TWI681066B - 真空蒸鍍裝置 - Google Patents

Abstract

提供一種具備晶體振盪式膜厚計的優異之真空蒸鍍裝置，將預先形成一定膜厚之從其餘之中的其他蒸發源所蒸發之有機材料的晶體振盪器，使用於其中一個蒸發源的晶體振盪式膜厚計，使得可在不設置基底膜形成程序下預先形成附一定膜厚之有機材料基底膜的複數個晶體振盪器，同時抑制晶體振盪器的等效串聯電阻之上升。

一種真空蒸鍍裝置，供於就其中一個蒸發源的膜厚及蒸鍍速度作控制用的晶體振盪式膜厚計之複數個晶體振盪器(4)，係採取預先在其餘之中的其他蒸發源之蒸鍍程序邊就膜厚及蒸鍍速度作控制邊在此複數個晶體振盪器上形成採用此有機材料的有機材料基底膜之附有機材料基底膜晶體振盪器。

Description

真空蒸鍍裝置

本發明，係關於在保持減壓空氣之真空槽內使薄膜形成於基板之真空蒸鍍裝置，關於具備供於就膜厚或蒸鍍速度(膜厚率)作控制用的晶體振盪式膜厚計之真空蒸鍍裝置。

藉真空蒸鍍法使薄膜形成於基板之真空蒸鍍裝置方面，為了就膜厚及蒸鍍速度(膜厚率)作控制而採用膜厚計。此膜厚計方面雖依測定方式而有各種的種類，惟晶體振盪器法廣為受到採用。

採用晶體振盪器法之晶體振盪式膜厚計，係利用於晶體振盪器的表面附著蒸鍍物質時諧振會因其質量變化而變化之情形者，例如係就此諧振(振盪頻率)的變化作測定從而就膜厚、膜厚率等作計測，將此反饋至蒸發源的加熱控制裝置，而將對於基板之蒸鍍薄膜的膜厚率控制成一定並就膜厚作管理者。

此外，在如此之採晶體振盪式膜厚計之膜厚測定(膜 厚監控)時，若在晶體振盪器的電極膜上蒸鍍厚的薄膜，則發生以下現象：諧振會變不穩定，或晶體振盪器的等效串聯電阻(晶體阻抗)會上升，流過晶體振盪器之電流會降低，使得無法測定諧振。為此，如此蒸鍍為厚使得無法測定諧振時，判斷為到達晶體振盪器的壽命，而將晶體振盪器交換成新的晶體振盪器。

具體而言，例如為了可在真空槽內連續進行此晶體振盪器的交換，旋轉將複數個晶體振盪器作保持之晶體保持器，而進行切換作使用。

歷來，要延長此晶體振盪器的壽命，依專利文獻l(日本發明專利公開2000-101387號公報)時，為了達成蒸鍍厚的薄膜仍不易發生此膜的破裂、剝離等，而在晶體振盪器之成膜面的電極膜上預先形成軟質金屬膜，從而緩和膜的內部應力而防止膜的剝離、破裂等。

此外，依專利文獻2(日本發明專利公開2014-70238號公報)時，構成為在真空腔室內具有至少2個以上的蒸發源與對應於其之膜厚感測器，從一方的蒸發源蒸發不易附著於晶體振盪器表面之材料並對於就此作監控的膜厚感測器，預先導入從另一方的蒸發源蒸發之材料，從而在蒸鍍不易附著之材料前以密接性佳的材料在晶體振盪器表面形成基底膜，達成即使為不易附著之材料仍可檢測出正確的蒸發率。

〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕

[專利文獻1]日本發明專利公開2000-101387號公報

[專利文獻2]日本發明專利公開2014-70238號公報

然而，從專利文獻1得知的在晶體振盪器上預先形成金屬膜之方法，雖係防止成膜材料的剝離，消解諧振的不穩定性，延長晶體振盪器的壽命之方法，惟有時形成於晶體振盪器上之膜即使不剝離，晶體振盪器的等效串聯電阻仍會上升，而流過晶體振盪器之電流降低，使得無法測定諧振，故無法延長晶體振盪器的壽命。

此外，根據專利文獻2而得知的對於設在一方的蒸發源之不易附著的材料之膜厚感測器，導入從另一方的蒸發源蒸發之材料而預先形成基底膜的方法，係對於相對於前述一方的蒸發源而配置在適切之位置的膜厚感測器，通過預塗用導入管而導入另一方的蒸發源之材料，故無法確保充分之蒸鍍率，且預先形成於此膜厚感測器(晶體振盪器表面)之基底膜係容易變不均。再者，從此另一方的蒸發源之易附著的材料之導入係未就該膜厚作監控，故亦無法形成正確之膜厚的基底膜。

亦即，即使可防止蒸鍍膜的剝離、破裂等，在蒸鍍材料方面蒸鍍比重小的有機材料的情況下，此有機材料不斷成膜於電極上使得該蒸鍍膜的膜厚越大越無法追隨晶體振盪器的厚度剪切振動(shear vibration)，故即使維持振動本 身，蒸鍍膜的膜厚越厚則等效串聯電阻越上升，故仍無法充分解決無法測定振盪頻率如此之問題。尤其基底膜為金屬膜下，係無法抑制由於與有機材料的膜界面造成等效串聯電阻上升之情形，晶體振盪式膜厚計的壽命係依然短，無法延長。

