TWI685120B - 製造太陽能電池的方法 - Google Patents

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Abstract

本發明揭露一種製造太陽能電池的方法，其可包含形成第一摻質區域在矽基板上方及形成氧化物區域在第一摻質區域上方。在一實施例中，氧化物區域可保護第一摻質區域免受第一蝕刻製程損壞。在一實施例中，第二摻質區域可形成在矽基板上方，其中可形成遮罩以保護第二摻質區域的第一部分免受第一蝕刻製程損壞。在一實施例中，可執行第一蝕刻製程以暴露部分矽基板及/或矽區域。可執行第二蝕刻製程以形成溝槽區域以分離太陽能電池的第一及第二摻雜區域。可執行第三蝕刻製程以從太陽能電池去除污染物且去除氧化物區域的任何剩餘部分。

Description

製造太陽能電池的方法
本發明係有關於一種製造太陽能電池的方法。
俗稱為太陽能電池之光伏打(Photovoltaic，PV)電池，為用以將太陽輻射轉換為電能之眾所周知的裝置。一般來說，撞擊於太陽能電池的基板表面上並進入太陽能電池的基板表面之太陽輻射在大部分基板中產生電子及電洞對。電子及電洞對移動至基板中之P-摻雜及N-摻雜區域，從而於摻雜區域間產生電壓差。摻雜區域被連接至太陽能電池上之導電區域以將來自電池之電流引導至外部電路。當光伏打電池被結合成陣列，如光伏打電池模組，從所有光伏打電池收集的電能可以串聯及並聯結合排列以提供具有一定電壓及電流之功率。
效率是太陽能電池的重要特性，因為其與太陽能的電池產生電力之能力直接相關。據此，普遍期望用於改善製造製程、減少生產的成本及增加太陽能電池之效率的技術。
本發明的一目的係提供一種製造太陽能電池的方法，其包含形成第一摻質區域在矽基板上方；形成氧化物區域在第一摻質區域上方，其中氧化物區域保護第一摻質區域免於第一蝕刻製程損壞；形成第二摻質區域在矽基板上方；形成遮罩在第二摻質區域的第一部分上方，其中遮罩保護第二摻質區域的第一部分免於第一蝕刻製程損壞；以及執行第一蝕刻製程以暴露部分矽基板。
本發明的又一目的係提供一種製造太陽能電池的方法，其包含形成矽區域在矽基板上方；形成第一摻質區域在矽區域上；形成氧化物區域在第一摻質區域上，其中氧化物區域的第一部分保護第一摻質區域免於第一蝕刻製程損壞且氧化物區域的第二部分保護第一摻質區域免於第二蝕刻製程損壞；形成第二摻質區域在矽區域上；驅動摻質從第一摻質區域及第二摻質區域至矽區域，其中該驅動形成第一摻雜區域及第二摻雜區域在矽區域中；形成遮罩在第二摻質區域的第一部分上，其中遮罩保護第二摻質區域的第一部分免於第一蝕刻製程損壞；執行第一蝕刻製程以暴露部分矽基板；以及執行第二蝕刻製程以形成分離第一摻雜區域及第二摻雜區域的溝槽(trench)區域。
本發明的另一目的係提供一種製造太陽能電池的方法，其包含形成矽區域在矽基板上方；形成第一摻質區域在矽區域上；形成氧化物區域在第一摻質區域上，其中氧化物區域的第一部分保護第一摻質區域免於第一蝕刻製程損壞且氧化物區域的第二部分保護第一摻質區域免於第二蝕刻製程損壞；形成第二摻質區域在矽區域上；驅動摻質從第一摻質區域及第二摻質區域至矽區域，其中該驅動形成第一摻雜區域及第二摻雜區域在矽區域中；形成遮罩在第二摻質區域的第一部分上，其中遮罩保護第二摻質區域的第一部分免於第一蝕刻製程損壞；執行第一蝕刻製程以暴露部分矽區域且去除氧化物區域的第一部 分及遮罩；執行第二蝕刻製程以形成分離第一摻雜區域及第二摻雜區域的溝槽區域；執行紋理化製程(texturing process)以形成紋理化區域(textured region)在矽基板的暴露區域上；執行第三蝕刻製程以從矽基板去除氧化物區域及污染物；以及在矽基板上執行乾燥製程。
