TWI690963B - 用於電感繼電器的驅動電路和快速退磁方法 - Google Patents

用於電感繼電器的驅動電路和快速退磁方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI690963B
TWI690963B TW108123288A TW108123288A TWI690963B TW I690963 B TWI690963 B TW I690963B TW 108123288 A TW108123288 A TW 108123288A TW 108123288 A TW108123288 A TW 108123288A TW I690963 B TWI690963 B TW I690963B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
voltage
circuit
demagnetization
terminal
diode
Prior art date
Application number
TW108123288A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202046361A (zh
Inventor
李淼
袁廷志
京偉 徐
Original Assignee
大陸商昂寶電子（上海）有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 大陸商昂寶電子（上海）有限公司 filed Critical 大陸商昂寶電子（上海）有限公司
Application granted granted Critical
Publication of TWI690963B publication Critical patent/TWI690963B/zh
Publication of TW202046361A publication Critical patent/TW202046361A/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H47/00—Circuit arrangements not adapted to a particular application of the relay and designed to obtain desired operating characteristics or to provide energising current
    • H01H47/22—Circuit arrangements not adapted to a particular application of the relay and designed to obtain desired operating characteristics or to provide energising current for supplying energising current for relay coil
    • H01H47/32—Energising current supplied by semiconductor device

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

本發明涉及用於電感繼電器的驅動電路和快速退磁方法，提供了一種用於電感繼電器的驅動電路，該驅動電路包括：驅動控制電路，用於在輸出驅動埠之間提供輸出驅動電壓；快速退磁電路，包括穩壓器件，該快速退磁電路的一端連接至驅動控制電路的第一保護電阻和第二NMOS管的閘極，另一端連接至驅動控制電路的汲極開路端子，並且其中該快速退磁電路用於維持鉗位電壓以進行快速退磁。

