TWI676224B - 冷卻單元及冷卻單元之製造方法 - Google Patents
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Abstract
提供一種冷卻單元，於板件及蓋件進行結合處理時具有良好之作業性。冷卻單元包含板件、蓋件及二者之混合層。板件具有平面部、溝部及凸出部。溝部自平面部朝向板件之內部凹陷。凸出部自平面部朝向板件之外側凸出。蓋件朝向平面部且接合至板件，蓋件設置有開口部。開口部對應於凸出部之位置。板件及蓋件之混合層設置於凸出部之側壁與開口部之內壁之間。
Description
本發明關於一種冷卻單元及冷卻單元之製造方法。本發明特別是關於一種使用於半導體製造裝置之冷卻單元及冷卻單元之製造方法。
於LSI或記憶體等之製造工程之中，藉由於半導體基板上形成薄膜且對薄膜加工，以形成電晶體元件、配線、電阻元件、電容元件等之功能元件。於半導體基板上形成薄膜之方法可使用化學氣相沉積（Chemical Vapor Deposition，CVD）法、物理氣相沉積（Physical Vapor Deposition，PVD）法、原子層堆積（Atomic Layer Deposition，ALD）法等之方法。對薄膜加工之方法可使用反應性離子蝕刻（Reactive Ion Etching，RIE）法、機械研磨（Mechanical Polishing，MP）法、化學機械研磨（Chemical Mechanical Polishing）法等之方法。半導體裝置之製造工程中，亦可進行形成薄膜及對薄膜加工以外之電漿處理等之表面處理之工程。
使用於上述之形成薄膜、對薄膜加工及表面處理工程之半導體製造裝置中，可設置有用以支撐半導體基板之工作台（stage）。此工作台不僅可單純地支撐半導體基板，亦可具備有因應各種處理工程而調節半導體基板之溫度之功能。為了如上所述之調節溫度之功能，於工作台可設置有冷卻機構。特別是於上述之半導體製造裝置中，廣範使用藉由循環液態冷媒以冷卻工作台之冷卻機構（冷卻單元）。
舉例而言，如專利文獻1（日本專利公開案第2007-222965號公報）所述，於做為冷卻水流道之溝部以外之區域中，接合第一平板件（蓋件）及第二平板件（板件）。藉由此結構，而能夠抑制冷卻水漏出至冷卻單元之外部。
專利文獻1所示之冷卻單元中，必須自第一平板件（蓋件）沿溝部以外之區域對第一平板件（蓋件）及第二平板件（板件）進行接合處理。然而，自第一平板件之上方無法分辨溝部之位置。因此，難以正確地對溝部以外之區域進行接合處理。或者，於專利文獻1中，為了正確地對溝部以外之區域進行接合處理，而會耗費事先於將進行接合處理之位置附加標記之工序及工時。
有鑑於如此之問題，本發明之一目的在於提供一種冷卻單元，於板件及蓋件進行結合處理時具有良好之作業性。
根據本發明之一實施型態之冷卻單元包含板件、蓋件及二者之混合層。板件具有平面部、溝部及凸出部。溝部自平面部朝向板件之內部凹陷。凸出部自平面部朝向板件之外側凸出。蓋件朝向平面部且接合至板件，蓋件設置有開口部。開口部對應於凸出部之位置。板件及蓋件之混合層設置於凸出部之側壁與開口部之內壁之間。
此外，冷卻單元亦可更包含第一耐水性覆膜及第二耐水性覆膜。第一耐水性覆膜配置於平面部及溝部。第二耐水性覆膜配置於蓋件之朝向平面部及溝部之表面。
此外，板件之材質及蓋件之材質亦可相同。
此外，板件之材質及蓋件之材質亦可為包含鋁之金屬。
此外，凸出部之側壁及開口部之內壁亦可彼此接觸。
此外，蓋件亦可露出凸出部，板件亦可設置有貫通孔位於配置凸出部之位置，且貫通孔亦可自凸出部之第一表面貫通至板件之相反於凸出部之第二表面。
此外，設置有貫通孔之凸出部之數量亦可為三個以上，且凸出部亦可配置成多個凸出部所形成之多角形之內側含有板件之中心。
