TWI679390B - 使用可利用富含氫的電漿移除的犧牲性支撐材料以使無坍陷的高深寬比結構乾燥的系統及方法 - Google Patents

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Abstract

用於乾燥包含複數高深寬比（HAR）結構之基板的系統及方法係在分別使用濕蝕刻溶液及/或濕清潔溶液的其中至少一者對該基板執行濕蝕刻及/或濕清潔其中至少一者之後且在未乾燥該基板的情況下加以執行。在該複數HAR結構之間的流體係使用包含一支撐材料的一溶劑加以置換。在該溶劑蒸發之後，該支撐材料自溶液析出且至少部分地填充該複數HAR結構。該基板係曝露於使用富含氫的一電漿氣體化學品產生的電漿以移除該支撐材料，從而乾燥包含該等HAR結構的該基板而無損壞該複數HAR結構。

Description

使用可利用富含氫的電漿移除的犧牲性支撐材料以使無坍陷的高深寬比結構乾燥的系統及方法
本揭示內容關於用於處理基板的系統及方法，且更具體而言，關於用於乾燥基板的高深寬比（HAR）結構而不坍陷的系統及方法。
在此提供的背景介紹係為了一般地呈現本揭示內容之背景。目前列名發明者的工作成果，在此先前技術章節中所述之範圍，以及可能未在申請時以其他方式適格作為先前技術之說明的實施態樣，係未明示或暗示承認為對於本揭示內容之先前技術。
基板（諸如半導體晶圓）的製造通常需要多個處理步驟，該等處理步驟可包含材料沉積、平坦化、特徵部圖案化、特徵部蝕刻、及/或特徵部清潔。這些處理步驟係通常於基板處理期間重覆一次或多次。
當半導體裝置持續縮小至較小的特徵部尺寸，高深寬比（HAR）結構係逐漸被需要以達成期望的元件性能目標。HAR結構的使用產生對於某些基板處理步驟的挑戰。例如：諸如蝕刻與清潔的濕處理造成由於於基板乾燥期間所產生的毛細管作用力之HAR結構的問題。毛細管作用力的強度依據表面張力、被乾燥的蝕刻、清潔、或潤洗流體的接觸角度、特徵部的間隔及/或結構的深寬比。若於乾燥期間產生的毛細管作用力太強，HAR結構將發生應變或在彼此之上坍陷且黏滯效應可能發生，其嚴重地降低元件良率。
為了解決此問題，一種方式係使用具有比去離子水低表面張力之潤洗液體以避免結構坍陷。雖然對於相對低深寬比結構係通常成功的，但此方式如同使用去離子水的方法在較高深寬比結構上具有同樣坍陷及黏滯的問題。潤洗流體仍造成有限量的表面張力，其於乾燥期間產生的力對脆弱的HAR結構係仍太強。
對於乾燥HAR結構的替代方式包含以超臨界流體溶解且沖洗潤洗流體。當正確地處理時，超臨界流體係無表面張力。然而，當使用超臨界流體時產生一些技術及製造的挑戰。該等挑戰包含高的設備及安全成本、長處理時間、於處理期間的變化的溶劑品質、由於流體的擴散與可調整本質的極度敏感性、及自超臨界流體與處理腔室之元件的交互作用產生的晶圓缺陷/污染問題。
用於避免高深寬比結構之坍陷的另一種策略係增加支撐此等結構的一永久機械性支架結構。這有一些權衡，其中此方法包含負面地影響生產量及產率的較高成本及處理複雜性。此外，該永久機械性支架結構係限於某些類型的HAR結構。
冷凍乾燥亦已被提出作為用於乾燥HAR結構的另一種方法。冷凍乾燥藉由最初將溶劑冷凍及接著在真空下直接昇華加以排除坍陷。冷凍乾燥避免液體/蒸氣介面，此將毛細管作用力最小化。雖然顯示這些優點，但冷凍乾燥與竸爭的方式相比具有相對高的成本、低生產量及高缺陷。
HAR結構的側壁之表面改質可加以執行。以此方式，小分子可化學地鍵結至HAR結構的側壁。小分子藉由當其接觸時避免材料的黏滯或改變濕化學品的接觸角度將拉普拉斯壓力最小化而改善坍陷性能。表面改質不完全排除乾燥作用力且結構在乾燥過程期間可能變形，此可能造成損壞。此外，當表面材料係改變時，新定制的分子係需要鍵結至HAR結構的側壁。
一種乾燥包含複數高深寬比（HAR）結構之基板的方法包含在分別使用濕蝕刻溶液及/或濕清潔溶液的其中至少一者對該基板執行濕蝕刻及/或濕清潔其中至少一者之後且在未乾燥該基板的情況下：使用包含一支撐材料的一溶劑置換在該複數HAR結構之間的流體，其中，在該溶劑蒸發之後，該支撐材料自溶液析出且至少部分地填充該複數HAR結構；曝露該基板於使用富含氫的一電漿氣體化學品產生的電漿以移除該支撐材料，從而乾燥包含該等HAR結構的該基板而無損壞該複數HAR結構。
在其他的特徵中，富含氫的化學品包含莫耳值高於50%的分子及/或原子氫。富含氫的化學品包含一或多種反應氣體，其中，氫包含該一或多種反應氣體高於50%莫耳值。富含氫的化學品包含一或多種惰性氣體及一或多種反應氣體的一氣體混合物，且其中，氫包含該一或多種反應氣體高於50%莫耳值。富含氫的化學品包含複數的氣體aA+bB+cC…，其中a、b、c係莫耳值及A、B、C…係氣體，且其中，貢獻氫之複數氣體的其中至少一者具有該等莫耳值a、b、c…的其中最高一者。
在其他的特徵中，在該複數HAR結構之間被置換的該流體包含該濕蝕刻溶液及/或該濕清潔溶液的該其中至少一者。該方法包含以一過渡溶劑替換該濕蝕刻溶液及/或該濕清潔溶液的該其中至少一者，且其中，被置換的該流體包含該過渡溶劑。該電漿氣體化學品進一步包含一溫和氧化劑或一惰性氣體的其中至少一者。該氧化劑係選自包含二氧化碳、一氧化碳、一氧化二氮、一氧化氮、二氧化氮、氧化硫、二氧化硫、水、及含氧烴的一群組。該溫和氧化劑包含二氧化碳。該惰性氣體係選自包含氮、氬、氙、氪、氦、及氖的一群組。
在其他的特徵中，電漿係下游電漿。電漿製程條件包含使用以下條件產生的電漿：在500W-10kW之間的電漿功率、0.1托-3托之處理腔室內的真空壓力、在25o C-400oC 之間之基板支座的一溫度、及500-10000 sccms之該電漿氣體化學品的總氣體流量。該方法包含於該電漿期間施加一基板偏壓。