Description

用於電感繼電器的驅動電路和快速退磁方法
本發明涉及用於電感繼電器的驅動電路和快速退磁方法。
在帶繼電器的交流系統應用中，過零關斷是一種常用功能，即檢測到交流電壓過零點時產生關斷信號並且控制繼電器關斷，以避免關斷拉弧，從而延長繼電器的使用壽命。為了實現理想的過零關斷，需要對繼電器的關斷延遲時間和其一致性進行較穩定的控制。
繼電器的主要工作原理是通過控制其內部電磁鐵的電感線圈電流，產生和去除磁性以用於物理吸合控制。在電感兩端施加正向電壓時，電感電流持續增加(即，電感充磁)；在電感兩端施加負向電壓時，電感電流持續減小(即，電感退磁)。在電感值固定的情況下，如果需要實現較快退磁時間，則需要提高電感兩端的負向電壓來實現。
因此，需要一種低成本快速退磁的繼電器控制方案。
本發明的實施例提供了一種用於電感繼電器的驅動電路，該驅動電路包括：驅動控制電路，用於在輸出驅動埠之間提供輸出驅動電壓；快速退磁電路，包括穩壓器件，該快速退磁電路的一端連接至驅動控制電路的第一保護電阻和第二NMOS管的閘極，另一端連接至驅動控制電路的汲極開路端子，並且其中該快速退磁電路用於維持鉗位電壓以進行快速退磁。
在一個實施例中，穩壓器件包括串聯連接的一個或多個齊納二極體。
在一個實施例中，穩壓器件包括閘極和汲極串聯連接的一個或多個NMOS管或PMOS管。
在一個實施例中，快速退磁電路還包括一個或多個鉗位分壓電阻，該一個或多個鉗位分壓電阻與穩壓器件以可調整的順序串聯連接。
在一個實施例中，快速退磁電路還包括一個或多個二極體，該一個或多個二極體與穩壓器件以可調整的順序串聯連接。
在一個實施例中，驅動電路的至少一部分位於集成晶片內。
在一個實施例中，驅動電路的至少一部分是片外分立器件。
在一個實施例中，快速退磁電路還包括鉗位分壓電阻和二極體，並且穩壓器件包括齊納二極體，並且其中，鉗位分壓電阻的一端連接至汲極開路端子，鉗位分壓電阻的另一端連接至二極體的正端，二極體的負端連接至齊納二極體的負端，齊納二極體的正端連接至第一保護電阻和第二NMOS管的閘極。
本發明的實施例還提供了一種用於上述電感繼電器的驅動電路的快速退磁方法，包括：使得驅動控制電路的汲極開路端子經由快速退磁電路、驅動控制電路的第一保護電阻和第一NMOS管與接地端連接以形成鉗位通路；使得汲極開路端子的電壓抬高至驅動控制電路的外部電源端子的電壓與鉗位電壓之和；以及使用快速退磁電路來維持鉗位電壓以進行快速退磁。
本發明的實施例通過在電感繼電器的輸出驅動埠設置內部快速退磁電路來提高退磁電壓，可以實現快速退磁時間，同時高退磁電壓也降低了電壓偏差對退磁時間的影響，還節省了片外系統成本，並且能夠更好地支援過零檢測功能。
OD_ctrl:控制信號輸入端
I0,I1,I2:數位信號整形反相器
P1:PMOS管
N1:第一NMOS管
N2:第二NMOS管
R1:第一保護電阻
R2:第二保護電阻
AVSS:接地端
OD:汲極開路端子
AVDD:內部電源端子
VDD:外部電源端子
D1:二極體
L1:電感
Dz:穩壓管
R3:鉗位分壓電阻
D2:齊納二極體
Ic:鉗位通路電流
IL:電流
VD1:正嚮導通電壓
VZenner:擊穿電壓
VR1:電壓
VR3:電壓
Vth_N2:臨界導通電壓
In:臨界導通電流
Vg:閘極電壓
S1,S2,S3:步驟
從下面結合圖式對本發明的具體實施方式的描述中，可以更好地理解本發明，其中：第1圖是示出傳統電感繼電器的驅動電路的圖示；第2圖是示出一般改進的電感繼電器的驅動電路的圖示； 第3圖是示出根據本發明實施例的電感繼電器的驅動電路的圖示；第4圖是示出根據本發明實施例的電感繼電器的退磁電流走向的圖示；第5圖是示出根據本發明實施例的電感繼電器的驅動電路的波形圖；以及第6圖是示出根據本發明實施例的用於電感繼電器的驅動電路的快速退磁方法的流程圖。
下面將詳細描述本發明各個方面的特徵和示例性實施例。下面的描述涵蓋了許多具體細節，以便提供對本發明的全面理解。但是，對於本領域技術人員來說顯而易見的是，本發明可以在不需要這些具體細節中的一些細節的情況下實施。下面對實施例的描述僅僅是為了通過示出本發明的示例來提供對本發明更清楚的理解。本發明絕不限於下面所提出的任何具體配置，而是在不脫離本發明的精神的前提下覆蓋了相關元素或部件的任何修改、替換和改進。
