TWI676996B - 透明導電膜、使用此之裝置或太陽能電池及透明導電膜之製造方法 - Google Patents

透明導電膜、使用此之裝置或太陽能電池及透明導電膜之製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI676996B
TWI676996B TW104128818A TW104128818A TWI676996B TW I676996 B TWI676996 B TW I676996B TW 104128818 A TW104128818 A TW 104128818A TW 104128818 A TW104128818 A TW 104128818A TW I676996 B TWI676996 B TW I676996B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
transparent conductive
conductive film
crystal
island
hole mobility
Prior art date
Application number
TW104128818A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201626405A (zh
Inventor
小林英治
Eiji Kobayashi
Original Assignee
日商長州產業股份有限公司
Choshu Industry Co., Ltd.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商長州產業股份有限公司, Choshu Industry Co., Ltd. filed Critical 日商長州產業股份有限公司
Publication of TW201626405A publication Critical patent/TW201626405A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI676996B publication Critical patent/TWI676996B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B5/00—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
    • H01B5/14—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive layers or films on insulating-supports
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/20—Light-sensitive devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
    • H05B33/28—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode of translucent electrodes
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本發明係一種透明導電膜，使用此之裝置或太陽能電池及透明導電膜之製造方法，其中，經由適當地調整鈰的濃度及成長環境中的氫源的分壓之時，提供成為高電洞移動度之透明導電膜，使用此之裝置或太陽能電池，及透明導電膜之製造方法。
解決手段係由含有氫及鑭系元素的氧化銦之多結晶構造所成之透明導電膜(12)，其特徵為電洞移動度為120cm2/(V．s)以上者。

Description

透明導電膜、使用此之裝置或太陽能電池及透明導電膜之製造方法
本發明係透明導電膜，使用此之裝置或太陽能電池及透明導電膜之製造方法。
透明導電膜係使用於液晶顯示元件，EL(電激發光)元件等之顯示元件用電極TFT，其他各種受光元件之透明電極。但，其一方面，透明導電膜之電洞移動度的提升係成為具有此等透明導電膜之所有的裝置之共通課題。
作為以往透明導電膜，係知道有由含有錫(Sn)氧化銦(ITO)所成之透明導電膜，或氧化鋅(ZnO)所成之透明導電膜。特別是最近在電洞移動度之提升中，具有大的效果之添加鈰之氧化銦所成之透明導電膜(專利文獻1)。在專利文獻1中，調查使膜中之鈰濃度的情況之電洞移動度，電阻率，載體密度，而檢討鈰濃度之最佳化。
〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕
〔專利文獻1〕國際公開第2011/034143號
但在專利文獻1中，在使用工業性用途之真空處理室之膜成長時，對於不可避免地混入之氫的影響係未加以檢討。
因此，本發明係其目的為提供：經由適當地調整鈰的濃度及成長環境中的氫源的分壓之時，成為高電洞移動度之透明導電膜者。
為了達成上述目的，有關本發明透明導電膜係由含有氫及鑭系元素之氧化銦的多結晶構造所成之透明導電膜，其第1特徵為電洞移動度為120cm2/(V．s)以上。
經由上述構成，經由將電洞移動度作為120cm2/(V．s)以上之時，成為降低結晶粒界散射的影響，而具有高電洞移動度之透明導電膜。
對於其第2特徵係由氧化銦之多結晶構造所成的透明導電膜，具有構成前述多結晶構造之多數的島狀結晶，和呈埋入相互鄰接之前述島狀結晶之間地加以配置 之緩衝結晶，而前述緩衝結晶係具有：伴隨著自連接於前述緩衝結晶之第1島狀結晶，朝向於歷經前述緩衝結晶而連接於前述緩衝結晶之第2島狀結晶，自前述第1島狀結晶之結晶構造連續性地變化為前述第2島狀結晶之結晶構造的結晶構造者。
