TWI699527B - 用於ｘ射線螢光的檢測器 - Google Patents

用於ｘ射線螢光的檢測器 Download PDF

Info

Publication number
TWI699527B
TWI699527B TW105116926A TW105116926A TWI699527B TW I699527 B TWI699527 B TW I699527B TW 105116926 A TW105116926 A TW 105116926A TW 105116926 A TW105116926 A TW 105116926A TW I699527 B TWI699527 B TW I699527B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
detector
voltage
ray
item
patent application
Prior art date
Application number
TW105116926A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201643418A (zh
Inventor
曹培炎
劉雨潤
Original Assignee
中國大陸商深圳幀觀德芯科技有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 中國大陸商深圳幀觀德芯科技有限公司 filed Critical 中國大陸商深圳幀觀德芯科技有限公司
Publication of TW201643418A publication Critical patent/TW201643418A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI699527B publication Critical patent/TWI699527B/zh

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/24—Measuring radiation intensity with semiconductor detectors
    • G01T1/247—Detector read-out circuitry
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14636—Interconnect structures
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
    • G01N23/223—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material by irradiating the sample with X-rays or gamma-rays and by measuring X-ray fluorescence
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
    • H01L27/14658—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
    • H01L27/14659—Direct radiation imagers structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
    • H01L27/14658—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
    • H01L27/14661—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers of the hybrid type
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
    • G01N2223/07—Investigating materials by wave or particle radiation secondary emission
    • G01N2223/076—X-ray fluorescence
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
    • G01N2223/50—Detectors
    • G01N2223/501—Detectors array

Abstract

本文公開檢測器，其包括：多個圖元，每個圖元配置成在一段時間內對其上入射的、能量落在多個倉中的X射線光子的數目計數；並且其中檢測器配置成對所有圖元所計數的具有相同能量範圍的倉添加X射線光子數目。圖元中的每個包括模數轉換器(ADC)，其配置成使代表入射X射線光子的能量的類比信號數位化為數位信號。圖元能夠平行作業。圖元中的每個能夠測量它的暗電流，例如在每個X射線光子入射在其上之前或與之併發。

