TWI703748B - 用於透明發光裝置顯示器的電極基板及其製造方法 - Google Patents

用於透明發光裝置顯示器的電極基板及其製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI703748B
TWI703748B TW107133683A TW107133683A TWI703748B TW I703748 B TWI703748 B TW I703748B TW 107133683 A TW107133683 A TW 107133683A TW 107133683 A TW107133683 A TW 107133683A TW I703748 B TWI703748 B TW I703748B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
emitting device
unit
electrode
transparent
substrate
Prior art date
Application number
TW107133683A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201921750A (zh
Inventor
孫鏞久
金姝延
李建錫
李承憲
Original Assignee
南韓商Lg化學股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 南韓商Lg化學股份有限公司 filed Critical 南韓商Lg化學股份有限公司
Publication of TW201921750A publication Critical patent/TW201921750A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI703748B publication Critical patent/TWI703748B/zh

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005Processes
    • H01L33/0062Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0066Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H01L33/387Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape with a plurality of electrode regions in direct contact with the semiconductor body and being electrically interconnected by another electrode layer
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005Processes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005Processes
    • H01L33/0095Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40Materials therefor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40Materials therefor
    • H01L33/42Transparent materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0016Processes relating to electrodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

一種根據本申請案的例示性實施例的用於透明發光裝置顯示器的電極基板,包括:透明基板;導線電極單元,所述導線電極單元設置於透明基板上且包括金屬網格圖案;以及至少一個發光裝置安裝單元,設置於透明基板上,其中導線電極單元的金屬網格圖案的上表面及側表面兩者包括暗化層圖案,以及發光裝置安裝單元的上表面及側表面兩者不包括暗化層圖案。

Description

用於透明發光裝置顯示器的電極基板及其製造方法
本申請案主張2017年9月26日在韓國智慧財產局申請的韓國專利申請案第10-2017-0124199號的優先權及權益,所述申請案的全部內容以引用的方式併入本文中。
本申請案是關於一種用於透明發光裝置顯示器的電極基板及其製造方法。
近來,韓國在公園及城鎮中心建立各種外部照明以及彩色指示牌,且經由高科技資訊與通訊技術(information and communication technology,ICT)及發光二極體(light emitting diode,LED)技術的彙聚為城市居民提供資訊及吸引。特定而言,使用透明電極材料的氧化銦錫(indium tin oxide,ITO)透明LED顯示器採用介於玻璃之間的LED,且具有並不看到導線的優勢,因此有可能顯示高質量的光。因此,在旅館、百貨商店以及類似者的內部利用透明LED顯示器,且透明LED顯示器對於實施建築外牆的媒體外觀的重要性正在增加。
根據智慧型裝置的傳播,對透明、導電且用於觸控螢幕以及類似物的透明電極的需求為爆發性的,且透明電極當中使用最廣泛的透明電極為氧化銦錫(ITO),即銦與錫的氧化物。然而,作為ITO透明電極的材料的主原料的銦的儲量在全球範圍內並非在很大程度上可取得,且銦僅在一些國家中生產,諸如中國,且銦的生產成本較高。此外,銦的不足之處在於所應用的銦的電阻值並不均一,因此LED的表現光束並不均一。據此,利用ITO的透明LED在用作高性能且低成本的透明電極材料上具有限制性。
