TWI693450B - 可拉伸顯示面板及其製造方法 - Google Patents
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Abstract
本發明公開了一種可拉伸顯示面板及其製造方法,該可拉伸顯示面板包括:彈性基層和嵌設在彈性基層內的多個陣列分佈的顯示單元,至少部分顯示單元包括像素單元和剛性保護體,剛性保護體至少包括設置於像素單元的至少一側的剛性側壁。通過上述方式,能夠有效地保護像素單元,避免拉伸導致的像素單元的損壞。
Description
本發明涉及顯示技術領域,特別是涉及一種可拉伸顯示面板及其製造方法。
顯示面板是人們日常生活中常用的產品,通常,顯示面板是基於玻璃等剛性材質製成,顯示面板的大小固定,且易碎結構脆弱,因此有人提出可拉伸顯示面板的概念。
現有的可拉伸顯示面板不能對像素單元進行有效的保護,導致可拉伸顯示幕在拉伸的過程中,像素單元很容易破裂,導致像素單元失效,影響顯示面板的正常顯示。
本發明主要解決的技術問題是提供一種可拉伸顯示面板及其製造方法,能夠有效的保護像素單元,避免拉伸導致的像素單元的損壞。
為解決上述技術問題,本發明採用的一個技術方案是:提供一種可拉伸顯示面板,該可拉伸顯示面板包括彈性基層和嵌設在彈性基層內的多個陣列分佈的顯示單元,至少部分顯示單元包括像素單元和剛性保護體,剛性保護體至少包括設置於像素單元的至少一側的剛性側壁。
為解決上述技術問題,本發明採用的另一個技術方案是:提供一種可拉伸顯示面板的製造方法,其包括:在基板上形成剛性基材層;對剛性基材層進行蝕刻形成剛性保護體,剛性保護體包括至少一剛性側壁;在剛性側壁一側形成對應的像素單元,使得像素單元及其對應的剛性保護體組成顯示單元;形成彈性基層,彈性基層至少填充於相鄰的顯示單元之間。
本發明的有益效果是:區別於現有技術的情況,本發明通過將顯示單元嵌設於彈性基層中,使得顯示面板的可以拉伸或者彎折,進一步,通過在至少部分顯示單元中設置包括像素單元和剛性保護體,剛性保護體至少包括設置於像素單元的至少一側的剛性側壁,由剛性側壁在像素單元的厚度維度上進行保護,承受厚度維度上的拉伸力或者彎折曲張力,避免在可拉伸顯示面板在拉伸或者彎折時導致像素單元的損壞。
下面結合附圖和實施例對本發明進行詳細的說明。
請參閱圖1,圖1是本發明第一實施例的可拉伸顯示面板的剖視結構示意圖。在本實施例中,可拉伸顯示面板可以包括:彈性基層11和多個顯示單元12。
多個顯示單元12嵌設在彈性基層11內,並且多個顯示單元12呈陣列分佈。
例如,彈性基層11具有彼此平行的第一表面a和第二表面b。多個顯示單元12在與彈性基層11的第一表面a和第二表面b平行的一個參照平面c上呈矩陣分佈。該參照平面c位於第一表面a和第二表面b之間。
例如,第一表面a為彈性基層11的上表面,第二表面b為彈性基層11的下表面。
可選地,每一顯示單元12包括像素單元121和剛性側壁122,剛性側壁122設置在像素單元121的一側。剛性側壁122形成剛性保護體對像素單元進行保護。在其他實施例中,可以僅將部分顯示單元12設置為包括像素單元121和剛性側壁122,並非一定要將可拉伸顯示面板所有的顯示單元均設置為包括像素單元121和剛性側壁122,本實施例對此不做限定。
可選地,剛性側壁122的材質可以是聚醯亞胺(Polyimide,PI)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate,PMMA)或者其他剛性可圖形化材料。
彈性基層11的材質可以是聚二甲基矽氧烷(polydimethylsiloxane,PDMS)、聚氨酯(polyurethane, PU)、熱塑性彈性體(thermoplastic elastomers, TPE)或者其他的彈性或者軟性材質。
在其他實施例中,可以在像素單元121的相對兩側分別設置對應的兩個剛性側壁,或者在像素單元121三側分別設置對應的三個剛性側壁,或者在像素單元121的四側均設置剛性側壁。
可選地,在像素單元121的四側均設置剛性側壁的實施例中,四側的剛性側壁可彼此連接形成剛性圍欄,具體參見下文的描述。
可選地,剛性側壁122垂直於彈性基層11的第一表面a和第二表面b。在其他實施例中,剛性側壁122可以與第一表面a和第二表面b之間的夾角範圍在60度至 90度之間。
應理解,可拉伸顯示面板可彎折、拉伸等,而不限於拉伸,剛性側壁122垂直於彈性基層11的表面,是指在彈性基層11未受到外力變形的自然狀態下剛性側壁122垂直於彈性基層11的表面。
在本實施例中,像素單元121可以為發光層,發光層可以為發光二極體 (Light Emitting Diode,LED)、有機發光二極體(Organic Light-Emitting Diode,OLED)、微型發光二極體(Micro Light-Emitting Diode,Micro LED)或者量子點發光二極體(Quantum Dot Light-Emitting Diodes, QLED)等等。
在本實施例中,由位於像素單元121至少一側的剛性側壁122在像素單元121的厚度維度上進行保護,承受厚度維度上的拉伸力或者彎折曲張力,避免在可拉伸顯示面板在拉伸或者彎折時導致像素單元的損壞。
請結合參閱圖2、圖3以及圖4,圖2是本發明第二實施例的可拉伸顯示面板的俯視結構示意圖;圖3是本發明第二實施例的可拉伸顯示面板沿圖2中A-A方向的剖視示意圖;圖4是本發明第二實施例的可拉伸顯示面板沿圖3中B-B方向的剖視圖。
