TWI691753B - 顯示裝置與偏光片的製作方法 - Google Patents

Abstract

一種顯示裝置，包含顯示面板以及偏光片。顯示面板具有顯示區。偏光片設置在顯示面板上，並包含金屬線以及導電層。金屬線至少沿第一方向排列且沿第二方向延伸，其中第一方向與第二方向相異。導電層至少位在顯示區內，並電性連接金屬線中的第一群組，以形成迴路圖案，且迴路圖案圍繞金屬線中的第二群組，其中金屬線的透光率小於導電層的透光率。

Description

顯示裝置與偏光片的製作方法

本揭露內容係關於一種顯示裝置與偏光片的製作方法。

隨著科技的發展，各種攜帶式電子裝置已陸續成為消費型市場的主流商品，像是智慧型手機、智慧型手錶、平板電腦或筆記型電腦。這些攜帶式電子裝置的機能性也隨市場趨勢而逐漸越來越豐富。舉例來說，可將近場無線通訊功能加入至智慧型手機之中，使得智慧型手機可透過近場無線通訊功能執行支付功能。對此，由於將近場無線通訊功能加入至攜帶式電子裝置之中會致使結構複雜度增加，故也會有影響到電子裝置原有功能的可能性。因此，如何將近場無線通訊功能加入至攜帶式電子裝置之中，已成為相關領域的發展議題之一。

本揭露內容之一實施方式提供一種顯示裝置，包含顯示面板以及偏光片。顯示面板具有顯示區。偏光片設置在顯示面板上，並包含金屬線以及導電層。金屬線至少沿第一方 向排列且沿第二方向延伸，其中第一方向與第二方向相異。導電層至少位在顯示區內，並電性連接金屬線中的第一群組，以形成迴路圖案，且迴路圖案圍繞金屬線中的第二群組，其中金屬線的透光率小於導電層的透光率。

於部分實施方式中，導電層中的第一區域與金屬線中的第一群組形成迴路圖案，而導電層中的第二區域連接金屬線中的第二群組，且導電層中的第一區域與第二區域係互相分隔。

於部分實施方式中，偏光片更包含隔離層，設置於金屬線中的第一群組與第二群組之間，且隔離層的厚度介於1.5微米至2.5微米。

於部分實施方式中，金屬線與導電層為共同設置在透光基板上，且金屬線位在透光基板與導電層之間。

於部分實施方式中，金屬線與導電層為共同設置在透光基板上，且導電層位在透光基板與金屬線之間。

於部分實施方式中，顯示面板包含顯示介質層、發光二極體陣列或其組合。

於部分實施方式中，顯示面板包含遮光層，且遮光層於偏光片的垂直投影係至少位在金屬線中的第一群組與第二群組之間。

於部分實施方式中，顯示面板包含第一透光基板，而偏光片更包含第二透光基板，且金屬線與導電層為共同設置在第二透光基板上，其中第一透光基板與第二透光基板實質上為互相平行的。

於部分實施方式中，金屬線各自的厚度介於200奈米至300奈米，金屬線各自的寬度介於40奈米至60奈米，且金屬線沿第一方向排列的間距為介於40奈米至60奈米。

本揭露內容之一實施方式提供一種偏光片的製作方法，包含以下步驟。於透光基板上形成金屬線。於透光基板上形成導電層，其中金屬線的透光率小於導電層的透光率。透過蝕刻製程移除導電層之第一部，且導電層於蝕刻製程的蝕刻速率異於金屬線於蝕刻製程的蝕刻速率，其中導電層之第二部於蝕刻製程後留存於透光基板上，並電性連接金屬線中的一部分，以與金屬線中的此一部分共同形成迴路圖案。