另外，尤其供於製造有機EL裝置用的蒸鍍材料，係比重小之有機材料，與晶體振盪器表面的電極膜(例如Au、Ag等)之密接性差，無法追隨晶體振盪器的厚度剪切振動，即使設置金屬基底膜，可謂成為此有機材料僅載置於電極膜上之狀態，故若蒸鍍膜的膜厚增加則等效串聯電阻會上升，因此晶體振盪器的壽命係短。

此外，在將未監控膜厚之有機材料通過導入管而導入至晶體振盪器表面的方法下，係無法形成複數個附有均勻形成了充分的量之膜厚的基底膜之晶體振盪器，無法應付於量產運轉裝置的運用。

本發明，係發現上述問題點並將其作了解決者，目的在於提供一種真空蒸鍍裝置，邊藉晶體振盪式膜厚計就膜厚、蒸鍍速度等作控制，邊藉此膜厚監控在此晶體振盪式膜厚計的複數個晶體振盪器表面蒸鍍從此(其餘中的其他的)蒸發源予以蒸發之有機材料而預先形成既定膜厚的有機材料基底膜，利用具備複數個附有此均勻形成了充分之量的膜厚之既定膜厚的基底膜之晶體振盪器的晶體振盪式膜厚計，而就(一個)從蒸發源蒸發之有機材料邊控制其膜厚、蒸鍍速度等邊蒸鍍，從而抑制等效串聯電阻的等效 串聯電阻之上升，而達成長壽命化，另外可如前述使前述有機材料基底膜為均勻而形成為一定膜厚，並且不需要與蒸鍍程序係不同的成膜程序而有效預先形成前述有機材料基底膜。

參照附圖而說明本發明的要旨。

關於一種真空蒸鍍裝置，在真空槽1內使從至少2個以上的蒸發源2予以蒸發之蒸鍍材料的有機材料堆積於基板3表面而形成薄膜，採取如下構成：在前述真空槽1內具備至少2個以上供於控制前述各蒸發源2而控制前述基板3表面的膜厚或蒸鍍速度用之晶體振盪式膜厚計M，前述晶體振盪式膜厚計M係具備複數個晶體振盪器4，前述其中一個蒸發源2所具備的前述其中一個晶體振盪式膜厚計M，係採取具備預先形成一定膜厚之從其餘之中的其他蒸發源2予以蒸發之有機材料時即交換成下個晶體振盪器4從而蒸鍍於在此晶體振盪式膜厚計M所具備之前述複數個晶體振盪器4上，而與在利用此其餘之中的其他蒸發源2的蒸鍍程序中的膜厚監控同時分別預先形成一定膜厚的有機材料基底膜6之複數個附有機材料基底膜6的晶體振盪器4之構成，在利用此其餘之中的其他蒸發源2的蒸鍍程序結束後藉具備附前述有機材料基底膜6的晶體振盪器4之晶體振盪式膜厚計M，進行在利用前述其中一個蒸發源2的蒸鍍程序中之膜厚監控。

此外，關於如申請專利範圍第1項之真空蒸鍍裝置，其採取以下構成：前述真空槽1，係由複數個有機蒸鍍室12所構成，於各有機蒸鍍室12係配設前述各蒸發源2與前述晶體振盪式膜厚計M，配設於此其中一個有機蒸鍍室12之前述晶體振盪式膜厚計M的前述複數個晶體振盪器4，係預先形成一定膜厚之從其餘之中的其他有機蒸鍍室12的前述蒸發源2予以蒸發之有機材料時即交換成下個晶體振盪器4從而在此複數個晶體振盪器4上分別形成前述有機材料基底膜6，藉具備此附有機材料基底膜6的晶體振盪器4之晶體振盪式膜厚計M，進行在利用前述其中一個有機蒸鍍室12之前述蒸發源2的蒸鍍程序中之膜厚監控。

此外，關於如申請專利範圍第1項之真空蒸鍍裝置，其中，形成於前述各晶體振盪器4上之前述有機材料基底膜6，係採取至少2μm以上的膜厚。

此外，關於如申請專利範圍第2項之真空蒸鍍裝置，其中，形成於前述各晶體振盪器4上之前述有機材料基底膜6，係採取至少2μm以上的膜厚。

此外，關於如申請專利範圍第1~4項中任1項之真空蒸鍍裝置，其中，形成於前述晶體振盪器4的表面與背面之電極膜5，係由Al或以Al為主成分之複數個金屬而形成。

此外，關於如申請專利範圍第1~4項中任1項之真空蒸鍍裝置，其構成為：具備移動前述晶體振盪式膜厚計 M之移動機構13，就從前述其餘之中的其他蒸發源2所蒸發之有機材料，邊控制膜厚或蒸鍍速度，邊蒸鍍於前述各晶體振盪器4上而形成前述有機材料基底膜6，在利用此其餘之中的其他蒸發源2之蒸鍍程序結束後，藉前述移動機構13而移動此晶體振盪式膜厚計M，從前述其中一個蒸發源2所蒸發之有機材料形成於附前述有機材料基底膜6晶體振盪器4上，從而控制此其中一個蒸發源2而控制前述基板3表面的膜厚或蒸鍍速度並進行利用此其中一個蒸發源2的蒸鍍程序中之膜厚監控。

