TWI687747B - 透明發光裝置顯示器 - Google Patents

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Abstract

一種根據本申請案的例示性實施例的透明發光裝置顯示器，包括：透明基板；至少一個發光裝置，設置於透明基板上；以及第一共同電極佈線單元、第二共同電極佈線單元以及訊號電極佈線單元，設置於透明基板上，其中第一共同電極佈線單元、第二共同電極佈線單元以及訊號電極佈線單元包括金屬網格圖案。

Description

透明發光裝置顯示器
本申請案主張2017年9月26日在韓國智慧財產局申請之韓國專利申請案第10-2017-0124169號之優先權及權益，其全部內容以引用的方式併入本文中。
本申請案是關於一種透明發光裝置顯示器。
近來，韓國在公園及城鎮中心建立各種外部照明以及彩色指示牌，且經由高技術資訊與通訊技術(information and communication technology；ICT)及發光二極體(light emitting diode；LED)技術的彙聚為城市居民提供資訊及吸引。特定言之，使用透明電極材料的透明LED顯示器在玻璃之間採用LED，且優勢在於看不到線，因此有可能顯示高品質的光。因此，在旅館、百貨商店以及類似者的內部利用透明LED顯示器，且透明LED顯示器在實施建築外牆的媒體外觀中的重要性正在增加。
根據智慧型裝置的傳播，對透明電極的需求為爆發性的，透明電極為透明的、電引導且用於觸控螢幕以及類似者，且透明電極當中使用最廣泛的透明電極為氧化銦錫(indium tin oxide；ITO)，即銦與錫的氧化物。然而，銦(此為ITO透明電極 的材料的主原料)的儲量在全球範圍內並非在很大程度上可用，且銦僅在一些國家中生產，諸如中國，且銦的生產成本較高。另外，銦的不足之處在於銦具有高電阻值且不呈現恆定電阻值，因此LED的表示光束無法顯示所需亮度且亮度不均一。因此，利用ITO的透明LED在用作高效能及低成本的透明電極材料上具有限制性。
事實為，ITO已最主要地用作透明電極材料，但歸因於經濟可行性、受限效能以及類似者的限制，利用新材料的研究及技術開發在持續進行。作為以下一代新材料吸引注意的透明電極材料，存在金屬網格、Ag奈米線、碳奈米管(carbon nano tube；CNT)、導電聚合物、石墨烯以及類似者。其中，金屬網格為佔據取代ITO的材料的85%的新材料，成本較低且具有高導電性，因此金屬網格的市場在金屬網格的利用率方面擴展了。
與現有透明顯示器相比，利用金屬網格的透明LED顯示器具有極佳導電性，易於修理及維護，能夠節省資源，能夠顯著防止環境污染且因降低了製造成本而為經濟的。另外，利用金屬網格的透明LED顯示器可廣泛應用於各種用途，且可作為新的透明電極材料應用及利用於各種產品。
本申請案旨在提供一種使用金屬網格圖案的透明發光裝置顯示器。
本申請案的例示性實施例提供一種透明發光裝置顯示器，包括：透明基板；至少兩個發光裝置，設置於透明基板上； 以及第一共同電極佈線單元、第二共同電極佈線單元以及訊號電極佈線單元，設置於透明基板上，其中第一共同電極佈線單元、第二共同電極佈線單元以及訊號電極佈線單元包括金屬網格圖案，且金屬網格圖案設置於區域中，區域具有透明基板的上部表面的整個面積的80%或大於80%的面積，至少兩個發光裝置與訊號電極佈線單元串聯連接，金屬網格圖案由平行於串聯連接方向的平行線及垂直於平行線的垂直線形成，且由方程式2表示的每單位面積平行線的封閉比率與由方程式1表示的每單位面積垂直線的封閉比率的比率為1.5至10。
[方程式1]每單位面積垂直線的封閉比率(%)=(W1/P1)×100
[方程式2]每單位面積平行線的封閉比率(%)=(W2/P2)×100
在方程式1及方程式2中，W1為垂直線的線寬，P1為垂直線的間距，W2為平行線的線寬，且P2為平行線的間距。
根據本申請案的例示性實施例，有可能藉由將金屬網格圖案施加於第一共同電極佈線單元、第二共同電極佈線單元以及訊號電極佈線單元來降低線的能見度，在所述金屬網格圖案中，垂直線及平行線的線寬、間距以及類似者經調節。另外，金屬網格圖案設置於除設置了發光裝置的區域以外的透明基板的上部表面的有效螢幕單元的整個區域上，因此有可能將共同電極佈線單元的範圍最大化且減小電阻。
