TWI691833B - 在儲存資料值中的錯誤偵測 - Google Patents

Abstract

一種設備具有複數個儲存單元。一同位產生器經組態以依據儲存於該複數個儲存單元中之各自值來產生一同位值。該同位產生器經組態，使得該同位值之判定係獨立於對儲存於該複數個儲存單元中之該資料之一讀取存取。一偵測器經組態以偵測該同位值之值之一改變。

Description

在儲存資料值中的錯誤偵測

本發明係關於一種資料處理系統。更特定言之，本發明係關於一種經組態以儲存資料值且具有被提供來偵測一儲存資料值之改變之電路之資料儲存設備。

已知儲存在一資料儲存設備中之一資料值可易於例如被導致儲存資料值之一位元翻轉之一粒子碰撞毀損。有鑑於此，先前技術資料儲存設備已被提供用於判定從自一資料儲存設備讀出之一資料值被原始儲存開始，該資料值是否已依任意方式改變的機構。一種此機構係同位校驗電路之提供。同位校驗電路經組態，使得當一資料值儲存在資料儲存設備中時，基於該資料值產生一同位值(例如，藉由將資料值傳遞至一XOR樹以產生一單個所產生的同位位元)，該同位值隨後相關聯於資料儲存設備中之資料值儲存。當隨後讀出所儲存資料值時，資料值之個別位元可再次被傳遞至將產生之一比較同位位元之一相同XOR樹，且比較同位位元隨後可與在該資料值被原始儲存時相關聯於該資料值儲存之同位位元比較。若兩個同位位元值不同，則已知一位元翻轉已在儲存資料值內發生，且隨後可執行一合適回應以諸如拋棄所儲存資料值或尋求校正所儲存資料值。

經組態以依此方式表現之一例示性資料儲存設備10示意繪示在圖1中。原始接收一多位元資料值且此資料值之位元儲存在各自位元 單元11至14中(注意為簡明起見，僅繪示四個位元單元，但通常可提供更多)，同時多位元資料值也被傳遞至XOR樹15，該XOR樹15產生一單位元同位值P，該單位元同位值P儲存在與所儲存資料值相關聯之位置16處。當執行一讀取存取，資料值之個別位元亦被傳遞至XOR樹17(其相同於XOR樹15組態)，且藉由比較電路18將所產生的同位位元值與從同位位元儲存器16讀取之同位位元P比較。若此兩個值不同，則錯誤旗標生效。

從一第一態樣看，本發明提供設備，其包括：複數個儲存單元，其等經組態以接收資料，其中該複數個儲存單元經組態以回應於一讀取存取輸出資料；及與該複數個儲存單元相關聯之一同位產生器，其中該同位產生器經組態以：在複數個輸入處接收來自該複數個儲存單元之各者之一各自值；從該複數個輸入判定一同位值，其中該同位值之判定獨立於對儲存在該複數個儲存單元中之資料之讀取存取；及輸出該同位值，該設備進一步包括：一偵測器，其經組態以偵測該同位值之一改變。

本技術認識到在每當對所儲存資料值進行讀取存取時，產生同位位元與原始產生的同位位元比較中所消耗的能量可能係不利的。特定言之，認識到與寫入存取相比，讀取存取依有關資料值之明顯更大頻率執行，且相應地，可導致與原始同位位元之產生相關聯之能量消耗與與針對每個讀取存取產生同位位元相關聯之能量消耗之間的明顯不對稱。相應地，本技術提出一種配置，其中提供一同位產生器，其經配置以從其從複數個儲存單元接收之複數個輸入產生一同位值，其中同位值的產生獨立於對儲存在該複數個儲存單元中之資料的讀取存取。因此提供一種具有較低能耗的設備，此係因為每當執行一讀取存取時，不重新計算一同位值。

同位產生器經組態以獨立於讀取存取，且因此不發生同位產生器中的切換，除非儲存在資料儲存單元之一者中之一資料位元之一值改變。相應地，同位判定可為並行的，即在所儲存資料位元之一者中發生一錯誤時立即生效。此係有利的，因為不僅可在其發生時立即標記一錯誤，而且此亦協助阻止錯誤的積累。此在尋求藉由使用基於所儲存資料值產生之一同位值而對抗資料錯誤之一資料儲存設備中係重要的，此係因為若兩個位元在所儲存資料值內改變(或實際上任意進一步偶數個位元改變)，則改變將不會被此同位方法偵測到，此係因為同位值將再次與原始同位值相同。在所儲存資料值內之資料位元之一者改變時立即改變之一同位位元之產生因此幫助阻止無聲資料毀損，其中偶數個多資料翻轉不引人注意地進行。

經組態以偵測該同位值之一改變之偵測器可採用多種形式，且可為一轉態偵測器及一主動比較器之一者。換言之，偵測器可採用一裝置之形式，該裝置經組態以偵測同位值本身之一轉態，或亦可採用一裝置之形式，該裝置經組態以比較同位值與另一值以判定同位值是否經歷改變。