在其他的特徵中，該複數HAR結構具有大於或等於15的一深寬比，及該電漿氣體化學品包含90%至98%分子氫氣體及10%至2%二氧化碳氣體的一混合物。該複數HAR結構具有大於或等於8的一深寬比。該濕蝕刻及/或濕清潔的該其中至少一者、在該複數HAR結構之間該流體的置換步驟、及該複數HAR結構的該曝露步驟發生在一單一處理腔室內。該濕蝕刻及/或濕清潔的該其中至少一者及在該複數HAR結構之間的該流體的置換步驟發生在一旋塗處理腔室內，及使用電漿之該複數HAR結構的該曝露步驟發生在一電漿處理腔室內。
一種乾燥包含複數高深寬比（HAR）結構之基板的系統包含：一處理腔室；配置在該處理腔室內的一基板支座；及一氣體遞送系統，用以遞送一氣體混合物至該處理腔室。一流體遞送系統係配置以遞送流體至該基板。一電漿產生器係配置以在該處理腔室內產生電漿。一控制器係與該流體遞送系統、該氣體遞送系統、及該電漿產生器連通，且該控制器係配置以在分別使用濕蝕刻溶液及/或濕清潔溶液的其中至少一者對該基板濕蝕刻及/或濕清潔之後且在未乾燥該基板的情況下：使用包含一支撐材料的一溶劑置換在該複數HAR結構之間的流體，其中，隨著該溶劑蒸發，該支撐材料自溶液析出且至少部分地填充該複數HAR結構；及曝露該複數HAR結構於使用一富含氫電漿氣體化學品藉由該電漿產生器產生的電漿以移除該支撐材料及乾燥包含該等HAR結構之該基板而無損壞該複數HAR結構。
在其他的特徵中，富含氫的化學品包含莫耳值高於50%的分子及/或原子氫。富含氫的化學品包含一或多種反應氣體，其中氫包含該一或多種反應氣體高於50%莫耳值。富含氫的化學品包含一或多種惰性氣體及一或多種反應氣體的一氣體混合物，且其中氫包含該一或多種反應氣體高於50%莫耳值。富含氫的化學品包含複數的氣體aA+bB+cC…，其中a、b、c係莫耳值及A、B、C…係氣體，且其中貢獻氫之該複數氣體的其中至少一者具有該等莫耳值a、b、c…的其中最高一者。
在其他的特徵中，在該複數HAR結構之間之該被置換的流體包含該濕蝕刻溶液及/或該濕清潔溶液的該其中至少一者。該控制器係配置以使用一過渡流體替換該濕蝕刻溶液及/或該濕清潔溶液的該其中至少一者。該被置換的流體包含該過渡流體。該電漿氣體化學品進一步包含一溫和氧化劑或一惰性氣體的其中至少一者。該溫和氧化劑係選自包含二氧化碳、一氧化碳、一氧化二氮、一氧化氮、二氧化氮、氧化硫、二氧化硫、水、及含氧烴的一群組。該溫和氧化劑包含二氧化碳。該惰性氣體係選自包含氮、氬、氙、氪、氦、及氖的一群組。該電漿係下游電漿。
在其他的特徵中，電漿製程條件包含使用在500W-10kW之間的一電漿功率、0.1托-3托之處理腔室內的真空壓力、在25o C-400oC 之間之該基板支座的一溫度、及500-10000 sccms之該電漿氣體化學品的總氣體流量產生的電漿。一RF源於該電漿期間供應一基板偏壓。
在其他的特徵中，該複數HAR結構具有大於或等於15的一深寬比，及該電漿氣體化學品包含90%至98%分子氫氣體及10%至2%二氧化碳氣體的一混合物。該複數HAR結構具有大於或等於8的一深寬比。
本揭示內容之進一步的可應用領域將從實施方式、發明申請專利範圍及圖式中變得明顯。詳細說明及具體例子係意圖為僅供說明的目的，而非意欲限制本揭示內容的範圍。
一些犧牲性支撐方法已被用於避免高深寬比（HAR）結構的坍陷。僅作為例子，於西元2013年6月21日申請之共同轉讓的美國專利申請案序號第13/924,314號，標題為“Method of Collapse-Free Drying of High Aspect Ratio Structures”的申請案揭示一種犧牲性支撐方法，該申請案全部內容於此藉由參照納入本案揭示內容。如該申請案所描述，一種犧牲性支撐材料（諸如玻璃態聚合物（glassy polymer）或富勒烯溶液）係在濕蝕刻或清潔製程之後但在乾燥晶圓之前直接沉積進HAR結構。當溶劑蒸發時，犧牲性支撐材料自溶液析出且填充結構。機械性支架係在HAR結構內加以形成以抵抗於溶劑乾燥期間產生的毛細管作用力。之後，犧牲性支撐材料係使用乾式電漿處理加以移除。
下游電漿製程一般使用諸如N2 /O2 或富含N2 /H2 氣體的反應物。犧牲性支撐方法已在HAR淺溝槽隔離（STI）結構上成功地加以證明，其中AR高達〜20：1。然而，使用電漿製程之犧牲性支撐結構的移除可能造成表面改質。更具體而言，富含O2 或富含N2 的電漿可化學性地修改HAR結構的表面。表面改質可導致充電及/或產生導致結構坍陷及/或黏滯的應力。
在濕蝕刻之後自HAR結構（諸如電容器）移除犧牲性支架而不造成坍陷係困難的。防止淺溝槽隔離（STI）HAR結構的坍陷之相同的支撐材料及電漿化學品未能防止具有深寬比（AR）＞ 15：1之電容器結構的坍陷。未坍陷的電容器可由於曝露至富含O2 的下游灰化化學品而坍陷。雖然富含N2 /H2 電漿化學品一般表現較好，但一些有限的坍陷仍發生。富含O2 或富含N2 的電漿已顯示化學性地修改HAR結構的表面。表面改質可導致充電及/或產生導致結構坍陷/黏滯的應力。
根據本揭示內容，具有富含氫化學品的電漿係用以自HAR結構（諸如具有AR＞ 15：1的電容器）移除犧牲性支撐材料而不造成坍陷。如此處所使用，HAR意指具有AR＞ 8：1、10：1、15：1、20：1或50：1的HAR結構。
富含氫化學品的例子係於下加以說明。僅作為例子，電漿氣體化學品可包含莫耳值高於50%的分子及/或原子氫。僅作為例子，富含氫化學品亦可包含一或多種反應氣體，其中氫包含該一或多種反應氣體高於50%莫耳值。僅作為例子，一或多種惰性氣體及一或多種反應物氣體的混合物可加以使用。在一些例子中，氫包含該一或多種反應氣體高於50%莫耳值，但不一定於包括該一或多種惰性氣體及該一或多種反應氣體之全部氣體混合物中包含高於50%莫耳值。在一些例子中，90%的氬（一種惰性氣體）及10%的H2 之氣體混合物可加以使用。