於部分實施方式中，形成導電層之步驟早於或晚於形成金屬線之步驟。

於部分實施方式中，形成金屬線之步驟包含以下步驟。於透光基板上形成金屬層。透過熱壓式奈米壓印製程移除部分的金屬層，且剩餘之金屬層係呈現條狀圖案。

透過上述配置，金屬線可做為金屬線柵並藉以提供偏振效果，而金屬線與導電層可共同透過迴路圖案提供無線通訊功能，使得偏光片可將偏振效果與無線通訊功能整合於一起。

100A、100B、100C‧‧‧偏光片

110‧‧‧第一透光基板

120、120A、120B、120C、120D、120E、120F、120G、120H、120I‧‧‧金屬線

120T、140T‧‧‧厚度

130‧‧‧導電層

140‧‧‧隔離層

142‧‧‧第一部

144‧‧‧第二部

200A、200B、200C‧‧‧顯示裝置

210、300‧‧‧顯示面板

212‧‧‧顯示區

220‧‧‧背光模組

230‧‧‧下偏光片

240‧‧‧陣列基板

242‧‧‧第二透光基板

244‧‧‧薄膜電晶體

246‧‧‧閘極絕緣層

248‧‧‧介電層

249‧‧‧畫素電極

250‧‧‧顯示介質層

252‧‧‧顯示介質

260‧‧‧彩色濾光層基板

262‧‧‧第三透光基板

264‧‧‧遮光層

265‧‧‧開口

266‧‧‧彩色濾光層

267‧‧‧色阻層

268‧‧‧共用電極

270、350‧‧‧膠體層

280‧‧‧第四透光基板

310‧‧‧下基板

320‧‧‧支撐物

330‧‧‧發光二極體陣列

332、334、336‧‧‧發光二極體

340‧‧‧蓋板

1B-1B’、1C-1C’、2B-2B’、2C-2C’、6B-6B’、6C-6C’、7B-7B’、7C-7C’、8B-8B’、8C-8C’、9B-9B’、9C-9C’‧‧‧線段

A1‧‧‧第一區域

A2‧‧‧第二區域

A3‧‧‧第三區域

A4‧‧‧第四區域

A5‧‧‧第五區域

A6‧‧‧第六區域

A7‧‧‧第七區域

D‧‧‧汲極電極

D1‧‧‧第一方向

D2‧‧‧第二方向

G‧‧‧閘極電極

G1‧‧‧第一群組

G2‧‧‧第二群組

G3‧‧‧第三群組

P‧‧‧間距

S‧‧‧源極電極

SC‧‧‧半導體層

T1、T2‧‧‧端點

TH‧‧‧接觸洞

W‧‧‧寬度

第1A圖為依據本揭露內容的第一實施方式繪示偏光片的上視示意圖。

第1B圖及第1C圖分別繪示沿著第1A圖的線段1B-1B’及線段1C-1C’的剖面示意圖。

第2A圖繪示第1A圖的偏光片於製作階段的上視示意圖。

第2B圖及第2C圖分別繪示沿著第2A圖的線段2B-2B’及線段2C-2C’的剖面示意圖。

第3圖為依據本揭露內容的部分實施方式繪示顯示裝置的剖面示意圖。

第4圖為依據本揭露內容的部分實施方式繪示顯示裝置的剖面示意圖。

第5圖為依據本揭露內容的部分實施方式繪示顯示裝置的剖面示意圖。

第6A圖為依據本揭露內容的第二實施方式繪示偏光片的上視示意圖。

第6B圖及第6C圖分別繪示沿著第6A圖的線段6B-6B’及線段6C-6C’的剖面示意圖。

第7A圖繪示第6A圖的偏光片於製作階段的上視示意圖。

第7B圖及第7C圖分別繪示沿著第7A圖的線段7B-7B’及線段7C-7C’的剖面示意圖。

第8A圖為依據本揭露內容的第三實施方式繪示偏光片的上視示意圖。

第8B圖及第8C圖分別繪示沿著第8A圖的線段8B-8B’及線段8C-8C’的剖面示意圖。

第9A圖繪示第8A圖的偏光片於製作階段的上視示意圖。

第9B圖及第9C圖分別繪示沿著第9A圖的線段9B-9B’及 線段9C-9C’的剖面示意圖。

以下將以圖式揭露本揭露內容之複數個實施方式，為明確說明起見，許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。然而，應瞭解到，這些實務上的細節不應用以限制本揭露內容。也就是說，在本揭露內容的部分實施方式中，這些實務上的細節為非必要的。此外，為簡化圖式起見，一些習知慣用的結構與元件在圖式中將以簡單示意的方式繪示之。

在本文中，使用第一、第二與第三等等之詞彙，是用於描述各種元件、區域、層是可以被理解的。這些詞彙可用來辨別單一元件、區域、層。因此，在下文中的一第一元件、區域、層也可被稱為第二元件、區域、層，而不脫離本揭露內容的本意。本文使用的「約」或「實質上」包括所述值和在可接受的偏差範圍內的平均值。例如，「約」或「實質上」可以表示在所述值的一個或多個標準偏差內，或±30%、±20%、±10%、±5%內。

本揭露內容的偏光片可與顯示面板結合成為顯示裝置。偏光片包含了金屬線及導電層，其中金屬線可做為金屬線柵，以提供偏振效果，而金屬線與導電層可共同形成迴路圖案，以提供無線通訊功能，使得偏光片可將偏振效果與無線通訊功能整合於一起。

請同時參照第1A圖、第1B圖以及第1C圖。第1A圖為依據本揭露內容的第一實施方式繪示偏光片100A的上視 示意圖，而第1B圖及第1C圖分別繪示沿著第1A圖的線段1B-1B’及線段1C-1C’的剖面示意圖。為了方便說明，第1A圖繪示了第一方向D1及第二方向D2，且第一方向D1與第二方向D2相異。例如，第一方向D1可以是第1A圖的橫向方向，而第二方向D2可以是第1A圖的縱向方向，且第一方向D1與第二方向D2為實質上正交。偏光片100A包含第一透光基板110、金屬線120以及導電層130。第一透光基板110可以是玻璃基板，其可用以做為偏光片100A於製程中的承載基板。

金屬線120設置在第一透光基板110上，並至少沿第一方向D1排列，且每一金屬線120是沿第二方向D2延伸。在此，「金屬線沿第一方向排列」的意思可以是：第一方向D1上的金屬線120彼此會是分隔開來的，且第一方向D1上的連續兩條金屬線120之間會存在間距。