在一些實施例中，設備進一步包括一第二同位產生器，該第二同位產生器經組態以在該資料被該複數個儲存單元接收時，產生與該資料相關聯之一第二同位值。

第二同位值可依多種方式用在設備中，但在一些實施例中，當該資料被該複數個儲存單元接收時，該第二同位值儲存在與該複數個儲存單元相關聯之一又一儲存單元中；及該第二同位值藉由該偵測器從該又一儲存單元讀取以與該同位值比較以偵測該同位值之該改變。因此，第二同位值可表示當資料被原始接收時，與儲存在儲存單元中之資料相關聯之同位值具有的值之一“快照”，且因此即使在未對所儲存資料進行一讀取存取的情況下，偵測器仍能夠持續監測是否存在與 此原始快照之任意偏差。

設備中之同位值的產生的相對時序可依據特定實施方案要求而變化，但在一些實施例中，同位產生器經組態以在該第二同位產生器已產生該第二同位值後，產生該同位值。配置同位產生器經組態以在該第二同位產生器已產生該第二同位值後產生該同位值可提供首先捕獲所儲存資料之「真實」同位之原始快照(即，對應於其在被設備接收時所具有的同位值)作為第二同位值，且隨後與該原始「真實」值進行任意比較。

在一些實施例中，資料儲存設備進一步包括一寫入啟用信號線，該寫入啟用信號線經組態以攜載一寫入啟用信號，其中寫入啟用信號在該資料正被寫入至複數個儲存單元時生效，寫入啟用信號線耦合至偵測器，且偵測器在寫入啟用信號生效時停用。資料正被寫入至複數個儲存單元之時間週期被認知為當同位產生電路因為其所產生的同位位元對正被寫入之資料之個別資料位元的值的依據性而將簡短地處於不確定狀態中之一時間週期。因此，當該等資料位元被寫入時，各個別資料位元之寫入之相對時序可導致同位位元的值簡短地波動。藉由在寫入啟用信號生效時的週期期間停用偵測器，此使此簡短不確定週期能被正確地忽略。因此，同位值之值的改變的偵測隨後僅在當應偵測到在所儲存資料值中發生的真實錯誤時的剩餘時間週期期間有效。

在一些實施例中，資料儲存設備係一多埠暫存器檔，該多埠暫存器檔包括複數個讀取埠，複數個儲存單元可經由該複數個讀取埠被讀取。本技術認識到多埠暫存器檔代表本技術之優點對其而言部分顯著之一設備，此係歸因於複數個讀取埠之提供因此意味著與各讀取存取相關聯之一同位值的產生可潛在地依高頻率發生，且如由本技術提供，避免與各讀取存取相關聯之此同位產生係特別有利的。多埠暫存 器檔因通常需相關聯於一多埠暫存器檔之佈局提供之許多互連件而亦可對本技術之實施方案而言為特別有利的情況。因此，雖然本技術可能需要提供比習知同位產生方案多的閘極(通常XOR閘)，例如增加與儲存一資料值之各位元之各正反器相關聯之一XOR閘，但是此較大閘數不一定意味著用於提供暫存器檔之較大面積。此係歸因於此一多埠暫存器檔之佈局面積通常係由其互連件主導之事實。例如，一當代多埠暫存器檔可具有9個寫入埠及14個讀取埠，意味著各正反器需要23條平行(水平)字線。已在此等多埠暫存器檔之實施方案中發現，此等可通常被佈局中的大「空白空間」「線主導」。由於同位產生電路的提供可添加少至一個額外水平信號，故可在實施本技術之佈局中隱藏適度的額外閘成本，而不顯著影響多埠暫存器檔所需之面積。

同位產生器可依多種方式提供。在一些實施例中，同位產生器包括相關聯於複數個儲存單元提供之邏輯電路之一線性串連，其中各邏輯電路具有各自儲存單元之各自資料位元作為其輸入之一。邏輯電路之一線性串連(例如，XOR閘之一串集合，其中相關聯於各資料儲存單元提供一個XOR閘)(其中資料位元儲存在提供XOR閘之一輸入之每一各自儲存單元，且另一者係由前一XOR閘之輸出提供)有利地表示僅對儲存單元本身之適度增加。實際上，所需額外邏輯電路(例如，一XOR閘)可被摺疊在儲存單元(例如，一正反器)內，尤其在使用佈局中之一雙高度單元的情況下。

但是，在其他實施例中，同位產生器包括邏輯電路之一階層樹，其中處於階層樹之最低層級之邏輯電路各具有各自儲存單元對之各自資料位元作為其輸入，且其中處於階層樹之最高層級之邏輯電路產生同位值作為其輸出。邏輯電路之此一階層樹具有同位計算延遲被減小的優點，但是此隨後以佈局中之一些額外水平線之潛在成本為代價。但是，如上所述，此等額外水平線可實際上對實施方案(諸如一 多埠暫存器檔)中之佈局面積影響較小，其中佈局中之現有空白空間可吸收此等線。同位產生邏輯電路中閘(例如，XOR閘)的數目通常相同。

在具有邏輯電路之一階層樹之一些實施例中，資料儲存設備進一步包括一掃描單元，該掃描單元經組態以在階層樹之最高層級處接收同位值輸出，且回應於一掃描輸出信號在掃描單元之一掃描輸出處輸出同位值。此掃描單元因此使複數個儲存單元之內容能經由一掃描鏈中的單個點被觀測。例如，一測試模式可經由常規(平行)資料路徑被寫入至儲存單元中，且所產生的同位值可被掃描輸出作為一單個資料位元，而非對應於儲存單元之完整內容之資料位元之一序列。