經由上述構成，在緩衝結晶內，及島狀結晶與緩衝結晶之邊界中，加以維持短距離秩序性。因此，可降低載體則自第1島狀結晶歷經緩衝結晶而移動至第2島狀結晶時所受到之結晶粒界散射者。經由此，載體係主要成為依據伴隨著離子化不純物散射的影響之載體密度與電洞移動度之關係的電性特性，可具有高電洞移動度者。
對於第3之特徵係具有鈰，而其原子組成百分率為0.23%以上者。
經由上述構成，可提高透明導電膜之結晶性者。
有關本發明之裝置係其特徵為具有前述的透明導電膜者。
經由上述構成，成為具備降低結晶粒界散射的影響，具有高電洞移動度之透明導電膜之裝置。
有關本發明之太陽能電池係其特徵為具有前述的透明導電膜者。
經由上述構成，成為具備降低結晶粒界散射的影響，具有高電洞移動度之透明導電膜之太陽能電池。
有關本發明之透明導電膜的製造方法，係含有氫及鑭系元素之氧化銦的多結晶構造所成之透明導電膜 的製造方法，其特徵為前述透明導電膜之載體密度與電洞移動度之關係則呈一致於排除前述透明導電膜之結晶粒界散射的影響之載體密度與電洞移動度之關係地，調整前述透明導電膜之成長環境的氫源之分壓者。
經由上述方法，成為可將電洞移動度作為120cm2/(V．s)以上者，可製造降低結晶粒界散射的影響，而具有高電洞移動度之透明導電膜。
如根據有關本發明之透明導電膜，經由將電洞移動度作為120cm2/(V．s)以上之時，成為降低結晶粒界散射的影響，而具有高電洞移動度之透明導電膜。
10‧‧‧基板
12‧‧‧透明導電膜
100‧‧‧成膜裝置
102‧‧‧負載鎖定處理室
104‧‧‧加熱處理室
106‧‧‧加熱器
110‧‧‧成膜處理室
112‧‧‧坩堝
114‧‧‧電弧電漿槍
116‧‧‧導入管
118‧‧‧導入管
120‧‧‧導入管
122‧‧‧導入管
124‧‧‧質量分析裝置
圖1係顯示對於有關實施例1之透明導電膜之電阻率，載體密度，電洞移動度的氬而言的氧的導入比依存性(退火前，退火後)之圖表。
圖2係顯示對於有關實施例1之透明導電膜之電阻率，載體密度，電洞移動度的氬而言的氧的導入比依存性(退火前，退火後)之資料。
圖3係顯示對於有關實施例2之透明導電膜之電阻率，載體密度，電洞移動度的氬而言的氧的導入比依存性(退火前，退火後)之圖表。
圖4係顯示對於有關實施例2之透明導電膜之電阻率，載體密度，電洞移動度的氬而言的氧的導入比依存性(退火前，退火後)之資料。
圖5係顯示對於有關實施例3之透明導電膜之電阻率，載體密度，電洞移動度的氬而言的氧的導入比依存性(退火前，退火後)之圖表。
圖6係顯示對於有關實施例3之透明導電膜之電阻率，載體密度，電洞移動度的氬而言的氧的導入比依存性(退火前，退火後)之資料。
圖7係顯示對於有關比較例1之透明導電膜之電阻率，載體密度，電洞移動度的氬而言的氧的導入比依存性(退火前，退火後)之圖表。
圖8係顯示對於有關比較例1之透明導電膜之電阻率，載體密度，電洞移動度的氬而言的氧的導入比依存性(退火前，退火後)之資料。
圖9係顯示對於有關比較例2之透明導電膜之電阻率，載體密度，電洞移動度的氬而言的氧的導入比依存性(退火前，退火後)之圖表。
圖10係顯示對於有關比較例2之透明導電膜之電阻率，載體密度，電洞移動度的氬而言的氧的導入比依存性(退火前，退火後)之資料。
圖11係顯示對於有關比較例3之透明導電膜之電阻率，載體密度，電洞移動度的氬而言的氧的導入比依存性(退火前，退火後)之圖表。
圖12係顯示對於有關比較例3之透明導電膜之電阻率，載體密度，電洞移動度的氬而言的氧的導入比依存性(退火前，退火後)之資料。
圖13係顯示對於有關比較例4之透明導電膜之電阻率，載體密度，電洞移動度的氬而言的氧的導入比依存性(退火前，退火後)之圖表。
圖14係顯示對於有關比較例4之透明導電膜之電阻率，載體密度，電洞移動度的氬而言的氧的導入比依存性(退火前，退火後)之資料。
圖15係顯示對於有關比較例5之透明導電膜之電阻率，載體密度，電洞移動度的氬而言的氧的導入比依存性(退火前，退火後)之圖表。
圖16係顯示對於有關比較例5之透明導電膜之電阻率，載體密度，電洞移動度的氬而言的氧的導入比依存性(退火前，退火後)之資料。
圖17係顯示對於有關比較例6之透明導電膜之電阻率，載體密度，電洞移動度的氬而言的氧的導入比依存性(退火前，退火後)之圖表。
圖18係顯示對於有關比較例6之透明導電膜之電阻率，載體密度，電洞移動度的氬而言的氧的導入比依存性(退火前，退火後)之資料。
圖19係顯示有關實施例1，比較例1~4之透明導電膜之電洞移動度與載體密度之關係的圖表。
圖20係顯示有關實施例2，3，比較例5，6之透明 導電膜之電洞移動度與載體密度之關係的圖表。
圖21係有關實施例1之透明導電膜之退火前之SEM畫像。
圖22係有關實施例1之透明導電膜之退火後之SEM畫像。
圖23係有關比較例1之透明導電膜之退火後之SEM畫像。
圖24係有關比較例3之透明導電膜之退火後之SEM畫像。
圖25係有關比較例5之透明導電膜之退火後之SEM畫像。
圖26係有關比較例6之透明導電膜之退火後之SEM畫像。
圖27係實施例1，比較例1，比較例3之退火後的X光繞射測定資料。
圖28係為了成長有關本實施形態之透明導電膜之成膜裝置的模式圖。
以下，使用圖示的實施形態而加以詳細說明本發明。但，此實施形態所記載之構成要素，種類，組合，形狀，其相對位置等係不限特定的記載，並非將此發明之範圍僅限定於此之內容，而不過於單純之說明例。