在其他的例子中，電漿氣體化學品係富含氫的且可包含複數的氣體（例如：aA+bB+cC…，其中a、b、c係莫耳值及A、B、C…係氣體），其中貢獻氫之複數氣體的其中至少一者具有莫耳值a、b、c...的其中最高一者。例如：富含氫氣體混合物可包含40%的H2 、30%的N2 、及30%的CO2 ，或40%的H2 、30%的N2 、及30%的CO，雖然其他氣體混合物可加以使用。
僅作為例子，電漿氣體化學品可與溫和的氧化劑（諸如CO2 ）加以混合。在一個例子中，電漿氣體化學品包含分別為90%至98%的H2 及10%至2%的CO2 之氣體混合物。在一個例子中，電漿氣體化學品包含96%的H2 及4%的CO2 之混合物。仍有其他例子係於下加以說明。
使用富含氫化學品的犧牲性支架允許HAR結構的濕處理而不坍陷。例如：對於具有AR＞ 15的HAR電容器結構，犧牲性支架移除製程允許犧牲性支架的使用。因此，犧牲性支撐方法係不再限於特定的結構類型及可以既有的製造設備完全地加以實現。
現參照圖1，用於乾燥包含複數HAR結構之基板的方法100係加以顯示。在122，包含複數HAR結構的基板係使用期望的蝕刻劑溶液（諸如酸及/或清潔溶液）加以濕蝕刻或清潔。在濕蝕刻或清潔之後，基板係不加以乾燥且濕蝕刻或清潔溶液殘留在基板上。
在一些例子中，HAR結構係線/間隔、STI、或圓柱狀電容器。該等材料可包含金屬、半導體或介電材料。在一些例子中，蝕刻及清潔製程將在旋塗處理腔室內加以執行。
在124，選用性的過渡溶劑可用以置換濕蝕刻或清潔溶液。過渡溶劑可根據蝕刻及/或清潔溶液及用以溶解支撐材料的溶劑之化學組成和相容性加以使用。
在126，濕蝕刻或清潔溶液或選用性的過渡溶劑係藉由包含犧牲性支撐材料的溶劑加以置換。在一些例子中，犧牲性支撐材料可包含聚合物、富勒烯、含碳材料、或其他有機材料。正如可理解，在步驟122、124及126期間基板保持濕的狀態。在一些例子中，犧牲性支撐材料包含可與富含氫化學品一起揮發的含碳材料。
在130，多餘的溶劑可選用性地旋轉去除（spin off）。犧牲性機械式支架填充基板上的複數HAR結構。隨著溶劑蒸發，犧牲性支撐材料自溶液析出及填充結構。機械性支架係在HAR結構內加以形成以抵抗於溶劑乾燥期間產生的毛細管作用力。基板可轉移至電漿處理腔室，或若使用結合的旋塗及電漿處理腔室，處理可繼續而不轉移。
在一些例子中，基板支座或平板於電漿曝露期間加熱基板至介於25o C-400o C之間的溫度。在134中，基板係曝露於富含氫電漿氣體化學品。額外的氣體可與富含氫氣體加以混合以改善殘留物或蝕刻速率而不將HAR結構的表面改質。在一些例子中，額外的氣體可包含溫和的氧化劑或惰性氣體。溫和氧化劑的例子包括二氧化碳、一氧化碳、一氧化二氮、一氧化氮、二氧化氮、氧化硫、二氧化硫、水及含氧烴。在一些例子中，混合物包含少於10%的CO2 。惰性氣體亦可加入，包含氮、氬、氙、氪、氦、及氖。在一些例子中，富含H2 的分子（諸如甲烷（CH4 ）或氨（NH3 ）可加以使用。這些富含H或富含H2 分子可單獨使用或與惰性氣體及/或溫和的氧化劑結合使用。
在138，電漿在處理腔室內加以點燃且基板係曝露於電漿以移除犧牲性支撐材料。在一些例子中，電漿係遠程或下游電漿。在一些例子中，製程條件包含使用500W-10kW的RF功率、0.1托-3托的真空壓力、及500-10000 sccms總氣體流量產生的電漿，雖然其他製程條件可加以使用。在140，選用性的基板RF偏壓可加以使用。
在142，基板在犧牲性支撐材料的移除之後自電漿處理腔室加以移除。
現參照圖2A-2D，使用犧牲性支架於乾燥期間之基板200的一個例子係加以說明。在圖2A，基板200包含複數的HAR結構204，該複數的HAR結構204自下基板層212向上延伸。例如：複數的HAR結構204可包含一或多根柱216或自下基板層212向上延伸的其他結構（諸如線/間隔、電容器等），雖然其他HAR結構係加以考慮。
流體224在濕蝕刻或濕清潔之後保留在基板200上。僅作為例子，流體224如220所示可位在柱216之間。在圖2B，選用性的過渡溶劑238可用以置換流體224。在圖2C，包含犧牲性支撐材料的溶劑240可用以置換流體224或選用性的過渡溶劑238（若使用的話）。在圖2D，電漿可用以移除在241的支撐材料而不損壞該複數的HAR結構。
現參照圖3A及3B，用於乾燥具有複數HAR結構之基板的處理腔室之例子係加以顯示。在圖3A，濕蝕刻及/或清潔可在旋塗處理腔室300內加以執行。此外，具有犧牲性支撐材料的溶劑（或過渡溶劑及具有犧牲性支撐材料的溶劑）可塗佈至在旋塗處理腔室300內的基板。接著，基板可轉移至用於電漿處理的電漿處理腔室304以移除犧牲性支撐材料而不損壞複數的HAR結構。
在圖3B，結合的旋塗及電漿處理腔室310係加以顯示。濕蝕刻及/或清潔可使用該結合的旋塗及電漿處理腔室310的旋塗元件加以執行。具有犧牲性支撐材料的溶劑（或過渡溶劑及具有犧牲性支撐材料的溶劑）可使用旋塗元件加以塗佈。接著，用於電漿處理之該結合的旋塗及電漿處理腔室310的電漿元件移除基板的犧牲性支撐材料而不損壞HAR結構。
現參照圖4，包含旋塗處理腔室404之系統400的例子係加以顯示。基板支座408（諸如基座或平板）可加以設置。基板410係在基板支座408上加以配置。馬達412可用以依需要選擇性地旋轉基板支座408，以在基板410上旋塗液體。基板支座408可包含連接至加熱器422的嵌入式線圈（未顯示）。
流體遞送系統424係用以自一或多個流體源426-1、426-2、…、及426-N（統稱流體源426）遞送流體至基板410。流體遞送系統424可包含一或多個閥428-1、428-2、…、及428-N（統稱閥428）。轉向閥430可用以移除來自流體遞送系統424的流體。流體遞送系統424可配置以遞送用於濕蝕刻、濕清潔的流體、沖洗流體、包含結構支撐材料的溶劑、及/或其他流體。閥452及泵454當需要時可用以自旋塗處理腔室404抽空反應物。一或多個感測器458可加以設置以監測處理腔室404中的條件（諸如溫度及壓力）。