200‧‧‧太陽能電池
202‧‧‧後側
204‧‧‧前側
210‧‧‧矽基板
221‧‧‧矽區域
222‧‧‧氧化物區域
223‧‧‧第一摻質區域
224‧‧‧第二摻質區域
225‧‧‧第二部分
226‧‧‧第一摻雜區域
227‧‧‧暴露部分
228‧‧‧第二摻雜區域
229‧‧‧頂部部分
230、252‧‧‧介電質區域
231‧‧‧剩餘部分
232‧‧‧遮罩
240‧‧‧溝槽區域
242、244‧‧‧紋理化區域
250‧‧‧金屬區域
第1圖係為根據一些實施例描繪製造太陽能電池的方法的示意流程圖。
第2至7圖係為根據一些實施例描繪在各處理步驟的太陽能電池的剖面圖。
以下詳細描述僅為說明性質，且不意圖限制本申請標的之實施例及此些實施例之用途。如用於本文中，用語「例示性(exemplary)」表示「用作為一範例、例示或說明(serving as an example,instance,or illustration)」。於本文中描述以作為例示性之任何實施方式不必然被解釋為優於或勝過其他實施方式。此外，不意圖受在前面的技術領域、背景、摘要或下面的詳細描述中給出之明示或暗示的任何理論約束。
本說明書包含提到「一個實施例(one embodiment)」或「一個實施例(an embodiment)」。「在一個實施例中(in one embodiment)」「在一實施例中(in an embodiment)」之短語的出現不必然表示同一實施例。特定特徵、結構、或特性可以與本揭露一致之任何適當的方式組合。
術語(以下段落提供本公開(包含所附之申請專利範圍)中找到的用語之定義及其語境)：
「包含(Comprising)」：此術語是開放式的。用於後附的申請專利範圍內時，此術語不排除額外的結構或步驟。
「配置以(Configured to)」：多種單元或部件可被描述或申明為「配置以」執行一任務或多個任務。在這樣的內文中，「配置以」被使用以藉由指明該單元/部件包含在操作期間執行這些任務的結構來意味著結構。如此，即便當特定的單元/部件目前不被操作(例如，不開啟/活化)，單元/部件亦可被說是被配置以執行任務。
「第一(First)」、「第二(Second)」等，如在本文中使用，這些用語係用作為其所前綴之名詞的標示，而不意味著任何形式的排序(例如，空間、時間、邏輯等)。舉例來說，參照「第一」蝕刻製程不必然意味著此蝕刻製程在順序上為第一蝕刻製程；相反地，用語「第一」係用以區分此蝕刻製程與另一蝕刻製程(例如，「第二」蝕刻製程)。
「基於(Based On)」：如在本文中使用，此用語係用以描述影響決定的一或多個因素。這個用語並不排擠可影響決定的其他因素。也就是說，決定可僅基於那些因素，或至少部分地基於那些因素。考慮片語「基於B決定A」，雖然B可被認為係影響A的決定的因素，然而這樣的片語並不排擠亦基於C決定A。在其他例子中，A可僅基於B而決定。
「耦接(Coupled)」：以下描述指稱元件或節點特徵被「耦接」在一起。當用於本文時，除非另有明確說明，「耦接」表示一個元件/節點/特徵直 接或間接接合點到另一個元件/節點/特徵(或直接或間接地與另一個元件/節點/特徵聯通)，且不必然為機械上的接合點。
「抑制(Inhibit)」：當用於本文中，抑制被用以描述效果的減少或最小化。當一個組件或功能被描述為抑制一動作、作動或情況時，其可能完全阻止其結果或後果或未來狀態。另外，「抑制(Inhibit)」也可以表示可能發生的結果、性能和/或效力的減少或減輕。因此，當一個組件、元件、或特徵被稱為抑制一結果或狀態時，其不需要完全防止或消除該結果或狀態。
