CN104952863B - 发光结构 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种发光结构包括基板及发光单元。基板具有呈蜿蜒状的第一、二导电轨迹。第一导电轨迹的每一个第一芯片置放区域具有至少两个第一芯片置放线路。第二导电轨迹的每一个第二芯片置放区域具有至少两个第二芯片置放线路。发光单元包括多个第一、二发光群组。每一个第一发光群组的一或多个第一发光二极管芯片设置在相对应的第一芯片置放区域的同一个第一芯片置放线路上，且每一个第二发光群组的一或多个第二发光二极管芯片设置在相对应的第二芯片置放区域的同一个第二芯片置放线路上。多个第一、二芯片置放区域相互交替间隔排列，使得多个第一、二发光群组相互交替间隔排列。

Description

发光结构

技术领域

本发明有关于一种发光结构，尤指一种用于提升不同色温的多个发光二极管之间的混光效果的发光结构。

背景技术

关于发光二极管(LED)与传统光源的比较，发光二极管具有体积小、省电、发光效率佳、寿命长、操作反应速度快、且无热辐射与水银等有毒物质的污染等优点。因此近几年来，发光二极管的应用面已愈来愈广泛。然而，现有技术仍然无法提升不同色温的多个发光二极管之间的混光效果。

发明内容

本发明实施例在于提供一种的发光结构，其可用于提升不同色温的多个发光二极管之间的混光效果。

本发明其中一实施例所提供的一种发光结构，其包括：一基板及一发光单元。所述基板具有至少一呈蜿蜒状的第一导电轨迹及至少一呈蜿蜒状的第二导电轨迹，其中至少一所述第一导电轨迹具有多个第一芯片置放区域，每一个所述第一芯片置放区域具有至少两个第一芯片置放线路，至少一所述第二导电轨迹具有多个第二芯片置放区域，每一个所述第二芯片置放区域具有至少两个第二芯片置放线路。所述发光单元包括多个第一发光群组及多个第二发光群组，其中每一个所述第一发光群组包括一或多个第一发光二极管芯片，每一个所述第二发光群组包括一或多个第二发光二极管芯片。其中，每一个所述第一发光群组的一或多个所述第一发光二极管芯片设置在相对应的所述第一芯片置放区域的同一个所述第一芯片置放线路上，且每一个所述第二发光群组的一或多个所述第二发光二极管芯片设置在相对应的所述第二芯片置放区域的同一个所述第二芯片置放线路上。其中，多个所述第一芯片置放区域及多个所述第二芯片置放区域相互交替间隔排列，使得多个所述第一发光群组及多个所述第二发光群组相互交替间隔排列。

本发明的有益效果可以在于，本发明实施例所提供的发光结构，其可通过“每一个所述第一发光群组的一或多个所述第一发光二极管芯片设置在相对应的所述第一芯片置放区域的同一个所述第一芯片置放线路上，且每一个所述第二发光群组的一或多个所述第二发光二极管芯片设置在相对应的所述第二芯片置放区域的同一个所述第二芯片置放线路上”及“多个所述第一芯片置放区域及多个所述第二芯片置放区域相互交替间隔排列，使得多个所述第一发光群组及多个所述第二发光群组相互交替间隔排列”的设计，以提升不同色温的多个第一发光群组及多个第二发光群组之间的混光效果。

为使能更进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而所附图式仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制者。