控制器460可用以控制系統400中的一或多個裝置。更具體而言，控制器460可用以控制馬達412、加熱器422、流體遞送系統424、及/或閥452和泵454。控制器460可部分地依據自一或多個感測器458的反饋而操作。
現參照圖5，根據本揭示內容之基板處理系統510的一個例子係加以顯示。基板處理系統510包含處理腔室512及氣體分配裝置513。在一些例子中，遠程電漿如下進一步所述可供應至氣體分配裝置513或在氣體分配裝置513內加以產生。基板支座516（諸如基座或平板）可在處理腔室512內加以配置。在使用期間，基板518（諸如半導體晶圓或其他類型的基板）可在基板支座516上加以配置。
基板處理系統510包含氣體遞送系統520。僅作為例子，氣體遞送系統520可包含：一或多個氣體源522-1、522-2、…、及522-N（統稱氣體源522），其中N係大於零的整數；閥524-1、524-2、…、及524-N（統稱閥524）；及質流控制器（MFC）526-1、526-2、…、及526-N（統稱MFC 526）。氣體遞送系統520的輸出可在歧管530中加以混合並遞送至遠程電漿源及/或氣體分配裝置513。氣體遞送系統520供應電漿氣體化學品。
控制器540可連接至一或多個感測器541，該一或多個感測器541監測處理腔室512中的操作參數（諸如溫度、壓力等）。加熱器542可設置以當需要時加熱基板支座516及基板518。閥550及泵552可設置以自處理腔室512抽空氣體。
僅作為例子，電漿產生器556可加以設置。在一些例子中，電漿產生器556係下游電漿源。電漿產生器556可包含電漿管、電感式線圈或其他裝置以產生遠程電漿。僅作為例子，電漿產生器556可使用射頻（RF）或微波功率以使用上述氣體化學品產生遠程電漿。在一些例子中，電感式線圈係纏繞在噴淋頭的上桿部及藉由由RF源及匹配網絡產生的RF訊號加以激發。流經桿部的反應氣體係藉由RF訊號通過電感式線圈而激發成電漿態。
控制器540可用以控制氣體遞送系統520、加熱器542、閥550、泵552、及由遠程電漿產生器556產生的電漿。
現參照圖6，結合的旋塗及電漿處理腔室610係加以顯示。結合的旋塗及電漿處理腔室610包含控制器620，該控制器620配置以控制濕蝕刻或濕清潔、選用性過渡溶劑的塗佈、包含犧牲性支撐材料之溶劑的塗佈、及電漿的產生。
更具體而言，控制器620遞送濕蝕刻溶液或清潔溶液至基板。之後，控制器620遞送包含犧牲性支撐材料的溶劑（或選用性過渡溶劑且接著的包含犧牲性支撐材料的溶劑）。在流體遞送期間或之後，控制器可使用馬達412旋轉基板支座408以旋塗流體至基板之上。
塗佈之後，溶劑蒸發且犧牲性支撐材料支撐複數的HAR結構。隨後，控制器620控制氣體遞送系統520及電漿產生器556以產生電漿以移除犧牲性支撐材料及乾燥HAR結構而不損壞HAR結構。
以上所述在本質上僅為說明且係決非意欲限制本揭示內容、其應用、或使用。本揭示內容的廣泛教示可以多種方式執行。因此，雖然此揭示內容包含特殊的例子，但本揭示內容的真實範圍應不被如此限制，因為其他的變化將在研讀圖示、說明書及以下申請專利範圍後變為顯而易見。當在此使用時，片語「A、B、及C的其中至少一者」應理解為表示使用非排他邏輯「或」之邏輯（A 或 B 或 C），且不應理解為表示「A的其中至少一者、B的其中至少一者、及C的其中至少一者」。應理解方法中的一或多個步驟可以不同的順序（或同時）執行而不改變本揭示內容的原理。
在一些實施方式中，控制器為系統的一部分，其可為上述例子的一部分。此等系統可包括半導體處理設備，其包含一個以上處理工具、一個以上腔室、用於處理的一個以上平臺、及/或特定處理元件（晶圓基座、氣流系統等）。這些系統可與電子設備整合，該等電子設備用於在半導體晶圓或基板處理之前、期間、及之後控制這些系統的操作。電子設備可稱作為「控制器」，其可控制該一個以上系統之各種不同的元件或子部分。依據系統的處理需求及/或類型，控制器可加以編程以控制此處揭示的任何製程，包含：處理氣體的遞送、溫度設定（例如：加熱及/或冷卻）、壓力設定、真空設定、功率設定、射頻（RF）產生器設定、RF匹配電路設定、頻率設定、流率設定、流體遞送設定、位置及操作設定、出入一工具和其他轉移工具及/或與特定系統連接或介接的裝載鎖定部之晶圓轉移。
廣義地說，控制器可定義為電子設備，其具有各種不同的積體電路、邏輯、記憶體、及/或軟體，其接收指令、發布指令、控制操作、啟用清潔操作、啟用端點量測等。積體電路可包含儲存程式指令之韌體形式的晶片、數位訊號處理器（DSP）、定義為特殊應用積體電路（ASIC）的晶片、及/或執行程式指令（例如軟體）的一或多個微處理器或微控制器。程式指令可為以各種個別設定（或程式檔案）的形式與控制器通訊的指令，該等設定定義對於半導體晶圓或系統執行特殊製程的操作參數。在一些實施例中，該等操作參數可為由製程工程師定義之配方的部分，以在一或多個層、材料、金屬、氧化物、矽、二氧化矽、表面、電路、及/或晶圓的晶粒製造期間完成一或多個處理步驟。
在一些實施方式中，控制器可為電腦的一部分或耦接至電腦，該電腦係與系統整合、耦接至系統、以其他方式網路連至系統、或其組合。例如：控制器可為在「雲端」或晶圓廠主機電腦系統的整體或部分，可允許晶圓處理的遠端存取。該電腦可允許針對系統的遠端存取以監測製造操作的當前進度，檢查過往製造操作的歷史，檢查來自複數個製造操作的趨勢或性能度量，以改變目前處理的參數，以設定目前操作之後的處理步驟，或啟動新的製程。在一些例子中，遠程電腦（例如：伺服器）可經由網路提供製程配方給系統，該網路可包含區域網路或網際網路。遠程電腦可包含使用者介面，其允許參數及/或設定的輸入或編程，這些參數及/或設定係接著從遠程電腦被傳遞至系統。在一些例子中，控制器接收數據形式的指令，該數據明確指定於一或多個操作期間將被執行之各個處理步驟的參數。應理解參數可專門用於將執行之製程的類型與配置控制器以介接或控制之工具的類型。因此，如上所述，控制器可為分散式的，諸如藉由包含一或多個分散的控制器，其由網路連在一起且朝共同的目的（諸如此處描述的製程及控制）作業。一個用於此等目的之分散式控制器的例子將為腔室上的一或多個積體電路，連通位於遠端（諸如在平台級或作為遠程電腦的一部分）的一或多個積體電路，其結合以控制腔室中的製程。