此外，關於如申請專利範圍第5項之真空蒸鍍裝置，其構成為：具備移動前述晶體振盪式膜厚計M之移動機構13，就從前述其餘之中的其他蒸發源2所蒸發之有機材料，邊控制膜厚或蒸鍍速度，邊蒸鍍於前述各晶體振盪器4上而形成前述有機材料基底膜6，在利用此其餘之中的其他蒸發源2之蒸鍍程序結束後，藉前述移動機構13而移動此晶體振盪式膜厚計M，從前述其中一個蒸發源2所蒸發之有機材料形成於附前述有機材料基底膜6晶體振盪器4上，從而控制此其中一個蒸發源2而控制前述基板3表面的膜厚或蒸鍍速度並進行利用此其中一個蒸發源2的蒸鍍程序中之膜厚監控。

此外，關於如申請專利範圍第1~4項中任1項之真空蒸鍍裝置，其中，前述有機材料，係供於製造有機EL裝置用的有機材料。

此外，關於如申請專利範圍第5項之真空蒸鍍裝置， 其中，前述有機材料，係供於製造有機EL裝置用的有機材料。

此外，關於如申請專利範圍第6項之真空蒸鍍裝置，其中，前述有機材料，係供於製造有機EL裝置用的有機材料。

此外，關於如申請專利範圍第7項之真空蒸鍍裝置，其中，前述有機材料，係供於製造有機EL裝置用的有機材料。

本發明係如上述而構成，故成為如下之劃時代的真空蒸鍍裝置：邊藉晶體振盪式膜厚計就膜厚、蒸鍍速度等作控制，邊藉此膜厚監控在此晶體振盪式膜厚計的複數個晶體振盪器表面蒸鍍從此(其餘中的其他的)蒸發源予以蒸發之有機材料而預先形成既定膜厚的有機材料基底膜，利用具備複數個附有此均勻形成了充分之量的膜厚之既定膜厚的基底膜之晶體振盪器的晶體振盪式膜厚計，而就(一個)從蒸發源蒸發之有機材料邊控制其膜厚、蒸鍍速度等邊蒸鍍，從而抑制等效串聯電阻的等效串聯電阻之上升，而達成長壽命化，另外可如前述使前述有機材料基底膜為均勻而形成為一定膜厚，並且不需要與蒸鍍程序係不同的成膜程序而有效預先形成前述有機材料基底膜。

換言之，成為如下之具備晶體振盪式膜厚計的優異之真空蒸鍍裝置：邊以晶體振盪式膜厚計而與基板的膜厚同 樣就膜厚作管理(邊監控膜厚)，邊將從此(其餘之中的其他的)蒸發源所蒸發之有機材料，預先蒸鍍形成於此晶體振盪式膜厚計的複數個晶體振盪器表面，故不需設置與蒸鍍程序係不同的基底膜形成程序(供於形成基底膜形成用之新的蒸鍍程序)，而可形成始終均勻之既定膜厚(一定膜厚)的採不同之有機材料的有機材料基底膜，藉此抑制晶體振盪器的等效串聯電阻之上升，達成長壽命化。

亦即，在晶體振盪器的電極膜上，預先藉在其餘之中的其他蒸鍍程序的膜厚及蒸鍍速度控制使得該有機材料被管理成一定膜厚而與該基板一起被蒸鍍而形成一定膜厚的有機材料基底膜，故相較於將蒸鍍材料(有機材料)直接蒸鍍於電極膜之情況下，電極膜與前述有機材料基底膜的密接性係佳，另外此有機材料基底膜與蒸鍍材料(有機材料)的密接性亦佳，另外與此蒸鍍材料的相容性亦比使金屬膜為基底膜之情況還良好故膜界面相較於金屬膜成為不明確，採蒸鍍材料之蒸鍍膜的膜厚即使增加，晶體振盪器的等效串聯電阻的上升仍受到抑制，故可延長壽命，長時間的監控成為可能，且此有機材料基底膜形成程序亦無須與必要之蒸鍍程序分別設置，故成為於生產性方面亦極優異之真空蒸鍍裝置。

進一步說明時，於晶體振盪器的電極膜上預先形成前述有機材料基底膜，使得即使在將由於電極膜與蒸鍍材料的密接性差，蒸鍍膜無法追隨晶體振盪器的諧振，從晶體振盪器所見時為異物附著狀態，造成供於振動用的能量產 生損失且晶體振盪器的等效串聯電阻上升之蒸鍍材料作蒸鍍的情況下，將此作蒸鍍時的晶體振盪器之等效串聯電阻的上升仍會受到抑制，故可延長壽命，成為具備長時間之監控變為可能的晶體振盪式膜厚計的真空蒸鍍裝置。