在本實施例中,可拉伸顯示面板可以包括:彈性基層20、多個顯示單元30以及導線40。
多個顯示單元30嵌設在彈性基層20內,並且多個顯示單元30呈陣列分佈,每一顯示單元30包括像素單元31和剛性保護體32。
可選地,顯示單元30可以矩陣分佈於同一參考平面上,具體可以參照上文實施例中的描述,此處不再贅述。
在本實施例中,剛性保護體32包括剛性承壁321和四個剛性側壁322a、322b、322c、322d。
四個剛性側壁322a、322b、322c、322d彼此連接以形成圍繞像素單元31的剛性圍欄322。四個剛性側壁322a、322b、322c、322d分別為第一剛性側壁322a、第二剛性側壁322b、第三剛性側壁322c、第四剛性側壁322d。第一剛性側壁322a與第三剛性側壁322c相對設置,第二剛性側壁322b與第四剛性側壁322d相對設置。第一剛性側壁322a、第二剛性側壁322b、第三剛性側壁322c、第四剛性側壁322d依次首尾連接。
可選地,第一剛性側壁322a、第二剛性側壁322b、第三剛性側壁322c、第四剛性側壁322d均垂直於彈性基層20的表面設置。具體而言,剛性側壁322a、322b、322c、322d可以垂直於彈性基層20的上表面或者下表面,剛性側壁322a、322b、322c、322d垂直於彈性基層20是指在彈性基層20未發生變形時的自然狀態下時,剛性側壁322a、322b、322c、322d垂直於彈性基層20。在其他實施例中,剛性側壁322a、322b、322c、322d也可以與彈性基層20的表面呈其他角度,而不限於垂直的情形。
像素單元31至少部分容置於剛性承壁321和剛性側壁322a、322b、322c、322d所圍成的空間內。具體而言,剛性承壁321可與剛性側壁322a、322b、322c、322d均垂直彎折連接,且剛性承壁321與剛性側壁322a、322b、322c、322d形成一體的盒狀結構。像素單元31容置於盒狀結構的容置空間內。
在本實施例中,通過上述方式,在像素單元31的周圍剛性圍欄322可以在可拉伸顯示面板的厚度維度上保護像素單元31,進一步在像素單元31的底部設置承載像素單元21的剛性承壁321可以在可拉伸顯示面板的面板所在平面的兩個維度保護像素單元31,進而實現對像素單元31在三個維度上的保護。在可拉伸顯示面板在任意一個維度進行拉伸或者任意方向的彎折時均可以保護像素單元31不被損壞。
在本實施例中,像素單元31為發光層,可實現單面無源顯示。發光層可以為LED、OLED、Micro LED或者QLED。
可選地,剛性側壁322a、322b、322c、322d上設置有缺口323。
導線40從剛性圍欄322外通過缺口323與對應的像素單元31連接。
導線40位於剛性圍欄322外的部分嵌設於彈性基層20內,且設置成可拉伸形式。例如,導線40至少在位於剛性圍欄322外的部分由彈性導電材料製成。應理解,導線40還可以設置成其他的可拉伸形式,例如,將導線40在剛性圍欄322外的部分設置為螺旋延伸的形狀且由硬性導電材料(例如金屬)製成,其同樣具有彈性,當然,導線40的可拉伸形式不限於上述的各種方式,只要是可以拉伸即可。
可選地,導線40位於剛性圍欄322內的部分設置於剛性承壁321靠近像素單元31的表面上。導線40位於剛性圍欄322內的部分也可以由彈性導電材料製成,彈性導電材料可以與上述導線40位於剛性圍欄322外的部分的材料相同,從而便於導線40的一體成型,便於導線40的製作。導線40的具體製作製程可以是印刷製程或者光刻製程。
請進一步結合參閱圖5,圖5是本發明第二實施例的剛性保護體的側視結構示意圖。
可選地,在本實施例中,剛性側壁322a、322b、322c、322d上的缺口323的底部設置成與剛性承壁321靠近像素單元31的表面平齊,以使得導線40在從剛性圍欄322外經缺口323延伸至剛性圍欄322內時保持平坦,避免在形成導線40時在經過缺口323時由於要跨過一定的臺階導致的斷線或者導線40可靠性差的問題。
在其他實施例中,缺口323的底部也可以超出剛性承壁321靠近像素單元31的表面一定的高度,本發明實施例對此不做限定。
可選地,導線40包括第一導線40a和第二導線40b。第一導線40a和第二導線40b的數量可以均為多條。多條第一導線40a彼此平行設置,多條第二導線40b彼此平行設置。第一導線40a可與第二導線40b垂直。在第一導線40a和第二導線40b交疊處,可以在第一導線40a和第二導線40b之間設置絕緣層。
像素單元31四側的每個剛性側壁322a、322b、322c、322d上均設有缺口323。
第一導線40a串聯列向排列的像素單元31,且從剛性圍欄322外通過兩相對的剛性側壁(例如,第一剛性側壁322a和第三剛性側壁322c)上的缺口323分別與像素單元31的第一電極311連接。
第二導線40b串聯行向排列的像素單元31,且從剛性圍欄322外通過剩餘兩相對的剛性側壁(例如,第二剛性側壁322b和第四剛性側壁322d)上的缺口323分別與像素單元31的第二電極312連接。
可選地,像素單元31的第一電極311和第二電極312的其中一者為正極,另一者為負極。例如,在像素單元31為OLED時,其第一電極311和第二電極312的其中一者為該OLED的正極,另一者為該OLED的負極。
在本實施例中,通過上述方式,將同一種電極連接的導線設置為彼此平行,不同種電極連接的導線設置為彼此垂直,可以便於顯示面板的驅動電路的設計。應理解,在其他實施例中,可以將所有導線均設置為平行,本發明實施例對此不做限定。