於圖28，顯示為了成長有關本實施形態之透 明導電膜之成膜裝置的模式圖。本實施形態之成膜裝置100(1HDPE裝置)係具備：負載鎖定處理室102，和加熱處理室104，成膜處理室110。另外，圖示係雖省略，但對於各處理室係加以安裝真空幫浦。
在本實施形態所使用之基板10係加以適用以此玻璃基板，多結晶矽基板，單結晶矽基板，及實質上真性的i型非晶形矽層及p型非晶形矽層順序具備所成之上表面則為前述p型非晶形矽層之單結晶矽基板等。
本實施形態之透明導電膜12係在基板10上成長者，而含有氫(H)之同時，含有鈰(Ce)，主成分為氧化銦所成的膜。並且，透明導電膜12係實質上由多結晶構造所成，由後述之島狀結晶及緩衝結晶所成之結晶構造(或多數的圓柱狀的結晶構造)而成，而極少則亦具有非晶質部分。另外，本實施形態之透明導電膜12係其特徵為電洞移動度具有120cm2/(V．s)以上者(後述之實施例1、實施例2、實施例3等)。
負載鎖定處理室102係具備以真空狀態進行基板10之進出之基板搬送機構(未圖示)。加熱處理室104係具備加熱基板10之加熱器106。
對於成膜處理室110之上部係加以配置有使基板10之透明導電膜12成長的面呈向下地支持基板10之支撐部(未圖示)。另一方面，對於成膜處理室110之下部係加以安裝有收容蒸發源的坩堝112，供給氣體之導入管116，118，120，122、電弧電漿槍114，質量分析裝 置124。
收容於坩堝112之蒸發源係In2O3之粉末的燒結體，或使氧化鈰(CeO2)特定量混合於In2O3之粉末之燒結體。對於電弧電漿槍114係藉由導入管116而加以供給氬。自導入管118，120，122係各加以導入氧氣，氫氣，氬氣。
在成膜裝置100中，經由磁場而引導自內藏於電弧電漿槍114之陰極所釋放的電子，集中照射至裝填於坩堝112之蒸發源。沿著此電子流而加以形成電漿之故，以比較弱之磁場而控制電子流，而可控制電漿束的形狀者。經由電子束加熱而產生氣化的蒸發源或氧氣及氫氣係在此電漿內產生活性化。對於基板10之下面係，在氬，氧及氫的環境中，堆積有含有氫之多結晶的透明導電膜12。
在成膜處理室110之成長環境中的氫源的分壓係由使用質量分析計124而測定質譜者而進行監測，控制自導入管118，120，122的氧氣，氫氣及氬氣之導入量(流量控制器之開度)。然而，成膜處理室110內之透明導電膜12之成長時的壓力係控制為100Pa程度。
在此，成長環境中的氫源的分壓係考慮對於與透明導電膜12之氧化銦(退火前)中之氫的組成比做比例。另一方面，包含成膜裝置10而在一般的結晶成長用之真空裝置中，包含於O環或處理室之外壁材料，或者吸附於表面之水分或氫則一定量漏出於成長環境中。因 此，即使未自導入管120而導入氫氣，亦成為必然性地一定量摻雜有氫於透明導電膜12中者。在本實施形態中，由將處理氣體中(成長環境中)的氫氣濃度作為0%~2.0%者，而控制氫源的分壓，但即使為0%，氫源的分壓係亦未成為零，而作為殘留氣體分壓(4.0×10-4Pa)而存在。
另外，僅由燒結體而將透明導電膜12進行成膜時，膜中的氧則成為枯竭的狀態。因而，經由自導入管120而導入成長環境中的氧的分壓之氧源而提高。經由此，提高透明導電膜12之氧化銦中的氧的組成比，而可提高透明導電膜12之結晶性者。
本申請發明者係將以下實施例及比較例所示之透明導電膜12進行成膜，對於透明導電膜12而言，各自測定經由四端子法之阻抗率，經由電洞效果測定之載體密度，經由Van der Pauw法之電洞移動度。然而，如前述，基板10係可經由負載鎖定處理室102之加熱器21而加熱，但在以下的實施例及比較例中，使用加熱器21之成膜前的基板10之加熱係未加以實施。
〔實施例1〕
將包含3wt% CeO2粉末之In2O3粉末的燒結體作為蒸發源，且氫源的分壓呈成為8.2×10-4Pa地供給氫氣，而使對於氬而言之氧的導入比，在7.5%~15%之範圍加以變化而將一連串的透明導電膜12進行成膜。之後，在各大氣中，以200℃進行30分鐘退火。
〔實施例2〕
類似於實施例1，但在使用包含2wt% CeO2粉末之In2O3粉末的燒結體的點，與實施例1不同。
〔實施例3〕
類似於實施例1，但在使用包含1wt%CeO2粉末之In2O3粉末的燒結體的點，與實施例1不同。
〔比較例1〕
類似於實施例1，但在未供給氫氣的點，與實施例1不同。但，分壓成為4.0×10-4Pa之氫源則做為成長環境之背景而存在。
〔比較例2〕
類似於實施例1，但在氫源的分壓呈成為9.4×10-4Pa地供給氫氣的點而為不同。
〔比較例3〕
類似於實施例1，但在氫源的分壓呈成為1.0×10-3Pa地供給氫氣的點而為不同。
〔比較例4〕
類似於實施例1，但在氫源的分壓呈成為1.2×10-3Pa 地供給氫氣的點而為不同。
〔比較例5〕
類似於實施例1，但在使用未含有CeO2粉末(CeO2粉末的含有量為0wt%)之In2O3粉末的燒結體的點，與實施例1不同。
〔比較例6〕
類似於實施例1，但在使用未含有CeO2粉末之In2O3粉末的燒結體的點，及氫源的分壓呈成為1.2×10-3Pa地供給氫氣的點，與實施例1不同。
圖1，圖2係顯示對於有關實施例1之透明導電膜之電阻率，載體密度，電洞移動度的氬而言的氧的導入比依存性(退火前，退火後)之圖表及資料。如圖1，2所示，在實施例1之退火前的狀態中，電洞移動度之最佳值則成為41.2cm2/(V．s)(氧導入比15%時)，即使與前述之專利文獻1所示的值做比較，亦無法可說是良好。
但，如圖1，圖2所示，退火後(post-annealed)之透明導電膜12之阻抗率及載體密度係與退火前(as-deposited)做比較，而全體性下降。特別是阻抗率(Rsistivity)係其值則下降至一半或較一半稍微低之程度為止。另一方面，電洞移動度(Mobility)係與退火前做比較而各段地增加。如此，在退火後之透明導電膜12 中，阻抗率及載體密度(Carrier density)則較退火前而降低，而電洞移動度則較退火前為增加之情況係雖有程度的差，但在其他實施例及比較例亦為同樣地表示。