另外，根據本申請案的例示性實施例，有可能藉由使第一共同電極佈線單元、第二共同電極佈線單元以及訊號電極佈線 單元的金屬網格圖案彼此分離的不連接部分的寬度最小化，來降低線的能見度。
另外，根據本申請案的例示性實施例，有可能藉由減小垂直於電流方向的垂直線的封閉比率來在不損失電阻的情況下增大金屬網格圖案的孔徑比。
10:平行線
20:垂直線
30:第一共同電極佈線單元
40:第二共同電極佈線單元
50:訊號電極佈線單元
60:不連接部分
70:第一共同電極襯墊單元
80:第二共同電極襯墊單元
90:訊號電極襯墊單元
100:電容器襯墊單元
110:線寬
120:線高
130:間距
140:透明基板
150:金屬網格圖案
圖1為示意性地示出根據本申請案的例示性實施例的透明發光裝置顯示器的電極佈線的簡圖。
圖2為示意性地示出根據本申請案的實例1的金屬網格圖案的簡圖。
圖3為示意性地示出根據本申請案的實例2的金屬網格圖案的簡圖。
圖4為示意性地示出根據本申請案的實例3的金屬網格圖案的簡圖。
圖5為示意性地示出根據本申請案的比較例1的金屬網格圖案的簡圖。
圖6為示意性地示出根據本申請案的比較例2的金屬網格圖案的簡圖。
圖7為示意性地示出根據本申請案的比較例3的金屬網格圖案的簡圖。
圖8為示意性地示出根據本申請案的比較例4的金屬網格圖案的簡圖。
圖9為示意性地示出根據本申請案的例示性實施例的金屬網格圖案的線寬、線高以及間距的簡圖。
在下文中，將詳細地描述本申請案。
透明發光二極體(LED)顯示器經由提供服務及製造盛大場面的資訊為城市居民提供各種吸引，且各個領域對透明發光二極體的需求正在增加。事實為，迄今為止，氧化銦錫(ITO)已最主要地用作透明電極材料，但歸因於經濟可行性、受限效能以及類似者的限制，利用新材料的研究及技術開發在持續進行。
更特定而言，在實施透明LED顯示器的先前技術中，藉由採用Ag奈米線或透明金屬氧化物(ITO、氧化銦鋅(indium zinc oxide；IZO)以及類似者)來形成透明電極佈線。然而，AG奈米線或透明金屬氧化物(ITO、IZO以及類似者)具有高電阻，但歸因於所驅動LED的數目的限制，在製造具有大面積的透明LED顯示器上存在限制。另外，當增加Ag奈米線或透明金屬氧化物的厚度以便減小電阻時，存在透明LED顯示器的透射率劣化的問題。
就此而言，本申請案的特徵在於，為了提供一種具有極佳電阻特性及能見度的透明發光裝置顯示器，將金屬網格圖案施加於透明發光裝置顯示器的透明電極佈線。
金屬網格圖案可使用增大金屬網格圖案的線寬或間距的方法以提高透射率。然而，當金屬網格圖案的線寬或間距增大時，可存在電阻增大的問題。就此而言，在本申請案中，藉由減小垂直於電流方向的線的封閉比率來在不損失電阻的情況下增大金屬 網格圖案的孔徑比。
一種根據本申請案的例示性實施例的透明發光裝置顯示器，包括：透明基板；至少兩個發光裝置，設置於透明基板上；以及第一共同電極佈線單元、第二共同電極佈線單元以及訊號電極佈線單元，設置於透明基板上，其中第一共同電極佈線單元、第二共同電極佈線單元以及訊號電極佈線單元包括金屬網格圖案，金屬網格圖案設置於區域中，區域具有透明基板的上部表面的總面積的80%或大於80%的面積，至少兩個發光裝置與訊號電極佈線單元串聯連接，金屬網格圖案由平行於串聯連接方向的平行線及垂直於平行線的垂直線形成，且由方程式2表示的每單位面積平行線的封閉比率與由方程式1表示的每單位面積垂直線的封閉比率的比率為1.5至10。
在本申請案中，平行於串聯連接方向的平行線不僅意謂完全平行於串聯連接方向的線，且亦可包括具有±2°平行偏差的平行線。另外，垂直於平行線的垂直線不僅意謂完全垂直於平行線的線，且亦可包括具有±5°垂直偏差的垂直線。
根據本申請案的例示性實施例，僅平行於串聯連接方向的平行線才涉及電阻，因此有可能在不損失金屬網格圖案的電阻的情況下增大孔徑比。