再者，真空槽內的複數個蒸發源之中，供於就從其中一個蒸發源所蒸發之有機材料的膜厚或蒸鍍速度作控制用的晶體振盪式膜厚計之晶體振盪器，係預先使在採其餘之中的其他蒸發源的蒸鍍程序中從此蒸發源所蒸發之不同的有機材料，不堆積達到諧振頻率的減少下限值，而採取形成一定膜厚時切換成具備複數個的別的晶體振盪器而進行膜厚監控，亦即邊監控膜厚，邊依序切換此監控膜厚之晶體振盪器而依序將既定膜厚的有機材料基底膜形成於各晶體振盪器，使得邊監控膜厚，邊正確形成複數個附蒸鍍成一定的膜厚之有機材料基底膜的晶體振盪器，將此使用於前述其中一個蒸發源用的晶體振盪式膜厚計(使用於其中一個蒸發源用的晶體振盪式膜厚計的晶體振盪器)，使得成為抑制等效串聯電阻的上升，且亦不需要有機材料基底膜形成程序的優異之真空蒸鍍裝置。

換言之，如前述同時進行膜厚監控、在與此係不同的(下個)膜厚監控時的基底膜之形成(可兩立)，故可更加有效達成具備複數個附一定膜厚之有機材料基底膜晶體振盪器，因而成為實用性極優異之真空蒸鍍裝置。

此外，申請專利範圍第2項的發明方面，係具有複數個有機蒸鍍室，從而成為實用性方面優異之真空蒸鍍裝 置。

此外，申請專利範圍第3、4項的發明方面，係形成至少至少2μm以上之有機材料基底膜，使得成為可更加抑制晶體振盪器的等效串聯電阻之上升的真空蒸鍍裝置。

此外，申請專利範圍第5項的發明方面，係如下更加優異之真空蒸鍍裝置：與蒸鍍材料的密接性進一步提升，可抑制蒸鍍膜無法追隨晶體振盪器的諧振使得晶體振盪器的等效串聯電阻上升，而流過晶體振盪器之電流降低，終究變得無法測定諧振的情形。

此外，申請專利範圍第6、7項的發明方面，係具有使晶體振盪式膜厚計移動之移動機構，使得可予以自動移動，另外設於例如真空槽的相同蒸鍍室，使得可在不停止有機材料的蒸發下，將具有形成有機材料基底膜之晶體振盪器的晶體振盪式膜厚計使用於來自此相同蒸鍍室的其他蒸發源之膜厚控制用監控器。

此外，申請專利範圍第8~11項的發明方面，係成為適於有機EL裝置的製造，更加有用之晶體振盪式膜厚計。

1‧‧‧真空槽

2‧‧‧蒸發源

3‧‧‧基板

4‧‧‧晶體振盪器

5‧‧‧電極膜

6‧‧‧有機材料基底膜

12‧‧‧有機蒸鍍室

13‧‧‧移動機構

M‧‧‧晶體振盪式膜厚計

[圖1]採用本實施例相關之晶體振盪式膜厚計的真空蒸鍍裝置之示意構成圖。

[圖2]是本實施例相關之晶體振盪式膜厚計的一部分之晶體保持器的說明圖。

[圖3]是本實施例相關之晶體振盪式膜厚計的一部分之蓋件的說明圖。

[圖4]就有機EL裝置製造裝置的枚葉式下之一例作繪示的示意構成說明圖。

[圖5]本實施例的晶體振盪器之示意構成說明圖。

[圖6]表示採本實施例的有機材料蒸鍍之相對於有機材料基底膜的膜厚之等效串聯電阻值穩定時間比下的圖形。

[圖7]繪示本實施例的真空蒸鍍裝置中之晶體振盪式膜厚計的移動機構下之示意構成說明平面圖。

[圖8]繪示本實施例的真空蒸鍍裝置中之晶體振盪式膜厚計的移動機構下之示意構成側面圖。

就認為適合之本發明的實施形態，根據圖式示出本發明的作用而簡單說明。

本發明之真空蒸鍍裝置，係採取在真空槽1內具有至少2個以上的蒸發源2，於蒸發源2係配設供於就各膜厚及蒸鍍速度作控制用的晶體振盪式膜厚計M之構成，構成為於此晶體振盪式膜厚計M係具備複數個晶體振盪器4，至少其中一個晶體振盪式膜厚計M所具備的複數個晶體振盪器4，係在預先形成一定膜厚之從其餘之中的其他蒸發源2所蒸發之有機材料時即交換成下個晶體振盪器4，從而邊就此其餘之中的其他蒸發源2的膜厚及蒸鍍速 度作控制邊在複數個晶體振盪器4上蒸鍍該有機材料而形成有機材料基底膜6，將此使用於供於就前述其中一個蒸發源2的膜厚及蒸鍍速度作控制用的晶體振盪式膜厚計M或使用於具備附有此有機材料基底膜6的晶體振盪器4之晶體振盪式膜厚計M，使得相較於蒸鍍材料直接蒸鍍於晶體振盪器4的電極膜5之情況，電極膜5與有機材料基底膜6的密接性佳，另外此有機材料基底膜6與前述蒸鍍材料的密接性亦佳，另外與此蒸鍍材料的相容性亦比使金屬膜為基底膜之情況還良好故膜界面相較於金屬膜成為不明確，採蒸鍍材料之蒸鍍膜的膜厚即使增加，晶體振盪器4的等效串聯電阻的上升仍受到抑制，可延長壽命，長時間的監控在不設置蒸鍍程序以外的有機材料基底膜形成程序下成為可能。