根據本發明之一實施型態之冷卻單元之製造方法，包含以下步驟。準備板件，此板件具有平面部、溝部及凸出部。溝部自平面部朝向板件之內部凹陷。凸出部自平面部朝向板件之外側凸出。準備蓋件，此蓋件朝向平面部且設置有開口部。以將凸出部嵌合至開口部之內部之方式配置板件及蓋件。藉由摩擦攪拌接合步驟接合凸出部之側壁及開口部之內壁。
根據關於本發明之冷卻單元，而能夠提供一種冷卻單元，於板件及蓋件進行結合處理時具有良好之作業性。
以下，將參照圖式說明關於本發明之冷卻單元。然而，本發明之冷卻單元能夠以多種相異態樣實施，而並非解釋成限定於以下所例示之實施型態之記載內容。本實施型態所參照之圖式中，相同部分或具有同樣功能之部分可附上相同的符號，且將省略如此反覆之說明。為了便於說明，雖使用所謂之上方或下方之用語進行說明，但上方或下方可分別表示各個冷卻單元於使用時（安裝於裝置時）所朝向之方向。為了使說明更為明確，圖式與實際之態樣相比，關於各個部分之幅寬、厚度、形狀等雖為示意表示之場合，但此僅為一範例，而並非限定本發明之解釋。
以下將說明第一實施型態。
將使用圖1及圖2說明關於本發明之第一實施型態之冷卻單元之整體結構。關於本發明之第一實施型態之冷卻單元能夠使用於CVD裝置、濺射（sputter）裝置、蒸鍍裝置、蝕刻裝置、電漿（plasma）處理裝置、研磨裝置、量測裝置、檢查裝置及顯微鏡等裝置。然而，關於第一實施型態之冷卻單元並非限定使用於上述裝置，亦能夠使用於必須對基板冷卻之裝置。
以下將說明冷卻單元10之結構。
圖1為繪示關於本發明之一實施型態之冷卻單元之整體結構之俯視圖。圖2為圖1之A-A’剖面圖。如圖1及圖2所示，關於第一實施型態之冷卻單元10包含板件100及蓋件200。板件100具有平面部105、溝部110及凸出部140、150。平面部105朝向蓋件200。溝部110自平面部105朝向板件100之內部凹陷。凸出部140、150自平面部105朝向板件100之外側凸出。蓋件200設置有開口部210。開口部210對應於凸出部140之位置。板件100及蓋件200彼此相互接合。板件100及蓋件200彼此接合之位置，為凸出部140之側壁142與開口部210之內壁212接觸之位置，以及為凸出部150之側壁152與蓋件200之外周側壁214接觸之位置。凸出部150設置於板件100之外周部，且凸出部150圍繞蓋件200。於此，於並未特別區別凸出部140-1～140-5之場合中，單純稱為凸出部140。同樣地，於並未特別區別開口部210-1～210-5之場合中，單純稱為開口部210。
圖2中，凸出部140之側壁142與開口部210之內壁212彼此接合，且凸出部150之側壁152與蓋件200之外周側壁214彼此接合。另一方面，平面部105與蓋件200之下表面雖有機械性接觸，但並未彼此接合。
雖然例示凸出部140及蓋件200之上表面彼此對齊，即二者共有相同平面之構造，但並非限定於此構造。舉例而言，凸出部140之上表面亦可凸出於蓋件200之上表面之上方，或者亦可反過來為蓋件200之上表面凸出於凸出部140之上表面之上方。藉由溝部110及蓋件200而構成之流道中，所流通之冷媒雖亦能夠使用水，但亦能夠為液態氮或液態氦等之其他冷卻用液體。
圖2中，雖例示平面部105與蓋件200之下表面並未接合之結構，但並非限定於此結構。舉例而言，平面部105與蓋件200之下表面亦可輔助性地彼此接合或接著。平面部105與蓋件200之下表面亦可彼此不接觸。換言之，平面部105與蓋件200之下表面亦可彼此隔開。圖2中，雖例示側壁142與內壁212彼此直接接觸之構造，但並非限定於此結構。
以下將使用圖3～圖6詳細說明關於板件100及蓋件200之各個構造。圖3繪示關於本發明之一實施型態之板件之結構之俯視圖。圖4為圖3之B-B’剖面圖。圖5繪示關於本發明之一實施型態之蓋件之結構之俯視圖。圖6為圖5之C-C’剖面圖。