雖然情況可能為同位產生器簡單地產生取決於資料字之所有資料位元之一個同位值，但是在一些實施例中，同位產生器經組態以依據儲存在複數個儲存單元中之不足所有資料產生一次同位位元。歸因於較少資料位元用於產生此一次同位位元的事實，此亦減小同位計算延遲。

資料字之一次同位位元之產生的特定實施方案可採用若干形式。例如，在一實施例中，同位產生器經組態以產生經儲存於複數個儲存單元中之資料的複數個次同位位元。相應地，取代產生所儲存資料之整體之一同位位元，資料可被細分為(例如)兩個部分，且可針對該等部分之各者來產生一次同位位元。此允許當此等次同位位元之一者之改變被偵測器偵測到時已發生一錯誤之情況之一更精細粒度的判定，且通常比針對資料之整體之一同位位元的判定快，尤其是在同位產生器被提供作為一線性串連的實施例中。

但是，情況可能為產生一次同位位元，此係因為資料字之一部分可被忽略，例如因為僅需針對錯誤的發生而監測資料的另一部分。相應地，在一些實施例中，同位產生器經組態，使得儲存於複數個儲 存單元中之資料字之資料位元中的至少一者不影響次同位位元的值。

在一些實施例中，資料儲存設備經組態以儲存複數個資料字，同位產生器經組態以產生資料字之各者之一各自同位位元，且設備進一步包括組合邏輯電路，該組合邏輯電路經組態以在各自同位位元之任意者改變值的情況下產生一錯誤旗標。因此產生的錯誤旗標可允許採取合適的校正行動，認識到在儲存於設備中之複數個資料字之一者中已發生一錯誤。此外，本技術認識到存在其中於複數個資料字間，認識到錯誤已發生比能夠識別該資料錯誤發生的特定位置(即，此處，含錯誤之複數個資料字間的特定資料字)更重要的情況。例如，在暫存器檔的背景中，可判定(例如，歸因於由暫存器檔儲存之複數個資料字內儲存之資料字之一者內之此等錯誤的相對低頻率)暫存器檔的完整內容宜簡單地被替換或更新，而非尋求針對特定資料字(或甚至一特定資料字元)採取目標性校正行動。

在一些實施例中，設備經組態以儲存複數個資料字，同位產生器經組態以產生複數個資料字之各者之一各自同位位元，且設備進一步包括一錯誤暫存器，該錯誤暫存器經組態以保存一非錯誤值或一錯誤值，其中錯誤暫存器經組態以在一或多個各自同位位元改變值的情況下切換至保存錯誤值。此組態提供一「黏性(sticky)暫存器」，其在正常情況下保存一非錯誤值，但當各自同位位元之任意者改變值時，經組態以切換至保存一錯誤值，且將繼續保存錯誤值，即使其他同位位元改變值。因此可監測錯誤暫存器(例如，經由一輪詢機構)以判定儲存於設備中之複數個資料字之任意者中是否已發生一錯誤，及如在上述實例中，可採取校正行動，諸如以簡單替換或更新複數個資料字的全部，而不尋求進一步識別哪個特定資料字或哪些資料字導致錯誤。

從一第二態樣看，本發明提供一種方法，其包括：將資料儲存 在複數個儲存單元中；回應於一讀取存取從該複數個儲存單元輸出該資料；在與該複數個儲存單元相關聯之一同位產生器之複數個輸入之各自一者處，從該複數個儲存單元之一各自一者接收一值；從該複數個輸入判定一同位值，其中該判定該同位值係獨立於對儲存於該複數個儲存單元中之該資料之該讀取存取；輸出該第一同位值；及偵測該同位輸出及一主動比較器之一改變。

從一第三態樣看，本發明提供設備，其包括：用於將資料儲存在複數個儲存單元中之構件；用於回應於一讀取存取從該複數個儲存單元輸出該資料之構件；用於在用於產生與該複數個儲存單元相關聯之一同位值之構件之複數個輸入之各自一者處從該複數個儲存單元之各自一者接收一值之構件，其中用於產生與該複數個儲存單元相關聯之同位值之該構件經組態以獨立於對儲存在該複數個儲存單元中之該資料之該讀取存取而產生同位值；用於輸出該第一同位值之構件；及用於偵測該同位輸出之一改變之構件。

從一第四態樣看，本發明提供一種資料儲存設備，其包括：複數個資料儲存單元，每一各自資料儲存單元經組態以儲存一資料字之一各自資料位元；所儲存資料值同位產生電路，其經組態以依據儲存在複數個資料儲存單元中之資料字之資料位元產生資料字之一同位位元，其中所儲存資料值同位產生電路經組態，使得當資料字從複數個資料儲存單元讀出時，不發生所儲存資料值同位產生電路內之切換；及轉變偵測電路，其經組態以偵測同位位元值之一改變。