當由方程式2表示的每單位面積平行線的封閉比率與由方程式1表示的每單位面積垂直線的封閉比率的比率小於1.5時，改良透射率或電阻的效果可能極小。另外，當由方程式2表示的每單位面積平行線的封閉比率與由方程式1表示的每單位面積垂直線的封閉比率的比率大於10時，短路易損性可能增大或線可能 超出圖案實施效能，且可存在看到圖案的問題。
由方程式2表示的每單位面積平行線的封閉比率與由方程式1表示的每單位面積垂直線的封閉比率的比率可更佳地為1.5至6，但不限於此。
在本申請案中，平行線的線寬可大於或等於垂直線的線寬。另外，由下文方程式3表示的每單位面積金屬網格圖案的封閉比率可為5%至30%。
[方程式3]每單位面積金屬網格圖案的封閉比率(%)={(P2×W1+P1×W2-W1×W2)/(P1×P2)}×100
在方程式3中，W1、W2、P1以及P2具有與方程式1及方程式2的彼等定義相同的定義。
當由方程式3表示的每單位面積金屬網格圖案的封閉比率小於5%時，可存在未驅動LED的問題，且當由方程式3表示的每單位面積金屬網格圖案的封閉比率超過30%時，存在透射率降低的問題，使得金屬網格圖案無法充當透明電極。
由方程式3表示的每單位面積金屬網格圖案的封閉比率可更佳地為5%至20%，但不限於此。
在本申請案的例示性實施例中，至少四個電極襯墊單元可設置於透明基板與發光裝置中之每一者之間，所述至少四個電極襯墊單元將第一共同電極佈線單元、第二共同電極佈線單元以及訊號電極佈線單元與發光裝置電性連接。在此情況下，金屬網格圖案可能未設置於如圖1中所示出的至少四個電極襯墊單元當中的至少局部區域中。
在本申請案的例示性實施例中，兩個或更多個發光裝置可設置於透明基板上，且兩個或更多個發光裝置可與訊號電極佈線單元串聯連接。發光裝置的數目可由所屬領域中具通常知識者考慮透明發光裝置顯示器的用途而適當地選擇，且不受特定限制。更特定而言，發光裝置的數目涉及電極的電阻，且當電極具有足夠低的電阻且顯示器的面積較大時，發光裝置的數目可增加。當相同面積中的發光裝置的數目增加時，解析度變高，且當發光裝置的數目以相同間隔增加時，顯示器的面積可增大且電源單元的電線可減少，因此可由所屬領域中具通常知識者考慮透明發光裝置顯示器的用途而適當地選擇發光裝置的數目。
在本申請案的例示性實施例中，兩個或更多個發光裝置可與訊號電極佈線單元串聯連接，且可與第一共同電極佈線單元及第二共同電極佈線單元並聯連接。第一共同電極佈線單元及第二共同電極佈線單元提供足以驅動發光裝置的電流的量，且可僅以低電流傳輸發光裝置的色彩訊號，因此第一共同電極佈線單元及第二共同電極佈線單元可與訊號電極佈線單元串聯連接。當所有發光裝置分別經由其電極與電源單元並聯連接(不在本申請案的結構中)用於驅動及傳輸所有發光裝置的訊號時，有必要根據發光裝置的安置距離改變每一電極寬度以便符合電阻值(連接至最遠發光裝置的電極的寬度最大)，且歸因於根據提供了多個發光裝置的特性的電極安置區域的空間限制而難以組態低電阻的電極。
在本申請案的例示性實施例中，訊號電極佈線單元可設置於第一共同電極佈線單元與第二共同電極佈線單元之間。
在本申請案的例示性實施例中，第一共同電極佈線單元可為正(+)共同電極佈線單元，且第二共同電極佈線單元可為負(-)共同電極佈線單元。另外，第一共同電極佈線單元可為負(-)共同電極佈線單元，且第二共同電極佈線單元可為正(+)共同電極佈線單元。
圖1中示意性地示出根據本申請案的例示性實施例的透明發光裝置顯示器的電極佈線。
根據本申請案的例示性實施例，通道在結構中形成，在所述結構中訊號電極佈線單元穿過正(+)共同電極佈線單元與負(-)共同電極佈線單元之間，因此每一發光裝置不具有單獨電極線，且可作為共同電極連接至正(+)共同電極佈線單元及負(-)共同電極佈線單元。
在本申請案的例示性實施例中，至少四個電極襯墊單元可設置於透明基板與發光裝置中之每一者之間，所述至少四個電極襯墊單元將第一共同電極佈線單元、第二共同電極佈線單元以及訊號電極佈線單元與發光裝置電性連接。根據本申請案的例示性實施例，四個電極襯墊單元可設置於透明基板與發光裝置中之每一者之間，所述四個電極襯墊單元將第一共同電極佈線單元、第二共同電極佈線單元以及訊號電極佈線單元與發光裝置連接。