事實為,ITO已最主要地用作透明電極材料,但由於經濟可行性、受限性能等的限制,利用新材料的研究及技術開發在持續進行。對於作為下一代新材料而吸引關注的透明電極材料,有金屬網格、Ag奈米導線、碳奈米管(carbon nanotube,CNT)、導電聚合物、石墨烯以及類似物。其中,金屬網格為佔據取代ITO的材料的85%的新材料,成本較低且具有高導電性,因此在利用金屬網格的態樣中,金屬網格的市場擴展了。
與現有ITO透明顯示器相比,利用金屬網格的透明LED顯示器易於修復及維護,能夠節省資源,能夠顯著防止環境污染,且由於製造成本降低而為經濟的。另外,利用金屬網格的透明LED顯示器可廣泛應用於各種用途,且可作為新的透明電極材料應用至及利用於各種產品。
本申請案旨在提供一種用於透明發光裝置顯示器的電極 基板及其製造方法。
本申請案的例示性實施例提供一種用於透明發光裝置顯示器的電極基板,包括:透明基板;導線電極單元,所述導線電極單元設置於透明基板上且包括金屬網格圖案;以及至少一個發光裝置安裝單元,其設置於透明基板上,其中導線電極單元的金屬網格圖案的上表面及側表面兩者包括暗化層圖案,以及發光裝置安裝單元的上表面及側表面兩者不包括暗化層圖案。
本申請案的另一例示性實施例提供一種用於透明發光裝置顯示器的電極基板的製造方法,所述方法包括:製備電極基板,所述電極基板包括透明基板、設置於透明基板上且包括金屬網格圖案的導線電極單元,以及設置於透明基板上的至少一個發光裝置安裝單元;在至少一個發光裝置安裝單元的上表面及側表面兩者上形成光阻圖案;在導線電極單元的金屬網格圖案的上表面及側表面兩者上形成暗化層圖案;以及移除光阻圖案。
根據本申請案的例示性實施例,暗化層圖案設置於導線電極單元的金屬網格圖案的上表面及側表面兩者上,因此有可能使得用於透明發光裝置顯示器的電極基板的可見度降低的特徵。
此外,暗化層圖案僅設置於導線電極單元的金屬網格圖案的上表面及側表面兩者上,但並不設置於發光裝置安裝單元的上表面及側表面上,因此有在透明發光裝置顯示器的製造期間維持設置於發光裝置安裝單元上的焊料的附著力的效果。
此外,根據本申請案的例示性實施例,具有相同線寬、線 高以及間距的金屬網格圖案施加至第一共同電極佈線單元、第二共同電極佈線單元以及訊號電極佈線單元,藉此降低導線的可見度。此外,導線電極單元的金屬網格圖案設置於透明基板的上表面的有效螢幕單元的除了發光裝置安裝單元圖案以外的整個區域中,因此有可能使共同電極佈線單元的範圍最大化且降低電阻。
10:透明基板
20:導線電極單元
30:發光裝置安裝單元
40:暗化層圖案
50:光阻圖案
60:發光裝置
70:焊料
80:第一共同電極佈線單元
90:第二共同電極佈線單元
100:電源單元
110:訊號電極佈線單元
120:不連接部分
130:金屬網格圖案
140:線寬
150:線高
160:間距
圖1是示意性地示出根據本申請案的例示性實施例的用於透明發光裝置顯示器的電極基板的圖。
圖2是示意性地示出根據本申請案的例示性實施例的用於透明發光裝置顯示器的電極基板的製造方法的圖。
圖3是示意性地示出根據本申請案的實例1的透明發光裝置顯示器的結構、攝影機影像以及顯微鏡影像的圖。
圖4是示意性地示出根據本申請案的比較實例1的透明發光裝置顯示器的結構、攝影機影像以及顯微鏡影像的圖。
圖5是示意性地示出根據本申請案的比較實例2的透明發光裝置顯示器的結構、攝影機影像以及顯微鏡影像的圖。
圖6是示意性地示出根據本申請案的例示性實施例的透明發光裝置顯示器的導線電極單元及發光裝置安裝單元的圖。
圖7是示意性地示出根據本申請案的例示性實施例的金屬網格圖案的線寬、線高以及間距的圖。
圖8是示出本申請案的實例1的熱處理之後的焊料形狀的圖像以及附著評估之後的圖像的圖。
圖9是示出本申請案的比較實例2的熱處理之後的焊料形狀的圖像以及附著評估之後的圖像的圖。
在下文中,將詳細地描述本申請案。
在本申請案中,「透明」定義為在可見光線區域(400奈米至700奈米)中具有為約80%或大於80%的透射率特徵。
透明發光二極體(LED)顯示器經由資訊提供服務及製造盛大場面為城市居民提供各種吸引,且各個領域對透明發光二極體的需求正在增加。事實為,迄今為止,氧化銦錫(ITO)已最主要地用作透明電極材料,但由於經濟可行性、受限性能等的限制,利用新材料的研究及技術開發在持續進行。
更特定而言,在實施透明LED顯示器的相關技術中,藉由採用Ag奈米導線或透明金屬氧化物(ITO、氧化銦鋅(indium zinc oxide,IZO)以及類似物)來形成透明電極佈線。然而,Ag奈米導線或透明金屬氧化物(ITO、IZO以及類似物)具有高電阻,但由於所驅動LED的數目的限制,在製造具有大面積的透明LED顯示器上存在限制。另外,在增加Ag奈米導線或透明金屬氧化物的厚度以降低電阻時,存在透明LED顯示器的透射率劣化的問題。
就此而言,在本申請案中,為提供一種具有極佳電阻特徵、可見度等的透明發光裝置顯示器,將金屬電極施加至用於透明發光裝置顯示器的電極基板。在應用金屬電極時,有可能確保低電阻的優勢,但有由於反射率及黃色指數(yellow index,YI)的增大而增大外部可見度的問題。在暗化層形成在金屬電極的表面上 以抑制所述現象時,可能有用於將焊料附著至發光二極體(LED)安裝單元的力減小的問題。
因此,本申請案旨在提供一種透明發光裝置顯示器,所述透明發光裝置顯示器具有極佳電阻特徵、可見度等,且其中LED安裝單元中的焊料附著力為可維持的。
一種根據本申請案的例示性實施例的用於透明發光裝置顯示器的電極基板包括:透明基板;導線電極單元,所述導線電極單元設置於透明基板上且包括金屬網格圖案;以及至少一個發光裝置安裝單元,其設置於透明基板上,其中導線電極單元的金屬網格圖案的上表面及側表面兩者包括暗化層圖案。
在本申請案中,透明基板可以是具有極佳透明度、表面光滑度、處理容易度以及防水性質的玻璃基板或透明塑膠基板,但不限於此,只要透明基板通常用於電子裝置,所述透明基板不受限制。特定而言,透明基板可以是由以下形成的基板:玻璃、胺甲酸乙酯樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚酯樹脂、(甲基)丙烯酸酯類聚合物樹脂;聚烯烴類樹脂,諸如聚乙烯或聚丙烯,以及類似物。
