TWI538551B - 發光結構 - Google Patents

Description

發光結構

本發明係有關於一種發光結構，尤指一種用於提升不同色溫的多個發光二極體之間的混光效果的發光結構。

關於發光二極體(LED)與傳統光源的比較，發光二極體具有體積小、省電、發光效率佳、壽命長、操作反應速度快、且無熱輻射與水銀等有毒物質的污染等優點。因此近幾年來，發光二極體的應用面已愈來愈廣泛。然而，習知技術仍然無法提升不同色溫的多個發光二極體之間的混光效果。

本發明實施例在於提供一種的發光結構，其可用於提升不同色溫的多個發光二極體之間的混光效果。

本發明其中一實施例所提供的一種發光結構，其包括：一基板及一發光單元。所述基板具有至少一呈蜿蜒狀的第一導電軌跡及至少一呈蜿蜒狀的第二導電軌跡，其中至少一所述第一導電軌跡具有多個第一晶片置放區域，每一個所述第一晶片置放區域具有至少兩個第一晶片置放線路，至少一所述第二導電軌跡具有多個第二晶片置放區域，每一個所述第二晶片置放區域具有至少兩個第二晶片置放線路。所述發光單元包括多個第一發光群組及多個第二發光群組，其中每一個所述第一發光群組包括一或多個第一發光二極體晶片，每一個所述第二發光群組包括一或多個第二發光二極體晶片。其中，每一個所述第一發光群組的一或多個所述第一發光二極體晶片設置在相對應的所述第一晶片置放區域的 同一個所述第一晶片置放線路上，且每一個所述第二發光群組的一或多個所述第二發光二極體晶片設置在相對應的所述第二晶片置放區域的同一個所述第二晶片置放線路上。其中，多個所述第一晶片置放區域及多個所述第二晶片置放區域相互交替間隔排列，使得多個所述第一發光群組及多個所述第二發光群組相互交替間隔排列。

本發明的有益效果可以在於，本發明實施例所提供的發光結構，其可透過“每一個所述第一發光群組的一或多個所述第一發光二極體晶片設置在相對應的所述第一晶片置放區域的同一個所述第一晶片置放線路上，且每一個所述第二發光群組的一或多個所述第二發光二極體晶片設置在相對應的所述第二晶片置放區域的同一個所述第二晶片置放線路上”及“多個所述第一晶片置放區域及多個所述第二晶片置放區域相互交替間隔排列，使得多個所述第一發光群組及多個所述第二發光群組相互交替間隔排列”的設計，以提升不同色溫的多個第一發光群組及多個第二發光群組之間的混光效果。

為使能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與附圖，然而所附圖式僅提供參考與說明用，並非用來對本發明加以限制者。