在本申請案的例示性實施例中，四個電極襯墊單元可包括兩個訊號電極襯墊單元、一個第一共同電極襯墊單元以及一個第二共同電極襯墊單元。兩個訊號電極襯墊單元為發光裝置的訊號進出襯墊單元，且可分別設置於訊號電極佈線單元的遠端處，且第一共同電極襯墊單元及第二共同電極襯墊單元可分別設置於 第一共同電極佈線單元及第二共同電極佈線單元的遠端處。遠端意謂區域，在所述區域上，發光裝置經設置且與第一共同電極佈線單元、第二共同電極佈線單元以及訊號電極佈線單元電性連接。
另外，至少一個電容器襯墊單元可額外設置於透明基板上。在本申請案的例示性實施例中，電容器襯墊單元的數目可為兩個。
電容器襯墊單元為電容器所附接至的襯墊，且電容器可用來使供應至發光裝置的電流穩定。
圖1中示意性地示出根據本申請案的例示性實施例的透明發光裝置顯示器的電極襯墊單元。圖1為示出透明發光裝置顯示器包括四個電極襯墊單元及兩個電容器襯墊單元的情況的簡圖。
更特定而言，在圖1中，第一共同電極佈線單元30可為正(+)共同電極佈線單元且第二共同電極佈線單元40可為負(-)共同電極佈線單元。另外，在圖1中，訊號電極襯墊單元90(此為發光裝置的訊號進出襯墊單元)為設置成連接至訊號電極佈線單元50的遠端的電極襯墊單元，第一共同電極襯墊單元70(此為發光裝置的正(+)襯墊單元)為設置成連接至正(+)共同電極佈線單元的遠端的電極襯墊單元，且第二共同電極襯墊單元80(此為發光裝置的負(-)襯墊單元)為設置成連接至負(-)共同電極佈線單元的遠端的電極襯墊單元。另外，電容器襯墊單元100可包括電容器正(+)襯墊單元及負(-)襯墊單元。
第一共同電極襯墊單元、第二共同電極襯墊單元、訊號電極襯墊單元以及電容器襯墊單元中之每一者不包括金屬網格圖 案，且襯墊單元中之每一者的整個區域可由金屬形成。更特定而言，第一共同電極襯墊單元、第二共同電極襯墊單元以及訊號電極襯墊單元為藉由熔接發光裝置隱藏的部分，因此第一共同電極襯墊單元、第二共同電極襯墊單元以及訊號電極襯墊單元不包括金屬網格圖案，且第一共同電極襯墊單元、第二共同電極襯墊單元以及訊號電極襯墊單元中之每一者的整個區域可由金屬形成。
電極襯墊單元與電容器襯墊單元之間的間隙可獨立地為0.1毫米至1毫米。藉由間隙，有可能防止鑒於對焊錫膏進行網版印刷以供在之後形成發光裝置時的空隙的短路現象。
電極襯墊單元及電容器襯墊單元的形式不受特定限制，且可為四邊形。另外，電極襯墊單元及電容器襯墊單元的大小中的每一者可為0.1平方毫米至1平方毫米，但不限於此。
四個電極襯墊單元可接合至一個發光裝置。亦即，在本申請案的例示性實施例中，當多個發光裝置設置於透明基板上時，發光裝置中之每一者可接合至四個電極襯墊單元。
在本申請案的例示性實施例中，第一共同電極襯墊單元、第二共同電極襯墊單元以及訊號電極襯墊單元可包括金屬網格圖案，且金屬網格圖案可設置於除設置了發光裝置的區域以外的透明基板的上部表面的有效螢幕單元的整個區域中。更特定而言，金屬網格圖案可設置於具有透明基板的上部表面的整個面積的80%或大於80%的面積的區域中，且可設置於具有99.5%或小於99.5%的面積的區域中。另外，金屬網格圖案可設置於具有基於透明基板的上部表面的整個面積的80%或大於80%的面積的區域中，所述區域中不包含設置於透明基板上的FPCB襯墊單元區域 及發光裝置襯墊單元區域，且金屬網格圖案可設置於具有99.5%或小於99.5%的面積的區域中。在本申請案中，FPCB襯墊單元區域包括施加外部功率的FPCB襯墊單元，且FPCB襯墊單元區域的面積可等於或大於FPCB襯墊單元的整個面積，且等於或小於FPCB襯墊單元的整個面積的三倍。另外，在本申請案中，發光裝置襯墊單元區域可包括電極襯墊單元，且發光裝置襯墊單元區域的面積可等於或大於電極襯墊單元的整個面積的1.5倍，且等於或小於電極襯墊單元的整個面積的三倍。
在本申請案的例示性實施例中，所屬領域中的圖案形式可用作第一共同電極佈線單元、第二共同電極佈線單元以及訊號電極佈線單元的金屬網格圖案。更特定而言，金屬網格圖案可包括四邊形圖案。