如圖3所示，溝部110之兩端部接續至外部接續部120、130。自外部接續部120、130之一者導入之冷卻用液體可經過溝部110再自外部接續部120、130之另一者排出至外部。外部接續部120可設置於板件100之外周附近，外部接續部130可設置於板件100之中央附近。溝部110可配置成自外部接續部120朝向外部接續部130呈現旋渦狀。外部接續部120、130之位置及溝部110之形狀可如後述具有多種型態。
如圖4所示，溝部110之截面形狀可為矩形，且自平面部105朝向板件100之內部方向凹陷。溝部110之幅寬可為1 mm以上且為20 mm以下。溝部110之深度可為1 mm以上且為30 mm以下。圖4中，溝部110之截面形狀雖例示為矩形，但並非限定於此截面形狀。舉例而言，溝部110之底部亦可為彎曲形狀，亦可為溝部110之直徑（或幅寬）自板件100之內部朝向蓋件200逐漸變寬或逐漸變窄之錐狀。
如圖3所示，凸出部140配置成位於板件100之中央部（凸出部104-1）及自中央部朝向四方向隔開之位置（凸出部140-2～5）。凸出部140-2～5配置於旋渦狀之溝部110之相鄰圓弧之間。凸出部150設置於板件100之外周部。換言之，於板件100之上表面中，除了溝部110及凸出部140、150之區域可為平面部105。而於圖3中，雖例示配置五個凸出部140之結構，但並非限定於此結構，亦可配置少於五個，亦可配置多於五個。如後所述，於板件100之中央部亦可不配置凸出部140。
如圖4所示，凸出部140、150之截面形狀可為矩形，且自平面部105朝向板件100之外部方向凸出。凸出部140之幅寬可為1 mm以上且為30 mm以下。凸出部140之高度可為0.5 mm以上且為20 mm以下。同樣地，凸出部150之幅寬可為1 mm以上且為30 mm以下。凸出部150之高度可為0.5 mm以上且為30 mm以下。凸出部140、150為板件100之一部分。換言之，板件100與凸出部140、150可為一體成型。然而，與板件100為相異元件之凸出部140、150亦可接續於板件100之平面部105之上表面。圖4中，凸出部140、150之截面形狀雖例示為矩形，但並非限定於此截面形狀。舉例而言，亦可為凸出部140、150之直徑自板件100之內部朝向外部逐漸變窄之錐狀。凸出部140、150之截面形狀為錐狀之場合中，開口部210及蓋件200之外周側壁214之截面形狀亦可為對應於凸出部140、150之截面形狀之錐狀。
如圖5所示，蓋件200可為圓盤形之形狀，且於蓋件200之內部可設置有相當於圖3之凸出部140-1～5之位置之開口部210-1～5。蓋件200之外徑（外周側壁214）可與凸出部150之內徑實質上一致。換言之，蓋件200於俯視視角中與板件100之平面部105及溝部110重疊。藉由凸出部140、150嵌合至開口部210及外周側壁214，而將蓋件200設置於板件100。於此，為了抑制蓋件200自板件100浮起，而亦可設置例如三個以上之凸出部140。藉此，多個凸出部140能夠配置成此些凸出部140所形成之多角形之內側含有板件100之中心。
圖4中雖例示開口部210之側壁垂直於蓋件200之主面之構造，但並非限定於此構造，亦能夠配合凸出部140、150之形狀而改變為適當形狀。
以下將說明板件100及蓋件200之接合方法。
能夠使用摩擦攪拌接合（Friction Stir Welding，FSW）等之方法接合凸出部140之側壁142與開口部210之內壁212，以及接合凸出部150之側壁152與蓋件200之外周側壁214。所謂之FSW之接合方法，為旋轉於末端設置有凸起物（探針）之工具，且同時壓入至接合部，以攪拌因摩擦而軟化之材料（塑性流動化） 。於此，藉由FSW而接合之層稱為混合層。