附图说明

图1为本发明第一实施例的发光结构的上视示意图。

图2为本发明第一实施例的发光结构使用空气层作为热阻结构的部分侧视剖面示意图。

图3为本发明第一实施例的发光结构使用高热阻材料层作为热阻结构的部分侧视剖面示意图。

图4为本发明第一实施例的多个第一、二发光二极管芯片呈现近圆形布局排列的上视示意图。

图5为本发明第一实施例的多个第一、二发光二极管芯片呈现正圆形布局排列的上视示意图。

图6为本发明第一实施例将第一发光二极管芯片偏移到正圆轨迹上的另外一种方式的示意图。

图7为本发明第一实施例的第一、二芯片置放线路呈现直立状设计且多个第一、二发光二极管芯片呈现近圆形布局排列的上视示意图。

图8为本发明第一实施例搭配两组以上各别独立的发光结构的上视示意图。

图9为本发明第一实施例搭配两组以上彼此并联的发光结构的上视示意图。

图10为本发明第二实施例的发光结构的侧视剖面示意图。

图11为本发明第三实施例的发光结构的侧视剖面示意图。

图12为本发明第四实施例的发光结构的侧视剖面示意图。

图13为本发明第五实施例的发光结构的侧视剖面示意图。

图14为本发明第六实施例的发光结构的侧视剖面示意图。

图15为本发明第七实施例的发光结构的侧视剖面示意图。

图16为本发明第八实施例的发光结构的侧视剖面示意图。

图17为本发明第九实施例采用边框胶体的上视示意图。

图18为本发明第九实施例的发光结构的上视示意图。

图19为本发明第十实施例采用边框胶体的上视示意图。

图20为本发明第十实施例的发光结构的上视示意图。

其中，附图标记说明如下：

基板 1 第一导电轨迹 11

第一芯片置放区域 110

第一芯片置放线路 1100

偏移路径 11000

增宽线路段 11000’

第二导电轨迹 12

第二芯片置放区域 120

第二芯片置放线路 1200

第一正电极焊垫 P1

第一负电极焊垫 N1

第二正电极焊垫 P2

第二负电极焊垫 N2

第一导通孔 V1

第二导通孔 V2

背面第一导电线路 C1

背面第二导电线路 C2

容置槽 13

吸光涂层 14

空气层 15

高热阻材料层 15’

导热结构单元 1A

第一散热结构 11A

第二散热结构 12A

均热结构单元 1B

导热通道 10B

穿孔 100B

导热材料 101B

复合式散热结构层 1AB

发光单元 2 第一发光群组 G1

第一LED元件 21

第一发光二极管芯片 210、210’、210’’

正极焊垫 210P

负极焊垫 210N

第一发光群组 G2

第二LED元件 22

第二发光二极管芯片 220、220’、220’’

正极焊垫 220P

负极焊垫 220N

排列间距 d

电子零件 3

边框胶体 4 外框部 40

连接部 41

限位空间 400

第一限位空间 401

第二限位空间 402

封装胶体 5 第一荧光胶 51

第二荧光胶 52

正圆轨迹 T

散热区域 X、Y、Z

间距 A、B、C

体积密度 D1、D2、D3

尺寸 S1、S2、S3

第一预定方向 W1、W1’

第二预定方向 W2、W2’

具体实施方式

〔第一实施例〕

请参阅图1及图2所示，本发明第一实施例提供一种发光结构，其包括：一基板1及一发光单元2。

首先，如图1所示，基板1的上表面具有至少一呈蜿蜒状的第一导电轨迹11及至少一呈蜿蜒状的第二导电轨迹12。其中，至少一第一导电轨迹11具有多个第一芯片置放区域110，至少一第二导电轨迹12具有多个第二芯片置放区域120，且多个第一芯片置放区域110及多个第二芯片置放区域120以相互交替的方式间隔排列。另外，每一个第一芯片置放区域110具有至少两个彼此邻近且串联的第一芯片置放线路1100，且每一个第二芯片置放区域120具有至少两个彼此邻近且串联的第二芯片置放线路1200。举例来说，如同图1所示，第一导电轨迹11及第二导电轨迹12的蜿蜒状会类似由多个S形串联所组成。呈蜿蜒状的第一导电轨迹11及呈蜿蜒状的第二导电轨迹12会以像两手的手指互插但不接触的方式相互紧靠，使得第一导电轨迹11及第二导电轨迹12会呈现彼此互相交错的线路设计。另外，多个第一芯片置放线路1100及多个第二芯片置放线路1200可以采用彼此平行的方式来布局，但本发明不以此为限。

更进一步来说，如图1所示，第一导电轨迹11的两相反末端可分别连接至第一正电极焊垫P1及第一负电极焊垫N1，且第二导电轨迹12的两相反末端可分别连接至第二正电极焊垫P2及第二负电极焊垫N2。举例来说，第一正电极焊垫P1及第二正电极焊垫P2可以彼此相邻且靠近基板1在同一对角线上的其中一对角处，且第一负电极焊垫N1及第二负电极焊垫N2可以彼此相邻且靠近基板1在同一对角线上的另外一对角处，所以“第一导电轨迹11从第一正电极焊垫P1延伸至第一负电极焊垫N1的蜿蜒轨迹的横向宽度”及“第二导电轨迹12从第二正电极焊垫P2延伸至第二负电极焊垫N2的蜿蜒轨迹的横向宽度”都会沿着基板1的同一对角线来形成“从窄渐渐变宽，再从宽渐渐变窄”的变化，藉此以提升第一导电轨迹11及第二导电轨迹12的布线面积。