金屬網格圖案可設置於除設置了發光裝置的區域以外的透明基板的上部表面的有效螢幕單元的整個區域中，因此有可能確保可最大限度允許的佈線區域，從而改良透明發光裝置顯示器的電阻特性。更特定而言，金屬網格圖案的表面電阻可為0.1歐/平方(Ω/sq)或小於0.1歐/平方。
金屬網格圖案的間距可為100微米至1,000微米、可為100微米至600微米以及100微米至300微米，但可由所屬領域中具通常知識者基於所需透射率及導電性來調節。
金屬網格圖案的材料不受特定限制，但可包括金屬及金屬合金中之一或多者。金屬網格圖案可包括金、銀、鋁、銅、釹、鉬、鎳或其合金，但不限於此。
金屬網格圖案的線高不受特定限制，但可鑒於金屬網格 圖案的導電性及形成金屬網格圖案的製程的經濟可行性而為1微米或大於1微米，且可為20微米或小於20微米，且可為10微米或小於10微米。更特定而言，金屬網格圖案的線高可為1微米至20微米，且可為1微米至10微米。
金屬網格圖案的線寬可為50微米或小於50微米，且可為40微米或小於40微米，但不限於此。金屬網格圖案的較小線寬在透射率及線的能見度方面可為有利的，但可能導致電阻減小，且在此情況下，當金屬網格圖案的線高較高時，有可能改良電阻的減小。金屬網格圖案的線寬可為5微米或大於5微米。
金屬網格圖案的孔徑比(亦即未由圖案覆蓋的面積的比率)可為70%或大於70%、85%或大於85%，或95%或大於95%。
在本申請案的例示性實施例中，金屬網格圖案的孔徑比可意謂基於透明基板的上部部分的面積未由金屬網格圖案覆蓋的面積的比率，且金屬網格圖案的封閉比率可意謂基於透明基板的上部部分的面積由金屬網格圖案覆蓋的面積的比率。
在本申請案的例示性實施例中，第一共同電極佈線單元、第二共同電極佈線單元以及訊號電極佈線單元的金屬網格圖案可藉由其中未設置金屬網格圖案的不連接部分60彼此分離。不連接部分意謂金屬網格圖案的一部分在其中不連接以切斷電連接的區域。不連接部分的寬度可意謂彼此間隔開的第一共同電極佈線單元、第二共同電極佈線單元以及訊號電極佈線單元當中的最鄰近遠端之間的距離。不連接部分的寬度可為80微米或小於80微米、可為60微米或小於60微米、可為40微米或小於40微米，且可為30微米或小於30微米，但不限於此。不連接部分的寬度 可為5微米或大於5微米。
在本申請案的例示性實施例中，有可能藉由使不連接部分的寬度最小化來降低線的能見度，所述不連接部分使第一共同電極佈線單元、第二共同電極佈線單元以及訊號電極佈線單元的金屬網格圖案分離。
另外，圖9中示意性地示出根據本申請案的例示性實施例的金屬網格圖案150的線寬110、線高120以及間距130。可藉由使用所屬領域中熟知的方法來量測金屬網格圖案的線寬、線高以及間距。舉例而言，方法可包括觀測及量測掃描電子顯微鏡(scanning electron microscope；SEM)橫截面的方法、使用無接觸表面形狀量測裝置(光學測繪器)的量測方法、使用劃針表面步進量測裝置(阿爾法步進或表面測繪器)的量測方法，以及類似方法。
在本申請案的例示性實施例中，第一共同電極佈線單元、第二共同電極佈線單元以及訊號電極佈線單元的金屬網格圖案中之每一者亦可藉由獨立印刷製程形成，且亦可同時藉由一個印刷製程形成。因此，第一共同電極佈線單元、第二共同電極佈線單元以及訊號電極佈線單元的金屬網格圖案可具有相同線高。在本申請案中，金屬網格圖案的相同線高意謂線高的標準偏差為10%或小於10%，較佳地為5%或小於5%，且更佳地為2%或小於2%。
在本申請案的例示性實施例中，使用印刷方法來形成第一共同電極佈線單元、第二共同電極佈線單元以及訊號電極佈線單元的金屬網格圖案，因此有可能在透明基板140上形成第一共 同電極佈線單元、第二共同電極佈線單元以及訊號電極佈線單元的具有較小線寬且精確的金屬網格圖案。印刷方法不受特定限制，且可將平版印刷、網版印刷、凹版印刷、柔版印刷、噴墨印刷、奈米壓印以及類似者用作印刷方法，且亦可使用包括平版印刷、網版印刷、凹版印刷、柔版印刷、噴墨印刷以及奈米壓印中之一或多者的複雜方法。印刷方法可使用卷對卷方法、卷對板方法、板對卷方法或板對板方法。