金屬線120的尺寸可足以使其做為金屬線柵，並可提供偏振效果，亦即可使單一偏振態(例如P偏振態)之光束通過，而使其他偏振態(例如S偏振態)之光束反射或是被吸收。部分實施方式中，對應做為可提供偏振效果的金屬線柵，如第1B圖所示，金屬線120各自的厚度120T可介於約200奈米至約300奈米，而金屬線120各自的寬度W可介於約40奈米至約60奈米，且金屬線120沿第一方向排列的間距P為介於約40奈米至約60奈米。於部分實施方式中，金屬線120的材料包含鋁、銅或其組合。

除了第一方向D1上的金屬線120彼此會是分隔開來的以外，在第二方向D2上，也會有部分的金屬線120會是 分隔開來的。舉例來說，在第二方向D2上，金屬線120A、120B、120C彼此是分隔開來的，亦即金屬線120A-120C可視為是沿著第二方向D2排列的，且其之間會存在間距。此外，金屬線120D、120E、120F、120G彼此也是分隔開來的，並可視為是沿著第二方向D2排列，且其之間存在間距。金屬線120A-120C與金屬線120D-120G的排列方式可相異，使得在第一方向D1上的連續兩條金屬線120可具有不同的長度，像是金屬線120B的長度(第二方向D2上的長度)會大於金屬線120E的長度(第二方向D2上的長度)。

導電層130設置在第一透光基板110上，且金屬線120的透光率小於導電層130的透光率。於部分實施方式中，導電層130的材料包含透光導電材料，像是氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅、氧化銦鎵鋅或其它合適的材料。於部分實施方式中，導電層130的厚度(或稱膜厚)可介於約700奈米至約800奈米。

導電層130可覆蓋部分的金屬線120，使得部分的金屬線120是位在第一透光基板110與導電層130之間。具體來說，金屬線120可分成三個群組：第一群組G1位在第二群組G2與第三群組G3之間；第二群組G2會靠近偏光片100A的中心處並自偏光片100A的中心處延伸至邊緣處；第三群組G3會靠近偏光片100A的最外圈邊界處，位在第二群組G2與第三群組G3之間的第一群組G1會圍繞著第二群組G2，而導電層130的不同區域會覆蓋金屬線120中的不同群組。

導電層130的第一區域A1會覆蓋並電性連接金 屬線120中的第一群組G1，以形成迴路圖案。進一步來說，金屬線120中的第一群組G1可因導電層的第一區域A1覆蓋而彼此導通，而導電層130的第一區域A1於第一透光基板110上的垂直投影會是呈現迴路圖案，因此金屬線120中的第一群組G1與導電層130的第一區域A1可共同形成迴路圖案，且所共同形成的迴路圖案會圍繞金屬線120中的第二群組G2。

當對迴路圖案的一端(例如端點T1)輸入電流的時候，電流可在流經整個迴路圖案後，自迴路圖案的另一相對端(例如端點T2)輸出。因此，當使用驅動元件(未繪示)對迴路圖案提供交流訊號的時候，像是弦波訊號或是振盪訊號，即可讓迴路圖案耦合出磁場，使得迴路圖案可做為迴路天線使用，並提供近場無線通訊功能。也就是說，透過上述配置，偏光片100A可將偏振效果與近場無線通訊功能整合於一起。雖第1A圖繪示的迴路圖案為單圈，然而本揭露內容不以此為限，於其他實施方式中，金屬線120與導電層130所形成的迴路圖案也可以多圈的，且這些多圈的迴路圖案可再透過橋接電極而彼此電性連接。

此外，導電層130的第二區域A2、第三區域A3及第四區域A4可覆蓋並連接金屬線120中的第二群組G2。導電層130的第一區域A1與導電層130的第二區域A2、第三區域A3及第四區域A4係互相分隔開來，使得迴路圖案會圍繞導電層130的第二區域A2、第三區域A3及第四區域A4。導電層130的第二區域A2、第三區域A3與第四區域A4彼此也會是互相分隔開來的，其中第三區域A3位在第二區域A2與第四區域A4 之間。透過將導電層130的第二區域A2、第三區域A3與第四區域A4配置為互相分隔開來的，可利於降低其對迴路圖案於進行無線通訊時造成雜訊或干擾。導電層130的第二區域A2、第三區域A3與第四區域A4各自的電位會是浮動(floating)電位。也就是說，導電層130的第二區域A2、第三區域A3及第四區域A4可視為虛擬電極(dummy pattern)。

藉由在偏光片100A的中心處設置虛擬電極，可使偏光片100A在中心處的透光率會大致等同於偏光片100A對應迴路圖案位置處的透光率，從而使通過偏光片100A的光束可具有較好的均勻度(例如通過偏光片100A的光束可具有較均勻的亮度)。同樣地，導電層130的第五區域A5、第六區域A6及第七區域A7可覆蓋並連接金屬線120中的第三群組G3，並與導電層130的第一區域A1分隔開來，以做為虛擬電極使用，從而均勻化偏光片100A的對應邊界處的透光率。