Description

用於X射線螢光的檢測器
本文的公開涉及適合X射線螢光的檢測器。
X射線螢光是從例如暴露於高能X射線或伽馬射線的材料發射出的特徵螢光X射線。如果原子暴露於具有大於電子電離勢的光子能量的X射線或伽馬射線，該原子內層軌道上的電子可被逐出，從而在內層軌道上留下空位。當原子外層軌道上的電子弛豫來填充內層軌道上的空位時，發射X射線(螢光X射線或二次X射線)。發射的X射線具有等於外層軌道與內層軌道電子之間的能差的光子能量。
對於指定原子，可能弛豫的數量受到限制。如在圖1A中示出的，當L軌道上的電子填充K軌道上的空位(L→K)時，螢光X射線叫作K α。來自M→K弛豫的螢光X射線叫作K β。如在圖1B中示出的，來自M→L弛豫的螢光X射線叫作L α，等等。
分析螢光X射線譜可以識別樣品中的元素，因為每個元素具有特徵能量軌道。螢光X射線可以通過對光子能量分類(能量色散分析)或通過分離螢光X射線的波長(波長色散分析)來分析。每個特徵能量峰的強度直接與樣品中的每個元素的含量有關。
比例計數器或各種類型的固態檢測器(PIN二極體，Si(Li)、Ge(Li)、矽漂移 檢測器SDD)可在能量色散分析中使用。這些檢測器基於相同原理：入射X射線光子使大量檢測器原子電離，其中產生的載荷子的數量與X射線光子的能量成比例。收集載荷子並且對它們計數來確定入射X射線光子的能量並且重複這一過程以便對下一個入射X射線光子計數。在檢測到許多X射線光子後，可通過對X射線光子的數目(作為它們能量的函數)計數來編制光譜。因為由一個入射X射線光子產生的載荷子必須在下一個入射X射線光子撞擊檢測器之前被收集，所以這些檢測器的速度受到限制。
波長色散分析典型地使用光電倍增器。從單色器選擇入射X射線的單波長X射線光子並且將它們傳入光電倍增器。光電倍增器在個別X射線光子經過時對它們計數。計數器是包含可被X射線光子電離的氣體的腔。對導電腔壁和中心電極之間(典型地)充電+1700V，並且每個X射線光子跨該場觸發脈衝式級聯電流。信號被放大並且變換成累積數位計數。這些計數用於確定在所選的單波長的X射線的強度。
本文公開檢測器，其包括：多個圖元，每個圖元配置成在一段時間內對其上入射的、能量落在多個倉中的X射線光子的數目計數；並且其中檢測器配置成對所有圖元所計數的具有相同能量範圍的倉添加X射線光子數目。
根據實施例，檢測器進一步配置成將添加的數目編制成為檢測器上入射的X射線光子的光譜。
根據實施例，多個圖元採用陣列設置。
根據實施例，圖元配置成在相同時段內對X射線光子的數目計數。
根據實施例，圖元中的每個包括模數轉換器(ADC)，其配置成使代表入射X射線光子能量的類比信號數位化為數位信號。
根據實施例，圖元配置成平行作業。
根據實施例，圖元中的每個配置成測量它的暗電流。
根據實施例，圖元中的每個配置成在每個X射線光子入射在其上之前或與之併發地測量它的暗電流。
根據實施例，圖元中的每個配置成從其上入射的X射線光子的能量減去暗電流的貢獻。
根據實施例，圖元中的每個配置成通過測量電壓增加閾值所花的時間來測量它的暗電流。
根據實施例，ADC是逐次逼近寄存器(SAR)ADC。
根據實施例，檢測器進一步包括：X射線吸收層，其包括電觸點；第一電壓比較器，其配置成將電觸點的電壓與第一閾值比較；第二電壓比較器，其配置成將電壓與第二閾值比較；控制器；多個計數器，每個與倉關聯並且配置成記錄圖元中的每個所吸收的X射線光子的數目，其中X射線光子的能量落在倉中；其中控制器配置成從第一電壓比較器確定電壓的絕對值等於或超出第一閾值的絕對值的時間啟動時間延遲；其中控制器配置成確定X射線光子的能量是否落入倉內；其中控制器配置成促使與倉關聯的計數器記錄的數目增加一。
根據實施例，檢測器進一步包括電容器模組，其電連接到電觸點，其中該電容器模組配置成從電觸點收集載荷子。
根據實施例，控制器配置成在時間延遲開始或終止時啟動第二電壓比較器。
根據實施例，控制器配置成使電觸點連接到電接地。
根據實施例，電壓變化率在時間延遲終止時大致為零。
根據實施例，X射線吸收層包括二極體。
如權利要求12所述的檢測器，其中X射線吸收層包括矽、鍺、GaAs、CdTe、CdZnTe或其組合。
根據實施例，裝置不包括閃爍體。
本文公開用於測量X射線的能譜的方法，其包括：使具有多個圖元的檢測器暴露於X射線；對多個倉中的一個的每個圖元確定X射線光子的數目，其中X射線光子的能量落在一個倉中；對所有圖元的具有相同能量範圍的倉添加數目。
根據實施例，確定數目包括扣除暗電流在每個圖元中的貢獻。
根據實施例，確定數目包括模數轉換。
K α‧‧‧螢光X射線
K β‧‧‧螢光X射線
L α‧‧‧螢光X射線
L β‧‧‧螢光X射線
100‧‧‧檢測器
100A‧‧‧檢測器
100B‧‧‧檢測器
100C‧‧‧檢測器
110‧‧‧X射線吸收層
111‧‧‧第一摻雜區
112‧‧‧本征區
113‧‧‧第二摻雜區
114‧‧‧離散區
119A‧‧‧電觸點
119B‧‧‧電觸點
120‧‧‧電子層
121‧‧‧電子系統
130‧‧‧填充材料
131‧‧‧通孔
150‧‧‧圖元
151‧‧‧能量
152‧‧‧步驟
153A‧‧‧倉
153B‧‧‧倉
153C‧‧‧倉
154A‧‧‧計數器
154B‧‧‧計數器
154C‧‧‧計數器
301‧‧‧第一電壓比較器
302‧‧‧第二電壓比較器
305‧‧‧開關
306‧‧‧ADC
309‧‧‧電容器模組
310‧‧‧控制器
320‧‧‧計數器
320A‧‧‧計數器
320B‧‧‧計數器
320C‧‧‧計數器
320D‧‧‧計數器
701、702、703、704、705、706、707、708、709‧‧‧步驟
RST‧‧‧復位期
t0、t1、t2、te、tm、ts、tr‧‧‧時間
TD1‧‧‧時間延遲
V1‧‧‧第一閾值
V2‧‧‧第二閾值
VR‧‧‧殘餘電壓
圖1A和圖1B示意示出XRF的機制。
圖2示意示出根據實施例適合XRF的檢測器。
圖3示意示出根據實施例對於檢測器的框圖。
圖4A示意示出根據實施例的檢測器的橫截面圖。
圖4B示意示出根據實施例的檢測器的詳細橫截面圖。
圖4C示意示出根據實施例的檢測器的備選詳細橫截面圖。
圖5A和圖5B各自示出根據實施例的檢測器的電子系統的部件圖。
圖6示意示出流過電觸點、由與該電觸點關聯的圖元上入射的X射線光子產生的載荷子引起的電流的時間變化(上曲線)和該電觸點電壓的對應時間變化(下曲線)。
圖7示出根據實施例對於圖3中的步驟151的示例流程圖。
圖8示意示出根據實施例由暗電流引起的電觸點電壓的時間變化。
圖2示意示出根據實施例適合XRF的檢測器100。檢測器具有圖元150的陣列。陣列可以是矩形陣列、蜂窩狀陣列、六邊形陣列或任何其他適合的陣列。每個圖元150配置成檢測其上入射的X射線光子並且測量X射線光子的能量。例如，每個圖元150配置成在一段時間內對其上入射的、能量落在多個倉中的X射線光子的數目計數。所有圖元150可配置成在相同時段內對其上入射的、能量在多個倉內的X射線光子的數目計數。每個圖元150可具有它自己的模數轉換器(ADC)，其配置成使代表入射X射線光子的能量的類比信號數位化為數位信號。對於XRF應用，具有10位解析度或更高的ADC是有用的。每個圖元150可配置成測量它的暗電流，例如在每個X射線光子入射在其上之前或與之併發。每個圖元150可配置成從其上入射的X射線光子的能量減去暗電流的貢獻。圖元150可配置成平行作業。例如，在一個圖元150測量入射X射線光子時，另一個圖元150可等待X射線光子到達。圖元150可不必獨立可定址。
檢測器100可具有至少100、2500、10000或以上的圖元150。檢測器100可配置成對所有圖元150所計數的具有相同能量範圍的倉添加X射線光子數目。例如，檢測器100可添加圖元150存儲在能量從70KeV到71KeV的倉中的數目、添加圖元150存儲在能量從71KeV到72KeV的倉中的數目，等等。檢測器100 可將倉中的添加數目編制成為檢測器100上入射的X射線光子的光譜。
圖3示意示出根據實施例對於檢測器100的框圖。每個圖元150可測量其上入射的X射線光子的能量151。X射線光子的能量151在步驟152中數位化(例如，通過ADC)為多個倉153A、153B、153C…中的一個。倉153A、153B、153C…各自分別具有對應的計數器154A、154B和154C。當將能量151分配到倉內時，存儲在對應計數器中的數目增加一。檢測器100可添加存儲在對應於圖元150中具有相同能量範圍的倉的所有計數器中的數目。例如，存儲在所有圖元150中的所有計數器154C中的數目可被添加並且存儲在相同能量範圍的全域計數器100C中。存儲在所有全域計數器中的數目可編製成檢測器100上入射的X射線的能譜。