此外，一些術語也可僅為了參照之目的而被用在以下描述中，且因此不旨在為限制。舉例來說，術語諸如「上部(upper)」、「下部(lower)」、「以上(above)」、以及「以下(below)」表示所參照的圖式中的方向。術語諸如「前(front)」、「後(back)」、「後方(rear)」、「側(side)」、「外側(outboard)」、及「內側(inboard)」描述在一致但任意的參考框架中的部件的部分的定向及/或位置，參考框架藉由參考描述討論部件之文本和相關聯的圖式而變得清楚。此種術語可包含以上具體提到的字詞、其衍生、和具有相似意涵的字詞。
在下列描述中，闡述了眾多具體細節，例如具體操作，以提供本發明的實施例的徹底理解。對於所屬技術領域具有通常知識者將顯而易見的是，本揭露實施例可無需此些具體細節地執行。於其他例子中，不詳細描述習知之技術以免不必要地模糊本揭露的實施例。
本說明書描述製造太陽能電池的示例方法，其包含改善用於形成P-摻雜及N-摻雜區域的蝕刻製程，接著是用於太陽能電池製造的蝕刻製程的各種實施例的更詳細的說明。在全篇中提供各種實例。
現在參見第1圖，其為根據一些實施例，示出描繪製造太陽能電池的方法的流程圖。在不同的實施例中，第1圖的方法可較所描繪的包含較多(或較少的)方塊。舉例來說，在一些實施例中，第二蝕刻製程(方塊116)不需要執行。
在方塊100，矽區域可形成在矽基板上方。在一實施例中，矽區域可為非晶矽及/或多晶矽。在一些實施例中，矽區域可沉積或在熱製程(例如，在烤箱或熱腔室)中成長。在一實施例中，介電質區域可在形成矽區域之前形成在矽基板上方。在一些實施例中，介電質區域可為氧化物或穿隧氧化物。在一些實施例中，矽區域不需要被形成。在這樣的實施例中，如本文所描述，摻質可自己被驅動進入矽基板。
在方塊102，第一摻質區域可形成在矽基板上方。在一實施例中，第一摻質區域可形成在矽區域上。在一些實施例中，第一摻質區域可形成在矽基板上。在一實施例中，第一摻質區域可通過化學氣相沉積製程(CVD)及/或電漿輔助化學氣相沉積製程(PECVD)來沉積。在一實施例中，第一摻質區域可包含P型摻質，例如硼。
在方塊104，氧化物區域可形成在第一摻質區域上。在一個實施例中，氧化物區域可為未摻雜氧化物區域。在一實施例中，氧化物區域可具有在1000-2500埃的範圍內的厚度。在一實施例中，氧化物區域可通過化學氣相沉積製程(CVD)及/或電漿輔助化學氣相沉積製程(PECVD)來沉積。在一些實施例中，氧化物區域可在與第一摻質區域相同的製程步驟(方塊102)中形成，例如，方塊102及104可在相同的製程中執行(不論是同時或只是在相同的製程中但不同時)。
在方塊106，第二摻質區域可形成在矽基板上方。在一實施例中，第二摻質區域可形成在矽區域上。在一些實施例中，第二摻質區域可形成在矽基板上。在一實施例中，第二摻質區域可形成在第一摻質區域上方。在一實施例中，第二摻質區域可通過化學氣相沉積製程(CVD)及/或電漿輔助化學氣相沉積製程(PECVD)來沉積。在一個實施例中，第二摻質區域可被成長(例如，在熱烤箱中或通過熱製程)。在一實施例中，第二摻質區域可包含N型摻質，如磷。在一個實施例中，氧化物區域也可形成在第二摻質區域上。