再者，配合图1及图2所示，发光单元2包括多个第一发光群组G1及多个第一发光群组G2，其中第一发光群组G1及第一发光群组G2具有相异的色温，每一个第一发光群组G1包括一或多个第一发光二极管芯片210，且每一个第一发光群组G2包括一或多个第二发光二极管芯片220。更进一步来说，如图1所示，每一个第一发光二极管芯片210的正极焊垫210P及每一个第二发光二极管芯片220的正极焊垫220P都会相对于基板1以朝向同一第一预定方向W1的方式设置，每一个第一发光二极管芯片210的负极焊垫210N及每一个第二发光二极管芯片220的负极焊垫220N都会相对于基板1以朝向同一第二预定方向W2的方式设置，且第一预定方向W1及第二预定方向W2可为两相反方向。藉此，以单颗芯片来看，每一个第一发光二极管芯片210的正、负极焊垫(210P、210N)相对于基板1的设置方位(aspect)与每一个第二发光二极管芯片220的正、负极焊垫(220P、220N)相对于基板1的设置方位会完全相同，所以第一发光二极管芯片210及第二发光二极管芯片220在置晶过程中不需要进行正极(＋)与负极(－)的转向，以提升生产效率。

更进一步来说，为了达成上述“每一个第一发光二极管芯片210的正、负极焊垫(210P、210N)相对于基板1的设置方位与每一个第二发光二极管芯片220的正、负极焊垫(220P、220N)相对于基板1的设置方位会完全相同”的设计，每一个第一发光群组G1的一或多个第一发光二极管芯片210只能被放置在相对应的第一芯片置放区域110的其中一个第一芯片置放线路1100上，且每一个第一发光群组G2的一或多个第二发光二极管芯片220只能够被放置在相对应的第二芯片置放区域120的其中一个第二芯片置放线路1200上。举例来说，如图1所示，为了让每一个第一发光二极管芯片210的正极焊垫210P都能朝向第一预定方向W1的方式设置，每一个第一发光群组G1的一或多个第一发光二极管芯片210只能被放置在两个相邻的第一芯片置放线路1100之中“最靠近第一正电极焊垫P1”的那一排上。同样的设计原理，为了让每一个第二发光二极管芯片220的正极焊垫220P都能朝向第一预定方向W1的方式设置，每一个第一发光群组G2的一或多个第二发光二极管芯片220只能被放置在两个相邻的第二芯片置放线路1200之中“最远离第二正电极焊垫P2”的那一排上。

藉此，如图1所示，为了达成上述“第一发光二极管芯片210及第二发光二极管芯片220在置晶过程中不需要进行正极与负极转向”的设计，每一个第一发光群组G1的一或多个第一发光二极管芯片210可设置在相对应的第一芯片置放区域110的同一个第一芯片置放线路1100上，以形成同一排在置晶过程中不需要进行正负极转向的多个第一发光二极管芯片210，且每一个第一发光群组G2的一或多个第二发光二极管芯片220可设置在相对应的第二芯片置放区域120的同一个第二芯片置放线路1200上，以形成同一排在置晶过程中不需要进行正负极转向的多个第二发光二极管芯片220。另外，由于多个第一芯片置放区域110及多个第二芯片置放区域120呈现相互交替间隔排列，所以使得多个第一发光群组G1及多个第一发光群组G2也是会以相互交替的方式间隔排列，可提升不同色温发光群组的混光效果。