上述將金屬線120與導電層130整合於一起的結構可藉由金屬線120與導電層130之間的蝕刻選擇比(即其之間的蝕刻速率差異)來製作。舉例而言，請再看到第2A圖、第2B圖以及第2C圖。第2A圖繪示第1A圖的偏光片100A於製作階段的上視示意圖，而第2B圖及第2C圖分別繪示沿著第2A圖的線段2B-2B’及線段2C-2C’的剖面示意圖。為了方便說明，第2A圖也繪示了第一方向D1及第二方向D2。

在第2A圖所繪示的製作階段中，可於第一透光基板110上形成金屬線120。於部分實施方式中，金屬線120可以是形成自金屬層。舉例來說，可先於第一透光基板110上形成 金屬層，並接著對金屬層進行熱壓式奈米壓印，以移除部分的金屬層，且剩餘之金屬層係呈現條狀圖案。對於呈現條狀圖案的金屬層來說，其外觀例如會是多條互相平行且長度大致相等的金屬線120，亦即這些金屬線120在第二方向D2上會是連續的。接著，可再進行蝕刻製程，像是濕蝕刻，以將部分的金屬線斷開，使得這些被斷開的金屬線在第二方向D2上會是不連續的。例如，於蝕刻製程後，金屬線120A-120C在第二方向D2上即為不連續的。於部分實施方式中，濕蝕刻的蝕刻液可包含硫酸、鋁酸或其組合。

請再同時看到第1A圖及第2A圖。於金屬線120形成後，即可於第一透光基板110上形成導電層，此時，所形成的導電層係為完全地覆蓋在金屬線120上，即未如前述導電層130是具有多個分隔開的區域。於部分實施方式中，可透過對完全地覆蓋在金屬線120上的導電層進行蝕刻製程，以形成為具有多個區域的導電層130，其中蝕刻製程可以是選擇性蝕刻(即導電層於蝕刻製程的蝕刻速率異於金屬線於蝕刻製程的蝕刻速率)。

具體來說，蝕刻製程可包含濕蝕刻，且導電層130於蝕刻製程的蝕刻速率會大於金屬線120於蝕刻製程的蝕刻速率。於部分實施方式中，濕蝕刻的蝕刻液可包含草酸。透過蝕刻製程，可移除導電層130之第一部，此第一部於移除後即會形成導電層130的各區域之間的斷開區域，而導電層130之第二部於蝕刻製程後則會留存於第一透光基板110上，即導電層130的第一區域A1至第七區域A7。此外，由於蝕刻製程對 導電層130的蝕刻速率會大於對金屬線120的蝕刻速率，故於蝕刻製程期間，可避免金屬線120被蝕刻液移除，從而維持金屬線120的金屬線柵圖案。也因此，可在形成導電層130之步驟是晚於形成金屬線120之步驟的情況下，完成偏光片100A的結構。

雖第1A圖的導電層130的第一區域A1與第二區域A2之間無繪示多條金屬線，然而此可因製程條件或製程精度而變化，例如，於其他實施方式中，導電層130的第一區域A1與第二區域A2之間可存在超過一條的金屬線120，且此些超過一條的金屬線120彼此係未電性連接。

此外，第1B圖及第1C圖所繪的導電層130會因其與第一透光基板110之間存在氣泡，而與第一透光基板110相距一段距離。此狀態可因製程條件或製程精度而變化，例如，於其他實施方式中，原本因氣泡而與第一透光基板110相距一段距離的導電層130也可落下至接觸第一透光基板110，且位在金屬線120上的導電層130會與接觸第一透光基板110的導電層130斷開，其中相鄰的金屬線120仍可透過接觸第一透光基板110的導電層130來達成電性連接。

偏光片100A可與顯示面板結合成為顯示裝置，如第3圖所示，第3圖為依據本揭露內容的部分實施方式繪示顯示裝置200A的剖面示意圖。顯示裝置200A包含顯示面板210以及前述所提之偏光片100A，且偏光片100A設置在顯示面板210上。為了不使圖式過於複雜，第3圖所繪之偏光片100A的層體結構係簡化繪示，此所繪層體結構為用來表示偏 光片100A的第一透光基板110、金屬線120與導電層130之間的層疊順序關係。於部分實施方式中，偏光片100A可透過膠體層270貼附在顯示面板210上。

顯示面板210包含背光模組220、下偏光片230、陣列基板240、顯示介質層250以及彩色濾光層基板260。下偏光片230設置在背光模組220之上，且陣列基板240、顯示介質層250以及彩色濾光層基板260為自下偏光片230依序層疊。背光模組220可包含發光源以及導光板(未繪示)，並用以向上提供光照。

陣列基板240包含第二透光基板242、薄膜電晶體244、閘極絕緣層246、介電層248以及畫素電極249。第二透光基板242可做為陣列基板240於製程中的承載基板，其例如可以是玻璃基板，以利陣列基板240的其他元件或層體可形成在第二透光基板242上。

