TWI696427B - 殺芽胞方法、及殺芽胞助劑組合物 - Google Patents
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Abstract
本發明之殺芽方法係進行下述之步驟1、步驟2及步驟3之殺芽方法。即,步驟1為使芽胞形成菌與2,6-吡啶二羧酸或其鹽接觸之步驟,步驟2為使芽胞形成菌與陽離子界面活性劑接觸之步驟,及步驟3為將芽胞形成菌加溫至50℃以上之步驟。步驟1及步驟2及步驟3亦可具有同時進行之期間。
Description
本發明係關於一種芽胞形成菌之殺芽方法。
桿菌屬或梭菌屬等芽胞形成菌構築堅固之殼構造而形成對熱或藥劑等具有極高之抵抗力之芽胞。已知若某種芽胞形成菌侵入至人體,則會產生毒素。例如,於醫療現場,床單或枕套等亞麻製品主要係加熱消毒,但加熱消毒無法將為耐熱性之芽胞形成菌殺菌。因此,亦產生因經由亞麻製品之芽胞形成菌之院內感染而導致患者死亡之受害事故。
為了將芽胞形成菌殺菌,多數情況下,利用高壓蒸汽進行滅菌,或者以高濃度使用次氯酸鈉等強力之化學殺菌劑。又,於食品加工中,芽胞對策係採用嚴酷之熱處理、或低溫流通方法。
於US2014/0308162號公報中揭示有用於衣料用洗劑之消毒及沖洗組合物。又,於US2014/0238445號公報中揭示有包括使用包含膦基琥珀酸之組合物之洗淨步驟及使用包含過氧羧酸之組合物之消毒及沖洗步驟的洗淨、消毒及沖洗之方法。進而於WO2013/079308號公報中對將包含芽胞之菌殺菌有所揭示。US2004/0058878號公報對藉由將發芽劑與四級銨鹽組合而提高殺芽效果有所揭示。
本發明係關於一種殺芽方法,其進行下述之步驟1、步驟2、及步驟3。
步驟1:使芽胞形成菌與2,6-吡啶二羧酸或其鹽接觸之步驟;步驟2:使芽胞形成菌與陽離子界面活性劑接觸之步驟;及步驟3:將芽胞形成菌加溫至50℃以上之步驟。
(其中,於開始步驟1及步驟2後結束步驟3)。
本發明係關於一種殺芽助劑組合物,其含有2,6-吡啶二羧酸或其鹽及陽離子界面活性劑。
於此前所揭示之技術中,對芽胞、即休眠狀態之芽胞形成菌之殺菌效果不充分,且降低芽胞菌數之效果不充分。
利用高濃度之殺菌劑或高壓蒸汽滅菌之殺芽方法不適於對病院等廣範圍之環境進行消毒,亦有可能存在器材損傷性或對人體之毒性,因此受使用用途或使用環境之制約。
於食品加工中,芽胞對策係採用嚴酷之熱處理、或低溫流通方法,但亦產生味道或品質之劣化、電力成本等課題。
本發明係關於一種能夠將於醫療或食品領域中成為危害之芽胞形成菌有效率且有效果地進行殺菌之殺芽方法。進而,本發明係關於一種用以將芽胞形成菌殺菌之殺芽助劑組合物。於本發明中,所謂「殺芽」主要意指使具有芽胞之狀態之菌發芽並將其殺滅。
本發明者係鑒於上述課題而進行努力研究,結果發現,藉由使2,6-吡啶二羧酸(dipicolinic acid)或其鹽及陽離子界面活性劑與芽胞形成菌接觸,能夠利用平穩之加溫有效果地進行殺芽,從而完成本發明。
根據本發明,提供一種能夠將芽胞形成菌殺菌之殺芽方法。進而,本發明提供一種用以將芽胞形成菌殺菌之殺芽助劑組合物。
所謂芽胞形成菌,係指藉由在不存在營養之情況下形成芽胞而對一定之熱處理或乾燥具有抵抗性之細菌。所謂芽胞,係表示細菌成形即菌所形成之堅固之殼構造,與菌本身相區別。本發明之成為殺芽對象之「芽胞形成菌」係存在於醫療現場或食品、飲料製品之通常之芽胞形成菌。例如可列舉:仙人掌桿菌(Bacillus cereus)或枯草桿菌(Bacillus subtilis)等桿菌(Bacillus)屬之細菌、艱難梭菌(Clostridiμm difficile)等梭菌(Clostridiμm)屬之細菌、雙芽胞桿菌(Amphibacillus)屬之細菌、芽胞八疊球菌(Sporosarcina)屬之細菌、地芽胞桿菌(Geobacillus)屬之細菌、蒼白空氣桿菌(Aeribacillus)屬之細菌、脂環酸芽胞桿菌(Alicyclobacillus)屬之細菌等。若該等芽胞形成菌形成芽胞,則芽胞形成菌具有耐熱性。此處,所謂耐熱性,係指如供於本發明之實施例之芽胞形成菌所示,於形成有初期菌數107~109CFU/mL之芽胞之狀態下以80℃加溫30分鐘以上之情形時,107CFU/mL以上之芽胞形成菌能夠生存。
於本發明中,所謂「殺芽」,主要意指使具有芽胞之狀態之菌發芽並將其殺滅。所謂發芽,係指芽胞形成菌之芽胞發芽,藉此成為通常之具有增殖、代謝能力之菌體之現象。殺芽亦包括使以群之形式存在之具有芽胞之菌之整體之菌數減少。所謂殺芽效果,並無特別限定,例如,如實施例所示,表示具有芽胞之菌之生菌數之初期菌數為108CFU/mL者成為未達107CFU/mL之狀態。
本發明藉由進行下述之步驟1、步驟2、及步驟3而具有優異之殺芽效果。
步驟1:使芽胞形成菌與2,6-吡啶二羧酸或其鹽接觸之步驟;步驟2:使芽胞形成菌與陽離子界面活性劑接觸之步驟;及步驟3:將芽胞形成菌加溫至50℃以上之步驟。
(其中,於開始步驟1及步驟2後結束步驟3)。
於本發明中,步驟1、2、及3之順序並無特別限定。其中,於開始步驟1及步驟2後結束步驟3。即,於包括步驟1、步驟2、及步驟3之一系列之操作中,不包括於步驟3結束後開始步驟1或步驟2之任一者或兩者之情況。
本發明之殺芽方法具有優異之殺芽效果之原因並不明確,但可認為如下所述。藉由進行步驟1、步驟2及步驟3,而使芽胞發芽。可推定藉由陽離子界面活性劑,而使2,6-吡啶二羧酸或其鹽與芽胞形成菌之親和性提高,2,6-吡啶二羧酸或其鹽容易進入至芽胞形成菌內,於加溫時有效地促進發芽。發芽之芽胞形成菌於步驟2及步驟3中能夠容易地殺菌。
又,2,6-吡啶二羧酸或其鹽於芽胞形成菌內之作用並非根據菌種而經由特異性之特定受體之作用,因此可認為無論芽胞形成菌之種類如何均具有殺芽效果。
再者,此處,藉由確認菌之耐熱性之降低,可確認發芽。耐熱性之降低可藉由將芽胞形成菌例如於80℃之環境下進行處理並調查生存之菌數而進行確認。
於本發明中,於使用2,6-吡啶二羧酸鹽之情形時,作為2,6-吡啶二羧酸之抗衡離子,並無特別限定,可例示:鈉離子或鉀離子等鹼金屬離子;鈣離子或鎂離子等鹼土金屬離子。