在本申請案中,導線電極單元可包括第一共同電極佈線單元、第二共同電極佈線單元以及訊號電極佈線單元。此外,第一共同電極佈線單元、第二共同電極佈線單元以及訊號電極佈線單元包括具有相同線寬、線高以及間距的金屬網格圖案,且金屬網格圖案可設置於透明基板上的有效螢幕單元的除了發光裝置安裝單元以外的整個區域中。
訊號電極佈線單元可設置於第一共同電極佈線單元與第二共同電極佈線單元之間。
在本申請案中,第一共同電極佈線單元可以是正型(+)共同電極佈線單元,且第二共同電極佈線單元可以是負型(-)共同電極佈線單元。此外,第一共同電極佈線單元可以是負型(-)共同電極佈線單元,且第二共同電極佈線單元可以是正型(+)共同電極佈線單元。
圖6示意性地示出根據本申請案的例示性實施例的透明發光裝置顯示器的導線電極單元及發光裝置安裝單元。
根據本申請案的例示性實施例,通道形成在一結構中,在所述結構中,訊號電極佈線單元穿過正型(+)共同電極佈線單元與負型(-)共同電極佈線單元之間,因此每一發光裝置不具有單獨電極線,且可作為共同電極連接至正型(+)共同電極佈線單元及負型(-)共同電極佈線單元。
發光裝置安裝單元30是設置於藉由使用焊料70來安裝發光裝置60的位置處的配置,且兩個或大於兩個發光裝置安裝單元可設置於透明基板10上,舉例來說,如圖3所示,且發光裝置的數目可由本領域的技術人員考慮到透明發光裝置顯示器的用途而適當地選擇,且不受特定限制。更特定而言,發光裝置的數目與電極的電阻有關,且在電極具有足夠低的電阻且顯示器的面積較大時,發光裝置的數目可增加。在相同面積中的發光裝置的數目增加時,解析度變高,且在發光裝置的數目以相同間隔增加時,顯示器的面積可增大且電源單元的電線可減少,因此發光裝置的數目可由本領域的技術人員考慮到透明發光裝置顯示器的用途而適當地選擇。
在本申請案的例示性實施例中,兩個或大於兩個發光裝 置可與訊號電極佈線單元串聯連接,且可與第一共同電極佈線單元及第二共同電極佈線單元串聯連接。第一共同電極佈線單元及第二共同電極佈線單元提供足以驅動發光裝置的電流量,且可僅以低電流傳輸發光裝置的色彩訊號,因此第一共同電極佈線單元80及第二共同電極佈線單元90可與訊號電極佈線單元110串聯連接。在所有發光裝置分別經由其電極與電源單元100並聯連接(不在本申請案的結構中)用於驅動及傳輸所有發光裝置的訊號時,有必要根據發光裝置的安置距離改變每一電極寬度以符合電阻值(連接至最遠發光裝置的電極的寬度最大),且由於根據設置了多個發光裝置的特徵的電極安置區域的空間限制,難以配置低電阻的電極。
發光裝置安裝單元可包括金、銀、鋁、銅、釹、鉬、鎳或其合金,但不限於此。
在本申請案中,發光裝置安裝單元是設置於藉由使用焊料來安裝發光裝置的位置處的配置,且每一發光裝置安裝單元可包括至少四個電極襯墊單元,所述至少四個電極襯墊單元與第一共同電極佈線單元、第二共同電極佈線單元以及訊號電極佈線單元電性連接。至少四個電極襯墊單元可包括兩個訊號電極襯墊單元、一個第一共同電極襯墊單元以及一個第二共同電極襯墊單元。所述兩個訊號電極襯墊單元是發光裝置的訊號進出(signal in-out)襯墊單元,且可分別設置於訊號電極佈線單元的遠端處,且第一共同電極襯墊單元及第二共同電極襯墊單元可分別設置於第一共同電極佈線單元及第二共同電極佈線單元的遠端處。
此外,至少一個電容器襯墊單元可額外設置於透明基板 上。在本申請案的例示性實施例中,電容器襯墊單元的數目可以是兩個。電容器襯墊單元是附接有電容器的襯墊,且電容器可用來使供應至發光裝置的電流穩定。
至少四個電極襯墊單元中的每一者可不包括金屬網格圖案,且每一襯墊單元的整個區域可由金屬形成。更特定而言,電極襯墊單元是藉由熔接的發光裝置隱藏的部分,因此電極襯墊單元可不包括金屬網格圖案,且每一襯墊單元的整個區域可由金屬形成。
至少四個電極襯墊單元之間的間隙可為0.1毫米至1毫米。藉由形成所述間隙,有可能防止鑒於在對焊錫膏進行網版印刷以供隨後形成發光裝置時的空隙的短路現象。
電極襯墊單元及電容器襯墊單元的形式不受特定限制,且可以是四邊形。此外,電極襯墊單元及電容器襯墊單元的大小各自可為0.1平方毫米至1平方毫米,但不限於此。
四個電極襯墊單元可接合至一個發光裝置。亦即,在本申請案的例示性實施例中,在多個發光裝置設置於透明基板上時,發光裝置中的每一者可接合至四個電極襯墊單元。
在本申請案的例示性實施例中,第一共同電極佈線單元、第二共同電極佈線單元以及訊號電極佈線單元可包括具有相同線寬、線高以及間距的金屬網格圖案。在本申請案中,金屬網格圖案的相同線寬意指線寬的標準差為20%或小於20%,較佳為10%或小於10%,且更佳為5%或小於5%。此外,在本申請案中,金屬網格圖案的相同線高意指線高的標準差為10%或小於10%,較佳為5%或小於5%,且更佳為2%或小於2%。此外,在本申請案中, 金屬網格圖案的相同線間距意指間距的標準差為10%或小於10%,較佳為5%或小於5%,且更佳為2%或小於2%。
在本申請案的例示性實施例中,金屬網格圖案可設置於透明基板上的有效螢幕單元的除了設置有發光裝置的區域以外的整個區域中。更特定而言,金屬網格圖案可設置於具有透明基板的上表面的整個面積的80%或大於80%的面積的區域中,且可設置於具有99.5%或小於99.5%的面積的區域中。此外,基於透明基板的上表面的整個面積,金屬網格圖案可設置於具有不包含設置於透明基板上的軟性電路板(Flexible Printed Circuit Board,FPCB)襯墊單元區域及發光裝置襯墊單元區域的面積的80%或大於80%的面積的區域中,且所述金屬網格圖案可設置於具有99.5%或小於的面積的區域中。在本申請案中,FPCB襯墊單元區域包括施加外部功率的FPCB襯墊單元,且FPCB襯墊單元區域的面積可等於或大於FPCB襯墊單元的整個面積,且等於或小於FPCB襯墊單元的整個面積的三倍。此外,在本申請案中,發光裝置襯墊單元區域可包括電極襯墊單元,且發光裝置襯墊單元區域的面積可等於或大於電極襯墊單元的整個面積的1.5倍,且等於或小於電極襯墊單元的整個面積的三倍。
在本申請案中,本領域中的圖案形式可用作導線電極單元的金屬網格圖案。更特定而言,金屬網格圖案可包括多邊形圖案,所述多邊形圖案包括三角形、四邊形、五邊形、六邊形以及八邊形之中的一或多種形式。
金屬網格圖案可包括直線、曲線或由直線或曲線形成的閉合曲線。