薄膜電晶體244及閘極絕緣層246設置在第二透光基板242上。每一個薄膜電晶體244包含源極電極S、汲極電極D、半導體層SC以及閘極電極G。薄膜電晶體244的閘極電極G可設置在第二透光基板242上，且閘極絕緣層246會覆蓋住閘極電極G。半導體層SC設置在閘極絕緣層246上。半導體層SC可用來做為薄膜電晶體244的通道區，其材料可包含矽，像是單晶矽材料、多晶矽材料或其他適合的材料。源極電極S及汲極電極D設置在半導體層SC上，且位在半導體層SC上的源極電極S及汲極電極D係互相分隔開來。此外，儲存電容245可形成在第二透光基板242上，並由閘極絕緣層246覆蓋。

介電層248設置在薄膜電晶體244及閘極絕緣層246上，並覆蓋薄膜電晶體244的源極電極S、汲極電極D以及半導體層SC。介電層248具有接觸洞TH，且接觸洞TH位在汲極電極D上。於部分實施方式中，介電層248的材料可以是有機材料或無機材料，像是環氧樹脂、氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)、由氧化矽及氮化矽共同組成的複合層或是其他合適的介電材料。畫素電極249設置在介電層248上，並可透過介電層248的接觸洞TH接觸汲極電極D，從而電性連接薄膜電晶體244。於部分實施方式中，畫素電極249的材料包含透明導電材料，像是氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅、奈米碳管、氧化銦鎵鋅或其它合適的材料。

顯示介質層250配置在陣列基板240上，並位在陣列基板240與彩色濾光層基板260之間。顯示介質層250可具有顯示介質252。舉例來說，顯示介質層250可以是液晶層，並具有液晶分子。

彩色濾光層基板260包含第三透光基板262、遮光層264、彩色濾光層266以及共用電極268。第三透光基板262可做為彩色濾光層基板260於製程中的承載基板，其例如可以是玻璃基板，以利彩色濾光層基板260的其他元件或層體可形成在第三透光基板262上。

遮光層264及彩色濾光層266設置在第三透光基板262上，並位在顯示介質層250與第三透光基板262之間。遮光層264可形成為黑色矩陣的樣式，並具有多個開口265。彩色濾光層266可設置在遮光層264的開口265內，並部分地覆蓋 遮光層264。於部分實施方式中，彩色濾光層266可包含色阻層267，像是紅色色阻層、綠色色阻層或藍色色阻層，且不同顏色的色阻層可週期性地排列。共用電極268可設置在遮光層264及彩色濾光層266上，並位在顯示介質層250與彩色濾光層266之間。共用電極268的材料包含透明導電材料，像是氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅、奈米碳管、氧化銦鎵鋅或其它合適的材料。

透過上述配置，陣列基板240及彩色濾光層基板260可共同形成畫素，以進一步使顯示面板210具有顯示區212。具體來說，顯示面板210的顯示區212可透過畫素顯示出影像。雖第3圖所繪的實施方式是採用在顯示介質層250的上下側分別設置共用電極268及畫素電極249的配置方式，然而本揭露內容不以此為限，於其他實施方式中，也可以是在顯示介質層250的同側設置共用電極268及畫素電極249。

設置在顯示面板210上的偏光片100A會至少位在顯示面板210的顯示區212內，即在沿著垂直顯示面板210的視角中，偏光片100A會與顯示面板210的顯示區212至少部分地重疊。舉例來說，偏光片100A的迴路圖案(如第1A圖所示)可以跟顯示面板210的顯示區212重疊。透過此配置，係可將偏光片100A的無線通訊功能與顯示面板210的顯示功能整合於一起，且由於用來提供無線通訊功能的層體是整合在偏光片100A內，故不會排擠到顯示面板210的內部層體結構，從而以降低整體結構及其製程的複雜度。再者，透過上述配置，可在不會對顯示裝置200A過度增厚的情況下，即將無線通訊 功能整合於顯示裝置200A之中。

此外，於部分實施方式中，彩色濾光層基板260中的遮光層264於偏光片100A的垂直投影係可至少位在金屬線120之間的間隙內，例如位在第1A圖的金屬線120中的第一群組G1與第二群組G2之間。更進一步來說，彩色濾光層基板260中的遮光層264於偏光片100A的垂直投影可位在第1A圖的金屬線120E與120F之間。由於金屬線120E與120F是透過斷開單一條金屬線形成，而此斷開處提供的偏振效果會小於偏光片100A的其他處，故使用遮光層264遮蔽住斷開處，可避免顯示裝置的影像品質受到影響。

雖第3圖所繪的實施方式是以彩色濾光層基板260中的遮光層264來舉例說明，然而本揭露內容不以此為限制，於其他實施方式中，除了彩色濾光層基板260中的遮光層264以外，顯示裝置200A可更包含位在其他處的遮光部，且此遮光部於偏光片100A的垂直投影也可以是位在第1A圖的金屬線120中的第一群組G1與第二群組G2之間，其中遮光部的材料可以是油墨、金屬或其組合。

另一方面，於第3圖所繪的實施方式中，偏光片100A是以獨立基板貼附在顯示面板210上，亦即是將偏光片100A中用來承載金屬線120及導電層130的第一透光基板110貼附在彩色濾光層基板260的第三透光基板262上。然而，本揭露內容不以此為限，於其他實施方式中，也可以是將偏光片100A與下偏光片230的位置交換，使得偏光片100A中用來承載金屬線120及導電層130的第一透光基板110是貼附在陣列 基板240的第二透光基板242上。