在本申請案的例示性實施例中，為實施精確金屬網格圖案，可應用逆向平版印刷方法。為此目的，在本申請案中，可進行一方法，其中使矽類橡膠的上部部分(稱為毯狀層(blanket))全部塗佈有油墨，此可在蝕刻期間充當光阻，首先經由在其中刻有稱為鉛版(cliché)的圖案的凹雕自毯狀層移除不必要的部分，其次將留在毯狀層上的印刷圖案轉印至在其上沈積金屬及類似物的基底材料，諸如膜或玻璃，且接著經由塑化及蝕刻製程形成所需圖案。當使用所述方法時，使用在其上沈積金屬的基底材料，因此確保整個區域中線高的均一性且因而存在以下優勢：有可能均一地保持厚度方向上的電阻。另外，本申請案可包括直接印刷方法，其中藉由使用逆向平版印刷方法直接印刷導電油墨且接著使導電油墨塑化以形成所需圖案。在此情況下，可藉由施加壓印壓力使圖案的線高平化，且可藉由旨在經由相互表面熔接來連接金屬奈米粒子的熱塑性製程或微波塑化製程、雷射局部塑化製程以及類似製程來給定導電性。
在本申請案中，可將所屬領域中已知的玻璃基板或塑膠基板用作透明基板，但透明基板不受特定限制於此。
在本申請案中，可藉由使用所屬領域中已知的材料及方法形成設置於透明基板上的發光裝置。
在下文中，將經由實例來例示本說明書中所描述的例示性實施例。然而，此不意欲藉由實例限制例示性實施例的範圍。
<實例>
<實例1>
對織品及乾膜光阻(dry film resist；DFR)(朝日化工(Asahi Chemical Industry)的SPG-152)進行層壓，在所述織品中，透明膜(聚酯膜V7200，SKC公司)鍍覆有Cu。接著，藉由使用圖案光罩使層壓材料曝光，且接著使所述層壓材料顯影以形成所需DFR圖案。接著，藉由蝕刻Cu及剝離DFR來製造所需Cu佈線圖案。
圖2中表示實例1的Cu佈線圖案的形式。
實例1的Cu佈線圖案的平行線10的間距為200微米，平行線的線寬為20微米，垂直線20的間距為400微米，且垂直線的線寬為20微米。另外，Cu線圖案的平行線及垂直線的線高為2微米。
<實例2>
除圖3中所示出的Cu佈線圖案的形式以外，與實例1的方法相同地進行方法。
實例2的Cu佈線圖案的平行線的間距為200微米，平行線的線寬為20微米，垂直線的間距為400微米，且垂直線的線寬為20微米。另外，Cu線圖案的平行線及垂直線的線高為2微米。
<實例3>
除圖4中所示出的Cu佈線圖案的形式以外，與實例1的方法相同地進行方法。
實例3的Cu佈線圖案的平行線的間距為200微米，平行線的線寬為32微米，垂直線的間距為200微米，且垂直線的線寬為8微米。另外，Cu線圖案的平行線及垂直線的線高為2微米。
<實例4>
除在實例1中採用的Cu佈線圖案的平行線的間距為100微米、採用的平行線的線寬為25微米、採用的垂直線的間距為300微米且採用的垂直線的線寬為25微米，以及採用的Cu線圖案的平行線及垂直線的線高為8微米以外，與實例1的方法相同地進行方法。
<實例5>
除採用的Cu佈線圖案的平行線的間距為100微米、採用的平行線的線寬為25微米、採用的垂直線的間距為600微米且採用的垂直線的線寬為25微米，以及採用的Cu線圖案的平行線及垂直線的線高為8微米以外，與實例1的方法相同地進行方法。
<實例6>
除在實例1中採用的Cu佈線圖案的平行線的間距為200微米、採用的平行線的線寬為25微米、採用的垂直線的間距為600微米且採用的垂直線的線寬為25微米，以及採用的Cu線圖案的平行線及垂直線的線高為8微米以外，與實例1的方法相同地進行方法。
<比較例1>
除圖5中所示出的Cu佈線圖案的形式以外，與實例1的 方法相同地進行方法。
比較例1的Cu佈線圖案的平行線的間距為200微米，平行線的線寬為20微米，垂直線的間距為200微米，且垂直線的線寬為20微米。另外，Cu線圖案的平行線及垂直線的線高為2微米。
<比較例2>
除圖6中所示出的Cu佈線圖案的形式以外，與實例1的方法相同地進行方法。
比較例2的Cu佈線圖案的間距為200微米且Cu佈線圖案的線寬為20微米。另外，Cu線圖案的線高為2微米。
<比較例3>
除圖7中所示出的Cu佈線圖案的形式以外，與實例1的方法相同地進行方法。比較例3的Cu佈線圖案為僅由平行線而無垂直線形成的圖案。
比較例3的Cu佈線圖案的平行線的間距為200微米且Cu佈線圖案的線寬為20微米。另外，Cu佈線圖案的平行線的線高為2微米。
