TWI696886B - 氣密性量測方法與系統及其量測之容器 - Google Patents

氣密性量測方法與系統及其量測之容器 Download PDF

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Abstract

一種氣密性量測方法與系統及其量測之容器，量測方法首先提供一第一上蓋及一第一基座，第一上蓋具有一第一接面，第一基座具有一第二接面，第一接面用以與第二接面對接以形成氣密狀態。接著取得對應於第一接面之一第一表面輪廓曲線，以及對應於第二接面之一第二表面輪廓曲線，然後使第一表面輪廓曲線接觸於第二表面輪廓曲線，並且計算第一表面輪廓曲線與第二表面輪廓曲線間之一第一間隙面積。當第一間隙面積小於等於一門檻值時，定義第一上蓋及第一基座為一第一氣密良好配組，藉以組成容器。

Description

氣密性量測方法與系統及其量測之容器
本發明是有關於一種氣密性量測方法與系統及其量測之容器，且特別是有關於一種用於量測容器上蓋與基座間氣密狀態之氣密性量測方法與系統及其量測之容器。
近年來半導體製程科技的進步突飛猛進，其中光學微影技術扮演著重要的角色。光學微影技術是將設計好的線路製作成具有特定形狀可透光之光罩，再將光罩上的圖案通過光源投影至晶圓上，以在晶圓上曝光顯影出特定的圖案。在光學微影過程中，任何附著在光罩的微粒，例如塵埃、粉塵或有機物等等，都會造成投影成像品質劣化。因此，在光學微影製程中所使用到的光罩，甚或是其他相關的半導體製程元件，無論是在製造、加工、運輸或儲存的過程中，皆需要保持一定的潔淨度。
目前市場上已知的方式，是利用傳輸盒來容置半導體製程元件。傳輸盒由對接的上部分以及下部分構成，當上部分及下部分對接時，位於上部分的一個對接面，與位於下部分的另一個對接面相互配以構成一 定的氣密程度，讓傳輸盒的內部與外部分隔開。外部的微塵、顆粒便不容易移動到傳輸盒內部，而污染容置於其中的半導體製程元件。也因為對於氣密程度的要求，傳輸盒製作完成後需要進行檢測，以確認傳輸盒之氣密性是否達到標準。為了達到符合標準的氣密性，傳輸盒需經過精密且高規格的製作過程，上部分及下部分相互對接的兩個對接面，必須達到關於平整度的要求。
已知一種衡量平整度的方法，是以平均粗糙度作為衡量表面光潔度的標準。如2013年4月1日核准公告之編號I391304之中華民國發明專利「光罩盒」，其中提到一種用於組裝門之製程，包括將主表面研磨或拋光至一規定之平整性及光潔度技術規範之步驟。同時亦揭露當封蓋配合至門時，密封接觸面與剛性密封面嚙合而形成密封。密封接觸面與密封面可係鋁、且具有例如非電鍍鎳表面塗層。一般而言，具有達0.50微吋平均粗糙度(RA)之表面光潔度係可接受的，較佳範圍係自0.20-0.40RA。另外，在2012年7月31日核准公告之編號US 8,231,005 B之美國專利「RETICLE POD」，在其說明書第22欄中揭示，達到0.50微吋的平均粗糙度(roughness average,RA)係可接受的，其中較佳之範圍為0.20-0.40RA。
當上部分或者是下部分之對接面未達到平整度要求時，表示採用此上部分或下部分之傳輸盒的氣密效果不佳，整個容器便無法被用來容置高潔淨度要求的半導體製程元件，無論是進行重工或以作廢處理，都會導致成本大幅增加。其次，為了達到高平均粗糙度的要求，會增加上部分及下部分的加工成本。另一方面，氣密性檢測需要利用真空腔室設備，在傳輸盒的內部以及外部形成壓力差來進行測試，相當耗費時間。尤其是 需要測試大量的傳輸盒時，整個檢測過程具有亟待加強的檢測效率。
有鑒於此，本發明提出一種氣密性量測方法與系統及其量測之容器，利用對接兩表面之表面輪廓曲線之間的間隙面積，判斷容器之上蓋及基座間的氣密性。