金屬網格圖案可設置於透明基板的上表面的有效螢幕單元的除了設置有發光裝置安裝單元的區域以外的整個區域中,因此有可能確保最大可允許的佈線區域,藉此改良透明發光裝置顯示器的電阻特徵。更特定而言,金屬網格圖案的表面電阻可等於或小於0.1歐姆/平方(Ω/sq)。
金屬網格圖案的間距可為100微米至1,000微米,可為100微米至600微米以及100微米至300微米,但可由本領域的技術人員基於所需透射率及導電性來調節。
金屬網格圖案的材料不受特定限制,但可包括金屬及金屬合金中的一或多者。金屬網格圖案可包括金、銀、鋁、銅、釹、鉬、鎳或其合金,但不限於此。
金屬網格圖案的線高不受特定限制,但在金屬網格圖案的導電性以及形成金屬網格圖案的製程的經濟可行性態樣中可為3微米或大於3微米,且可為3微米至10微米。
金屬網格圖案的線寬可為25微米或小於25微米,且可為20微米或小於20微米,但不限於此。金屬網格圖案的較小線寬在透射率及導線可見度態樣可為有利的,但可能導致電阻減小,且在此情況下,在金屬網格圖案的線高為高時,有可能改良電阻的減小。金屬網格圖案的線寬可為5微米或大於5微米。
金屬網格圖案的孔徑比(亦即未被圖案覆蓋的面積的比率)可為70%或大於70%、85%或大於85%,以及95%或大於95%。
根據本申請案的例示性實施例,具有相同線寬、線高以及間距的金屬網格圖案施加至第一共同電極佈線單元、第二共同電極佈線單元以及訊號電極佈線單元,藉此降低導線的可見度。在第 一共同電極佈線單元、第二共同電極佈線單元以及訊號電極佈線單元的金屬網格圖案的線寬、間距或線高並不相同時,導線電極單元的可見度可能增大,因此所述情況並非較佳的。
在本申請案中,第一共同電極佈線單元80、第二共同電極佈線單元90以及訊號電極佈線單元110的金屬網格圖案130可藉由不連接部分120彼此分離。不連接部分意指金屬網格圖案的一部分斷開連接而切斷電氣連接的區域。不連接部分的寬度可意指彼此間隔開的第一共同電極佈線單元、第二共同電極佈線單元以及訊號電極佈線單元之中的最鄰近遠端之間的距離。不連接部分的寬度可為80微米或小於80微米,可為60微米或小於60微米,可為40微米或小於40微米,且可為30微米或小於30微米,但不限於此。不連接部分的寬度可為5微米或大於5微米。
此外,圖7示意性地示出根據本申請案的例示性實施例的金屬網格圖案130的線寬140、線高150以及間距160。可藉由使用本領域中熟知的方法來量測金屬網格圖案的線寬、線高以及間距。舉例而言,方法可包括觀測及量測掃描電子顯微鏡(scanning electron microscope,SEM)橫截面的方法、使用無接觸表面形狀量測裝置(光學測繪器)的量測方法、使用劃針表面台階量測裝置(阿爾法台階儀或表面測繪器)的量測方法,以及類似方法。
根據本申請案的例示性實施例,有可能藉由使不連接部分的寬度最小化來降低導線的可見度,所述不連接部分使第一共同電極佈線單元、第二共同電極佈線單元以及訊號電極佈線單元的金屬網格圖案分離。
在本申請案中,第一共同電極佈線單元、第二共同電極佈 線單元以及訊號電極佈線單元的金屬網格圖案中的每一者亦可藉由獨立印刷製程形成,且亦可藉由一個印刷製程同時形成。因此,第一共同電極佈線單元、第二共同電極佈線單元以及訊號電極佈線單元的金屬網格圖案可具有相同線高。在本申請案中,相同線高意指線高的標準差小於10%,較佳地小於5%,或更佳地小於2%。
在本申請案中,在本申請案的例示性實施例中,使用印刷方法來形成第一共同電極佈線單元、第二共同電極佈線單元以及訊號電極佈線單元的金屬網格圖案,因此有可能在透明基板上形成第一共同電極佈線單元、第二共同電極佈線單元以及訊號電極佈線單元的具有較小線寬且精確的金屬網格圖案。印刷方法不受特定限制,且可將平版印刷、網版印刷、凹版印刷、柔版印刷、噴墨印刷、奈米壓印以及類似者用作印刷方法,且亦可使用包括平版印刷、網版印刷、凹版印刷、柔版印刷、噴墨印刷以及奈米壓印中的一或多者的複合方法。印刷方法可使用卷對卷方法、卷對板方法、板對卷方法或板對板方法。
在本申請案中,為實施精確的金屬網格圖案,可應用反向平版印刷(reverse offset printing)方法。為此目的,在本申請案中,可執行一種方法,其中使矽類橡膠的上部分(稱為毯狀層(blanket))全部塗佈有油墨,所述油墨可在蝕刻期間充當光阻,首先經由刻有稱為鉛版(cliché)的圖案的凹雕自毯狀層移除不必要的部分,其次將留在毯狀層上的印刷圖案轉印至上方沈積有金屬及類似物的基底材料,諸如膜或玻璃,且接著經由塑化及蝕刻製程形成所需圖案。在使用所述方法時,使用上方沈積有金屬的基底材料,因此確保整個區域中線高的均一性且因而有以下優勢:有可能 均一地維持厚度方向上的電阻。另外,本申請案可包括直接印刷方法,其中藉由使用反向平版印刷方法直接印刷導電油墨且隨後使導電油墨塑化以形成所需圖案。在此情況下,可藉由施加壓印壓力使圖案的線高平坦化,且可藉由旨在經由相互表面熔接來連接金屬奈米粒子的熱塑性製程或微波塑化製程、雷射局部塑化製程以及類似製程來給定導電性。
圖1示意性地示出根據本申請案的例示性實施例的用於透明發光裝置顯示器的電極基板。如圖1中所示出,根據本申請案的例示性實施例的用於透明發光裝置顯示器的電極基板包括:透明基板10;導線電極單元20,所述導線電極單元20設置於透明基板10上且包括金屬網格圖案;以及至少一個發光裝置安裝單元30,其設置於透明基板10上,其中導線電極單元20的金屬網格圖案的上表面及側表面兩者包括暗化層圖案40,且發光裝置安裝單元30的上表面及側表面兩者並不包括暗化層圖案。
根據本申請案的例示性實施例的用於透明發光裝置顯示器的電極基板的製造方法包括:製備電極基板,所述電極基板包括透明基板10、設置於透明基板10上且包括金屬網格圖案的導線電極單元20,以及設置於透明基板10上的至少一個發光裝置安裝單元30;在至少一個發光裝置安裝單元30的上表面及側表面兩者上形成光阻圖案50;在導線電極單元20的金屬網格圖案的上表面及側表面兩者上形成暗化層圖案40;以及移除光阻圖案,舉例來說,如圖2所示。
在本申請案中,光阻圖案的形成可使用本領域中已知的方法,且更特定而言,光阻圖案的形成可藉由微影法、噴墨印刷法 或網版印刷法執行,但不限於此。