圖4A示意示出根據實施例的檢測器100的橫截面圖。檢測器100可包括X射線吸收層110和電子層120(例如，ASIC)，用於處理或分析入射X射線在X射線吸收層110中產生的電信號。在實施例中，檢測器100不包括閃爍體。X射線吸收層110可包括半導體材料，例如矽、鍺、GaAs、CdTe、CdZnTe或其組合。半導體對於感興趣的X射線能量可具有高的品質衰減係數。
如在圖4B中的檢測器100的詳細橫截面圖中示出的，根據實施例，X射線吸收層110可包括由第一摻雜區111、第二摻雜區113的一個或多個離散區114形成的一個或多個二極體(例如，p-i-n或p-n)。第二摻雜區113可通過本征區112(可選)而與第一摻雜區111分離。離散區114通過第一摻雜區111或本征區112而彼此分離。第一摻雜區111和第二摻雜區113具有相反類型的摻雜(例如，區111是p型並且區113是n型，或區111是n型並且區113是p型)。在圖4B中的示例中，第二摻雜區113的離散區114中的每個與第一摻雜區111和 本征區112(可選)一起形成二極體。即，在圖4B中的示例中，X射線吸收層110具有多個二極體，其具有第一摻雜區111作為共用電極。第一摻雜區111還可具有離散部分。
在X射線光子撞擊X射線吸收層110(其包括二極體)時，X射線光子可被吸收並且通過許多機制產生一個或多個載荷子。一個X射線光子可產生10至100000個載荷子。載荷子可在電場下向二極體中的一個的電極漂移。場可以是外部電場。電觸點119B可包括離散部分，其中的每個與離散區114電接觸。在實施例中，載荷子可在多個方向上漂移使得單個X射線光子產生的載荷子大致未被兩個不同離散區114共用(“大致未被共用”在這裡意指這些載荷子中不到2%、不到0.5%、不到0.1%或不到0.01%流向與餘下載荷子不同的離散區114中的一個)。圍繞這些離散區114中的一個的足跡入射的X射線光子產生的載荷子大致未與這些離散區114中的另一個共用。與離散區114關聯的圖元150可以是圍繞離散區114的區域，其中由在其中入射的X射線光子產生的載荷子中的大致全部(超過98%、超過99.5%、超過99.9%或超過99.99%)流向離散區114。即，這些載荷子中不到2%、不到1%、不到0.1%或不到0.01%流到圖元外。
如在圖4C中的檢測器100的備選詳細橫截面圖中示出的，根據實施例，X射線吸收層110可包括具有半導體材料(例如矽、鍺、GaAs、CdTe、CdZnTe或其組合)的電阻器，但不包括二極體。半導體對於感興趣的X射線能量可具有高的品質衰減係數。
在X射線光子撞擊X射線吸收層110(其包括電阻器但不包括二極體)時，它可被吸收並且通過許多機制產生一個或多個載荷子。X射線光子可產生10至100000個載荷子。載荷子可在電場下向電觸點119A和119B漂移。場可以是外 部電場。電觸點119B包括離散部分。在實施例中，載荷子可在多個方向上漂移使得單個X射線光子產生的載荷子大致未被電觸點119B的兩個不同離散部分共用(“大致未被共用”在這裡意指這些載荷子中不到2%、不到0.5%、不到0.1%或不到0.01%流向與餘下載荷子不同的離散部分中的一個)。圍繞電觸點119B的這些離散部分中的一個的足跡入射的X射線光子產生的載荷子大致未與電觸點119B的這些離散部分中的另一個共用。與電觸點119B的離散部分關聯的圖元150可以是圍繞離散部分的區域，其中由在其中入射的X射線光子產生的載荷子中的大致全部(超過98%、超過99.5%、超過99.9%或超過99.99%)流向電觸點119B的離散部分。即，這些載荷子中不到2%、不到0.5%、不到0.1%或不到0.01%流到與電觸點119B的一個離散部分關聯的圖元外。
電子層120可包括電子系統121，其適合於處理或解釋X射線吸收層110上入射的X射線光子產生的信號。電子系統121可包括例如濾波網路、放大器、積分器和比較器等類比電路或例如微處理器等數位電路和記憶體。電子系統121可包括圖元共用的部件或專用於單個圖元的部件。例如，電子系統121可包括專用於每個圖元的放大器和在所有圖元之間共用的微處理器。電子系統121可通過通孔131電連接到圖元。通孔之間的空間可用填充材料130填充，其可使電子層120到X射線吸收層110的連接的機械穩定性增加。在不使用通孔的情況下使電子系統121連接到圖元的其他接合技術是可能的。
圖5A和5B各自示出根據實施例的電子系統121的部件圖。該電子系統121可包括第一電壓比較器301、第二電壓比較器302、多個計數器320(其包括計數器320A、320B、320C、320D…)、開關305、ADC 306和控制器310。
第一電壓比較器301配置成將電觸點119B的離散部分的電壓與第一閾值比 較。第一電壓比較器301可配置成直接監測電壓，或通過一段時間內流過二極體或電觸點的電流整合來計算電壓。第一電壓比較器301可由控制器310可控地啟動或停用。第一電壓比較器301可以是連續比較器。即，第一電壓比較器301可配置成被連續啟動，並且連續監測電壓。配置為連續比較器的第一電壓比較器301使系統121錯過由入射X射線光子產生的信號的機會減少。配置為連續比較器的第一電壓比較器301在入射X射線強度相對高時尤其適合。第一電壓比較器301可以是鐘控比較器，其具有較低功耗的益處。配置為鐘控比較器的第一電壓比較器301可導致系統121錯過由一些入射X射線光子產生的信號。在入射X射線強度低時，錯過入射X射線光子的機會因為兩個連續光子之間的間隔相對長而較低。因此，配置為鐘控比較器的第一電壓比較器301在入射X射線強度相對低時尤其適合。第一閾值可以是一個入射X射線光子可在電觸點119B上產生的最大電壓的1-5%、5-10%、10%-20%、20-30%、30-40%或40-50%。最大電壓可取決於入射X射線光子的能量(即，入射X射線的波長)，X射線吸收層110的材料和其他因素。例如，第一閾值可以是50mV、100mV、150mV或200mV。
第二電壓比較器302配置成將電壓與第二閾值比較。第二電壓比較器302可配置成直接監測電壓，或通過使一段時間內流過二極體或電觸點的電流整合來計算電壓。第二電壓比較器302可以是連續比較器。第二電壓比較器302可由控制器310可控地啟動或停用。在停用第二電壓比較器302時，第二電壓比較器302的功耗可以是啟動第二電壓比較器302時的功耗的不到1%、不到5%、不到10%或不到20%。第二閾值的絕對值大於第一閾值的絕對值。如本文使用的，術語實數x的“絕對值”或“模數”|x|是x的非負值而不考慮它的符號。即，
Figure 105116926-A0101-12-0010-1
。第二閾值可以是第一閾值的200%-300%。例如，第二閾值可以是100mV、150mV、200mV、250mV或300mV。第二電壓比較器302和第一電壓比較器301可以是相同部件。即，系統121可具有一個電壓比較器，其可以在不同時間將電壓與兩個不同閾值比較。
第一電壓比較器301或第二電壓比較器302可包括一個或多個運算放大器或任何其他適合的電路。第一電壓比較器301或第二電壓比較器302可具有高的速度以允許系統121在高的入射X射線通量下操作。然而，具有高的速度通常以功耗為代價。
計數器320可以是軟體部件(例如，電腦記憶體中存儲的數目)或硬體部件(例如，4017 IC和7490 IC)。每個計數器320與能量範圍的倉關聯。例如，計數器320A可與70-71KeV的倉關聯，計數器320B可與71-72KeV的倉關聯，計數器320C可與72-73KeV的倉關聯，計數器320D可與73-74KeV的倉關聯。在ADC 306確定入射X射線光子的能量在計數器320關聯的倉中時，計數器320中記錄的數目增加一。
控制器310可以是例如微控制器和微處理器等硬體部件。控制器310配置成從第一電壓比較器301確定電壓的絕對值等於或超出第一閾值的絕對值(例如，電壓的絕對值從第一閾值的絕對閾值以下增加到等於或超過第一閾值的絕對值的值)的時間啟動時間延遲。在這裡因為電壓可以是負的或正的而使用絕對值，這取決於是使用二極體的陰極還是陽極的電壓或使用哪個電觸點。控制器310可配置成在第一電壓比較器301確定電壓的絕對值等於或超出第一閾值的絕對值的時間之前，保持停用第二電壓比較器302、計數器320和第一電壓比較器301的操作中不需要的任何其他電路。時間延遲可在電壓變穩定(即，電壓的變化 率大致為零)之後終止。短語“變化率大致為零”意指時間變化小於0.1%/ns。短語“變化率大致為非零”意指電壓的時間變化是至少0.1%/ns。
控制器310可配置成在時間延遲期間(其包括開始和終止)啟動第二電壓比較器。在實施例中，控制器310配置成在時間延遲開始時啟動第二電壓比較器。術語“啟動”意指促使部件進入操作狀態(例如，通過發送例如電壓脈衝或邏輯電平等信號、通過提供電力等)。術語“停用”意指促使部件進入非操作狀態(例如，通過發送例如電壓脈衝或邏輯電平等信號、通過切斷電力等)。操作狀態可具有比非操作狀態更高的功耗(例如，高10倍、高100倍、高1000倍)。控制器310本身可被停用直到第一電壓比較器301的輸出電壓的絕對值等於或超出第一閾值的絕對值時才啟動控制器310。