在實施例1中，電洞移動度係氧導入比為9%時，成為127cm2/(V．s)，在11%成為最大值之145cm2/(V．s)，而氧導入比則在9%至15%的範圍，至少具有120cm2/(V．s)以上的值。在此範圍中，阻抗率係維持1.99~2.64×10-4Ω．cm的值，載體密度係維持1.85~2.34×1020cm-3的值。
然而，氧導入比則在7.5%至8.5%的範圍，電洞移動度則成為100cm2/(V．s)以下，但此係因氧不足引起之晶格缺陷則高密度地存在，而此等則認為成為載體的散射中心。
於圖3，圖4，顯示對於有關實施例2之透明導電膜之電阻率，載體密度，電洞移動度的氬而言的氧的導入比依存性(退火前，退火後)之圖表及資料。另外，於圖5，圖6係顯示對於有關實施例3之透明導電膜12之電阻率，載體密度，電洞移動度的氬而言的氧的導入比依存性(退火前，退火後)之圖表及資料。在實施例2，實施例3中，退火前係雖未與實施例1同樣為良好，但經由進行退火而所有的物理量則良好地值地變化。
在實施例2中，氧導入比則在9.5%至14%的範圍，電洞移動度則具有120cm2/(V．s)以上的值，而最大值係在氧導入比為13%時而成為146cm2/(V．s)。 在此範圍中，阻抗率係維持2.20~2.31×10-4Ω．cm的值，載體密度係維持1.99~2.20×1020cm-3的值。
在實施例3中，氧導入比則在8.5%至13%的範圍，電洞移動度則具有100cm2/(V．s)以上的值，而最大值係在氧導入比為10%時而成為121cm2/(V．s)。在此範圍中，阻抗率係維持3.20~3.79×10-4Ω．cm的值，載體密度係維持1.56~1.80×1020cm-3的值。
本申請發明者係如實施例1，在將包含3wt%CeO2粉末之In2O3粉末的燒結體作為蒸發源的透明導電膜12中，得到鈰的組成比則成為0.7at%之見解。蒸發源的材料之蒸氣壓係因僅依存於溫度之故，認為如使蒸發源的鈰的量變化而與此作比例，透明導電膜中12之Ce的組成比亦產生變化。
因而，認為將包含2wt%CeO2粉末之In2O3粉末的燒結體作為蒸發源之實施例2的透明導電膜中12之Ce的組成比(原子組成百分率)係0.47at%，而將包含1wt%CeO2粉末之In2O3粉末的燒結體作為蒸發源的實施例3之透明導電膜12中的鈰的組成比係0.23at%。
圖7乃至圖14係顯示對於有關比較例1乃至比較例4之透明導電膜之電阻率，載體密度，電洞移動度的氬而言的氧的導入比依存性(退火前，退火後)之圖表及資料。圖7乃至圖14係表示將包含3wt%CeO2粉末之In2O3粉末的燒結體作為蒸發源而將透明導電膜12成膜時，對於使氫源的分壓變化情況之電阻率，載體密度，電 洞移動度的氬而言的氧的導入比依存性(退火前，退火後)。
如圖7，圖8所示，在比較例1(氫源分壓：4.0×10-4Pa)中，即使進行退火，電洞移動度則亦成為100cm2/(V．s)以下。如圖9，圖10所示，在比較例2(氫源分壓：9.4×10-4Pa)中，氧導入比則在9%至10%的範圍，電洞移動度則維持120cm2/(V．s)以上。另外，在實施例1，在電洞移動度成為最大時之氧導入比11%中，比較例2之電洞移動度係成為100cm2/(V．s)。
如圖11，圖12所示，在比較例3(氫源分壓：1.0×10-3Pa)中，氧導入比則在8.0%時，電洞移動度則為最大而成為117cm2/(V．s)。但，在實施例1，在電洞移動度成為最大時之氧導入比11%中，比較例3之電洞移動度係下降至58.7cm2/(V．s)。
如圖13，圖14所示，在比較例4(氫源分壓：1.2×10-3Pa)中，氧導入比則在8.5%時，電洞移動度則為最大而成為107cm2/(V．s)。但，在實施例1，在電洞移動度成為最大時之氧導入比11%中，比較例4之電洞移動度係下降至51.9cm2/(V．s)。
圖15，圖16係顯示對於有關比較例5之透明導電膜之電阻率，載體密度，電洞移動度的氬而言的氧的導入比依存性(退火前，退火後)之圖表及資料。另外，於圖17，圖18係顯示對於有關比較例6之透明導電膜之電阻率，載體密度，電洞移動度的氬而言的氧的導入比依 存性(退火前，退火後)之圖表及資料。
圖15乃至圖18係表示在將未含有CeO2粉末之In2O3粉末的燒結體作為蒸發源而將透明導電膜12成膜情況中，對於使氫源的分壓變化情況之電阻率，載體密度，電洞移動度的氬而言的氧的導入比依存性(退火前，退火後)。
如圖15，圖16所示，在比較例5(氫源分壓：8.2×10-4Pa)中，氧導入比則在8.5%時，電洞移動度則為最大而成為107cm2/(V．s)。但，在實施例1，在電洞移動度成為最大時之氧導入比11%中，比較例5之電洞移動度係下降至51.9cm2/(V．s)。
如圖17，圖18所示，在比較例6(氫源分壓：1.2×10-3Pa)中，氧導入比則在15%時，電洞移動度則為最大而成為124cm2/(V．s)，而氧導入比則在9.5%以上的範圍，電洞移動度則維持成為100cm2/(V．s)以上的值。
於圖19，顯示有關實施例1，比較例1~4之透明導電膜之電洞移動度與載體密度之關係的圖表。另外，於圖20，顯示有關實施例2，3，比較例5，6之透明導電膜之電洞移動度與載體密度之關係的圖表。
圖19，圖20係縱軸作為電洞移動度，而橫軸作為載體密度，揭示顯示各實施例及各比較例的電洞移動度與載體密度之關係的曲線資料(圖2、圖4、圖6、圖8、圖10、圖12、圖14、圖16、圖18)者。另外，對於 圖19，圖20係加以記載有顯示因氧化銦中的離子化不純物散射引起的電洞移動度與載體密度之關係的曲線μI，和因氧化銦中的粒界散射引起的電洞移動度與載體密度之關係的曲線μGB，和因兩者引起之電洞移動度與載體密度之關係的曲線μIG。