例如，即使要蒸鍍供於製造有機EL裝置用的比重為小之有機材料的情況下，與晶體振盪器4表面的電極膜5(例如Au、Ag等)之密接性仍為良好，對於晶體振盪器4的厚度剪切振動之追隨性提升，晶體振盪器4的等效串聯電阻的上升受到抑制，可延長壽命，長時間的監控成為可能。

因此，供於在電極膜5上形成有機材料基底膜6用的有機材料，係例如選擇與應抑制晶體振盪器4的等效串聯電阻的上升之有機材料相同的從在真空槽1內進行共蒸鍍之蒸發源2所蒸發者或在真空蒸鍍裝置中具有複數個的有機蒸鍍室12的其他有機蒸鍍室12之中，在單獨蒸鍍時晶 體振盪器4的等效串聯電阻不易上升者，依該蒸鍍程序進行蒸鍍而形成此有機材料基底膜6。例如，從在真空蒸鍍裝置中之具有複數個的有機蒸鍍室12予以蒸發的有機材料之中選擇以下者當作由包含至少一個以上的碳原子之有機物所構成的有機材料：與電極的密接性比晶體振盪器4的等效串聯電阻容易上升之有機材料良好，晶體振盪器4的厚度剪切振動之追隨性變高，另外亦使與前述有機材料的相容性比使金屬膜為基底膜之情況還良好，使得膜界面亦成為不明確，即使蒸鍍膜厚度增加仍可抑制等效串聯電阻的上升，使得振盪頻率穩定而可正確測定，可延長壽命者。

另外，僅基底膜非採用有機材料而是採用利用金屬材料之金屬膜時，即使與電極膜5的密接性提高仍產生與蒸鍍材料之膜界面，故等效串聯電阻上升，壽命係短。

再者，採用在晶體振盪器4的電極膜5上預先蒸鍍有機材料下的晶體振盪器4之情況下，係在形成有機材料基底膜6後到實際蒸鍍的期間，因大氣中的水分等之影響使得有機材料劣化，有在基底膜方面亦喪失功能之虞。

例如，在真空蒸鍍裝置中，構成為將在從(其餘之中的其他的)蒸發源2所蒸發之有機材料的膜厚監控中所使用的晶體振盪器4當作附有機材料基底膜6的晶體振盪器4，直接使用於從別的(其中一個)蒸發源2所蒸發之有機材料，使得可將是基底膜之有機材料的劣化抑制為最小限度。

再者，製造有機EL裝置之真空蒸鍍裝置，係具有複數個有機蒸鍍室12，即使不使用在相同的有機蒸鍍室12中共蒸鍍的有機材料作為基底膜，仍可從具有複數個的蒸發源2所蒸發的有機材料之中鑑於蒸鍍率、薄膜特性等，選擇最佳的有機材料作為基底膜。

此外，有機材料基底膜6的膜厚係採取至少2μm以上，從而可更加抑制晶體振盪器4的等效串聯電阻之上升。

再者，形成於晶體振盪器4的表面與背面之電極膜5，係採用Al或以Al為主成分之複數個金屬，使得相較於以Au、Ag等之反應性低之金屬形成電極膜5之情況下，與蒸鍍材料的密接性變更佳，可抑制蒸鍍膜無法追隨晶體振盪器4的諧振使得晶體振盪器4的等效串聯電阻上升，而流過晶體振盪器4之電流降低，終究變得無法測定諧振的情形。

此外，晶體振盪式膜厚計M，係例如數量在有機蒸鍍室12中比蒸發源2的數量多，且構成為具有整體作移動之移動機構13時，構成為邊監控從其中一個蒸發源2所蒸發之有機材料的膜厚邊形成有機材料基底膜6後作移動，而監控從其他蒸發源2所蒸發之有機材料的膜厚，使得可不停止有機材料的蒸發而長時間作使用。

〔實施例〕

就本發明的具體實施例根據圖式作說明。

本實施例，係將本發明應用於具備在真空槽1內使從蒸發源2予以蒸發之有機材料推積於基板表面而形成薄膜時之膜厚控制用的晶體振盪式膜厚計M之真空蒸鍍裝置者。

本實施例，係構成為在真空槽1內具有至少2個以上的蒸發源2，使供於在利用此各蒸發源2之各蒸鍍程序中的膜厚監控用的晶體振盪式膜厚計M於此各蒸發源2每者皆具備，於此各晶體振盪式膜厚計M係具備複數個晶體振盪器4。

其中，在將等效串聯電阻會上升之蒸鍍材料(有機材料)予以蒸鍍之蒸發源2的晶體振盪式膜厚計M(其中一個蒸發源2的其中一個晶體振盪式膜厚計M)，係採用預先將別的(其餘之中的其他的)蒸發源2予以蒸發的蒸鍍材料(有機材料)形成為基底膜之附有機材料基底膜6的晶體振盪器4。

