TWI673512B - 表面保護薄膜 - Google Patents

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TWI673512B
TWI673512B TW104129521A TW104129521A TWI673512B TW I673512 B TWI673512 B TW I673512B TW 104129521 A TW104129521 A TW 104129521A TW 104129521 A TW104129521 A TW 104129521A TW I673512 B TWI673512 B TW I673512B
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Abstract

本發明之表面保護薄膜(10),係貼附於光學構件或電子構件,而使用來保護其表面,其係具備有基材(11),以及設置於基材(11)的其中一面且由能量線硬化型黏著劑組成物所構成之黏著劑層(12),且黏著劑層(12)的一部分,係被能量線所硬化,而成為硬化部分(12A)。

Description

表面保護薄膜
本發明係關於在基材的其中一面設置黏著劑而成之表面保護薄膜,尤其,關於貼附於各種的光學構件或電子構件之表面,而使用來保護其表面之表面保護薄膜。
以往,照相機之透鏡單元、通訊/感測器模組、振動器等之馬達單元、攝像模組等之例如作了單元化的光學構件或電子構件,係為了防止在加工、組裝、檢查、輸送等時之表面的損傷,而有於露出面貼著表面保護薄膜的情形。表面保護薄膜,係在成為不需要進行表面保護之時間點,從光學構件或電子構件被剝離。
上述光學構件或電子構件,通常是將複數個零件組合而成,並且依存於零件,會有起因於其性質而當若是存在有來自表面保護薄膜之膠轉移(glue transfer)則功能會明顯降低的情形。例如,於影像感測器中,若在用以接收光的受光部存在有膠轉移,則恐有畫質明顯降低之虞。於專利文獻1中,係以解除這種缺陷作為目的,而揭 示有一種影像感測器用表面保護薄膜,其係在與影像感測器之受光部相對應的位置設置不塗佈黏著劑之未塗佈部分,而避免膠接觸到受光部。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2005-341520號公報
然而,若是如專利文獻1一般而設為部分塗佈有黏著劑的構造,則在泛用性的塗佈機中,係難以將未塗佈部分設為複雜的形狀,而會成為條紋等之單純的形狀。因此,難以形成與影像感測器之受光部等的形狀或大小相對應之未塗佈部分,為了防止膠殘留,係不得不使未塗佈部分作必要以上之增大。若未塗佈部分增大,則接著面積會減少,而使表面保護薄膜變得容易從被著體剝離,而使保護功能成為不充分。
本發明係鑑於以上之問題點而完成者,本發明之課題為提供一種表面保護薄膜,其係能夠以單純的方法製造,且不會大幅降低薄膜之接著性,而在光學構件或電子構件之特定的部位不易產生因膠轉移所致之污染。
本發明者們努力探討的結果,發現藉由於表面保護薄膜之黏著劑使用能量線硬化型,並且使黏著劑進行部分性之能量線硬化,而可解決上述課題,因而完成以下之本發明。
(1)一種表面保護薄膜,其係貼附於光學構件或電子構件,而使用來保護其表面,其特徵為,具備有基材,以及設置於該基材的其中一面且由能量線硬化型黏著劑組成物所構成之黏著劑層,前述黏著劑層的一部分,係以能量線進行了硬化。
(2)如上述(1)所記載之表面保護薄膜,其中,以前述能量線進行了硬化的部分,係全周被以未被能量線所硬化的部分所包圍。
(3)如上述(1)或(2)所記載之表面保護薄膜,其中,於前述黏著劑層之面方向的中央部,係以能量線進行硬化。
(4)如上述(1)~(3)中任一項所記載之表面保護薄膜,其中,前述能量線硬化型黏著劑組成物,係包含丙烯酸系共聚物(A)。
(5)如上述(4)所記載之表面保護薄膜,其中,前述丙烯酸系共聚物(A),係包含於側鏈含有不飽和基之能量線硬化型丙烯酸系聚合物。
(6)如上述(1)~(5)中任一項所記載之表面保護薄膜,其中,前述能量線硬化型黏著劑組成物,係包含能量線聚合性化合物(B)。
(7)如上述(1)~(6)中任一項所記載之表面保護薄膜,其中,能量線硬化前之黏著力為1000~30000mN/25mm,並且能量線硬化後之黏著力為10~300mN/25mm。
(8)如上述(1)~(7)中任一項所記載之表面保護薄膜,其中,能量線硬化前之初期黏著力為未滿15000mN/25mm。
(9)如上述(1)~(8)中任一項所記載之表面保護薄膜,其中,前述黏著劑層係被著色,表面保護薄膜之透射率係為未滿50%。
(10)如上述(1)~(9)中任一項所記載之表面保護薄膜,其中,係貼附於攝像模組,而使用來保護該攝像模組之受光部。
(11)如上述(10)所記載之表面保護薄膜,其中,前述黏著劑層之與前述攝像模組之受光部相對應的部分,係以能量線進行硬化。
(12)一種附有表面保護薄膜之構件,其特徵為,具備有由光學構件或電子構件中任一者所選出的構件,以及貼附於該構件的表面之如上述(1)~(11)中任一項所記載之表面保護薄膜。
(13)一種方法,其特徵為,將如上述(1)~(11)中任一項所記載之表面保護薄膜貼附於光學構件或電子構件的表面來保護其表面。
若依據本發明,則可提供在光學構件或電子構件之特定的部位不易產生因膠轉移所致之污染的表面保護薄膜。
10‧‧‧表面保護薄膜
11‧‧‧基材
12‧‧‧黏著劑層
12A‧‧‧硬化部分
12B‧‧‧未硬化部分
20‧‧‧攝像模組
21‧‧‧受光部
[第1圖]係將本發明之一實施形態的表面保護薄膜作展示之模式性剖面圖。
[第2圖]係將本發明之一實施形態的表面保護薄膜作展示之模式性平面圖。
[第3圖]係展示當將本發明之一實施形態的表面保護薄膜貼附於攝像模組時的樣子之模式性立體圖。
於以下之記載中,「重量平均分子量」,係以凝膠滲透層析(GPC)法所測定之聚苯乙烯換算的值,具體而言,係根據實施例所記載的方法測定出的值。
又,於本說明書中之記載,例如,所謂「(甲基)丙烯酸酯」,係指作為表示「丙烯酸酯」及「甲基丙烯酸酯」之雙方的用語來使用,關於其他之類似用語亦為相同。
以下,針對本發明而使用實施形態來進一步詳細地說明。