在此，μI係可經由BHD(Brooks-Herring-Dingle)理論而導出者。另外，具有1/μIG=1/μI+1/μGB的關係。然而，對於氧化銦中的中性不純物散射的電洞移動度而言之貢獻係因充分較前述的兩為小之故而可無視。
如圖19，圖20所示，實施例1之曲線資料係排列於μI線上，而實施例2之曲線資料幾乎係排列於μI之線上。從此情況，了解到在實施例1(鈰組成比：0.7at%)及實施例2(鈰組成比：0.47at%)中，對於電洞移動度而言之粒界散射的影響極小，主要離子化不純物散射的影響則為支配性。實施例3(鈰組成比：0.23at%)之曲線資料係認為雖稍微自μI的線離開，但其一部分則因幾乎平行地與μI的線排列之故，即使並非如實施例1，實施例2程度，但對於電洞移動度而言之粒界散射的影響為小。
另一方面，了解到比較例1(鈰組成比：0.7%、氫源分壓：4.0×10-4Pa)、比較例3(鈰組成比：0.7%、氫源分壓：1.0×10-3Pa)、比較例4(鈰組成比：0.7%、氫源分壓：1.2×10-3Pa)之曲線資料，及比較例2(鈰組成比：0.7%、氫源分壓：9.4×10-4Pa)之曲線資料 的大部分係因接近於μIG的線之故，電洞移動度則不僅離子化不純物散射的影響而亦受到粒界散射的影響者。但比較例2(鈰組成比：0.7%、氫源分壓：9.4×10-4Pa)之曲線資料的一部分係認為因排列於μI的線上之故，而可經由調整氧導入比而縮小對於電洞移動度而言之粒界散射的影響。
比較例6之曲線資料係雖自μI的線稍微離開，但因與μI的線幾乎平行地排列之故，認為對於電洞移動度而言之粒界散射的影響係比較小。比較例5之曲線資料係雖與μI的線幾乎平行地排列，但與比較例6做比較，因自μI的現有相當的距離之故，認為對於電洞移動度而言之粒界散射的影響則變為較比較例6為大。
在圖19，圖20中，在排列於μI之線上的曲線資料中，電洞移動度則成為120cm2/(V．s)以上。如前述，退火前之氧化銦中的氫之組成比係考慮與成長環境中的氫源之分壓做比例。隨之，將鈰組成比做為0.23at%以上，經由將氫的組成比(成長環境中的氫源之分壓)控制為以下所示之一定的範圍之時，幾乎未受到粒界散射的影響，而具有因離子化不純物散射的影響引起之電洞移動度，可將其值成為120cm2/(V．s)以上之透明導電膜12進行成膜者。
從實施例1及比較例2，透明導電膜12之成長環境中的氫源之分壓係如至少設定為8.2×10-4Pa~9.4×10-4Pa之範圍即可。然而，如前述，對於成長環 境中，係作為背景而存在有4.0×10-4Pa之分壓的氫源。因而，自配管所供給之氫氣的分壓則呈成為從前述的範圍減去背景的量之4.2×10-4Pa~5.4×10-4Pa地，如調整氫氣的流量即可。然而，在將成為120cm2/(V．s)以上之透明導電膜12成膜時之氫源的分壓係經由成長環境的壓力，基板10之材料，基板10的溫度，電漿的密度等而有差異。
接著，對於電洞移動度與結晶構造的關係而加以檢討。於圖21，顯示有關實施例1之透明導電膜12之退火前之SEM畫像。另外，於圖22乃至圖26，顯示有關比較例1、比較例3、比較例5、比較例6之透明導電膜之退火後之SEM畫像。然而，使用於圖21乃至圖26之SEM畫像的樣品係在實施例1中，統一於電洞移動度成為最大值時之氧導入比(11%)而進行成膜者。
如圖21所示，在退火前之實施例1(鈰組成比：0.7at%、氫源分壓：8.2×10-4Pa)之SEM(掃描型電子顯微鏡)畫像中，未被認定為結晶構造，而成為非晶形狀，雖省略圖示，但經由X光線之繞射峰值亦未被認定。此係對於以後所說明之比較例，亦為同樣。但如圖22所示，在退火後之實施例1的SEM畫像中，加以多數形成超過1μm之粒徑的島狀結晶，更且島狀結晶彼此的邊界則成為不明瞭的狀態。
如圖23所示，比較例1(鈰組成比：0.7%、氫源分壓：4.0×10-4Pa)係僅在氫源的分壓則較實施例1為低的點而為不同，但在退火後，加以多數形成粒徑為 100nm程度之粒界明瞭的圓柱狀的結晶。
如圖24所示，比較例3(鈰組成比：0.7%、氫源分壓：1.0×10-3Pa)係僅在氫源的分壓則較實施例1為高的點而為不同，但在退火後，混入存在有做為非晶形而殘留之範圍，和成長為粒徑為6μm程度尺寸的結晶之範圍。在成長為結晶之範圍中，係與實施例1同樣地，加以形成有島狀結晶，而島狀結晶彼此的邊界則成為不明瞭之狀態。
如圖25所示，比較例5(鈰組成比：0%、氫源分壓：8.2×10-4Pa)係僅在未加以摻雜鈰的點而與實施例1為不同，但在退火後，加以多數形成粒徑為1μm以上之粒界明瞭的圓柱狀的結晶。
比較例6(鈰組成比：0%、氫源分壓：1.2×10-3Pa)係未加以摻雜鈰的點則與實施例1為不同，而氫源分壓亦成為較實施例1為高。但如圖26所示，與實施例1同樣地，加以多數形成1μm程度之粒徑的島狀結晶，但島狀結晶彼此之邊界則成為不明瞭的狀態。
自圖21乃至圖26，得到如以下的見解。首先，鈰係有促進氧化銦的結晶結合之效果，認為成為在非晶形之氧化銦的結晶成長之基點。因而，如比較圖23(比較例1)與圖25(比較例5)時，認為越提高鈰的濃度，在氧化銦的粒界之粒徑係變小者。
另一方面，氫係在成膜時，與氧或銦結合，阻礙氧化銦的結晶成長而形成氧化銦的非晶形。但經由退 火，氫係切斷與氧及銦的結合而自氧化銦脫離。經由此，結合手段切斷之氧及銦則結合而產生結晶化，但退火前之氧化銦中的氫濃度越高，氧化銦之非晶形性則變高(結晶性降低)之故，而認為即使經由退火亦無法消解非晶形。