不受限制地，示例系統可包含電漿蝕刻腔室或模組、電漿剝離腔室或模組、沉積腔室或模組、旋轉-潤洗腔室或模組、金屬電鍍腔室或模組、清潔腔室或模組、斜邊蝕刻腔室或模組、物理氣相沉積（PVD）腔室或模組、化學氣相沉積（CVD）腔室或模組、原子層沉積（ALD）腔室或模組、原子層蝕刻（ALE）腔室或模組、離子植入腔室或模組、軌道腔室或模組、及任何可關聯或使用於半導體晶圓的製造及/或生產中之其他的半導體處理系統。
如上所述，依據將由工具執行的一個以上製程步驟，控制器可與下述通訊：一或多個其他工具電路或模組、其他工具元件、群組工具、其他工具介面、毗鄰工具、相鄰工具、位於工廠各處的工具、主電腦、另一個控制器、或用於材料傳送的工具，該等用於材料傳送的工具將晶圓的容器攜帶進出半導體生產工廠內的工具位置及/或負載端。
200‧‧‧基板
204‧‧‧HAR結構
212‧‧‧下基板層
216‧‧‧柱
224‧‧‧流體
238‧‧‧過渡溶劑
240‧‧‧溶劑
300‧‧‧旋塗處理腔室
304‧‧‧電漿處理腔室
310‧‧‧結合的旋塗及電漿處理腔室
400‧‧‧系統
404‧‧‧處理腔室
408‧‧‧基板支座
410‧‧‧基板
412‧‧‧馬達
422‧‧‧加熱器
424‧‧‧流體遞送系統
426‧‧‧流體源
428‧‧‧閥
430‧‧‧轉向閥
452‧‧‧閥
454‧‧‧泵
458‧‧‧感測器
460‧‧‧控制器
510‧‧‧基板處理系統
512‧‧‧處理腔室
513‧‧‧氣體分配裝置
516‧‧‧基板支座
518‧‧‧基板
520‧‧‧氣體遞送系統
522‧‧‧氣體源
524‧‧‧閥
526‧‧‧質流控制器（MFC）
530‧‧‧歧管
540‧‧‧控制器
541‧‧‧感測器
542‧‧‧加熱器
550‧‧‧閥
552‧‧‧泵
556‧‧‧電漿產生器
610‧‧‧結合的旋塗及電漿處理腔室
620‧‧‧控制器
本揭示內容從實施方式和隨附圖式可更完全了解，其中：
圖1係說明根據本揭示內容用於使用電漿乾燥基板的複數HAR結構之方法的例子的流程圖。
圖2A-2D係說明根據本揭示內容於使用電漿乾燥期間之基板之例子的側視圖。
圖3A係說明根據本揭示內容旋塗處理腔室及電漿處理腔室的功能方塊圖。
圖3B係說明根據本揭示內容一個結合的旋塗及電漿處理腔室的功能方塊圖。
圖4係根據本揭示內容之一示例旋塗處理腔室的功能方塊圖。
圖5係根據本揭示內容之一示例電漿處理腔室的功能方塊圖。
圖6係根據本揭示內容之一示例結合的旋塗及電漿處理腔室的功能方塊圖。
在圖示中，參考數字可被再次使用以識別相似及/或相同的元件。

Claims (30)

  1. 一種乾燥包含複數高深寬比(HAR)結構之基板的方法，包含：在分別使用濕蝕刻溶液及/或濕清潔溶液的其中至少一者對該基板執行濕蝕刻及/或濕清潔其中至少一者之後，且在未乾燥該基板的情況下：使用包含一支撐材料的一溶劑置換在該複數HAR結構之間的流體，其中，在該溶劑蒸發之後，該支撐材料自溶液析出且至少部分地填充該複數HAR結構；以及曝露該基板於使用包含氧化劑且富含氫的一電漿氣體化學品產生的電漿以移除該支撐材料，從而乾燥包含該複數HAR結構的該基板，而不造成該複數HAR結構坍陷。
  2. 如申請專利範圍第1項之乾燥包含複數高深寬比(HAR)結構之基板的方法，其中，該電漿氣體化學品包含莫耳值高於50%的分子及/或原子氫。
  3. 如申請專利範圍第1項之乾燥包含複數高深寬比(HAR)結構之基板的方法，其中，該電漿氣體化學品包含一或多種反應氣體，其中氫包含該一或多種反應氣體高於50%莫耳值。
  4. 如申請專利範圍第1項之乾燥包含複數高深寬比(HAR)結構之基板的方法，其中，該電漿氣體化學品包含複數的氣體aA+bB+cC，其中a、b、c係莫耳值及A、B、C係貢獻氫之氣體，且其中貢獻氫之該複數氣體的其中至少一者具有該等莫耳值a、b、c的其中最高一者。
  5. 如申請專利範圍第1項之乾燥包含複數高深寬比(HAR)結構之基板的方法，其中，在該複數HAR結構之間被置換的該流體包含該濕蝕刻溶液及/或該濕清潔溶液的該其中至少一者。
  6. 如申請專利範圍第1項之乾燥包含複數高深寬比(HAR)結構之基板的方法，進一步包含以一過渡溶劑替換該濕蝕刻溶液及/或該濕清潔溶液的該其中至少一者，且其中被置換的該流體包含該過渡溶劑。
  7. 如申請專利範圍第1項之乾燥包含複數高深寬比(HAR)結構之基板的方法，其中，該氧化劑係選自包含二氧化碳、一氧化碳、一氧化二氮、一氧化氮、二氧化氮、氧化硫、二氧化硫、水、及含氧烴的一群組。
  8. 如申請專利範圍第1項之乾燥包含複數高深寬比(HAR)結構之基板的方法，其中，該氧化劑包含二氧化碳。
  9. 如申請專利範圍第1項之乾燥包含複數高深寬比(HAR)結構之基板的方法，其中，該電漿係下游電漿。
  10. 如申請專利範圍第1項之乾燥包含複數高深寬比(HAR)結構之基板的方法，其中，電漿製程條件包含使用以下條件產生的電漿：在500W-10kW之間的電漿功率、0.1托-3托之處理腔室內的真空壓力、在25℃-400℃之間之基板支座的溫度、及500-10000sccms之該電漿氣體化學品的總氣體流量。
  11. 如申請專利範圍第1項之乾燥包含複數高深寬比(HAR)結構之基板的方法，進一步包含於該電漿產生期間施加一基板偏壓。
  12. 如申請專利範圍第1項之乾燥包含複數高深寬比(HAR)結構之基板的方法，其中，該複數HAR結構具有大於或等於15的一深寬比，及該電漿氣體化學品包含90%至98%分子氫氣體及10%至2%二氧化碳氣體的一混合物。