於本發明中,所謂「陽離子界面活性劑」,係指於溶解於溶液中之情形時親水性部分以陽離子帶電之界面活性劑,並無限定,可例示一級銨鹽、二級銨鹽、三級銨鹽、四級銨鹽等。更具體而言,本發明之陽離子界面活性劑可列舉:烷基三甲基銨鹽、烷基三乙基銨鹽、烷基二甲基乙基銨鹽、烷基甲基二乙基銨鹽、二烷基二甲基銨鹽、二烷基二乙基銨鹽、二烷基乙基甲基銨鹽、苄烷銨鹽、烷基吡啶鎓鹽、烷基苯銨松寧鹽(alkyl benzethonium)等四級銨鹽、烷基胺鹽等一級銨
鹽。
此處,烷基三甲基銨鹽、烷基三乙基銨鹽、烷基二甲基乙基銨鹽及烷基甲基二乙基銨鹽係指下述通式(1)所表示之化合物。
[式中,R11~R14之任1個為可具有羥基、酯基、醯胺基之碳數3以上之烴基,R11~R14之其餘3個表示甲基或乙基,X-表示無機或有機之陰離子性化合物]
此處,就進一步提高殺芽效果之觀點而言,碳數3以上之烴基之碳數較佳為6以上,更佳為10以上,更佳為12以上,更佳為14以上,且較佳為22以下,更佳為20以下,更佳為18以下。碳數3以上之烴基可為直鏈或支鏈之烷基或烯基,較佳為直鏈之烷基。X-可列舉:氯化物離子、溴化物離子等鹵素離子、硫酸根離子、磷酸根離子、磷酸氫根離子、磷酸二氫根離子、硝酸根離子、碳酸根離子、碳酸氫根離子、乙酸根離子等。較佳為無機離子,更佳為鹵素離子,更佳為氯化物離子。
此處,二烷基二甲基銨、二烷基二乙基銨鹽及二烷基乙基甲基銨鹽係指下述通式(2)所表示之化合物。
[式中,R21~R24之任2個為可具有羥基、酯基、醯胺基之碳數3以上之烴基,R21~R24之其餘2個表示甲基或乙基,X-表示無機或有機之陰離子性化合物。此處,R21~R24之任2個之可具有羥基、酯基、醯胺基之碳數3以上之烴基亦可不同]
此處,就進一步提高殺芽效果之觀點而言,碳數3以上之烴基之碳數較佳為6以上,更佳為10以上,且較佳為22以下,更佳為20以下,更佳為18以下,更佳為14以下。碳數3以上之烴基可為直鏈或支鏈之烷基或烯基,較佳為直鏈之烷基。X-可列舉氯化物離子、溴化物離子等鹵素離子、硫酸根離子、磷酸根離子、磷酸氫根離子、磷酸二氫根離子、硝酸根離子、碳酸根離子、碳酸氫根離子、乙酸根離子等。較佳為無機離子,更佳為鹵素離子,更佳為氯化物離子。
苄烷銨鹽係指下述通式(3)所表示之化合物。
[式中,R31為烴基,X-表示無機或有機之陰離子性化合物]
R31之碳數較佳為6以上,更佳為10以上,更佳為12以上,更佳為14以上,且較佳為22以下,更佳為20以下,更佳為18以下。R31可為
直鏈或支鏈之烷基或烯基,較佳為直鏈之烷基。X-較佳可列舉氯化物離子、溴化物離子等鹵素離子、硫酸根離子、磷酸根離子、磷酸氫根離子、磷酸二氫根離子、硝酸根離子、碳酸根離子、碳酸氫根離子、乙酸根離子等。較佳為無機離子,更佳為鹵素離子,更佳為氯化物離子。
此處,烷基吡啶鎓鹽、烷基苯銨松寧鹽、或烷基胺鹽之情形時之「烷基」較佳指碳數3以上之烴基。碳數3以上之烴基之碳數較佳為6以上,更佳為10以上,且較佳為22以下,更佳為20以下,更佳為18以下。碳數3以上之烴基可為直鏈或支鏈之烷基或烯基,較佳為直鏈之烷基。
作為陽離子界面活性劑,較佳為二烷基二甲基銨鹽、烷基三甲基銨鹽或苄烷銨鹽,更佳為二烷基二甲基銨鹽及烷基三甲基銨鹽,進而較佳為烷基三甲基銨鹽。
此處,鹽並無限定,可列舉氯化物、溴化物等鹵化物、硫酸鹽、磷酸鹽、磷酸氫鹽、磷酸二氫鹽、硝酸鹽、碳酸鹽、碳酸氫鹽、乙酸鹽等。較佳為無機鹽,更佳為鹵化物,更佳為氯化物。
作為陽離子界面活性劑,較佳為氯化二烷基二甲基銨、氯化烷基三甲基銨或氯化苄烷銨,更佳為氯化二烷基二甲基銨及氯化烷基三甲基銨,進而較佳為氯化烷基三甲基銨。
2,6-吡啶二羧酸相對於陽離子界面活性劑之莫耳比([2,6-吡啶二羧酸之莫耳濃度]/[陽離子界面活性劑之莫耳濃度])較佳為1/1000以上,更佳為1/100以上,更佳為1/50以上,更佳為1/20以上,更佳為1/10以上,更佳為1/5以上,更佳為1/2以上,且較佳為1000以下,更佳為100以下,更佳為50以下,更佳為20以下,更佳為10以下,更佳為5以下,更佳為2以下。再者,於使用2,6-吡啶二羧酸鹽之情形時,換算成2,6-吡啶二羧酸而進行計算。
<步驟1及步驟2>
本發明之步驟1係使芽胞形成菌與2,6-吡啶二羧酸或其鹽接觸之步驟。本發明之步驟2係使芽胞形成菌與陽離子界面活性劑接觸之步驟。此處,步驟1及步驟2中亦包含以下任一種態樣。
(1)同時進行步驟1與步驟2之態樣,即,使芽胞形成菌與2,6-吡啶二羧酸或其鹽及陽離子界面活性劑同時開始接觸、同時結束接觸之態樣。
(2)先進行步驟1,於步驟1結束後進行步驟2之態樣。例如,可於進行使芽胞形成菌與2,6-吡啶二羧酸或其鹽接觸之步驟1後,將2,6-吡啶二羧酸或其鹽去除,其後添加陽離子界面活性劑,使芽胞形成菌與陽離子界面活性劑接觸。
(3)先進行步驟2,於步驟2結束後進行步驟1之態樣。例如,可於進行使芽胞形成菌與陽離子界面活性劑接觸之步驟2後,將陽離子界面活性劑去除,其後添加2,6-吡啶二羧酸或其鹽,使芽胞形成菌與2,6-吡啶二羧酸或其鹽接觸。
(4)先進行步驟1,不結束步驟1而開始步驟2之態樣。此處,可先使芽胞形成菌與2,6-吡啶二羧酸或其鹽接觸,其次不去除2,6-吡啶二羧酸或其鹽而使其與陽離子界面活性劑接觸。
(5)先進行步驟2,不結束步驟2而開始步驟1之態樣。此處,可先使芽胞形成菌與陽離子界面活性劑接觸,其次不去除陽離子界面活性劑而使其與2,6-吡啶二羧酸接觸。
2,6-吡啶二羧酸或其鹽及陽離子界面活性劑可分別以液體或固體之狀態提供。又,就簡便性之觀點而言,2,6-吡啶二羧酸或其鹽及陽離子界面活性劑較佳為以殺芽助劑組合物之形式提供。
此處,所謂接觸,可列舉:於溶液中使之接觸之方法;或者於芽胞形成菌存在於固形物表面之情形時,將包含2,6-吡啶二羧酸或其
鹽及陽離子界面活性劑之溶液等下述之液體之殺芽助劑組合物塗佈於固形物表面之方法。作為於固形物表面進行塗佈之方法,可列舉:進行噴霧之方法、使用毛刷或海綿等道具之方法。此處,所謂固形物表面,並無特別限定,係指硬質表面等。
於使芽胞形成菌與2,6-吡啶二羧酸或其鹽於溶液中接觸之情形時,就進一步提高殺芽效果之觀點而言,其接觸時之溶液中之2,6-吡啶二羧酸或其鹽之含量較佳為0.05mM以上,更佳為0.5mM以上,更佳為3mM以上,更佳為4mM以上,更佳為6mM以上,更佳為8mM以上,且就包含2,6-吡啶二羧酸之溶液之穩定性之觀點而言,較佳為1M以下,更佳為200mM以下,更佳為100mM以下,更佳為50mM以下,更佳為20mM以下。又,於使芽胞形成菌與2,6-吡啶二羧酸或其鹽於溶液中接觸之情形時,若綜合上述之觀點,則其溶液中之2,6-吡啶二羧酸或其鹽之含量較佳為0.05mM~1M,更佳為0.05~200mM,更佳為3~100mM,更佳為3~25mM。此處,於為2,6-吡啶二羧酸鹽之情形時,含量全部係進行酸換算所得者(以下,只要無特別說明則為相同含義)。