因而，在圖23所示之比較例1中，係認為因為係幾乎未有非晶形性程度之氫的組成比之故，經由退火而加以生成粒界明瞭之圓柱狀的小結晶(將鈰做為基點)。另外，在圖22所示之實施例1中，係認為因係經由退火而加以消解非晶形性程度之氫的組成比之故，而加以形成有多數之島狀結晶。更且，在圖24所示之比較例3中，認為對於經由退火而消解非晶形性係因為稍微困難程度之氫的組成比之故，加以消解非晶形而加以形成多數之島狀結晶之範圍與加以形成保持非晶形之範圍。
在圖25所示之比較例5中，係認為在無添加鈰之氧化銦中，因係幾乎未具有非晶形性程度之氫的組成比之故，經由退火而加以生成粒界明瞭之圓柱狀的結晶。另外，在圖26所示之實施例6中，係認為在無添加鈰之氧化銦中，因係經由退火而加以消解非晶形性程度之氫的組成比之故，而加以形成有多數之島狀結晶。
於圖27，顯示實施例1，比較例1，比較例3之退火後的X光繞射測定資料。如圖27所示，例如，比較(222)之峰值時，實施例1則成為最高的強度，在此等之中可說是結晶性最高者。另一方面，比較例1係認為因粒界則高密度地產生之故，結晶性則成為較實施例1為 低，(222)之峰值則成為較實施例1為小。另外，在比較例3中，係認為加以形成有與實施例1同樣的島狀結晶，但非晶形範圍為大之故，(222)之峰值則成為較實施例1為小。
接著，對於在實施例1，比較例3、比較例6所看到之島狀結晶而加以考量。
如前述，在實施例1中，電洞移動度係如圖1，2所示，氧導入比為9%以上，維持120cm2/(V．s)以上的值。另外，如圖19所示，實施例1之曲線資料係認為排列於因離子化不純物散射引起之曲線μI上，電洞移動度則幾乎未受到粒界散射的影響。
另外，在比較例6中，電洞移動度係如圖17，18所示，氧導入比為9.5%以上，維持100cm2/(V．s)以上的值。另外，如圖20所示，比較例6之曲線資料係認為接近排列於因離子化不純物散射引起之曲線μI，電洞移動度則幾乎未受到粒界散射的影響。
並且，如圖22，圖26所示，在實施例1，比較例6中，加以認定多數之島狀結晶，但其邊界則具有不明瞭之構造。從以上的情況，在有關實施例1，比較例6之透明導電膜中，係認為具有形成多結晶構造的島狀結晶，和呈埋入相互鄰接之島狀結晶之間地加以配置之緩衝結晶。形成前述島狀結晶之不明瞭的邊界則為此緩衝結晶。
緩衝結晶係認為如以下地加以形成。首先， 在實施例1，比較例6中，經由成膜後之退火，加以形成成為島狀結晶的種之微結晶為點狀(有鈰之情況係將鈰作為中心)，而此等則加入周圍之非晶形部分而成長。此時，自非晶形部分係氫則脫離，而經由脫離而結合之空檔的氫及銦則結合，而有鈰之情況係支援其結合。但，成長初期之島狀結晶係與非晶形部分之邊界則為曖昧，而成為呈伴隨著自島狀結晶離開於非晶形部分，而長距離秩序性則立即失去，僅殘存有短距離秩序，最後短距離秩序性亦立即失去之配置。如此，層次性地結晶構造產生變化的部分則成為緩衝結晶。
並且，當島狀結晶之成長進行時，位於第1島狀結晶周圍之緩衝結晶，和位於與第1島狀結晶其他的位置之第2島狀結晶周圍之緩衝結晶則成為接觸者，但因兩者係僅具有短距離秩序性之故而成為相互交融者。但第1島狀結晶與第2島狀結晶之結晶方位係因相互不同之故，在殘存有緩衝結晶之狀態，成為第1島狀結晶與第2島狀結晶之成長則結束者。
如此所形成之緩衝結晶係成為伴隨著自連接於緩衝結晶之第1島狀結晶，歷經緩衝結晶而朝向於連接於緩衝結晶之第2島狀結晶，具有自第1島狀結晶之結晶構造連續性地變化為第2島狀結晶之結晶構造的結晶構造者。
經由緩衝結晶則具有上述之結晶構造之時，在緩衝結晶內，及島狀結晶與緩衝結晶之邊界中，加以維 持短距離秩序性。因此，可降低載體則自第1島狀結晶歷經緩衝結晶而移動至第2島狀結晶時所受到之結晶粒界散射者。經由此，載體係主要成為依據伴隨著離子化不純物散射的影響之載體密度與電洞移動度之關係的電性特性，可具有高電洞移動度者。在圖24所示之比較例3中亦看到島狀結晶，但如僅為此島狀結晶部分，認為可得到與實施例1，比較例6同等之電洞移動度。
在本實施形態中，對於摻雜鈰於氧化銦之情況加以說明過，但亦可適用其他的鑭系元素者。另外，本實施形態之透明導電膜係可適宜適用於液晶顯示裝置，有機電激發光裝置等之畫像顯示裝置，結晶太陽能電池，薄膜太陽能電池，色素增感太陽能電池等之太陽能電池，電子構件等。
〔產業上之利用可能性〕
經由適當地調整鈰及氫的濃度之時，可作為成為高電洞移動度之透明導電膜，使用此之裝置或太陽能電池，及透明導電膜之製造方法而利用。

Claims (2)

  1. 一種透明導電膜，係由含有氫及鑭系元素的氧化銦之多結晶構造所成之透明導電膜，其特徵係具有：構成前述多結晶構造之多數的島狀結晶；和使埋入相互鄰接之前述島狀結晶之間加以配置之緩衝結晶；前述緩衝結晶係具有：伴隨著自連接於前述緩衝結晶之第1島狀結晶，經由前述緩衝結晶而朝向連接於前述緩衝結晶之第2島狀結晶，自前述第1島狀結晶之結晶構造連續性地變化為前述第2島狀結晶之結晶構造；前述鑭系元素係鈰，其原子組成百分率為0.23%以上，電洞移動度為120cm2/(V．s)以上者。
  2. 一種透明導電膜之製造方法，係由含有氫及鑭系元素的氧化銦之多結晶構造所成之透明導電膜之製造方法，其特徵係將包含前述鑭系元素係鈰，其原子組成百分率為0.23%以上之燒結體做為蒸發源，且使氫源之分壓為4.2×10-4Pa~5.4×10-4Pa，調整氫氣之流量，使具有：構成前述多結晶構造之多數的島狀結晶；和使埋入相互鄰接之前述島狀結晶之間加以配置之緩衝結晶；前述緩衝結晶係具有：伴隨著自連接於前述緩衝結晶之第1島狀結晶，經由前述緩衝結晶而朝向連接於前述緩衝結晶之第2島狀結晶，自前述第1島狀結晶之結晶構造連續性地變化為前述第2島狀結晶之結晶構造；電洞移動度為120cm2/(V．s)以上加以成膜者。