依據本發明之一方面，提出一種氣密性量測方法。首先，提供一第一上蓋及一第一基座，兩者係用以相互配合，第一上蓋具有一第一接面，第一基座具有一第二接面，第一接面用以與第二接面對接以形成氣密狀態。接著，取得對應於第一接面之一第一表面輪廓曲線以及對應於第二接面之一第二表面輪廓曲線。其次，使第一表面輪廓曲線接觸於第二表面輪廓曲線，並計算第一表面輪廓曲線與第二表面輪廓曲線間之一第一間隙面積。當第一間隙面積小於等於一門檻值時，定義第一上蓋及第一基座為一第一氣密良好配組，藉以組成第一容器。
於一實施例中，取得第一接面之第一表面輪廓曲線之步驟包括下列步驟。首先，於第一接面上定義一第一量測起點。其次，由第一量測起點啟始，以一固定間隔，沿第一量測路徑在第一接面上依序量測得多個第一高度值，藉以取得對應於第一接面之第一表面輪廓曲線。取得第二接面之第二表面輪廓曲線之步驟包括下列步驟。首先，於第二接面上定義一第二量測起點。其次，由第二量測起點啟始，以固定間隔，沿第二量測路徑在第二接面上依序量測得多個第二高度值，藉以取得對應於第二接面之第二表面輪廓曲線。當第一接面與第二接面對接時，第一量測起點與第 二量測起點重疊，第一量測路徑與第二量測路徑重疊。
於另一實施例中，氣密性量測方法更包括下列步驟。當第一間隙面積大於門檻值時，提供一第二上蓋，第二上蓋具有一第三接面。接著，取得對應於第三接面之一第三表面輪廓曲線。其次，使第三表面輪廓曲線接觸於第二表面輪廓曲線，並計算第二表面輪廓曲線與第三表面輪廓曲線間之一第二間隙面積。當第二間隙面積小於等於門檻值時，定義第二上蓋及第一基座為一第二氣密良好配組，藉以組成第二容器。
於另一實施例中，氣密性量測方法更包括下列步驟。當第一間隙面積大於門檻值時，提供一第二基座，該第二基座具有一第四接面。接著，取得對應於第四接面之一第四表面輪廓曲線。其次，使第四表面輪廓曲線接觸於第一表面輪廓曲線，並計算第四表面輪廓曲線與第一表面輪廓曲線間之一第三間隙面積。當第三間隙面積小於等於門檻值時，定義第一上蓋及第二基座為一第三氣密良好配組，藉以組成第三容器。
依據本發明之另一方面，提出一種氣密性量測系統，用於量測一上蓋及一基座，上蓋具有一第一接面，基座具有一第二接面，第一接面用以與第二接面對接以形成氣密狀態。氣密性量測系統包括一量測單元以及一處理單元。量測單元用以取得對應於第一接面之一第一表面輪廓曲線以及對應於第二接面之一第二表面輪廓曲線，處理單元用以計算當第一表面輪廓曲線接觸於第二表面輪廓曲線時，兩者間之一間隙面積。當間隙面積小於等於一門檻值時，處理單元用以定義上蓋及基座為一氣密良好配組。
依據本發明又一方面，提出一容器，包括一上蓋及一基座， 兩者係用以相互配合以將一光罩容置於容器內，上蓋具有一第一接面，基座具有一第二接面，第一接面用以與第二接面對接以形成氣密狀態，其中上蓋及基座係通過一氣密性量測方法進行選配，此方法包括下列步驟。取得對應於第一接面之一第一表面輪廓曲線，取得對應於第二接面之一第二表面輪廓曲線，使第一表面輪廓曲線接觸於第二表面輪廓曲線，並計算第一表面輪廓曲線與第二表面輪廓曲線間之一間隙面積。當第一間隙面積小於等於一門檻值時，定義上蓋及基座為一氣密良好配組，藉以組成容器。
本發明實施例之氣密性量測方法與系統及其量測之容器，在取得第一表面輪廓曲線以及第二表面輪廓曲線後，計算第一表面輪廓曲線與第二表面輪廓曲線相接觸時兩者之間的第一間隙面積。當第一間隙面積小於等於門檻值時，定義第一上蓋及第一基座為第一氣密良好配組。以此方式，利用量測表面輪廓曲線並進行計算，相當於得到第一上蓋及第一基座之氣密性搭配程度，達到選配上蓋與基座的效果，可以降低上蓋及基座所需的加工成本、提升氣密性、降低不同上蓋與基座選配時的氣密性變化，同時可以提升氣密性量測的效率。
100‧‧‧容器
110‧‧‧第一上蓋
110a‧‧‧容置空間
111‧‧‧第一接面
111a、111a’、111a”‧‧‧第一量測路徑