第1圖是示出傳統電感繼電器的驅動電路的圖示。如第1圖所示，電感繼電器的驅動電路可以包括驅動控制電路，該驅動控制電路包括控制信號輸入端OD_ctrl、多個數位信號整形反相器(例如，數位信號整形反相器I0、I1、和I2)、PMOS管P1、第一NMOS管N1、第二NMOS管N2、第一保護電阻R1和第二保護電阻R2、接地端AVSS、汲極開路端子OD、內部電源端子AVDD、和外部電源端子VDD；以及退磁電路，該退磁電路包括二極體D1。
在實施例中，該多個數位信號整形反相器I0、I1、和I2可以串聯連接，其輸入端可以與控制信號輸入端OD_ctrl連接，並且其輸出端可以與PMOS管P1的閘極和第一NMOS管N1的閘極連接。
在實施例中，PMOS管P1的源極可以與內部電源端子AVDD連接，並且PMOS管P1的汲極可以與第一NMOS管N1的汲極以及第一保護電阻R1的第一端連接。在實施例中，第一NMOS管N1的源極可以與接地端AVSS連接。在實施例中，第二保護電阻R2可以並聯在第一NMOS管N1的源極和汲極之間。
在實施例中，第二NMOS管N2的閘極可以與第一保護電阻R1的另一端連接，第二NMOS管N2的源極可以與接地端AVSS連接，並且第二NMOS管N2的汲極可以與汲極開路端子OD連接。
在實施例中，驅動電路的輸出驅動埠的汲極開路端子OD與外部電源端子VDD之間可以連接有電感L1。在實施例中，退磁電路可以並聯在電感L1的兩端，即，二極體D1可以並聯在電感L1的兩端。
在實施例中，在電感L1的充磁過程中：控制信號輸入端OD_ctrl可以輸出高電平；該高電平經過數位信號整形反相器I0、I1、和I2可以變為低電平；該低電平可以輸入PMOS管P1的閘極和第一NMOS管N1的閘極，使得PMOS管P1的源極和汲極處於導通狀態，並且使得第一NMOS管N1的源極和汲極處於斷開狀態；PMOS管P1的源極和汲極處於導通狀態可以使得內部電源端子AVDD的電壓(即，高電平)經由第一保護電阻R1施加在第二NMOS管N2的閘極，從而使得第二NMOS管N2的源極和汲極處於導通狀態；第二NMOS管N2的源極和汲極處於導通狀態可以使得汲極開路端子OD與接地端AVSS連接，從而使得汲極開路端子OD與外部電源端子VDD之間產生正向壓差(例如，該正向壓差可以是外部電源端子VDD的電壓，例如，9V等等)；此時，電流可以經由電感L1從外部電源端子VDD流向汲極開路端子OD，並且電流可以持續增大。
在實施例中，在電感L1的退磁過程中：控制信號輸入端OD_ctrl可以輸出低電平；該低電平經過數位信號整形反相器I0、I1、和I2可以變為高電平；該高電平可以輸入PMOS管P1的閘極和第一NMOS管N1的閘極，使得PMOS管P1的源極和汲極處於斷開狀態，並且使得第一NMOS管N1的源極和汲極處於導通狀態；第一NMOS管N1的源極和汲極處於導通狀態可以使得接地端AVSS的電壓(即，低電平)經由第一保護電阻R1施加在第二NMOS管N2的閘極，從而使得第二NMOS管N2的源極和汲極處於斷開狀態；第二NMOS管N2的源極和汲極處於斷開狀態可以使得汲極開路端子OD的電壓抬高至外部電源端子VDD的電壓與二極體D1的正嚮導通電壓之和，從而使得汲極開路端子OD與外部電源端子VDD之間產生反向壓差(例如，該反向壓差可 以是二極體D1的正嚮導通電壓，例如，0.7V)；此時，先前經由電感L1從外部電源端子VDD流向汲極開路端子OD的電流可以流向二極體D1，然後經由二極體D1返回外部電源端子VDD，並且電流持續減小。
在實施例中，傳統電感繼電器在退磁過程中通過二極體D1放電，電感兩端的壓差僅通過二極體D1導通來進行壓降，壓差小會使得繼電器的退磁速度慢，關斷時間長。此外，通過二極體D1導通來進行壓降的偏差會直接導致退磁時間的變化(例如，一般可達15%)，這樣會使得系統從關斷指令到繼電器最終關斷的延遲時間較長並且偏差很大，進而影響過零檢測功能的實現。
為了減小退磁時間，一般地在電感繼電器的驅動電路的二極體D1處可以串聯接入穩壓管Dz，以增大電感L1退磁時兩端的壓差。第2圖是示出一般改進的電感繼電器的驅動電路的圖示。雖然如第2圖所示的一般改進的電感繼電器的驅動電路可以減小退磁時間，但是結構上增加了週邊器件，這增加了系統成本。
第3圖是示出根據本發明實施例的電感繼電器的驅動電路的圖示。如第3圖所示，電感繼電器的驅動電路可以包括驅動控制電路(例如，該驅動控制電路可以與如第1圖所示的驅動控制電路相同)，該驅動控制電路包括控制信號輸入端OD_ctrl、多個數位信號整形反相器(例如，數位信號整形反相器I0、I1、和I2)、PMOS管P1、第一NMOS管N1、第二NMOS管N2、第一保護電阻R1和第二保護電阻R2、接地端AVSS、汲極開路端子OD、內部電源端子AVDD、和外部電源端子VDD，並且該驅動控制電路用於在輸出驅動埠之間提供輸出驅動電壓；以及快速退磁電路，該快速退磁電路包括穩壓器件。