如上所述，首先準備板件100及蓋件200。於此，板件100設置有平面部105、溝部110及凸出部140。平面部105朝向蓋件200。溝部110自平面部105朝向板件100之內部凹陷。凸出部140自平面部105朝向板件100之外側凸出（參照圖4）。蓋件200設置有開口部210（參照圖6）。接下來，以凸出部140嵌合至開口部210之內部之方式配置板件100及蓋件200。換言之，以凸出部140插入開口部210之內部之方式配置板件100及蓋件200。接下來，藉由FSW接合凸出部140之側壁與開口部210之內壁，以完成冷卻單元。
藉由使用FSW接合，凸出部140之側壁及開口部210之內壁可於其邊界附近維持固態下彼此接合，而形成由板件100之材料及蓋件200之材料製成之混合層。換言之，凸出部140之側壁與開口部210之內壁之間存在有板件100及蓋件200之混合層。於此，因FSW處理可自凸出部140及蓋件200於上方露出之方向進行，而能夠辨識應進行接合之區域。
以下將說明關於冷卻單元10之各個構成元件之材料。板件100能夠使用鋁（Al）、鈦（Ti）、以鋁為主成分之金屬、以鈦為主成分之金屬或不鏽鋼（SUS）等之材料。同樣地，蓋件200亦可與板件100同樣能夠使用鋁、鈦、以鋁為主成分之金屬、以鈦為主成分之金屬或不鏽鋼等之材料。板件100及蓋件200亦能夠使用相同材料。然而，板件100及蓋件200亦可使用相異材料。
如上所述，第一實施型態之冷卻單元10中，藉由凸出部140之側壁142與開口部210之內壁212彼此接合，且凸出部150之側壁151與蓋件200之外周側壁214彼此接合，而能夠辨識凸出部140及蓋件200之接合區域，且因此能夠提升板件100及蓋件200於接合處理時之作業性。接合部因設置於遠離由溝部110及蓋件200所構成之流道之位置，故於例如流通冷卻水時，冷卻水能夠不易到達接合部。如此之結果，能夠抑制接合部受到冷卻水腐蝕等之缺陷。或者即使於冷卻水到達接合部之場合中，因冷卻水會滯留於接合部附近，而能夠抑制接合部受到冷卻水腐蝕等之進行。
藉由板件100與蓋件200為相同材料，而能夠得到具有更高強度之接合部，且能夠抑制因氫離子濃度差異而造成之電解腐蝕（金屬材料之腐蝕）之發生。藉由板件100及蓋件200使用含鋁之金屬，而能夠提升冷卻單元10整體之熱傳導率，且能夠提升冷卻效率。藉由多個凸出部140配置成此些凸出部140所形成之多角形之內側含有板件100之中心，而能夠抑制蓋件200自板件100浮起。如此之結果，能夠抑制冷卻用液體漏出至冷卻單元10之外部。
以下將說明第二實施型態。
將使用圖7說明關於本發明之第二實施型態之冷卻單元。關於本發明之第二實施型態之冷卻單元能夠使用於CVD裝置、濺射裝置、蒸鍍裝置、蝕刻裝置、電漿處理裝置、研磨裝置、量測裝置、檢查裝置及顯微鏡等裝置。然而，關於第二實施型態之冷卻單元並非限定使用於上述裝置，亦能夠使用於必須對基板冷卻之裝置。
首先，說明關於第二實施型態之冷卻單元之發明之整體情況。近年來，為了實現更為廉價的冷卻單元，可要求於冷卻單元中，冷卻單元之材質使用以鋁為主成分之金屬，且冷媒使用廉價的水。由於鋁為化學性質活潑的金屬，故若暴露於水則可能會有腐蝕（生鏽）現象進行。因此，於冷卻單元之材質使用鋁之場合中，可採用之構造可為對鋁之表面施加陽極處理以形成氧化鋁（Al2
O3
）覆膜，且接觸於冷卻水之區域不會露出鋁。
舉例而言，專利文獻1所示之構造中，進行第一平板件（蓋件）及第二平板件（板件）之接合處理時，因接合處理而產生之熱會傳遞至相當於冷卻水之流道之內表面（溝部及對應於溝部之第一平板件（蓋件）之下表面）之區域，故可能使形成於流道內表面之氧化鋁覆膜剝落。若流道內表面之氧化鋁覆膜剝落，由於此區域之耐腐蝕性會下降，故流道內表面可能會發生腐蝕（生鏽）之問題。