[表面保護薄膜]
第1圖、第2圖,係將本發明之一實施形態的表面保護薄膜作展示。
表面保護薄膜10,係貼附於光學構件或電子構件,而使用來保護其表面者,如第1圖所示般,其係具備有基材11,以及設置於基材11的其中一面且由能量線硬化型黏著劑組成物所構成之黏著劑層12。
黏著劑層12,係其之一部分被能量線所照射而硬化,而存在有藉由能量線而被硬化的硬化部分12A,以及未藉由能量線而被硬化的未硬化部分12B。硬化部分12A,係藉由以能量線照射所致之硬化,而使黏著力變得比未硬化部分12B更低。因此,硬化部分12A,係由於以較弱的接著力貼附於被著體,或者不貼著於被著體,因此在與被著體之硬化部分12A相對位的部位處,係不易產生膠轉移。另一方面,未硬化部分12B,係由於以維持高黏著力的狀態貼著於被著體,因此作為表面保護薄膜10全體之接著性係成為良好,而成為表面保護薄膜10之表面保護性優異者。進而,表面保護薄膜10,係藉由存在有部分黏著力較弱的硬化部分12A,而使重複加工性亦容易成為良好。
如第2圖所示般,硬化部分12A,係理想為面積小於未硬化部分12B。又,硬化部分12A,係以全周被未硬化部分12B所包圍為理想。藉由此等構造,表面保護薄膜10,係由於在硬化部分12A的周圍以寬廣的接著面積接著於被著體(光學構件或電子構件),因此可適當保 護被著體的表面。又,亦可防止起因於硬化部分12A而從被著體意外地剝離的情形。
又,如第2圖所示般,表面保護薄膜10,係就使對於被著體之接著性更加良好的觀點而言,較理想為使其外緣部10A之全周成為未硬化部分12B,但外緣部10A的一部分係亦可成為硬化部分12A。若使外緣部10A的一部分成為硬化部分12A,則藉由將該部分作為剝離開始部來抓捏,係成為易於將表面保護薄膜10從被著體剝離。
表面保護薄膜10,如第2圖所示般,更具體而言,更理想係於黏著劑層之面方向中的中央部設置硬化部分12A,而其他的部分成為未硬化部分12B者。
硬化部分12A的形狀雖無特別限定,但理想為成為與後述之被著體(光學構件或電子構件)的特定部位之形狀相對應者,可為如第2圖所示之圓形,亦可為矩形、方形等,或其他的形狀。又,硬化部分12A的大小,係可與上述特定之部位的大小相同,亦可小一圈,或大一圈。但,理想為為了避免未硬化部分12B接觸到特定的部位,而為與特定的部位相同之大小,或大一圈的大小。
另外,所謂被著體之特定的部位,係指若是黏著劑被轉移,則光學構件或電子構件之功能會降低或產生缺陷或者是使壽命變短的部位,於光學構件中,係可列舉構成光路徑之一部分的光透射部。又,於電子構件中,係可列舉露出於外部的電氣零件等。更具體而言,光學構件或電子構件,在將電子零件或光學零件收納於封裝或框體內的情 況時,露出於封裝或框體之其中一面的一部分處之電子零件或光學零件係成為特定部位。
接著,針對表面保護薄膜10之各構件作更詳細地說明。
<黏著劑層>
本發明之黏著劑層12,係由能量線硬化型黏著劑組成物所構成者。能量線硬化型黏著劑組成物,係如上述般地藉由照射能量線進行硬化而降低黏著力者。作為能量線,具體而言係可列舉紫外線、電子束等,但較理想為使用紫外線。
作為構成能量線硬化型黏著劑組成物的黏著劑,係可列舉丙烯酸系黏著劑、聚酯系黏著劑、胺基甲酸酯系黏著劑、矽酮系黏著劑、橡膠系黏著劑等。
能量線硬化型黏著劑組成物,其X型者係可作為理想的具體例而使用。所謂X型之能量線硬化型黏著劑組成物,係構成黏著劑之黏著成分的主鏈型聚合物(main polymer)本身為具有能量線硬化性者,例如於聚合物之側鏈具有不飽和基者。又,作為能量線硬化型黏著劑組成物,其他理想的具體例係可列舉Y型之能量線硬化型黏著劑組成物。Y型之能量線硬化型黏著劑組成物,係為與構成黏著成分之主鏈型聚合物不同地而另外藉由摻合能量線型聚合性化合物而賦予能量線硬化性者。進而,作為能量線硬化型黏著劑組成物,理想之具體例亦可列舉將X 型與Y型併用者,亦即是,於具有能量線硬化性且構成黏著成分之聚合物中,進一步摻合其他之能量線聚合性化合物者(X-Y型)者。
以下,針對使用丙烯酸系黏著劑作為黏著劑的情況更加詳細地說明。
在使用丙烯酸系黏著劑作為黏著劑的情況時,作為能量線硬化型黏著劑組成物,係可使用包含丙烯酸系共聚物(A)之能量線硬化型黏著劑組成物。
丙烯酸系共聚物(A),通常為構成黏著成分之主鏈型聚合物。丙烯酸系共聚物(A),係將包含烷基(甲基)丙烯酸酯作為主單體(main monomer)之單體成分(以下,亦稱為「共聚物成分」)進行共聚合者。作為烷基(甲基)丙烯酸酯,係可列舉烷基之碳數為1~18者,其可列舉甲基(甲基)丙烯酸酯、乙基(甲基)丙烯酸酯、異丙基(甲基)丙烯酸酯、n-丙基(甲基)丙烯酸酯、丁基(甲基)丙烯酸甲酯、2-乙基己基(甲基)丙烯酸酯、n-辛基(甲基)丙烯酸酯、異辛基(甲基)丙烯酸酯、壬基(甲基)丙烯酸酯、癸基(甲基)丙烯酸酯、十一基(甲基)丙烯酸酯、十二基(甲基)丙烯酸酯等。
丙烯酸系共聚物(A),係作為共聚物成分而含有相對於共聚物成分全量通常為50質量%以上,理想為50~95質量%,較理想為60~90質量%之烷基(甲基)丙烯酸酯。
又,丙烯酸系共聚物(A),係作為共聚物成分而理想為含有相對於共聚物成分全量而為30~95質量% 之烷基(甲基)丙烯酸酯當中而烷基的碳數為3以上之烷基(甲基)丙烯酸酯。藉由將烷基的碳數為3以上之烷基(甲基)丙烯酸酯的含量設為這樣的範圍,而變得容易賦予表面保護薄膜適當的黏著性能與剝離性能。就這種觀點而言,烷基之碳數為3以上的烷基(甲基)丙烯酸酯之含量,係更理想為40~90質量%,又更理想為45~75質量%。
上述烷基的碳數為3以上之烷基(甲基)丙烯酸酯,係理想為烷基的碳數為3~8之烷基(甲基)丙烯酸酯,更理想為烷基的碳數為4~8之烷基(甲基)丙烯酸酯,又更理想為烷基的碳數為4~8之烷基丙烯酸酯。具體而言,係以n-丁基丙烯酸酯、2-乙基己基丙烯酸酯、n-辛基丙烯酸酯、異辛基丙烯酸酯等為理想。
又,丙烯酸系共聚物(A),係作為共聚物成分,亦可除了含有烷基的碳數為3以上之烷基(甲基)丙烯酸酯以外,而亦含有烷基的碳數為1或2之烷基(甲基)丙烯酸酯。於此情況中,烷基的碳數為1或2之烷基(甲基)丙烯酸酯,較理想為含有相對於共聚合物成分全量而為5~50質量%,更理想為含有10~40質量%,又更理想為含有15~35質量%。
藉由將含量設為5質量%以上,由於係容易降低黏著劑層12之能量線硬化後的黏著力,因此變得更容易防止硬化部分12A之膠轉移。又,表面保護薄膜10之剝離性能或重複加工性亦容易成為良好。另一方面,藉由將含量設為50質量%以下,黏著力係成為適當的值,可防止表 面保護薄膜10意外地從被著體剝離,而使保護性能成為良好。
另外,作為烷基的碳數為1或2之烷基(甲基)丙烯酸酯,雖可列舉甲基(甲基)丙烯酸酯、乙基(甲基)丙烯酸酯,但此等當中,理想為甲基丙烯酸酯、甲基丙烯酸甲酯。
丙烯酸系共聚物(A),作為共聚物成分,係理想為含有烷基(甲基)丙烯酸酯以外之聚合性單體,具體而言,係理想為含有含官能基之單體。含官能基之單體,係提供為了使後述之含不飽和基之化合物鍵結於丙烯酸系共聚物(A),或為了與後述之交聯劑的反應所必要的官能基。含官能基之單體,係為於分子內具有聚合性之雙鍵,與羥基、羧基、胺基、取代之胺基、環氧基等之官能基的單體。在此等當中,係理想為含羥基之單體及含羧基之單體,更理想為含羥基之單體。在官能基單體為不包含含羧基之單體等,而由含羥基之單體所構成的情況時,會變得更容易防止黏著劑之對於被著體的轉黏。
丙烯酸系共聚物(A),較理想,係將包含相對於共聚物成分全量而為0.2~40質量%之含官能基之(甲基)丙烯酸酯的共聚物成分進行共聚合者。藉由使含官能基之(甲基)丙烯酸酯的含量成為上述範圍內,丙烯酸系共聚物(A),係成為能夠以後述之交聯劑適當地進行交聯。
又,含官能基之(甲基)丙烯酸酯的上述含量,係較理想為1~30質量%,更理想為5~30質量%。若含官能基 之(甲基)丙烯酸酯為1~30質量%,則可確保適當的黏著性能,並且將後述之含不飽和基之化合物適當地導入於側鏈,進而能夠以交聯劑將丙烯酸系共聚物(A)適當地交聯。
在此,作為含羧基之單體,係可列舉丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸等。又,作為含羥基之單體,例如,可使用含羥基之(甲基)丙烯酸酯。作為含羥基之(甲基)丙烯酸酯的具體例,係可列舉2-羥甲基(甲基)丙烯酸酯、2-羥乙基(甲基)丙烯酸酯、2-羥丙基(甲基)丙烯酸酯、2-羥丁基(甲基)丙烯酸酯等。以上之含官能基之單體,係可1種單獨,或者將2種以上組合使用。
丙烯酸系共聚物(A),係除了上述之單體以外,亦可包含烷基(甲基)丙烯酸酯及含官能基之單體以外的(甲基)丙烯酸酯、二烷基(甲基)丙烯醯胺、甲酸乙烯酯、乙酸乙烯酯、苯乙烯、乙烯乙酸酯等作為共聚物成分。作為(甲基)丙烯酸烷基酯及含官能基之單體以外的(甲基)丙烯酸酯,亦可使用(甲基)丙烯酸烷氧烷基酯、(甲基)丙烯酸伸烷氧基烷基酯、(甲基)丙烯酸壬基苯氧基聚乙二醇、丙烯酸四氫呋喃糠基酯、聚醚與丙烯酸之酯的二丙烯酸酯類等。
又,作為二烷基(甲基)丙烯醯胺,係可使用二甲基(甲基)丙烯醯胺、二乙基(甲基)丙烯醯胺等。二烷基(甲基)丙烯醯胺,係理想為使用於當能量線硬化型黏著劑組成物為後述之X-Y型時。藉由將二烷基(甲基)丙烯醯胺設為構造 單體,而提昇能量線硬化型丙烯酸系共聚物之對於極性高的胺基甲酸酯系丙烯酸酯等之能量線聚合性化合物(B)的相溶性。
丙烯酸系共聚物之重量平均分子量,係理想為100,000以上,更理想為100,000~1,500,000,又更理想為150,000~1,000,000。另外,在此所謂丙烯酸系聚合物之重量平均分子量,在後述之含不飽和基之化合物進行反應而成為能量線硬化型丙烯酸系聚合物的情況時,係意味著含不飽和基之化合物進行反應之前的丙烯酸系共聚物。
在形成丙烯酸系黏著劑之能量線硬化型黏著劑組成物為X型的情況時,丙烯酸系共聚物(A)本身係具有能量線硬化性。具體而言,係為將丙烯酸系共聚物(A)的至少一部分設為於側鏈具有不飽和基之能量線硬化型丙烯酸系共聚物者。能量線硬化型丙烯酸系共聚物,係可藉由使上述之共聚物成分共聚合而成之丙烯酸系共聚物與含不飽和基之化合物進行反應而得到者。
含不飽和基之化合物,係具有可與構成丙烯酸系共聚物之含官能基之單體的官能基進行反應之取代基。此取代基,係依據官能基單體所具有之官能基的種類而異。例如,在官能基為羥基的情況時,作為取代基係理想為異氰酸酯基、環氧基等,在官能基為羧基的情況時,作為取代基係理想為異氰酸酯基、環氧基等,在官能基為胺基或取代之胺基的情況時,作為取代基係理想為異氰酸酯基等,在官能基為環氧基的情況時,作為取代基係理想 為羧基,但作為取代基,此等當中係理想為異氰酸酯基。上述取代基,係於含不飽和基之化合物每1分子中各包含一個。
於含不飽和基之化合物中,係每1分子中包含1~5個,理想為1~2個之能量線聚合性碳-碳雙鍵。能量線聚合性碳-碳雙鍵,係理想為(甲基)丙烯醯基。作為這樣的含不飽和基之化合物的具體例,係可列舉(甲基)丙烯醯基氧乙基異氰酸酯、甲基-異丙烯基-α,α-二甲基苄基異氰酸酯、(甲基)丙烯醯基異氰酸酯、烯丙基異氰酸酯、環氧丙基(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸等。又,可列舉藉由二異氰酸酯化合物或聚異氰酸酯化合物與羥乙基(甲基)丙烯酸酯之反應所得到的丙烯醯基單異氰酸酯化合物;藉由二異氰酸酯化合物或聚異氰酸酯化合物與多元醇化合物與羥乙基(甲基)丙烯酸酯之反應所得到的丙烯醯基單異氰酸酯化合物等。
又,作為含不飽和基之化合物,亦可使用如下述式(1)般之含聚合性基之聚伸烷氧基化合物。
式中,R1係氫或甲基,理想為甲基,R2~R5係各自獨立為氫或碳數1~4之烷基,理想為氫,又,n係2以上之整數,理想為2~4。複數存在之R2~R5係可 彼此相同,亦可相異。亦即,由於n為2以上,因此於以上述(1)式所表示之含聚合性基之聚伸烷氧基中,係包含有2以上之R2。此時,存在2以上之R2係可彼此相同,亦可相異。針對R3~R5亦為相同。NCO係表示異氰酸酯基。
含不飽和基之化合物,雖相對於丙烯酸系共聚物所具有之官能基100當量而通常為10~100當量左右,但由於藉由使其少於官能基之當量而可適當進行以交聯劑所致之交聯,因此理想為使用15~95當量,較理想為20~90當量左右之比例。
作為含不飽和基之化合物,係以使用具有(甲基)丙烯醯基與異氰酸酯基之化合物為理想,具體而言,理想為(甲基)丙烯醯基氧乙基異氰酸酯。
在形成丙烯酸系黏著劑之能量線硬化型黏著劑組成物為Y型的情況時,能量線硬化型黏著劑組成物,係與丙烯酸系共聚物(A)不同,而是藉由另外摻合能量線聚合性化合物(B)而賦予能量線硬化性。
作為能量線聚合性化合物(B),係可使用環氧丙烯酸酯系、胺基甲酸酯丙烯酸酯系、聚酯丙烯酸酯系、聚醚丙烯酸酯系等之能量線聚合性的寡聚物、或能量線聚合性單體。
作為能量線聚合性單體,係可使用於分子內至少具有2個以上之光聚合性碳-碳雙鍵的2官能基以上之低分子量化合物,具體而言,係可使用三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯 酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯或者1,4-丁二醇(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯等。
此等當中,尤其是使用胺基甲酸酯丙烯酸酯系寡聚物為理想。胺基甲酸酯丙烯酸酯系寡聚物,係為包含異氰酸酯單元與多元醇單元,且於末端具有(甲基)丙烯醯基之化合物。作為胺基甲酸酯丙烯酸酯系寡聚物,係可列舉藉由聚醚型多元醇、聚酯型多元醇等之於末端具有羥基之多元醇與聚異氰酸酯的反應,而生成末端異氰酸酯胺基甲酸酯寡聚物,並使其末端之官能基與具有(甲基)丙烯醯基之化合物進行反應所得到的化合物等。這種胺基甲酸酯丙烯酸酯系寡聚物,係藉由(甲基)丙烯醯基之作用,而具有能量線硬化性。
作為於胺基甲酸酯丙烯酸酯系寡聚物中所使用之聚異氰酸酯,係可列舉例如2,4-甲伸苯基二異氰酸酯、2,6-甲伸苯基二異氰酸酯、1,3-伸二甲苯二異氰酸酯、1,4-伸二甲苯二異氰酸酯、二苯基甲烷4,4-二異氰酸酯、異佛酮二異氰酸酯、1,3-雙-(異氰酸根合甲基(isocyanatomethyl))-環己烷、4,4’-二環己基甲烷二異氰酸酯等。作為具有(甲基)丙烯醯基之化合物,係可列舉例如2-羥乙基(甲基)丙烯酸酯、2-羥丙基(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯等之具有羥基之(甲基)丙烯酸酯。 又,作為具有羥基之(甲基)丙烯酸酯,亦可列舉季戊四醇等之多元醇與(甲基)丙烯酸之部分酯。
胺基甲酸酯丙烯酸酯系寡聚物,雖理想為於1分子中具有2個以上之(甲基)丙烯醯基的2官能基以上者,但在不與X型併用的情況時,理想為3官能基以上者,更理想為4官能基以上者。藉由使用3官能基以上者,而使硬化部分12A之黏著力變得容易降低。又,能量線照射後的表面保護薄膜10之剝離性能亦容易成為良好。又,胺基甲酸酯丙烯酸酯系寡聚物,通常係使用12官能基以下者。
又,胺基甲酸酯丙烯酸酯系寡聚物,係理想為重量平均分子量為1000~15000者,更理想為1500~8500。
能量線聚合性化合物(B),係相對於丙烯酸系共聚物(A)100質量份而通常為摻合5~200質量份,但在不與X型併用的情況時,理想為40~200質量份,更理想為70~150質量份。藉由將能量線聚合性化合物(B)之含量設為上述之範圍,而可適當保有能量線硬化前的黏著劑層之黏著力,並且以因能量線所致之硬化而適當地降低黏著力。
於丙烯酸系黏著劑中,在身為X-Y型的情況時之能量線硬化型黏著劑組成物,係為除了含有丙烯酸系共聚物(A)以外,亦含有能量線聚合性化合物(B),並且將丙烯酸系聚合物(A)之至少一部分設為於側鏈具有不飽和基之能量線硬化型丙烯酸系共聚物者。在身為X-Y型的情況時,黏著劑層之斷裂強度及斷裂伸度會成為良好,當 將表面保護薄膜剝離時之對於被著體的膠殘留會變得容易減少。
在身為X-Y型的情況時所使用之能量線硬化型丙烯酸系共聚物,係可使用與在上述之X型所使用者相同者。
又,能量線聚合性化合物(B),亦可使用與在上述之Y型所使用者相同者,且理想為胺基甲酸酯丙烯酸酯系寡聚物,但作為此時之聚異氰酸酯,係較理想為使用異佛酮二異氰酸酯、1,3-雙-(異氰酸根合甲基)-環己烷、4,4’-二環己基甲烷二異氰酸酯等。又,作為形成胺基甲酸酯丙烯酸酯中之多元醇單元的多元醇,係理想為使用聚丙二醇(PPG)、聚乙二醇(PEG)、聚四亞甲基二醇、聚碳酸酯二醇等,此等之多元醇的數量平均分子量,係理想為300~2000,特別理想為500~1000。
又,多元醇,係更理想為為了使黏著劑層之斷裂應力及斷裂伸度成為更良好,而包含2種以上之多元醇,作為該多元醇,係特別理想為包含PPG與PEG,最理想為僅由PPG與PEG所構成。PPG與PEG之莫耳比,係理想為9:1~1:9,較理想為9:1~1:4,更理想為4:1~3:2,最理想為7.5:2.5~6.5:3.5。
進而,作為於X-Y型中之胺基甲酸酯丙烯酸酯系寡聚物,係理想為於1分子中具有2個之(甲基)丙烯醯基的2官能基者。藉由使用2官能基者,而使剝離性能或黏著性成為良好,並且使斷裂強度及斷裂伸度容易成為高者。於X-Y型中,能量線聚合性化合物(B),係相對於丙烯酸 系共聚物(A)100質量份而理想為1~50質量份,更理想為5~30質量份。
黏著劑層,係亦可具有將丙烯酸系共聚物(A)等之主鏈型聚合物進行交聯的交聯結構。作為為了交聯而於能量線硬化型黏著劑組成物中含有之交聯劑(C),係可列舉有機多元異氰酸酯化合物、有機多元環氧化合物、有機多元亞胺化合物等,於此等當中,理想為有機多元異氰酸酯化合物(異氰酸酯系交聯劑)。
作為有機多元異氰酸酯化合物,係可列舉芳香族多元異氰酸酯化合物、脂肪族多元異氰酸酯化合物、脂環族多元異氰酸酯化合物及此等之有機多元異氰酸酯化合物的三聚物,以及使此等有機多元異氰酸酯化合物與多元醇化合物進行反應所得到的末端異氰酸酯胺基甲酸酯預聚物等。
作為有機多元異氰酸酯化合物之更具體的例子,係可列舉2,4-甲伸苯基二異氰酸酯、2,6-甲伸苯基二異氰酸酯、1,3-伸二甲苯二異氰酸酯、1,4-茬二異氰酸酯、二苯基甲烷-4,4’-二異氰酸酯、二苯基甲烷-2,4’-二異氰酸酯、3-甲基二苯基甲烷二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、異佛酮二異氰酸酯、二環己基甲烷-4,4’-二異氰酸酯、二環己基甲烷-2,4’-二異氰酸酯、甲伸苯基二異氰酸酯與三羥甲基丙烷之加成物等。
作為有機多元環氧化合物之具體的例子,係可列舉1,3-雙(N,N’-二環氧丙基胺基甲基)環己烷、 N,N,N’,N’-四環氧丙基-m-伸二甲苯二胺、乙二醇二環氧丙基醚、1,6-己二醇二環氧丙基醚、三羥甲基丙烷二環氧丙基醚、二環氧丙基苯胺、二環氧丙基胺等。
作為有機多元亞胺化合物之具體的例子,係可列舉N,N’-二苯基甲烷-4,4’-雙(1-伸乙亞胺甲醯胺)、三羥甲基丙烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、四羥甲基甲烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯及N,N’-甲苯-2,4-雙(1-伸乙亞胺甲醯胺)三乙烯三聚氰胺等。
交聯劑(C)之含量,係以相對於丙烯酸系共聚物(A)等之主鏈型聚合物100質量份而理想為0.01~25質量份,較理想為0.1~20質量份,特別理想為0.5~10質量份之比率被使用。若將交聯劑(C)之含量設為上述上限以下,則可防止黏著劑層過度交聯,且容易得到適當的黏著力。又,藉由將交聯劑之使用量設為上述下限值以上,而可防止於電子構件或光學構件上殘留黏著劑。
能量線硬化型黏著劑組成物,係理想為含有光聚合起始劑(D)。
作為光聚合起始劑,係可列舉安息香化合物、苯乙酮化合物、醯基膦氧化物化合物、二茂鈦化合物、噻噸酮化合物、過氧化物化合物等之光起始劑、胺或醌等之光增感劑等,具體而言,係可例示1-羥基環己基苯基酮、安息香、安息香甲基醚、安息香乙基醚、安息香異丙基醚、苄二苯基硫化物、四甲基秋蘭姆一硫化物、偶氮二異丁腈、二苄基、二乙醯、β-氯蒽醌(chloro anthraquinone)、 2,4,6-三甲基苯甲醯基二苯基膦氧化物等。藉由摻合光聚合起始劑(D),而可減少用以硬化之能量線的照射時間及照射量。
光聚合起始劑(D)之含量,雖無特別限定,但相對於丙烯酸系共聚物(A)等之主鏈型聚合物100質量份而理想為0.1~10質量份,較理想為1~5質量份。
又,亦能夠以使表面保護薄膜10之光透射率成為未滿50%的方式,來將黏著劑層12著色。藉由使黏著劑層12被著色,由於表面保護薄膜10之辨識性係提升,因此變得容易藉由例如人手來將表面保護薄膜10從後述之剝離薄片進行剝離。另外,所謂表面保護薄膜10之光透射率,係指於波長600nm中藉由島津製作所製 分光光度計UV-3600所測定者。上述光透射率係理想為10~40%左右。
為了將黏著劑層12著色,於能量線硬化型黏著劑組成物中,通常係含有染料、顏料,其中,理想為含有藍色染料、藍色顏料。
又,能量線硬化型黏著劑組成物,係亦可適當含有劣化防止劑、抗靜電劑、難燃劑、矽酮化合物、鏈轉移劑等之上述成分以外的成分。
表面保護薄膜10,係理想為能量線硬化前之黏著力(亦即,未硬化部分12B之黏著力)為1000~30000mN/25mm,較理想為2000~25000mN/25mm,更理想為4000~20000mN/25mm。藉由能量線硬化前之黏著力 為1000mN/25mm以上,而使表面保護薄膜10之對於光學構件或電子構件之接著力提高,並使其保護性能成為良好。又,藉由設為30000mN/25mm以下,而使能量線硬化後之黏著力容易成為所期望之大小。能量線硬化前之黏著力,係可藉由烷基(甲基)丙烯酸酯的種類及摻合比、含官能基之單體的種類及摻合比、交聯劑的使用量等進行調整。
又,表面保護薄膜10,係理想為能量線硬化後之黏著力(亦即,硬化部分12A之黏著力)為10~300mN/25mm,較理想為15~200mN/25mm,更理想為20~100mN/25mm。藉由使能量線硬化後之黏著力成為這種範圍,而防止硬化部分12A的黏著劑轉黏於光學構件或電子構件。又,若於表面保護薄膜10全體照射能量線而亦使未硬化部分12B硬化,則由於薄膜全體之黏著力會降低,因此可將表面保護薄膜10容易地從光學構件或電子構件進行剝離。
能量線硬化後之黏著力,係可藉由能量線聚合性化合物(B)的種類或量、被導入於丙烯酸系共聚物之不飽和基的量而控制。
又,表面保護薄膜10之能量線硬化前的初期黏著力(亦即,未硬化部分12B之初期黏著力),係理想為未滿15000mN/25mm,較理想為未滿10000mN/25mm。藉由將未硬化部分12B的初期黏著力設為此種較低的值,與設置有黏著力為更低的硬化部分12A一事相輔相成,表面 保護薄膜之重覆黏貼係成為容易,重複加工性係提升。初期黏著力之下限值,雖無特別限定,但通常為500mN/25mm以上。又,初期黏著力,係更理想為3000~9500mN/25mm。
另外,初期黏著力,係可藉由烷基(甲基)丙烯酸酯的種類及摻合比、含官能基之單體的種類及摻合比、交聯劑的使用量等進行調整。
又,上述之黏著力及初期黏著力的測定方法,係根據實施例所記載的方法所測定之值。
黏著劑層的厚度並無特別限定,理想為3~50μm,較理想為5~30μm。藉由使黏著劑層的厚度成為上述範圍內,而容易提高對於被著體之密著性。
於基材11之上形成黏著劑層12的方法,雖無特別限定,但只要將因應需要而以適當的溶劑稀釋後的能量線硬化型黏著劑組成物,以成為特定之乾燥膜厚的方式塗佈於剝離薄片上,其後進行乾燥而形成黏著劑層,之後,將基材貼合於該黏著劑層即可。又,亦可將因應需要而以適當的溶劑稀釋後的能量線硬化型黏著劑組成物直接塗佈於基材,其後進行乾燥而形成黏著劑層。
又,硬化部分12A之形成方法,雖無特別限定,但可列舉例如隔著具有與硬化部分12A一致的形狀之開口部的遮罩,從周知之照射裝置對黏著劑層12照射能量線的方法。能量線,係可從基材11側隔著基材11照射於黏著劑層12,亦可從基材11之相反側進行照射。在從基材11 之相反側進行照射,且黏著劑層12被後述之剝離薄片所保護的情況時,能量線,係隔著剝離薄片而被照射於黏著劑層。
又,表面保護薄膜,係亦可於基材之上部分性地設置黏著劑層,而於基材之上與黏著部一起形成非黏著部。為了製成部分性地設置有黏著劑層之表面保護薄膜,係可藉由進行網版印刷或噴墨印刷,而與黏著部一起形成非黏著部。黏著部與非黏著部,係理想為以由條紋形狀、格子形狀、網點形狀、將波浪線作了複數並排的形狀、棋盤式分布圖樣及複數並排有各種模樣的形狀所選出之任一種圖案配置,亦可為其他的形狀。