在實施例中，該多個數位信號整形反相器I0、I1、和I2可以串聯連接，其輸入端可以與控制信號輸入端OD_ctrl連接，並且其輸出端可以與PMOS管P1的閘極和第一NMOS管N1的閘極連接。
在實施例中，PMOS管P1的源極可以與內部電源端子AVDD連接，並且PMOS管P1的汲極可以與第一NMOS管N1的汲極以及第一保護電阻R1的第一端連接。在實施例中，第一NMOS管N1的源極可以與接地端AVSS 連接。在實施例中，第二保護電阻R2可以並聯在第一NMOS管N1的源極和汲極之間。
在實施例中，第二NMOS管N2的閘極可以與第一保護電阻R1的另一端連接，第二NMOS管N2的源極可以與接地端AVSS連接，並且第二NMOS管N2的汲極可以與汲極開路端子OD連接。
在實施例中，汲極開路端子OD與外部電源端子VDD之間可以連接有電感L1。
在實施例中，快速退磁電路的一端可以連接至第一保護電阻R1和第二NMOS管N2的閘極，另一端可以連接至汲極開路端子OD。在實施例中，快速退磁電路可以用於維持鉗位電壓以進行快速退磁。
在實施例中，穩壓器件可以包括串聯連接的一個或多個齊納二極體。此外，齊納二極體的數量可以根據實際需要的鉗位電壓和齊納二極體的擊穿電壓來進行選擇。
此外，在一些實施例中，穩壓器件可以包括閘極和汲極串聯連接的一個或多個NMOS管或PMOS管。穩壓器件還可以包括任意用於進行穩壓的結構器件，本申請對此不做限制。
在實施例中，快速退磁電路還可以包括一個或多個鉗位分壓電阻，該一個或多個鉗位分壓電阻與穩壓器件以可調整的順序串聯連接，即，鉗位分壓電阻與穩壓器件的串聯順序是任意的，本申請對此不做限制。此外，鉗位分壓電阻的數量和電阻值可以根據實際需要的鉗位電壓來進行選擇。
在實施例中，快速退磁電路還可以包括一個或多個二極體，該一個或多個二極體與穩壓器件以可調整的順序串聯連接，即，二極體與穩壓器件的串聯順序是任意的，本申請對此不做限制。此外，二極體的數量可以根據實際需要的鉗位電壓來進行選擇。
在如第3圖所示的示例中，快速退磁電路可以包括串聯連接的鉗位分壓電阻R3、二極體D1、和齊納二極體D2(即，穩壓器件)。在實施例中，鉗位分壓電阻R3的一端可以連接至汲極開路端子，鉗位分壓電阻R3的另一端 可以連接至二極體D1的正端，二極體D1的負端可以連接至齊納二極體D2的負端，齊納二極體D2的正端可以連接至第一保護電阻R1和第二NMOS管N2的閘極。此外，在實施例中，鉗位分壓電阻R3、二極體D1、和齊納二極體D2的串聯順序可以是可調整的，本申請對此不做限制。
在實施例中，第一保護電阻R1可以根據第二NMOS管N2的臨界導通電壓來設定鉗位通路電流Ic。在實施例中，鉗位分壓電阻R3可以用於調整鉗位電壓。在實施例中，二極體D1可以用於防止第二NMOS管N2的閘極的電壓反灌到第二NMOS管N2的汲極。在實施例中，齊納二極體D2可以用於設定鉗位電壓。
在實施例中，驅動電路的至少一部分可以位於集成晶片內。此外，在一些實施例中，驅動電路的至少一部分可以是片外分立器件。
在實施例中，在電感L1的充磁過程中：控制信號輸入端OD_ctrl可以輸出高電平；該高電平經過數位信號整形反相器I0、I1、和I2可以變為低電平；該低電平可以輸入PMOS管P1的閘極和第一NMOS管N1的閘極，使得PMOS管P1的源極和汲極處於導通狀態，並且使得第一NMOS管N1的源極和汲極處於斷開狀態；PMOS管P1的源極和汲極處於導通狀態可以使得內部電源端子AVDD的電壓(即，高電平)經由第一保護電阻R1施加在第二NMOS管N2的閘極，從而使得第二NMOS管N2的源極和汲極處於導通狀態；第二NMOS管N2的源極和汲極處於導通狀態可以使得汲極開路端子OD與接地端AVSS連接，從而使得汲極開路端子OD與外部電源端子VDD之間產生正向壓差(例如，該正向壓差可以是外部電源端子VDD的電壓，例如，9V等等)；此時，電流可以經由電感L1從外部電源端子VDD流向汲極開路端子OD，並且電感L1的電流IL可以持續增大。