1‧‧‧基板

11‧‧‧第一導電軌跡

110‧‧‧第一晶片置放區域

1100‧‧‧第一晶片置放線路

11000‧‧‧偏移路徑

11000’‧‧‧增寬線路段

12‧‧‧第二導電軌跡

120‧‧‧第二晶片置放區域

1200‧‧‧第二晶片置放線路

P1‧‧‧第一正電極焊墊

N1‧‧‧第一負電極焊墊

P2‧‧‧第二正電極焊墊

N2‧‧‧第二負電極焊墊

V1‧‧‧第一導通孔

V2‧‧‧第二導通孔

C1‧‧‧背面第一導電線路

C2‧‧‧背面第二導電線路

13‧‧‧容置槽

14‧‧‧吸光塗層

15‧‧‧空氣層

15’‧‧‧高熱阻材料層

1A‧‧‧導熱結構單元

11A‧‧‧第一散熱結構

12A‧‧‧第二散熱結構

1B‧‧‧均熱結構單元

10B‧‧‧導熱通道

100B‧‧‧穿孔

101B‧‧‧導熱材料

1AB‧‧‧複合式散熱結構層

2‧‧‧發光單元

G1‧‧‧第一發光群組

21‧‧‧第一LED元件

210、210’、210”‧‧‧第一發光二極體晶片

210P‧‧‧正極焊墊

210N‧‧‧負極焊墊

G2‧‧‧第一發光群組

22‧‧‧第二LED元件

220、220’、220”‧‧‧第二發光二極體晶片

220P‧‧‧正極焊墊

220N‧‧‧負極焊墊

d‧‧‧排列間距

3‧‧‧電子零件

4‧‧‧邊框膠體

40‧‧‧外框部

41‧‧‧連接部

400‧‧‧限位空間

401‧‧‧第一限位空間

402‧‧‧第二限位空間

5‧‧‧封裝膠體

51‧‧‧第一螢光膠

52‧‧‧第二螢光膠

T‧‧‧正圓軌跡

X、Y、Z‧‧‧散熱區域

A、B、C‧‧‧間距

D1、D2、D3‧‧‧體積密度

S1、S2、S3‧‧‧尺寸

W1、W1’‧‧‧第一預定方向

W2、W2’‧‧‧第二預定方向

圖1為本發明第一實施例的發光結構的上視示意圖。

圖2為本發明第一實施例的發光結構使用空氣層作為熱阻結構的部分側視剖面示意圖。

圖3為本發明第一實施例的發光結構使用高熱阻材料層作為熱阻結構的部分側視剖面示意圖。

圖4為本發明第一實施例的多個第一、二發光二極體晶片呈現近圓形佈局排列的上視示意圖。

圖5為本發明第一實施例的多個第一、二發光二極體晶片呈現正 圓形佈局排列的上視示意圖。

圖6為本發明第一實施例將第一發光二極體晶片偏移到正圓軌跡上的另外一種方式的示意圖。

圖7為本發明第一實施例的第一、二晶片置放線路呈現直立狀設計且多個第一、二發光二極體晶片呈現近圓形佈局排列的上視示意圖。

圖8為本發明第一實施例搭配兩組以上各別獨立的發光結構的上視示意圖。

圖9為本發明第一實施例搭配兩組以上彼此並聯的發光結構的上視示意圖。

圖10為本發明第二實施例的發光結構的側視剖面示意圖。

圖11為本發明第三實施例的發光結構的側視剖面示意圖。

圖12為本發明第四實施例的發光結構的側視剖面示意圖。

圖13為本發明第五實施例的發光結構的側視剖面示意圖。

圖14為本發明第六實施例的發光結構的側視剖面示意圖。

圖15為本發明第七實施例的發光結構的側視剖面示意圖。

圖16為本發明第八實施例的發光結構的側視剖面示意圖。

圖17為本發明第九實施例採用邊框膠體的上視示意圖。

圖18為本發明第九實施例的發光結構的上視示意圖。

圖19為本發明第十實施例採用邊框膠體的上視示意圖。

圖20為本發明第十實施例的發光結構的上視示意圖。

〔第一實施例〕

請參閱圖1及圖2所示，本發明第一實施例提供一種發光結構，其包括：一基板1及一發光單元2。

首先，如圖1所示，基板1的上表面具有至少一呈蜿蜒狀的第一導電軌跡11及至少一呈蜿蜒狀的第二導電軌跡12。其中，至少一第一導電軌跡11具有多個第一晶片置放區域110，至少一第 二導電軌跡12具有多個第二晶片置放區域120，且多個第一晶片置放區域110及多個第二晶片置放區域120以相互交替的方式間隔排列。另外，每一個第一晶片置放區域110具有至少兩個彼此鄰近且串聯的第一晶片置放線路1100，且每一個第二晶片置放區域120具有至少兩個彼此鄰近且串聯的第二晶片置放線路1200。 舉例來說，如同圖1所示，第一導電軌跡11及第二導電軌跡12的蜿蜒狀會類似由多個S形串聯所組成。呈蜿蜒狀的第一導電軌跡11及呈蜿蜒狀的第二導電軌跡12會以像兩手的手指互插但不接觸的方式相互緊靠，使得第一導電軌跡11及第二導電軌跡12會呈現彼此互相交錯的線路設計。另外，多個第一晶片置放線路1100及多個第二晶片置放線路1200可以採用彼此平行的方式來佈局，但本發明不以此為限。

更進一步來說，如圖1所示，第一導電軌跡11的兩相反末端可分別連接至第一正電極焊墊P1及第一負電極焊墊N1，且第二導電軌跡12的兩相反末端可分別連接至第二正電極焊墊P2及第二負電極焊墊N2。舉例來說，第一正電極焊墊P1及第二正電極焊墊P2可以彼此相鄰且靠近基板1在同一對角線上的其中一對角處，且第一負電極焊墊N1及第二負電極焊墊N2可以彼此相鄰且靠近基板1在同一對角線上的另外一對角處，所以“第一導電軌跡11從第一正電極焊墊P1延伸至第一負電極焊墊N1的蜿蜒軌跡的橫向寬度”及“第二導電軌跡12從第二正電極焊墊P2延伸至第二負電極焊墊N2的蜿蜒軌跡的橫向寬度”都會沿著基板1的同一對角線來形成“從窄漸漸變寬，再從寬漸漸變窄”的變化，藉此以提升第一導電軌跡11及第二導電軌跡12的佈線面積。

再者，配合圖1及圖2所示，發光單元2包括多個第一發光群組G1及多個第一發光群組G2，其中第一發光群組G1及第一發光群組G2具有相異的色溫，每一個第一發光群組G1包括一或多個第一發光二極體晶片210，且每一個第一發光群組G2包括一或 多個第二發光二極體晶片220。更進一步來說，如圖1所示，每一個第一發光二極體晶片210的正極焊墊210P及每一個第二發光二極體晶片220的正極焊墊220P都會相對於基板1以朝向同一第一預定方向W1的方式設置，每一個第一發光二極體晶片210的負極焊墊210N及每一個第二發光二極體晶片220的負極焊墊220N都會相對於基板1以朝向同一第二預定方向W2的方式設置，且第一預定方向W1及第二預定方向W2可為兩相反方向。藉此，以單顆晶片來看，每一個第一發光二極體晶片210的正、負極焊墊(210P、210N)相對於基板1的設置方位(aspect)與每一個第二發光二極體晶片220的正、負極焊墊(220P、220N)相對於基板1的設置方位會完全相同，所以第一發光二極體晶片210及第二發光二極體晶片220在置晶過程中不需要進行正極(+)與負極(-)的轉向，以提升生產效率。

更進一步來說，為了達成上述“每一個第一發光二極體晶片210的正、負極焊墊(210P、210N)相對於基板1的設置方位與每一個第二發光二極體晶片220的正、負極焊墊(220P、220N)相對於基板1的設置方位會完全相同”的設計，每一個第一發光群組G1的一或多個第一發光二極體晶片210只能被放置在相對應的第一晶片置放區域110的其中一個第一晶片置放線路1100上，且每一個第一發光群組G2的一或多個第二發光二極體晶片220只能夠被放置在相對應的第二晶片置放區域120的其中一個第二晶片置放線路1200上。舉例來說，如圖1所示，為了讓每一個第一發光二極體晶片210的正極焊墊210P都能朝向第一預定方向W1的方式設置，每一個第一發光群組G1的一或多個第一發光二極體晶片210只能被放置在兩個相鄰的第一晶片置放線路1100之中“最靠近第一正電極焊墊P1”的那一排上。同樣的設計原理，為了讓每一個第二發光二極體晶片220的正極焊墊220P都能朝向第一預定方向W1的方式設置，每一個第一發光群組G2的一或多個第二發 光二極體晶片220只能被放置在兩個相鄰的第二晶片置放線路1200之中“最遠離第二正電極焊墊P2”的那一排上。

藉此，如圖1所示，為了達成上述“第一發光二極體晶片210及第二發光二極體晶片220在置晶過程中不需要進行正極與負極轉向”的設計，每一個第一發光群組G1的一或多個第一發光二極體晶片210可設置在相對應的第一晶片置放區域110的同一個第一晶片置放線路1100上，以形成同一排在置晶過程中不需要進行正負極轉向的多個第一發光二極體晶片210，且每一個第一發光群組G2的一或多個第二發光二極體晶片220可設置在相對應的第二晶片置放區域120的同一個第二晶片置放線路1200上，以形成同一排在置晶過程中不需要進行正負極轉向的多個第二發光二極體晶片220。另外，由於多個第一晶片置放區域110及多個第二晶片置放區域120呈現相互交替間隔排列，所以使得多個第一發光群組G1及多個第一發光群組G2也是會以相互交替的方式間隔排列，可提升不同色溫發光群組的混光效果。