所儲存資料值同位產生電路可經組態，使得不發生所儲存資料值同位產生電路內的切換，除非儲存在資料儲存單元之一者中之一資料位元之一值改變。

資料儲存設備可進一步包括寫入同位位元電路，該寫入同位位元電路經組態以在一新資料字被寫入至複數個資料儲存單元時產生一 寫入同位位元，且儲存該寫入同位位元，且轉態偵測電路經組態以藉由資料字之同位位元與所儲存寫入同位位元之一比較而偵測值的改變。

轉態偵測電路可經組態，使得不發生轉態偵測電路內之切換，除非資料字之同位位元改變。

資料儲存設備可進一步包括一寫入啟用信號線，該寫入啟用信號線經組態以攜載一寫入啟用信號，其中寫入啟用信號在資料字正被寫入至複數個資料儲存單元時生效，其中寫入啟用信號線耦合至轉態偵測電路，且轉態偵測電路在寫入啟用信號生效時停用。

資料儲存設備可為一多埠暫存器檔，該多埠暫存器檔包括複數個讀取埠，該複數個資料儲存單元可經由該複數個讀取埠被讀取。

所儲存資料值同位產生電路可包括相關聯於複數個資料儲存單元提供之邏輯電路之一線性串連，其中各邏輯電路具有各自資料儲存單元之各自資料位元作為其輸入之一者。

所儲存資料值同位產生電路可包括邏輯電路之一階層樹，其中處於階層樹之一最低層級之邏輯電路各具有各自資料儲存單元對之各自資料位元作為其輸入，且其中處於階層樹之一最高層級之邏輯電路產生資料字之同位位元作為其輸出。

資料儲存設備可進一步包括一掃描單元，該掃描單元經組態以在階層樹之最高層級處接收資料字輸出之同位位元，且回應於一掃描輸出信號在掃描單元之一掃描輸出處輸出同位位元。

所儲存資料值同位產生電路可經組態以依據儲存在複數個資料儲存單元中之資料字之不足所有資料位元產生資料字之一次同位位元。

所儲存資料值同位產生電路可經組態以產生資料字之複數個次同位位元。

所儲存資料值同位產生電路可經組態，使得儲存在複數個資料儲存單元中之資料字之資料位元之至少一者不影響次同位位元之值。

資料儲存設備可經組態以儲存複數個資料字，且所儲存資料值同位產生電路可經組態以產生資料字之各者之一各自同位位元，且資料儲存設備可進一步包括組合邏輯電路，該組合邏輯電路經組態以在各自同位位元之任意者改變值的情況下，產生一錯誤旗標。

資料儲存設備可經組態以儲存複數個資料字，且所儲存資料值同位產生電路可經組態以產生資料字之各者之一各自同位位元，且資料儲存設備可進一步包括一錯誤暫存器，該錯誤暫存器經組態以保存一非錯誤值或一錯誤值，其中錯誤暫存器經組態以在各自同位位元之一者或多者改變值的情況下，切換至保存錯誤值。

從一第五態樣看，本發明提供一種儲存資料之方法，其包括下列步驟：將一資料字之各自資料位元儲存在複數個資料儲存單元中；依據儲存在複數個資料儲存單元中之資料字之資料位元經由複數個中間級產生資料字之一同位位元，其中當資料字從複數個資料儲存單元讀出時，不發生複數個中間級處之切換；及偵測同位位元之值之一改變。

從一第六態樣看，本發明提供一種資料儲存設備，其包括：用於將一資料字之各自資料位元儲存在複數個資料儲存單元中之構件；用於依據儲存在複數個資料儲存單元中之資料字之資料位元經由複數個中間級產生資料字之一同位位元之構件，其中當資料字從複數個資料儲存單元讀出時，不發生複數個中間級處之切換；及用於偵測同位位元之值之一改變之構件。

