TWI850009B - 記憶體裝置 - Google Patents

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TWI850009B
TWI850009B TW112124992A TW112124992A TWI850009B TW I850009 B TWI850009 B TW I850009B TW 112124992 A TW112124992 A TW 112124992A TW 112124992 A TW112124992 A TW 112124992A TW I850009 B TWI850009 B TW I850009B
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Taiwan
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slot
heat sink
rib
plug
memory device
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TW112124992A
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楚娟娟
楊明
夏文明
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威剛科技股份有限公司
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Abstract

本發明公開一種記憶體裝置,其包括導光件、第一散熱片、第二散熱片、以及記憶體元件。第一散熱片與第二散熱片可分離的樞接於導光件。第一散熱片與第二散熱片各自以導光件為軸而轉動。借此,第一散熱片及第二散熱片之間的寬度可依據記憶體元件的厚度來調節,使記憶體裝置能適配於不同厚度的記憶體元件。

Description

記憶體裝置
本發明涉及一種記憶體裝置,特別是涉及一種能夠適配於不同厚度的記憶體元件的記憶體裝置。
目前,市面上具有導光件的記憶體裝置,其導光件與兩個散熱片之間的固定大多是利用雙面膠來黏接。然而,這類的方式導致散熱片是固定於導光件上而無法移動。由於記憶體裝置內部的記憶體元件會因設有不同尺寸的晶片或是設有其他輔材(例如泡棉)而造成厚度差異,一旦散熱片被固定在導光件上,會使記憶體元件因為過厚而無法被裝設在兩個散熱片之間,造成組裝上的困難。
故,如何通過結構設計的改良,來克服上述的缺陷,已成為該項事業所欲解決的重要課題之一。
本發明所要解決的技術問題在於,針對現有技術的不足提供一種能夠適配於不同厚度的記憶體元件的記憶體裝置。
為了解決上述的技術問題,本發明所採用的技術方案是提供一種記憶體裝置,其包括導光件、第一散熱片、第二散熱片、以及記憶體元件。第一散熱片與第二散熱片可分離的樞接於導光件,第一散熱片與第二散熱 片各自以導光件為軸而轉動。
本發明的有益效果在於,本發明所提供的記憶體裝置,其能通過“第一散熱片與第二散熱片可分離的樞接於導光件,第一散熱片與第二散熱片各自以導光件為軸而轉動”的技術方案,使第一散熱片及第二散熱片之間的寬度可依據記憶體元件的厚度來調節,因此記憶體裝置能適配於不同厚度的記憶體元件。
為使能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容,請參閱以下有關本發明的詳細說明與圖式,然而所提供的圖式僅用於提供參考與說明,並非用來對本發明加以限制。
D:記憶體裝置
1:導光件
10:基部
10S:壁面
101:第一插槽
102:第二插槽
103:第三插槽
104:第四插槽
11:第一肋部
11C:第一凹孔
11S:表面
110:第一梯形凹槽
110S:斜切面
110B:底部
12:第二肋部
12C:第二凹孔
12S:表面
120:第二梯形凹槽
120S:斜切面
120B:底部
13:第一壩部
14:第二壩部
21:第一散熱片
211:第一長邊
2111:第一插接部
2112:第二插接部
2113:第一卡勾
212:第一短邊
2121:第二卡勾
22:第二散熱片
221:第二長邊
2211:第三插接部
2212:第四插接部
2213:第三卡勾
222:第二短邊
2221:第四卡勾
3:記憶體元件
V:卡槽
圖1為本發明的記憶體裝置的立體示意圖。
圖2為本發明的記憶體裝置的另一立體示意圖。
圖3為本發明的記憶體裝置的分解示意圖。
圖4為本發明的記憶體裝置的導光件的立體示意圖。
圖5為本發明的記憶體裝置的導光件的另一立體示意圖。