如果在時間延遲期間，第二電壓比較器302確定電壓的絕對值等於或超出第二閾值的絕對值，並且X射線光子的能量落在與計數器320關聯的倉中，控制器310可配置成促使計數器320中的一個記錄的數目增加一。
控制器310可配置成促使ADC 306在時間延遲終止時使電壓數位化並且基於電壓來確定X射線光子的能量落在哪個倉中。
控制器310可配置成使電觸點119B連接到電接地，以便使電壓重定並且使電極上累積的任何載荷子放電。在實施例中，電觸點119B在時間延遲終止後連接到電接地。在實施例中，電觸點119B持續有限復位時期地連接到電接地。控制器310可通過控制開關305而使電觸點119B連接到電接地。開關可以是電晶體，例如場效應電晶體(FET)。
在實施例中，系統121沒有類比濾波器網路(例如，RC網路)。在實施例中，系統121沒有類比電路。
ADC 306可將它測量的電壓作為類比或數位信號饋送給控制器310。ADC可以是逐次逼近寄存器(SAR)ADC(也叫作逐次逼近ADC)。在最終收斂於類比信號的數位輸出之前，SAR ADC經由所有可能量化等級的二分查找來使類比信號數位化。SAR ADC可具有四個主要子電路：採樣保持電路，用於採集輸入電壓(Vin)；內部數模轉換器(DAC)，其配置成對類比電壓比較器供應等於逐次逼近寄存器(SAR)的數位代碼輸出的類比電壓，該類比電壓比較器將Vin與內部DAC的輸出比較並且向SAR輸出比較的結果，SAR配置成向內部DAC供應Vin的逼近數字代碼。SAR可被初始化使得最高有效位元(MSB)等於數字1。將該代碼饋入內部DAC，其然後將該數位代碼的類比等同物(Vref/2)供應到比較器內用於與Vin比較。如果該類比電壓超出Vin，比較器促使SAR重定該位；否則，使位為1。然後SAR的下一個位設置成1並且進行相同測試，從而繼續該二分查找直到SAR中的每個位被測試。所得的代碼是Vin的數位逼近並且最後在數位化結束時由SAR輸出。
系統121可包括電容器模組309，其電連接到電觸點119B，其中電容器模組配置成從電觸點119B收集載荷子。電容器模組可以包括放大器的回饋路徑中的電容器。如此配置的放大器叫作電容跨阻放大器(CTIA)。CTIA通過防止放大器飽和而具有高的動態範圍並且通過限制信號路徑中的頻寬來提高信噪比。來自電極的載荷子在一段時間(“整合期”)(例如，如在圖6中示出的，在t0至ts之間)內在電容器上累積。在整合期終止後，由ADC 306對電容器電壓採樣然後由重定開關將其重定。電容器模組309可以包括直接連接到電觸點119B的電容器。
圖6示意示出流過電觸點119B、由與該電觸點119B關聯的圖元150上入射的X射線光子產生的載荷子引起的電流的時間變化(上曲線)和電觸點119B的 電壓的對應時間變化(下曲線)。電壓可以是電流關於時間的整合。在時間t0，X射線光子撞擊二極體或電阻器，載荷子開始在圖元150中產生，電流開始流過電觸點119B，並且電觸點119B的電壓的絕對值開始增加。在時間t1，第一電壓比較器301確定電壓的絕對值等於或超出第一閾值V1的絕對值，並且控制器310啟動時間延遲TD1並且控制器310可在TD1開始時停用第一電壓比較器301。如果控制器310在t1之前被停用，在t1啟動控制器310。在TD1期間，控制器310啟動第二電壓比較器302。如這裡使用的術語在時間延遲“期間”意指開始和終止(即，結束)和中間的任何時間。例如，控制器310可在TD1終止時啟動第二電壓比較器302。如果在TD1期間，第二電壓比較器302確定在時間t2電壓的絕對值等於或超出第二閾值的絕對值，控制器310等待電壓穩定來穩定。電壓在時間te穩定，這時X射線光子產生的所有載荷子漂移出X射線吸收層110。在時間ts，時間延遲TD1終止。在時間te或te之後，控制器310促使ADC306使電壓數位化並且確定X射線光子的能量落在哪個倉中。控制器310然後促使對應於倉的計數器320記錄的數目增加一。在圖6的示例中，時間ts在時間te之後；即TD1在X射線光子產生的所有載荷子漂移出X射線吸收層110之後終止。如果無法輕易測量時間te，TD1可以根據經驗選擇以允許有足夠的時間來收集由X射線光子產生的基本上全部載荷子，但TD1不能太長，否則會有另一個入射X射線光子產生的載荷子被收集的風險。即，TD1可以根據經驗選擇使得ts根據經驗在時間te之後。因為一旦達到V2，控制器310可忽視TD1並且等待時間te，時間ts不一定在時間te之後。電壓和暗電流對電壓的貢獻之間的差異的變化率從而在te大致為零。控制器310可配置成在TD1終止時或在t2或中間的任何時間停用第二電壓比較器302。
在時間te的電壓與X射線光子產生的載荷子的數量成比例，該數量與X射 線光子的能量有關。控制器310可配置成基於ADC 306的輸出來確定X射線光子的能量所落入的倉。
在TD1終止或被ADC 306數位化後(以較遲者為准)，控制器310持續復位時期RST地使電觸點119B連接到電接地以允許電觸點119B上累積的載荷子流到地面並且使電壓重定。在RST之後，系統121準備檢測另一個入射X射線光子。系統121在圖6的示例中可以應對的入射X射線光子的速率隱式地受限於1/(TD1+RST)。如果第一電壓比較器301被停用，控制器310可以在RST終止之前的任何時間啟動它。如果控制器310被停用，可在RST終止之前啟動它。
因為檢測器100具有平行作業的許多圖元150，檢測器可以應對高得多的入射X射線光子速率。這是因為特定圖元150上的入射率是整個圖元陣列上的入射率的1/N，其中N是圖元數目。
圖7示出根據實施例的圖3中的步驟151的示例流程圖。在步驟701中，例如使用第一電壓比較器301將暴露於X射線光子(例如，螢光X射線)的二極體或電阻器的電觸點119B的電壓與第一閾值比較。在步驟702中，例如用控制器310確定電壓的絕對值是否等於或超出第一閾值V1的絕對值。如果電壓的絕對值不等於或超出第一閾值的絕對值，方法回到步驟701。如果電壓的絕對值等於或超出第一閾值的絕對值，繼續到步驟703。在步驟703中，測量T=(t1-t0)。在步驟704中，例如使用控制器310來啟動時間延遲TD1。在步驟705中，例如使用第二電壓比較器302來將電壓與第二閾值比較。在步驟706中，例如使用控制器310來確定電壓的絕對值是否等於或超出第二閾值V2的絕對值。如果電壓的絕對值不等於或超出第二閾值的絕對值，方法回到步驟707。在步驟707中，使用T測量暗電流對電壓的貢獻。在示例中，確定T是否大於之前測量的最大 T(Tmax)。如果T之前未被測量，Tmax=0。如果T大於Tmax，用T替換Tmax(即，T變成新的Tmax)。暗電流對電壓的貢獻處於V1/Tmax的速率。如果如在該示例中的那樣測量暗電流，在步驟709中暗電流的貢獻是((tm-tr)．V1/Tmax)，其中tr是最後的復位時期的結束。與該公開中的任何時間間隔類似，(tm-tr)可以通過計數脈衝(例如，計數時鐘週期或時鐘脈衝)來測量。在利用檢測器100的每個測量之前，Tmax可重定為零。可通過對在t1與t0之間的脈衝數目計數來測量T，如在圖6和圖8中示意示出的。使用T測量暗電流對電壓的貢獻的另一個方式包括提取T分佈的參數(例如，T的預期值(Texpected))並且估計暗電流對電壓的貢獻率(作為V1/Texpected)。在步驟708中，例如通過使電觸點119B連接到電接地，使電壓重定為電接點。如果電壓的絕對值等於或超出第二閾值的絕對值，繼續到步驟709。在步驟709中，在時間tm，在電壓穩定後測量它，並且扣除暗電流對測量電壓的貢獻。時間tm可以是TD1終止之後且RST之前的任何時間。在圖3中的步驟152中將結果提供給ADC。復位時期結束的時間(例如，電觸點119B從電接地斷開的時間)是tr。
圖8示意示出根據實施例由暗電流引起的電觸點119B的電壓的時間變化。在RST後，電壓由於暗電流而增加。暗電流越高，電壓達到V1所花的時間越少(即T更短)。因此，T是暗電流的度量。暗電流不可能大到足以促使電壓在TD1期間達到V2但由入射X射線光子引起的電流很可能大到足以促使電壓在TD1期間達到V2。該差異可用於識別暗電流的效應。圖8中的流程可在圖元150測量一系列入射X射線光子時在每個圖元150中實施，這將允許捕獲暗電流的變化(例如，通過改變環境(例如溫度)而引起)。
儘管本文公開各種方面和實施例，其他方面和實施例對於本領域內技術人員將變得明顯。本文公開的各種方面和實施例是為了說明目的而不意在為限制 性的，其真正範圍和精神由下列權利要求指示。
100A‧‧‧檢測器
100B‧‧‧檢測器
100C‧‧‧檢測器
150‧‧‧圖元
151‧‧‧能量
152‧‧‧步驟
153A‧‧‧倉
153B‧‧‧倉
153C‧‧‧倉
154A‧‧‧計數器
154B‧‧‧計數器
154C‧‧‧計數器