举例来说，如图1所示，多个第一发光二极管芯片210及多个第二发光二极管芯片220可以交替间隔排列成一矩阵状，所以不管是沿着横向或纵向来看，多个第一发光二极管芯片210及多个第二发光二极管芯片220都是呈现交替间隔排列。另外，其上置放有第一发光二极管芯片210的多个第一芯片置放线路1100及其上置放有第二发光二极管芯片220的多个第二芯片置放线路1200可以彼此平行且具有相同的排列间距d，所以使得每两个相邻的第一发光群组G1及第一发光群组G2可以彼此平行且具有相同的排列间距d，因此发光单元2的多个第一发光群组G1及多个第一发光群组G2所产生的不同色温的光源能够得到较佳的混光效果。例如，第一发光群组G1可为提供第一色温的LED元件，第一发光群组G2可为提供第二色温的LED元件。能够产生两种不同色温的两组LED元件可为相同波长范围的LED芯片搭配两组不同的荧光胶，其中第一色温为具有相对较低的色温，其对应于暖白、红色、黄色或相对近似的一色彩，而第二色温则具有相对较高的色温，其对应于冷白、蓝色、绿色或相对近似的一色彩。

更进一步来说，如图1所示，由于第一导电轨迹11及第二导电轨迹12都沿着基板1的对角线来进行延伸且使得蜿蜒轨迹的横向宽度呈现“从窄渐渐变宽，再从宽渐渐变窄”的变化，所以每一个第一发光群组G1的多个第一发光二极管芯片210的数量及每一个第一发光群组G2的多个第二发光二极管芯片220的数量会从发光单元2的中间往两相反侧依序递减或从发光单元2的两相反侧往中间依序递增。

举例来说，如图1所示，多个第一发光二极管芯片210及多个第二发光二极管芯片220的数量从发光单元2的两相反对角处往中间依序递增的公式分别为2n-1及2n，其中n为第一发光群组G1及第一发光群组G2从1开始依序排列的序号。因此，多个第一发光二极管芯片210从发光单元2的两相反对角处往中间依序递增的数量会呈现(2×1-1=1,2×2-1=3,2×3-1=5)的变化，且多个第二发光二极管芯片220从发光单元2的两相反对角处往中间依序递增的数量会呈现(2×1=2,2×2=4)的变化。藉此，两相邻的第一发光群组G1的多个第一发光二极管芯片210的数量会相差2颗，两相邻的第一发光群组G2的多个第二发光二极管芯片220的数量会相差2颗，且两相邻的第一发光群组G1及第一发光群组G2的发光二极管芯片(210,220)的数量会相差1颗。

此外，配合图1至图3所示，基板1上表面具有一用于容置一电子零件3的容置槽13，容置槽13的内表面具有一吸光涂层14，且基板1的内部具有一设置在电子零件3及发光单元2之间的热阻结构。举例来说，基板1为多层结构的陶瓷板，其可由Al2O3、粘着片、FR4、金属层及遮罩层所组成，或是由AlN、金属层及硅胶层所组成，其上可依序置放发光芯片及围绕发光芯片的胶框，最后再以荧光胶来覆盖发光芯片，而构成发光单元2。再者，电子零件3可为光学感测器，且吸光涂层14可为用来降低反光的黑色涂层，可提升光学感测器的感光效果。另外，热阻结构可为空气层15(如图2所示)或比基板1的热阻还高的高热阻材料层15’(如图3所示)，减少发光单元2所产生的热会传导至电子零件31。此外，关于电子零件3及热阻结构的置放位置，举例来说，如图1所示，当电子零件3设置于邻近基板1的其中一转角处时，热阻结构(15、15’)可以倾斜设置在发光单元2与电子零件3之间。另外一种可能性置放位置为，当电子零件3设置于邻近基板1的其中一纵向(或横向)侧边时，热阻结构可以垂直(或水平)的方式设置在发光单元2与电子零件3之间。更进一步的说，基板1上的热阻结构与后续的导热结构单元可同时生成，也就是说，于基板1背面形成多个预定位置凹槽或贯穿孔，该些位置即相对于热阻结构与导热结构单元的位置，其贯穿深度预定为相同，而后，热阻结构的凹槽或贯穿孔可选择不填(及空气)或填入高热阻材料，导热结构单元的凹槽或贯穿孔可选择性填入相同或不同的高导热材料。也就是说，基板、热阻结构及导热结构单元三者的导热率k1、k2及k3的关系可为k3>k1>k2。本实施方式基于基板结构强度考量，采用凹槽设计。