於部分實施方式中，偏光片100A可與顯示面板210共用同一基板。舉例來說，請再看到第4圖，第4圖為依據本揭露內容的部分實施方式繪示顯示裝置200B的剖面示意圖。第4圖所繪的實施方式與第3圖所繪的實施方式的至少一個差異點在於，在第4圖所繪的實施方式中，偏光片100A與顯示面板210的彩色濾光層基板260係共用同一個基板。具體來說，顯示裝置200B包含第四透光基板280，其中畫素電極249及顯示介質層250為設置在第二透光基板242與第四透光基板280之間，且第二透光基板242與第四透光基板280實質上為互相平行的。偏光片100A的金屬線120及導電層130可形成在第四透光基板280的上側，而彩色濾光層基板260的遮光層264、彩色濾光層266以及共用電極268則可形成在第四透光基板280的下側，使得偏光片100A與彩色濾光層基板260可共用第四透光基板280做為其製程中的承載基板。

除了採上述配置來達成偏光片100A與顯示面板210共用基板以外，也可採其他配置方式來達成。於部分實施方式中，偏光片100A的各層體與彩色濾光層基板260的各層體可共同形成在第四透光基板280的下側，例如先在第四透光基板280上形成偏光片100A的金屬線120及導電層130，並再形成一層保護層(其可以是透過介電材料形成)來覆蓋金屬線120及導電層130，之後即可將彩色濾光層基板260的各層體形成在保護層上。於部分實施方式中，偏光片100A的各層體是直接形成在第二透光基板242的下側，而陣列基板的各層體則 是形成在第二透光基板242的上側。於部分實施方式中，偏光片100A的各層體與陣列基板的各層體可共同形成在第二透光基板242的上側。

請再看到第5圖，第5圖為依據本揭露內容的部分實施方式繪示顯示裝置200C的剖面示意圖。第5圖所繪的實施方式與第3圖所繪的實施方式的至少一個差異點在於，在第5圖所繪的實施方式中，顯示面板300是透過發光二極體陣列330來顯示影像。

具體來說，顯示面板300包含下基板310、支撐物320、發光二極體陣列330以及蓋板340。支撐物320及蓋板340設置在下基板310上，並可共同形成用來放置發光二極體陣列330的容置空間302。具體來說，支撐物320可以是框體結構，其可包含玻璃、陶瓷或是其他具有足夠支撐強度的材料。發光二極體陣列330可包含多個發光二極體332、334及336，且發光二極體332、334及336可用以提供不同顏色的色光。於部分實施方式中，發光二極體332、334及336的材料包含有機發光材料，且發光二極體332、334及336對應提供不同顏色的色光會包含相異的有機發光材料。

偏光片100A設置在顯示面板300的蓋板340上，且偏光片100A之用來承載金屬線120及導電層130的第一透光基板110是貼附在蓋板340上，例如透過膠體層350貼附在蓋板340上。同前所述，偏光片100A也可以是設置在顯示面板300的其他位置，或是偏光片100A也可以是採與顯示面板300共用基板的方式來設置，在此不再贅述。

請再看到第6A圖、第6B圖以及第6C圖。第6A圖為依據本揭露內容的第二實施方式繪示偏光片100B的上視示意圖，而第6B圖及第6C圖分別繪示沿著第6A圖的線段6B-6B’及線段6C-6C’的剖面示意圖。為了方便說明，第6A圖繪示了第一方向D1及第二方向D2。本實施方式與第一實施方式的至少一個差異點在於，本實施方式的偏光片100B更包含隔離層140，且導電層130的第一區域A1可透過隔離層140與導電層130的其他區域分隔開來。

為了使圖式易於理解且不會過於複雜，第6A圖中由隔離層140覆蓋的金屬線120的邊界位置係以虛線繪示之。此外，第6A圖的金屬線120中的各群組範圍與第1A圖的虛線繪示範圍相同，然而為了不使圖式過於複雜，第6A圖的金屬線120中的各群組範圍並未如第1A圖繪示虛線表示。

具體來說，隔離層140設置在第一透光基板110上，並包含第一部142及第二部144。隔離層140的第一部142可設置於金屬線120中的第一群組G1與第二群組G2之間，而隔離層140的第二部144則是設置於金屬線120中的第一群組G1與第三群組G3之間，使得由導電層130的第一區域A1與金屬線120中的第一群組G1共同形成的迴路圖案係可由隔離層140圍繞著。隔離層140的厚度140T可足以提供電性隔離效果，藉以避免導電層130的第一區域A1與導電層130的其他區域電性導通。於部分實施方式中，隔離層140的厚度140T可介於約1.5微米至2.5微米。具有如此厚度的隔離層140可高過導電層130，具體而言，隔離層140的上表面為背向第一透光基 板110，且隔離層140的上表面相對第一透光基板110的高度會大於導電層130相對第一透光基板110的高度。