第4圖是示出根據本發明實施例的電感繼電器的退磁電流走向的圖示。在實施例中，在電感L1的退磁過程中：控制信號輸入端OD_ctrl可以輸出低電平；該低電平經過數位信號整形反相器I0、I1、和I2可以變為高電平；該高電平可以輸入PMOS管P1的閘極和第一NMOS管N1的閘極，使得PMOS管P1的源極和汲極處於斷開狀態，並且使得第一NMOS管N1的源極和汲極處 於導通狀態；第一NMOS管N1的源極和汲極處於導通狀態可以使得接地端AVSS的電壓(即，低電平)經由第一保護電阻R1施加在第二NMOS管N2的閘極，從而使得第二NMOS管N2的源極和汲極處於斷開狀態；第二NMOS管N2的源極和汲極處於斷開狀態可以使得汲極開路端子OD經由鉗位分壓電阻R3、二極體D1、齊納二極體D2和第一保護電阻R1與接地端AVSS連接以形成鉗位通路，並且汲極開路端子OD的電壓抬高至外部電源端子VDD的電壓與鉗位電壓之和(其中，鉗位電壓可以等於VD1+VZenner+VR1+VR3，其中，VR1=R1*Ic=Vth_N2，VR3=R3*Ic=R3*Vth_N2/R1，即，鉗位電壓可以是二極體的正嚮導通電壓VD1、齊納二極體的擊穿電壓VZenner、第一保護電阻R1兩端的電壓VR1、和鉗位分壓電阻R3兩端的電壓VR3之和，其中，第一保護電阻R1兩端的電壓VR1可以是第一保護電阻R1乘以鉗位通路電流Ic(即，第一保護電阻R1兩端的電壓VR1可以是第二NMOS管N2的臨界導通電壓Vth_N2)，並且鉗位分壓電阻R3兩端的電壓VR3可以是鉗位分壓電阻R3乘以鉗位通路電流Ic)，汲極開路端子OD與外部電源端子VDD之間可以產生反向壓差(例如，該反向壓差可以是鉗位電壓，例如，15V)；此時，先前經由電感L1從外部電源端子VDD流向汲極開路端子OD的電流可以從汲極開路端子OD經由鉗位分壓電阻R3、二極體D1、齊納二極體D2和第一保護電阻R1以鉗位通路電流Ic流向接地端AVSS，並且可以在第二NMOS管N2處於臨界導通狀態時從汲極開路端子OD經由第二NMOS管N2的汲極和源極以第二NMOS管N2的臨界導通電流In流向接地端AVSS，其中，快速退磁電路可以維持鉗位電壓(即，電感L1的兩端的反向壓差)不變，電感L1的電流IL可以以較大斜率持續減小(因為與傳統退磁過程相比，電感L1兩端的反向壓差更大)。
第5圖是示出根據本發明實施例的繼電器的驅動電路的波形圖。如第5圖所示，在實施例中，當控制信號輸入端OD_ctrl處於高電平時，第二NMOS管N2的閘極電壓Vg可以是導通電壓(即，高電平)，汲極開路端子OD可以與接地端AVSS連接(即，低電平)，電感L1的電流IL可以持續增大。
在實施例中，當控制信號輸入端OD_ctrl處於低電平時，第二NMOS管N2的閘極電壓Vg可以首先是臨界導通電壓Vth_N2(即，此時快速 退磁電路維持鉗位電壓)，汲極開路端子OD的電壓可以是外部電源端子VDD的電壓與鉗位電壓之和，電感L1的電流IL可以以較大斜率持續減小，其中，在退磁過程的結尾處，電感L1的電流IL震盪為零，汲極開路端子OD的電壓也震盪為零，並且第二NMOS管N2的閘極電壓Vg為低電平。
第6圖是示出根據本發明實施例的用於電感繼電器的驅動電路的快速退磁控制方法的流程圖。如第6圖所示，用於電感繼電器的驅動電路的快速退磁控制方法可以包括：使得驅動電路的汲極開路端子OD經由快速退磁電路(如第3圖所示)、驅動控制電路的第一保護電阻R1和第一NMOS管N1與接地端AVSS連接以形成鉗位通路(步驟S1)；使得汲極開路端子OD的電壓抬高至驅動控制電路的外部電源端子VDD的電壓與鉗位電壓之和(步驟S2)；以及使用快速退磁電路(如第3圖所示)來維持鉗位電壓以進行快速退磁(步驟S3)。
本發明可以以其他的具體形式實現，而不脫離其精神和本質特徵。例如，特定實施例中所描述的演算法可以被修改，而系統體系結構並不脫離本發明的基本精神。因此，當前的實施例在所有方面都被看作是示例性的而非限定性的，本發明的範圍由所附申請專利範圍而非上述描述定義，並且，落入申請專利範圍的含義和等同物的範圍內的全部改變從而都被包括在本發明的範圍之中。
OD_ctrl‧‧‧控制信號輸入端
I0,I1,I2‧‧‧數位信號整形反相器
P1‧‧‧PMOS管
N1‧‧‧第一NMOS管
N2‧‧‧第二NMOS管
R1‧‧‧第一保護電阻
R2‧‧‧第二保護電阻
AVSS‧‧‧接地端
OD‧‧‧汲極開路端子
AVDD‧‧‧內部電源端子
VDD‧‧‧外部電源端子
D1‧‧‧二極體
L1‧‧‧電感
D2‧‧‧齊納二極體
R3‧‧‧鉗位分壓電阻