<比較例4>
除圖8中所示出的Cu佈線圖案的形式以外，與實例1的方法相同地進行方法。
實例4的Cu佈線圖案的平行線的間距為200微米，平行線的線寬為8微米，垂直線的間距為200微米，且垂直線的線寬為32微米。另外，Cu線圖案的平行線及垂直線的線高為2微米。
<比較例5>
除採用的Cu佈線圖案的平行線的間距為100微米、採用的平行線的線寬為25微米、採用的垂直線的間距為100微米且採用的垂直線的線寬為25微米，以及採用的Cu線圖案的平行線及垂直線的線高為8微米以外，與比較例1的方法相同地進行方法。
<比較例6>
除在比較例1中採用的Cu佈線圖案的平行線的間距為300微米、採用的平行線的線寬為25微米、採用的垂直線的間距為300微米且採用的垂直線的線寬為25微米，以及採用的Cu線圖案的平行線及垂直線的線高為8微米以外，與比較例1的方法相同地進行方法。
<實驗例1>
對實例1至實例3以及比較例1至比較例4的Cu佈線圖案的封閉比率、通道電阻以及短路易損性進行評估且表示於下表1中。
藉由方程式1至方程式3計算Cu佈線圖案的封閉比率，且通道電阻為藉由量測具有17毫米長度及1.2毫米寬度的通道的兩個遠端的電阻而獲得的線性電阻值。另外，對短路易損性而言，在因外來物質流入導致線短路的情況下，整個線電性短路的情況由「NG」指示且一些線短路但電路徑可旁路的情況由「OK」指示。
Figure 107133722-A0305-02-0021-1
Figure 107133722-A0305-02-0022-2
A：每單位面積平行線的封閉比率
B：每單位面積垂直線的封閉比率
<實驗例2>
對實例4及實例5以及比較例5的Cu佈線圖案的封閉比率、通道電阻以及電極透射率進行評估且表示於下表2中。
藉由方程式1至方程式3計算Cu佈線圖案的封閉比率，且通道電阻為藉由量測具有660毫米長度及12毫米寬度的通道的兩個遠端的電阻而獲得的線性電阻值。藉由使用日本電色公司(Nippon Denshoku Company)的COH-400設備量測金屬網格圖案部分的透射率同時避開LED襯墊單元來獲得透射率。
Figure 107133722-A0305-02-0022-3
A：每單位面積平行線的封閉比率
B：每單位面積垂直線的封閉比率
<實驗例3>
對實例6及比較例6的Cu佈線圖案的封閉比率、通道電阻以及LED照明進行評估且表示於下表3中。
藉由方程式1至方程式3計算Cu佈線圖案的封閉比率，且通道電阻為藉由量測具有660毫米長度及12毫米寬度的通道的兩個遠端的電阻而獲得的線性電阻值。另外，LED照明基於最終串聯連接LED是否接通，以及最終串聯連接LED接通的情況由「OK」指示，且最終串聯連接LED未接通的情況由「NG」指示。
Figure 107133722-A0305-02-0023-4
A：每單位面積平行線的封閉比率
B：每單位面積垂直線的封閉比率
如可自結果所見，根據本申請案的例示性實施例，有可能藉由將金屬網格圖案施加於第一共同電極佈線單元、第二共同電極佈線單元以及訊號電極佈線單元來降低線的能見度，在所述金屬網格圖案中，垂直線及平行線的線寬、間距以及類似者經調節。另外，金屬網格圖案設置於除設置了發光裝置的區域以外的透明基板的上部表面的有效螢幕單元的整個區域上，因此有可能將共同電極佈線單元的範圍最大化且減小電阻。
另外，根據本申請案的例示性實施例，有可能藉由使第一共同電極佈線單元、第二共同電極佈線單元以及訊號電極佈線單元的金屬網格圖案彼此分離的不連接部分的寬度最小化，來降低線的能見度。
另外，根據本申請案的例示性實施例，有可能藉由減小垂直於電流方向的垂直線的封閉比率來在不損失電阻的情況下增大金屬網格圖案的孔徑比。
30‧‧‧第一共同電極佈線單元
40‧‧‧第二共同電極佈線單元
50‧‧‧訊號電極佈線單元
60‧‧‧不連接部分
70‧‧‧第一共同電極襯墊單元
80‧‧‧第二共同電極襯墊單元
90‧‧‧訊號電極襯墊單元
100‧‧‧電容器襯墊單元

Claims (12)