本實施例的附此有機材料基底膜6的晶體振盪器4之製作，係在前述利用別的(其餘之中的其他的)蒸發源2的蒸鍍程序中之晶體振盪式膜厚計M的複數個晶體振盪器4，與在此蒸鍍程序的膜厚監控同時形成既定膜厚的均勻之有機材料基底膜6，在本實施例，係構成為將此晶體振盪式膜厚計M的附有機材料基底膜6之晶體振盪器4從此晶體振盪式膜厚計M卸除，而具備於前述其中一個蒸發源2的前述其中一個晶體振盪式膜厚計M。

亦即，在本實施例，係構成為各蒸鍍程序(各蒸發源 2每者)每者皆具備晶體振盪式膜厚計M，此晶體振盪式膜厚計M係不移動下，在別的蒸鍍程序邊監控膜厚邊形成有機材料基底膜6後，切換(移動裝載)此晶體振盪器4。

相對於此，就與膜厚監控同時形成為附有機材料基底膜6之晶體振盪器4的晶體振盪式膜厚計M，亦可構成為在此蒸鍍程序後將此晶體振盪式膜厚計M每者移動，或如後述之實施例不重新連接配線下，邊使一方的晶體振盪式膜厚計M退避移動邊將複數個晶體振盪式膜厚計M每者同時移動成前述另一方的形成為附有機材料基底膜6之晶體振盪器4的晶體振盪式膜厚計M變成此。

在任何情況下本發明，係在利用其餘之中的其他蒸發源2的蒸鍍程序中與膜厚監控同時形成一定膜厚的有機材料基底膜6，因而可不需要特別之基底膜形成程序下有效形成複數個附一定膜厚的有機材料基底膜6之晶體振盪器4，如此可具備在其餘之中的其他蒸鍍程序所形成之附一定膜厚的有機材料基底膜6之晶體振盪器4，作為在其中一個(別的)蒸鍍程序，亦即在蒸鍍等效串聯電阻會上升之蒸鍍材料的蒸鍍程序中的晶體振盪式膜厚計M所具備的晶體振盪器4，採用具備此附有機材料基底膜6之晶體振盪器4的晶體振盪式膜厚計M，使得成為發揮如前述之優異的效果之真空蒸鍍裝置。

圖1，係該具體之採用本實施例的晶體振盪式膜厚計M下之可長時間連續使用於大型基板的真空蒸鍍裝置之示 意構成，在此實施例，於真空槽1的內部係設置2個線性蒸發源2，並在不妨礙從各個蒸發源2所氣化而射出之蒸鍍材料到達基板表面而形成薄膜之飛散過程的位置，設置2個晶體振盪式膜厚計M作為膜厚控制用監控器。

本實施例的晶體振盪式膜厚計M，係採取在藉發送器7而以一定的頻率作振動之晶體振盪器4表面(電極膜5)，從蒸發源2所射出之蒸鍍材料作堆積使得諧振頻率依堆積量而變化，從該諧振頻率變化量以膜厚顯示部11而算出蒸鍍速度與膜厚，將該值反饋至加熱控制部8，從而就蒸發源2的加熱器功率作控制而使蒸鍍速度成為一定。

再者，為了可抑制從蒸發源2所射出之蒸鍍材料附著於晶體振盪器4表面之量，而長時間使用一個晶體振盪器4，以固定速度作旋轉之方式而配設是具有開口部與非開口部之遮蔽構材的間斷器(未圖示)。

作為在此實施例的膜厚控制用監控器之晶體振盪式膜厚計M，係具備可儲存示於圖2之複數個晶體振盪器4的晶體保持器14，並於晶體保持器14的蒸發源2側具備示於圖3之在晶體振盪器4的其中一個位置設有開口部10的蓋件15，晶體保持器14旋轉使得可切換配設於設在蓋件15之開口部10的位置之晶體振盪器4而使用，變得可跨長時間而連續作蒸鍍速度的監視。

此外，圖4係示出製造有機EL裝置之具備複數個有機蒸鍍室12的真空蒸鍍裝置之構成。由加載室、前處理 室、有機蒸鍍室、遮罩存放室、搬送裝置、交接室、金屬蒸鍍室、排出室而構成，有機EL裝置係使複數個有機層作積層而製作，故真空蒸鍍裝置係按各層具備複數個有機蒸鍍室12，從其中所使用的蒸發源2所蒸發的有機材料之中鑑於蒸鍍率、薄膜特性等，選擇最佳之有機材料作為有機材料基底膜6時，晶體振盪式膜厚計M，係藉將晶體振盪器4依一定膜厚作切換而運用，使得可使作為膜厚監控器的使用與基底膜的形成同時成立。

此選擇作為有機材料基底膜6之有機材料B，係如前述在單獨蒸鍍時晶體振盪器4的等效串聯電阻不易上升者。具體而言，選擇如下者：與電極膜5之密接性比作為蒸鍍材料之有機材料A良好，而對於晶體振盪器4的厚度剪切振動之追隨性變高，另外亦使與前述有機材料A的相容性比使金屬膜為基底膜之情況還良好，而使得膜界面亦成為不明確，即使增加蒸鍍膜厚度仍可抑制等效串聯電阻的上升，使得振盪頻率變穩定而可正確測定，可增加壽命。為此，形成有機材料基底膜6之有機材料B，係如前述採用由與前述蒸鍍材料A(有機材料A)不同之包含至少一個以上的碳原子之有機物而構成之有機材料。