請結合參閱圖6、圖7、圖8以及圖9,圖6是本發明第三實施例的可拉伸顯示幕的俯視結構示意圖;圖7是圖6中C-C方向的剖視結構示意圖;圖8是圖6中D-D方向的剖視結構示意圖;圖9是圖6中E-E方向的剖視結構示意圖。
在本實施例中,可拉伸顯示面板可以包括:彈性基層50、多個顯示單元60以及導線70。
多個顯示單元60嵌設在彈性基層50內,並且多個顯示單元60呈陣列分佈,每一顯示單元60包括像素單元61和剛性保護體62。具體顯示單元60如何在彈性基層50內陣列分佈可以參見上文實施例的描述,此處不再贅述。
剛性保護體62包括剛性承壁621和四個剛性側壁622a、622b、622c、622d。
四個剛性側壁622a、622b、622c、622d彼此連接以形成圍繞像素單元61的剛性圍欄622。四個剛性側壁622a、622b、622c、622d分別為第一剛性側壁622a、第二剛性側壁622b、第三剛性側壁622c、第四剛性側壁622d。第一剛性側壁622a與第三剛性側壁622c相對設置,第二剛性側壁622b與第四剛性側壁622d相對設置。第一剛性側壁622a、第二剛性側壁622b、第三剛性側壁622c、第四剛性側壁622d依次首尾連接。
可選地,第一剛性側壁622a、第二剛性側壁622b、第三剛性側壁622c、第四剛性側壁622d均垂直於彈性基層50的表面設置。具體可以參見上文實施例的描述,此處不再贅述。
在本實施例中,剛性承壁621與剛性側壁622a、622b、622c、622d的中部連接,進而形成由剛性承壁621分隔的第一子空間S1和第二子空間S2。具體而言,剛性承壁621與剛性圍欄622的內壁連接,且與剛性圍欄622設置為一體,剛性承壁621將剛性圍欄622圍成的空間分隔為第一子空間S1和第二子空間S2。
可選地,剛性承壁621上設有第一過孔H1和第二過孔H2。
像素單元61包括第一子像素單元611和第二子像素單元612,第一子像素單元611和第二子像素單元612分別容置於第一子空間S1和第二子空間S2內。
可選地,第一子像素單元611可以為發光層,第二子像素單元612可以為驅動層,例如薄膜電晶體(Thin Film Transistor,TFT)驅動層。從而在第一子像素單元611所在的一面的單面主動顯示。
在其他實施例中,第一子像素單元611和第二子像素單元612可以為均為發光層。發光層可以為LED、OLED、Micro LED或者QLED等。其中,第一子像素單元611和第二子像素單元612可以採用不同種類的發光層,例如,第一子像素單元採用OLED,第二子像素單元採用QLED。
導線70包括第一導線71、第二導線72、第三導線73以及第四導線74。
請進一步結合參閱圖10和圖11,圖10是本發明第三實施例中的第一和第三剛性側壁的側視結構示意圖;圖11是本發明第三實施例中的第二剛性側壁和第四剛性側壁的側視結構示意圖。
剛性圍欄622上設有與第一導線71、第二導線72、第三導線73對應的多個缺口623,每一導線70對應於分別位於相對的兩個剛性側壁622a、622b、622c或622d上的兩個缺口623。
具體而言,第一剛性側壁622a的位於剛性承壁621上側的部分(即第一剛性側壁622a在第一子像素單元611側邊的部分)上設有朝向遠離剛性承壁621方向且使剛性圍欄622內外貫通的兩個缺口623。第三剛性側壁622c的位於剛性承壁621上側的部分(即第三剛性側壁622c在第一子像素單元611側邊的部分)上設有朝向遠離剛性承壁621方向且剛性圍欄622內外貫通的兩個缺口623。
第二剛性側壁622b的位於剛性承壁621下側的部分(即第二剛性側壁622b在第二子像素單元612側邊的部分)上設有朝向遠離剛性承壁621方向且使剛性圍欄622內外貫通的兩個缺口623。
第四剛性側壁622d的位於剛性承壁621下側的部分(即第四剛性側壁622d在第二子像素單元612側邊的部分)上設有朝向遠離剛性承壁621方向且使剛性圍欄622內外貫通的兩個缺口623。
可選地,每一缺口623的底部均與剛性承壁621靠近該缺口623的表面齊平,以使對應的導線70經過該缺口623時保持平坦。
第一導線71和第二導線72從剛性圍欄622外經過缺口623延伸至第一子空間S1中。第一導線71和第二導線72位於剛性圍欄622內的部分均設置在剛性承壁621上。第三導線73和第四導線74從剛性圍欄622外延伸至第二子空間S2中。第一子像素單元611的第一電極P1與第一導線71連接。第一子像素單元611的第二電極P2經第一過孔H1與第三導線73連接。第二子像素單元612的第一電極P3與第四導線74連接。第二子像素單元612的第二電極P4通過第二過孔H2與第二導線72連接。第一導線71與第二導線72平行,第三導線73與第四導線74平行,第一導線71與第三導線73垂直。
具體而言,第一導線71串聯列向排列的第一子像素單元611,且從剛性圍欄622外通過兩相對的剛性側壁(例如,第一剛性側壁622a和第三剛性側壁622c)上的缺口623與第一子像素單元611的第一電極P1連接。第二導線72串聯列向排列的第二子像素單元612,且從剛性圍欄622外通過兩相對設置的剛性側壁上(例如,第一剛性側壁622a和第三剛性側壁622c)上的缺口623延伸至第一子空間S1中,第二導線72通過設置在剛性承壁621上的第二過孔H2與第二子像素單元612的第二電極P2連接。第二導線72在經過第二過孔H2時填充於第二過孔H2並與第二子空間S2中的第二子像素單元612的第二電極P4連接並導通。