舉例來說，如圖1所示，多個第一發光二極體晶片210及多個第二發光二極體晶片220可以交替間隔排列成一矩陣狀，所以不管是沿著橫向或縱向來看，多個第一發光二極體晶片210及多個第二發光二極體晶片220都是呈現交替間隔排列。另外，其上置放有第一發光二極體晶片210的多個第一晶片置放線路1100及其上置放有第二發光二極體晶片220的多個第二晶片置放線路1200可以彼此平行且具有相同的排列間距d，所以使得每兩個相鄰的第一發光群組G1及第一發光群組G2可以彼此平行且具有相同的排列間距d，因此發光單元2的多個第一發光群組G1及多個第一發光群組G2所產生的不同色溫的光源能夠得到較佳的混光效果。例如，第一發光群組G1可為提供第一色溫的LED元件，第一發光群組G2可為提供第二色溫的LED元件。能夠產生兩種不同色溫的兩組LED元件可為相同波長範圍的LED晶片搭配兩組 不同的螢光膠，其中第一色溫為具有相對較低的色溫，其對應於暖白、紅色、黃色或相對近似的一色彩，而第二色溫則具有相對較高的色溫，其對應於冷白、藍色、綠色或相對近似的一色彩。

更進一步來說，如圖1所示，由於第一導電軌跡11及第二導電軌跡12都沿著基板1的對角線來進行延伸且使得蜿蜒軌跡的橫向寬度呈現“從窄漸漸變寬，再從寬漸漸變窄”的變化，所以每一個第一發光群組G1的多個第一發光二極體晶片210的數量及每一個第一發光群組G2的多個第二發光二極體晶片220的數量會從發光單元2的中間往兩相反側依序遞減或從發光單元2的兩相反側往中間依序遞增。

舉例來說，如圖1所示，多個第一發光二極體晶片210及多個第二發光二極體晶片220的數量從發光單元2的兩相反對角處往中間依序遞增的公式分別為2n-1及2n，其中n為第一發光群組G1及第一發光群組G2從1開始依序排列的序號。因此，多個第一發光二極體晶片210從發光單元2的兩相反對角處往中間依序遞增的數量會呈現(2×1-1=1,2×2-1=3,2×3-1=5)的變化，且多個第二發光二極體晶片220從發光單元2的兩相反對角處往中間依序遞增的數量會呈現(2×1=2,2×2=4)的變化。藉此，兩相鄰的第一發光群組G1的多個第一發光二極體晶片210的數量會相差2顆，兩相鄰的第一發光群組G2的多個第二發光二極體晶片220的數量會相差2顆，且兩相鄰的第一發光群組G1及第一發光群組G2的發光二極體晶片(210,220)的數量會相差1顆。

此外，配合圖1至圖3所示，基板1上表面具有一用於容置一電子零件3的容置槽13，容置槽13的內表面具有一吸光塗層14，且基板1的內部具有一設置在電子零件3及發光單元2之間的熱阻結構。舉例來說，基板1為多層結構的陶瓷板，其可由Al₂O₃、黏著片、FR4、金屬層及遮罩層所組成，或是由AlN、金屬層及矽膠層所組成，其上可依序置放發光晶片及圍繞發光晶片 的膠框，最後再以螢光膠來覆蓋發光晶片，而構成發光單元2。再者，電子零件3可為光學感測器，且吸光塗層14可為用來降低反光的黑色塗層，可提升光學感測器的感光效果。另外，熱阻結構可為空氣層15(如圖2所示)或比基板1的熱阻還高的高熱阻材料層15’(如圖3所示)，減少發光單元2所產生的熱會傳導至電子零件31。此外，關於電子零件3及熱阻結構的置放位置，舉例來說，如圖1所示，當電子零件3設置於鄰近基板1的其中一轉角處時，熱阻結構(15、15’)可以傾斜設置在發光單元2與電子零件3之間。

另外一種可能性置放位置為，當電子零件3設置於鄰近基板1的其中一縱向(或橫向)側邊時，熱阻結構可以垂直(或水平)的方式設置在發光單元2與電子零件3之間。更進一步的說，基板1上的熱阻結構與後續的導熱結構單元可同時生成，也就是說，於基板1背面形成多個預定位置凹槽或貫穿孔，該些位置即相對於熱阻結構與導熱結構單元的位置，其貫穿深度預定為相同，而後，熱阻結構的凹槽或貫穿孔可選擇不填(及空氣)或填入高熱阻材料，導熱結構單元的凹槽或貫穿孔可選擇性填入相同或不同的高導熱材料。也就是說，基板、熱阻結構及導熱結構單元三者的導熱率k1、k2及k3的關係可為k3>k1>k2。本實施態樣係基於基板結構強度考量，採用凹槽設計。

更進一步來說，配合圖2及圖3所示，基板1還更進一步包括一內嵌在基板1內的導熱結構單元1A，且導熱結構單元1A包括多個分別設置在多個第一發光二極體晶片210的下方的第一散熱結構11A及多個分別設置在多個第二發光二極體晶片220的下方的第二散熱結構12A。舉例來說，第一發光二極體晶片210及第二發光二極體晶片220經過封裝(例如使用相同或相異的螢光膠來封裝)後而分別形成一第一LED元件21及一第二LED元件22。 當第一LED元件21所產生的色溫低於第二LED元件22所產生的色溫時，第一散熱結構11A及第二散熱結構12A可以採用下列兩 種設計，以平衡第一LED元件21及第二LED元件22的散熱效能。 首先，第一種是，當第一散熱結構11A及第二散熱結構12A都使用具有相同散熱能力的材質的情況下，第一散熱結構11A的整體尺寸(或體積)要大於第二散熱結構12A的整體尺寸(或體積)。另外，第二種是，當第一散熱結構11A及第二散熱結構12A的各別尺寸都相同的情況下，第一散熱結構11A所使用的材質的散熱能力要大於第二散熱結構12A所使用的材質的散熱能力。然而，本發明不以此為限。此外，不同色溫之第一LED元件21與第二LED元件22會導致不同的接面溫度，故，第一散熱結構11A的單位熱通量Q1與第二散熱結構12A的單位熱通量Q2的比值可以設計為大約Q1：Q2=1：0.86~0.95。在此最佳比值條件下，本實施例可縮小第一LED元件21及第二LED元件22之間的接面溫度差(溫差)。 若以第一LED元件21所發出的光為暖色溫2700K，第二LED元件22所發出的光為冷色溫5700K為例，第一散熱結構11A的單位熱通量Q1與第二散熱結構12A的單位熱通量Q2的最佳比值為1：0.92。