於接觸時,初期菌數與2,6-吡啶二羧酸或其鹽之濃度之關係並無特別限定。例如,就進一步提高殺芽效果之觀點而言,2,6-吡啶二羧酸或其鹽相對於初期菌數108CFU/mL之濃度較佳為0.05mM以上,更佳為0.5mM以上,更佳為3mM以上,更佳為4mM以上,更佳為6mM以上,更佳為8mM以上,且較佳為1M以下,更佳為200mM以下,更佳為100mM以下,更佳為50mM以下,更佳為20mM以下。
於使芽胞形成菌與陽離子界面活性劑於溶液中接觸之情形時,就進一步提高殺芽效果之觀點而言,其接觸時之溶液中之陽離子界面活性劑之含量較佳為0.01mM以上,更佳為0.05mM以上,更佳為0.1mM以上,更佳為0.5mM以上,更佳為3mM以上,更佳為4mM以
上,更佳為6mM以上,更佳為8mM以上,且較佳為1000mM以下,更佳為500mM以下,進而較佳為300mM以下,更佳為100mM以下。又,於使芽胞形成菌與陽離子界面活性劑於溶液中接觸之情形時,若綜合上述之觀點,則其溶液中之陽離子界面活性劑之含量較佳為0.01~1000mM,更佳為0.05~1000mM,更佳為0.1~1000mM,更佳為0.5~500mM,更佳為3~300mM,更佳為4~100mM,更佳為6~100mM,更佳為8~100mM。
於使芽胞形成菌與陽離子界面活性劑於溶液中接觸之情形時,就進一步提高殺芽效果之觀點而言,其接觸時之溶液中之陽離子界面活性劑之含量較佳為0.01質量%以上,更佳為0.05質量%以上,且較佳為10質量%以下,更佳為5質量%以下,進而較佳為1質量%以下。又,於使芽胞形成菌與2,6-吡啶二羧酸或其鹽及陽離子界面活性劑於溶液中接觸之情形時,若綜合上述之觀點,則其溶液中之陽離子界面活性劑之含量較佳為0.01~10質量%,更佳為0.05~5質量%,更佳為0.05~1質量%。
於接觸時,初期菌數與陽離子界面活性劑之濃度之關係並無特別限定。例如,就進一步提高殺芽效果之觀點而言,陽離子界面活性劑相對於初期菌數108CFU/mL之濃度較佳為0.01mM以上,更佳為0.05mM以上,更佳為0.1mM以上,更佳為0.5mM以上,更佳為1mM以上,更佳為10mM以上,更佳為100mM以上,且較佳為1000mM以下,更佳為500mM以下,更佳為300mM以下,更佳為250mM以下。
該等較佳之濃度於使2,6-吡啶二羧酸或其鹽及陽離子界面活性劑同時與芽胞形成菌接觸之情形、及使之分別接觸之情形時均相同。
就進一步提高殺芽效果之觀點而言,於本發明之步驟3開始前,與步驟3分開獨立地進行之步驟1或步驟2之溫度分別獨立地較佳為0℃
以上,更佳為10℃以上,更佳為15℃以上,更佳為20℃以上,且較佳為未達50℃,更佳為49℃以下,更佳為45℃以下,更佳為40℃以下,更佳為30℃以下。又,就相同之觀點而言,與步驟3分開獨立地進行之步驟1及步驟2中之芽胞形成菌與包含2,6-吡啶二羧酸或其鹽或者陽離子界面活性劑之溶液之接觸溫度較佳為15℃~未達50℃,更佳為15℃~40℃,更佳為15~30℃。
該等較佳之溫度於同時進行步驟1及步驟2之情形、及分別進行之情形時均相同,於分別進行步驟1及步驟2之情形時,步驟1與步驟2之溫度可不同亦可相同。
就進一步提高殺芽效果之觀點而言,本發明之與步驟3分開獨立地進行之步驟1或步驟2之時間分別獨立地較佳為1秒以上,更佳為5秒以上,更佳為30秒以上,更佳為1分鐘以上,更佳為3分鐘以上,更佳為5分鐘以上,更佳為8分鐘以上,更佳為10分鐘以上,更佳為15分鐘以上,更佳為20分鐘以上,更佳為25分鐘以上,且較佳為24小時以下,更佳為12小時以下,更佳為6小時以下,更佳為3小時以下,更佳為60分鐘以下,更佳為50分鐘以下,更佳為40分鐘以下,更佳為35分鐘以下。又,若綜合上述之觀點,則步驟1中之2,6-吡啶二羧酸或其鹽與芽胞形成菌之接觸時間較佳為1秒~24小時,更佳為1秒~6小時,更佳為1秒~3小時,更佳為1秒~60分鐘,更佳為5秒~60分鐘,更佳為30秒~60分鐘。
<步驟3>
本發明之步驟3係將芽胞形成菌加溫至50℃以上之步驟。
本發明之步驟3較佳為將芽胞形成菌於50℃以上且250℃以下進行加溫之步驟。
就進一步提高殺芽效果之觀點而言,將芽胞形成菌進行加溫之溫度為50℃以上,更佳為55℃以上,更佳為60℃以上,更佳為65℃以
上,更佳為70℃以上,更佳為75℃以上,且較佳為250℃以下,更佳為200℃以下,更佳為150℃以下,更佳為120℃以下,更佳為100℃以下,更佳為90℃以下,更佳為85℃以下。就上述之觀點而言,本發明之步驟3中進行加溫時之溫度較佳為50℃~250℃,更佳為50℃~100℃,更佳為55℃~100℃,更佳為60℃~100℃,更佳為65℃~90℃,更佳為70℃~90℃,更佳為75℃~85℃。
通常,若芽胞形成菌不發芽,則難以於100℃以下進行殺菌。但是,於本發明中,藉由步驟1及步驟2促進發芽,因此於步驟3中即便於100℃以下亦可獲得殺芽效果。再者,於本發明中亦能夠於高於100℃之溫度下進行殺芽。
就進一步提高殺芽效果之觀點而言,本發明之步驟3之加溫時間較佳為3分鐘以上,更佳為5分鐘以上,更佳為8分鐘以上,更佳為10分鐘以上,更佳為20分鐘以上,更佳為25分鐘以上,且較佳為3小時以下,更佳為90分鐘以下,更佳為70分鐘以下,更佳為50分鐘以下,更佳為40分鐘以下,更佳為35分鐘以下。就上述之觀點而言,本發明之步驟3之加溫時間較佳為3分鐘~90分鐘,更佳為5分鐘~70分鐘,更佳為8分鐘~50分鐘,更佳為10分鐘~50分鐘,更佳為20~40分鐘,更佳為25~35分鐘。該時間亦可包含與步驟1及/或步驟2同時之期間。
本發明之步驟3之加溫只要為結果使包含芽胞形成菌之體系之溫度升高之態樣,則並無特別限定。加溫例如可列舉對芽胞形成菌應用乾熱、濕熱、煮沸、熱水、蒸汽熱等之方法。此處,例如可例示:於熱水中浸漬芽胞形成菌之方法、或將芽胞形成菌所存在之硬質表面等固體或包含芽胞形成菌之液體等設置於恆溫槽之方法、食品加工中之利用加熱調理等加熱處理之方法、利用雷射之照射等結果使芽胞之溫度上升之方法等。