  13. 如申請專利範圍第1項之乾燥包含複數高深寬比(HAR)結構之基板的方法，其中，該複數HAR結構具有大於或等於8的一深寬比。
  14. 如申請專利範圍第1項之乾燥包含複數高深寬比(HAR)結構之基板的方法，其中，該濕蝕刻及/或濕清潔的該其中至少一者、在該複數HAR結構之間該流體的置換步驟、及該複數HAR結構的該曝露步驟發生在一單一處理腔室內。
  15. 如申請專利範圍第1項之乾燥包含複數高深寬比(HAR)結構之基板的方法，其中，該濕蝕刻及/或濕清潔的該其中至少一者及在該複數HAR結構之間的該流體的置換步驟發生在一旋塗處理腔室內，及使用電漿之該複數HAR結構的該曝露步驟發生在一電漿處理腔室內。
  16. 如申請專利範圍第1項之乾燥包含複數高深寬比(HAR)結構之基板的方法，其中，曝露該基板於電漿的步驟包含曝露該基板於使用該包含氧化劑且富含氫的電漿氣體化學品產生的電漿以移除該支撐材料，從而乾燥包含該複數HAR結構的該基板而不損壞該複數HAR結構。
  17. 一種乾燥包含複數高深寬比(HAR)結構之基板的系統，包含：一處理腔室；一基板支座，配置在該處理腔室內；一氣體遞送系統，遞送一氣體混合物至該處理腔室；一流體遞送系統，配置以遞送流體至該基板；一電漿產生器，配置以在該處理腔室內產生電漿；一控制器，與該流體遞送系統、該氣體遞送系統、及該電漿產生器連通，且配置以在分別使用濕蝕刻溶液及/或濕清潔溶液的其中至少一者對該基板進行濕蝕刻及/或濕清潔其中一者之後且在未乾燥該基板的情況下：使用包含一支撐材料的一溶劑置換在該複數HAR結構之間的流體，其中，隨著該溶劑蒸發，該支撐材料自溶液析出且至少部分地填充該複數HAR結構；以及曝露該複數HAR結構於使用包含氧化劑且富含氫的電漿氣體化學品藉由該電漿產生器產生的電漿以移除該支撐材料及乾燥包含該等HAR結構的該基板，而不造成該複數HAR結構坍陷。
  18. 如申請專利範圍第17項之乾燥包含複數高深寬比(HAR)結構之基板的系統，其中，該電漿氣體化學品包含莫耳值高於50%的分子及/或原子氫。
  19. 如申請專利範圍第17項之乾燥包含複數高深寬比(HAR)結構之基板的系統，其中，該電漿氣體化學品包含一或多種反應氣體，其中氫包含該一或多種反應氣體高於50%莫耳值。
  20. 如申請專利範圍第17項之乾燥包含複數高深寬比(HAR)結構之基板的系統，其中，該電漿氣體化學品包含複數的氣體aA+bB+cC，其中a、b、c係莫耳值及A、B、C係貢獻氫之氣體，且其中貢獻氫之該複數氣體的其中至少一者具有該等莫耳值a、b、c的其中最高一者。
  21. 如申請專利範圍第17項之乾燥包含複數高深寬比(HAR)結構之基板的系統，其中，在該複數HAR結構之間之被置換的該流體包含該濕蝕刻溶液及/或該濕清潔溶液的該其中至少一者。
  22. 如申請專利範圍第17項之乾燥包含複數高深寬比(HAR)結構之基板的系統，其中，該控制器係配置以使用一過渡流體替換該濕蝕刻溶液及/或該濕清潔溶液的該其中至少一者，且其中該被置換的流體包含該過渡流體。
  23. 如申請專利範圍第17項之乾燥包含複數高深寬比(HAR)結構之基板的系統，其中，該氧化劑係選自包含二氧化碳、一氧化碳、一氧化二氮、一氧化氮、二氧化氮、氧化硫、二氧化硫、水、及含氧烴的一群組。
  24. 如申請專利範圍第17項之乾燥包含複數高深寬比(HAR)結構之基板的系統，其中，該氧化劑包含二氧化碳。
  25. 如申請專利範圍第17項之乾燥包含複數高深寬比(HAR)結構之基板的系統，其中，該電漿係下游電漿。
  26. 如申請專利範圍第17項之乾燥包含複數高深寬比(HAR)結構之基板的系統，其中，電漿製程條件包含使用以下條件產生的電漿：在500W-10kW之間的一電漿功率、0.1托-3托之該處理腔室內的真空壓力、在25℃-400℃之間之基板支座的溫度、及500-10000sccms之該電漿氣體化學品的總氣體流量。
  27. 如申請專利範圍第17項之乾燥包含複數高深寬比(HAR)結構之基板的系統，進一步包含一射頻(RF)源，其用以於該電漿產生期間供應一基板偏壓。
  28. 如申請專利範圍第17項之乾燥包含複數高深寬比(HAR)結構之基板的系統，其中，該複數HAR結構具有大於或等於15的一深寬比，及該電漿氣體化學品包含90%至98%分子氫氣體及10%至2%二氧化碳氣體的一混合物。
  29. 如申請專利範圍第17項之乾燥包含複數高深寬比(HAR)結構之基板的系統，其中，該複數HAR結構具有大於或等於8的一深寬比。
  30. 如申請專利範圍第17項之乾燥包含複數高深寬比(HAR)結構之基板的系統，其中，該控制器係配置以曝露該複數HAR結構於使用該包含氧化劑且富含氫的電漿氣體化學品藉由該電漿產生器產生的電漿以移除該支撐材料及乾燥包含該複數HAR結構的該基板而不損壞該複數HAR結構。
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102008566B1 (ko) * 2016-05-24 2019-08-07 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US10361112B2 (en) * 2017-06-29 2019-07-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. High aspect ratio gap fill
US10304805B2 (en) 2017-08-24 2019-05-28 Micron Technology, Inc. Dual sided fan-out package having low warpage across all temperatures