關於第二實施型態之冷卻單元有鑑於上述問題，其一目的在於提供一種於使用鋁做為元件之冷卻單元中對冷卻水具有高耐腐蝕性之冷卻單元。
圖7為關於本發明之一實施型態之冷卻單元之剖面圖之局部放大圖。如圖7所示，關於第二實施型態之冷卻單元10A包含板件100A、蓋件200A、第一耐水性覆膜310A及第二耐水性覆膜320A。板件100A具有平面部105A、溝部110A及凸出部140A、150A。平面部105A朝向蓋件200A。溝部110A自平面部105A朝向板件100A之內部凹陷。凸出部140A、150A自平面部105A朝向板件100A之外側凸出。蓋件200A設置有開口部210A。開口部210A對應於凸出部140A之位置。
第一耐水性覆膜310A配置於平面部105A及溝部110A。具體而言，第一耐水性覆膜310A配置於平面部105A之整體區域。換言之，第一耐水性覆膜310A覆蓋平面部105A。第二耐水性覆膜320A配置於蓋件200A之朝向平面部105A及溝部110A之表面。第二耐水性覆膜320A配置於蓋件200A之下表面。換言之，第二耐水性覆膜320A覆蓋蓋件200A之下表面。凸出部140A之側壁142A與開口部210A之內壁212A並未形成耐水性覆膜，凸出部150A之側壁152A與蓋件200A之外周側壁214A亦並未形成耐水性覆膜。換言之，側壁142A與內壁212A接觸，且側壁152A與外周側壁214A接觸。
第一耐水性覆膜310A及第二耐水性覆膜320A能夠例如使用氧化鋁薄膜。氧化鋁薄膜能夠例如藉由陽極處理或熱噴塗處理而形成。上述之耐水性覆膜能夠使用氧化鋁薄膜以外之氧化釔（Y2
O3
）薄膜、氧化鋯（ZrO2
）薄膜、鎳（Ni）薄膜等之覆膜。
圖7中，板件100A及蓋件200A中，側壁142A與內壁212A之接觸部分彼此相互接合，側壁152A與外周側壁214A之接觸部分彼此相互接合。另一方面，配置於平面部105A之上表面之第一耐水性覆膜310A雖與配置於蓋件200A之下表面之第二耐水性覆膜320A具有機械性之接觸，但並未彼此接合。然而，平面部105A與蓋件200A之下表面亦可輔助性地彼此接合或接著。平面部105A與蓋件200A之下表面亦可彼此不接觸。換言之，平面部105A與蓋件200A之下表面亦可彼此隔開。圖7中，雖例示側壁142A與內壁212A彼此直接接觸之構造，但並非限定於此結構。
如上所述，第二實施型態之冷卻單元10A中，由於流通冷卻水之區域之溝部110A及蓋件200A之下表面分別配置有第一耐水性覆膜310A及第二耐水性覆膜320A，且並未接合之平面部105A之上表面與蓋件200A之下表面之間分別配置有第一耐水性覆膜310A及第二耐水性覆膜320A，故能夠抑制冷卻水直接接觸於板件100A及蓋件200A之情形。如此之結果，能夠抑制板件100A及蓋件200A之腐蝕。板件100A及蓋件200A中，側壁142A與內壁212A之接觸部分彼此相互接合，且側壁152A與外周側壁214A之接觸部分彼此相互接合。換言之，於遠離冷卻水之流道之位置接合板件100A與蓋件200A，故因接合處理而產生之熱會難以傳遞至冷卻水之流道內配置有第一耐水性覆膜310A及第二耐水性覆膜320A之區域。因此，能夠抑制因接合處理而產生之熱導致形成於用以流通冷卻水之區域之耐水性覆膜剝落。
以下將說明第三實施型態。
將使用圖8及圖9說明關於本發明之第三實施型態之冷卻單元。關於本發明之第三實施型態之冷卻單元能夠使用於CVD裝置、濺射裝置、蒸鍍裝置、蝕刻裝置、電漿處理裝置、研磨裝置、量測裝置、檢查裝置及顯微鏡等裝置。然而，關於第三實施型態之冷卻單元並非限定使用於上述裝置，亦能夠使用於必須對基板冷卻之裝置。