光阻圖案可包括以下中的一或多者:甲酚酚醛清漆樹脂、苯酚酚醛清漆樹脂、環氧苯酚酚醛清漆樹脂以及多羥基苯乙烯樹脂,但不限於此。
在本申請案中,暗化層圖案的形成可藉由使用鍍覆液的鍍覆製程執行,所述電鍍液包括以下中的一或多者:銅、硒、鈷、鎳、錳、鎂、鈉、其氧化物以及其氫氧化物。鍍覆製程可以是電鍍製程(electroplating process)、無電鍍覆製程(electroless plating process)以及類似製程。
圖2示意性地示出根據本申請案的例示性實施例的用於透明發光裝置顯示器的電極基板的製造方法。
此外,本申請案的例示性實施例提供一種透明發光裝置顯示器,所述透明發光裝置顯示器包括用於透明發光裝置顯示器的電極基板。
透明發光裝置顯示器可具有一結構,在所述結構中,焊料設置於用於透明發光裝置顯示器的電極基板的發光裝置安裝單元上,且發光裝置設置於焊料上。除了使用根據本申請案的用於透明發光裝置顯示器的電極基板以外,透明發光裝置顯示器的製造方法可使用本領域中已知的方法。
[進行本發明的最佳模式]
在下文中,將經由實例來例示本說明書中所描述的例示性實施例。然而,此不意欲藉由實例限制例示性實施例的範圍。
<實例>
<比較實例1>
經由電鍍製程在厚度為250微米的PET膜上將銅沈積為具有8微米的厚度。經由反向平版印刷製程使光阻圖案形成在沈積的基底材料上。藉由使用氯化鐵類銅蝕刻劑以及噴霧蝕刻裝備來移除並未設置有光阻圖案的區域中的銅,所述氯化鐵類銅蝕刻劑具有10%的濃度。藉由使用1重量%的NaOH水溶液移除剩餘的光阻圖案,從而製造電極基板。
圖4示意性地示出根據比較實例1的透明發光裝置顯示器的結構、攝影機影像以及顯微鏡影像。
<比較實例2>
將比較實例1的電極基板浸漬在溶液中,其中將作為銅暗化處理劑的YBM-100(YMT公司(YMT Company))在超純水中以10%的濃度在常溫下稀釋30秒,且隨後執行淤渣洗滌及乾燥製程。據此,製造出完成了前表面暗化製程的電極基板。
圖5示意性地示出根據比較實例2的透明發光裝置顯示器的結構、攝影機影像以及顯微鏡影像。
<實例1>
藉由在比較實例1的電極基板上使用網版印刷方法來將光阻膏選擇性地印刷在發光裝置安裝單元上。藉由使40公克的甲酚酚醛清漆樹脂(其重量平均分子量為10,000公克/莫耳)以及0.1公克的作為界面活性劑的Glide-410(迪高公司(Tego Company))溶解於59.9公克的丙二醇甲醚乙酸酯(Propylene glycol monomethyl ether acetate,PGMEA)中來製備用於網版印刷的光阻。
將設置有光阻圖案的電極基板浸漬在溶液中,其中將作 為銅暗化處理劑的YBM-100(YMT公司)在超純水中以10%的濃度在常溫下稀釋30秒,且隨後執行淤渣洗滌及乾燥製程,以完成暗化製程。
藉由以下來移除剩餘的光阻圖案:將完成了暗化製程的電極基板浸漬在1重量%的NaOH水溶液中30秒,且隨後執行淤渣洗滌及乾燥製程以製造完成了選擇性暗化製程的電極基板。
圖3示意性地示出根據實例1的透明發光裝置顯示器的結構、攝影機影像以及顯微鏡影像。
<實驗實例>
下表1中呈現實例1以及比較實例1及比較實例2的電極基板的特徵的評估結果。
藉由下文所描述的方法來評估發光裝置安裝單元圖案的焊料附著力。藉由使網版印刷來在發光裝置安裝單元圖案上形成焊錫膏圖案,且在150℃熱處理電極基板五分鐘。隨後,經由3M隱形膠帶(magic tape)測試量測自發光裝置安裝單元圖案剝離的焊錫膏圖案的數目。其中以總共20個焊錫膏圖案計,剝離的圖案的數目為0的情況評估為「OK」,其中以總共20個焊錫膏圖案計,剝離的圖案的數目為三個或大於三個的情況評估為「NG」。圖8呈現實例1的熱處理之後的焊料形狀的圖像以及附著評估之後的圖像,圖9呈現比較實例2的熱處理之後的焊料形狀的圖像以及附著評估之後的圖像。如可自圖9的結果看出,可看出焊料在比較實例2中的附著評估之後分離。
藉由使用分光光度計(solidspec-3700,島津公司(Shimadzu Corp.))來量測反射率及黃色指數。
Figure 107133683-A0305-02-0020-1
如可在結果中看出,根據本申請案的例示性實施例,暗化層圖案設置於導線電極單元的金屬網格圖案的上表面及側表面兩者上,因此有可能使得用於透明發光裝置顯示器的電極基板的可見度降低的特徵。
此外,暗化層圖案設置於導線電極單元的金屬網格圖案的僅上表面及側表面兩者上,但並不設置於發光裝置安裝單元的上表面及側表面上,因此有在透明發光裝置顯示器的製造期間維持設置於發光裝置安裝單元上的焊料的附著力的效果。
此外,根據本申請案的例示性實施例,具有相同線寬、線高以及間距的金屬網格圖案施加至第一共同電極佈線單元、第二共同電極佈線單元以及訊號電極佈線單元,藉此降低導線的可見度。此外,導線電極單元的金屬網格圖案設置於透明基板的上表面的有效螢幕單元的除了發光裝置安裝單元圖案以外的整個區域中,因此有可能使共同電極佈線單元的範圍最大化且降低電阻。
10‧‧‧透明基板
20‧‧‧導線電極單元
30‧‧‧發光裝置安裝單元
40‧‧‧暗化層圖案

Claims (11)

  1. 一種用於透明發光裝置顯示器的電極基板,所述電極基板包括:透明基板;導線電極單元,設置於所述透明基板上且包括金屬網格圖案;以及至少一個發光裝置安裝單元,設置於所述透明基板上,其中所述導線電極單元的所述金屬網格圖案的上表面及側表面兩者包括暗化層圖案,且所述發光裝置安裝單元的上表面及側表面兩者不包括暗化層圖案,其中所述導線電極單元包括第一共同電極佈線單元、第二共同電極佈線單元以及訊號電極佈線單元,其中所述第一共同電極佈線單元、所述第二共同電極佈線單元以及所述訊號電極佈線單元包括具有相同線寬、線高以及間距的金屬網格圖案,且所述金屬網格圖案設置於所述透明基板上的有效螢幕單元的除了所述發光裝置安裝單元以外的整個區域中。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的用於透明發光裝置顯示器的電極基板,其中所述金屬網格圖案的線寬為25微米或小於25微米,所述金屬網格圖案的間距為100微米至1,000微米,以及所述金屬網格圖案的線高為3微米或大於3微米。