隔離層140可填充於金屬線120之間的間隙，像是填充於在第一方向D1上連續排列的金屬線120之間的間隙，或是填充於第二方向D2上連續排列的金屬線120之間的間隙。此外，隔離層140可覆蓋在部分的金屬線120上。於部分實施方式中，隔離層140的材料可以是有機材料或無機材料，像是環氧樹脂、氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)、由氧化矽及氮化矽共同組成的複合層或是其他合適的介電材料。

請再看到第7A圖、第7B圖以及第7C圖。第7A圖繪示第6A圖的偏光片100B於製作階段的上視示意圖，而第7B圖及第7C圖分別繪示沿著第7A圖的線段7B-7B’及線段7C-7C’的剖面示意圖。為了使圖式易於理解且不會過於複雜，第7A圖中由隔離層140覆蓋的金屬線120的邊界位置係以虛線繪示之。

在第7A圖所繪示的製作階段之前，可先將金屬線120形成在第一透光基板110上，並進行斷開金屬線120的步驟，此可如前述第2A圖的製作階段。在斷開金屬線120後，可在第一透光基板110上形成隔離層140，且隔離層140會覆蓋住部分的金屬線120。此製作階段中，隔離層140可被形成為第一部142以及第二部144，且第一部142與第二部144係可互相分隔開來，使得隔離層140的第一部142與第二部144之間的空間可用來提供後續製程形成迴路圖案。於部分實施方式中，形成隔離層140的步驟包含圖案化製程，例如可形成一層完全覆 蓋在金屬線120上的隔離層140，並接著透過圖案化製程將隔離層140圖案化為第一部142與第二部144。

請再同時看到第6A圖以及第7A圖。於隔離層140形成後，即可再於第一透光基板110上形成導電層，此時，所形成的導電層係為完全地覆蓋在金屬線120與隔離層140上(即未如前述導電層130是具有多個分隔開的區域)。同前所述，可對完全地覆蓋在金屬線120與隔離層140的導電層進行選擇性蝕刻製程，以形成為具有多個區域的導電層130。然而，本揭露內容不以此為限，於其他實施方式中，可省略此選擇性蝕刻製程，並透過隔離層140的厚度(例如第6B圖及第6C圖的厚度140T)將導電層分成多個分隔開的區域。具體來說，在隔離層140有足夠厚度的情況下，導電層之中的形成在金屬線120上的部分與形成在隔離層140上的部分會是斷開的，從而致使導電層的第一區域可與導電層的其他區域維持電性隔離關係。

請再看到第8A圖、第8B圖以及第8C圖。第8A圖為依據本揭露內容的第三實施方式繪示偏光片100C的上視示意圖，第8B圖及第8C圖分別繪示沿著第8A圖的線段8B-8B’及線段8C-8C’的剖面示意圖。本實施方式與第一實施方式的至少一個差異點在於，本實施方式的導電層130位在第一透光基板110與金屬線120之間。

具體來說，會有部分的金屬線120是設置在導電層130上，像是金屬線120中的第一群組G1即為設置在導電層的第一區域A1上。此外，也會有部分的金屬線120是設置在第 一透光基板110上，並直接接觸第一透光基板110。對於設置在導電層130的第一區域A1上的金屬線120與直接接觸第一透光基板110的金屬線120來說，其上表面相對第一透光基板110的高度相異。舉例來說，第8C圖中，金屬線120H為設置在導電層130上，而金屬線120I為直接接觸第一透光基板110，且金屬線120H的上表面相對第一透光基板110的高度會大於金屬線120I的上表面相對第一透光基板110的高度。

請再看到第9A圖、第9B圖以及第9C圖。第9A圖繪示第8A圖的偏光片於製作階段的上視示意圖，而第9B圖及第9C圖分別繪示沿著第9A圖的線段9B-9B’及線段9C-9C’的剖面示意圖。

在第9A圖所繪示的製作階段中，可先於第一透光基板110上形成導電層130。於部分實施方式中，形成導電層130之步驟可包含圖案化導電層130，其中圖案化製程可透過蝕刻製程達成。進一步來說，可透過圖案化製程將單一導電層分成互相分隔開的多個區域。

請再同時看到第8A圖及第9A圖。於導電層130形成後，即可再於第一透光基板110上形成金屬層，並接著對金屬層進行圖案化，以形成金屬線120。圖案化得到金屬線120之步驟可包含蝕刻製程，且蝕刻製程可以是選擇性蝕刻(即導電層130於蝕刻製程的蝕刻速率異於金屬層於蝕刻製程的蝕刻速率)。

具體來說，所進行的蝕刻製程可以是濕蝕刻，且濕蝕刻對金屬層的蝕刻速率會大於濕蝕刻對導電層130的蝕 刻速率，以避免導電層130於自金屬層形成為金屬線120的過程中被移除。於部分實施方式中，濕蝕刻的蝕刻液可包含硫酸、鋁酸或其組合，其中當蝕刻液為硫酸時，可依製程需求對蝕刻液加熱。藉由選擇性蝕刻，可在形成導電層130之步驟是早於形成金屬線120之步驟的情況下，實現將偏振效果與天線功能整合於偏光片100C的結構。此外，對應不同的蝕刻條件或是蝕刻精度，使形成導電層130之步驟早於形成金屬線120之步驟可避免導電層發生蝕刻不完全的情況。