Claims (22)

  1. 一種檢測器，其包括：多個圖元，每個圖元配置成在一段時間內對其上入射的、能量落在不同能量範圍各自的多個倉中的X射線光子的數目計數；並且其中所述檢測器配置成加總所有所述圖元所計數的僅來自相同能量範圍的所述倉的所述數目。
  2. 如申請專利範圍第1項之檢測器，其進一步配置成將添加的數目編制成為所述檢測器上入射的X射線光子的光譜。
  3. 如申請專利範圍第1項之檢測器，其中所述多個圖元採用陣列設置。
  4. 如申請專利範圍第1項之檢測器，其中所述圖元配置成在相同時段內對X射線光子的數目計數。
  5. 如申請專利範圍第1項之檢測器，其中所述圖元中的每個包括模數轉換器(ADC)，其配置成使代表入射X射線光子能量的類比信號數位化為數位信號。
  6. 如申請專利範圍第1項之檢測器，其中所述圖元配置成平行作業。
  7. 如申請專利範圍第1項之檢測器，其中所述圖元中的每個配置成測量它的暗電流。
  8. 如申請專利範圍第7項之檢測器，其中所述圖元中的每個配置成在每個X射線光子入射在其上之前或與之併發地測量它的暗電流。
  9. 如申請專利範圍第7項之檢測器，其中所述圖元中的每個配置成從其上入射的X射線光子的能量減去所述暗電流的貢獻。
  10. 如申請專利範圍第7項之檢測器，其中所述圖元中的每個配置成通過測量電壓增加閾值所花的時間來測量它的暗電流。
  11. 如申請專利範圍第5項之檢測器，其中所述ADC是逐次逼近寄存器(SAR)ADC。
  12. 如申請專利範圍第1項之檢測器，其進一步包括：X射線吸收層，其包括電觸點；第一電壓比較器，其配置成將所述電觸點的電壓與第一閾值比較；第二電壓比較器，其配置成將所述電壓與第二閾值比較；控制器；多個計數器，每個與倉關聯並且配置成記錄圖元中的每個所吸收的X射線光子的數目，其中所述X射線光子的能量落在倉中；其中所述控制器配置成從所述第一電壓比較器確定所述電壓的絕對值等於或超出所述第一閾值的絕對值的時間啟動時間延遲；其中所述控制器配置成確定X射線光子的能量是否落入倉內；其中所述控制器配置成促使與所述倉關聯的計數器記錄的數目增加一。
  13. 如申請專利範圍第12項之檢測器，其進一步包括電連接到所述電觸點的電容器模組，其中所述電容器模組配置成從所述電觸點收集載荷子。
  14. 如申請專利範圍第12項之檢測器，其中所述控制器配置成在所述時間延遲開始或終止時啟動所述第二電壓比較器。
  15. 如申請專利範圍第12項之檢測器，其中所述控制器配置成使所述電觸點連接到電接地。
  16. 如申請專利範圍第12項之檢測器，其中所述電壓的變化率在所述時間延遲終止時大致為零。
  17. 如申請專利範圍第12項之檢測器，其中所述X射線吸收層包括二極體。
  18. 如申請專利範圍第12項之檢測器，其中所述X射線吸收層包括矽、鍺、GaAs、CdTe、CdZnTe或其組合。
  19. 如申請專利範圍第12項之檢測器，其中所述裝置不包括閃爍體。
  20. 一種用於測量X射線的能譜的方法，其包括：使具有多個圖元的檢測器暴露於X射線；對不同能量範圍各自的多個倉中的一個倉的所述圖元的每個確定X射線光子的數目，其中所述X射線光子的能量落在所述一個倉中；加總對所有圖元的確定僅來自相同能量範圍的所述倉的所述數目。
  21. 如申請專利範圍第20項之方法，其中確定所述數目包括扣除暗電流在所述每個圖元中的貢獻。
  22. 如申請專利範圍第20項之方法，其中確定所述數目包括模數轉換。
TW105116926A 2015-06-10 2016-05-30 用於ｘ射線螢光的檢測器 TWI699527B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/CN2015/081126 WO2016197338A1 (en) 2015-06-10 2015-06-10 A detector for x-ray fluorescence
WOPCT/CN2015/081126 2015-06-10