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的用於透明發光裝置顯示器的電極基板,其中所述第一共同電極佈線單元、所述第二共同電 極佈線單元以及所述訊號電極佈線單元的所述金屬網格圖案藉由不連接部分彼此分離,且所述不連接部分的寬度為80微米或小於80微米。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的用於透明發光裝置顯示器的電極基板,其中所述導線電極單元及所述發光裝置安裝單元中的每一者獨立地包括金、銀、鋁、銅、釹、鉬、鎳或其合金。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的用於透明發光裝置顯示器的電極基板,其中所述發光裝置安裝單元包括至少四個電極襯墊單元,所述至少四個電極襯墊單元與所述第一共同電極佈線單元、所述第二共同電極佈線單元以及所述訊號電極佈線單元電性連接。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的用於透明發光裝置顯示器的電極基板,其中所述至少四個電極襯墊單元包括兩個訊號電極襯墊單元、一個第一共同電極襯墊單元以及一個第二共同電極襯墊單元。
  7. 一種製造用於透明發光裝置顯示器的電極基板的方法,所述方法包括:製備電極基板,所述電極基板包括:透明基板;導線電極單元,所述導線電極單元設置於所述透明基板上且包括金屬網格圖案;以及至少一個發光裝置安裝單元,設置於所述透明基板上;在至少一個發光裝置安裝單元的上表面及側表面兩者上形成光阻圖案;在所述導線電極單元的所述金屬網格圖案的上表面及側表面兩者上形成暗化層圖案;以及 移除所述光阻圖案,其中所述導線電極單元包括第一共同電極佈線單元、第二共同電極佈線單元以及訊號電極佈線單元,其中所述第一共同電極佈線單元、所述第二共同電極佈線單元以及所述訊號電極佈線單元包括具有相同線寬、線高以及間距的金屬網格圖案,且所述金屬網格圖案設置於所述透明基板上的有效螢幕單元的除了所述發光裝置安裝單元以外的整個區域中。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的製造用於透明發光裝置顯示器的電極基板的方法,其中所述形成所述光阻圖案是藉由微影法、噴墨印刷法或網版印刷法執行。
  9. 如申請專利範圍第7項所述的製造用於透明發光裝置顯示器的電極基板的方法,其中所述光阻圖案包括以下中的一或多者:甲酚酚醛清漆樹脂、苯酚酚醛清漆樹脂、環氧苯酚酚醛清漆樹脂以及多羥基苯乙烯樹脂。
  10. 如申請專利範圍第7項所述的製造用於透明發光裝置顯示器的電極基板的方法,其中所述形成所述暗化層圖案是藉由使用鍍覆液的鍍覆製程執行,所述鍍覆液包括以下中的一或多者:銅、硒、鈷、鎳、錳、鎂、鈉、其氧化物以及其氫氧化物。
  11. 一種透明發光裝置顯示器,包括如申請專利範圍第1項至第6項中任一項所述的用於透明發光裝置顯示器的電極基板。
TW107133683A 2017-09-26 2018-09-25 用於透明發光裝置顯示器的電極基板及其製造方法 TWI703748B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2017-0124199 2017-09-26
KR20170124199 2017-09-26
??10-2017-0124199 2017-09-26

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201921750A TW201921750A (zh) 2019-06-01
TWI703748B true TWI703748B (zh) 2020-09-01

Family

ID=65903412

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107133683A TWI703748B (zh) 2017-09-26 2018-09-25 用於透明發光裝置顯示器的電極基板及其製造方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US11171259B2 (zh)
EP (1) EP3690945A4 (zh)
JP (1) JP6869594B2 (zh)
KR (1) KR102129674B1 (zh)
CN (1) CN110622316B (zh)
TW (1) TWI703748B (zh)
WO (1) WO2019066336A1 (zh)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11171259B2 (en) * 2017-09-26 2021-11-09 Lg Chem, Ltd. Electrode substrate for transparent light-emitting diode display and method for manufacturing same
CN109147654A (zh) * 2018-10-30 2019-01-04 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示装置
KR20200114055A (ko) * 2019-03-27 2020-10-07 주식회사 엘지화학 투명 발광소자 디스플레이
CN111341223A (zh) * 2020-04-09 2020-06-26 大连集思特科技有限公司 一种多层柔性透明显示电路、显示屏及其制作方法
KR102494029B1 (ko) * 2020-09-26 2023-01-31 고준철 투명 led 디스플레이 장치용 필름 및 이의 제조 방법
TWI746237B (zh) * 2020-10-30 2021-11-11 啟耀光電股份有限公司 透光顯示模組的製造方法