第四導線74串聯行向排列的第二子像素單元612,且從剛性圍欄622外通過兩相對的剛性側壁(例如,第二剛性側壁622b和第四剛性側壁622d)上的缺口623與第二子像素單元612的第一電極P3連接。第三導線73串聯行向排列的第一子像素單元611,且從剛性圍欄622外通過兩相對的剛性側壁(例如,第二剛性側壁622b和第四剛性側壁622d)上的缺口623延伸至第二子空間S2中,第三導線73通過設置在剛性承壁621上的第一過孔H1與第一子像素單元611的第二電極P2連接。第三導線73在經過第一過孔H1時填充於第一過孔H1並與第一子空間S1中的第一子像素單元611的第二電極P2連接並導通。
可選地,第一子像素單元611的第一電極P1和第二電極P2,其中一者為正極另一者為負極。
可選地,在第二子像素單元612為發光層時,第二子像素單元612的第一電極P3和第二電極P4其中一者為正極另一者為負極。在第二子像素單元612為驅動層時,第二子像素單元612的第一電極P3和第二電極P4其中一者為資料線連接電極另一者為掃描線連接電極,例如,第二子像素單元612的第一電極P3和第二電極P4其中一者為閘極另一者為汲極。
在本實施例中,通過在不同層設置不同種電極可以避免在同一子空間中的導線交錯設置導致在導線交錯位置增加絕緣層使導線之間絕緣,在此基礎上,進一步設置同一種類的電極彼此平行能夠方便周邊的驅動電路的設計。
在另一種實施例中,多根導線可以包括第一導線、第二導線、第三導線以及第四導線,第一導線和第二導線從剛性圍欄外延伸至第一子空間中,第三導線和第四導線從剛性圍欄外延伸至第二子空間中,第一子像素單元的第一電極與第一導線連接,第一子像素單元的第二電極與第二導線連接,第二子像素單元的第一電極與第三導線連接,第二子像素單元的第二電極與所述第四導線連接,第一導線與第三導線平行,第二導線與第四導線平行,第一導線與第二導線垂直。在這種情況下,剛性承壁上下兩側的結構均與第二實施例中的單層結構(顯示單元30)類似,此處不再贅述。這種設置方式的優點是不需要在剛性承壁上設置過孔,並且同一種的電極連接的導線平行,同樣可以達到便於周邊驅動電路設計的效果。
在本實施例中,第一子像素單元611和第二子像素單元612均是與剛性保護體62齊平或完全收容於剛性保護體62內,未超出第一子空間S1和第二子空間S2,這樣可以避免彈性基層50在拉伸時與第一子像素單元611和第二子像素單元612之間產生力的作用而使第一子像素單元611和第二子像素單元612損壞。在其他實施例,為了便於第一子像素單元611和第二子像素單元612的安裝或者製作,第一子像素單元611可以超出第一子空間S1,第二子像素單元612可以超出第二子空間S2。
在上述各個實施例中,每一個像素單元可以進一步包括對應的多個亞像素單元,例如,每一像素單元可以包括紅色亞像素單元(R)、綠色亞像素單元(G)、藍色亞像素單元(B),或者每一像素單元可以包括紅色亞像素單元(R)、綠色亞像素單元(G)、藍色亞像素單元(B)、白色亞像素單元(W)。
在上述各個實施例中,像素單元或者子像素單元的兩電極均是位於像素單元的同一層,應理解,在其他實施例中,像素單元的兩電極也可以分別位於不同層,在像素單元的電極位於不同層時,對應的導線可以位於不同層。
請參閱圖12和圖13,圖12是本發明可拉伸顯示面板的製造方法的第一實施例的流程示意圖,圖13是本發明可拉伸顯示面板的製造方法的第一實施例製造過程的示意圖。在本實施例中,可拉伸顯示面板的製造方法可以包括以下步驟:
步驟S11:在基板上形成剛性基材層。
其中,在基板81上形成剛性基材層82,剛性基材層82的材質為剛性材料,例如PI、PMMA或者其他剛性可圖形化材料。
步驟S12:對剛性基材層進行蝕刻形成剛性保護體,剛性保護體包括至少一剛性側壁。
其中,對剛性基材層82進行蝕刻形成剛性保護體83,可選地,剛性保護體83包括一個剛性側壁831,在其他實施例中剛性保護體可以包括兩個或者多個剛性側壁。形成的剛性保護體83可以在基板81上呈矩陣分佈。
例如,在其他實施例中,對剛性基材層82進行蝕刻形成剛性保護體83可以包括:對剛性基材層82進行蝕刻形成對應在後續步驟中形成的像素單元四側的多個剛性側壁,多個剛性側壁彼此連接以形成圍繞像素單元的剛性圍欄。
具體可以參見上文的描述。
步驟S13:在剛性側壁一側形成對應的像素單元,使得像素單元及其對應的剛性保護體組成顯示單元。
其中,在剛性側壁831一側形成對應的像素單元84,使得像素單元84及其對應的剛性保護體83組成顯示單元。
步驟S14:形成彈性基層,彈性基層至少填充於相鄰的顯示單元之間。
其中,形成彈性基層85,彈性基層至少填充於相鄰的顯示單元之間。可選地,彈性基層85一部分填充於相鄰像素單元之間,另一部分位於顯示單元上,形成的彈性基層85的外表面垂直於剛性側壁831。
步驟S15:將基板剝離。
其中,將基板81剝離。
可選地,在步驟S15之後,該可拉伸顯示面板的製造方法還可以包括:
步驟S16:將彈性基層裸露的一面放置在另一基板上。
其中,將彈性基層85裸露的一面放置在另一基板86上。
步驟S17:在顯示單元和彈性基層上形成另一彈性基層,以使彈性基層和另一彈性基層將顯示單元包裹。
其中,在顯示單元和彈性基層85上形成另一彈性基層87,以使彈性基層85和另一彈性基層87將顯示單元包裹。彈性基層85和另一彈性基層87的材質為彈性材質,具體可以為PDMS)、PU、TPE或者其他的彈性或者軟性材質。形成的另一彈性基層87的表面可以垂直於剛性側壁831。
步驟S18:將另一基板剝離。
其中,將另一基板86剝離。
請參閱圖14和圖15,圖14是本發明可拉伸顯示面板的製造方法的第二實施例的流程圖;圖15是本發明可拉伸顯示面板的製造方法第二實施例的製造過程的示意圖。
在本實施例中,可拉伸顯示面板的製造方法可以包括以下步驟:
步驟S21:在基板上形成剛性基材層。
其中,在基板90上形成剛性基材層91。剛性基材層91的材質為剛性材料,例如PI、PMMA或者其他剛性可圖形化材料。
步驟S22:對剛性基材層背對基板的一側的中部區域進行蝕刻,蝕刻深度不大於剛性基材層的厚度,使得剛性基材層背對基板的一側形成凹槽,凹槽的周壁形成剛性圍欄。
其中,對剛性基材層91背對基板90的一側的中部區域進行蝕刻,蝕刻深度不大於剛性基材層91的厚度,使得剛性基材層91背對基板90的一側形成凹槽92,凹槽92的周壁形成剛性圍欄93。凹槽92底部未蝕刻的部分形成剛性承壁94。凹槽92的周壁由多個剛性側壁構成,多個剛性側壁首尾連接形成剛性圍欄93。
在蝕刻時,將剛性圍欄93之外的剛性基材層91也進行一定程度的蝕刻,蝕刻的深度與凹槽92深度一致,保留的部分形成導線承載層95,導線承載層95的上表面與剛性承壁94的上表面齊平。
步驟S23:在剛性圍欄的每個剛性側壁上均形成缺口。
其中,在剛性圍欄93的每個剛性側壁上均形成缺口931。具體參見圖中的剛性圍欄93的A側視圖,其他側的視圖與A側視圖類似。可選地,缺口931的底部與剛性承壁94遠離基板90的表面齊平。
步驟S24:形成從剛性圍欄外通過兩相對的剛性側壁上的缺口延伸至剛性圍欄內的第一導線。
其中,在導線承載層95、缺口931底部、剛性承壁94上形成從剛性圍欄93外通過兩相對的剛性側壁上的缺口931延伸至剛性圍欄93內的第一導線96。第一導線96可拉伸。例如,第一導線96的材質可以為彈性導電材料,在其他實施例中,可以僅將第一導線96位於剛性圍欄93外的部分由彈性導線材料製成,而位於剛性圍欄93之內的部分由硬性導電材質製成。
步驟S25:在第一導線的部分區域上形成絕緣層。
其中,在第一導線96的部分區域上形成絕緣層97,以使後續形成的第二導線98與第一導線96在交疊的位置能夠彼此絕緣。
步驟S26:形成從剛性圍欄外通過剩餘兩相對的剛性側壁上的缺口延伸至剛性圍欄內的第二導線,並使第二導線從絕緣層上經過。
其中,在導線承載層95、缺口931底部、剛性承壁94上形成從剛性圍欄93外通過剩餘兩相對的剛性側壁上的缺口931延伸至剛性圍欄93內的第二導線98,並使第二導線98從絕緣層97上經過。第二導線98也是可拉伸的,具體與第一導線96類似,只是設置的方向不同,此處不再贅述。
步驟S27:在凹槽內形成像素單元並使像素單元的第一電極與第一導線連接且第二電極與第二導線連接。
其中,在凹槽92內形成像素單元99並使像素單元99的第一電極與第一導線96連接且第二電極與第二導線98連接。像素單元99可以為發光層,發光層具體可以是LED、OLED、Micro LED或者QLED等。
在圖中未示出第一電極和第二電極,具體的像素單元的電極與導線之間的連接關係可以參見上述可拉伸顯示面板的第二實施例中的相關描述,此處不再贅述。
步驟S28:在像素單元和剛性圍欄之間澆築形成至少部分的彈性基層。
其中,在像素單元99、導線承載層95上澆築形成至少部分的彈性基層100,定義該部分的彈性基層100為第一子彈性基層100。
步驟S29:將基板剝離,並將彈性基層裸露的一面設置於另一基板上。
其中,將彈性基層100裸露的一面設置於另一基板101上。
步驟S30:將導線承載層蝕刻去除,在剛性承壁遠離像素單元的一面、第一子彈性基層上形成第二子彈性基層。
其中,將導線承載層95蝕刻去除,在剛性承壁94遠離像素單元99的一面、第一子彈性基層100上形成第二子彈性基層102。第一子彈性基層100和第二子彈性基層102構成完整的彈性基層,並將第一導線96和第二導線98包裹在該彈性基層內。
步驟S31:將另一基板剝離。
其中,將另一基板101剝離。
本實施例對應於上述可拉伸顯示面板的第二實施例的結構,更具體的描述可以參見上文的描述,此處不再贅述。
請參閱圖16、圖17以及圖18,圖16是本發明可拉伸顯示面板的製造方法的第三實施例的流程圖;圖17是本發明可拉伸顯示面板的製造方法第三實施例的一部分製造過程的示意圖;圖18是本發明可拉伸顯示面板的製造方法第三實施例的另一部分製造過程的示意圖。
在本實施例中,可拉伸顯示面板的製造方法可以包括以下步驟:
步驟S41:在基板上形成剛性基材層。
其中,在基板200上形成剛性基材層201。剛性基材層201的材質為剛性材料,例如PI、PMMA或者其他剛性可圖形化材料。
步驟S42:對剛性基材層背對基板的一側的中部區域進行蝕刻,蝕刻深度不大於剛性基材層的厚度,使得剛性基材層背對基板的一側形成第一凹槽,第一凹槽的周壁形成剛性圍欄。
其中,對剛性基材層201背對基板20的一側的中部區域進行蝕刻,蝕刻深度不大於剛性基材層201的厚度,使得剛性基材層201背對基板的一側形成第一凹槽202,第一凹槽202的周壁形成剛性圍欄的第一子剛性圍欄203。
在蝕刻時,將第一剛性圍欄203之外的剛性基材層也進行蝕刻一定的深度的蝕刻,保留的承載部分用於承載後續形成的導線。
步驟S43:在第一子剛性圍欄上形成四個第一缺口。
其中,在第一子剛性圍欄203的相對的兩個剛性側壁上分別形成兩個第一缺口204。
步驟S44:形成從第一子剛性圍欄之外通過第一缺口延伸至第一凹槽內的第一導線和第二導線。
其中,第一導線205與第二導線(圖未示)平行,第一導線205經過兩個相對設置的第一缺口204,第二導線經過另兩個相對設置的第一缺口204。具體可以參見上文的可拉伸顯示面板的第三實施例中的描述。
步驟S45:在第一凹槽內形成第一子像素單元並使第一子像素單元的第一電極連接第一導線。
其中,在第一凹槽202內形成第一子像素單元206並使第一子像素單元206的第一電極207,第一子像素單元206的第二電極(圖未示)與第一凹槽202的底部抵接。
步驟S46:在相鄰第一剛性圍欄之間和第一子像素單元上澆築形成彈性基層。
其中,在相鄰第一剛性圍欄之間和第一子像素單元206上澆築形成彈性基層的一部分208。
步驟S47:將基板剝離,並在澆築後的彈性基層裸露一側設置另一基板。
其中,將基板200剝離,並將澆築後的彈性基層的一部分208倒置並使其裸露的一側與另一基板209鍵合。
步驟S48:在剛性基材層背對另一基板的一側的中部區域進行蝕刻,形成不貫穿第一凹槽槽底的第二凹槽,第二凹槽的周壁形成剛性圍欄,第一凹槽和第二凹槽之間為剛性承壁。
其中,在剛性基材層201背對另一基板209的一側的中部區域進行蝕刻,形成不貫穿第一凹槽202槽底的第二凹槽210,第二凹槽210的周壁形成剛性圍欄的第二子剛性圍欄211,第一凹槽202和第二凹槽210之間為剛性承壁213。
步驟S49:在第二子剛性圍欄上形成四個第二缺口,在剛性承壁上形成第一過孔和第二過孔。
其中,在第二子剛性圍欄211上形成四個第二缺口(圖未示),不難理解,根據第三導線、第四導線與第一導線、第二導線的位置關係,可以確定第二缺口的位置。具體可以參見前文第三實施例的可拉伸面板的描述。第一過孔和第二過孔的相關描述也可以參見上文對應實施例的描述。
步驟S50:形成從第二子剛性圍欄之外通過第二缺口延伸至第二凹槽內的第三導線和第四導線。
其中,在第二凹槽210底部和第二子剛性圍欄211之外的剛性基材層上形成第三導線和第四導線212。
步驟S51:將第二子剛性圍欄之外殘留的剛性基材層蝕刻去除。
步驟S52:在第二凹槽內形成第二子像素單元。
其中,第一子像素單元206的第一電極207與第一導線205連接,第一子像素單元206的第二電極經第一過孔與第三導線連接,第二子像素單元215的第一電極214與第四導線212連接,第二子像素單元215的第二電極通過第二過孔與第二導線連接,第一導線205與第二導線平行,第三導線與第四導線212平行,第一導線205與第三導線垂直。具體可以參見前文第三實施例的可拉伸顯示面板的描述。
步驟S53:在相鄰第二子剛性圍欄之間和第二子像素單元上澆築形成彈性基層。
步驟S54:將另一基板剝離。
本實施例的製造方法對應於本發明第三實施例的可拉伸面板,更具體的說明可以參見上文的描述。
本發明的有益效果是:本發明通過在至少部分顯示單元中設置包括像素單元和剛性保護體,剛性保護體至少包括設置於像素單元的至少一側的剛性側壁,由剛性側壁在像素單元的厚度維度上進行保護,承受厚度維度上的拉伸力,避免拉伸導致的像素單元的損壞。
以上所述僅為本發明的實施方式,並非因此限制本發明的專利範圍,凡是利用本發明說明書及附圖內容所作的等效結構或等效流程變換,或直接或間接運用在其他相關的技術領域,均同理包括在本發明的申請專利範圍的保護範圍內。
11、20、50、85、87、100‧‧‧彈性基層12、30、60‧‧‧顯示單元31、61、84、99、121‧‧‧像素單元32、62、83‧‧‧剛性保護體40、70‧‧‧導線40a、71、96、205‧‧‧第一導線40b、72、98‧‧‧第二導線73‧‧‧第三導線74、212‧‧‧第四導線81、86、90、101、200、209‧‧‧基板82、91、201‧‧‧剛性基材層92、202、210‧‧‧凹槽93、322、622‧‧‧剛性圍欄94、213、321、621‧‧‧剛性承壁95‧‧‧導線承載層122、322a、322b、322c、322d、622a、622b、622c、622d、831‧‧‧剛性側壁203、211‧‧‧子剛性圍欄204、323、623、931‧‧‧缺口206、215、611、612‧‧‧子像素單元207、214、311、P1‧‧‧第一電極208‧‧‧部分312、P2‧‧‧第二電極a‧‧‧第一表面b‧‧‧第二表面c‧‧‧參照平面H1、H2‧‧‧過孔S1、S2‧‧‧子空間
圖1是本發明第一實施例的可拉伸顯示面板的剖視結構示意圖。 圖2是本發明第二實施例的可拉伸顯示面板的俯視結構示意圖。 圖3是本發明第二實施例的可拉伸顯示面板沿圖2中A-A方向的剖視示意圖。 圖4是本發明第二實施例的可拉伸顯示面板沿圖3中B-B方向的剖視圖。 圖5是本發明第二實施例的剛性保護體的側視結構示意圖。 圖6是本發明第三實施例的可拉伸顯示幕的俯視結構示意圖。 圖7是圖6中C-C方向的剖視結構示意圖。 圖8是圖6中D-D方向的剖視結構示意圖。 圖9是圖6中E-E方向的剖視結構示意圖。 圖10是本發明第三實施例中的第一和第三剛性側壁的側視結構示意圖。 圖11是本發明第三實施例中的第二剛性側壁和第四剛性側壁的側視結構示意圖。 圖12是本發明可拉伸顯示面板的製造方法的第一實施例的流程示意圖。 圖13是本發明可拉伸顯示面板的製造方法的第一實施例製造過程的示意圖。 圖14是本發明可拉伸顯示面板的製造方法的第二實施例的流程示意圖。 圖15是本發明可拉伸顯示面板的製造方法第二實施例的製造過程的示意圖。 圖16是本發明可拉伸顯示面板的製造方法的第三實施例的流程示意圖。 圖17是本發明可拉伸顯示面板的製造方法第三實施例的一部分製造過程的示意圖。 圖18是本發明可拉伸顯示面板的製造方法第三實施例的另一部分製造過程的示意圖。