圖6為本發明的記憶體裝置的第一及第二散熱片的立體示意圖。
圖7為圖1的VII-VII剖面的剖面示意圖。
圖8為圖2的VIII-VIII剖面的剖面示意圖。
以下是通過特定的具體實施例來說明本發明所公開有關“記憶體裝置”的實施方式,本領域技術人員可由本說明書所公開的內容瞭解本發明的優點與效果。本發明可通過其他不同的具體實施例加以施行或應用,本 說明書中的各項細節也可基於不同觀點與應用,在不背離本發明的構思下進行各種修改與變更。另外,本發明的附圖僅為簡單示意說明,並非依實際尺寸的描繪,事先聲明。以下的實施方式將進一步詳細說明本發明的相關技術內容,但所公開的內容並非用以限制本發明的保護範圍。另外,應當可以理解的是,雖然本文中可能會使用到“第一”、“第二”、“第三”等術語來描述各種元件,但這些元件不應受這些術語的限制。這些術語主要是用以區分一元件與另一元件。另外,本文中所使用的術語“或”,應視實際情況可能包括相關聯的列出項目中的任一個或者多個的組合。
[實施例]
參閱圖1至圖3所示,圖1與圖2為本發明的記憶體裝置在不同視角的立體示意圖,圖3為本發明的記憶體裝置的分解示意圖。本發明實施例提供一種記憶體裝置D,其包括:導光件1、第一散熱片21、第二散熱片22以及記憶體元件3。舉例來說,本發明的記憶體裝置D為動態隨機存取記憶體(dynamic random access memory,DRAM),但本發明不以為限。
導光件1可例如由高透光度的透明材質製成,其是做為一種均勻光線的結構。記憶體裝置D上的若干發光二極體(圖未示出)所發出的光線會通過導光件1而產生勻光的效果。第一散熱片21及第二散熱片22可分離的樞接於導光件1,第一散熱片21與第二散熱片22各自以導光件1為軸而轉動。也就是說,第一散熱片21及第二散熱片22與導光件1之間能夠組裝一起,也能夠拆卸而分離成獨立元件。
記憶體元件3可包括一電路基板以及設置在所述電路基板上的至少一動態隨機存取記憶體晶片。記憶體元件3設置於第一散熱片21與第二散熱片22之間並卡設於導光件1。本發明不以第一散熱片21及第二散熱片22與記憶體元件3之間的熱傳導方式為限,第一散熱片21及第二散熱片22 能夠通過直接接觸記憶體元件3來進行散熱,或者第一散熱片21及第二散熱片22也能夠通過導熱墊等其他導熱元件間接接觸記憶體元件3來進行散熱。
參閱圖4與圖5所示,圖4與圖5為本發明的記憶體裝置的導光件在不同視角的立體示意圖。導光件1包括基部10、第一肋部11及第二肋部12。第一肋部11及第二肋部12設置於基部10的相同側並沿同一方向(正Y軸方向)延伸。更確切來說,基部10具有一壁面10S,第一肋部11與第二肋部12連接於壁面10S並且平行設置。第一肋部11與第二肋部12之間形成卡槽V,而記憶體元件3則是卡設於卡槽V中。
如圖4所示,壁面10S於相鄰第一肋部11的位置設有第一插槽101與第二插槽102,第一肋部11於第一插槽101與第二插槽102之間設有第一梯形凹槽110。第一插槽101(沿X軸方向)的長度不等於第二插槽102(沿X軸方向)的長度,確切地說,第一插槽101(沿X軸方向)的長度大於第二插槽102(沿X軸方向)的長度。
如圖5所示,壁面10S於相鄰第二肋部12的位置設有第三插槽103與第四插槽104,第二肋部12於第三插槽103與第四插槽104之間設有第二梯形凹槽120。第三插槽103(沿X軸方向)的長度不等於第四插槽104(沿X軸方向)的長度,確切地說,第三插槽103(沿X軸方向)的長度大於第四插槽104(沿X軸方向)的長度。
繼續參閱圖4與圖5,導光件1還包括兩個第一壩部13與兩個第二壩部14。兩個第一壩部13分別設於第一肋部11的兩端,並且連接於壁面10S與第一肋部11之間,第一肋部11於相鄰兩個第一壩部13的位置分別設有兩個第一凹孔11C。此外,兩個第二壩部14分別設於第二肋部12的兩端,並且連接於壁面10S與第二肋部12之間,第二肋部12於相鄰兩個第二壩部 14的位置分別設有兩個第二凹孔12C。
參閱圖6所示,圖6為本發明的記憶體裝置的第一及第二散熱片的立體示意圖。第一散熱片21與第二散熱片22為呈斜向對稱的結構。值得一提的是,第一散熱片21及第二散熱片22的表面皆具有梯形凸紋以及有多條條狀凸紋組成的三角形結構。
第一散熱片21具有第一長邊211,以及分別連接於第一長邊211兩側的兩個第一短邊212。第一長邊211設有第一插接部2111、第二插接部2112及第一卡勾2113,第一插接部2111與第二插接部2112是從第一長邊211沿負Y軸方向相對凸出的部分,而第一卡勾2113設於第一插接部2111與第二插接部2112之間。兩個第一短邊212分別設有兩個第二卡勾2121。
相似地,第二散熱片22具有第二長邊221,以及分別連接於第二長邊221兩側的兩個第二短邊222。第二長邊221設有第三插接部2211、第四插接部2212及第三卡勾2213,第三插接部2211與第四插接部2212是從第二長邊221沿負Y軸方向相對凸出的部分,而第三卡勾設於第三插接部2211與第四插接部2212之間。兩個第二短邊222分別設有兩個第四卡勾2221。
參閱圖4至圖6所示,當第一散熱片21樞接於導光件1時,第一散熱片21的第一插接部2111與第二插接部2112分別插設於第一插槽101與第二插槽102,第一卡勾2113卡設於第一梯形凹槽110,兩個第二卡勾2121分別卡設於兩個第一凹孔11C。同樣地,當第二散熱片22樞接於導光件1時,第三插接部2211與第四插接部2212分別插設於第三插槽103與第四插槽104,第三卡勾2213卡設於第二梯形凹槽120,兩個第四卡勾2221分別卡設於兩個第二凹孔12C。
參閱圖7與圖8所示,圖7為圖1的VII-VII剖面的剖面示意圖,圖8為圖2的VIII-VIII剖面的剖面示意圖。圖7與圖8示出了第一散熱片21與第二散熱片22組裝於導光件1後的形態。第一插槽101、第二插槽102、第三插槽103及第四插槽104的槽口尺寸是由基部10內往基部10外逐漸變寬(圖7僅示出第四插槽104,圖8中僅示出第一插槽101,然而第二插槽102及第三插槽103的槽口也是由內而外漸寬)。
此外,第一梯形凹槽110包括一斜切面110S,而第二梯形凹槽120包括一斜切面120S。斜切面110S由第一肋部11的表面11S往第一梯形凹槽110的底部110B向下傾斜,而斜切面120S由第二肋部12的表面往第二梯形凹槽120的底部向下傾斜。
因此,通過第一梯形凹槽110及第二梯形凹槽120的斜切面110S,120S的結構設計,以及通過第一插槽101、第二插槽102、第三插槽103及第四插槽104由內而外漸寬的槽口結構設計,可使第一散熱片21的第一插接部2111、第二插接部2112及第一卡勾2113較易插入第一插槽101、第二插槽102及第一梯形凹槽110,以及使第二散熱片22的第三插接部2211、第四插接部2212及第三卡勾2213較易插入第三插槽103、第四插槽104及第二梯形凹槽120。也就是說,第一散熱片21與第二散熱片22能夠較為容易地組裝於導光件1。
更進一步來說,通過第一梯形凹槽110及第二梯形凹槽120的斜切面110S,120S的結構設計,以及通過第一插槽101、第二插槽102、第三插槽103及第四插槽104由內而外漸寬的槽口結構設計,第一散熱片21與第二散熱片22能夠以45度角(以記憶體元件3的水平位置為基準,即0度角)方向插入導光件1,待確保插接部及卡勾都組裝入導光件的梯形凹槽及插槽中,再將第一散熱片21與第二散熱片22放平而完成組裝。
[實施例的有益效果]
本發明的有益效果在於,本發明所提供的記憶體裝置D,其能通過“第一散熱片21與第二散熱片22可分離的樞接於導光件1,第一散熱片21與第二散熱片22各自以導光件1為軸而轉動”的技術方案,使第一散熱片21及第二散熱片22之間的寬度可依據記憶體元件3的厚度來調節,因此記憶體裝置能適配於不同厚度的記憶體元件。
舉例來說,當記憶體元件上的晶片或輔材的尺寸較多且厚時,第一散熱片21與第二散熱片22能夠遠離彼此的方向轉動,以加大第一散熱片21與第二散熱片22之間的空間來容置記憶體元件;反之,當記憶體元件上的晶片或輔材的尺寸較少且薄時,第一散熱片21與第二散熱片22也能夠靠近彼此的方向轉動,以縮小第一散熱片21與第二散熱片22之間的空間來適應記憶體元件。
通過第一梯形凹槽110及第二梯形凹槽120的斜切面110S,120S的結構設計,以及通過第一插槽101、第二插槽102、第三插槽103及第四插槽104由內而外漸寬的槽口結構設計,可使第一散熱片21的第一插接部2111、第二插接部2112及第一卡勾2113較易插入第一插槽101、第二插槽102及第一梯形凹槽110,以及使第二散熱片22的第三插接部2211、第四插接部2212及第三卡勾2213較易插入第三插槽103、第四插槽104及第二梯形凹槽120。也就是說,第一散熱片21與第二散熱片22能夠較為容易地組裝於導光件1。藉由上述組裝方式,能取代現有技術中所採用的雙面膠帶,進而降低材料及人工成本,且第一散熱片21及第二散熱片22與導光件1之間組裝後亦具有足夠的結合強度而不會輕易分解脫落。
以上所公開的內容僅為本發明的優選可行實施例,並非因此侷限本發明的申請專利範圍,所以凡是運用本發明說明書及圖式內容所做的等 效技術變化,均包含於本發明的申請專利範圍內。
D:拉鏈頭組合結構
1:導光件
21:第一散熱片
3:記憶體元件

Claims (8)

  1. 一種記憶體裝置,其包括:一導光件;一第一散熱片與一第二散熱片,可分離的樞接於所述導光件,所述第一散熱片與所述第二散熱片各自以導光件為軸而轉動,所述第一散熱片與所述第二散熱片呈斜向對稱;以及一記憶體元件,設置於所述第一散熱片與所述第二散熱片之間,並卡設於所述導光件。
  2. 如請求項1所述的記憶體裝置,其中,所述導光件包括一基部、一第一肋部及一第二肋部,所述基部具有一壁面,所述第一肋部與所述第二肋部連接於所述壁面並且平行設置,所述第一肋部與所述第二肋部之間形成一卡槽,所述記憶體元件卡設於所述卡槽;其中,所述壁面於相鄰所述第一肋部的位置設有一第一插槽與一第二插槽,所述第一肋部於所述第一插槽與所述第二插槽之間設有一第一梯形凹槽;其中,所述壁面於相鄰所述第二肋部的位置設有一第三插槽與一第四插槽,所述第二肋部於所述第三插槽與所述第四插槽之間設有一第二梯形凹槽。
  3. 如請求項2所述的記憶體裝置,其中,所述第一插槽、所述第二插槽、所述第三插槽及所述第四插槽的槽口由所述基部內往所述基部外漸寬。
  4. 如請求項2所述的記憶體裝置,其中,所述第一梯形凹槽與所述第二梯形凹槽分別包括兩個斜切面,其中一所述斜切面由第一肋部的表面往所述第一梯形凹槽的底部向下傾斜,另一所述斜切面由所述第二肋部的表面往所述第二梯形凹槽的 底部向下傾斜。
  5. 如請求項2所述的記憶體裝置,其中,所述第一插槽的長度不等於所述第二插槽的長度,所述第三插槽的長度不等於所述第四插槽的長度。
  6. 如請求項2所述的記憶體裝置,其中,所述導光件還包括兩個第一壩部與兩個第二壩部,兩個所述第一壩部分別設於所述第一肋部的兩端,並且連接於所述壁面與所述第一肋部之間,所述第一肋部於相鄰兩個所述第一壩部的位置分別設有兩個第一凹孔,兩個所述第二壩部分別設於所述第二肋部的兩端,並且連接於所述壁面與所述第二肋部之間,所述第二肋部於相鄰兩個所述第二壩部的位置分別設有兩個第二凹孔。
  7. 如請求項1所述的記憶體裝置,其中,所述第一散熱片具有一第一長邊與分別連接於所述第一長邊兩側的兩個第一短邊,所述第一長邊設有一第一插接部、一第二插接部及一第一卡勾,所述第一卡勾設於所述第一插接部與所述第二插接部之間,兩個所述第一短邊分別設有兩個第二卡勾,所述第一插接部與所述第二插接部分別插設於所述第一插槽與所述第二插槽,所述第一卡勾卡設於所述第一梯形凹槽,兩個所述第二卡勾分別卡設於兩個所述第一凹孔。
  8. 如請求項7所述的記憶體裝置,其中,所述第二散熱片具有一第二長邊與分別連接於所述第二長邊兩側的兩個第二短邊,所述第二長邊設有一第三插接部、一第四插接部及一第三卡勾,所述第三卡勾設於所述第三插接部與所述第四插接部之 間,兩個所述第二短邊分別設有兩個第四卡勾,所述第三插接部與所述第四插接部分別插設於所述第三插槽與所述第四插槽,所述第三卡勾卡設於所述第二梯形凹槽,兩個所述第四卡勾分別卡設於兩個所述第二凹孔。
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWM544753U (zh) * 2016-10-07 2017-07-01 芝奇國際實業股份有限公司 記憶體裝置
TWM575606U (zh) * 2018-11-09 2019-03-11 鴻騰電子股份有限公司 Heat sink
US20190377118A1 (en) * 2018-06-08 2019-12-12 G. Skill International Enterprise Co., Ltd. Light guide element and electronic device having the same

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWM544753U (zh) * 2016-10-07 2017-07-01 芝奇國際實業股份有限公司 記憶體裝置
US20190377118A1 (en) * 2018-06-08 2019-12-12 G. Skill International Enterprise Co., Ltd. Light guide element and electronic device having the same
TWM575606U (zh) * 2018-11-09 2019-03-11 鴻騰電子股份有限公司 Heat sink

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