在方塊108，第一及第二摻雜區域可被形成。在一個實施例中，第一及第二摻雜區域可形成在矽區域中。在一些實施例中，第一及第二摻雜區域可形成在矽基板中。在一個實施例中，第一及第二摻雜區域可分別為P型及N型摻雜區域。在一實施例中，第一及第二摻雜區域可藉由驅動摻質從第一及第二摻質區域進入矽區域、矽基板或者矽區域及矽基板兩者來形成。在一個實例中，太陽能電池可被加熱以驅動摻質從第一及第二摻質區域進入矽區域以形成第一及第二摻雜區域。在一些實施例中，形成第二摻質區域及從第一及第二摻質區域驅動摻質以形成第一及第二摻雜區域可在單一熱烤箱及/或熱製程(不論是同時或只是在相同的製程中但不同時)中執行。第2圖，如在以下更詳細的描述，示出形成介電質區域、第一及第二摻雜區域、第一及第二摻質區域及氧化物區域後的示例太陽能電池。
在方塊110，遮罩可形成在第二摻質區域上。在一實施例中，遮罩可形成在第二摻質區域的第一部分上方。在一些實施例中，遮罩可為抗蝕劑或油墨。在一個實施例中，遮罩可藉由網版印刷製程及/或噴墨製程來形成。第3 圖，如在以下更詳細的描述，示出形成遮罩232在第二摻質區域的第一部分上後的示例矽基板。
在方塊112，可執行第一蝕刻製程。在一實施例中，第一蝕刻製程可包含局部去除氧化物區域。在一實例中，氧化物區域可用作為蝕刻停止件及/或遮罩以在第一蝕刻製程中抑制第一摻質區域的蝕刻。使用氧化物區域作為蝕刻停止件及/或遮罩的好處可包含減少或消除通常在蝕刻製程所需的抗蝕劑的需求，其可造成較少材料(例如，較少抗蝕劑或油墨)需求且因此減少製造成本。
作為將氧化物區域用作為蝕刻停止件或遮罩的的實例，在一個實施例中，氧化物區域的頂部部分可保護第一摻質區域免受第一蝕刻製程損壞。在一實施例中，氧化物區域的頂部部分可在第一蝕刻製程中被去除。在一些實施例中，第一蝕刻製程可蝕刻及/或去除55-90%的氧化物區域。在一實施例中，氧化物區域的剩餘部分可在執行第一蝕刻製程後被留在第一摻質區域上。在一個實施例中，氧化物區域的剩餘部分可具有200-900埃的厚度。在一實施例中，氧化物區域的頂部部分可在第一蝕刻製程後被蝕刻掉。在一些實施例中，被蝕刻掉的區域(例如，頂部部分)可為600-1900埃厚。在一實施例中，頂部部分及剩餘部分可被分別稱作為氧化物區域的第一及第二部分。
在一實施例中，執行第一蝕刻製程可包含暴露矽基板的一部分。在一個實施例中，執行第一蝕刻製程可包含暴露矽區域的一部分。在一實施例中，第一蝕刻製程可去除第二摻質區域的暴露區域。第4圖，舉例來說，示出執行第一蝕刻製程後的矽基板，其中暴露矽區域的部分227。
在一些實施例中，遮罩(來自方塊110)可在第一蝕刻製程中保護第二摻質區域的第一部分。在一個實施例中，第一蝕刻製程可隨著時間被控制， 例如，以稀釋氫氟酸或緩衝氧化物蝕刻溶液執行時控的氧化物蝕刻(timed oxide etch)，以暴露矽基板的一部分。在一實施例中，具有氫氟酸及/或硝酸的蝕刻製程可被用以暴露矽基板的一部分。在一些實施例中，第一蝕刻製程可去除任何形成在第二摻質區域上方的氧化物且可局部去除形成在第一摻質上方的氧化物。
在方塊114，遮罩(來自方塊110)可被從第二摻質區域去除。在一實施例中，遮罩可為蝕刻抗蝕劑或油墨。在一個實施例中，可執行油墨去除(ink-strip)製程以去除遮罩。
在方塊116，可執行第二蝕刻製程。在一實施例中，執行第二蝕刻製程可包含形成溝槽區域以分離第一及第二摻雜區域(方塊108)。第5圖示出形成溝槽區域240後的太陽能電池。在一實施例中，溝槽區域可電性分離第一及第二摻雜區域。在一實施例中，溝槽區域可暴露矽基板的一部分。在一個實施例中，參考第5圖，氧化物區域的剩餘部分231可保護第一摻質區域免受第二蝕刻製程損壞。在一實施例中，鹼性蝕刻劑(例如，氫氧化鉀(potassium hydroxide)、氫氧化鈉(sodium hydroxide)、氫氧化四甲銨(tetramethylammonium hydroxide))可被用以蝕刻矽基板及形成溝槽區域。在一個實施例中，第二蝕刻製程可隨著時間被控制，例如，執行時控的氧化物蝕刻，以暴露矽基板的一部分。在一些實施例中，如其中第一及第二摻雜區域形成在矽基板中，第二蝕刻製程及/或溝槽區域不需要被形成。