Claims (9)

  1. 一種用於電感繼電器的驅動電路，所述驅動電路包括：驅動控制電路，用於在輸出驅動埠之間提供輸出驅動電壓；快速退磁電路，包括穩壓器件，所述快速退磁電路的一端連接至所述驅動控制電路的第一保護電阻和第二NMOS管的閘極，另一端連接至所述驅動控制電路的汲極開路端子，並且其中所述快速退磁電路用於維持鉗位電壓以進行快速退磁。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的驅動電路，其中，所述穩壓器件包括串聯連接的一個或多個齊納二極體。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的驅動電路，其中，所述穩壓器件包括閘極和汲極串聯連接的一個或多個NMOS管或PMOS管。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的驅動電路，其中，所述快速退磁電路還包括一個或多個鉗位分壓電阻，所述一個或多個鉗位分壓電阻與所述穩壓器件以可調整的順序串聯連接。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的驅動電路，其中，所述快速退磁電路還包括一個或多個二極體，所述一個或多個二極體與所述穩壓器件以可調整的順序串聯連接。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的驅動電路，其中，所述驅動電路的至少一部分位於集成晶片內。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的驅動電路，其中，所述驅動電路的至少一部分是片外分立器件。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的驅動電路，其中，所述快速退磁電路還包括鉗位分壓電阻和二極體，並且所述穩壓器件包括齊納二極體，並且其中，所述鉗位分壓電阻的一端連接至所述汲極開路端子，所述鉗位分壓電阻的另一端連接至所述二極體的正端，所述二極體的負端連接至所述齊納二極體的負端，所述齊納二極體的正端連接至所述第一保護電阻和所述第二NMOS管的閘極。
  9. 一種用於如申請專利範圍第1項所述的電感繼電器的驅動電路的快速退磁方法，包括： 使得所述驅動控制電路的汲極開路端子經由快速退磁電路、所述驅動控制電路的第一保護電阻和第一NMOS管與接地端連接以形成鉗位通路；使得所述汲極開路端子的電壓抬高至所述驅動控制電路的外部電源端子的電壓與鉗位電壓之和；以及使用所述快速退磁電路來維持所述鉗位電壓以進行快速退磁。
TW108123288A 2019-05-31 2019-07-02 用於電感繼電器的驅動電路和快速退磁方法 TWI690963B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910466619.4 2019-05-31
CN201910466619.4A CN110265262B (zh) 2019-05-31 2019-05-31 用于电感继电器的驱动电路和快速退磁方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TWI690963B true TWI690963B (zh) 2020-04-11
TW202046361A TW202046361A (zh) 2020-12-16