120‧‧‧第一基座
121‧‧‧第二接面
210‧‧‧第二上蓋
211‧‧‧第三接面
220‧‧‧第二基座
221‧‧‧第四接面
300‧‧‧氣密性量測系統
310‧‧‧量測單元
330‧‧‧處理單元
A1‧‧‧第一間隙面積
A2‧‧‧第二間隙面積
A3‧‧‧第三間隙面積
C1‧‧‧第一表面輪廓曲線
C2‧‧‧第二表面輪廓曲線
C3‧‧‧第三表面輪廓曲線
C4‧‧‧第四表面輪廓曲線
d‧‧‧固定間隔
P1~Pn‧‧‧量測點
R‧‧‧量測基準面
S11~S40‧‧‧步驟
為讓本發明之上述以及其他特徵、優點與實施例能更明顯易懂，所附圖式之說明如下：第1a圖至第1c圖繪示依照本發明一實施例之氣密性量測方法之方法流程圖；第2圖繪示依照本發明一實施例之第一上蓋及第一基座之示意圖； 第3a圖繪示第2圖之第一上蓋之仰視圖；第3b圖繪示第2圖之第一基座之俯視圖；第4圖繪示在第一接面上量測得多個第一高度值之示意圖；第5圖繪示第一表面輪廓曲線之示意圖；第6圖繪示第一接面上量測點分布之示意圖；第7a圖繪示依照本發明一實施例之第一量測路徑之示意圖；第7b圖繪示依照本發明另一實施例之第一量測路徑之示意圖；第7c圖繪示依照本發明又一實施例之第一量測路徑之示意圖；第8圖繪示在第二接面上量測得多個第二高度值之示意圖；第9圖繪示第二表面輪廓曲線之示意圖；第10圖繪示第一表面輪廓曲線及第二表面輪廓曲線相接觸時之示意圖；第11圖繪示依照本發明一實施例之第二上蓋之示意圖；第12圖繪示第三表面輪廓曲線之示意圖；第13圖繪示第三表面輪廓曲線及第二表面輪廓曲線相接觸時之示意圖；第14圖繪示依照本發明一實施例之第二基座之示意圖；第15圖繪示第四表面輪廓曲線之示意圖；第16圖繪示第四表面輪廓曲線及第一表面輪廓曲線相接觸時之示意圖；以及第17圖繪示依照本發明另一實施例之氣密性量測系統之示意圖。
本發明實施例之氣密性量測方法與系統及其量測之容器，用於量測容器之基座及上蓋相對接之氣密性。其係利用對接兩表面之表面輪廓曲線進行計算，可以快速有效地判斷兩接面對接時的氣密性，進而可以在多個上蓋與多個基座之間找出氣密性匹配的配組，達到選配上蓋與基座的效果。以下將本發明實施例之技術特徵輔以圖式進行說明，值得注意地是，本發明實施例之圖式僅用以示例性說明，並未依照實際尺寸比例繪製，其中並已省略或簡化部分元件，以清楚顯示本發明之特點。
請參照第1a圖至第1c圖，其繪示依照本發明一實施例之氣密性量測方法之方法流程圖。本實施例之氣密性量測方法首先進行步驟S11，提供一第一上蓋及一第一基座。
請同時參照第2圖、第3a圖及第3b圖，第2圖繪示依照本發明一實施例之第一上蓋及第一基座之示意圖，第3a圖繪示第2圖之第一上蓋之仰視圖，第3b圖繪示第2圖之第一基座之俯視圖。本實施例中第一上蓋110及第一基座120兩者係用以相互配合，以形成一容器100，特別是對於氣密性具有高度要求之容器100，例如用來容置半導體製程所需元件之容器100，於一實施例中可以是容納光罩之光罩盒。第一上蓋110具有一第一接面111，第一基座120具有一第二接面121，第一接面111用以與第二接面121對接以形成氣密狀態。
本實施例中，當第一上蓋110與第一基座120相互配合對接時，兩者之間形成一容置空間100a，用來容置元件(例如光罩)。第一接面111為連續環狀之平面，第二接面121同樣為連續環狀之平面，當第一接面111 與第二接面121相接觸時可以形成氣密狀態，將容器100內之容置空間100a與容器100之外部環境分隔開。
本實施例之氣密性量測方法接著進入步驟S12，取得對應於第一接面111之一第一表面輪廓曲線。本實施例中取得第一表面輪廓曲線之步驟S12，可以下述方式進行：首先，在第一接面111上定義一第一量測起點；接著，由第一量測起點啟始，以一固定間隔，沿一第一量測路徑在第一接面111上依序量測得多個第一高度值，藉以取得對應第一接面之第一表面輪廓曲線。