11‧‧‧彈性基層
12‧‧‧顯示單元
121‧‧‧像素單元
122‧‧‧剛性側壁
a‧‧‧第一表面
b‧‧‧第二表面
c‧‧‧參照平面
Claims (10)
- 一種可拉伸顯示面板,包括彈性基層、導線及嵌設在所述彈性基層內的多個陣列分佈的顯示單元,其中至少部分所述顯示單元包括像素單元及剛性保護體,所述剛性保護體至少包括設置於所述像素單元的至少一側的剛性側壁,所述剛性側壁在垂直於所述彈性基層的表面的方向上不重疊於所述像素單元,所述剛性側壁設置有缺口,且所述導線通過所述缺口與對應的所述像素單元連接。
- 如申請專利範圍第1項所述的可拉伸顯示面板,其中,所述剛性側壁垂直於所述彈性基層的所述表面設置;及/或,所述剛性保護體包括設置於所述像素單元週邊的多個剛性側壁,所述多個剛性側壁彼此連接以形成圍繞所述像素單元的剛性圍欄。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述的可拉伸顯示面板,其中所述導線位於所述剛性圍欄外的部分嵌設於所述彈性基層內,且設置成可拉伸形式。
- 如申請專利範圍第3項所述的可拉伸顯示面板,其中,所述剛性保護體更包括與所述剛性側壁一體成型且位於所述剛性圍欄內的剛性承壁,所述像素單元至少部分容置於所述剛性承壁及所述剛性側壁所圍成的空間內。
- 如申請專利範圍第4項所述的可拉伸顯示面板,其中,所述剛性承壁上設置過孔,所述導線通過所述過孔與所述像素單元連接;及/或,所述導線位於所述剛性圍欄內的部分設置於所述剛性承壁上,所述缺口的底部設置成與所述剛性承壁的表面平齊,以使得所述導線在從所述剛性圍欄外經所述缺口延伸至所述剛性圍欄內時保持平坦。
- 如申請專利範圍第4項所述的可拉伸顯示面板,其中,所述導線包括第一導線及第二導線,所述像素單元四側的每個所述剛性側壁上均設有所述缺口,所述第一導線串聯列向排列的所述像素單元,且從所述剛性圍欄外通過兩相對的所述剛性側壁上的所述缺口分別與所述像素單元的第一電極連接,所述第二導線串聯行向排列的所述像素單元,且從所述剛性圍欄外通過剩餘兩相對的所述剛性側壁上的所述缺口分別與所述像素單元的第二電極連接。
- 如申請專利範圍第4項所述的可拉伸顯示面板,其中,所述剛性承壁與所述剛性側壁的中部連接,進而形成由所述剛性承壁分隔的第一子空間及第二子空間,所述像素單元包括第一子像素單元及第二子像素單元,所述第一子像素單元及所述第二子像素單元分別容置於所述第一子空間及所述第二子空間內。
- 如申請專利範圍第7項所述的可拉伸顯示面板,其中,所述剛性圍欄上設有多個缺口,所述導線包括第一導線、第二導 線、第三導線以及第四導線,所述剛性承壁上設有第一過孔及第二過孔,所述第一導線及所述第二導線從所述剛性圍欄外通過一部分的所述缺口延伸至所述第一子空間中,所述第三導線及所述第四導線從所述剛性圍欄外通過另一部分的所述缺口延伸至所述第二子空間中,所述第一子像素單元的第一電極與所述第一導線連接,所述第一子像素單元的第二電極經所述第一過孔與所述第三導線連接,所述第二子像素單元的第一電極與所述第四導線連接,所述第二子像素單元的第二電極通過所述第二過孔與所述第二導線連接,所述第一導線與所述第二導線平行,所述第三導線與所述第四導線平行,所述第一導線與所述第三導線垂直。
- 如申請專利範圍第7項所述的可拉伸顯示面板,其中,所述剛性圍欄上設有多個缺口,所述多根導線包括第一導線、第二導線、第三導線以及第四導線,所述第一導線及所述第二導線從所述剛性圍欄外通過一部分的所述缺口延伸至所述第一子空間中,所述第三導線及所述第四導線從所述剛性圍欄外通過另一部分的所述缺口延伸至所述第二子空間中,所述第一子像素單元的第一電極與所述第一導線連接,所述第一子像素單元的第二電極與所述第二導線連接,所述第二子像素單元的第一電極與所述第三導線連接,所述第二子像素單元的第二電極與所述第四導線連接,所述第一導線與所述第三導線平行,所述第二導線與所述第四導線平行,所述第一導線與所述第二導線垂直。
- 一種可拉伸顯示面板的製造方法,包括: 在基板上形成剛性基材層;對所述剛性基材層進行蝕刻形成剛性保護體,所述剛性保護體包括至少一剛性側壁;在所述剛性側壁一側形成對應的像素單元,使得所述像素單元及其對應的所述剛性保護體組成顯示單元,其中所述剛性側壁在所述基板上的垂直投影不重疊於所述像素單元在所述基板上的垂直投影;形成彈性基層,所述彈性基層至少填充於相鄰的所述顯示單元之間;將所述基板剝離。
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CN113496935A (zh) * | 2020-04-08 | 2021-10-12 | 深圳市柔宇科技有限公司 | 可拉伸显示面板及其制备方法、及可拉伸电子设备 |
CN112670310B (zh) * | 2020-12-22 | 2022-09-20 | 业成科技(成都)有限公司 | 显示器及其制造方法 |
CN116936714B (zh) * | 2023-09-18 | 2023-11-17 | 罗化芯显示科技开发(江苏)有限公司 | 一种微型发光单元显示面板及其制造方法 |
CN117750803B (zh) * | 2023-11-24 | 2024-09-27 | 惠科股份有限公司 | 显示面板和显示装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102496684A (zh) * | 2011-12-27 | 2012-06-13 | 昆山龙腾光电有限公司 | 柔性显示器 |