另外,在黏著劑層被部分性地設置為圖案狀的情況時,其圖案,通常是設置於基材的全面。又,如上所述般,該設置成圖案狀的黏著劑層(黏著部)當中,將一部分(例如,如第2圖所示般為中央部)設為硬化部分,並將其他的部分設為未硬化部分。
進而,於各圖案中,圖案的節距(亦即,相鄰接之黏著部彼此之間的間隔,或者相鄰接之非黏著部彼此之間隔),係理想為10~500μm,較理想為10~300μm,特別理想為10~250μm。
亦即,各條紋的寬幅、各波浪線的寬幅及波浪線與波浪線之間的間隔、形成格子之各線的寬幅、及構成格子之相鄰接的線與線之間的間隔、網點間的間隔以及網點的寬幅及高度,或者構成棋盤式分布圖樣之各四角形的高度及 寬幅,係理想為10~500μm,較理想為10~300μm,特別理想為10~250μm。
又,亦可在黏著劑層之形成前或者形成後,進行沖孔加工。沖孔加工,例如,係只要是對於設置在剝離薄片上的基材及黏著劑層的積層體進行即可,藉由此沖孔加工,而將表面保護薄膜的形狀如上述般地設為圓形等。又,亦可藉由在任意的時機進行壓模等,而於表面保護薄膜適宜形成凹凸。
<基材>
對於基材11的材質並無特別限定,可使用聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚丁烯薄膜、聚丁二烯薄膜、聚甲基戊烯薄膜、聚氯乙烯薄膜、氯乙烯共聚物薄膜、聚對苯二甲酸乙二酯薄膜、聚對苯二甲酸丁二酯薄膜、聚胺基甲酸酯薄膜、乙烯乙酸乙烯酯薄膜、離子聚合物樹脂薄膜、乙烯‧(甲基)丙烯酸共聚物薄膜、聚苯乙烯薄膜、聚碳酸酯薄膜、氟樹脂薄膜等之薄膜。又,亦可為此等之交聯薄膜、層積薄膜。
另外,基材11,係理想為對於所使用之能量線的波長具有透射性。亦即,在使用紫外線作為能量線的情況時,基材11,係理想為使用光透射性薄膜。但,在從基材11之相反側進行用以形成硬化部分12A之能量線照射的情況時,或將表面保護薄膜10貼附於被著體之後,對於黏著劑層12並不進行能量線硬化的情況等時, 基材11無須為光透射性,亦可使用被施加有著色的薄膜。
又,在使用電子束作為能量線的情況時,基材11亦無須為光透射性,亦可使用被施加有著色的薄膜。
基材11的厚度,係可因應於對表面保護薄膜10要求的性能等來加以調整,理想為10~300μm,特別理想為30~150μm。
表面保護薄膜10之薄膜面積,係理想為100mm2以下,較理想為10~80mm2左右。表面保護薄膜10,雖會因應於光學構件及電子構件而將尺寸縮小,但由於是如上述般地藉由將薄膜全體藉由能量線進行硬化,而使剝離性能成為良好,因此即使將尺寸縮小亦容易藉由手動作業而從被著體剝離。又,表面保護薄膜,雖其形狀並無限定,但可加工成例如圓形、正方形、矩形等。
又,表面保護薄膜10之硬化部分12A的面積之相對於薄膜面積之比,係理想為未滿5/10,較理想為3/10以下,更理想為1/10以下。此面積之下限值,雖無特別限定,但為例如1/1000以上,理想為1/100以上。
表面保護薄膜10之黏著劑層12側,係亦可貼附剝離薄片,而藉由剝離薄片進行保護。作為剝離薄片,雖可使用聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚丙烯、聚乙烯等之於薄膜的單面以矽酮樹脂等之剝離劑實施了剝離處理者等,但並不限定於此等。另外,表面保護薄膜10,係亦可於相較於表面保護薄膜10而言為充分 大的尺寸之1片的剝離薄片之上設置有複數個。
[光學構件或電子構件]
作為藉由本發明之表面保護薄膜所保護的光學構件或電子構件,係可列舉將1或2個以上之透鏡與CCD、CMOS等之攝像感測器收納於框體或封裝內部的攝像模組;將複數個透鏡保持於透鏡鏡筒並因應於需要而收納於框體或封裝內的透鏡單元;具有LED等之發光元件的發光元件單元;振動器等之馬達單元;通訊模組、感測器模組等。此等光學構件或電子構件,係理想為被安裝在基板而使用的構件。
另外,所謂光學構件,係指具備有接收光或發光或者傳送光的光學構件者,上述當中作為光學構件之具體例,係可列舉攝像模組、透鏡單元、發光元件單元、將光訊號進行送訊或收訊的通訊模組、光感測器模組等。又,電子構件,係通常可列舉具備有構成電路之至少一部分並將電訊號進行送訊或收訊的電子零件、對電訊號進行處理的電子零件、藉由電訊號或電力進行作動的電子零件等者,上述當中作為電子零件之具體例,係可列舉攝像模組、發光元件單元、振動器等之馬達單元、將電訊號進行送訊或收訊的通訊模組、各種感測器模組等。另外,將光訊號進行送訊或收訊的通訊模組或光感測器模組、攝像模組及發光元件單元等,係通常是身為電子構件並且也身為光學構件的構件。
又,光學構件或電子構件,係理想為例如將上述電子零件或光學零件收納於封裝或框體內部,或者被支撐於支撐構件者。又,理想為使電子零件或光學零件的一部分露出於表面者,表面保護薄膜,例如係被使用來保護該露出來的零件。
[表面保護薄膜之使用方法]
本發明之表面保護薄膜10,係貼附於光學構件或電子構件的其中一面,而使用來保護其表面者。表面保護薄膜10,雖如上述般,為設置有硬化部分12A者,但硬化部分12A,係理想為以與光學構件或電子構件之特定的部位相對位的方式,來貼附於光學構件或電子構件的其中一面。藉此,可防止於特定的部位產生膠轉移,並且適當保護光學構件或電子構件之特定的部位。
貼附有表面保護薄膜的光學構件或電子構件(以下,亦僅稱為附有表面保護薄膜之構件),雖為會被加工、被安裝於其他的構件、被檢查或被搬送等者,但表面保護薄膜,係在此等之工程中保護光學構件或電子構件的表面。又,表面保護薄膜,係為在結束此等工程且成為不須進行表面保護之時間點,從光學構件或電子構件被剝離者。此時,表面保護薄膜,係理想為在被照射能量線之後,從光學構件或電子構件被剝離。藉此,由於除了硬化部分以外,也可使未硬化部分之黏著力降低,因此剝離性更加提昇。
附表面保護薄膜之構件,係亦可在上述之加工、安裝、檢查或者搬運等的工程中進行加熱。此時之加熱溫度雖無特別限定,但為60~200℃左右,理想為70~150℃左右。黏著劑層,雖有時會起因於加熱而提高黏著力,但由於本發明之表面保護薄膜的黏著劑層,係即使起因於加熱而使黏著力提高,之後亦可藉由照射能量線而降低黏著力,因此係成為不易引起在將表面保護薄膜剝離時之剝離不良等。
貼附有表面保護薄膜的光學構件或電子構件(附有表面保護薄膜之構件),係理想為藉由例如接著劑而安裝於基板等之其他的構件處。此時,接著劑係可使用熱硬化性者,在使該接著劑硬化的工程中,附有表面保護薄膜之構件,係如上述般通常以60~200℃以上、較理想為70~150℃左右而被加熱。其後,若成為不需要表面保護,則對表面保護薄膜照射能量線來使黏著力降低,之後,將表面保護薄膜從光學構件或電子構件剝離。
又,表面保護薄膜,係特別理想為在上述之光學構件或電子構件之中,作為攝像模組用之表面保護薄膜而使用。以下使用第3圖來說明該使用方法的其中一例。
如第3圖所示般,攝像模組20,通常係於其中一面20A設置有接收來自外部的光並將該光經由模組內部的透鏡而傳導至攝像元件的受光部21。受光部21,係設置於攝像模組20的其中一面20A之一部分(例如,中央),且 由玻璃或透明樹脂所構成。另一方面,表面保護薄膜10,係將對應於攝像模組之受光部21的部分(例如,薄膜10之中央部)以能量線加以硬化,而成為硬化部分12A,其他部分則成為未硬化部分12B。另外,第3圖,雖展示硬化部分12係配合受光部21的形狀而成為圓形之例子,但並非限定於圓形。
表面保護薄膜10,係使硬化部分12A與受光部21對位之後,貼附於攝像模組20之其中一面20A。此時,表面保護薄膜10之未硬化部分12B,係以高黏著力接著於其中一面20A之受光部21的外周(框體或封裝之表面)。因此,成為可適當保護攝像模組20之受光部21。又,由於在受光部21係接著黏著力較弱的硬化部分12A,因此表面保護薄膜10之黏著劑不易轉移,而可防止受光部21之污染。但,硬化部分12A,係亦可不接著於受光部21,而僅與受光部21接觸。
另外,在對於攝像模組實施了上述各種工程之後,若變得沒有進行表面保護之必要性,則將表面保護薄膜10從攝像模組20剝離,但此時,理想為表面保護薄膜10係如上述般地被照射能量線,然後,再從攝像模組20被剝離。又,理想為貼附有表面保護薄膜10的攝像模組20,係如上述般地,被加熱而安裝於基板等之其他的構件處,其後,理想為照射能量線,而將表面保護薄膜剝離。
當然,即使在光學構件或電子構件為攝像模 組以外的情況時,亦可相同地使用表面保護薄膜。例如,於光學構件中,在表面保護薄膜被貼附的其中一面處,通常設置有形成光路徑的一部分之由玻璃、透明樹脂等所構成的光透射部。光透射部,係在上述之攝像模組中為用以接收光的受光部,但例如在發光元件中則成為用以將光進行射出的射出部者。表面保護薄膜,例如,係為了不易於該光透射部產生膠轉移,而將對應於光透射部的位置以能量線進行硬化,表面保護薄膜10,係使硬化部分12A對位於光透射部之後再貼附於光學構件。藉此,可防止對於光透射部之因黏著劑所致之污染,並且可適當保護光學構件的表面。
[實施例]
以下,雖基於實施例更加詳細地說明本發明,但本發明並不受此等例子所限制。
於本發明中之測定方法及評估方法係如以下所述。
[重量平均分子量(Mw)]
使用凝膠滲透層析裝置,在下述之條件下進行測定,並使用換算成標準聚苯乙烯所測定之值。
(測定條件)
測定裝置:製品名「HLC-8220GPC」,TOSOH股份 有限公司製)
管柱:製品名「TSKGel Super HZM-M」,TOSOH股份有限公司製)
展開溶劑:四氫呋喃
管柱溫度:40℃
流速:1.0mL/min
[黏著力]
將沖孔加工前之表面保護薄膜裁切成寬幅25mm而製成試料,在23℃、50%相對濕度的環境下,以2kg滾輪貼附於身為被著體的矽晶圓。測定在23℃、50%相對濕度的環境下靜置20分鐘之後,以拉伸速度300mm/分、180°剝離時的黏著力,將其作為能量線硬化前之黏著力。又,對於貼附於靜置20分鐘後的矽晶圓之試料,使用紫外線照射裝置(LINTEC股份有限公司製RAD-2000m/12),在氮環境下照射紫外線(照度230mW/cm2、光量190mJ/cm2)。然後,測定在23℃、50%相對濕度的環境下,以拉伸速度300mm/分、180°剝離時的黏著力,將其作為能量線硬化後之黏著力。
[初期黏著力]
將沖孔加工前之表面保護薄膜裁切成寬幅25mm而製成試料,在23℃、50%相對濕度的環境下,以2kg滾輪貼附於身為被著體的矽晶圓。測定在其之剛貼附後(1分鐘以 內),在23℃、50%相對濕度的環境下,以拉伸速度300mm/分、180°剝離時的黏著力,將其之黏著力作為初期黏著力。
[評估方法]
首先,如第3圖所示般,準備於模組的其中一面20A設置有受光部21的攝像模組20。將各實施例所得到的表面保護薄膜10,在存在硬化部分的情況時以使硬化部分12A的位置對準受光部21的位置之方式,來貼附於攝像模組20之其中一面20A,並以以下的評估基準進行評估。
<重複加工性>
A:即使在將表面保護薄膜貼附於攝像模組之後也容易重貼,重複加工性為良好。
B:一旦將表面保護薄膜貼附於攝像模組則難以重貼,重複加工性為不充分。
<保護性>
A:對於表面保護薄膜之攝像模組的密著性為良好,而保護性優異。
B:對於表面保護薄膜之攝像模組的密著性為低,而恐有表面保護薄膜意外剝離之虞。
<剝離性>
A:將貼附於攝像模組的表面保護薄膜,在照射紫外線之後,從攝像模組剝離,此時,可容易地進行剝離,又,目視觀察時,於攝像模組並未觀察到膠殘留。
B:將貼附於攝像模組的表面保護薄膜,在照射紫外線之後,從攝像模組剝離,此時,剝離阻抗為高而在以手動作業進行剝離上會耗費時間,又,目視觀察時,於受光部觀察到膠殘留。
[實施例1]
將n-丁基丙烯酸酯90質量份與丙烯酸10質量份,在乙酸乙酯溶劑中進行聚合而得到重量平均分子量55萬之丙烯酸系共聚物。於此以乙酸乙酯稀釋後的丙烯酸系共聚物100質量份(固體成分換算)中,混合重量平均分子量2300之季戊四醇系之5~9官能胺基甲酸酯丙烯酸酯寡聚物120質量份、作為光聚合起始劑之Irgacure 184(BASF公司製)2.0質量份、以及作為交聯劑之有機多元異氰酸酯化合物(製品名「BHS 8515」,TOYOCHEM股份有限公司製)17質量份,而得到能量線硬化型黏著劑組成物(Y型)之乙酸乙酯稀釋液。將此稀釋液,以使乾燥後的厚度成為20μm之方式塗佈於厚度50μm之由聚對苯二甲酸乙二酯薄膜所構成的基材,其後,以100℃進行加熱乾燥1分鐘,於基材之上形成黏著劑層,而得到表面保護薄膜。
於表面保護薄膜之黏著劑層進一步重疊剝離薄片,之 後,將表面保護薄膜沖孔加工成直徑5mm(面積:19.6mm2)者。於此表面保護薄膜之上,配置開設有直徑1mm的孔之鐵板遮罩,並且使用紫外線照射裝置(LINTEC股份有限公司製RAD-2000m/12),在氮環境下,對於表面保護薄膜隔著遮罩照射紫外線(照度230mW/cm2、光量190mJ/cm2),於表面保護薄膜之中心形成直徑1mm(面積:0.79mm2,相對於薄膜面積的面積比4/100)的圓形之硬化部分。
[實施例2]
將2-乙基己基丙烯酸酯80質量份及2-羥乙基丙烯酸酯20質量份在乙酸乙酯溶劑中進行聚合,而得到重量平均分子量47萬之丙烯酸系共聚物,進而使此丙烯酸系共聚物100質量份與身為含不飽和基之化合物的甲基丙烯醯氧乙基異氰酸酯(MOI)21質量份(相對於2-羥乙基丙烯酸酯100當量而為80當量)進行反應,而得到能量線硬化型丙烯酸系共聚物。接著,於此以乙酸乙酯稀釋後的能量線硬化型丙烯酸系共聚物100質量份(固體成分換算)中,混合作為光聚合起始劑之Irgacure 184(BASF公司製)2.0質量份、以及作為交聯劑之有機多元異氰酸酯化合物(製品名「BHS 8515」,TOYOCHEM股份有限公司製)1質量份,與實施例1相同地進行稀釋,而得到能量線硬化型黏著劑組成物(X型)之稀釋液。然後,與實施例1相同地實施。
[實施例3]
將n-丁基丙烯酸酯52質量份、甲基丙烯酸甲酯20質量份、以及2-羥乙基丙烯酸酯28質量份在乙酸乙酯溶劑中進行聚合,而得到重量平均分子量50萬之丙烯酸系共聚物,進而使丙烯酸系共聚物100質量份與身為含不飽和基之化合物的甲基丙烯醯氧乙基異氰酸酯(MOI)33.7質量份(相對於2-羥乙基丙烯酸酯100當量而為90當量)進行反應,而得到能量線硬化型丙烯酸系共聚物之乙酸乙酯稀釋液。接著,於此以乙酸乙酯稀釋後的能量線硬化型丙烯酸系共聚物100質量份(固體成分換算)中,混合重量平均分子量5500之2官能胺基甲酸酯丙烯酸酯系寡聚物10質量份、作為光聚合起始劑之Irgacure 184(BASF公司製)3.3質量份、以及作為交聯劑之有機多元異氰酸酯化合物(製品名「BHS 8515」,TOYOCHEM股份有限公司製)0.5質量份,並且與實施例1相同地進行稀釋,而得到能量線硬化型黏著劑組成物(X-Y型)之稀釋液。然後,與實施例1相同地實施。
另外,於實施例3中,作為2官能胺基甲酸酯丙烯酸酯系寡聚物,係使用將異佛酮二異氰酸酯3質量部、聚丙二醇1.4質量部、及聚乙二醇0.6質量部進行聚合所得者,進而與2-羥丙基丙烯酸酯2質量份反應而成者。
[比較例1]
在沖孔加工後,除了不對表面保護薄膜照射紫外線以外,與實施例1相同地實施。另外,在比較例1中,由於不進行紫外線照射,因此未能形成硬化部分。
[比較例2]
在沖孔加工後,除了不對表面保護薄膜照射紫外線以外,與實施例2相同地實施。另外,在比較例2中,由於不進行紫外線照射,因此未能形成硬化部分。
按照上述評估方法來評估以上之實施例1~3、比較例1、2之表面保護薄膜。將其結果展示於表1。
以上之於實施例1~3中之表面保護薄膜,係由於使表面保護薄膜之硬化部分對位於攝像模組之受光部之後,才貼附於攝像模組,因此不會產生對於受光部之膠轉移。又,由於表面保護薄膜,係藉由黏著力較高的未硬化部分12B而被接著於受光部周圍的攝像模組表面,因此表面保護薄膜之保護性能係成為良好。
相對於此,於比較例1、2中,雖黏著力及初期黏著 力係與實施例1、2為同等,但由於未形成硬化部分,因此於受光部存在有膠殘留,而難以使剝離性成為良好。

Claims (12)

  1. 一種表面保護薄膜,其係貼附於光學構件或電子構件,而使用來保護其表面,其特徵為,具備有基材,以及設置於該基材的其中一面且由能量線硬化型黏著劑組成物所構成之黏著劑層,前述黏著劑層的一部分,係以能量線進行了硬化,能量線硬化前之初期黏著力為未滿15000mN/25mm,其中,初期係指黏著劑層之剛貼附後的1分鐘以內,被著體係為矽晶圓。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之表面保護薄膜,其中,以前述能量線進行了硬化的部分,係全周被以未被能量線所硬化的部分所包圍。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所記載之表面保護薄膜,其中,於前述黏著劑層之面方向的中央部,係以能量線進行硬化。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所記載之表面保護薄膜,其中,前述能量線硬化型黏著劑組成物,係包含丙烯酸系共聚物(A)。
  5. 如申請專利範圍第4項所記載之表面保護薄膜,其中,前述丙烯酸系共聚物(A),係包含於側鏈含有不飽和基之能量線硬化型丙烯酸系聚合物。
  6. 如申請專利範圍第1項或第2項所記載之表面保護薄膜,其中,前述能量線硬化型黏著劑組成物,係包含能量線聚合性化合物(B)。
  7. 如申請專利範圍第1項或第2項所記載之表面保護薄膜,其中,能量線硬化前之黏著力為1000~30000mN/25mm,並且能量線硬化後之黏著力為10~300mN/25mm。
  8. 如申請專利範圍第1項或第2項所記載之表面保護薄膜,其中,前述黏著劑層係被著色,表面保護薄膜之透射率係為未滿50%。
  9. 如申請專利範圍第1項或第2項所記載之表面保護薄膜,其中,係貼附於攝像模組,而使用來保護該攝像模組之受光部。
  10. 如申請專利範圍第9所記載之表面保護薄膜,其中,前述黏著劑層之與前述攝像模組之受光部相對應的部分,係以能量線進行硬化。
  11. 一種附有表面保護薄膜之構件,其特徵為,具備有由光學構件或電子構件中任一者所選出的構件,以及貼附於該構件的表面之如申請專利範圍第1項~第10項中任一項所記載之表面保護薄膜。
  12. 一種方法,其特徵為,將如申請專利範圍第1項~第10項中任一項所記載之表面保護薄膜貼附於光學構件或電子構件的表面來保護其表面。
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