請參照第4圖及第5圖，第4圖繪示在第一接面上量測得多個第一高度值之示意圖，第5圖繪示第一表面輪廓曲線之示意圖。本實施中例如是採用三次元量測儀(Coordinate Measuring Machine,CMM)，在第一接面111的不同位置量測取得第一高度值。在本實施例之量測方法中，可以先在第一接面111上定義出第一量測起點，接著從此點啟始，以固定間隔d在第一接面111上沿著第一量測路徑依序量測得多個量測點P1至Pn的第一高度值(其中第一個量測點P1即為第一量測起點)。根據取得之多個第一高度值，可以在第一高度值與量測點所構成之座標圖上，形成第一表面輪廓曲線C1，如第5圖所示。
本實施例中，第一高度值為一量測基準面R至第一接面111上各量測點P1至Pn於垂直方向上的距離。在不同的實施方式中，可以利用第一上蓋110之頂面作為量測基準面R，取得第一接面111上各個量測點P1至Pn的第一高度值。然而本發明實施例之技術並不限於此，其他可用來取得各量測點P1至Pn高度的方法，均可適用於本發明中。
請參照第6圖，其繪示第一接面上量測點分布之示意圖。本實施例係由第一個量測點P1(第一量測起點)啟始，以固定間隔d循連續環狀的第一接面111，沿第一量測路徑依序量測得多個量測點P1至Pn的第一高度值。其中固定間隔d可以視實際狀況進行調整，例如改以較小的固定間隔d進行量測，可以增加量測點P1至Pn的數目，藉以取得更為符合第一接面111實際狀況的第一表面輪廓曲線C1。相對而言，改以較大的固定間隔d進行量測，可以減少所需量測點數目，提升量測的效率，縮減批次量測多個容器100所需的時間。
請參照第7a圖，其繪示依照本發明一實施例之第一量測路徑之示意圖。在第7a圖中，多個量測點P1至Pn係以第6圖之分布方式為例進說明。本實施例中係由第一個量測點P1啟始，以固定間隔沿第一量測路徑111a依序量測至最後一個量測點Pn(如第7a圖中沿多個箭頭方向所構成之路徑)。本實施例中，第一個量測點P1與最後一個量測點Pn為不同的量測點，第一量測路徑111a是非封形的軌跡。在不同的實施例中，第一個量測點P1與最後一個量測點Pn為可以是同一個量測點，如第7b圖，其繪示依照本發明另一實施例之第一量測路徑之示意圖。在第7b圖中，第一量測路徑111a’的頭尾為同一個量測點，形成一個封閉的軌跡。
另外，本發明量測點P1至Pn的分布方式，並不以前述第6圖、第7a圖及第7b圖中所繪示者為限制。量測點P1至Pn亦可以是多層環狀或者以矩陣方式排列。請參照第7c圖，其繪示依照本發明又一實施例之第一量測路徑之示意圖。量測點P1至Pn例如是以雙層環狀配置，第一量測路徑111a”由第一個量測點P1至最後一個量測點Pn，形成一螺旋狀軌跡。整體來 說，本發明對於量測點P1至Pn之分布方式與第一量測路徑之形狀，並不多加限制。可以依照實際產品的需求，改變量測點P1至Pn的數量、密度及排列方式。第一量測路徑亦可以依照量測裝置的型式或能力進行調整。只要是從第一個量測點P1依序量測到最後一個量測點Pn，藉以量測得多個第一高度值，進而取得對應於第一表面111之第一表面輪廓曲線C1者，均屬於本發明之範圍。
本實施例之氣密性量測方法接著進行步驟S13，取得對應於第二接面121之一第二表面輪廓曲線。請同時參照第8圖及第9圖，第8圖繪示在第二接面上量測得多個第二高度值之示意圖，第9圖繪示第二表面輪廓曲線之示意圖。本實施例中取得第二表面輪廓曲線之步驟S13，可以下述方式進行：首先，於第二接面121上定義一第二量測起點；接著，由第二量測起點啟始，以固定間隔，沿一第二量測路徑在第二接面121上依序量測得多個第二高度值，藉以形成第二表面輪廓曲線C2。