於步驟1、步驟2、及步驟3中,溶液於24℃下之pH值並無特別限定,較佳為3以上,更佳為4以上,進而較佳為6以上,就安全性之觀點而言,較佳為12以下,更佳為9以下,更佳為8.5以下。又,若綜合上述之觀點,則上述溶液於24℃下之pH值較佳為3~12,更佳為3~9,更佳為4~8.5。
pH值調整可於預先製備2,6-吡啶二羧酸或其鹽或者陽離子界面活性劑溶液之情形時進行。或者,亦可於與芽胞形成菌接觸時向包含芽胞形成菌之溶液中添加2,6-吡啶二羧酸或其鹽或者陽離子界面活性劑後進行。作為pH值調整劑,可列舉通常所使用之酸或鹼、例如鹽酸或硫酸等無機酸、乳酸或檸檬酸或者其等之鹽等有機酸、氫氧化鈉或氫氧化鉀等無機鹼、三異丙醇胺等有機鹼。作為pH值調整劑,酸較佳為鹽酸或硫酸等無機酸,鹼較佳為氫氧化鈉或氫氧化鉀等無機鹼。
於本發明之殺芽方法中,可藉由將於步驟3中經加溫之芽胞形成菌於加入冰之水、或經冷卻之容器等中進行急冷而結束步驟3。或者,可藉由將於步驟3中經加溫之芽胞形成菌放置一段時間自然地將熱冷卻而結束步驟3。此處,經加溫之芽胞形成菌可為存在於液中之狀態。
於芽胞形成菌存在於液中之情形時,本發明之殺芽方法亦可具有於步驟1、步驟2、及步驟3或該等步驟之前後對芽胞形成菌進行攪拌之步驟。步驟1、步驟2、及步驟3可重複。
步驟3可於結束步驟1及步驟2後進行(態樣1)。
於態樣1中,「於步驟1及步驟2之結束後進行步驟3」意指於將2,6-吡啶二羧酸或其鹽及陽離子界面活性劑去除後進行步驟3,意指與步驟1及步驟2之結束一起。態樣1係結束步驟1及步驟2,於較佳為24小時以內、更佳為12小時以內、更佳為6小時以內、更佳為1小時以內、更佳為30分鐘以內、進而較佳為15分鐘以內、進而較佳為5分鐘
以內、進而較佳為1分鐘以內移行至步驟3。
亦可具有同時進行步驟1或步驟2與步驟3之期間(態樣2)。
於態樣2中,「具有同時進行步驟1或步驟2與步驟3之期間」意指於將2,6-吡啶二羧酸或其鹽或者陽離子界面活性劑去除後進行步驟3,意指與步驟1或步驟2之結束一起。態樣2係結束步驟1或步驟2,於較佳為24小時以內、更佳為12小時以內、更佳為6小時以內、更佳為1小時以內、更佳為30分鐘以內、進而較佳為15分鐘以內、進而較佳為5分鐘以內、進而較佳為1分鐘以內移行至步驟3。
亦可具有同時進行步驟1及步驟2及步驟3之期間(態樣3)。態樣3可分為以下態樣。
態樣3-1 相較於步驟3先開始步驟1及/或步驟2
態樣3-2 同時開始步驟1、步驟2及步驟3
態樣3-3 相較於步驟1及步驟2先開始步驟3
態樣3-4 同時開始步驟1或步驟2與步驟3
於態樣3中,就進一步提高殺芽效果之觀點而言,較佳為態樣3-1,但並不限定於此。
就進一步提高殺芽方法之觀點而言,本發明之殺芽方法較佳為具有同時進行步驟1、步驟2及步驟3之期間之態樣(態樣3)。
<殺芽助劑組合物>
本發明之殺芽助劑組合物係包含2,6-吡啶二羧酸或其鹽及陽離子界面活性劑之組合物。本發明之殺芽助劑組合物係用於以發芽為目的進行之加溫預處理。又,與以將組合物本身於常溫(約20℃~約38℃)下使用而進行殺芽為目的之殺芽劑組合物相區別。尤其是指藉由於本發明之步驟1及步驟2之後、或者於步驟1及步驟2之同時進行加溫而可發揮出殺芽效果之組合物。於本發明中,殺芽助劑組合物可於步驟1及步驟2中使用。
作為殺芽助劑組合物,可列舉液體組合物或固體組合物。
液體之殺芽助劑組合物包含2,6-吡啶二羧酸或其鹽、陽離子界面活性劑、及溶劑。
於殺芽助劑組合物為液體之情形時,作為所含之溶劑,可列舉水、或親水性溶劑。作為親水性溶劑,可列舉:乙醇、甲醇、異丙醇等一元醇類;甘油、乙二醇、丙二醇等多元醇類;甲基卡必醇、乙基卡必醇等卡必醇類等。就進一步提高殺芽效果之觀點而言,溶劑較佳為水或水與親水性溶劑之混合物,更佳為水。
就簡便性之觀點而言,作為液體之殺芽助劑組合物,較佳為包含2,6-吡啶二羧酸或其鹽及陽離子界面活性劑之溶液,更佳為包含2,6-吡啶二羧酸或其鹽及陽離子界面活性劑之水溶液。
液體之殺芽助劑組合物可進而含有pH值調整劑。作為液體之殺芽助劑組合物中所含之pH值調整劑,可列舉通常所使用之酸或鹼、例如鹽酸或硫酸等無機酸、乳酸或檸檬酸或者其等之鹽等有機酸、氫氧化鈉或氫氧化鉀等無機鹼、單乙醇胺、三乙醇胺、三異丙醇胺等有機鹼。作為pH值調整劑,酸較佳為鹽酸或硫酸等無機酸,鹼較佳為氫氧化鈉或氫氧化鉀等無機鹼。
液體之殺芽助劑組合物、較佳為包含2,6-吡啶二羧酸或其鹽及陽離子界面活性劑之溶液、更佳為包含2,6-吡啶二羧酸或其鹽及陽離子界面活性劑之水溶液於24℃下之pH值並無特別限定,較佳為3以上,更佳為4以上,進而較佳為6以上,就安全性之觀點而言,較佳為12以下,更佳為9以下,更佳為8.5以下。又,若綜合上述之觀點,則上述溶液於24℃下之pH值較佳為3~12,更佳為3~9,更佳為4~8.5。
關於液體之殺芽助劑組合物、較佳為包含2,6-吡啶二羧酸或其鹽及陽離子界面活性劑之溶液中、更佳為包含2,6-吡啶二羧酸或其鹽及陽離子界面活性劑之水溶液中之2,6-吡啶二羧酸之含量,就進一步提
高殺芽效果之觀點而言,較佳為0.05mM以上,更佳為0.5mM以上,更佳為3mM以上,更佳為4mM以上,更佳為6mM以上,更佳為8mM以上,且就包含2,6-吡啶二羧酸或其鹽及陽離子界面活性劑之溶液之穩定性之觀點而言,較佳為1M以下,更佳為200mM以下,更佳為100mM以下,更佳為50mM以下,更佳為20mM以下。又,若綜合上述之觀點,則液體之殺芽助劑組合物中之2,6-吡啶二羧酸或其鹽之含量較佳為0.05mM~1M,更佳為0.05mM~200mM,更佳為3mM~100mM,更佳為3mM~15mM,更佳為4mM~15mM。
關於液體之殺芽助劑組合物、較佳為包含2,6-吡啶二羧酸或其鹽及陽離子界面活性劑之溶液中、更佳為包含2,6-吡啶二羧酸或其鹽及陽離子界面活性劑之水溶液中之陽離子界面活性劑之含量,就進一步提高殺芽效果之觀點而言,較佳為0.05mM以上,更佳為0.5mM以上,更佳為3mM以上,更佳為4mM以上,更佳為6mM以上,更佳為8mM以上,且較佳為1M以下,更佳為200mM以下,更佳為100mM以下,更佳為50mM以下,更佳為20mM以下。又,若綜合上述之觀點,則液體之殺芽助劑組合物中之陽離子界面活性劑之含量較佳為0.1~1M,更佳為0.5~500mM,更佳為3~300mM,更佳為4~100mM,更佳為6~100mM、8~100mM。