US10964525B2 (en) * 2017-12-19 2021-03-30 Micron Technology, Inc. Removing a sacrificial material via sublimation in forming a semiconductor
US10784101B2 (en) * 2017-12-19 2020-09-22 Micron Technology, Inc. Using sacrificial solids in semiconductor processing
US10475656B2 (en) * 2017-12-19 2019-11-12 Micron Technology, Inc. Hydrosilylation in semiconductor processing
JP7033912B2 (ja) * 2017-12-22 2022-03-11 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置及び基板処理方法
JP2021536665A (ja) * 2018-08-31 2021-12-27 ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッドHoneywell International Inc. パターン崩壊緩和のための水溶性ポリマー
KR102636979B1 (ko) 2019-04-26 2024-02-14 삼성전자주식회사 멀티 챔버 장치
CN113889405B (zh) 2020-07-02 2024-07-05 长鑫存储技术有限公司 半导体结构的处理方法及形成方法
EP3968361B1 (en) 2020-07-02 2024-01-31 Changxin Memory Technologies, Inc. Semiconductor structure processing method
CN116092915A (zh) * 2021-11-08 2023-05-09 长鑫存储技术有限公司 一种衬底的清洁方法以及用于清洁衬底的系统
US11859153B2 (en) 2021-11-08 2024-01-02 Changxin Memory Technologies, Inc. Method for cleaning substrate and system for cleaning substrate

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4892635A (en) * 1986-06-26 1990-01-09 American Telephone And Telegraph Company At&T Bell Laboratories Pattern transfer process utilizing multilevel resist structure for fabricating integrated-circuit devices
US20030017420A1 (en) * 2001-07-12 2003-01-23 International Business Machines Corporation Method to prevent pattern collapse in features etched in sulfur dioxide-containing plasmas
US20030045098A1 (en) * 2001-08-31 2003-03-06 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for processing a wafer
US20100055807A1 (en) * 2003-05-22 2010-03-04 Axcelis Technologies, Inc. Plasma ashing apparatus and endpoint detection process
US8058178B1 (en) * 2004-07-13 2011-11-15 Novellus Systems, Inc. Photoresist strip method for low-k dielectrics
US20130008868A1 (en) * 2011-07-05 2013-01-10 Yoshihiro Uozumi Substrate processing method and substrate processing apparatus

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5571447A (en) 1995-03-20 1996-11-05 Ashland Inc. Stripping and cleaning composition
US6072006A (en) 1998-11-06 2000-06-06 Arch Specialty Chemicals, Inc. Preparation of partially cross-linked polymers and their use in pattern formation
US6337277B1 (en) 2000-06-28 2002-01-08 Lam Research Corporation Clean chemistry low-k organic polymer etch
US6660459B2 (en) 2001-03-14 2003-12-09 Advanced Micro Devices, Inc. System and method for developing a photoresist layer with reduced pattern collapse
