用钢网印刷的方式，胶的材质可以是锡膏或者硅胶粘合剂，底板8材质是陶瓷或者树脂基板，侧板9和中间挡墙10是铜材或者不透光的树脂基板。
步骤2，分别将接近光芯片3和LED发光芯片6著晶在第一空间11和第二空间12内，粘片胶可以是导电DAF或者环氧树脂胶。
步骤3，通过第一键合丝4键合接近光芯片3和底板8，将LED发光芯片6与底板8通过第二键合丝7键合，使电路导通。
步骤4，将透明胶体5填充固定有接近光芯片3的第一空间11和固定有LED发光芯片6的第二空间12内，将两个空间填满，然后进行烘烤固化透明胶体5。
步骤5，切割成单颗成品。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (7)
1.一种接近光传感器封装结构，其特征在于，包括底板(8)和侧板(9)，底板(8)上设置有多个封装载板(1)，每一个封装载板(1)为一个单独接近光传感器的独立底板；侧板(9)上设置有多个侧壁单元(13)，侧壁单元(13)布置方式与数量和封装载板(1)在底板(8)的布置方式和数量相同，每一个封装载板(1)对应一个侧壁单元(13)，封装载板(1)和侧壁单元(13)的下端面固定连接；
每一个侧壁单元(13)包括四个依次首尾相接的侧壁挡墙(2)，侧壁单元(13)为四方体；侧壁单元(13)内固定设置有中间挡墙(10)，中间挡墙(10)将侧壁单元(13)沿长度方向分为第一空间(11)和第二空间(12)；第一空间(11)内固定放置有接近光芯片(3)，第二空间(12)内固定放置有LED发光芯片(6)；接近光芯片(3)和LED发光芯片(6)均和底板(8)电连接；第一空间(11)和第二空间(12)内填充有透明胶体(5)。
2.根据权利要求1所述的一种接近光传感器封装结构，其特征在于，中间挡墙(10)平行于侧壁单元(13)的两个相对的侧壁挡墙(2)，所述两个相对的侧壁挡墙(2)垂直于侧壁单元(13)的纵向。
3.根据权利要求1所述的一种接近光传感器封装结构，其特征在于，接近光芯片(3)通过第一键合丝(4)和底板(8)电连接；LED发光芯片(6)通过第二键合丝(7)和底板(8)电连接；第一键合丝(4)和第二键合丝(7)均为金属材质。
4.根据权利要求1所述的一种接近光传感器封装结构，其特征在于，侧壁挡墙(2)和中间挡墙(10)选用铜材或不透光的树脂基板。
5.根据权利要求1所述的一种接近光传感器封装结构，其特征在于，底封装载板(1)和侧壁单元(13)的下端面通过锡膏或硅胶粘合剂固定粘合连接。
6.根据权利要求1所述的一种接近光传感器封装结构，其特征在于，接近光芯片(3)和LED发光芯片(6)均通过导电DAF或环氧树脂固定粘结在底板(8)上。
7.一种权利要求1所述的接近光传感器封装结构的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1，通过涂胶，将底板(8)和侧板(9)压合，每一个封装载板(1)对应一个侧壁单元(13)，形成多个接近光传感器的侧壁挡墙(2)；
步骤2，将接近光芯片(3)著晶在第一空间(11)内的底板(8)上，将LED发光芯片(6)著晶在第二空间(12)内的底板(8)上；
步骤3，电连接接近光芯片(3)和底板(8)，电连接LED发光芯片(6)和底板(8)，使电路导通；
步骤4，将透明胶体(5)分别填充在第一空间(11)和第二空间(12)内，将第一空间(11)和第二空间(12)填满，烘烤固化透明胶体(5)；
步骤5，切割成单颗接近光传感器成品。
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110112163A (zh) * | 2019-05-17 | 2019-08-09 | 积高电子(无锡)有限公司 | 一种图像传感器封装结构及封装方法 |
| CN111755557A (zh) * | 2020-06-18 | 2020-10-09 | 深圳市兴邦维科科技有限公司 | 一种接近传感器整合型封装结构 |
| CN112768561A (zh) * | 2021-01-11 | 2021-05-07 | 杭州士兰微电子股份有限公司 | 光传感器封装结构及制作方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106935694A (zh) * | 2017-04-20 | 2017-07-07 | 江苏稳润光电科技有限公司 | 一种csp led封装方法 |
| CN107958903A (zh) * | 2017-11-24 | 2018-04-24 | 维沃移动通信有限公司 | 一种封装结构的加工方法及封装结构 |
| US20180188105A1 (en) * | 2016-12-29 | 2018-07-05 | Silergy Semiconductor Technology (Hangzhou) Ltd | Optical sensor package assembly, manufacturing method thereof and electronic devices |
| CN209087839U (zh) * | 2018-12-20 | 2019-07-09 | 华天科技（西安）有限公司 | 一种接近光传感器封装结构 |
-
2018
- 2018-12-20 CN CN201811564597.7A patent/CN109449151A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20180188105A1 (en) * | 2016-12-29 | 2018-07-05 | Silergy Semiconductor Technology (Hangzhou) Ltd | Optical sensor package assembly, manufacturing method thereof and electronic devices |
| CN106935694A (zh) * | 2017-04-20 | 2017-07-07 | 江苏稳润光电科技有限公司 | 一种csp led封装方法 |
| CN107958903A (zh) * | 2017-11-24 | 2018-04-24 | 维沃移动通信有限公司 | 一种封装结构的加工方法及封装结构 |
| CN209087839U (zh) * | 2018-12-20 | 2019-07-09 | 华天科技（西安）有限公司 | 一种接近光传感器封装结构 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110112163A (zh) * | 2019-05-17 | 2019-08-09 | 积高电子(无锡)有限公司 | 一种图像传感器封装结构及封装方法 |
| CN111755557A (zh) * | 2020-06-18 | 2020-10-09 | 深圳市兴邦维科科技有限公司 | 一种接近传感器整合型封装结构 |
| CN112768561A (zh) * | 2021-01-11 | 2021-05-07 | 杭州士兰微电子股份有限公司 | 光传感器封装结构及制作方法 |
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