就進一步提高殺芽效果之觀點而言,液體之殺芽助劑組合物中之陽離子界面活性劑之含量較佳為0.01質量%以上,更佳為0.05質量%以上,且較佳為10質量%以下,更佳為5質量%以下,進而較佳為1質量%以下。又,若綜合上述之觀點,則液體之殺芽助劑組合物之陽離子界面活性劑之含量較佳為0.01~10質量%,更佳為0.05~5質量%,更佳為0.05~1質量%。
本發明之殺芽助劑組合物可為包含2,6-吡啶二羧酸或其鹽及陽離子界面活性劑、水或其他溶劑,且不含過乙酸、磺基過氧羧酸、或二
羧酸二酯之任一者之組合物。此處,所謂不含,係表示殺芽助劑組合物不具有殺芽效果,較佳為1000ppm以下,更佳為100ppm以下,更佳為10ppm以下,更佳為1ppm以下,更佳為實質上為0ppm。此處,所謂實質上係指檢測極限以下。
本發明之液體之殺芽助劑組合物、較佳為包含2,6-吡啶二羧酸或其鹽及陽離子界面活性劑之溶液、更佳為包含2,6-吡啶二羧酸或其鹽及陽離子界面活性劑之水溶液可藉由將粉末狀之2,6-吡啶二羧酸或其鹽或者陽離子界面活性劑與水或其他溶劑混合、較佳為溶解而製備。
作為固體之殺芽助劑組合物,可列舉包含2,6-吡啶二羧酸或其鹽及陽離子界面活性劑或2,6-吡啶二羧酸或其鹽、陽離子界面活性劑、及固形化劑之組合物。
作為固體之殺芽助劑組合物所含有之固形化劑,並不限定於此,可列舉:數量平均分子量為1,000~100,000之聚乙二醇;巴西棕櫚蠟、堪地里拉蠟、荷荷芭油、蜂蠟、羊毛脂等蠟類;石蠟、凡士林、地蠟、微晶蠟等碳數15以上之烴;月桂酸、肉豆蔻酸、硬脂酸等碳數12~22之高級脂肪酸;鯨蠟醇、硬脂醇等碳數14~22之高級醇。
固體之殺芽助劑組合物可進而含有pH值調整劑。作為固體之殺芽助劑組合物所含有之pH值調整劑,可列舉:通常所使用之酸或鹼、例如鹽酸或硫酸等無機酸、乳酸或檸檬酸或者其等之鹽等有機酸、氫氧化鈉或氫氧化鉀等無機鹼、單乙醇胺、三乙醇胺、三異丙醇胺等有機鹼。作為pH值調整劑,酸較佳為鹽酸或硫酸等無機酸,鹼較佳為氫氧化鈉或氫氧化鉀等無機鹼。
關於本發明之殺芽助劑組合物於本發明之殺芽方法之步驟1及步驟2中使用時,包含芽胞形成菌與殺芽助劑組合物之溶液中之2,6-吡啶二羧酸之含量,就進一步提高殺芽效果之觀點而言,較佳為0.05mM以上,更佳為0.5mM以上,更佳為3mM以上,更佳為4mM以
上,更佳為6mM以上,更佳為8mM以上,且就包含2,6-吡啶二羧酸及陽離子界面活性劑之溶液之穩定性之觀點而言,較佳為以成為較佳為200mM以下、更佳為100mM以下、更佳為30mM以下、更佳為25mM以下、更佳為20mM以下之方式使用。又,關於本發明之殺芽助劑組合物於本發明之殺芽方法之步驟1及步驟2中使用時,包含芽胞形成菌與殺芽助劑組合物之溶液中之2,6-吡啶二羧酸之含量,若綜合上述之觀點,則較佳為以成為較佳為0.05~200mM、更佳為0.5~100mM、更佳為3~30mM、更佳為3~25mM之方式使用。
關於液體之殺芽助劑組合物於本發明之殺芽方法之步驟1及步驟2中使用時,包含芽胞形成菌與殺芽助劑組合物之溶液中之陽離子界面活性劑之含量、較佳為包含2,6-吡啶二羧酸及陽離子界面活性劑之溶液中、更佳為包含2,6-吡啶二羧酸及陽離子界面活性劑之水溶液中之陽離子界面活性劑之含量,就進一步提高殺芽效果之觀點而言,較佳為0.1mM以上,更佳為0.5mM以上,更佳為3mM以上,更佳為4mM以上,更佳為6mM以上,更佳為8mM以上,且較佳為1000mM以下,更佳為500mM以下,進而較佳為300mM以下,更佳為100mM以下。又,若綜合上述之觀點,則使用液體之殺芽助劑組合物時之陽離子界面活性劑之含量較佳為0.1~1000mM,更佳為0.5~500mM,更佳為3~300mM,更佳為4~100mM,更佳為6~100mM。
關於液體之殺芽助劑組合物於本發明之殺芽方法之步驟1及步驟2中使用時,包含芽胞形成菌與殺芽助劑組合物之溶液中之陽離子界面活性劑之含量,就進一步提高殺芽效果之觀點而言,較佳為0.01質量%以上,更佳為0.05質量%以上,且較佳為10質量%以下,更佳為5質量%以下,進而較佳為1質量%以下。又,若綜合上述之觀點,則使用液體之殺芽助劑組合物時之陽離子界面活性劑之含量較佳為0.01~10質量%,更佳為0.05~5質量%,更佳為0.05~1質量%。
本發明之2,6-吡啶二羧酸或其鹽可使用利用合成所得者、或利用使用自微生物中提取之方法之醱酵法所得者之任一者。本發明之陽離子界面活性劑可使用市售者、利用合成所得者之任一者。
本發明之殺芽方法及殺芽助劑組合物可用於食品加工設備之殺菌洗淨、或衣料之殺菌洗淨等。
關於上述之實施形態,本發明揭示以下之殺芽方法及殺芽助劑組合物。
<項1>
一種殺芽方法,其進行下述之步驟1、步驟2及步驟3:步驟1:使芽胞形成菌與2,6-吡啶二羧酸或其鹽接觸之步驟;步驟2:使芽胞形成菌與陽離子界面活性劑接觸之步驟;及步驟3:將芽胞形成菌加溫至50℃以上之步驟。(其中,於開始步驟1及步驟2後結束步驟3)。
<項2>
如<項1>記載之殺芽方法,其具有同時進行步驟1、步驟2、及步驟3之期間。
<項3>
如<項1>記載之殺芽方法,其中於步驟1之結束後進行步驟2及步驟3。
<項4>
如<項1>記載之殺芽方法,其中於步驟2之結束後進行步驟1及步驟3。
<項5>
如<項1>至<項4>中任一項記載之殺芽方法,其中陽離子界面活性劑為一級銨鹽、二級銨鹽、三級銨鹽、或四級銨鹽之任一者。
<項6>
如<項1>至<項5>中任一項記載之殺芽方法,其中陽離子界面活性劑為烷基三甲基銨鹽、二烷基二甲基銨鹽、苄烷銨鹽、烷基吡啶鎓鹽、烷基苯銨松寧鹽等四級銨鹽、烷基胺鹽等一級銨鹽。
<項7>
如<項1>至<項6>中任一項記載之殺芽方法,其中陽離子界面活性劑為通式(1)所表示之四級銨鹽。
[式中,R11~R14之任1個為可具有羥基、酯基、醯胺基之碳數3以上之烴基,R11~R14之其餘3個表示甲基或乙基,X-表示無機或有機之陰離子性化合物]
<項8>
如<項1>至<項7>中任一項記載之殺芽方法,其中陽離子界面活性劑為選自由烷基三甲基銨鹽、烷基三乙基銨鹽、烷基二甲基乙基銨鹽、烷基甲基二乙基銨鹽、二烷基二甲基銨鹽、二烷基二乙基銨鹽、二烷基乙基甲基銨鹽、苄烷銨鹽、烷基吡啶鎓鹽、及烷基苯銨松寧鹽所組成之群中之至少一種。
<項9>
如<項1>至<項8>中任一項記載之殺芽方法,其中於上述步驟1及步驟2中,使芽胞形成菌、2,6-吡啶二羧酸或其鹽、及陽離子界面活性劑於液中接觸。