US20120258573A1 (en) * | 2008-12-15 | 2012-10-11 | Industrial Technology Research Institute | Fabrication method of substrate |
CN105895662A (zh) * | 2015-02-17 | 2016-08-24 | 三星显示有限公司 | 可伸展显示设备及其制造方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100434977B1 (ko) * | 1999-02-12 | 2004-06-09 | 도판 인사츠 가부시키가이샤 | 플라즈마 디스플레이 패널, 그 제조방법 및 그 제조장치 |
WO2003069593A2 (en) * | 2002-02-09 | 2003-08-21 | Display Science, Inc. | Flexible video displays and their manufacture |
JP2005183782A (ja) * | 2003-12-22 | 2005-07-07 | Sony Corp | リフトオフ法に基づくパターン形成方法 |
US20060204675A1 (en) * | 2005-03-08 | 2006-09-14 | Eastman Kodak Company | Display device with improved flexibility |
GB0724774D0 (en) * | 2007-12-19 | 2008-01-30 | Cambridge Display Tech Ltd | Organic thin film transistors, active matrix organic optical devices and methods of making the same |
US8405963B2 (en) * | 2009-02-19 | 2013-03-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display and damping member attached to display |
US9356179B2 (en) * | 2012-06-22 | 2016-05-31 | Industrial Technology Research Institute | Display panel integrated with photoelectric device |
CN102969320B (zh) * | 2012-12-10 | 2015-10-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示基板及其制备方法、柔性显示装置 |
US9865772B2 (en) * | 2015-01-06 | 2018-01-09 | Apple Inc. | LED structures for reduced non-radiative sidewall recombination |
KR102340855B1 (ko) * | 2015-01-15 | 2021-12-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 신축성 표시 장치 |
CN106848108B (zh) * | 2017-01-23 | 2020-05-22 | 上海天马微电子有限公司 | 一种柔性显示面板及制备方法 |
CN106782128A (zh) * | 2017-01-24 | 2017-05-31 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 微发光二极管显示面板及其制造方法 |
CN107134536B (zh) | 2017-05-10 | 2019-03-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光二极管及其制造方法、显示面板、显示装置 |
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-
2019
- 2019-07-04 US US16/503,497 patent/US10707431B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20120258573A1 (en) * | 2008-12-15 | 2012-10-11 | Industrial Technology Research Institute | Fabrication method of substrate |
CN102496684A (zh) * | 2011-12-27 | 2012-06-13 | 昆山龙腾光电有限公司 | 柔性显示器 |
CN105895662A (zh) * | 2015-02-17 | 2016-08-24 | 三星显示有限公司 | 可伸展显示设备及其制造方法 |
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