綜上所述，本揭露內容的偏光片包含了金屬線及導電層，其中金屬線可做為金屬線柵並藉以提供偏振效果，而金屬線與導電層可共同形成迴路圖案，並藉以提供無線通訊功能，使得偏光片可將偏振效果與無線通訊功能整合於一起。偏光片可與顯示面板結合成為顯示裝置，其中顯示面板具有顯示區，且偏光片之中由金屬線與導電層所共同形成的迴路圖案會與顯示區至少部分重疊，從而進一步將無線通訊功能與顯示功能整合於一起。此外，上述將偏振效果及無線通訊功能整合於一起的偏光片可透過多種製作方式實現其結構，因此偏光片可適於對應不同的製程條件或需求來製作。同樣地，上述將無線通訊功能與顯示功能整合於一起的顯示裝置也可透過多種製作方式實現其結構，因此顯示裝置也可適於對應不同的製程條件或需求來製作。

雖然本揭露內容已以多種實施方式揭露如上，然其並非用以限定本揭露內容，任何熟習此技藝者，在不脫離本揭露內容之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本 揭露內容之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100A‧‧‧偏光片

110‧‧‧第一透光基板

120、120A、120B、 120C、120D、120E、 120F、120G‧‧‧金屬線

130‧‧‧導電層

1B-1B’、1C-1C’‧‧‧線段

A1‧‧‧第一區域

A2‧‧‧第二區域

A3‧‧‧第三區域

A4‧‧‧第四區域

A5‧‧‧第五區域

A6‧‧‧第六區域

A7‧‧‧第七區域

D1‧‧‧第一方向

D2‧‧‧第二方向

G1‧‧‧第一群組

G2‧‧‧第二群組

G3‧‧‧第三群組

T1、T2‧‧‧端點

Claims (11)

1. 一種顯示裝置，包含：一顯示面板，具有一顯示區；以及一偏光片，設置在該顯示面板上，並包含：複數個金屬線，至少位在該顯示區內，其中該些金屬線至少沿一第一方向排列且沿一第二方向延伸，且該第一方向與該第二方向相異；以及一導電層，至少位在該顯示區內，該導電層的一第一區域係電性連接該些金屬線中的一第一群組而不連接該些金屬線中的一第二群組，以形成一迴路圖案，且該迴路圖案圍繞該些金屬線中的該第二群組，其中該些金屬線的透光率小於該導電層的透光率，該些金屬線中的該第二群組與該些金屬線中的該第一群組係彼此斷開，其中該導電層的一第二區域係連接該些金屬線中的該第二群組中之至少一部分，該導電層的該第一區域及該第二區域係彼此斷開。
2. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該偏光片更包含一隔離層，設置於該些金屬線中的該第一群組與該第二群組之間，且該隔離層的厚度介於1.5微米至2.5微米。
3. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該些金屬線與該導電層為共同設置在一透光基板上，且該些金屬線位在該透光基板與該導電層之間。
4. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該些金屬線與該導電層為共同設置在一透光基板上，且該導電層位在該透光基板與該些金屬線之間。
5. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該顯示面板包含一顯示介質層、一發光二極體陣列或其組合。
6. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該顯示面板包含一遮光層，且該遮光層於該偏光片的垂直投影係至少位在該些金屬線中的該第一群組與該第二群組之間。
7. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該顯示面板包含一第一透光基板，而該偏光片更包含一第二透光基板，該些金屬線與該導電層為共同設置在該第二透光基板上，其中該第一透光基板與該第二透光基板實質上為互相平行的。
8. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該些金屬線各自的厚度介於200奈米至300奈米，該些金屬線各自的寬度介於40奈米至60奈米，且該些金屬線沿該第一方向排列的間距為介於40奈米至60奈米。
9. 一種偏光片的製作方法，包含：於一透光基板上形成複數個金屬線，其中該些金屬線沿著一方向延伸；將該些金屬線中的一部分斷開，使得該些金屬線中的該部分在該方向上會是不連續的；於該透光基板上形成一導電層，其中該些金屬線的透光率小於該導電層的透光率；以及透過一蝕刻製程移除該導電層之一第一部，且該導電層於該蝕刻製程的蝕刻速率異於該些金屬線於該蝕刻製程的蝕刻速率，其中該導電層之一第二部於該蝕刻製程後留存於該透光基板上，並電性連接該些金屬線中的一另一部分，以與該些金屬線中的該另一部分共同形成一迴路圖案，且該導電層之一第三部於該蝕刻製程後留存於該透光基板上，以連接該些金屬線中的該部分。
10. 如申請專利範圍第9項所述之偏光片的製作方法，其中形成該導電層之步驟早於或晚於形成該些金屬線之步驟。
11. 如申請專利範圍第9項所述之偏光片的製作方法，其中形成該些金屬線之步驟包含：於該透光基板上形成一金屬層；以及透過一熱壓式奈米壓印製程移除部分的該金屬層，且剩 餘之該金屬層係呈現條狀圖案。

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