  1. 一種透明發光裝置顯示器，包括：透明基板；至少兩個發光裝置，設置於所述透明基板上；以及第一共同電極佈線單元、第二共同電極佈線單元以及訊號電極佈線單元，設置於所述透明基板上，其中所述第一共同電極佈線單元、所述第二共同電極佈線單元以及所述訊號電極佈線單元包括金屬網格圖案，且所述金屬網格圖案設置於區域中，所述區域具有所述透明基板的上部表面的整個面積的80%或大於80%的面積，所述至少兩個發光裝置與所述訊號電極佈線單元串聯連接，所述金屬網格圖案由平行於所述串聯連接的方向的平行線及垂直於所述平行線的垂直線形成，所述第一共同電極佈線單元、所述第二共同電極佈線單元以及所述訊號電極佈線單元的所述金屬網格圖案藉由不連接部分彼此分離，在所述不連接部分中未設置所述金屬網格圖案，以及由方程式2表示的每單位面積所述平行線的封閉比率與由方程式1表示的每單位面積所述垂直線的封閉比率的比率為1.5至10：[方程式1]每單位面積垂直線的封閉比率(%)=(W1/P1)×100[方程式2]每單位面積平行線的封閉比率(%)=(W2/P2)×100在所述方程式1及所述方程式2中，W1為所述垂直線的線 寬，P1為所述垂直線的間距，W2為所述平行線的線寬，以及P2為所述平行線的間距。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的透明發光裝置顯示器，其中由所述方程式2表示的所述每單位面積所述平行線的封閉比率與由所述方程式1表示的所述每單位面積所述垂直線的封閉比率的所述比率為1.5至6。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的透明發光裝置顯示器，其中所述平行線的所述線寬大於或等於所述垂直線的所述線寬。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的透明發光裝置顯示器，其中由方程式3表示的每單位面積所述金屬網格圖案的封閉比率為5%至30%：[方程式3]每單位面積金屬網格圖案的封閉比率(%)={(P2×W1+P1×W2-W1×W2)/(P1×P2)}×100在所述方程式3中，W1、W2、P1以及P2具有與如申請專利範圍第1項所述的定義相同的定義。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的透明發光裝置顯示器，其中至少四個電極襯墊單元設置於所述透明基板與所述發光裝置中之每一者之間，所述至少四個電極襯墊單元將所述第一共同電極佈線單元、所述第二共同電極佈線單元以及所述訊號電極佈線單元與所述發光裝置電性連接，以及所述至少四個電極襯墊單元包括兩個訊號電極襯墊單元、一個第一共同電極襯墊單元以及一個第二共同電極襯墊單元。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的透明發光裝置顯示器，其 中所述訊號電極佈線單元設置於所述第一共同電極佈線單元與所述第二共同電極佈線單元之間。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的透明發光裝置顯示器，其中所述金屬網格圖案的線寬為50微米或小於50微米，所述金屬網格圖案的間距為100微米至1,000微米，以及所述金屬網格圖案的線高為1微米或大於1微米。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的透明發光裝置顯示器，其中所述不連接部分的寬度為80微米或小於80微米。
  9. 如申請專利範圍第5項所述的透明發光裝置顯示器，其中所述電極襯墊單元中之每一者的大小獨立地為0.1平方毫米至1平方毫米。
  10. 如申請專利範圍第5項所述的透明發光裝置顯示器，其中所述至少四個電極襯墊單元當中的所述電極襯墊單元之間的間隙獨立地為0.1毫米至1毫米。
  11. 如申請專利範圍第1項所述的透明發光裝置顯示器，其中所述金屬網格圖案包括金、銀、鋁、銅、釹、鉬、鎳或其合金。
  12. 如申請專利範圍第1項所述的透明發光裝置顯示器，其中至少一個電容器襯墊單元額外設置於所述透明基板上。
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