10‧‧‧資料儲存設備

11‧‧‧位元單元

12‧‧‧位元單元

13‧‧‧位元單元

14‧‧‧位元單元

15‧‧‧XOR樹

16‧‧‧位置

17‧‧‧XOR樹

18‧‧‧比較電路

20‧‧‧資料儲存設備

21‧‧‧資料儲存單元

22‧‧‧資料儲存單元

23‧‧‧資料儲存單元

24‧‧‧資料儲存單元

25‧‧‧XOR樹

26‧‧‧同位位元儲存位置

27‧‧‧並行同位產生電路

28‧‧‧同位邏輯單元/XOR閘

29‧‧‧同位邏輯單元/XOR閘

30‧‧‧同位邏輯單元/XOR閘

31‧‧‧主動比較電路

40‧‧‧資料儲存設備

41‧‧‧資料儲存單元

42‧‧‧資料儲存單元

43‧‧‧資料儲存單元

44‧‧‧資料儲存單元

45‧‧‧同位邏輯單元

46‧‧‧同位邏輯單元

47‧‧‧同位邏輯單元

48‧‧‧轉態偵測器

60‧‧‧XOR閘

61‧‧‧資料儲存單元

62‧‧‧XOR閘

63‧‧‧掃描正反器

64‧‧‧資料字

70‧‧‧暫存器檔

71‧‧‧資料字

72‧‧‧同位邏輯

73‧‧‧組合邏輯

74‧‧‧「黏性」錯誤暫存器

100‧‧‧步驟

101‧‧‧步驟

102‧‧‧步驟

103‧‧‧步驟

104‧‧‧步驟

105‧‧‧步驟

106‧‧‧步驟

107‧‧‧步驟

本發明將僅舉例而言參考如附圖中所示之其實施例描述，其中： 圖1示意繪示使用同位位元產生以依據先前技術判定在所儲存資料值被寫入時與其被讀出時之間在一所儲存資料值中是否已發生一錯誤；圖2示意繪示一資料儲存設備，其經組態以在一實施例中實現一所儲存資料值中之一錯誤之偵測；圖3示意繪示一資料儲存設備，其經組態以在另一實施例中實現一所儲存資料值中之一錯誤之偵測；圖4A及圖4B示意繪示相關聯於一資料儲存單元提供之同位產生電路之兩個實施例；圖5A示意繪示在一實施例中將同位產生電路提供為XOR閘之一線性串連；圖5B示意繪示在一實施例中提供同位產生電路作為一XOR樹；圖6示意繪示在一實施例中提供同位產生電路作為一XOR樹，其中一掃描正反器耦合至XOR樹之輸出；圖7示意繪示在一實施例中一或多個次同位位元之產生；圖8示意繪示在一實施例中之一多埠暫存器檔；及圖9示意繪示在一實施例之方法中採取之一系列步驟。

圖2示意繪示在一實施例中之一資料儲存設備20。此資料儲存設備20係一暫存器檔，其緊密相關聯於一處理器單元提供以儲存處理器單元使用的特定資料值。此等資料值儲存為資料儲存設備中之資料字，其中在一寫入操作中，一資料字被寫入至資料儲存設備之儲存容量，此儲存容量由若干資料儲存單元21至24提供，該等在本實施例中由一組正反器提供，各正反器經組態以儲存資料字之一位元。將暸解(特定言之憑藉資料儲存單元23及24由一系列點分開之事實)，將儲存之資料字之字元數目可超過四個，但僅為闡釋的簡明起見，在圖2中 僅展示四個資料儲存單元。此外，資料儲存設備20經組態以儲存若干資料字，但為闡釋的簡明起見，僅展示有關一資料字之儲存容量。

作為寫入程序之部分，資料字亦被傳遞至XOR樹25，該XOR樹25經組態以依據資料字之資料位元之各自值產生一單同位位元P。此同位位元P儲存在相關聯於儲存資料字本身之資料儲存單元21至24提供之一同位位元儲存位置26中。並行同位產生電路27亦相關聯於保存所儲存資料字之資料儲存單元21至14提供。特定言之，此並行同位產生電路27包括同位邏輯單元28至30，該等同位邏輯單元28至30僅相關聯於保存資料字之資料儲存單元之第一資料儲存單元21提供。各同位邏輯單元28至30經組態以取得從資料儲存單元組之前一級導出之一輸入，且將該輸入與由其相關聯之資料儲存單元所保存之值邏輯組合。在圖2中所示之實施例中，同位邏輯單元28至30各係XOR閘，且因此XOR閘28取得儲存在資料儲存單元21及22中之值作為其輸入，同時XOR閘29取得XOR 28之輸出作為一輸入及取得儲存在資料儲存單元23中之值作為其輸入，且XOR閘30取得來自前一XOR閘(未繪示)之輸入及儲存在資料儲存單元24中之值作為其輸入。以此方式，產生一同位位元，其依據資料儲存單元21至24之各自內容。應注意，特定言之，XOR閘28至30因此經配置以獨立於對資料儲存單元21至24之任意讀取存取，即時計算同位位元。雖然在資料字正被寫入至資料儲存單元21至24的同時，由XOR閘28至30產生之同位位元將稍微不確定，但是一旦資料字已被寫入，此並行同位產生邏輯就不會切換直至資料儲存單元之一者中存在一位元翻轉(或直至一新的資料字被寫入至資料儲存單元)。最後一個XOR閘30之輸出提供一輸入至主動比較電路31，該主動比較電路31取得儲存在同位位元儲存器26中之值P作為其另一輸入。主動比較電路31係「主動的」，即其僅在其輸入之一者改變時切換，例如，由多種XOR閘提供。

圖3示意繪示另一實施例中之一資料儲存設備40。與圖2中所示之實施例相同，此資料儲存設備40係一暫存器檔，其亦緊密相關聯於一處理單元提供用於儲存處理器單元所使用之特定資料值。亦與圖2中所示之實施例相同，資料儲存設備40經組態以儲存若干資料字，但為說明的簡潔起見，僅展示有關一資料字之儲存容量。

此處，如在圖2中所示之實施例之情況中，在一寫入存取期間，一多位元資料字被寫入至一組資料儲存單元41至44中，該組資料儲存單元41至44之各者保存資料字之一單位元。但是此處，與圖2中所示之實施例不同，無同位位元被計算並儲存作為寫入操作的部分。但是，由圖3中之同位邏輯單元45至47表示之並行同位產生鏈直接對應於由圖2中之同位邏輯單元28至30表示之並行同位鏈27。