請參閱圖4所示，以發光二極體晶片(210、220)排列成6×6的矩陣來作為例子，其中多個第一發光二極體晶片210的總數量會等同於多個第二發光二極體晶片220的總數量。當靠近基板1的四個轉角處的多個發光二極體晶片(如圖4以假想線所標示的210、220)被移除後，多個第一發光二極體晶片210及多個第二發光二極體晶片220就可以呈現“近圓形(或類圓形)”的佈局排列。更進一步來說，多個第一發光二極體晶片210中有4個位於最外圈(以標號210’來特別標示)，多個第二發光二極體晶片220中也有4個位於最外圈(以標號220’來特別標示)，不管是採用4個位於最外圈的第一發光二極體晶片210’或4個位於最外圈的第二發光二極體晶片220’來作為基點(如圖4中所顯示的黑點)，都能畫出一個如圖4以假想線所呈現的正圓軌跡T。最佳的設計狀 態是，採用4個位於最外圈的第一發光二極體晶片210’來作為基點所畫出的正圓軌跡T與採用4個位於最外圈的第二發光二極體晶片220’來作為基點所畫出的正圓軌跡T會大致重疊在一起或完全重疊在一起以形成單一個正圓軌跡T。

請參閱圖5所示，為了讓靠近正圓軌跡T的第一發光二極體晶片(以標號210”來特別標示)能夠直接座落在正圓軌跡T上，本發明提供其中一種方式：在佈局第一晶片置放線路1100時，會在第一晶片置放線路1100上特別設計一段直接經過正圓軌跡T的偏移路徑11000。因此，當第一發光二極體晶片210”從原先的位置朝向圖5的箭頭所示的方向偏移至偏移路徑11000與正圓軌跡T的交會處時，第一發光二極體晶片210”就會直接座落在正圓軌跡T上。再者，為了讓靠近正圓軌跡T的第二發光二極體晶片(以標號220”來特別標示)能夠直接座落在正圓軌跡T上，在不需更改第二晶片置放線路1200的原先佈局情況下，只要將最外側的第二發光二極體晶片220”沿著第二晶片置放線路1200並朝向圖5的箭頭所示的方向偏移至正圓軌跡T上，第二發光二極體晶片220”就會直接座落在正圓軌跡T上。藉此，由於靠近正圓軌跡T的第一發光二極體晶片210”及第二發光二極體晶片220”都能通過偏移設計而直接座落在正圓軌跡T上，所以多個第一發光二極體晶片210及多個第二發光二極體晶片220就可以呈現“正圓形”的佈局排列。

請參閱圖6所示，為了讓靠近正圓軌跡T的第一發光二極體晶片(以標號210”來特別標示)能夠直接座落在正圓軌跡T上，本發明提供另外一種方式：在佈局第一晶片置放線路1100時，會在第一晶片置放線路1100上特別設計一段可含蓋到正圓軌跡T的增寬線路段11000’，所以靠近正圓軌跡T的第一發光二極體晶片210”就可直接在增寬線路段11000’上進行偏移，而不需要改變第一晶片置放線路1100原先所設計的路徑。因此，當第一發光二極 體晶片210”從原先的位置朝向圖6的箭頭所示的方向偏移至正圓軌跡T上時，第一發光二極體晶片210”就會座落在正圓軌跡T上。

請參閱圖7所示，第一晶片置放線路1100及第二晶片置放線路1200亦可從圖4的“傾斜狀設計”更換為“直立狀設計”，此種直立狀設計亦可使得多個第一發光二極體晶片210及多個第二發光二極體晶片220可以呈現“近圓形(或類圓形)”的佈局排列。當然，通過如圖5或圖6所揭示的發光二極體晶片偏移設計，一樣可以使得多個第一發光二極體晶片210及多個第二發光二極體晶片220可以呈現“正圓形”的佈局排列。

也就是說，當呈現“正圓形”的佈局排列時，多個第一發光二極體晶片210及多個第二發光二極體晶片220的總數量為相同，兩相鄰的第一發光群組G1及第二發光群組G2的發光二極體晶片(210,220)的數量會相差1顆。故當第一發光群組G1的多個第一發光二極體晶片210的數量為N，第二發光群組G2的多個第二發光二極體晶片220的數量為N+1，則第一發光群組G1的數量為N+1，第二發光群組G2的數量為N，故各個晶片總數量則為N(N+1)。

此外，由於第一LED元件21所產生的色溫低於第二LED元件22所產生的色溫時，並且第一LED元件21所產生的熱會高第二LED元件22，所以基於整體散熱能力考量，暖色溫的第一發光群組G1，可採分布於基板外圍排列設計(兩側為第一發光群組G1)可避免其受到熱聚集效應，導致出光效率衰退。因此，如圖7所示，由左至右的發光群組的色溫為冷暖冷暖冷暖冷暖冷，發光二極體晶片的顆數設計為3、4、3、4、3、4、3。

請參閱圖8所示，本發明在共用同一基板1的條件下，亦可搭配兩組以上各別獨立的發光結構，且每一個發光結構具有各別獨立的第一、二正電極焊墊(P1、P2)及第一、二負電極焊墊(N1、N2)。通過此種搭配兩組以上各別獨立的發光結構，多個第一發光 二極體晶片210及多個第二發光二極體晶片220除了可以呈現如圖7一樣的“矩陣”的佈局排列之外，亦可通過如圖4一樣的設計，以呈現“近圓形(或類圓形)”的佈局排列。當然，也可通過如圖5或圖6一樣的設計，以呈現“正圓形”的佈局排列。