此外，僅基底膜係非採用有機材料而採用利用金屬材料之金屬膜時，即使與電極膜5的密接性提高仍產生與蒸鍍材料A(有機材料A)之界面，故等效串聯電阻上升，壽命係短。

亦即，形成有機材料基底膜6之有機材料B，係採用 與蒸鍍於其上之蒸鍍材料A(有機材料A)相容性佳的有機材料，且從於真空蒸鍍裝置中監控膜厚的有機材料之中選擇與電極膜5的密接性比此有機材料A高之有機材料B。

另外，採取：形成於晶體振盪器4的表面與背面之電極，係採用以Al為主成分之合金，使得相較於以Au、Ag等之反應性低之金屬形成電極膜5之情況下，與蒸鍍材料的密接性變更佳，可抑制晶體振盪器4的等效串聯電阻的上升。

圖5，係本實施例的晶體振盪器4之示意構成，採取如前述在晶體的表背面形成由Al或以Al為主成分之合金所成之電極膜5的構成。

採取：Al係容易氧化，電極膜5表面係形成以氧所覆蓋之氧化膜，使蒸鍍了反應性高之氧分子的有機材料之有機分子與電極膜5之密接性提升，使得蒸鍍膜可追隨晶體振盪器4的諧振。

圖6，係表示以下時間的圖形：在晶體振盪器4的電極膜5上，在預先蒸鍍之預備膜方面蒸鍍有機材料而形成有機材料基底膜6，在此有機材料基底膜6上蒸鍍在蒸鍍程序所用之有機材料的情況下，等效串聯電阻不會上升而穩定之時間。

使有機材料基底膜6的膜厚0.16μm時之等效串聯電阻值的穩定時間為1，顯示有機材料基底膜6的膜厚為0.78μm、1.57μm、3.13μm時的等效串聯電阻值之穩定時 間比率。

相較於有機材料基底膜6的膜厚為0.16μm時，有機材料基底膜6的膜厚變厚成膜厚0.78μm、1.57μm、3.13μm之程度，等效串聯電阻的穩定時間比率變長成1.3、2.2、6.8。

因此，蒸鍍有機材料基底膜6越厚，越可抑制等效串聯電阻值的上升，惟將基底膜蒸鍍為厚的程度，從其上予以形成之蒸鍍材料的蒸鍍程度變少，故基底膜的膜厚係至少2μm以上為優選，採取考量儲存於晶體保持器14之晶體振盪器4的數量與蒸鍍時間，而決定基底膜的膜厚與形成晶體振盪器4的個數。

圖7，係具有晶體振盪式膜厚計M以整體同時移動之移動機構13的情況下之示意構成說明平面圖。於有機蒸鍍室12內具有2個蒸發源2，晶體振盪式膜厚計M係具備比蒸發源2的個數多一個的3個。對於在蒸鍍中等效串聯電阻上升的晶體振盪式膜厚計M係預先配設附有機材料基底膜6的晶體振盪器4，其餘的2個係配設新的晶體振盪器4。跨長時間予以蒸發有機材料之情況下，使用於膜厚監控之晶體振盪器4的個數變不足，會產生交換的需要。

此時，3個晶體振盪式膜厚計M整體移動於蒸發源2的短邊方向，使得膜厚監控之晶體振盪式膜厚計M改變，可接著繼續膜厚監控。

具體而言，使以附有機材料基底膜6之晶體振盪器4 作膜厚監控之晶體振盪式膜厚計M退避移動(此退避移動後係不使用)，同時移動使膜厚監控與基底膜的形成同時成立之晶體振盪式膜厚計M而代替使用(作為等效串聯電阻上升之蒸鍍材料的膜厚計而使用)，進行此基底形成之有機材料的膜厚計的接下來，係使用未使用而待機中的膜厚計。

因此，可在沒有使從蒸發源2所射出之有機材料的蒸發停止，冷卻後將真空槽1內排氣成大氣壓，而就晶體振盪式膜厚計M的晶體振盪器4作交換下，跨長時間繼續膜厚監控。

圖8，係示出真空蒸鍍裝置中之晶體振盪式膜厚計M的前述移動機構13。構成為晶體振盪式膜厚計M的可撓性配管與真空槽1內的大氣壓空間(大氣BOX)連接，由於將大氣BOX與真空槽1外的大氣壓空間作連通之具有關節部的大氣臂，使得前述大氣BOX可移動。採用前述之構成，使得可邊將電氣配線、同軸電纜、水冷配管等從真空槽1外的大氣壓空間導入至真空槽1內的晶體振盪式膜厚計M，邊予以移動。

另外，本發明，係非限於本實施例者，各構成要件的具體構成係可適當設計者。

1‧‧‧真空槽

2‧‧‧蒸發源

7‧‧‧發送器

8‧‧‧加熱控制部

11‧‧‧膜厚顯示部

12‧‧‧有機蒸鍍室

14‧‧‧晶體保持器

15‧‧‧蓋件

M‧‧‧晶體振盪式膜厚計

Claims (11)