在圖3中所示之實施例中，並行同位鏈之最後組件47的輸出係由轉態偵測器48接收，該轉態偵測器48經組態以偵測此值之任意改變，且在偵測到此改變時輸出一錯誤偵測信號。圖3中之該組資料儲存單元41至44對應於資料儲存設備中之一特定列(列0)，資料儲存設備包括此等資料儲存單元之許多其他列(未繪示)，該資料儲存設備可將資料字儲存至該等列中。寫入至資料儲存設備的特定列在該列之相應「寫入啟用」信號生效時係可能的(且本領域一般技術者熟悉此等寫入啟用信號的使用，且為簡潔起見此處不給出進一步細節)。如圖3中所示，轉態偵測器48亦經耦合至寫入啟用信號線，此信號經反相耦合至轉態偵測器48之啟用輸入。此組態確保轉態偵測在寫入程序期間停用，但當列未正被寫入時，轉態偵測器被啟動。相應地，列中歸因於一錯誤之任意狀態改變隨後可被轉態偵測器48捕獲。藉由與圖2中所示之實施例比較，圖3中之此實施例在所需的佈局面積方面具有優點，此係因為省略一額外XOR樹及同位儲存單元(分別係圖2中之項目25及26)。但是，圖3中所示之實施例之一特徵在於列在寫入循環期間 更易受影響，此係因為一參考同位位元(諸如圖2中之同位位元儲存單元26中所儲存之參考同位位元)並非此圖3實施例之部分，且存在於寫入程序期間發生之毀損未被識別的一些可能性。但是，假設在許多情況中，寫入程序將相對不頻繁，而後續讀取程序將相對頻繁得多，則此風險可被判定為處於可接受的低水平。類似於圖2中所示之主動比較電路31，轉態偵測器48經組態以僅在其(來自同位邏輯單元47的)輸入的值改變時切換。

圖4A及圖4B示意繪示一個別資料儲存單元連同相關聯之同位產生邏輯的兩個例示性實施例，諸如(例如)圖2中之資料儲存單元23及相關聯之同位產生邏輯29，或諸如圖3中之資料儲存單元43及其相關聯之同位產生邏輯46。圖4A示意繪示實施為一正反器之一資料儲存單元。在此正反器被提供為實施在RTL(暫存器-轉移層級)中之一暫存器檔內之一資料儲存單元時，暫存器檔可係(例如)藉由一合成工具使用正反器來合成，且並行同位偵測邏輯亦可實施於RTL中。替代地，同位偵測邏輯(在本實例中XOR閘)可被提供於正反器本身內，且暫存器檔可藉由放置及繞線(place-and-route)技術來實施。在使用一雙高度正反器單元的情況下，於正反器內提供XOR邏輯係特別可能的。圖4B示意繪示其中資料儲存單元被提供於基於定製位元單元之暫存器檔設計內。

圖5A及圖5B示意繪示用於提供並行同位偵測邏輯之兩個替代實施方案。在圖5A中，個別同位偵測單元(XOR閘60)被提供為一線性串連或鏈。相較之下，圖5B示意繪示經配置為一階層樹之並行同位產生邏輯，其中XOR閘62被配置在一樹結構中，其中個別資料儲存單元61之對係在樹之最低層級處比較，且在一反覆程序中經組合在一起以針對儲存於資料儲存單元61中的資料字產生最後同位位移。圖5B中所示之樹結構的優點在於相對於圖5A中所示之線性串連之減小的同 位計算延遲，但是此係以額外水平線為代價。

圖6示意繪示有關圖5B中所示之一實施例，即，並行同位產生邏輯配置為一階層樹之情況，其中XOR樹(閘)62之輸出亦被提供至一掃描正反器63。掃描正反器63經組態以回應於一掃描輸出信號(即，此處其掃描時脈輸入)在其輸出處提供XOR樹(即，同位位元)之輸出。此使一自動測試模式產生(ATPG)資料字能被(並列)寫入至個別資料儲存單元61(在所繪示之實例中，此等在一暫存器檔中提供一8位元資料字儲存位置)及使XOR樹62能提供對暫存器檔中之正反器61之各者之可觀測性。一觀測測試點(掃描正反器63)添加至XOR樹62之末端無需透過一掃描鏈掃描暫存器檔正反器61。標準ATPG可用於測試暫存器正反器61，例如並行於暫存器檔應用一第一模式，之後並行於暫存器檔應用一第二模式。可在掃描正反器63之掃描輸出處觀測後續模式之間之翻轉位元的正確回應以測試暫存器檔。因此，與提供一串掃描正反器(每個與各個別資料儲存單元61相關聯)之常規方法相比較，暫存器檔之可測試性僅針對面積之適度增大而改進，且實際上以掃描正反器的數目之顯著減小為代價而改進。

圖7示意繪示一資料字64，可針對該資料字64在不足所有資料字上執行一同位計算。此藉由次同位位元A展示在圖7中，該次同位位元A基於資料字64之四個最高有效位元產生，及藉由次同位位元B展示在圖7中，該次同位位元B基於資料字64之四個最低有效位元產生。在一些實施例中，可產生次同位位元A及B兩者，其賦予針對錯誤監測資料字64之全覆蓋，且此外具有有關針對整個資料字64產生之單同位位元減小的同位計算延遲，此係因為較少位元被組合以產生各次同位位元。此當然以與單同位位元相比計算兩個次同位位元所需之額外邏輯為代價。取而代之，情況可能為僅產生圖7中所示之兩個次同位位元之一者，例如僅次同位位元A。此在僅資料字64之一部分需 要針對錯誤發生的監測，而其餘部分較不重要且在此部分中發生的錯誤可被忽略的情況中可能係有利的。