DE102021200044A1 (de) 2021-01-05 2022-07-07 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Anschlussträger, optoelektronische vorrichtung und verfahren zum herstellen eines anschlussträgers
TWI789756B (zh) * 2021-05-17 2023-01-11 范文正 柔性透明顯示屏及其柔性線路板
DE102022122744A1 (de) 2022-09-07 2024-03-07 Ams-Osram International Gmbh Verfahren zum erzeugen von leiterbahnen und transparente verbundscheibe
KR20240036313A (ko) 2022-09-13 2024-03-20 에스엔피 주식회사 투명 디스플레이용 전극 기판의 제조 방법

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101422270B1 (ko) * 2014-01-13 2014-07-24 와이엠티 주식회사 터치 스크린 센서용 메탈 메쉬의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 터치 스크린 센서
US20160245491A1 (en) * 2015-02-25 2016-08-25 Kumho Electric, Inc. Transparent light emitting apparatus

Family Cites Families (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2934662B2 (ja) 1994-09-27 1999-08-16 フーリエ有限会社 表示装置
AU688038B2 (en) 1994-09-27 1998-03-05 Shinsuke Nishida Display
JP2001330860A (ja) 2000-02-28 2001-11-30 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその作製方法
US6882012B2 (en) 2000-02-28 2005-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and a method of manufacturing the same
JP2002313914A (ja) * 2001-04-18 2002-10-25 Sony Corp 配線形成方法及びこれを用いた素子の配列方法、画像表示装置の製造方法
JP3864863B2 (ja) * 2002-07-10 2007-01-10 株式会社豊田自動織機 カラー表示装置
TWI403761B (zh) 2005-02-15 2013-08-01 Fujifilm Corp 透光性導電性膜之製法
JP5046495B2 (ja) * 2005-04-18 2012-10-10 セーレン株式会社 透明導電性フィルムとその製造方法
US7749907B2 (en) * 2006-08-25 2010-07-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US8513878B2 (en) * 2006-09-28 2013-08-20 Fujifilm Corporation Spontaneous emission display, spontaneous emission display manufacturing method, transparent conductive film, electroluminescence device, solar cell transparent electrode, and electronic paper transparent electrode
KR100922810B1 (ko) 2007-12-11 2009-10-21 주식회사 잉크테크 흑화 전도성 패턴의 제조방법
JP5245448B2 (ja) 2008-02-22 2013-07-24 カシオ計算機株式会社 有機エレクトロルミネセンス表示装置及びその製造方法
JP2009206116A (ja) * 2008-02-26 2009-09-10 Toray Ind Inc ディスプレイ用フィルター及びその製造方法
KR101105887B1 (ko) 2010-04-26 2012-01-16 (주)케이스원 엘이디 패키지 실장 기판 및 그 제조 방법
JP5692775B2 (ja) 2010-05-19 2015-04-01 Necライティング株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及びこれを用いた照明器具
CN104798019B (zh) 2012-11-30 2017-11-17 Lg化学株式会社 导电基板及制造该导电基板的方法
JP5888255B2 (ja) * 2013-01-31 2016-03-16 大日本印刷株式会社 電極フィルム、その製造方法および画像表示装置
KR101482401B1 (ko) 2013-04-30 2015-01-13 삼성전기주식회사 터치패널을 포함하는 디스플레이장치 및 그 터치패널의 전극패턴 시인성 평가방법
KR20150033169A (ko) 2013-09-23 2015-04-01 엘지디스플레이 주식회사 Led 패키지와 이를 이용한 액정 표시 장치
JP6201623B2 (ja) 2013-10-22 2017-09-27 大日本印刷株式会社 電極部材、その製造方法、該電極部材を用いたタッチパネル、および該タッチパネルを配置した画像表示装置
JP6233015B2 (ja) 2013-12-26 2017-11-22 大日本印刷株式会社 電極シート、該電極シートを用いたタッチパネル、該タッチパネルを配置した画像表示装置