1. 一種真空蒸鍍裝置，其為在真空槽內使從至少2個以上的蒸發源蒸發之作為蒸鍍材料的有機材料堆積於基板表面而形成薄膜者，被構成為：在前述真空槽內具備至少2個以上晶體振盪式膜厚計，前述晶體振盪式膜厚計用於控制前述各蒸發源而控制前述基板表面的膜厚或蒸鍍速度，前述晶體振盪式膜厚計具備複數個晶體振盪器，配置於前述其中一個蒸發源的膜厚監控位置的前述其中一個晶體振盪式膜厚計被構成為具備複數個包含有機材料B基底膜之晶體振盪器，前述複數個包含有機材料B基底膜之晶體振盪器為：在前述其他蒸發源的膜厚監控位置預先形成一定膜厚之從其餘的其他蒸發源予以蒸發之與從前述其中一個蒸發源予以蒸發的有機材料A不同的有機材料B後即交換成下個晶體振盪器，從而蒸鍍於配置在前述其他蒸發源的膜厚監控位置的前述晶體振盪式膜厚計所具備之前述複數個晶體振盪器上，與在利用前述其餘的其他蒸發源而進行的蒸鍍程序中的膜厚監控同時，分別形成一定膜厚的前述有機材料B基底膜，利用具備前述包含有機材料B基底膜的晶體振盪器之晶體振盪式膜厚計，進行在利用前述其中一個蒸發源而進行的往前述基板的蒸鍍程序中之膜厚監控。
2. 如申請專利範圍第1項之真空蒸鍍裝置，其中， 前述真空槽由複數個有機蒸鍍室構成，於各有機蒸鍍室配設前述各蒸發源與前述晶體振盪式膜厚計，配設於前述其中一個有機蒸鍍室之前述晶體振盪式膜厚計的前述複數個晶體振盪器被構成為，預先形成一定膜厚之從其餘的其他有機蒸鍍室的前述蒸發源予以蒸發之前述有機材料B後即交換成下個晶體振盪器，從而在前述複數個晶體振盪器上分別形成前述有機材料B基底膜，利用具備前述包含有機材料B基底膜的晶體振盪器之晶體振盪式膜厚計，進行在利用前述其中一個有機蒸鍍室之前述蒸發源而進行的蒸鍍程序中之膜厚監控。
3. 如申請專利範圍第1項之真空蒸鍍裝置，其中，形成於前述各晶體振盪器上之前述有機材料B基底膜具有至少2μm以上的膜厚。
4. 如申請專利範圍第2項之真空蒸鍍裝置，其中，形成於前述各晶體振盪器上之前述有機材料B基底膜具有至少2μm以上的膜厚。
5. 如申請專利範圍第1~4項中任1項之真空蒸鍍裝置，其中，形成於前述晶體振盪器的表面與背面之電極膜由Al或以Al為主成分之複數個金屬形成。
6. 如申請專利範圍第1~4項中任1項之真空蒸鍍裝置，其被構成為：具備移動前述晶體振盪式膜厚計之移動機構，就從前述其餘的其他蒸發源所蒸發之前述有機材料B，邊控制膜厚或蒸鍍速度，邊蒸鍍於前述各晶體振盪器上而形成前述有機材料B基底膜，在利用前述其餘的其他 蒸發源之蒸鍍程序結束後，利用前述移動機構移動前述晶體振盪式膜厚計，從前述其中一個蒸發源所蒸發之前述有機材料A形成於前述包含有機材料B基底膜之晶體振盪器上，從而控制前述其中一個蒸發源而控制前述基板表面的膜厚或蒸鍍速度並進行利用前述其中一個蒸發源的蒸鍍程序中之膜厚監控。
7. 如申請專利範圍第5項之真空蒸鍍裝置，其被構成為：具備移動前述晶體振盪式膜厚計之移動機構，就從前述其餘的其他蒸發源所蒸發之前述有機材料B，邊控制膜厚或蒸鍍速度，邊蒸鍍於前述各晶體振盪器上而形成前述有機材料B基底膜，在利用前述其餘的其他蒸發源之蒸鍍程序結束後，利用前述移動機構移動前述晶體振盪式膜厚計，從前述其中一個蒸發源所蒸發之前述有機材料A形成於前述包含有機材料B基底膜之晶體振盪器上，從而控制前述其中一個蒸發源而控制前述基板表面的膜厚或蒸鍍速度並進行利用前述其中一個蒸發源的蒸鍍程序中之膜厚監控。
8. 如申請專利範圍第1~4項中任1項之真空蒸鍍裝置，其中，前述有機材料A及有機材料B為用於製造有機EL裝置的有機材料。
9. 如申請專利範圍第5項之真空蒸鍍裝置，其中，前述有機材料A及有機材料B為用於製造有機EL裝置的有機材料。
10. 如申請專利範圍第6項之真空蒸鍍裝置，其中， 前述有機材料A及有機材料B為用於製造有機EL裝置的有機材料。
11. 如申請專利範圍第7項之真空蒸鍍裝置，其中，前述有機材料A及有機材料B為用於製造有機EL裝置的有機材料。

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