圖8示意繪示一暫存器檔70，其經組態以儲存若干資料字71，例如在圖8中所示之實施例中，此係128字暫存器檔，其中各所儲存資料字71係8位元字。暫存器檔70係一多埠暫存器檔，其具有9個寫入埠及14個讀取埠。提供大量讀取埠使與被提供用於各資料字71之儲存之儲存單元相關聯之同位邏輯72根據本技術組態，使得每當所儲存資料字被讀出時不產生給定所儲存資料字之一同位位元係特別有利的。圖8中之並行同位產生電路72僅被示意展示，且可更詳細地根據圖2或圖3中所示之實施例提供。

各自並行同位邏輯單元72之輸出被提供至組合邏輯73，該組合邏輯73經組態以將此等輸入之所有組合為一單個輸出(「錯誤旗標」)，使得若藉由任意同位邏輯單元72針對任意所儲存資料字71偵測到一錯誤，則錯誤旗標可生效。此因此使得能產生一錯誤之一接近瞬時通知及使得能快速採取適當校正行動。組合邏輯73可例如由OR閘樹提供以將輸出組合為一單個輸出。注意，至組合邏輯73之單個輸出亦被提供至「黏性」錯誤暫存器74。此黏性錯誤暫存器經組態以保存指示「無錯誤」狀態之一值，直至各自同位邏輯單元72之輸出之至少一者改變，此導致「黏性」錯誤暫存器74改變為保存指示一「錯誤」狀態之一值，該值將繼續被保存，直至此暫存器被重設，而不管其所接收之輸入值的進一步改變。注意，替代地，各同位邏輯單元72之輸出可被直接提供至「黏性」錯誤暫存器74，此係因為由任意同位邏輯單元72產生之同位位元的改變可用於導致「黏性」錯誤暫存器74保存其「錯誤」狀態值。因此可例如藉由一輪詢程序監測此黏性錯誤暫存器74以識別一錯誤何時已發生。在圖8中所示之實施例中，系統經組態以藉由導致暫存器檔70之完整內容在此一錯誤發生時刷新而對 錯誤旗標(或保存在暫存器74中之錯誤狀態)作出反應。相應地，應注意，在本實施例中，判定簡單重寫各自所儲存資料字71之內容，而非尋求識別何處發生一特定錯誤及針對該特定儲存位置採取校正行動係更高效的。

圖9示意繪示在一實施例之方法中採取之步驟序列。在第一步驟100中，執行一寫入程序以將一資料字寫入至其所選擇的儲存位置中(例如，藉由識別此資料字應被寫入之一暫存器檔內之一特定列，使該列之啟用信號生效及等等)。作為寫入程序之部分，在步驟101處，一同位位元經由一XOR樹產生且相關聯於資料字儲存。隨後設置一狀態，如步驟102所示，其中耦合至此儲存位置(並行同位產生電路)之XOR串連及主動比較電路僅在一位元翻轉在所儲存資料字內發生的情況下切換。當在資料字中未發生此一位元翻轉(來自流程步驟103之「否」路徑)時，在步驟104處判定此資料字是否將被讀取。若如此，則流程經由步驟105繼續進行，其中資料從其儲存位置讀出(及注意特定言之，此對XOR串連或主動比較電路無影響)。流程隨後繼續進行回到步驟102。替代地，當讀取未執行(來自步驟104之「否」路徑)時，流程繼續進行直接回到步驟102。但是，當在資料字中確實發生一位元翻轉(來自步驟103之「是」路徑)時，此位元翻轉導致同位改變以漣波形式穿過XOR串連(步驟106)及在步驟107處，此導致主動比較電路切換且所偵測之同位改變被標記。

雖然本文中已描述本發明之特定實施例，但是將暸解，本發明不限於此，且可在本發明之範疇內作出許多修改及添加。例如，可結合獨立請求項之特徵製作下列相關請求項之特徵之各種組合，而不脫離本發明之範疇。

20‧‧‧資料儲存設備

21‧‧‧資料儲存單元

22‧‧‧資料儲存單元

23‧‧‧資料儲存單元

24‧‧‧資料儲存單元

25‧‧‧XOR樹

26‧‧‧同位位元儲存位置

27‧‧‧並行同位產生電路

28‧‧‧同位邏輯單元/XOR閘

29‧‧‧同位邏輯單元/XOR閘

30‧‧‧同位邏輯單元/XOR閘

31‧‧‧主動比較電路

Claims (17)