在方塊118，可執行紋理化製程。在一實施例中，紋理化製程可形成紋理化區域在矽基板的暴露區域上。第6圖，舉例來說，示出在紋理化及形成紋理化表面在矽基板的暴露區域(例如，在前表面上)及溝槽區域上後的矽基 板。在一個實施例中，氫氧化鉀可被用以形成紋理化表面在矽基板的溝槽區域及暴露區域上。
在方塊120，可在矽基板上執行第三蝕刻製程。在一實施例中，執行第三蝕刻製程可包含去除第一摻質區域、第二摻質區域及氧化物區域的剩餘部分。在一個實施例中，第三蝕刻製程可包含以氫氟酸、臭氧溶液、硝酸、磷酸或其組合蝕刻。在一實施例中，第三蝕刻製程可包含執行緩衝氧化物蝕刻。第7圖，舉例來說，示出在執行第三蝕刻製程以去除第一摻質區域、第二摻質區域及氧化物區域的剩餘部分後的矽基板。在一個實施例中，第三蝕刻製程可包含執行金屬清理製程以從矽基板去除污染物及去除氧化物區域。在一實施例中，金屬清理製程也可在處理過程中蝕刻掉氧化物區域的第二部分及從太陽能電池去除污染物。在一些實施例中，第三蝕刻製允許在單一槽中執行金屬清理製程，例如，去除污染物及去除氧化物區域。在一實施例中，執行第三蝕刻製程可包含以具有在0.1-1.5重量百分比(%)範圍內的濃度的氫氟酸蝕刻。
在一實施例中，可乾燥太陽能電池。舉例來說，可執行乾燥製程以從矽基板去除任何剩餘的水分。在一實施例中，乾燥製程可包含將太陽能電池安置於定位以等待乾燥任何水分。在一些實施例中，乾燥製程可吹送空氣在太陽能電池上以去除任何剩餘的水分。在一實施例中，乾燥製程可包含從熱水、稀釋氫氟酸或者氫氟酸及臭氧溶液的混合物緩慢地移出太陽能電池。
在方塊122，可在第一及第二摻雜區域上形成金屬接觸區域。在一個實施例中，可執行退火製程、電鍍製程及/或任何形式的金屬形成製程以形成金屬接觸區域在第一及第二摻雜區域上。在一實施例中，金屬接觸區域可允許從太陽能電池至外部電路的電流的傳導。
第2至7圖係為根據一些實施例描繪製造矽太陽能電池的剖面示意圖。
參考第2圖，示出已經執行一或多個方塊100-110後的太陽能電池。在一實施例中，太陽能電池200可具有在正常操作時面對太陽的前側204及相對前側204的後側202。在一個實施例中，太陽能電池200可包含矽基板210。在一實施例中，太陽能電池200也可包含第一摻質區域223、第二摻質區域224及形成在第一摻質區域223上的氧化物區域222。在一實施例中，第一摻質區域223及第二摻質區域224可分別包含P型摻質及N型摻質。在一些實施例中，第一摻質區域223可被摻雜有硼而第二摻質區域224可被摻雜有磷。在一個實施例中，第二摻質區域224可形成在第一摻質區域223、氧化物區域222及矽基板210上方。在一個實施例中，氧化物區域222可為未摻雜氧化物區域。在一個實施例中，氧化物區域222可具有在1000-2500埃的範圍內的厚度。在一些實施例中，氧化物區域也可形成在第二摻質區域224上。
在一實施例中，太陽能電池200可包含具有第一摻雜區域226及第二摻雜區域228的矽區域221。在一些實施例中，太陽能電池200可包含形成在矽區域221與矽基板210之間的介電質區域230。在一個實施例中，介電質區域230可為氧化物或穿隧氧化物。在一實施例中，第一摻雜區域226及第二摻雜區域228可分別為P型摻雜區域及N型摻雜區域。在另一實施例中，不需要為矽區域221而可以第一摻雜區域226及第二摻雜區域228替代形成在矽基板210中。