TW104128818A 2014-09-12 2015-09-01 透明導電膜、使用此之裝置或太陽能電池及透明導電膜之製造方法 TWI676996B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014186841A JP6037239B2 (ja) 2014-09-12 2014-09-12 透明導電膜、これを用いた装置または太陽電池、及び透明導電膜の製造方法
JP2014-186841 2014-09-12

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201626405A TW201626405A (zh) 2016-07-16
TWI676996B true TWI676996B (zh) 2019-11-11

Family

ID=55458853

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104128818A TWI676996B (zh) 2014-09-12 2015-09-01 透明導電膜、使用此之裝置或太陽能電池及透明導電膜之製造方法

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP6037239B2 (zh)
TW (1) TWI676996B (zh)
WO (1) WO2016039097A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101992074B1 (ko) * 2016-08-25 2019-06-21 가부시키가이샤 알박 성막 장치 및 성막 방법 그리고 태양 전지의 제조 방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200927974A (en) * 2007-12-25 2009-07-01 Idemitsu Kosan Co Tin oxide-magnesium oxide sputtering target and transparent semiconductor film
TW201128661A (en) * 2009-09-17 2011-08-16 Sanyo Electric Co Transparent conductive film and apparatus having the same
JP2012253315A (ja) * 2010-12-28 2012-12-20 Idemitsu Kosan Co Ltd 酸化物半導体薄膜層を有する積層構造及び薄膜トランジスタ
TW201423772A (zh) * 2012-11-07 2014-06-16 Sumitomo Metal Mining Co 透明導電膜層積體及其製造方法、以及薄膜太陽電池及其製造方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3947575B2 (ja) * 1994-06-10 2007-07-25 Ｈｏｙａ株式会社 導電性酸化物およびそれを用いた電極
JP5561358B2 (ja) * 2010-03-19 2014-07-30 住友金属鉱山株式会社 透明導電膜

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200927974A (en) * 2007-12-25 2009-07-01 Idemitsu Kosan Co Tin oxide-magnesium oxide sputtering target and transparent semiconductor film
TWI429776B (zh) * 2007-12-25 2014-03-11 Idemitsu Kosan Co Tin oxide - Magnesium oxide sputtering target and transparent semiconductor film
TW201128661A (en) * 2009-09-17 2011-08-16 Sanyo Electric Co Transparent conductive film and apparatus having the same
JP2012253315A (ja) * 2010-12-28 2012-12-20 Idemitsu Kosan Co Ltd 酸化物半導体薄膜層を有する積層構造及び薄膜トランジスタ
TW201423772A (zh) * 2012-11-07 2014-06-16 Sumitomo Metal Mining Co 透明導電膜層積體及其製造方法、以及薄膜太陽電池及其製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP6037239B2 (ja) 2016-12-07
WO2016039097A1 (ja) 2016-03-17
TW201626405A (zh) 2016-07-16
JP2016062647A (ja) 2016-04-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Zhang et al. Influence of deposition temperature on the crystallinity of Al-doped ZnO thin films at glass substrates prepared by RF magnetron sputtering method