US10474299B2 (en) * 2014-02-24 2019-11-12 Lg Innotek Co., Ltd. Touch window and display with the same
CN106462304B (zh) * 2014-05-12 2019-05-31 Lg伊诺特有限公司 触摸窗
JP6560208B2 (ja) 2014-06-24 2019-08-14 株式会社Vtsタッチセンサー タッチセンサー基板、タッチパネル、表示装置、および、タッチセンサー基板の製造方法
JP2016071533A (ja) 2014-09-29 2016-05-09 富士フイルム株式会社 タッチパネルセンサーの製造方法、タッチパネルセンサー、タッチパネル、及び、タッチパネル表示装置
CN110416394B (zh) * 2015-05-01 2022-09-23 日亚化学工业株式会社 发光模块
KR101689131B1 (ko) * 2015-07-24 2016-12-23 케이알에코스타 주식회사 메탈 메쉬를 이용한 투명 디스플레이
KR101752559B1 (ko) 2015-08-17 2017-07-03 엔젯 주식회사 대면적이면서 유연성 기판에도 용이하게 적용할 수 있는 투명전광판 및 이의 제조 방법
CN108369980B (zh) 2015-12-28 2020-07-21 东芝北斗电子株式会社 发光模块
KR102459043B1 (ko) 2015-12-30 2022-10-25 엘지디스플레이 주식회사 투명표시장치
KR20170124199A (ko) 2016-05-02 2017-11-10 배재대학교 산학협력단 인체의 움직임을 이용한 전자기기 제어장치
US10955950B2 (en) * 2016-11-09 2021-03-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module, electronic device, and method for manufacturing the display device
WO2018100466A1 (en) * 2016-11-30 2018-06-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module, and electronic device
US10756118B2 (en) * 2016-11-30 2020-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module, and electronic device
KR102329084B1 (ko) * 2017-06-30 2021-11-18 엘지디스플레이 주식회사 터치 스크린 패널 및 터치 스크린 일체형 표시 장치
US11397498B2 (en) * 2017-08-30 2022-07-26 Nissha Co., Ltd. Electrode film and method for manufacturing same
US11171259B2 (en) * 2017-09-26 2021-11-09 Lg Chem, Ltd. Electrode substrate for transparent light-emitting diode display and method for manufacturing same

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101422270B1 (ko) * 2014-01-13 2014-07-24 와이엠티 주식회사 터치 스크린 센서용 메탈 메쉬의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 터치 스크린 센서
US20160245491A1 (en) * 2015-02-25 2016-08-25 Kumho Electric, Inc. Transparent light emitting apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
CN110622316A (zh) 2019-12-27
EP3690945A4 (en) 2020-10-28
US20200144455A1 (en) 2020-05-07
EP3690945A1 (en) 2020-08-05
TW201921750A (zh) 2019-06-01
JP2020519966A (ja) 2020-07-02
KR20190035517A (ko) 2019-04-03
WO2019066336A1 (ko) 2019-04-04
US11171259B2 (en) 2021-11-09
KR102129674B1 (ko) 2020-07-02
CN110622316B (zh) 2023-04-14
JP6869594B2 (ja) 2021-05-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI703748B (zh) 用於透明發光裝置顯示器的電極基板及其製造方法
KR102364569B1 (ko) 투명 발광소자 디스플레이용 전극 기판 및 이를 포함하는 투명 발광소자 디스플레이
US10964869B2 (en) Transparent light emitting element display
TWI693459B (zh) 透明發光裝置顯示器
CN105489784B (zh) 柔性导电电极的制备方法及该方法制备的电极及其应用
KR102216418B1 (ko) 투명 발광소자 디스플레이용 매립형 전극 기판 및 이의 제조방법
TWI687747B (zh) 透明發光裝置顯示器
TWI675244B (zh) 用於透明發光裝置顯示器的電極基板及其製造方法