<項10>
如<項9>記載之殺芽方法,其中液中之2,6-吡啶二羧酸或其鹽之含量為0.05mM以上且200mM以下。
<項11>
如<項9>記載之殺芽方法,其中液中之陽離子界面活性劑之含量為0.1mM以上且1000mM以下。
<項12>
如<項1>至<項11>中任一項記載之殺芽方法,其中芽胞形成菌與2,6-吡啶二羧酸或其鹽接觸時之2,6-吡啶二羧酸或其鹽之濃度為0.05mM以上,更佳為0.5mM以上,更佳為3mM以上,更佳為4mM以上,更佳為6mM以上,更佳為8mM以上,且較佳為200mM以下,更佳為100mM以下,更佳為50mM以下,更佳為20mM以下。
<項13>
如<項1>至<項12>中任一項記載之殺芽方法,其中芽胞形成菌與陽離子界面活性劑接觸時之陽離子界面活性劑之濃度為0.1mM以上,更佳為0.5mM以上,更佳為3mM以上,更佳為4mM以上,更佳為6mM以上,更佳為8mM以上,且較佳為1000mM以下,更佳為500mM以下,更佳為300mM以下,更佳為100mM以下。
<項14>
如<項1>至<項13>中任一項記載之殺芽方法,其中芽胞形成菌與陽離子界面活性劑接觸時之陽離子界面活性劑之濃度為0.01質量%以上,更佳為0.05質量%以上,且較佳為10質量%以下,更佳為5質量%以下,進而較佳為1質量%以下。
<項15>
如<項1>至<項14>中任一項記載之殺芽方法,其中分別獨立地或同時於15℃以上且未達50℃下進行步驟1及步驟2。
<項16>
如<項1>至<項15>中任一項記載之殺芽方法,其中分別獨立地或同時於15℃以上、更佳為20℃以上、且較佳為未達50℃、更佳為49℃以下、更佳為45℃以下、更佳為40。C以下、更佳為30℃以下進行與步驟3分開獨立地進行之步驟1及步驟2。
<項17>
如<項1>至<項16>中任一項記載之殺芽方法,其中與步驟3分開獨立地進行之步驟1之時間、即芽胞形成菌與2,6-吡啶二羧酸或其鹽之接觸時間較佳為1秒以上,更佳為5秒以上,更佳為30秒以上,更佳為1分鐘以上,更佳為3分鐘以上,更佳為5分鐘以上,更佳為8分鐘以上,更佳為10分鐘以上,更佳為15分鐘以上,更佳為20分鐘以上,更佳為25分鐘以上,且較佳為60分鐘以下,更佳為50分鐘以下,更佳為40分鐘以下,更佳為35分鐘以下。
<項18>
如<項1>至<項17>中任一項記載之殺芽方法,其中與步驟3分開獨立地進行之情形時之步驟2之時間、即芽胞形成菌與陽離子界面活性劑之接觸時間較佳為1秒以上,更佳為5秒以上,更佳為30秒以上,更佳為1分鐘以上,更佳為3分鐘以上,更佳為5分鐘以上,更佳為8分鐘以上,更佳為10分鐘以上,更佳為15分鐘以上,更佳為20分鐘以上,更佳為25分鐘以上,且較佳為60分鐘以下,更佳為50分鐘以下,更佳為40分鐘以下,更佳為35分鐘以下。
<項19>
如<項1>至<項18>中任一項記載之殺芽方法,其中具有與步驟3同時進行之期間之情形時之步驟1中使芽胞形成菌與2,6-吡啶二羧酸或其鹽接觸之接觸時間之合計較佳為5分鐘以上,更佳為10分鐘以上,更佳為15分鐘以上,更佳為20分鐘以上,更佳為25分鐘以上,且
較佳為90分鐘以下,更佳為80分鐘以下,更佳為70分鐘以下,更佳為65分鐘以下,更佳為60分鐘以下,更佳為50分鐘以下,更佳為40分鐘以下,更佳為35分鐘以下。
<項20>
如<項1>至<項19>中任一項記載之殺芽方法,其中具有與步驟3同時進行之期間之情形時之步驟2中芽胞形成菌與陽離子界面活性劑之接觸時間之合計較佳為5分鐘以上,更佳為10分鐘以上,更佳為15分鐘以上,更佳為20分鐘以上,更佳為25分鐘以上,且較佳為90分鐘以下,更佳為80分鐘以下,更佳為70分鐘以下,更佳為65分鐘以下,更佳為60分鐘以下,更佳為50分鐘以下,更佳為40分鐘以下,更佳為35分鐘以下。
<項21>
如<項1>至<項20>中任一項記載之殺芽方法,其中於步驟3中將芽胞形成菌加溫至50℃以上之時間為3分鐘以上且90分鐘以下。
<項22>
如<項1>至<項21>中任一項記載之殺芽方法,其中步驟3之溫度較佳為50℃以上,更佳為55℃以上,更佳為60℃以上,更佳為65℃以上,更佳為70℃以上,更佳為75℃以上,且較佳為250℃以下,更佳為200℃以下,更佳為150℃以下,更佳為120℃以下,更佳為100。℃以下,更佳為90℃以下,更佳為85℃以下。
<項23>
如<項1>至<項22>中任一項記載之殺芽方法,其中步驟3之加溫時間較佳為3分鐘以上,更佳為5分鐘以上,更佳為8分鐘以上,更佳為10分鐘以上,更佳為20分鐘以上,更佳為25分鐘以上,且較佳為90分鐘以下,更佳為70分鐘以下,更佳為50分鐘以下,更佳為40分鐘以下,更佳為35分鐘以下。
<項24>
如<項1>至<項23>中任一項記載之殺芽方法,其中於上述步驟3開始前,具有分別獨立地或同時於15℃以上且未達50℃下進行上述步驟1及步驟2之期間。
<項25>
如<項1>至<項24>中任一項記載之殺芽方法,其中於步驟3開始前,分別獨立地或同時以1秒以上且60分鐘以下進行上述步驟1及步驟2。
<項26>
如<項1>至<項25>中任一項記載之殺芽方法,其中分別獨立地或同時以合計30分鐘以上且90分鐘以下進行上述步驟1及步驟2。
<項27>
一種殺芽助劑組合物,其含有2,6-吡啶二羧酸或其鹽及陽離子界面活性劑。
<項28>
如<項27>記載之殺芽助劑組合物,其為含有較佳為0.05mM以上、更佳為0.5mM以上、更佳為3mM以上、且較佳為200mM以下、更佳為100mM以下、更佳為30mM以下之2,6-吡啶二羧酸或其鹽之液體組合物。
<項29>
如<項27>或<項28>記載之殺芽助劑組合物,其為含有較佳為0.1mM以上、更佳為0.5mM以上、更佳為3mM以上、且較佳為1000mM以下、更佳為500mM以下、更佳為300mM以下之陽離子界面活性劑之液體組合物。
<項30>
如<項27>至<項29>中任一項記載之殺芽助劑組合物,其包
含2,6-吡啶二羧酸或其鹽、陽離子界面活性劑、及水或其他溶劑,且過乙酸、磺基過氧羧酸及二羧酸二酯之含量較佳為1000ppm以下,更佳為100ppm以下,更佳為10ppm以下,更佳為1ppm以下,更佳為實質上為0ppm。
以下,表示實施例,更具體地說明本發明。
菌之製備