第3圖描繪在形成遮罩在第二摻質區域上後的第2圖的太陽能電池。在一實施例中，遮罩232可為抗蝕劑或油墨。在一些實施例中，遮罩232可藉由網版印刷製程及/或噴墨製程來形成。遮罩232可被放置在第二摻質區域的第 一部分224上方，其中可暴露第二摻質區域的第二部分225。在一實施例中，可執行第一蝕刻製程(第1圖，方塊112)以暴露矽區域221的一部分。在一實施例中，第一蝕刻製程可去除第一摻質區域222的頂部部分229及第二摻質區域的第二部分225(例如，暴露部分)。在一些實施例中，第一蝕刻製程可蝕刻及/或去除55-90%的氧化物區域222(例如，氧化物區域的頂部部分229可為氧化物區域222的55-90%)。在一實施例中，頂部部分229可被稱作為氧化物區域222的第一部分。在一些實施例中，頂部部分229可為600-1900埃厚。在一個實施例中，第一蝕刻製程也可暴露矽基板210的一部分。在一個實施例中，可執行利用氫氟酸及/或硝酸的蝕刻製程以暴露矽區域221、矽基板210及/或矽區域221以及矽基板210兩者的一部分。後續的遮罩去除製程(第1圖，方塊114)可去除遮罩232。
參考第4圖，示出執行第一蝕刻製程及遮罩去除製程(第1圖，方塊112、114)後的第3圖的太陽能電池。第4圖的太陽能電池200可包含氧化物區域的剩餘部分231、矽區域221的暴露部分227及第二摻質區域的部分224(來自第3圖的第一部分)。在一個實施例中，氧化物區域的剩餘部分231在執行第一蝕刻製程後可具有200-900埃的厚度。在一實施例中，剩餘部分231可被稱作為氧化物區域的第二部分。在一實施例中，可執行第二蝕刻製程(第1圖，方塊116)以形成溝槽區域於暴露部分227，以分離第一摻雜區域226及第二摻雜區域228。在一實施例中，可使用鹼性蝕刻劑(例如，氫氧化鉀、氫氧化鈉、氫氧化四甲銨)以蝕刻矽基板並形成溝槽區域。在一些實施例中，溝槽區域可使用其他技術(例如，雷射剝蝕)來形成。
第5圖描繪在執行第二蝕刻製程(第1圖，方塊116)以形成溝槽區域後的第4圖的太陽能電池。在一實施例中，溝槽區域240可電性分離第一摻雜區 域226及第二摻雜區域228。在一實施例中，溝槽區域240可暴露矽基板210的一部分。在像是其中第一摻雜區域226及第二摻雜區域228形成在矽基板210中的一些實施例中，可不需要執行第二蝕刻製程，及/或形成溝槽區域240。
參考第6圖，示出執行紋理化製程(第1圖，方塊118)後的第5圖的太陽能電池。在一實施例中，可執行紋理化製程以形成紋理化區域242及紋理化區域244在矽基板的暴露區域上，例如，溝槽區域240及前側204。
在一實施例中，可執行第三蝕刻製程(第1圖，方塊120)以去除氧化物區域222的剩餘部分231、第一摻質區域223及第二摻質區域224的剩餘部分。在一個實施例中，第三蝕刻製程可包含可從太陽能電池200去除污染物且去除氧化物區域222的剩餘部分231、第一摻質區域223及第二摻質224的金屬清理製程。在一個實施例中，第三蝕刻製程可包含以氫氟酸、臭氧及/或鹽酸或其組合的混合物蝕刻。金屬清理及氧化物區域去除的結合可提供如減少蝕刻步驟的數目及縮短製程時間的一些好處。隨後，金屬接觸區域及介電質區域可形成在第一摻雜區域226及第二摻雜區域228上。