Reddy et al. Structural, optical and XPS study of thermal evaporated In2O3 thin films
JP4397511B2 (ja) 低抵抗ｉｔｏ薄膜及びその製造方法
Yu et al. Fabrication of p-type SnO2 films via pulsed laser deposition method by using Sb as dopant
JP6289693B2 (ja) 結晶質酸化物半導体薄膜、結晶質酸化物半導体薄膜の製造方法及び薄膜トランジスタ
Pan et al. Studies on the optoelectronic properties of the thermally evaporated tin-doped indium oxide nanostructures
Wang et al. Growth mechanism of preferred crystallite orientation in transparent conducting ZnO: In thin films
Wang et al. Improving crystallization and electron mobility of indium tin oxide by carbon dioxide and hydrogen dual-step plasma treatment
Sukee et al. Preparation of aluminum doped zinc oxide thin films on glass substrate by sparking process and their optical and electrical properties
Yusof et al. Fabrication and characterization of copper doped zinc oxide by using Co-sputtering technique
TWI676996B (zh) 透明導電膜、使用此之裝置或太陽能電池及透明導電膜之製造方法
CN107513695B (zh) 利用Nb掺杂调谐Ga2O3禁带宽度的方法
KR101862072B1 (ko) 반투명막 제조방법, 가시광영역의 흡수성 특성을 갖는 산화물반도체 및 그 제조방법
JP2016201458A (ja) 微結晶質酸化物半導体薄膜及びそれを用いた薄膜トランジスタ
Liu et al. Effect of Annealing Temperature on Optoelectronic Performance of F-and Al-codoped ZnO Thin Films for Photosensor Applications.
Tsakonas et al. Low temperature sputter-deposited ZnO films with enhanced Hall mobility using excimer laser post-processing
Machado et al. Influence of thermal annealing on the properties of evaporated Er-doped SnO2
Islam et al. Effect of Sn doping on the properties of nano-structured ZnO thin films deposited by Co-sputtering technique
JP2005060145A (ja) 酸化亜鉛超微粒子および酸化亜鉛超微粒子の製造方法
Liang et al. Effects of growth temperature and target material on the growth behavior and electro-optical properties of ZnO: Al films deposited by high-rate steered cathodic arc plasma evaporation
JP2009108420A (ja) 低抵抗ｉｔｏ薄膜及びその製造方法
Chen et al. Room-temperature fabrication of highly transparent conductive aluminum-doped zinc oxide films
Khomchenko et al. White light emission of ZnO-Cu nano-films
Xirouchaki et al. Structural and chemical characterization of as-deposited microcrystalline indium oxide films prepared by dc reactive magnetron sputtering
Jintakosol Optical Property of Sb-Doped SnO2 Nanoparticle Thin Films by Sparking Process

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees