TWI672988B - 記憶體裝置及其組裝方法 - Google Patents

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Abstract

本案為一種記憶體裝置及其組裝方法，其中該記憶體裝置包括一具有記憶體之基板、至少一散熱膠條、至少一散熱結構以及一導光體；其中，基板包括複數發光件與至少一連接介面，該連接介面之第一及第二部分連接介面分別設置於基板之一第一以及第二基板表面，並鄰接於基板之一第一基板側面，用以與一電子裝置電性連接；該散熱結構藉由該散熱膠條部份貼合或鄰接於該基板；再者，該導光體組裝或套合於該散熱結構，並鄰近於該基板之一第二基板側面。而該散熱結構與該基板之間具有至少一通道，用以供發光件所產生之複數光線集中或分佈於該導光體。

Description

記憶體裝置及其組裝方法
本案係關於一種記憶體裝置，特別係指一種可替換並組裝導光體於散熱結構之記憶體裝置。
隨著電子產品的效能提升，應用於電子產品上的各種記憶體種類，也隨之蓬勃發展。舉例而言，以目前應用於電競產品的習知動態隨機存取記憶體裝置來說，由於會有聲光效果的需求，故其主要包括有：模組(例如：儲存模組及控制模組等)、複數發光二極體、散熱膠條、散熱結構以及導光體等等元件。
申言之，請參閱圖1A及圖1B，其係為習知應用於電競產品中之動態隨機存取記憶體裝置的立體與側視剖面示意圖；其中，記憶體裝置10中所包括的該些發光二極體112，係平均分佈於該記憶體裝置10之基板11，並藉由控制電路113控制該些發光二極體112不同之發光頻率，以提醒使用者該記憶體裝置10是否過熱。
然而，由圖1A及圖1B可得知，發光二極體112係 設置於該基板11之頂端，再由該導光體15設置於該頂端並覆蓋包覆該些發光二極體112；如此一來，易造成被導光體15覆蓋包覆之該些發光二極體112因產生之熱能不易消散，從而提升整體記憶體裝置10的溫度。
且，圖中之該記憶體裝置10更包括一具有遮光功能之散熱結構131，且該散熱結構131設置於該導光體15的外側圍，且包括複數透光孔14，該些透光孔14用以供該些發光二極體112之光線穿透出該導光體15，並使光線平均分佈並更為柔和。但同理地，該些透光孔14亦限制了光線的發光位置，使整體記憶體裝置10發光的路徑受限於該些透光孔14，僅由該些透光孔14之位置發出光線。
再者，習知記憶體裝置10之組裝方式係為，先以導光體15覆蓋並包覆位於基板11之頂端的該些發光二極體112，接著再由散熱結構131包覆並夾設導光體15與基板11得以結合固定兩者。然而，如前所述，此種組裝方式亦使該些發光二極體112產生之熱能不易消散，且散熱結構131包覆並夾設導光體15的組裝方式，亦影響該些發光二極體112所產生之光線受到限制。
因此，如何能更有效率地提升整體記憶體裝置10的散熱效能，以及運用發光二極體112導光的設計，即為目前所需解決的問題。
本案之主要目的，係為改良記憶體裝置中之各元件的結構形狀以及配置位置，並經由散熱結構之結構改良與導 光體之配置位置的不同，進而形成一可有效提升散熱效能的記憶體。
再者，本案之另一目的，是藉由散熱結構的形狀設計改良，以改變發光二極體之光線折射於散熱結構之透光孔的導光方向，以提升光線折射於導光體的位置及明亮度，並進而達到有效率地提升自記憶體裝置中產生出整體光線效果的目的。
於第一較佳實施例中，本案提供一種記憶體裝置，其至少包括一種記憶體裝置，其包括：一具有記憶體之基板，包括：複數發光件；以及一連接介面，包括一第一及第二部分連接介面，且分別設置於該基板之一第一以及第二基板表面，該兩部分連接介面分別鄰接於該基板之一第一基板側面，用以與一電子裝置電性連接；一散熱結構，部份鄰接於該基板；以及一導光體，組裝或套合於該散熱結構上；其中，該導光體鄰近於相對應該基板中該第一基板側面之一第二基板側面，且該散熱結構與該基板之間具有至少一通道，用以供該些發光件所產生之複數光線，集中或分佈於該導光體。
較佳者，該散熱結構包括一第一及第二區域，該第一區域貼合於該基板，該第二區域係位於該基板之該第二側面，用以組裝或套合該導光體。
較佳者，其中，該第二區域係為具有複數鰭片之一鰭片部以及至少一限位槽；其中，該些鰭片係依次鄰近排列，該至少一限位槽係由該些鰭片之外緣形狀而形成。
較佳者，對應該鰭片部與該至少一限位槽，該導光體更包括一嵌合部以及至少一定位件，該至少一定位件用以 被限位於該至少一限位槽中；其中，該嵌合部結合於該第二區域，抑或，該嵌合部卡扣於該些鰭片間。
較佳者，其中，該些鰭片間具有複數縫隙，且經由該些縫隙而使該些光線自該基板反射集中或分佈於該導光體。
較佳者，其中，對應該些縫隙之設置位置，該導光體得以產生至少一光學效果。
較佳者，其中，該導光體更包括複數導光體表面，且其中之任一者或及其多者更包括具有一部份遮光區域之一遮光層，用以阻絕該至少一導光路徑。
較佳者，其中，該遮光層更包括一部份非遮光區域，用以使該些光線集中或分佈於該部份非遮光區域。
較佳者，更包括一散熱膠條，該散熱結構藉由該散熱膠條得以部份貼合於該基板。
較佳者，其中，該些發光件係為三原色發光二極體(RGB LED)，用以受控於一應用程式。
較佳者，其中，該應用程式被載入於該基板之一控制模組，及/或與該記憶體裝置電連接之一主機中，從而使該些三原色發光二極體(RGB LED)產生單色或多色之光學效果。
於第二較佳實施例中，本案提供一種記憶體裝置，其包括：至少包括有一記憶體、複數發光件與一連接介面之一基板；其中，該基板具有一第一基板表面與一第二基板表面，且位於該第一基板表面與該第二基板表面間，該基板至少 具有一第一基板側面以及相對應於該第一基板側面之一第二基板側面，而該連接介面之一第一及第二部分連接介面分別設置於該第一以及第二基板表面，且該兩部分連接介面分別鄰接該第一基板側面，用以與一電子裝置電性連接；一散熱結構，位於該第一基板表面與該第二基板表面；以及一導光體，組裝或套合於該散熱結構上，且該導光體鄰近於該第二基板側面；其中，該散熱結構與該基板之間具有至少一通道，用以供該些發光件所產生之複數光線，集中或分佈於該導光體。
較佳者，該散熱結構包括兩散熱結構，且任一該散熱結構包括一第一及第二區域，該些第一區域分別貼合於該基板之該一第一及第二基板表面，該些第二區域係位於該基板之該第二基板側面，用以組裝或套合該導光體。
較佳者，任一該第二區域具有複數縫隙，且經由該些縫隙而使該些光線自該基板反射集中或分佈於該導光體。
較佳者，更包括兩散熱膠條，該第一及第二散熱結構分別藉由該第一及第二散熱膠條得以部份貼合於該基板之該第一及第二基板表面。
而關於流程方法部分，於第一較佳實施方法中，本案提供一種組裝記憶體裝置之方法，其步驟至少包括：(A)提供一基板、一散熱結構與一導光體；其中，該基板具有一第一基板表面與一第二基板表面，且位於該第一基板表面與該第二基板表面間，該基板至少具有一第一基板側面以及相對應於該第一基板側面之一第二基板側面，該基板之一連接介面之一第一及第二部分連接介面分別設置於該第一以及第二基板表面，且該兩部分連接介面分別鄰接該第一基板側面，用以與一 電子裝置電性連接；(B)部份鄰接於該基板與該散熱結構；以及(C)組裝或套合該導光體於該散熱結構上，且該導光體鄰近於該第二基板側面。
較佳者，其中，該散熱結構更包括一第一及第二散熱結構，該第一散熱結構用以貼合於該第一基板表面，該第二散熱結構用以貼合於該第二基板表面。
較佳者，其中，任一該散熱結構分別包括一第一及第二區域，該些第一區域分別貼合於該第一及第二基板表面，該些第二區域則位於該第二基板側面。
較佳者，更包括兩散熱膠條，該第一及第二散熱結構分別藉由該第一及第二散熱膠條得以部份貼合於該基板之該第一及第二基板表面。
於第二較佳實施方法中，本案提供一種組裝記憶體裝置之方法，其步驟至少包括：(A)提供一基板、至少一散熱結構與一導光體；其中，該基板具有一第一基板表面與一第二基板表面，且位於該第一基板表面與該第二基板表面間，該基板至少具有一第一基板側面以及相對應於該第一基板側面之一第二基板側面，該基板之一連接介面之一第一及第二部分連接介面分別設置於該第一以及第二基板表面，且該兩部分連接介面分別鄰接於該第一基板側面，用以與一電子裝置電性連接；(B)組裝或套合該導光體於該散熱結構上；以及(C)分別部份鄰接或夾持該至少一散熱結構與該第一及第二基板表面，且該導光體鄰近於該第二基板側面。
較佳者，其中，該散熱結構更包括一第一及第二散熱結構，該第一散熱結構用以貼合於該第一基板表面，該第 二散熱結構用以貼合於該第二基板表面。
較佳者，其中，任一該散熱結構分別包括一第一及第二區域，該些第一區域分別貼合於該第一及第二基板表面，該些第二區域則位於該第二基板側面。
較佳者，任一該第二區域具有複數縫隙，且經由該些縫隙而使該些光線自該基板反射集中或分佈於該導光體。
較佳者，更包括兩散熱膠條，該第一及第二散熱結構分別藉由該第一及第二散熱膠條得以部份貼合於該基板之該第一及第二基板表面。
10‧‧‧記憶體裝置
11‧‧‧基板
111‧‧‧連接介面
112‧‧‧發光二極體
113‧‧‧控制電路
121,122‧‧‧散熱膠條
131,132‧‧‧散熱結構
14‧‧‧透光孔
15‧‧‧導光體
151‧‧‧凹槽
20‧‧‧記憶體裝置
21‧‧‧基板
21a,21b‧‧‧基板側面
21c,21d‧‧‧基板表面
211‧‧‧連接介面
2111,2112‧‧‧第一及第二部分連接介面
212‧‧‧發光二極體
213‧‧‧模組
221,222‧‧‧散熱膠條
231,232‧‧‧散熱結構
231a,232a,231b,232b‧‧‧第一及第二區域
2311,2321‧‧‧鰭片部
2321a-2321c‧‧‧鰭片
2322‧‧‧縫隙
2323‧‧‧限位槽
24‧‧‧導光體
24a-24c‧‧‧導光體表面
2411,2421‧‧‧嵌合部
2422‧‧‧定位件
30‧‧‧記憶體裝置
31‧‧‧基板
31a,31b‧‧‧基板側面
31c,31d‧‧‧基板表面
311‧‧‧連接介面
3111,3112‧‧‧第一及第二部分連接介面
312‧‧‧發光二極體
313‧‧‧模組
321,322‧‧‧散熱膠條
331,332‧‧‧散熱結構
331a,332a,331b,332b‧‧‧第一及第二區域
3311,3321‧‧‧鰭片部
3311a-3311b,3321a-3321b‧‧‧鰭片
3322‧‧‧縫隙
3323‧‧‧限位槽
34‧‧‧導光體
34a-34c‧‧‧導光體表面
3411,3421‧‧‧嵌合部
3422‧‧‧定位件
343‧‧‧遮光層
343a‧‧‧部份遮光區域
343b‧‧‧部份未遮光區域
40‧‧‧記憶體裝置
41‧‧‧基板
41a,41b‧‧‧基板側面
41c,41d‧‧‧基板表面
411‧‧‧連接介面
4111,4112‧‧‧第一及第二部分連接介面
412‧‧‧發光二極體
421,422‧‧‧散熱膠條
431,432‧‧‧散熱結構
431a,432a,431b,432b‧‧‧第一及第二區域
44‧‧‧導光體
4411,4421‧‧‧嵌合部
451‧‧‧縫隙
452‧‧‧通道
W1,W2‧‧‧寬度
S11,S12,S13,S14‧‧‧第一方法流程
S21,S22,S23,S24‧‧‧第二方法流程
圖1A係為習知之記憶體裝置的立體示意圖。
圖1B係為圖1A所示之記憶體裝置的側視剖面示意圖。
圖2A係為應用本案基本發明概念之第一較佳實施例的實施結構的立體示意圖。
圖2B係為圖2A所示記憶體裝置之實施結構的分解爆炸圖。
圖2C係為圖2A所示記憶體裝置的上視圖以及局部放大圖。
圖2D係為圖2A所示記憶體裝置的側視示意圖。
圖3A係為應用本案基本發明概念之第二較佳實施例的實施結構的立體示意圖。
圖3B係為圖3A所示記憶體裝置之實施結構的分解爆炸圖。
圖3C係為圖3A所示記憶體裝置的上視圖以及局部放大圖。
圖3D係為圖3A所示記憶體裝置的側視示意圖。
圖3E係為圖3A所示記憶體裝置中之導光體的實施結構圖。
圖4A係為應用本案基本發明概念之第三較佳實施例的實施結構的立體示意圖。
圖4B係為圖4A所示記憶體裝置之實施結構的分解爆炸圖。
圖5A係為組裝本案記憶體裝置之一第一較佳實施方法於第二較佳實施例的步驟流程圖。
圖5B係為組裝本案記憶體裝置之一第二較佳實施方法於第三較佳實施例的步驟流程圖。
本案主要為改良散熱結構與導光體的結構形狀，並重新配置散熱結構與導光體的設置位置，而形成本案之基本發明概念的記憶體裝置。接著，列舉下列較佳實施例來說明本案之基本發明概念的實際運用延伸。
請參閱圖2A及圖2B，其分別係為應用本案基本發明概念之第一較佳實施例的實施結構的立體示意圖以及爆炸分解示意圖。
如圖2A及圖2B所示，此第一較佳實施例之記憶體裝置20主要包括：基板21、第一及第二散熱膠條221,222、第一及第二散熱結構231,232以及導光體24；其中，該基板21更包括兩基板側面21a,21b、兩基板表面21c,21d、包含第一部分 連接介面2111以及第二部分連接介面2112(請參閱後述圖2D中之相關元件標示)之連接介面211、複數發光二極體212以及複數模組213；該第一及第二散熱結構231,232分別各自包括一第一區域231a,232a及第二區域231b,232b；其中，第一區域231a,232a分別貼合於兩基板表面21c,21d，第二區域231b,232b則位於第二基板側面21b，於本例中，第二區域231b,232b係為鰭片部2311,2321；該導光體24更包括第一及第二嵌合部2411,2421以及定位件2422。其中，基板21之兩基板側面21a,21b位於兩基板表面21c,21d間。
依上述結構說明各元件的連接方式，該兩散熱膠條221,222之一面分別各自貼合於該基板21之兩基板表面21c,21d，且該兩散熱結構231,232分別部份貼合於該兩散熱膠條221,222之另一面。接著，該導光體24之該兩嵌合部2411,2421與定位件2422因應該兩鰭片部2311,2321，而使該導光體24嵌合卡固於該兩散熱結構231,232之頂部。
詳言之，連接介面211之第一部分連接介面2111以及第二部分連接介面2112分別位於第一基板表面21c以及第二基板表面21d，且該兩部分連接介面2111、2112分別鄰接於基板21之第一基板側面21a，用以與一電子裝置電性連接。且，兩散熱結構231,232藉由兩散熱膠條221,222部份鄰接於基板21之兩基板表面21c,21d，而導光體24組裝或套合於兩散熱結構231,232上；其中，導光體24鄰近於第二基板側面21b。
此外，兩散熱結構231,232與基板21之間具有至少一通道，用以供該些發光件212所產生之複數光線，集中或分佈於導光體24，而該通道係為對應兩散熱結構231,232，夾持並部分鄰接於基板21而產生之間隙(圖未示)。
亦即，本例中之基板21係藉由兩連接介面212與一電子裝置電性連接(圖未示)，複數模組213至少包括控制模組及複數儲存模組，控制模組可調控該些發光二極體之發光頻率及發光亮度，且控制模組更可讀取或儲存該儲存模組之資料。
舉例說明，發光二極體212係採用三原色發光二極體(RGB LED)，且該些三原色發光二極體更可搭配一控制模組213，例如：MCU控制晶片，藉由一應用程式(軟體或韌體)，驅使該些發光二極體212產生多種顏色變化，從而呈現各種光學特效。
詳言之，控制模組213可同時調控該些三原色發光二極體(RGB LED)之發光頻率以及發光亮度，例如：可同時顯示單色或多色的色彩強弱，且因應該應用程式之設定，可於一時間範圍內呈現單一或多種不同色彩變化的光學效果，例如：漸層、閃電、或流動性的色彩變化。
此外，兩散熱膠條221,222係用以輔助該基板21之熱能傳導至兩散熱結構231,232上，從而提升整體記憶體裝置20的熱傳導率及散熱效能。
當然，上述之各元件的的種類規格與應用設計係為熟知本技藝人士於了解本案的發明精神後，即可結合運用。舉例來說，鰭片部2311,2321之形狀可為方型、弧形、扇形或不規則形狀，並可進一步因應前述之定位件2422而增設一對應之限位孔或限位槽2323等。且，散熱結構231,232的數量與結構，並不以本實施例為限制，可由產品的應用及實際需求及美感設計進而調整設計。
接著要特別說明的是，兩散熱結構231,232之鰭片 部2311,2321與導光體24的結構設計，請參閱圖2C，圖2C係為本實施例之記憶體裝置的上視圖以及局部放大圖。
其中，將以散熱結構232之鰭片部2321來說明其結構，如圖2C所示，圖2C係以圖2A中之A方向的視角，散熱結構232之鰭片部2321係包括複數鰭片2321a-2321c，該些鰭片2321a-2321c用以提升整體記憶體裝置20的散熱效能，且該些鰭片2321a-2321c間具有複數縫隙2322，得以使發光二極體212之光線因應該些縫隙2322，從而沿著折射之導光路徑發出光線。當然，如前所述，亦可因應至少一通道從而使該些光線集中或分佈於導光體24(圖未示)，不應以本例為限制。
如此一來，便可依據光的折射原理以及鰭片部2321中之縫隙2322，抑或至少一通道(圖未示)的設計，從而設計出發光二極體212光線之導光路徑，並再藉由光線之導光路徑，而使導光體24具有更新穎及美感的光學效果。
進一步說明，導光體24包括三導光體表面24a-24c、兩嵌合部2411,2421以及定位件2422，以圖2C之上視圖來說明，三導光體表面24a-24c各自分別為記憶體裝置20之上方以及鰭片部2311,2321之左右側邊。如上所述，亦可藉由散熱結構231,232之該些縫隙2322的設置位置，從而設計出導光路徑以使光線集中或分佈於三導光體表面24a-24c上。
然而，導光體24的結構形狀與材質應用係為熟知本技藝人士於了解本案的發明精神後，即可以其他型態材質結合運用，並不以本實施例為限制，可由導光體與記憶體的應用及實際需求進而調整設計。
是以，如同前述，該些發光二極體212之光線穿透 該些縫隙2322，從而沿著導光路徑發出光線，得以使光線因應導光路徑而折射於導光體24。另外，自圖中當然也可以理解，本案中的導光體24並未包覆該些發光二極體212，因此也就不會有前述習知技術的缺失。
申言之，本案之主要概念係為導光體24可拆裝於散熱結構231,232上，且藉由鰭片部2311,2321之縫隙2322的設置位置，得以設計出發光二極體212之導光路徑，從而使未包覆該些發光二極體212的導光體24仍可呈現特殊且極具有美感之光學效果，例如：可設計光線主要集中於導光體之特定部位(LOGO)。將於後述中更清楚地說明導光體21的多元應用實施態樣。
除此之外，再請參閱圖2D，其係為前述實施例之記憶體裝置的側視示意圖，圖2D係以圖2A中之B方向的視角；其中，基板21被設置於對稱之兩散熱膠條221,222與兩散熱結構231,232之間，且藉由兩散熱膠條221,222將基板21與兩散熱結構231,232緊密地部分貼合黏合，以利於兩者間之熱傳導與散熱效率。
再者，由圖2D清楚地得知，該些發光二極體212設置於該基板21之第一及第二基板表面21c,21d，而該基板21之第二基板側面21b係鄰近於兩散熱結構231,232之鰭片部2311,2321，鰭片部2311,2321藉由氣流流過複數鰭片2321a-2321c之間，得以使氣流帶走整體記憶體裝置20之熱能，從而有助於提升整體記憶體的散熱效能。
接著說明，導光體24係藉由兩嵌合部2411,2421嵌合卡固於兩鰭片部2311,2321上，得以使導光體24嵌合固定 於散熱結構231,232上。其中，鰭片部2311,2321因應導光體24之定位件2422而設有限位槽2323。
請再參閱圖2A至圖2D，如圖2A至圖2D所示，本例之導光體24係為一S型結構，且該兩嵌合部2411,2421係分別設置於該S型結構之兩末端，導光體24之定位件2422因應鰭片部2321的限位槽2323，從而限位導光體24與兩散熱結構231,232之相對關係。
接著，再以鰭片部2321與嵌合部2421來說明兩者如何固定彼此；其中，導光體24之嵌合部2421於本例中係為一勾部，且藉由該勾部卡固於鰭片部2321之鰭片2321c，得以使導光體24固定於兩散熱結構231,232上，從而限位並固定兩者之連接關係。
除此之外，請參閱圖3A至圖3E，其分別係為應用本案基本發明概念之第二較佳實施例的實施結構的立體示意圖以及爆炸分解示意圖。
如圖3A至圖3E所示，此第二較佳實施例之記憶體裝置30相同地包括：基板31、第一及第二散熱膠條321,322、第一及第二散熱結構331,332以及導光體34；其中，該基板31更包括兩基板側面31a,31b、兩基板表面31c,31d、包含第一部分連接介面3111以及第二部分連接介面3112(請參閱後述圖3D中之相關元件標示)之連接介面311、複數發光二極體312以及複數模組313；該第一及第二散熱結構331,332分別各自包括第一區域331a,332a及第二區域331b,332b；其中，第一區域331a,332a分別貼合於兩基板表面31c,31d，第二區域331b,332b則位於第二基板側面31b，於本例中，第二區域331b,332b係為 鰭片部3311,3321；該導光體34更包括第一及第二嵌合部3411,3421以及定位件3422。其中，基板31之兩基板側面31a,31b位於兩基板表面31c,31d間。
詳言之，連接介面311之第一部分連接介面3111以及第二部分連接介面3112分別位於第一基板表面31c以及第二基板表面31d，且該兩部分連接介面3111、3112分別鄰接於基板31之第一基板側面31a，用以與一電子裝置電性連接。且，兩散熱結構331,332藉由兩散熱膠條321,322部份鄰接於基板31之兩基板表面31c,31d，而導光體34組裝或套合於兩散熱結構331,332上；其中，導光體34鄰近於第二基板側面31b。
且，以圖3C及圖3D來說明，其中圖3C係以圖3A中之A方向的視角，而圖3D係以圖3A中之B方向的視角，導光體34包括三導光體表面34a-34c、兩嵌合部3411,3421以及定位件3422，三導光體表面34a-34c各自分別為記憶體裝置30之上方以及鰭片部3311,3321之左右側邊，相當於鄰近基板31之第二基板側面31b處。其中，且鰭片部3321之鰭片3321a,3321b間亦具有複數縫隙3322，其得以使發光二極體312之光線因應該些縫隙3322，從而沿著折射之導光路徑發出光線，亦即，該些縫隙3322或至少一通道(圖未示)用以供該些發光件312所產生之複數光線，集中或分佈於導光體34。
然而，本例與前例不同的差異處在於鰭片部與導光體的設計，接續先以圖3C及圖3D之鰭片部3321來說明不同數量的鰭片設計。由圖3A至圖3D可得知，散熱結構332之鰭片部3321係包括兩鰭片3321a,3321b，散熱結構331的鰭片部3311包括兩個鰭片3311a,3311b，於本例中鰭片的數量係為兩片，而前例則係為三片。且，相同地對應兩鰭片3321a,3321b之間 該些縫隙3322的設置位置，可使光線沿著導光路徑集中或分佈於三導光體表面34a-34c上。
再者，請再一併參閱圖2C及圖3C，以圖2C及圖3C說明本例與前例中鰭片部2321,3321與導光體24,34的對應結構設計。詳言之，對應上述鰭片部2321,3321之鰭片2321,3321的數量變化，從而調整導光體24,34之第二導光體表面24b,34b的寬度W1,W2大小，由圖2C及圖3C可得知，由於前例鰭片部2321之鰭片2321的數量係為3個，而本例鰭片部3321之鰭片3321a,3321b的數量係為2個，因此，本例中導光體34之第二導光體表面34b的寬度W2明顯大於前例中導光體24之第二導光體表面24b的寬度W1。
也就是說，以相同地條件下增加第二導光體表面34b的寬度W2，得以使導光體34之第二導光體表面34b的透光面積明顯大於前例，由此得知可依據產品實際導光效果的需求，而調整導光體表面積的大小。
此外，請再參閱圖3E，由圖3E可得知，導光層34之第二導光體表面34b更包括一具有部份遮光區域343a之遮光層343，用以使光線集中分佈於該遮光層343之部份未遮光區域343b，例如：本例圖中之LOGO，SKILL字樣。詳細說明，於實際運用時，發光件312所產生之光線會集中分佈於SKILL字樣上，使SKILL字樣因應光線的色彩，或是導光體34的材質呈現不同的光學效果，以利於使用者能更顯易地看出LOGO字樣的設計。
由此，導光體34可藉由遮光層343的變化設計，而選擇分配光線集中與分佈的位置，且同時可搭配導光體34材質 的透光程度及色彩，進而使導光體34產生不同光線強弱與色彩之光學效果。
另一方面，請參閱圖4A及圖4B，其分別應用本案基本發明概念之第三較佳實施例的實施結構的立體示意圖以及分解爆炸圖。
於此實施例中，此記憶體裝置40係為一夾合式記憶體裝置40，其主要包括：基板41、第一及第二散熱膠條421,422、第一及第二散熱結構431,432以及導光體44；其中，該基板41更包括兩基板側面41a,41b、兩基板表面41c,41d、包含第一部分連接介面4111以及第二部分連接介面4112(請參閱後述圖4B中之相關元件標示)之連接介面411、複數發光二極體412以及複數模組(圖為示)，其中，基板41之兩基板側面41a,41b位於兩基板表面41c,41d間；該第一及第二散熱結構431,432分別各自包括一第一區域431a,432a及第二區域431b,432b，兩第一區域431a,432a分別位於兩基板表面41c,41d，兩第二區域431b,432b則位於第二基板側面41b。
詳言之，連接介面411之第一部分連接介面4111以及第二部分連接介面4112分別位於第一基板表面41c以及第二基板表面41d，且該兩部分連接介面4111、4112分別鄰接於基板41之第一基板側面41a，用以與一電子裝置電性連接。且，兩散熱結構431,432分別藉由兩散熱膠條421,422部份鄰接於基板41之兩基板表面41c,41d，而導光體44組裝或套合於兩散熱結構431,432中之任一者或其兩者，例如：此例之散熱結構432；其中，導光體44鄰近於第二基板側面41b。
其中，兩第二區域431b,432b皆具有複數縫隙 451，且兩第二區域431b,432b相互卡合而形成至少一通道452；該導光體44更包括第一及第二嵌合部4411,4421。其中，該些縫隙451與至少一通道452用以供該些發光件412所產生之複數光線，集中或分佈於導光體44，而通道452係為兩散熱結構431,432相互卡合並部分鄰接於基板41而產生之間隙。
接著要特別說明的是，此例中兩散熱結構431,432並未具有鰭片部的結構設計，而是運用兩第二區域431b,432b之該些縫隙451與導光體44之兩嵌合部4411,4421的結構設計而使導光體44與兩散熱結構431,432兩者可依據產品實際運用及需求而進行拆裝及替換。
接續請參閱圖5A及圖5B，其分別係為組裝本案記憶體裝置之兩種較佳實施方法；首先，以圖3A及圖3B來搭配圖5A，說明以第一較佳實施方法組裝前述本案記憶體裝置之第二較佳實施例，其步驟至少包括：S11.提供如前述第二較佳實施例中之基板31、兩散熱膠條321,322、兩散熱結構331,332與導光體34；S12.部份貼合或鄰接兩散熱膠條321,322之一面於基板31之兩基板表面31c,31d；S13.貼合兩散熱膠條321,322之另一面於兩散熱結構331,332；以及S14.組裝或套合導光體34於兩散熱結構331,332上，因而使導光體34鄰近於第二基板側面31b處。
其中，於步驟S11中，第一散熱結構331藉由第一散熱膠條321部分貼合或鄰接於第一基板表面31c，而第二散熱結構332則同理地藉由第二散熱膠條322部分貼合於第二基板表面31d。此外，如前所述中之任一散熱結構331,332分別包括一第一區域331a,332a及第二區域331b,332b，因此係由兩第一區域331a,332a分別以兩散熱膠條321,322部份貼合於第一及第 二基板表面31c,31d，例如：貼合於控制模組與儲存模組。而第二區域331b,332b則對應鄰近於第二基板側面31b處。
也就是說，兩散熱結構331,332之第一區域331a,332a先藉由兩散熱膠條321,322夾持並部分貼合於基板31之兩基板表面31c,31d，之後，再將導光體34套合或組裝於兩散熱結構331,332之第二區域331b,332b，其中，導光體34相應第二區域331b,332b而鄰近於基板31之第二基板側面31b。
此外，再以圖4A及圖4B來搭配圖5B，說明以第二較佳實施方法組裝前述本案記憶體裝置之第三較佳實施例，其步驟至少包括：S21.提供如前述第三較佳實施例中之基板41、兩散熱膠條421,422、兩散熱結構431,432與導光體44；S22.組裝或套合導光體34於兩散熱結構431,432之第二區域431b,432b；S23.部份貼合或鄰接兩散熱膠條421,422之一面於基板41之兩基板表面41c,41d；以及S24.貼合兩散熱膠條321,322之另一面於兩散熱結構431,432，因而使導光體44位於第二基板側面41b處。
其中，於步驟S22中可得知，導光體44係先套合或組裝於兩散熱結構431,432之第二區域431b,432b，接著在於步驟S23中得知，兩散熱結構431,432之第一區域431a,432a再分別藉由兩散熱膠條421,422部分貼合於基板41之兩基板表面41c,41d，最後得以將兩散熱結構431,432、兩散熱膠條421,422與基板41三者結合，並使導光體44鄰近於第二基板側面41b處。
也就是說，先將導光體44套合或組裝於兩散熱結構431,432之第二區域431b,432b，之後，兩散熱結構431,432之第一區域431a,432a再藉由兩散熱膠條421,422夾持並部分貼合 於基板41之兩基板表面41c,41d，進而使導光體44相應第二區域431b,432b而鄰近於基板41之第二基板側面41b。
由此可知，本案組裝記憶體裝置之方法確實能解決習知技術的缺失，例如：圖1中發光二極體112產生之熱能不易消散，以及散熱結構131限制該些發光二極體112的導光路徑。詳言之，本案不論係以第一實施方法或第二實施方法進行組裝本案之記憶體裝置，皆為散熱結構與基板結合，以及散熱結構與導光體結合。詳言之，對應本案之組裝方法以及結構設計，可使散熱結構提升基板的散熱效能，且導光體可組裝套合於散熱結構上，得以因應產品實際所需的設計而調整變化，從而達到可自由地替換導光體的多樣性及便利性。
綜上所述，本案所舉之兩較佳實施方法皆可運用於前述實施例中，主要係將導光體與兩散熱結構之第二區域兩者套合或組裝，再藉由兩散熱膠條得以使兩散熱結構之第一區域部分結合或鄰接於基板之兩基板表面，從而使導光體鄰近於基板之第二基板側面，當然，而實際運用的實施態樣與方法，不應以本案之實施例與實施方法為限制。
總言之，本案之記憶體裝置的主要發明概念係由導光體與散熱結構之第二區域套合或組裝，且散熱結構之第一區域藉由散熱膠條部分貼合或鄰接於基板之基板表面。其中，第二區域可增設鰭片部以提升熱傳導與散熱效能，或是增設複數縫隙於第二區域中，並對應該些縫隙的設置位置，得以使發光二極體之光線沿著至少一導光路徑，從而折射反射於導光體上，進而使導光體呈現一光學效果，抑或是藉由遮光層的設計，變化導光體的導光路徑及光線的分佈。
再者，由於本案導光體並非如同前案係包覆發光二極體，因而不會使發光二極體的工作溫度升高。此外，導光體亦可配合散熱結構之形狀結構，自由地拆裝組裝於散熱結構上，並可依據產品實際需求而設計導光體之外觀結構與材質應用。
以上僅為本案之較佳可行實施例，非因此即侷限本案之專利保護範圍，舉凡運用本案說明書及圖式內容所為之等效結構變化，均包含於本案之範圍內，合予陳明。

Claims (24)

  1. 一種記憶體裝置，其包括：一具有記憶體之基板，包括：複數發光件；以及一連接介面，包括一第一及第二部分連接介面，且分別設置於該基板之一第一以及第二基板表面，該兩部分連接介面分別鄰接於該基板之一第一基板側面，用以與一電子裝置電性連接；一散熱結構，部份鄰接於該基板；以及一導光體，組裝或套合於該散熱結構上；其中，該導光體鄰近於相對應該基板中該第一基板側面之一第二基板側面，且該散熱結構與該基板之間具有至少一通道，用以供該些發光件所產生之複數光線，集中或分佈於該導光體。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之記憶體裝置，該散熱結構包括一第一及第二區域，該第一區域貼合於該基板，該第二區域係位於該基板之該第二側面，用以組裝或套合該導光體。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之記憶體裝置，其中，該第二區域係為具有複數鰭片之一鰭片部以及至少一限位槽；其中，該些鰭片係依次鄰近排列，該至少一限位槽係由該些鰭片之外緣形狀而形成。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之記憶體裝置，對應該鰭片部與該至少一限位槽，該導光體更包括一嵌合部以及至少一 定位件，該至少一定位件用以被限位於該至少一限位槽中；其中，該嵌合部結合於該第二區域，抑或，該嵌合部卡扣於該些鰭片間。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之記憶體裝置，其中，該些鰭片間具有複數縫隙，且經由該些縫隙而使該些光線自該基板反射集中或分佈於該導光體。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之記憶體裝置，其中，對應該些縫隙之設置位置，該導光體得以產生至少一光學效果。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之記憶體裝置，其中，該導光體更包括複數導光體表面，且其中之任一者或及其多者更包括具有一部份遮光區域之一遮光層，用以阻絕該至少一導光路徑。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之記憶體裝置，其中，該遮光層更包括一部份非遮光區域，用以使該些光線集中或分佈於該部份非遮光區域。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之記憶體裝置，更包括一散熱膠條，該散熱結構藉由該散熱膠條得以部份貼合於該基板。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之記憶體裝置，其中，該些發光件係為三原色發光二極體(RGB LED)，用以受控於一應用程式。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之記憶體裝置，其中，該應用程式被載入於該基板之一控制模組，及/或與該記憶體裝置電連接之一主機中，從而使該些三原色發光二極體(RGB LED)產生單色或多色之光學效果。
  12. 一種記憶體裝置，其包括：至少包括有一記憶體、複數發光件與一連接介面之一基板；其中，該基板具有一第一基板表面與一第二基板表面，且位於該第一基板表面與該第二基板表面間，該基板至少具有一第一基板側面以及相對應於該第一基板側面之一第二基板側面，而該連接介面之一第一及第二部分連接介面分別設置於該第一以及第二基板表面，且該兩部分連接介面分別鄰接該第一基板側面，用以與一電子裝置電性連接；一散熱結構，位於該第一基板表面與該第二基板表面；以及一導光體，組裝或套合於該散熱結構上，且該導光體鄰近於該第二基板側面；其中，該散熱結構與該基板之間具有至少一通道，用以供該些發光件所產生之複數光線，集中或分佈於該導光體。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之記憶體裝置，該散熱結構包括兩散熱結構，且任一該散熱結構包括一第一及第二區域，該些第一區域分別貼合於該基板之該一第一及第二基板表面，該些第二區域係位於該基板之該第二基板側面，用以組裝或套合該導光體。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之記憶體裝置，任一該第二區域具有複數縫隙，且經由該些縫隙而使該些光線自該基板反射集中或分佈於該導光體。
  15. 如申請專利範圍第13項所述之記憶體裝置，更包括兩散熱膠條，該第一及第二散熱結構分別藉由該第一及第二散熱 膠條得以部份貼合於該基板之該第一及第二基板表面。
  16. 一種組裝記憶體裝置之方法，其步驟至少包括：(A)提供一基板、一散熱結構與一導光體；其中，該基板具有一第一基板表面與一第二基板表面，且位於該第一基板表面與該第二基板表面間，該基板至少具有一第一基板側面以及相對應於該第一基板側面之一第二基板側面，該基板之一連接介面之一第一及第二部分連接介面分別設置於該第一以及第二基板表面，且該兩部分連接介面分別鄰接該第一基板側面，用以與一電子裝置電性連接；(B)部份鄰接於該基板與該散熱結構；以及(C)組裝或套合該導光體於該散熱結構上，且該導光體鄰近於該第二基板側面。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之方法，其中，該散熱結構更包括一第一及第二散熱結構，該第一散熱結構用以貼合於該第一基板表面，該第二散熱結構用以貼合於該第二基板表面。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之方法，其中，任一該散熱結構分別包括一第一及第二區域，該些第一區域分別貼合於該第一及第二基板表面，該些第二區域則位於該第二基板側面。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之方法，更包括兩散熱膠條，該第一及第二散熱結構分別藉由該第一及第二散熱膠條得以部份貼合於該基板之該第一及第二基板表面。
  20. 一種組裝記憶體裝置之方法，其步驟至少包括：(A)提供一基板、至少一散熱結構與一導光體；其中，該基板具有一第一基板表面與一第二基板表面，且位於該第一基板表面與該第二基板表面間，該基板至少具有一第一基板側面以及相對應於該第一基板側面之一第二基板側面，該基板之一連接介面之一第一及第二部分連接介面分別設置於該第一以及第二基板表面，且該兩部分連接介面分別鄰接於該第一基板側面，用以與一電子裝置電性連接；(B)組裝或套合該導光體於該散熱結構上；以及(C)分別部份鄰接或夾持該至少一散熱結構與該第一及第二基板表面，且該導光體鄰近於該第二基板側面。
  21. 如申請專利範圍第20項所述之方法，其中，該散熱結構更包括一第一及第二散熱結構，該第一散熱結構用以貼合於該第一基板表面，該第二散熱結構用以貼合於該第二基板表面。
  22. 如申請專利範圍第21項所述之方法，其中，任一該散熱結構分別包括一第一及第二區域，該些第一區域分別貼合於該第一及第二基板表面，該些第二區域則位於該第二基板側面。
  23. 如申請專利範圍第22項所述之記憶體裝置，任一該第二區域具有複數縫隙，且經由該些縫隙而使該些光線自該基板反射集中或分佈於該導光體。
  24. 如申請專利範圍第20項所述之方法，更包括兩散熱膠條，該第一及第二散熱結構分別藉由該第一及第二散熱膠條得 以部份貼合於該基板之該第一及第二基板表面。
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