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201643418A TW201643418A (zh) 2016-12-16
TWI699527B true TWI699527B (zh) 2020-07-21

Family

ID=57502920

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105116926A TWI699527B (zh) 2015-06-10 2016-05-30 用於ｘ射線螢光的檢測器

Country Status (5)

Country Link
US (2) US10539691B2 (zh)
EP (1) EP3320371A4 (zh)
CN (1) CN107615095B (zh)
TW (1) TWI699527B (zh)
WO (1) WO2016197338A1 (zh)

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3320371A4 (en) * 2015-06-10 2019-03-06 Shenzhen Xpectvision Technology Co., Ltd. DETECTOR FOR X-RAY FLUORESCENCE
CN108449982B (zh) * 2015-08-27 2020-12-15 深圳帧观德芯科技有限公司 利用能够分辨光子能量的检测器的x射线成像
CN109416406B (zh) * 2016-07-05 2023-06-20 深圳帧观德芯科技有限公司 具有不同热膨胀系数的接合材料
RU2659717C2 (ru) * 2016-12-22 2018-07-03 Объединенный Институт Ядерных Исследований Полупроводниковый пиксельный детектор заряженных сильно ионизирующих частиц (многозарядных ионов)
WO2018133085A1 (en) * 2017-01-23 2018-07-26 Shenzhen Xpectvision Technology Co., Ltd. A radiation detector with dynamically allocated memory for particle counting
EP3701288B1 (en) * 2017-10-26 2023-05-10 Shenzhen Xpectvision Technology Co., Ltd. Detector for x-ray fluorescence
CN111226139B (zh) * 2017-10-26 2023-08-01 深圳帧观德芯科技有限公司 具有冷却系统的x射线检测器
WO2019084702A1 (en) * 2017-10-30 2019-05-09 Shenzhen Genorivision Technology Co. Ltd. A lidar detector with high time resolution
WO2019144323A1 (en) 2018-01-24 2019-08-01 Shenzhen Xpectvision Technology Co., Ltd. Strip pixel detector
EP3743743B1 (en) * 2018-01-24 2024-03-20 Shenzhen Xpectvision Technology Co., Ltd. Radiation detector
EP3743744A4 (en) * 2018-01-25 2021-07-28 Shenzhen Xpectvision Technology Co., Ltd. RADIATION DETECTOR PACKAGING
WO2019144344A1 (en) * 2018-01-25 2019-08-01 Shenzhen Xpectvision Technology Co., Ltd. Radiation detector with quantum dot scintillator
CN111587084B (zh) 2018-02-03 2024-03-15 深圳帧观德芯科技有限公司 内窥镜
CN112040868A (zh) * 2018-05-14 2020-12-04 深圳帧观德芯科技有限公司 用于对前列腺进行成像的装置
CN112449685B (zh) * 2018-07-12 2023-08-01 深圳帧观德芯科技有限公司 辐射检测器
EP3847481B1 (en) * 2018-09-07 2023-11-29 Shenzhen Xpectvision Technology Co., Ltd. A radiation detector
WO2020047837A1 (en) 2018-09-07 2020-03-12 Shenzhen Xpectvision Technology Co., Ltd. Systems and methods of controlling electroplating
EP3864440A4 (en) * 2018-10-09 2022-05-25 Shenzhen Xpectvision Technology Co., Ltd. METHODS AND SYSTEMS FOR FORMING IMAGES BY RADIATION
CN112912768B (zh) * 2018-11-06 2024-04-16 深圳帧观德芯科技有限公司 使用x射线荧光成像的方法
EP3877781A4 (en) * 2018-11-06 2022-06-08 Shenzhen Xpectvision Technology Co., Ltd. PROSTATE IMAGING DEVICE
EP4004540A4 (en) 2019-07-29 2023-03-29 Shenzhen Xpectvision Technology Co., Ltd. BIOLOGICAL IMAGING PROCESS USING X-RAY FLUORESCENCE
CN111223883B (zh) * 2020-01-17 2022-10-11 南昌大学 一种双时步光电倍增器件
DE102020210957A1 (de) * 2020-08-31 2022-03-03 Siemens Healthcare Gmbh Auswerteeinheit für einen Röntgendetektor, Röntgendetektor, medizinische Bildgebungsvorrichtung und Verfahren zum Betreiben eines Röntgendetektors