圖8為關於本發明之一實施型態之冷卻單元之剖面圖。如圖8所示，關於第三實施型態冷卻單元10B與圖2所示之冷卻單元10同樣地包含板件100B及蓋件200B。板件100B具有平面部105B、溝部110B及凸出部140B、150B。平面部105B朝向蓋件200B。溝部110B自平面部105B朝向板件100B之內部凹陷。凸出部140B、150B自平面部105B朝向板件100B之外側凸出。板件100B設置有貫通孔400B位於配置凸出部140B之位置。貫通孔400B自蓋件200B所露出之凸出部140B之第一表面146B（上表面）貫通至板件100B之相反於凸出部140B之第二表面106B（下表面）。
圖9繪示關於本發明之一實施型態之冷卻單元中之貫通孔之應用範例之剖面圖。舉例而言，於矽晶圓500B上形成電晶體等之場合中，用以搬運矽晶圓500B之機器人手臂與冷卻單元10B之間移動矽晶圓500B時，為了抬升矽晶圓500B而需要有升降銷510B。圖9所示之範例中，為升降銷510B穿過貫通孔400B以進行升降之機構。貫通孔400B之直徑可大於升降銷510B之直徑。
此外，圖8及圖9之結構中，亦可適用圖7所示之第一耐水性覆膜310A及第二耐水性覆膜320A。
如以上所述，根據第三實施型態之冷卻單元10B，板件100B及凸出部140B可彼此連續，藉由貫通孔400B貫通板件100B及凸出部140B，而能夠隔離貫通孔400B及冷卻水之流道。因此，能夠抑制冷卻水經過貫通孔400B而漏出至冷卻單元10之外部。
以下將說明第四實施型態。
將使用圖10及圖11說明關於本發明之第四實施型態之冷卻單元及其變形例。關於本發明之第四實施型態之冷卻單元能夠使用於CVD裝置、濺射裝置、蒸鍍裝置、蝕刻裝置、電漿處理裝置、研磨裝置、量測裝置、檢查裝置及顯微鏡等裝置。然而，關於第四實施型態之冷卻單元並非限定使用於上述裝置，亦能夠使用於必須對基板冷卻之裝置。關於第四實施型態之冷卻單元能夠使用第一實施型態～第三實施型態所示之冷卻單元之構造。相較關於第一實施型態～第三實施型態之冷卻單元，關於第四實施型態之冷卻單元之板件及蓋件之俯視形狀相異，故僅以其俯視形狀說明第四實施型態。
圖10繪示關於本發明之一實施型態之冷卻單元之整體結構之俯視圖。比較圖10所示之冷卻單元10C與圖1所示之冷卻單元10，冷卻單元10C之板件100C之中心位置230C並未配置凸出部140C及開口部210C（以下稱為接合部），此點與冷卻單元10相異。如圖10所示，板件100C之中心位置230C亦可不必配置接合部。然而，中心位置230C並未配置接合部之場合中，可配置有三個以上之接合部。換言之，各個接合部可配置成多個接合部所形成之多角形之內側含有中心位置230C。藉此，能夠抑制蓋件200C自板件100C浮起。
圖11繪示關於本發明之一實施型態之變形例之冷卻單元之整體結構之俯視圖。比較圖11所示之冷卻單元10D與圖1所示之冷卻單元10，溝部110D之俯視形狀為相異點，使得冷卻單元10D之與冷卻單元10相異。如圖11所示，外部接續部120D、130D二者皆設置於板件100D之外周附近。溝部110D配置成自外部接續部120D朝向板件100D之中央附近之折返部160D呈現旋渦狀，於折返部160D折返，再自折返部160D朝向外部接續部130呈現旋渦狀。
冷卻水雖為自入口導入流道，流通於板件之平面上，再於出口排出，但相較於入口附近之冷卻水溫度，出口附近之冷卻水溫度會因與周圍進行熱交換而升高。然而，若根據圖11所示之溝部110D之形狀，則藉由冷卻水之入口及出口皆配置於板件100D之外周附近，且藉由溝部110D於板件100D之中央附近折返，而能夠抑制起因於入口附近與出口附近之冷卻水之溫度差所造成冷卻效率偏差。
此外，本發明並非限定於上述之實施型態，於未脫離意旨之範圍中亦能夠予以適當變更。
10、10A、10B、10C、10D‧‧‧冷卻單元
100、100A、100B、100C、100D‧‧‧板件
105、105A、105B‧‧‧平面部
106B‧‧‧第二表面