值得一提的是，當圖9所揭示的兩組以上各別獨立的發光結構進行並聯後，兩組以上的發光結構就可以共用同一組的第一、二正電極焊墊(P1、P2)及第一、二負電極焊墊(N1、N2)。舉例來說，如圖9所示，假設圖9的左邊與右邊分別是第一、二組發光結構，第一、二組發光結構的第一晶片置放線路1100可以共用同一組的第一正電極焊墊P1及第一負電極焊墊N1。其中，第一組發光結構的第一晶片置放線路1100是直接在基板1的上表面連接到第一正電極焊墊P1，第二組發光結構的第一晶片置放線路1100則是間接通過第一導通孔V1(via hole)並配合設置於基板1的背面的背面第一導電線路C1以連接到第一正電極焊墊P1，且第一、二組發光結構的第一晶片置放線路1100是直接在基板1的上表面同時連接到第一負電極焊墊N1。另外，第一、二組發光結構的第二晶片置放線路1200是直接在基板1的上表面同時連接到第二正電極焊墊P2，第一組發光結構的第二晶片置放線路1200是間接通過第二導通孔V2(via hole)並配合設置於基板1的背面的背面第二導電線路C2以連接到第二負電極焊墊N2，且第二組發光結構的第二晶片置放線路1200是直接在基板1的上表面連接到第二負電極焊墊N2。換言之，第一組發光結構中的第一導電軌跡1100的其中一末端及第二導電軌跡1200的其中一末端分別直接電性連接於第一正電極焊墊P1及第二正電極焊墊P2，且第二組發光結構中的第一導電軌跡1100的其中一末端及第二導電軌跡1200的其中一末端分別直接電性連接於第一負電極焊墊N1及第二負電極焊墊N2。第二組發光結構中的第一導電軌跡1100的另外一末端依序通過第一導通孔V1及背面第一導電線路C1以間接電性連接 於第一正電極焊墊P1，且第二組發光結構中的第二導電軌跡1200的另外一末端直接電性連接於第二正電極焊墊P2。第一組發光結構中的第一導電軌跡1100的另外一末端直接電性連接於第一負電極焊墊N1，且第一組發光結構中的第二導電軌跡1200的另外一末端依序通過第二導通孔V2及背面第二導電線路C2以間接電性連接於第二負電極焊墊N2。

此外，不論第一晶片置放線路1100及第二晶片置放線路1200為“傾斜狀設計”或“直立狀設計”，多個第一晶片置放線路1100及多個第二晶片置放線路1200較佳為彼此平行的方式來佈局。且多個第一發光二極體晶片210與多個第二發光二極體晶片220在形成同一排在置晶過程中不需要進行正負極轉向，也就是說，每一個第一發光二極體晶片210的正極焊墊210P及每一個第二發光二極體晶片220的正極焊墊220P都會相對於基板1以朝向同一第一預定方向W1’的方式設置，且每一個第一發光二極體晶片210的負極焊墊210N及每一個第二發光二極體晶片220的負極焊墊220N都會相對於基板1以朝向同一第二預定方向W2’的方式設置。

〔第二實施例〕

請參閱圖10所示，本發明第二實施例提供一種發光結構。由圖10與圖2(或圖3)的比較可知，本發明第二與第一實施例最大的差別在於：在第二實施例中，多個第一散熱結構11A及多個第二散熱結構12A的尺寸都會從基板1的中心往圓周的方向漸漸縮小，藉此以縮小“位於基板1的中間區域上方的多個第一、二LED元件(21、22)”及“位於基板1的圍繞區域(亦即圍繞中間區域的環繞區域)上方的多個第一、二LED元件(21、22)之間的接面溫差。更進一步來說，從基板1的中心往圓周的方向來看，多個第一散熱結構11A的尺寸會從所述基板的中心往圓周的方向依序遞減10%(亦即相鄰的兩個第一散熱結構11A的尺寸會相差10%)， 且多個第二散熱結構12A的尺寸也會從所述基板的中心往圓周的方向依序遞減10%(亦即相鄰的兩個第二散熱結構12A的尺寸會相差10%)。另外，第二散熱結構12A的散熱能力可大約為相鄰第一散熱結構11A的0.86-0.95倍。

〔第三實施例〕

請參閱圖11所示，本發明第三實施例提供一種發光結構。由圖11與圖2(或圖3)的比較可知，本發明第三與第一實施例最大的差別在於：在第三實施例中，基板1的底端更進一步包括一緊連導熱結構單元1A的均熱結構單元1B，其中均熱結構單元1B的內部包括多個尺寸相同且彼此分離的導熱通道10B，且每兩個相鄰的導熱通道10B之間的間距(A、B、C)會從均熱結構單元1B的中心往圓周的方向漸漸增加。藉此，多個導熱通道10B會從“均熱結構單元1B的中心往圓周”的方向或從“均熱結構單元1B的圓周往中心”的方向依序排列，以形成一漸進式導熱結構。一般而言，越靠近中央溫度越高，若以溫差五度為分界，從圖11的發光結構所呈現的側視剖面上定義出三個散熱區域(X、Y、Z)，此三個散熱區域(X、Y、Z)所涵蓋的橫向距離分別從散熱區域X往散熱區域Z的方向漸漸減少，例如三個散熱區域(X、Y、Z)的距離比例可為X：Y：Z=5：4：3。當多個導熱通道10B的尺寸都相同的情況下，每兩個相鄰的導熱通道10B之間的間距(A、B、C)會從均熱結構單元1B的中心往圓周的方向漸漸增加(例如A：B：C=3：4：5)，故可藉此縮小“位於均熱結構單元1B的中間區域上方的多個第一、二LED元件(21、22)”及“位於均熱結構單元1B的圍繞區域上方的多個第一、二LED元件(21、22)之間的溫差。

此外，每一個導熱通道10B可為一由穿孔100B與一完全填滿穿孔100B的導熱材料101B(例如具有高導熱能力的金屬材料)所構成的實心導熱柱體，且多個導熱通道10B可以完全貫穿均熱結構單元1B，然而本發明不以此為限。例如，導熱材料101B亦可 不需完全填滿相對應的穿孔100B，且多個導熱通道10B也可以不需要完全貫穿均熱結構單元1B。

〔第四實施例〕

請參閱圖12所示，本發明第四實施例提供一種發光結構。由圖12與圖11的比較可知，本發明第四與第三實施例最大的差別在於：在第四實施例中，均熱結構單元1B被導熱通道10B所佔據的體積密度(D1、D2、D3)會從均熱結構單元1B的中心往圓周的方向漸漸減少。

舉例來說，假設以溫差五度為分界，從圖12的發光結構所呈現的側視剖面上定義出三個散熱區域(X、Y、Z)，此三個散熱區域(X、Y、Z)所涵蓋的橫向距離分別從散熱區域X往散熱區域Z的方向漸漸減少，例如三個散熱區域(X、Y、Z)的距離比例可為X：Y：Z=5：4：3。當多個導熱通道10B的尺寸都相同的情況下，均熱結構單元1B被導熱通道10B所佔據的體積密度(D1、D2、D3)會從散熱區域X往散熱區域Z的方向漸漸減少(例如D1：D2：D3=6.5：2：1(個))，，藉此可縮小“位於均熱結構單元1B的中間區域上方的多個第一、二LED元件(21、22)”及“位於均熱結構單元1B的圍繞區域上方的多個第一、二LED元件(21、22)之間的溫差。

〔第五實施例〕

請參閱圖13所示，本發明第五實施例提供一種發光結構。由圖13與圖11的比較可知，本發明第五與第三實施例最大的差別在於：在第五實施例中，均熱結構單元1B的內部包括多個彼此分離的導熱通道10B，且多個導熱通道10B的尺寸(S1、S2、S3)會從均熱結構單元1B的中心往圓周的方向漸漸減少。

舉例來說，假設以溫差五度為分界，從圖13的發光結構所呈現的側視剖面上定義出三個散熱區域(X、Y、Z)，此三個散熱區域(X、Y、Z)所涵蓋的橫向距離分別從散熱區域X往散熱區域Z的 方向漸漸減少，例如三個散熱區域(X、Y、Z)的距離比例可為X：Y：Z=5：4：3。第五實施例可使用多個不同尺寸的導熱通道10B，且多個導熱通道10B的尺寸(S1、S2、S3)會從散熱區域X往散熱區域Z的方向漸漸減少(例如S1：S2：S3=5：4：3)，所以“位於均熱結構單元1B的中間區域上方的多個第一、二LED元件(21、22)的散熱效果當然會比“位於均熱結構單元1B的圍繞區域上方的多個第一、二LED元件的散(21、22)熱效果來的好，藉此方式以縮小“位於均熱結構單元1B的中間區域上方的多個第一、二LED元件(21、22)”及“位於均熱結構單元1B的圍繞區域上方的多個第一、二LED元件(21、22)之間的溫差。

〔第六實施例〕

請參閱圖14所示，本發明第六實施例提供一種發光結構。由圖14與圖11的比較可知，本發明第七與第三實施例最大的差別在於：在第六實施例中，將第三實施例中的導熱結構單元1A及均熱結構單元1B結合成一複合式散熱結構層1AB。更進一步來說，位於複合式散熱結構層1AB內的每一個第一散熱結構11A的圓周旁都設置有多個尺寸相同且彼此分離的導熱通道10B，且每兩個相鄰的導熱通道10B之間的間距(A、B、C)會從相對應的第一散熱結構11A的中心往圓周的方向漸漸增加。相同的原理，位於複合式散熱結構層1AB內的每一個第二散熱結構12A的圓周旁都設置有多個尺寸相同且彼此分離的導熱通道10B，且每兩個相鄰的導熱通道10B之間的間距(A、B、C)會從相對應的第二散熱結構12A的中心往圓周的方向漸漸增加。藉此方式，本實施例也可縮小具有不同色溫的第一、二LED元件(21、22)之間的溫差。

〔第七實施例〕

請參閱圖15所示，本發明第七實施例提供一種發光結構。由圖15與圖12的比較可知，本發明第八與第四實施例最大的差別在於：在第七實施例中，將第四實施例中的導熱結構單元1A及均 熱結構單元1B結合成一複合式散熱結構層1AB。更進一步來說，位於複合式散熱結構層1AB內的每一個第一散熱結構11A的圓周旁都設置有多個尺寸相同且彼此分離的導熱通道10B，且多個導熱通道10B所佔據的體積密度(D1、D2、D3)會從相對應的第一散熱結構11A的中心往圓周的方向漸漸減少。相同的原理，位於複合式散熱結構層1AB內的每一個第二散熱結構12A的圓周旁都設置有多個尺寸相同且彼此分離的導熱通道10B，且多個導熱通道10B所佔據的體積密度(D1、D2、D3)會從相對應的第二散熱結構12A的中心往圓周的方向漸漸減少。藉此方式，本實施例也可縮小具有不同色溫的第一、二LED元件(21、22)之間的溫差。

〔第八實施例〕

請參閱圖16所示，本發明第八實施例提供一種發光結構。由圖16與圖13的比較可知，本發明第九與第五實施例最大的差別在於：在第八實施例中，將第五實施例中的導熱結構單元1A及均熱結構單元1B結合成一複合式散熱結構層1AB。更進一步來說，位於複合式散熱結構層1AB內的每一個第一散熱結構11A的圓周旁設置有多個彼此分離的導熱通道10B，且多個導熱通道10B的尺寸(S1、S2、S3)會從相對應的第一散熱結構11A的中心往圓周的方向漸漸減少。相同的原理，位於複合式散熱結構層1AB內的每一個第二散熱結構12A的圓周旁設置有多個彼此分離的導熱通道10B，且多個導熱通道10B的尺寸(S1、S2、S3)會從相對應的第二散熱結構12A的中心往圓周的方向漸漸減少。藉此方式，本實施例也可縮小具有不同色溫的第一、二LED元件(21、22)之間的溫差。

〔第九實施例〕

請參閱圖17及圖18所示，本發明第九實施例提供一種發光結構。在製作上，先將邊框膠體4形成在具有預定線路的基板1(如電路基板)上(如圖17所示)，然後再將相異的第一螢光膠51及第 二螢光膠52分別填充在相對應的第一限位空間401及相對應的第二限位空間402內(如圖18所示)。

更進一步來說，如圖17所示，邊框膠體4包括一設置在基板1上且圍繞發光單元2的外框部40及多個設置在基板1上且被外框部40所圍繞的連接部41。每一個連接部41的兩相反末端都連接於外框部40的內表面，且每一個連接部41設置於兩相鄰的第一發光群組G1及第一發光群組G2之間，以形成多個分別用於容置多個第一發光群組G1的第一限位空間401及多個分別用於容置多個第一發光群組G2的第二限位空間402，其中多個第一限位空間401及多個第二限位空間402會呈現相互交替的間隔排列。再者，如圖18所示，封裝膠體5包括多個分別填充在多個第一限位空間401內以分別覆蓋多個第一發光群組G1的第一螢光膠51及多個分別填充在多個第二限位空間402內以分別覆蓋多個第一發光群組G2的第二螢光膠52，以使得多個第一螢光膠51及多個第二螢光膠52也會呈現相互交替的間隔排列。

在實際應用時，第一發光群組G1的多個第一發光二極體晶片210(亦即尚未進行封裝的裸晶片)所產生的光線可通過第一螢光膠51以產生一暖白光，且第一發光群組G2的多個第二發光二極體晶片220(亦即尚未進行封裝的裸晶片，本實施態樣該二裸晶片可以為相同波長範圍，其可簡化多種晶片而增加的製程步驟)所產生的光線可通過第二螢光膠52以產生一冷白光。本發明第九實施例可通過“以相互交替方式間隔排列的多個第一螢光膠51所構成的多個相對應第一發光群組G1及多個第二螢光膠52所構成的多個相對應第一發光群組G2”的設計，也可以讓不同色溫的光源達到最佳的混光效果。

〔第十實施例〕

請參閱圖19及圖20所示，本發明第十實施例提供一種發光結構。在製作上，先將邊框膠體4形成在基板1上(如圖19所示)， 然後再將具有高搖變係數(thixotropic coefficient)的第一螢光膠51分別覆蓋多個第一發光群組G1，以形成多個分別用於容置多個第一發光群組G2的限位空間400(如圖19所示)，最後再將具有一般搖變係數的第二螢光膠52分別填充在多個限位空間400內以分別覆蓋多個第一發光群組G2(如圖20所示)。

更進一步來說，配合圖19及圖20所示，邊框膠體4包括一設置在基板1上且圍繞發光單元2及封裝膠體5的外框部40。封裝膠體5包括多個分別覆蓋多個第一發光群組G1的第一螢光膠51及多個分別覆蓋多個第一發光群組G2的第二螢光膠52，以使得多個第一螢光膠51及多個第二螢光膠52也會呈現相互交替的間隔排列。在實際應用時，第一發光群組G1的多個第一發光二極體晶片210所產生的光線可通過第一螢光膠51以產生具有相對較低的第一色溫，且第一發光群組G2的多個第二發光二極體晶片220所產生的光線可通過第二螢光膠52以產生具有相對較高的第二色溫。

〔實施例的可能功效〕

綜上所述，本發明的有益效果可以在於，本發明實施例所提供的發光結構，其可透過“每一個第一發光群組G1的一或多個第一發光二極體晶片210設置在相對應的第一晶片置放區域110的同一個第一晶片置放線路1100上，且每一個第一發光群組G2的一或多個第二發光二極體晶片220設置在相對應的第二晶片置放區域120的同一個第二晶片置放線路1200上”及“多個第一晶片置放區域110及多個第二晶片置放區域120相互交替間隔排列，使得多個第一發光群組G1及多個第一發光群組G2相互交替間隔排列”的設計，以提升不同色溫的多個第一發光群組G1及多個第一發光群組G2之間的混光效果。

以上所述僅為本發明的較佳可行實施例，非因此侷限本發明的專利範圍，故舉凡運用本發明說明書及圖式內容所做的等效技 術變化，均包含於本發明的保護範圍內。

1‧‧‧基板

11‧‧‧第一導電軌跡

110‧‧‧第一晶片置放區域

1100‧‧‧第一晶片置放線路

12‧‧‧第二導電軌跡

120‧‧‧第二晶片置放區域

1200‧‧‧第二晶片置放線路

P1‧‧‧第一正電極焊墊

N1‧‧‧第一負電極焊墊

P2‧‧‧第二正電極焊墊

N2‧‧‧第二負電極焊墊

13‧‧‧容置槽

15‧‧‧空氣層

15’‧‧‧高熱阻材料層

2‧‧‧發光單元

G1‧‧‧第一發光群組

210‧‧‧第一發光二極體晶片

210P‧‧‧正極焊墊

210N‧‧‧負極焊墊

G2‧‧‧第二發光群組

220‧‧‧第二發光二極體晶片

220P‧‧‧正極焊墊

220N‧‧‧負極焊墊

d‧‧‧排列間距

W1‧‧‧第一預定方向

W2‧‧‧第二預定方向

3‧‧‧電子零件

Claims (17)