第7圖描繪在執行本文所描述的製程步驟後所得的示例太陽能電池。在一實施例中，太陽能電池200可具有在正常操作時面對太陽的前側204及相對於前側204的後側202。在一實施例中，太陽能電池200可具有矽基板210。太陽能電池200也可具有第一摻雜區域226及第二摻雜區域228。在一個實施例中，第一摻雜區域226及第二摻雜區域228可分別為P型及N型摻雜區域。在一實施例中，第一摻雜區域226及第二摻雜區域228可為第一摻雜多晶矽區域及第二摻雜多晶矽區域。在一個實施例中，介電質區域230可形成在第一摻雜區域226及第二摻雜區域228與矽基板210之間。金屬區域250及介電質區域252可形成在 第一摻雜區域226及第二摻雜區域228上。在一實施例中，金屬區域250可包含銅、鋁、錫及其他導電材料，包含非金屬。在一些實施例中，介電質區域252可為氮化矽。溝槽區域240可形成以分離第一摻雜區域226及第二摻雜區域228。在一個實施例中，不需要形成溝槽區域230。在一實施例中，溝槽區域240可具有紋理化區域242且太陽能電池200的前側204也可具有紋理化區域244。
雖然已在前描述了具體的實施例，然而即使關於特定的特徵僅描述單一實施例，這些實施例並不意圖限制本揭露的範疇。除非另有說明，否則在本發明中所提供的特徵之示例是意圖為說明而非限制。前面的描述是意在涵蓋對具有本發明的利益的技術領域中的通常知識者而言是為顯而易見之此類替代物、修改物及等效物。
本發明的範疇包含在本文中所揭露的任何特徵或特徵的組合(明顯地或隱含地)，或者其任何概括，而不論其是否減輕了本文中所解決的任何問題或所有問題。因此，在本申請(或其聲明優先權的申請案)的審查期間，可制定新的申請專利範圍成任何這樣的特徵組合。特別是，參照所附的申請專利範圍，來自附屬項的特徵可與獨立項的特徵組合，而來自各獨立項的特徵可以任何適當的方式組合，且不僅為所附的申請專利範圍中所列舉的特定組合。
100、102、104、106、108、110、112、114、116、118、120、122‧‧‧方塊

Claims (18)

  1. 一種製造太陽能電池的方法，該方法包含：形成一第一摻質區域在一矽基板上方；形成一氧化物區域在該第一摻質區域上方，其中該氧化物區域保護該第一摻質區域免受一第一蝕刻製程損壞；形成一第二摻質區域在該矽基板上方；形成一遮罩在該第二摻質區域的第一部分上方，其中該遮罩保護該第二摻質區域的第一部分免受該第一蝕刻製程損壞；以及執行該第一蝕刻製程以暴露部分該矽基板，其中形成該第二摻質區域在該矽基板上方包含形成該第二摻質區域在該第一摻質區域、該氧化物區域及該矽基板上方。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中執行該第一蝕刻製程以暴露部分該矽基板包含執行一時控的氧化物蝕刻。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中執行該第一蝕刻製程以暴露部分該矽基板包含以氫氟酸或硝酸中之至少其一來蝕刻。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中形成該氧化物區域包含形成一未摻雜氧化物區域在該第一摻質區域上。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中形成該第一摻質區域在該矽基板上方包含形成硼在該矽基板上方。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之方法，進一步包含，在執行該第一蝕刻製程之前： 從該第一摻質區域及該第二摻質區域驅動摻質以形成一第一摻雜區域及一第二摻雜區域在該矽基板之中或在該矽基板上方。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之方法，其進一步包含在驅動摻質之前：形成一介電質區域在該矽基板上方；以及形成一矽區域在該介電質區域上方，其中驅動摻質包含形成該第一摻雜區域及該第二摻雜區域在該矽區域中。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之方法，其中形成該矽區域在該介電質區域上方包含形成一非晶矽區域在該介電質區域上方。