110、110A、110B、110C、110D‧‧‧溝部
120、120C、120D、130、130C、130D‧‧‧外部接續部
140-1、140-2、140-3、140-4、140-5‧‧‧凸出部
140A‧‧‧凸出部
140B-1、140B-2、140B-4‧‧‧凸出部
140C-1、140C-2、140C-3‧‧‧凸出部
140D-1、140C-2、140C-3、140C-4、140C-5‧‧‧凸出部
150、150A、150B、150D‧‧‧凸出部
142、142A、142B、152、152A、152B‧‧‧側壁
146B‧‧‧第一表面
160D‧‧‧折返部
200、200A、200B、200C、200D‧‧‧蓋件
210-1、210-2、210-3、210-4、210-5‧‧‧開口部
210A‧‧‧開口部
210B-1、210B-2、210B-4‧‧‧開口部
210C-1、210C-2、210C-3‧‧‧開口部
210D-1、210C-2、210C-3、210C-4、210C-5‧‧‧開口部
212、212A、212B‧‧‧內壁
214、214A、214B‧‧‧外周側壁
230C‧‧‧中心位置
310A‧‧‧第一耐水性覆膜
320A‧‧‧第二耐水性覆膜
400B‧‧‧貫通孔
500B‧‧‧矽晶圓
510B‧‧‧升降銷
圖1繪示關於本發明之一實施型態之冷卻單元之整體結構之俯視圖。 圖2為圖1之A-A’剖面圖。 圖3繪示關於本發明之一實施型態之板件之結構之俯視圖。 圖4為圖3之B-B’剖面圖。 圖5繪示關於本發明之一實施型態之蓋件之結構之俯視圖。 圖6為圖5之C-C’剖面圖。 圖7為關於本發明之一實施型態之冷卻單元之剖面圖之局部放大圖。 圖8為關於本發明之一實施型態之冷卻單元之剖面圖。 圖9繪示關於本發明之一實施型態之冷卻單元中之貫通孔之應用範例之剖面圖。 圖10繪示關於本發明之一實施型態之冷卻單元之整體結構之俯視圖。 圖11繪示關於本發明之一實施型態之變形例之冷卻單元之整體結構之俯視圖。
Claims (7)
- 一種冷卻單元，包括：一板件，具有一平面部、一溝部及多個凸出部，該溝部自該平面部朝向該板件之內部凹陷，該些凸出部自該平面部朝向該板件之外側凸出；一蓋件，朝向該平面部且接合至該板件，該蓋件設置有一開口部，該開口部對應於該些凸出部之位置；以及該板件及該蓋件之一混合層，該混合層設置於該些凸出部之側壁與該開口部之內壁之間；其中，該些凸出部之數量為三個以上，該些凸出部所形成之多角形之內側含有該板件之中心。
- 如請求項1所述之冷卻單元，更包括一第一耐水性覆膜及一第二耐水性覆膜，該第一耐水性覆膜配置於該平面部及該溝部，該第二耐水性覆膜配置於該蓋件之朝向該平面部及該溝部之表面。
- 如請求項2所述之冷卻單元，其中該板件之材質及該蓋件之材質相同。
- 如請求項3所述之冷卻單元，其中該板件之材質及該蓋件之材質為包括鋁之金屬。
- 如請求項2所述之冷卻單元，其中該些凸出部之側壁及該開口部之內壁彼此接觸。
- 如請求項1所述之冷卻單元，其中該蓋件露出該些凸出部，該板件設置有一貫通孔位於配置該些凸出部之位置，且該貫通孔自該些凸出部之一第一表面貫通至該板件之相反於該些凸出部之一第二表面。
- 一種冷卻單元之製造方法，包括：準備一板件，該板件具有一平面部、一溝部及多個凸出部，該溝部自該平面部朝向該板件之內部凹陷，該些凸出部自該平面部朝向該板件之外側凸出；準備一蓋件，該蓋件朝向該平面部且設置有一開口部；以將該些凸出部嵌合至該開口部之內部之方式配置該板件及該蓋件；以及藉由摩擦攪拌接合步驟接合該些凸出部之側壁及該開口部之內壁；其中，該些凸出部之數量為三個以上，該些凸出部所形成之多角形之內側含有該板件之中心。
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