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030122084A1 (en) * 2000-01-18 2003-07-03 Pascal Desaute Method and apparatus for imaging by means of ionizing radiation
US20040232949A1 (en) * 2001-06-15 2004-11-25 Marc Arques Device for reducing the lag and the dark current in a particle detector, in particular a photon detector
US20090046913A1 (en) * 2007-08-17 2009-02-19 General Electric Company Methods and apparatus for data communication across a slip ring
US20100020924A1 (en) * 2006-12-13 2010-01-28 Koninklijke Philips Electronics N. V. Apparatus, imaging device and method for counting x-ray photons
US20110064293A1 (en) * 2009-09-14 2011-03-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Radiation diagnostic apparatus and image reconstructing method
US20120105262A1 (en) * 2010-10-29 2012-05-03 Naresh Kesavan Rao Multichannel digitizer and method of digitizing
US20130284940A1 (en) * 2011-01-10 2013-10-31 Koninklijke Philips Electronics N.V. Detection device for detecting photons emitted by a radiation source
US20140016748A1 (en) * 2012-07-11 2014-01-16 Siemens Aktiengesellschaft Counting Digital X-Ray Detector And Method For Taking A Series Of X-Ray Images
US20140328464A1 (en) * 2011-10-26 2014-11-06 Koninklijke Philips N.V. Radiographic apparatus for detecting photons with offset correction