  9. 一種製造太陽能電池的方法，該方法包含：形成一矽區域在一矽基板上方；形成一第一摻質區域在該矽區域上；形成一氧化物區域在該第一摻質區域上，其中該氧化物區域的第一部分保護該第一摻質區域免於一第一蝕刻製程損壞且該氧化物區域的第二部分保護該第一摻質區域免於一第二蝕刻製程損壞；形成一第二摻質區域在該矽區域上；驅動摻質從該第一摻質區域及該第二摻質區域至該矽區域，其中該驅動形成一第一摻雜區域及一第二摻雜區域在該矽區域中；形成一遮罩在該第二摻質區域的第一部分上，其中該遮罩保護該第二摻質區域的第一部分免於該第一蝕刻製程損壞； 執行該第一蝕刻製程以暴露部分該矽區域；以及執行該第二蝕刻製程以形成分離該第一摻雜區域及該第二摻雜區域的一溝槽區域，其中形成該第二摻質區域在該矽基板上方包含形成該第二摻質區域在該第一摻質區域、該氧化物區域及該矽基板上方。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之方法，其中執行該第一蝕刻製程以暴露部分該矽區域包含執行一時控的氧化物蝕刻。
  11. 如申請專利範圍第9項所述之方法，其中執行該第一蝕刻製程以暴露部分該矽區域包含以氫氟酸或硝酸中之至少其一來蝕刻。
  12. 如申請專利範圍第9項所述之方法，其中形成該第一摻質區域在該矽基板上方包含形成硼在該矽基板上方。
  13. 如申請專利範圍第9項所述之方法，進一步包含執行一第三蝕刻製程以去除該氧化物區域。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之方法，其中執行該第三蝕刻製程以去除該氧化物區域包含執行一金屬清理製程。
  15. 如申請專利範圍第13項所述之方法，其中執行該第三蝕刻製程包含以氫氟酸、臭氧或鹽酸中之至少其一來蝕刻。
  16. 一種製造太陽能電池的方法，該方法包含：形成一矽區域在一矽基板上方；形成一第一摻質區域在該矽區域上；形成一氧化物區域在該第一摻質區域上，其中該氧化物區域的第一部分保護該第一摻質區域免於一第一蝕刻製程損壞且 該氧化物區域的第二部分保護該第一摻質區域免於一第二蝕刻製程損壞；形成一第二摻質區域在該矽區域上；驅動摻質從該第一摻質區域及該第二摻質區域至該矽區域，其中該驅動形成一第一摻雜區域及一第二摻雜區域在該矽區域中；形成一遮罩在該第二摻質區域的第一部分上，其中該遮罩保護該第二摻質區域的第一部分免受該第一蝕刻製程損壞；執行該第一蝕刻製程以暴露部分該矽區域且去除該氧化物區域的第一部分及該遮罩；執行該第二蝕刻製程以形成分離該第一摻雜區域及該第二摻雜區域的一溝槽區域；執行一紋理化製程以形成一紋理化區域在該矽基板的一暴露區域上；執行一第三蝕刻製程以從該矽基板去除該氧化物區域及污染物；以及在該矽基板上執行一乾燥製程，其中形成該第二摻質區域在該矽基板上方包含形成該第二摻質區域在該第一摻質區域、該氧化物區域及該矽基板上方。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之方法，其中執行該第一蝕刻製程以暴露部分該矽基板包含以氫氟酸及硝酸中之至少其一來蝕刻。
  18. 如申請專利範圍第16項所述之方法，其中執行該第三蝕刻製 程包含以氫氟酸、臭氧或鹽酸中之至少其一來蝕刻。
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