本實施例中，步驟S13與前述步驟S12中取得第一表面輪廓曲線C1之技術內容相同，可例如是採用三次元量測儀，在第二接面121的不同位置量測取得第二高度值。可以先在第二接面121上定義出第二量測起點，接著從此點啟始，以固定間隔d沿第二量測路徑在第二接面121上量測得多個量測點的第二高度值。根據量測得之第二高度值，可以在第二高度值與量測點所構成之座標圖上，形成第二表面輪廓曲線C2。
值得注意地是，在此步驟S13中，第二量測起點之位置係對應於第一接面111上的第一量測起點(第一個量測點P1)之位置。當第一接面111與第二接面121對接時，第一量測起點與第二量測起點重疊，第一量測 路徑與第二量測路徑重疊。其次，在第二接面121上依序量測得多個第二高度值時之固定間隔d，等同於在第一接面111上依序量測得多個第一高度值時之固定間隔d，且第一接面111上的量測點P1至Pn的數目與第二接面121上的量測點的數目相同。以此方式，當第一接面111與第二接面121對接時，第一接面111上的量測點P1至Pn與第二接面121上的量測點均相對應重疊。
本實施例之氣密性量測方法在步驟S12及步驟S13中取得第一表面輪廓曲線C1及第二表面輪廓曲線C2之後，接著進入步驟S14，使第一表面輪廓曲線C1接觸於第二表面輪廓曲線C2。請參照第10圖，其繪示第一表面輪廓曲線及第二表面輪廓曲線相接觸時之示意圖。本實施例中，第一表面輪廓曲線C1及第二表面輪廓曲線C2以單一點接觸，如第10圖中所示，相接觸於第四個量測點之位置。實際應用上，第一表面輪廓曲線C1及第二表面輪廓曲線C2可能以多個點接觸，端視實際量測結果而定。第一表面輪廓曲線C1及第二表面輪廓曲線C2之間具有一第一間隙(如第10圖中斜線區域所示)。
本實施例之氣密性量測方法接著進行步驟S15，計算第一表面輪廓曲線C1與第二表面輪廓曲線C2間之第一間隙面積A1。本實施例中以6個量測點為例，各對應之量測點之間的間隙形狀分別為三角形或梯形，在步驟S15中係以計算此些三角形及梯形之面積總和，取得第一間隙面積A1。
取得第一間隙面積A1之後，可以將其與一門檻值進行比較。當第一間隙面積A1小於等於門檻值時，表示第一表面輪廓曲線C1與第二表面輪廓曲線C2兩者符合程度高，對應密接效果良好。因此判斷當第一對接面111與第二對接面121時可以達到較佳的氣密效果。門檻值可以依據容器 100所欲達到的氣密效果來設定，門檻值與氣密效果兩者具有正相關度。
當第一間隙面積A1小於等於門檻值時，本實施例之氣密性量測方法接著如步驟S16所述，定義第一上蓋110及第一基座120為一第一氣密良好配組，藉以組成一第一容器(即容器100，如第2圖所示)，表示此時由第一上蓋110及第一基座120形成之第一容器，具有所欲達到或是更佳的氣密效果。
另外一方面，當第一間隙面積A1大於門檻值時，表示第一上蓋110及第一基座120之搭配無法達到預期的氣密性效果，本實施例之方法可以選擇更換另一個上蓋來進行氣密性的量測。
請同時參照第1b圖及第11圖至第13圖，第11圖繪示依照本發明一實施例之第二上蓋之示意圖，第12圖繪示第三表面輪廓曲線之示意圖，第13圖繪示第三表面輪廓曲線及第二表面輪廓曲線相接觸時之示意圖。如步驟S26所示，當第一間隙面積A1大於門檻值時，提供一第二上蓋210，其具有一第三接面211，第三接面211用以與第二接面121對接以形成氣密狀態。接著在步驟S27中，取得對應於第三接面211之一第三表面輪廓曲線C3。在步驟S28中，使第三表面輪廓曲線C3接觸於第二表面輪廓曲線C2。然後在步驟S29中，計算第二表面輪廓曲線C2與第三表面輪廓曲線C3間之一第二間隙面積A2。步驟S27至步驟S29之內容，對應前述依照本實施例之步驟S12、步驟S14及步驟15，於此不再贅述。