Family Cites Families (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5245191A (en) 1992-04-14 1993-09-14 The Board Of Regents Of The University Of Arizona Semiconductor sensor for gamma-ray tomographic imaging system
US5389792A (en) 1993-01-04 1995-02-14 Grumman Aerospace Corporation Electron microprobe utilizing thermal detector arrays
AU3310299A (en) 1998-02-25 1999-09-15 Digirad Corporation Combined large area semiconductor radiation detector and imager
US6453002B1 (en) * 2000-04-18 2002-09-17 Jordan Valley Applied Radiation Ltd. Differential measurement of X-ray microfluorescence
JP2002217444A (ja) 2001-01-22 2002-08-02 Canon Inc 放射線検出装置
JP4031618B2 (ja) * 2001-02-28 2008-01-09 安西メディカル株式会社 放射線源検出装置
US6791091B2 (en) 2001-06-19 2004-09-14 Brian Rodricks Wide dynamic range digital imaging system and method
GB2392308B (en) 2002-08-15 2006-10-25 Detection Technology Oy Packaging structure for imaging detectors
JP4414646B2 (ja) 2002-11-18 2010-02-10 浜松ホトニクス株式会社 光検出装置
JP4558716B2 (ja) * 2003-03-07 2010-10-06 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ Ｘ線蛍光マーカの空間分布をイメージングする方法及びイメージングシステム
JP2004362905A (ja) 2003-06-04 2004-12-24 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 直接メタノール型燃料電池用電解質膜の製造方法
US7346146B2 (en) * 2004-02-11 2008-03-18 Koninklijke Philips Electronic, N.V. X-ray detector with photo-gates and dose control
WO2006097882A2 (en) * 2005-03-16 2006-09-21 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh X-ray detector with in-pixel processing circuits
US20060289777A1 (en) 2005-06-29 2006-12-28 Wen Li Detector with electrically isolated pixels
US7456409B2 (en) 2005-07-28 2008-11-25 Carestream Health, Inc. Low noise image data capture for digital radiography
CN1947660B (zh) 2005-10-14 2010-09-29 通用电气公司 用于多管芯背光照明二极管的系统、方法和模块组件
WO2007049168A2 (en) 2005-10-28 2007-05-03 Koninklijke Philips Electronics, N.V. Method and apparatus for spectral computed tomography
RU2427858C2 (ru) 2006-07-10 2011-08-27 Конинклейке Филипс Электроникс, Н.В. Реконструкция энергетического спектра
JP4734224B2 (ja) 2006-12-18 2011-07-27 本田技研工業株式会社 バッファ層膜厚測定方法
US8050385B2 (en) * 2007-02-01 2011-11-01 Koninklijke Philips Electronics N.V. Event sharing restoration for photon counting detectors
US7696483B2 (en) 2007-08-10 2010-04-13 General Electric Company High DQE photon counting detector using statistical recovery of pile-up events
WO2010043926A2 (en) 2007-09-27 2010-04-22 Koninklijke Philips Electronics N. V. Processing electronics and method for determining a count result, and detector for an x-ray imaging device
US8304739B2 (en) 2007-12-20 2012-11-06 Koninklijke Philips Electronics N.V. Direct conversion detector
CN102016637A (zh) 2008-04-30 2011-04-13 皇家飞利浦电子股份有限公司 计数探测器
CN101644780A (zh) 2008-08-04 2010-02-10 北京大学 一种闪烁晶体阵列探测装置
CA2650066A1 (en) 2009-01-16 2010-07-16 Karim S. Karim Photon counting and integrating pixel readout architecture with dynamic switching operation
JP2010237643A (ja) 2009-03-09 2010-10-21 Fuji Xerox Co Ltd 表示媒体、書込装置、及び表示装置
CN101862200B (zh) 2010-05-12 2012-07-04 中国科学院上海应用物理研究所 一种快速x射线荧光ct方法
JP5208186B2 (ja) 2010-11-26 2013-06-12 富士フイルム株式会社 放射線画像検出装置およびその駆動制御方法
EP2490441A1 (en) 2011-02-16 2012-08-22 Paul Scherrer Institut Single photon counting detector system having improved counter architecture
KR101761817B1 (ko) 2011-03-04 2017-07-26 삼성전자주식회사 대면적 엑스선 검출기
JP5508340B2 (ja) 2011-05-30 2014-05-28 富士フイルム株式会社 放射線画像検出装置及び放射線画像検出装置の制御方法
JP5875790B2 (ja) 2011-07-07 2016-03-02 株式会社東芝 光子計数型画像検出器、ｘ線診断装置、及びｘ線コンピュータ断層装置
WO2013012809A1 (en) 2011-07-15 2013-01-24 Brookhaven Science Associates, Llc Radiation detector modules based on multi-layer cross strip semiconductor detectors
WO2013015350A1 (ja) 2011-07-26 2013-01-31 富士フイルム株式会社 放射線撮影装置及びその制御方法、並びに放射線画像検出装置
DE102011080077A1 (de) * 2011-07-29 2013-01-31 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zum Erfassen der wahren Koinzidenz zweier Ladungspulse auf benachbarten Bildpunktelementen, Röntgenstrahlungsdetektor sowie Röntgenbildaufnahmevorrichtung
WO2013084839A1 (ja) * 2011-12-09 2013-06-13 ソニー株式会社 撮像装置、電子機器、輝尽発光検出スキャナーおよび撮像方法
JP2013142578A (ja) 2012-01-10 2013-07-22 Shimadzu Corp 放射線検出器
CN103296035B (zh) 2012-02-29 2016-06-08 中国科学院微电子研究所 X射线平板探测器及其制造方法
DE102012213404B3 (de) 2012-07-31 2014-01-23 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur Temperaturstabilisierung, Röntgenstrahlungsdetektor und CT-System
DE102012215041A1 (de) 2012-08-23 2014-02-27 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelementes eines direktkonvertierenden Röntgendetektors
DE102012215818A1 (de) 2012-09-06 2014-03-06 Siemens Aktiengesellschaft Strahlungsdetektor und Verfahren zur Herstellung eines Strahlungsdetektors
KR101410736B1 (ko) 2012-11-26 2014-06-24 한국전기연구원 면 광원 일체형의 다층 구조를 가지는 디지털 엑스-선 영상 검출기
KR20140132098A (ko) 2013-05-07 2014-11-17 삼성전자주식회사 엑스선 검출기, 이를 포함하는 엑스선 영상 장치 및 그 제어 방법
US9520439B2 (en) 2013-09-23 2016-12-13 Omnivision Technologies, Inc. X-ray and optical image sensor
CN103715214A (zh) 2013-12-02 2014-04-09 江苏龙信电子科技有限公司 一种高清晰度数字x射线平板探测器的制造方法
EP3281040B1 (en) * 2015-04-07 2021-11-24 Shenzhen Xpectvision Technology Co., Ltd. Semiconductor x-ray detector
EP3320371A4 (en) * 2015-06-10 2019-03-06 Shenzhen Xpectvision Technology Co., Ltd. DETECTOR FOR X-RAY FLUORESCENCE

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030122084A1 (en) * 2000-01-18 2003-07-03 Pascal Desaute Method and apparatus for imaging by means of ionizing radiation
US20040232949A1 (en) * 2001-06-15 2004-11-25 Marc Arques Device for reducing the lag and the dark current in a particle detector, in particular a photon detector
US20100020924A1 (en) * 2006-12-13 2010-01-28 Koninklijke Philips Electronics N. V. Apparatus, imaging device and method for counting x-ray photons
US20090046913A1 (en) * 2007-08-17 2009-02-19 General Electric Company Methods and apparatus for data communication across a slip ring
US20110064293A1 (en) * 2009-09-14 2011-03-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Radiation diagnostic apparatus and image reconstructing method
US20120105262A1 (en) * 2010-10-29 2012-05-03 Naresh Kesavan Rao Multichannel digitizer and method of digitizing
US20130284940A1 (en) * 2011-01-10 2013-10-31 Koninklijke Philips Electronics N.V. Detection device for detecting photons emitted by a radiation source
US20140328464A1 (en) * 2011-10-26 2014-11-06 Koninklijke Philips N.V. Radiographic apparatus for detecting photons with offset correction
US20140016748A1 (en) * 2012-07-11 2014-01-16 Siemens Aktiengesellschaft Counting Digital X-Ray Detector And Method For Taking A Series Of X-Ray Images

Also Published As

Publication number Publication date
CN107615095A (zh) 2018-01-19
WO2016197338A1 (en) 2016-12-15
TW201643418A (zh) 2016-12-16
US10539691B2 (en) 2020-01-21
US20200116876A1 (en) 2020-04-16
EP3320371A4 (en) 2019-03-06
CN107615095B (zh) 2020-04-14
US10823860B2 (en) 2020-11-03
US20180081071A1 (en) 2018-03-22
EP3320371A1 (en) 2018-05-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI699527B (zh) 用於ｘ射線螢光的檢測器
TWI797248B (zh) 內窺鏡
TWI758304B (zh) 專用乳房電腦斷層攝影系統
TW201827852A (zh) 具有用於粒子計數的動態分配記憶體的輻射檢測器
TWI782032B (zh) 具有空間擴展x射線源的x射線成像系統
TWI805631B (zh) 用於x射線螢光的檢測器
TWI807092B (zh) 電鍍控制系統和方法
TWI751605B (zh) 採用x射線螢光的生物成像方法
TWI794743B (zh) 文件認證的方法
TWI817240B (zh) 使用x射線螢光進行生物分析物研究的裝置和方法
TW201932875A (zh) 條帶像素檢測器
CN112912768B (zh) 使用x射线荧光成像的方法
CN114072703A (zh) 用于暗噪声补偿的放大器
WO2018049553A1 (en) Methods of x-ray imaging