Family

ID=67916166

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW108123288A TWI690963B (zh) 2019-05-31 2019-07-02 用於電感繼電器的驅動電路和快速退磁方法

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN110265262B (zh)
TW (1) TWI690963B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111049117B (zh) * 2019-12-31 2021-12-07 西安翔腾微电子科技有限公司 一种用于负载端感应电流快速泄放的负反馈电路

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8040654B2 (en) * 2008-05-15 2011-10-18 Infineon Technologies Ag Relay controller for controlling an excitation current of a relay
CN103000448A (zh) * 2011-09-14 2013-03-27 英飞凌科技股份有限公司 继电器控制器
US8520356B2 (en) * 2009-05-14 2013-08-27 Michael Lenz Relay controller for defined hold current for a relay
CN106160063A (zh) * 2015-05-13 2016-11-23 意法半导体(鲁塞)公司 用于控制机电部件的操作状态改变的方法和相应设备
CN107306052A (zh) * 2016-04-19 2017-10-31 英飞凌科技股份有限公司 续流电压的控制
CN208874481U (zh) * 2018-09-28 2019-05-17 厦门著赫电子科技有限公司 一种电磁线圈节能驱动电路

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103035445A (zh) * 2012-12-17 2013-04-10 江苏元中直流微电网有限公司 大电流直流开关灭弧装置电路
CN203521321U (zh) * 2013-09-25 2014-04-02 比亚迪股份有限公司 继电器控制电路及接触器控制电路
KR20170013734A (ko) * 2015-07-28 2017-02-07 엘에스산전 주식회사 릴레이 구동 회로
CN106252158A (zh) * 2016-09-19 2016-12-21 北京新能源汽车股份有限公司 一种电磁继电器电路
EP3316274B1 (en) * 2016-10-28 2018-09-26 Samsung SDI Co., Ltd. Driver circuit for the operation of a relay
CN107179800B (zh) * 2017-07-12 2018-08-28 东莞华兴电器有限公司 一种带钳位功能的内部电源产生电路
US10009021B1 (en) * 2017-07-20 2018-06-26 Maxim Integrated Products, Inc. Discharge circuits for discharging inductors with temperature protection
CN208507582U (zh) * 2018-07-24 2019-02-15 厦门科华恒盛股份有限公司 一种继电器及其去磁电路

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8040654B2 (en) * 2008-05-15 2011-10-18 Infineon Technologies Ag Relay controller for controlling an excitation current of a relay
US8520356B2 (en) * 2009-05-14 2013-08-27 Michael Lenz Relay controller for defined hold current for a relay
CN103000448A (zh) * 2011-09-14 2013-03-27 英飞凌科技股份有限公司 继电器控制器
CN106160063A (zh) * 2015-05-13 2016-11-23 意法半导体(鲁塞)公司 用于控制机电部件的操作状态改变的方法和相应设备
CN107306052A (zh) * 2016-04-19 2017-10-31 英飞凌科技股份有限公司 续流电压的控制
CN208874481U (zh) * 2018-09-28 2019-05-17 厦门著赫电子科技有限公司 一种电磁线圈节能驱动电路

Also Published As

Publication number Publication date
TW202046361A (zh) 2020-12-16
CN110265262A (zh) 2019-09-20
CN110265262B (zh) 2021-07-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8972158B2 (en) Semiconductor device providing a current control function and a self shut down function
JP5733627B2 (ja) ゲートドライブ回路
CN103095226B (zh) 集成电路
CN103022996A (zh) 静电放电保护电路和静电放电保护方法
JP5729775B2 (ja) ターンオフ制御を有する電力トランジスタおよびその動作方法
JP2015177328A (ja) 半導体装置
CN107846759B (zh) 一种led驱动芯片
JP2017135532A (ja) 電圧検出回路及びチャージポンプ回路
JP2017168924A (ja) 半導体装置
US9559668B2 (en) Drive circuit and semiconductor apparatus
TWI690963B (zh) 用於電感繼電器的驅動電路和快速退磁方法
JP2024014878A (ja) 半導体装置
JP2015053612A (ja) 半導体集積回路
JP2020096444A (ja) スイッチング回路
CN107204761B (zh) 一种功率管驱动电路
JP4821394B2 (ja) 半導体素子駆動回路
US8941418B2 (en) Driving circuits with power MOS breakdown protection and driving methods thereof
JP2018142763A (ja) 誘導性負荷駆動回路、及び、その制御方法
US10855267B2 (en) Electronic switch and electronic apparatus including the same
CN107086863B (zh) 用于功率开关的驱动电路
RU2653179C2 (ru) Схема и способ для оптимизации диапазона входного напряжения интегральной микросхемы
US8692589B2 (en) Semiconductor element driving circuit and semiconductor device
KR20170076497A (ko) 드라이브 회로
JP2010224951A (ja) 電流駆動回路
WO2020035712A1 (ja) スイッチング回路