當第二間隙面積A2小於等於門檻值時，本實施例之氣密性量測方法接著如步驟S30所示，定義第二上蓋210及第一基座120為一第二氣密良好配組，藉以組成一第二容器，表示由第二上蓋210及第一基座120形成 之第二容器，具有所欲達到或是更佳的氣密效果。當第二間隙面積A2大於門檻值時，表示第二上蓋210及第一基座120之搭配無法達到預期的氣密性效果，可以選擇再更換另一個上蓋來繼續進行氣密性量測，並重複進行取得表面輪廓曲線及計算間隙面積等步驟。
另一方面，在步驟S15之後，當第一間隙面積A1大於門檻值時，表示第一上蓋110及第一基座120之搭配無法達到預期的氣密性效果，本實施例之方法可以選擇更換另一個基座來進行氣密性的量測。
請同時參照第1c圖及第14圖至第16圖，第14圖繪示依照本發明一實施例之第二基座之示意圖，第15圖繪示第四表面輪廓曲線之示意圖，第16圖繪示第四表面輪廓曲線及第一表面輪廓曲線相接觸時之示意圖。如步驟S36所示，當第一間隙面積A1大於門檻值時，提供一第二基座220，其具有一第四接面221，第四接面221用以與第一接面111對接以形成氣密狀態。接著在步驟S37中，取得對應於第四接面221之一第四表面輪廓曲線C4。在步驟S38中，使第四表面輪廓曲線C4接觸於第一表面輪廓曲線C1。然後在步驟S39中，計算第四表面輪廓曲線C4與第一表面輪廓曲線C1間之一第三間隙面積A3。步驟S37至步驟S39之內容，對應前述依照本實施例之步驟S13、步驟S14及步驟15，於此不再贅述。
當第三間隙面積A3小於等於門檻值時，本實施例之氣密性量測方法接著如步驟S40所示，定義第一上蓋110及第二基座220為一第三氣密良好配組，藉以組成一第三容器，表示由第一上蓋110及第二基座220形成之第三容器，具有所欲達到或是更佳的氣密效果。當第三間隙面積A3大於門檻值時，表示第一上蓋110及第二基座220之搭配無法達到預期的氣密效 果，可以再更換另一個基座來繼續進行氣密性量測，並重複進行取得表面輪廓曲線及計算間隙面積等步驟。
上述依照本實施例之氣密性量測方法，在取得第一接面之第一表面輪廓曲線以及第二接面之第二表面輪廓曲線後，利用兩表面輪廓曲線間之第一間隙面積來判斷氣密效果是否良好。當第一間隙面積小於等於門檻值時，定義第一上蓋及第一基座為第一氣密良好配組，表示由第一上蓋及第一基座組成的容器，具有所欲達到的氣密效果。本實施例利用量測表面輪廓曲線的方式，可以簡便快速地判斷上蓋及基座搭配時的氣密性。當氣密性不佳時，可以更換不同的上蓋或基座來搭配，避免單一配組氣密性不佳，整個容器即被作廢導致的成本上升問題。
依照習知技藝，達到0.50微吋(microinch,μin)的平均粗糙度(RA)係可接受的。假設第一接面及第二接面平均粗糙度均為0.50微吋，經測試兩者對接時達到的氣密性為X。我們可以根據X計算決定本發明之間隙面積的門檻值A。也就是說，當間隙面積等於門檻值A時，上蓋及基座的氣密性等同於兩接面平均粗糙度均為0.50微吋時的氣密性。根據本發明實施例之氣密性量測方法進行量測及選配的上蓋與基座，即便上蓋的第一接面及/或基座的第二接面，其表面平均粗糙度超過0.50微吋，只要是兩者之間的間隙面積小於門檻值，仍表示兩者之配組可以達到預計的氣密度。更具體來說，例如即使基座之第二接面的平均粗糙度遠大於0.50微吋(例如達5微吋或更高)，同時上蓋之第一接面的平均粗糙度亦遠大於0.50微吋(例如亦達5微吋或更高)，只要使兩者間計算取得之間隙面積小於等於門檻值A，兩者之配組仍可達到預計的氣密度X。此上蓋及基座仍可接受做為選配的對象，不會 受到習知之0.50微吋的平均粗糙度限制。如此一來，得以讓第一接面或第二接面之平整度要求下降，降低其加工成本。另外，利用選配的方式可以讓不同上蓋與基座配組之間的氣密性變化減小，提升不同容器間氣密性的一致程度。
請參照第17圖，其繪示依照本發明另一實施例之氣密性量測系統之示意圖。氣密性量測系統300用於量測一上蓋及一基座。上蓋具有一第一接面，基座具有一第二接面，第一接面用以與第二接面對接以形成氣密狀態。