芽胞形成菌:使用枯草桿菌(Bacillus subtilis)168株作為供試菌株。製作芽胞形成菌之含量為108CFU/mL之水分散液而用於實驗。該水分散液中之芽胞形成菌係於藉由顯微鏡觀察確認95%以上形成芽胞後用於實驗。
2,6-吡啶二羧酸水溶液之製備
2,6-吡啶二羧酸(以下,亦稱為DPA)使用試劑(和光純藥工業股份有限公司製造,製造編碼165-05342),溶劑使用利用離子交換水調整為50mM之Tris-HCl緩衝液(和光純藥工業股份有限公司製造,製造編碼318-90225),pH值調整劑使用氫氧化鈉。2,6-吡啶二羧酸水溶液之製備係於24℃下進行。一面利用桌上型pH計型號9611(HORIBA製造)測定2,6-吡啶二羧酸水溶液之pH值,一面將pH值調整劑滴加至2,6-吡啶二羧酸水溶液中,調整2,6-吡啶二羧酸水溶液之pH值。於實施例中,只要無特別說明,則pH值係於24℃下之pH值。只要無特別說明,則調整為pH值7(24℃)而進行實驗。
界面活性劑
使用以下之界面活性劑。
月桂基三甲基氯化銨(Quartamin 24P,花王股份有限公司製造)
烷基苄基二甲基氯化銨(Sanisol C,花王股份有限公司製造)
月桂基硫酸鈉(Emal 0,花王股份有限公司製造)
聚氧乙烯(3)月桂醚硫酸鈉(Emal 20C,花王股份有限公司製造)
聚氧乙烯(2)月桂醚硫酸鈉(Emal E-27C,花王股份有限公司製造)
十二烷基苯磺酸鈉(Neopelex G-15,花王股份有限公司製造)
聚氧乙烯月桂醚(Emulgen 108,花王股份有限公司製造)
聚氧乙烯(23)月桂醚(Emulgen 123P,花王股份有限公司製造)
聚氧乙烯月桂醚(Emulgen 130K,花王股份有限公司製造)
單月桂酸聚乙二醇(Emanon 1112,花王股份有限公司製造)
聚氧乙烯氫化蓖麻油(60E.0.)(Emanon CH-60,花王股份有限公司製造)
月桂基葡糖苷(Mydol 12,花王股份有限公司製造)
十二烷基三甲基氯化銨(東京化成製造,以下稱為C12三甲基氯化銨)
十四烷基三甲基氯化銨(東京化成製造,以下稱為C14三甲基氯化銨)
十六烷基三甲基氯化銨(東京化成製造,以下稱為C16三甲基氯化銨)
十八烷基三甲基氯化銨(東京化成製造,以下稱為C18三甲基氯化銨)
二辛基二甲基氯化銨(東京化成製造,以下稱為C8二甲基氯化銨)
二癸基二甲基氯化銨(東京化成製造,以下稱為C10二甲基氯化銨)
二(十二烷基)二甲基氯化銨(東京化成製造,以下稱為C12二甲基氯化銨)
二(十四烷基)二甲基氯化銨(東京化成製造,以下稱為C14二甲基氯化銨)
二(十六烷基)二甲基氯化銨(東京化成製造,以下稱為C16二甲基
氯化銨)
二(十八烷基)二甲基氯化銨(東京化成製造,以下稱為C18二甲基氯化銨)
實施例1-1:
殺芽試驗
使用表1中所記載之10mM 2,6-吡啶二羧酸水溶液(以下,亦稱為DPA水溶液)、0.10質量%月桂基三甲基氯化銨及芽胞形成菌,按照以下之順序進行殺芽試驗,評價殺芽效果。將評價結果示於表1(再者,表中,「%」為「質量%」。以下相同)。
-順序-
(1)步驟1及步驟2:將芽胞形成菌之水分散液(以下,稱為芽胞液;以下之實施例中相同)100μL與DPA水溶液800μL及月桂基三甲基氯化銨之水溶液100μL混合而製成試驗液。DPA之終濃度為10mM,月桂基三甲基氯化銨之終濃度為0.1質量%。此處,所謂終濃度,意指混合後之水溶液(合計1mL之狀態)中之濃度(以下之實施例中相同)。
(2)步驟1及步驟2:將上述(1)之試驗液(pH值7.0)於24℃下靜置30分鐘。
(3)步驟3:上述(2)後,將試驗液直接於80℃下進行30分鐘加溫處理。
加溫步驟中使用Major Science公司之鋁塊恆溫槽MD-01N-110。
(4)將(3)中經熱處理之試驗液利用LP水溶液(LP稀釋液(Daigo,日本製藥股份有限公司製造))階段性地進行稀釋,將各稀釋液100μL塗抹於LB瓊脂培養基(BD公司製造),於37℃下培養16小時。
(5)於(4)之培養後,根據所生成之菌落數求出生存菌數X(CFU/mL)。
比較例1-1、1-2
按照實施例1-1之順序(1),使用表1所示之水溶液代替包含終濃度10mM DPA及終濃度0.1質量%陽離子界面活性劑之水溶液。除此以外,與實施例1-1同樣地進行。
實施例2-1及比較例2-1~2-10:
使用DPA水溶液中混合有表2所示之各界面活性劑水溶液之水溶液。水溶液中之DPA之終濃度為10mM,各界面活性劑之終濃度為0.1質量%。於與實施例1-1相同之條件下進行殺芽試驗,評價殺芽效果。將評價結果示於表2。
實施例3-1~3-10:
使用DPA水溶液中混合有表3所示之各界面活性劑水溶液之水溶液。水溶液中之DPA與各界面活性劑之終濃度為10mM。於與實施例1-1相同之條件下進行殺芽試驗,評價殺芽效果。將評價結果示於表3。
比較例3-1~3-3:
將步驟3之溫度設為RT(25℃),除此以外,於與實施例3-1、3-3、3-4相同之條件下評價殺芽效果。
實施例4-1~4-13:
使用DPA水溶液中混合有表4所示之各界面活性劑水溶液之水溶液。水溶液中之DPA之終濃度為10mM,各界面活性劑之終濃度為表4所示之濃度。於與實施例1-1相同之條件下進行殺芽試驗,評價殺芽效果。將評價結果示於表4。
實施例5-1~5-3:
使用DPA水溶液中混合有C18三甲基氯化銨水溶液之水溶液。水溶液中之DPA之終濃度為10mM,C18三甲基氯化銨之終濃度為20mM。將順序(3)中之加溫溫度設為表5中所示之溫度。於與實施例1-1相同之條件下進行殺芽試驗,評價殺芽效果。將評價結果示於表5。
實施例6-1~6-4
使用DPA水溶液中混合有C18三甲基氯化銨水溶液之水溶液。水溶液中之DPA之終濃度為10mM,C18三甲基氯化銨之終濃度為1mM。將順序(1)及(2)中之試驗液之pH值(24℃)設為表6所示之值。於與實施例1-1相同之條件下進行殺芽試驗,評價殺芽效果。將評價結果示於表6。實施例6-2係使用鄰苯二甲酸與氫氧化鈉之緩衝系,實施例6-3係使用硼酸與氫氧化鈉之緩衝系,實施例6-4係使用氯化鉀與氫氧化鈉之緩衝系。
實施例7-1
-順序-
(1)步驟1:將芽胞液100μL與DPA水溶液900μL混合而製成試驗液(pH值7.0)。DPA之終濃度為10mM。
(2)將試驗液於24℃下靜置30分鐘。