US20020168785A1 (en) 2001-05-10 2002-11-14 Symetrix Corporation Ferroelectric composite material, method of making same, and memory utilizing same
US7033735B2 (en) 2003-11-17 2006-04-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Water soluble negative tone photoresist
US7119025B2 (en) 2004-04-08 2006-10-10 Micron Technology, Inc. Methods of eliminating pattern collapse on photoresist patterns
US7888273B1 (en) 2006-11-01 2011-02-15 Novellus Systems, Inc. Density gradient-free gap fill
US8617993B2 (en) 2010-02-01 2013-12-31 Lam Research Corporation Method of reducing pattern collapse in high aspect ratio nanostructures
US8734662B2 (en) 2011-12-06 2014-05-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Techniques providing photoresist removal
CN103531464B (zh) * 2012-07-03 2017-03-22 中国科学院微电子研究所 氮化硅高深宽比孔的刻蚀方法
US8898928B2 (en) 2012-10-11 2014-12-02 Lam Research Corporation Delamination drying apparatus and method
US9666427B2 (en) 2013-06-21 2017-05-30 Lam Research Corporation Method of collapse-free drying of high aspect ratio structures
US20160042945A1 (en) 2014-08-11 2016-02-11 Lam Research Corporation Coverage of high aspect ratio features using spin-on dielectric through a wetted surface without a prior drying step

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4892635A (en) * 1986-06-26 1990-01-09 American Telephone And Telegraph Company At&T Bell Laboratories Pattern transfer process utilizing multilevel resist structure for fabricating integrated-circuit devices
US20030017420A1 (en) * 2001-07-12 2003-01-23 International Business Machines Corporation Method to prevent pattern collapse in features etched in sulfur dioxide-containing plasmas
US20030045098A1 (en) * 2001-08-31 2003-03-06 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for processing a wafer
US20100055807A1 (en) * 2003-05-22 2010-03-04 Axcelis Technologies, Inc. Plasma ashing apparatus and endpoint detection process
US8058178B1 (en) * 2004-07-13 2011-11-15 Novellus Systems, Inc. Photoresist strip method for low-k dielectrics
US20130008868A1 (en) * 2011-07-05 2013-01-10 Yoshihiro Uozumi Substrate processing method and substrate processing apparatus

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US20160097590A1 (en) 2016-04-07
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KR20160041012A (ko) 2016-04-15
TW201625889A (zh) 2016-07-16
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