氣密性量測系統300包括一量測單元310以及一處理單元330。量測單元310用以取得第一接面之一第一表面輪廓曲線以及第二接面之一第二表面輪廓曲線。處理單元330用以計算當第一表面輪廓曲線接觸於第二表面輪廓曲線時，兩者間之一間隙面積。當間隙面積小於等於一門檻值時，處理單元330用以定義上蓋及基座為一氣密良好配組，藉以組成容器。
量測單元310係由第一接面上之一第一量測起點啟始，以一固定間隔在第一接面上依序量測得多個第一高度值。量測單元310並且由第二接面上之一第二量測起點啟始，以同樣的固定間隔在第二接面上依序量測得多個第二高度值。
本實施例之氣密性量測系統300，可以是以量測前述實施例中所述之第一上蓋110及第一基座120(如第2圖至第10圖所繪示)為例進行說明。當第一接面111及第二接面121對應之第一表面輪廓曲線C1及第二表面輪廓曲線C2，兩者間之第一間隙面積A1大於門檻值時，量測單元310更用以量測第二上蓋210，以取得第二上蓋210之第三表面輪廓曲線C3。處理單元 330更用以計算第三表面輪廓曲線C3及第二表面輪廓曲線C2間之第二間隙面積A2。當第一間隙面積A1大於門檻值時，量測單元310更可用以量測第二基座220，以取得第二基座220之第四表面輪廓曲線C4。處理單元330更用以計算第四表面輪廓曲線C4及第一表面輪廓曲線C1間之第三間隙面積A3。詳細之技術內容與前述依照本發明實施例之氣密性量測方法相同，此處不再重複贅述。
本實施例中，量測單元310例如一三次元量測儀；然而本發明並不僅限制於此，其他可以量測取得第一接面不同位置高度值，以及第二接面不同位置高度值之量測裝置或量測技術，均可應用於本發明中。處理單元330可以例如是一本地端電子計算機，抑或可以是遠端連線之伺服器，本發明對其技術內容並不多加限制。
本發明另一實施例中提出一容器，包括一上蓋及一基座，兩者用以相互配合以將光罩容置於容器內。上蓋具有一第一接面，基座具有一第二接面，第一接面用以與第二接面對接以形成氣密狀態。本實施例容器之上蓋及基座，是經由前述實施例之氣密性量測方法(第1a圖至第1c圖)或氣密性量測系統(第17圖)進行量測並通過選配而組成。其詳細內容與前述實施例中關於容器100(如第2圖示)之說明相同，於此不再重複贅述。
根據本發明前述實施例之氣密性量測方法與系統及其量測之容器，在取得第一上蓋之第一接面的第一表面輪廓曲線以及第一基座之第二接面的第二表面輪廓曲線後，使第一表面輪廓曲線接觸於第二表面輪廓曲線，並計算第一表面輪廓曲線與第二表面輪廓曲線間之第一間隙面積。當第一間隙面積小於等於一門檻值時，定義第一上蓋及第一基座為第一氣 密良好配組，藉以組成容器。利用直接檢測對接兩表面的表面輪廓曲線，可以判斷兩對接面之間的氣密性，可以提氣密性量測效率。此外，當氣密性不佳時，可以換不同的上蓋或基座來搭配，避免單一配組氣密性不佳，整個容器即被作廢導致成本上升的問題。再者，利用取得間隙面積的方式，可以降低提升不同上蓋與基座之配組之間，氣密程度的變異量，提升氣密性的一致程度。
雖然本發明已以多個實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附申請專利範圍所界定者為準。
S11~S16‧‧‧步驟

Claims (10)