(3)利用下述方法自芽胞中去除DPA溶液。將步驟1之試驗液利用離心分離器(久保田(Kubota)股份有限公司製造之桌上型微型冷卻離心機3500,以下相同)於15krpm 5分鐘之條件下進行離心分離操作,去除上清液。
(4)步驟2:去除上清液,立即以成為終濃度10mM之方式添加C16三甲基氯化銨水溶液1mL,於24℃下靜置30分鐘。
(5)步驟3:上述(4)後,將試驗液於80℃下進行30分鐘加溫處理。
(6)將(5)之試驗液利用滅菌水階段性地進行稀釋,將各稀釋液100μL塗抹於LB瓊脂培養基(BD公司製造),於37℃下培養16小時。
(7)(6)之培養後,根據所生成之菌落數求出生存菌數X(CFU/mL)。
實施例7-2
-順序-
(1)步驟2:將芽胞液100μL與C16三甲基氯化銨水溶液900μL混合而製成試驗液(pH值7.0)。C16三甲基氯化銨之終濃度為10mM。
(2)將試驗液於24℃下靜置30分鐘。
(3)利用下述方法自芽胞中去除C16三甲基氯化銨溶液。將(2)之試驗液利用離心分離器於15krpm 5分鐘之條件下進行離心分離操作,去除上清液。
(4)步驟1:去除上清液,立即以成為終濃度10mM之方式添加DPA水溶液1mL,於24℃下靜置30分鐘。
(5)步驟3:上述(4)後,將試驗液於80℃下進行30分鐘加溫處理。
(6)將(5)之試驗液利用滅菌水階段性地進行稀釋,將各稀釋液100
μL塗抹於LB瓊脂培養基(BD公司製造),於37℃下培養16小時。
(7)(6)之培養後,根據所生成之菌落數求出生存菌數X(CFU/mL)。
實施例7-3
-順序-
(1)步驟1及步驟2:將芽胞液100μL與DPA及C16三甲基氯化銨之水溶液900μL混合而製成試驗液(pH值7.0)。DPA及C16三甲基氯化銨之終濃度為10mM。
(2)步驟3:(1)之後,立即將試驗液於80℃下進行30分鐘加溫處理。
(3)將(2)之試驗液利用滅菌水階段性地進行稀釋,將各稀釋液100μμL塗抹於LB瓊脂培養基(BD公司製造),於37℃下培養16小時。
(4)(3)之培養後,根據所生成之菌落數求出生存菌數X(CFU/mL)。
比較例7-1
-順序-
(1)將芽胞液100μL與DPA溶液900μL混合而製成試驗液(pH值7.0)。DPA之終濃度為10mM。
(2)(1)之後,立即將試驗液於80℃下進行30分鐘加溫處理。
(3)利用下述方法自芽胞中去除DPA水溶液。
將(2)之試驗液利用離心分離器於15krpm 5分鐘之條件下進行離心分離操作,去除上清液。
(4)去除上清液,立即以成為終濃度10mM之方式添加C16三甲基氯化銨水溶液1mL,於24℃下靜置30分鐘。
(5)利用滅菌水將(4)之試驗液階段性地進行稀釋,將各稀釋液100μL塗抹於LB瓊脂培養基(BD公司製造),於37℃下培養16小時。
(6)(5)之培養後,根據所生成之菌落數求出生存菌數
X(CFU/mL)。
比較例7-2
-順序-
(1)步驟3:將芽胞液100μL於80℃下進行30分鐘加溫處理。
(2)步驟2:(1)之後,冷卻至室溫,其後立即與C16三甲基氯化銨水溶液900μL混合,靜置30分鐘,製成試驗液(pH值7.0)。C16三甲基氯化銨之終濃度為10mM。
(3)將(2)之試驗液利用滅菌水階段性地進行稀釋,將各稀釋液100μL塗抹於LB瓊脂培養基(BD公司製造),於37℃下培養16小時。
(4)(3)之培養後,根據所生成之菌落數求出生存菌數X(CFU/mL)。
實施例8-1:
與實施例3-1同樣地進行殺芽試驗。
比較例8-1:
不使用DPA水溶液而使用同濃度之間苯二甲酸水溶液。除此以外,與實施例8-1同樣地進行。
實施例9-1
(1)步驟1及步驟2:將芽胞液100μL與DPA水溶液800μL、及C16三甲基氯化銨之水溶液100μL分別混合而製成試驗液(pH值7.0)。DPA與C16三甲基氯化銨之終濃度為10mM。
(2)步驟3:上述(1)之後,立即將試驗液直接於80℃下進行30分鐘加溫處理。加溫步驟中使用Major Science公司之鋁塊恆溫槽MD-01N-110。
(3)將上述(2)中經熱處理之試驗液利用LP水溶液(LP稀釋液(Daigo,日本製藥股份有限公司製造))階段性地進行稀釋,將各稀釋液100μL塗抹於LB瓊脂培養基(BD公司製造),於37℃下培養16小時。
(4)(3)之培養後,根據所生成之菌落數求出生存菌數X(CFU/mL)。
比較例9-1
與實施例9-1同樣地進行操作,但不進行步驟3之加溫,而於室溫下靜置30分鐘。
比較例9-2
代替實施例9-1之(1)步驟1及步驟2之DPA及陽離子界面活性劑水溶液而使芽胞液與純化水接觸。步驟3之加溫係與實施例9-1同樣地實
施。
將實施例9-1、比較例9-1~9-2之結果示於表9。
實施例10-1~10-2
使用DPA水溶液中混合有C16三甲基氯化銨水溶液之水溶液。DPA之終濃度為表10所示之濃度,C16三甲基氯化銨之終濃度為10mM。於與實施例1-1相同之條件下進行殺芽試驗,評價殺芽效果。將評價結果示於表10。
本發明之殺芽方法例如可用於亞麻洗淨、防止食品腐敗、環境淨化等廣泛之用途。
Claims (10)
- 如請求項1之殺芽胞方法,其具有同時進行上述步驟1、步驟2、及步驟3之期間。
- 如請求項1之殺芽胞方法,上述2,6-吡啶二羧酸相對於上述陽離子界面活性劑之莫耳比以[2,6-吡啶二羧酸之莫耳濃度]/[陽離子界面活性劑之莫耳濃度]計為1/20以上且1000以下。
- 如請求項1之殺芽胞方法,其中於上述步驟1及步驟2中,使芽胞形成菌、2,6-吡啶二羧酸或其鹽、及陽離子界面活性劑於液中接觸。
- 如請求項4之殺芽胞方法,其中液中之2,6-吡啶二羧酸或其鹽之含量為0.05mM以上且200mM以下。
- 如請求項4之殺芽胞方法,其中液中之陽離子界面活性劑之含量為0.1mM以上且1000mM以下。
- 如請求項7之殺芽胞助劑組合物,其為含有2,6-吡啶二羧酸或其鹽0.05mM以上且200mM以下之液體組合物。
- 如請求項7之殺芽胞助劑組合物,其為含有上述陽離子界面活性劑0.1mM以上且1000mM以下之液體組合物。
- 如請求項7之殺芽胞助劑組合物,上述2,6-吡啶二羧酸相對於上述陽離子界面活性劑之莫耳比以[2,6-吡啶二羧酸之莫耳濃度]/[陽離子界面活性劑之莫耳濃度]計為1/20以上且1000以下。
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