1. 一種發光結構，其包括：一基板，所述基板具有至少一呈蜿蜒狀的第一導電軌跡及至少一呈蜿蜒狀的第二導電軌跡，其中至少一所述第一導電軌跡具有多個第一晶片置放區域，每一個所述第一晶片置放區域具有至少兩個第一晶片置放線路，至少一所述第二導電軌跡具有多個第二晶片置放區域，每一個所述第二晶片置放區域具有至少兩個第二晶片置放線路；以及一發光單元，所述發光單元包括多個第一發光群組及多個第二發光群組，其中每一個所述第一發光群組包括一或多個第一發光二極體晶片，每一個所述第二發光群組包括一或多個第二發光二極體晶片；其中，每一個所述第一發光群組的一或多個所述第一發光二極體晶片設置在相對應的所述第一晶片置放區域的同一個所述第一晶片置放線路上，且每一個所述第二發光群組的一或多個所述第二發光二極體晶片設置在相對應的所述第二晶片置放區域的同一個所述第二晶片置放線路上；其中，多個所述第一晶片置放區域及多個所述第二晶片置放區域相互交替間隔排列，使得多個所述第一發光群組及多個所述第二發光群組相互交替間隔排列。
2. 如請求項1之發光結構，其中其上置放有所述第一發光二極體晶片的多個所述第一晶片置放線路及其上置放有所述第二發光二極體晶片的多個所述第二晶片置放線路彼此平行，使得每兩個相鄰的所述第一發光群組及所述第二發光群組彼此平行且具有相同的排列間距，且多個所述第一發光二極體晶片及多個所述第二發光二極體晶片交替間隔排列成一矩陣狀。
3. 如請求項1之發光結構，其中每一個所述第一發光二極體晶片 的正極焊墊及每一個所述第二發光二極體晶片的正極焊墊都相對於所述基板以朝向同一第一預定方向的方式設置，每一個所述第一發光二極體晶片的負極焊墊及每一個所述第二發光二極體晶片的負極焊墊都相對於所述基板以朝向同一第二預定方向的方式設置，使得每一個所述第一發光二極體晶片的所述正、負極焊墊相對於所述基板的設置方位與每一個所述第二發光二極體晶片的所述正、負極焊墊相對於所述基板的設置方位相同。
4. 如請求項1之發光結構，其中所述基板的上表面具有一用於容置一光學感測器的容置槽，所述容置槽的內表面具有一吸光塗層。
5. 如請求項1之發光結構，其中所述基板還更進一步包括多個分別設置在多個所述第一發光二極體晶片的下方的第一散熱結構及多個分別設置在多個所述第二發光二極體晶片的下方的第二散熱結構，所述第一發光二極體晶片經過封裝後而形成的一第一LED元件所產生的色溫低於所述第二發光二極體晶片經過封裝後而形成的一第二LED元件所產生的色溫。
6. 如請求項5之發光結構，其中當所述第一散熱結構及所述第二散熱結構都使用具有相同散熱能力的材質時，所述第一散熱結構的尺寸大於所述第二散熱結構，其中當所述第一散熱結構及所述第二散熱結構的尺寸相同時，所述第一散熱結構所使用的材質的散熱能力大於所述第二散熱結構所使用的材質的散熱能力。
7. 如請求項5之發光結構，其中多個所述第一散熱結構及多個所述第二散熱結構的尺寸都從所述基板的中心往圓周的方向漸漸縮小。
8. 如請求項7之發光結構，其中多個所述第一散熱結構的尺寸從所述基板的中心往圓周的方向依序遞減比例與多個所述第二 散熱結構的尺寸從所述基板的中心往圓周的方向依序遞減比例大致相同。
9. 如請求項5之發光結構，其中所述基板還更進一步包括一具有多個所述第一、二散熱結構的導熱結構單元及一位於所述導熱結構單元的底端的均熱結構單元。
10. 如請求項6至9中的任一項之發光結構，其中所述第一散熱結構與所述第二散熱結構的單位熱通量的比值為1：0.86~0.95。
11. 如請求項1之發光結構，其中所述基板的上表面具有一用於容置一電子零件的容置槽，所述基板的內部還更進一步包括一具有多個位於多個所述第一、二發光二極體晶片的下方的導熱結構單元與一設置在所述電子零件及所述發光單元之間的熱阻結構，其中所述基板、所述熱阻結構及所述導熱結構單元的導熱率分別為k1、k2及k3，三者的關係為k3>k1>k2。
12. 如請求項9之發光結構，其中所述均熱結構單元的內部包括多個彼此分離的導熱通道，且多個所述導熱通道採用(1)、(2)及(3)三者其中之一，其中所述(1)是：多個所述導熱通道的尺寸都相同，且每兩個相鄰的所述導熱通道之間的間距從所述導熱結構單元的中心往圓周的方向漸漸增加；所述(2)是：多個所述導熱通道的尺寸都相同，且所述均熱結構單元被所述導熱通道所佔據的體積密度從所述導熱結構單元的中心往圓周的方向漸漸減少；所述(3)是：多個所述導熱通道的尺寸從所述導熱結構單元的中心往圓周的方向漸漸減少。
13. 如請求項6之發光結構，其中每一個所述第一及所述第二散熱結構的圓周旁都設置有多個彼此分離的導熱通道，且多個所述導熱通道採用(1)、(2)及(3)三者其中之一，其中所述(1)是：每一個所述第一及所述第二散熱結構的多個導熱通道的尺寸都相同，且每兩個所述導熱通道之間的間距從相對應的所述第一或所述第二散熱結構的中心往圓周的方向漸漸增加；所述(2) 是：每一個所述第一及所述第二散熱結構的多個導熱通道的尺寸都相同，且多個所述導熱通道所佔據的體積密度從相對應的所述第一或所述第二散熱結構的中心往圓周的方向漸漸減少；所述(3)是多個所述導熱通道的尺寸從相對應的所述第一或所述第二散熱結構的中心往圓周的方向漸漸減少。
14. 如請求項1之發光結構，還更進一步包括：一邊框膠體及一封裝膠體，其中所述邊框膠體包括一設置在所述基板上且圍繞所述發光單元的外框部及多個設置在所述基板上且被所述外框部所圍繞的連接部，每一個所述連接部的兩相反末端都連接於所述外框部的內表面，且每一個所述連接部設置於兩相鄰的所述第一發光群組及所述第二發光群組之間，以形成多個分別用於容置多個所述第一發光群組的第一限位空間及多個分別用於容置多個所述第二發光群組的第二限位空間，其中所述封裝膠體包括多個分別填充在多個所述第一限位空間內以分別覆蓋多個所述第一發光群組的第一螢光膠及多個分別填充在多個所述第二限位空間內以分別覆蓋多個所述第二發光群組的第二螢光膠，且多個所述第一螢光膠及多個所述第二螢光膠相互交替間隔排列。
15. 如請求項1之發光結構，還更進一步包括：一邊框膠體及一封裝膠體，其中所述邊框膠體包括一設置在所述基板上且圍繞所述發光單元及所述封裝膠體的外框部，且所述封裝膠體包括多個分別覆蓋多個所述第一發光群組的第一螢光膠及多個分別覆蓋多個所述第二發光群組的第二螢光膠，其中多個所述第一螢光膠及多個所述第二螢光膠相互交替間隔排列，且所述第一螢光膠及所述第二螢光膠具有不同的搖變係數。
16. 如請求項1之發光結構，其中多個所述第一發光二極體晶片及多個所述第二發光二極體晶片呈現近圓形或全圓形的佈局排列，且採用至少4個位於最外圈的所述第一發光二極體晶片所 畫出的正圓軌跡與採用至少4個位於最外圈的所述第二發光二極體晶片所畫出的正圓軌跡會大致重疊在一起或完全重疊在一起以形成單一個正圓軌跡。
17. 如請求項1之發光結構，其中所述基板具有另外一呈蜿蜒狀的第一導電軌跡、另外一呈蜿蜒狀的第二導電軌跡、一貫穿所述基板的第一導通孔、一貫穿所述基板的第二導通孔、一設置在所述基板的背面的背面第一導電線路、及一設置在所述基板的背面的背面第二導電線路，至少一所述第一導電軌跡的其中一末端及至少一所述第二導電軌跡的其中一末端分別直接電性連接於一第一正電極焊墊及一第二正電極焊墊，且另外一所述第一導電軌跡的其中一末端及另外一所述第二導電軌跡的其中一末端分別直接電性連接於一第一負電極焊墊及一第二負電極焊墊，其中另外一所述第一導電軌跡的另外一末端依序通過所述第一導通孔及所述背面第一導電線路以間接電性連接於所述第一正電極焊墊，另外一所述第二導電軌跡的另外一末端直接電性連接於所述第二正電極焊墊，至少一所述第一導電軌跡的另外一末端直接電性連接於所述第一負電極焊墊，且至少一所述第二導電軌跡的另外一末端依序通過所述第二導通孔及所述背面第二導電線路以間接電性連接於所述第二負電極焊墊。