  1. 一種氣密性量測方法，包括：提供一第一上蓋及一第一基座，兩者係用以相互配合，該第一上蓋具有一第一接面，該第一基座具有一第二接面，該第一接面用以與該第二接面對接以形成氣密狀態；取得對應於該第一接面之一第一表面輪廓曲線；取得對應於該第二接面之一第二表面輪廓曲線；使該第一表面輪廓曲線接觸於該第二表面輪廓曲線；計算該第一表面輪廓曲線與該第二表面輪廓曲線間之一第一間隙面積；以及當該第一間隙面積小於等於一門檻值時，定義該第一上蓋及該第一基座為一第一氣密良好配組，藉以組成一第一容器。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之氣密性量測方法，其中取得對應於該第一接面之該第一表面輪廓曲線之該步驟包括：於該第一接面上定義一第一量測起點；及由該第一量測起點啟始，以一固定間隔，沿一第一量測路徑在該第一接面上依序量測得複數個第一高度值，藉以取得對應於該第一接面之該第一表面輪廓曲線。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之氣密性量測方法，其中取得對應於該第二 接面之該第二表面輪廓曲線之該步驟包括：於該第二接面上定義一第二量測起點；及由該第二量測起點啟始，以該固定間隔，沿一第二量測路徑在該第二接面上依序量測得複數個第二高度值，藉以取得對應該第二接面之該第二表面輪廓曲線。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之氣密性量測方法，其中當該第一接面與該第二接面對接時，該第一量測起點與該第二量測起點重疊，該第一量測路徑與該第二量測路徑重疊。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之氣密性量測方法，更包括：當該第一間隙面積大於該門檻值時，提供一第二上蓋，該第二上蓋具有一第三接面。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之氣密性量測方法，更包括：取得對應於該第三接面之一第三表面輪廓曲線；使該第三表面輪廓曲線接觸於該第二表面輪廓曲線；計算該第二表面輪廓曲線與該第三表面輪廓曲線間之一第二間隙面積；及當該第二間隙面積小於等於該門檻值時，定義該第二上蓋及該第一基座為一第二氣密良好配組，藉以組成一第二容器。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之氣密性量測方法，更包括： 當該第一間隙面積大於該門檻值時，提供一第二基座，該第二基座具有一第四接面。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之氣密性量測方法，更包括：取得對應於該第四接面之一第四表面輪廓曲線；使該第四表面輪廓曲線接觸於該第一表面輪廓曲線；計算該第四表面輪廓曲線與該第一表面輪廓曲線間之一第三間隙面積；及當該第三間隙面積小於等於該門檻值時，定義該第一上蓋及該第二基座為一第三氣密良好配組，藉以組成一第三容器。
  9. 一種氣密性量測系統，用於量測一上蓋及一基座，該上蓋具有一第一接面，該基座具有一第二接面，該第一接面用以與該第二接面對接以形成氣密狀態，該氣密性量測系統包括：一量測單元，用以取得該第一接面之一第一表面輪廓曲線以及該第二接面之一第二表面輪廓曲線；以及一處理單元，用以計算當該第一表面輪廓曲線接觸於該第二表面輪廓曲線時，兩者間之一間隙面積；其中，當該間隙面積小於等於一門檻值時，該處理單元用以定義該上蓋及該基座為一氣密良好配組。
  10. 一種容器，包括一上蓋及一基座，兩者係用以相互配合以將一光罩容置於該容器內，該上蓋具有一第一接面，該基座具有一第二接面，該 第一接面用以與該第二接面對接以形成氣密狀態，其中該上蓋及該基座係通過一氣密性量測方法進行選配，該方法包括：取得對應於該第一接面之一第一表面輪廓曲線；取得對應於該第二接面之一第二表面輪廓曲線；使該第一表面輪廓曲線接觸於該第二表面輪廓曲線；計算該第一表面輪廓曲線與該第二表面輪廓曲線間之一間隙面積；以及當該第一間隙面積小於等於一門檻值時，定義該上蓋及該基座為一氣密良好配組，藉以組成該容器。
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