1. 一種用於資料處理之設備，該設備包括：複數個儲存單元，其等經組態以接收資料，該複數個儲存單元包含一第一儲存單元及一或多個其他儲存單元，其中該複數個儲存單元經組態以回應於一讀取存取而輸出該資料；及複數個同位邏輯單元，其等與該一或多個其他儲存單元之各者相關聯，其中該複數個同位邏輯單元之各者經組態以：在一第一輸入處接收來自該一或多個其他儲存單元之一相應儲存單元之一各自值；在一第二輸入處接收來自該第一儲存單元或該一或多個其他儲存單元之一先前儲存單元之一各自值；從該第一及第二輸入判定一同位值；及輸出該同位值，該設備進一步包括：一偵測器，其經組態以自該一或多個其他儲存單元接收該同位值及偵測該同位值之一改變。
2. 如請求項1之設備，其中該偵測器係一轉態偵測器及一主動比較器中之一者。
3. 如請求項1之設備，進一步包括一同位產生器，該同位產生器經組態以在該資料被該複數個儲存單元接收時，產生與該資料相關聯之另一同位值。
4. 如請求項3之設備，其中當該資料被該複數個儲存單元接收時，該另一同位值被儲存在與該複數個儲存單元相關聯之一又一儲存單元中；及該另一同位值係藉由該偵測器從該又一儲存單元被讀取，用 於與該同位值比較以偵測該同位值之該改變。
5. 如請求項3之設備，其中該複數個同位邏輯單元經組態以在該同位產生器已產生該另一同位值後，產生該同位值。
6. 如請求項1之設備，進一步包括一寫入啟用信號線，該寫入啟用信號線經組態以攜載一寫入啟用信號，其中該寫入啟用信號在該資料正被寫入至該複數個儲存單元時生效，該寫入啟用信號線經耦合至該偵測器，且該偵測器在該寫入啟用信號生效時停用。
7. 如請求項1之設備，其中該設備係一多埠暫存器檔，該多埠暫存器檔包括複數個讀取埠，該複數個儲存單元係經由該複數個讀取埠被讀取。
8. 如請求項1之設備，其中該複數個同位邏輯單元包括相關聯於該複數個儲存單元而提供之邏輯電路之一線性串連，其中各邏輯電路具有該各自儲存單元之該各自資料位元作為其輸入中之一者。
9. 如請求項1之設備，其中該複數個同位邏輯單元包括邏輯電路之一階層樹，其中處於該階層樹之一最低層級之各邏輯電路具有該等各自儲存單元對之該等各自資料位元作為其輸入，及其中處於該階層樹之一最高層級之邏輯電路產生該同位值作為其輸出。
10. 如請求項9之設備，進一步包括一掃描單元，該掃描單元經組態以在該階層樹之該最高層級處接收該同位值輸出，且回應於一掃描輸出信號而在該掃描單元之一掃描輸出處輸出該同位值。
11. 如請求項1之設備，其中該複數個同位邏輯單元經組態以依據少於經儲存於該複數個儲存單元中之全部該資料來產生一次同位 位元。
12. 如請求項11之設備，其中該複數個同位邏輯單元經組態以產生經儲存於該複數個儲存單元中之該資料的複數個次同位位元。
13. 如請求項11之設備，其中該複數個同位邏輯單元經組態，使得經儲存於該複數個儲存單元中之至少一資料位元不影響該次同位位元之該值。
14. 如請求項1之設備，其中該設備經組態以儲存複數個資料字，且該複數個同位邏輯單元經組態以產生該等資料字之各者之一各自同位位元，及進一步包括組合邏輯電路，其經組態以在該等各自同位位元之任意者改變值的情況下，產生一錯誤旗標。
15. 如請求項1之設備，其中該設備經組態以儲存複數個資料字，且該複數個同位邏輯單元經組態以產生該等資料字之各者之一各自同位位元，及進一步包括一錯誤暫存器，其經組態以保存一非錯誤值或一錯誤值，其中該錯誤暫存器經組態以在該等各自同位位元之一者或多者改變值的情況下，切換至保存該錯誤值。
16. 一種用於資料處理之方法，該方法包括：將資料儲存在複數個儲存單元中，該複數個儲存單元具有一第一儲存單元及一或多個其他儲存單元；回應於一讀取存取，從該複數個儲存單元輸出該資料；利用複數個同位邏輯單元產生一同位值，其中該複數個同位邏輯單元之各者經組態用於：在一第一輸入處接收來自該一或多個其他儲存單元之一相應儲存單元之一各自值；在一第二輸入處接收來自該第一儲存單元或該一或多個其他 儲存單元之一先前儲存單元之一各自值；從該第一及第二輸入判定一同位值；輸出該同位值；及偵測該同位值之一改變。
17. 一種用於資料處理之設備，該設備包括：用於將資料儲存於複數個儲存單元中之構件，該複數個儲存單元具有一第一儲存單元及一或多個其他儲存單元；用於回應於一讀取存取而從該複數個儲存單元輸出該資料之構件；利用複數個同位邏輯單元產生一同位值之構件，其中該複數個同位邏輯單元之各者經組態為具有；用於在一第一輸入處接收來自該一或多個其他儲存單元之一相應儲存單元之一各自值之構件；用於在一第二輸入處接收來自該第一儲存單元或該一或多個其他儲存單元之一先前儲存單元之一各自值之構件；用於從該第一及第二輸入判定一同位值之構件；用於輸出該同位值之構件；及用於偵測該同位值之一改變之構件。

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