更进一步来说，配合图2及图3所示，基板1还更进一步包括一内嵌在基板1内的导热结构单元1A，且导热结构单元1A包括多个分别设置在多个第一发光二极管芯片210的下方的第一散热结构11A及多个分别设置在多个第二发光二极管芯片220的下方的第二散热结构12A。举例来说，第一发光二极管芯片210及第二发光二极管芯片220经过封装(例如使用相同或相异的荧光胶来封装)后而分别形成一第一LED元件21及一第二LED元件22。当第一LED元件21所产生的色温低于第二LED元件22所产生的色温时，第一散热结构11A及第二散热结构12A可以采用下列两种设计，以平衡第一LED元件21及第二LED元件22的散热效能。首先，第一种是，当第一散热结构11A及第二散热结构12A都使用具有相同散热能力的材质的情况下，第一散热结构11A的整体尺寸(或体积)要大于第二散热结构12A的整体尺寸(或体积)。另外，第二种是，当第一散热结构11A及第二散热结构12A的各别尺寸都相同的情况下，第一散热结构11A所使用的材质的散热能力要大于第二散热结构12A所使用的材质的散热能力。然而，本发明不以此为限。此外，不同色温的第一LED元件21与第二LED元件22会导致不同的接面温度，故，第一散热结构11A的单位热通量Q1与第二散热结构12A的单位热通量Q2的比值可以设计为大约Q1:Q2=1:0.86～0.95。在此最佳比值条件下，本实施例可缩小第一LED元件21及第二LED元件22之间的接面温度差(温差)。若以第一LED元件21所发出的光为暖色温2700K，第二LED元件22所发出的光为冷色温5700K为例，第一散热结构11A的单位热通量Q1与第二散热结构12A的单位热通量Q2的最佳比值为1:0.92。

请参阅图4所示，以发光二极管芯片(210、220)排列成6×6的矩阵来作为例子，其中多个第一发光二极管芯片210的总数量会等同于多个第二发光二极管芯片220的总数量。当靠近基板1的四个转角处的多个发光二极管芯片（如图4以假想线所标示的210、220）被移除后，多个第一发光二极管芯片210及多个第二发光二极管芯片220就可以呈现“近圆形(或类圆形)”的布局排列。更进一步来说，多个第一发光二极管芯片210中有4个位于最外圈（以标号210’来特别标示），多个第二发光二极管芯片220中也有4个位于最外圈（以标号220’来特别标示），不管是采用4个位于最外圈的第一发光二极管芯片210’或4个位于最外圈的第二发光二极管芯片220’来作为基点（如图4中所显示的黑点），都能画出一个如图4以假想线所呈现的正圆轨迹T。最佳的设计状态是，采用4个位于最外圈的第一发光二极管芯片210’来作为基点所画出的正圆轨迹T与采用4个位于最外圈的第二发光二极管芯片220’来作为基点所画出的正圆轨迹T会大致重叠在一起或完全重叠在一起以形成单一个正圆轨迹T。

请参阅图5所示，为了让靠近正圆轨迹T的第一发光二极管芯片（以标号210’’来特别标示）能够直接座落在正圆轨迹T上，本发明提供其中一种方式：在布局第一芯片置放线路1100时，会在第一芯片置放线路1100上特别设计一段直接经过正圆轨迹T的偏移路径11000。因此，当第一发光二极管芯片210’’从原先的位置朝向图5的箭头所示的方向偏移至偏移路径11000与正圆轨迹T的交会处时，第一发光二极管芯片210’’就会直接座落在正圆轨迹T上。再者，为了让靠近正圆轨迹T的第二发光二极管芯片（以标号220’’来特别标示）能够直接座落在正圆轨迹T上，在不需更改第二芯片置放线路1200的原先布局情况下，只要将最外侧的第二发光二极管芯片220’’沿着第二芯片置放线路1200并朝向图5的箭头所示的方向偏移至正圆轨迹T上，第二发光二极管芯片220’’就会直接座落在正圆轨迹T上。藉此，由于靠近正圆轨迹T的第一发光二极管芯片210’’及第二发光二极管芯片220’’都能通过偏移设计而直接座落在正圆轨迹T上，所以多个第一发光二极管芯片210及多个第二发光二极管芯片220就可以呈现“正圆形”的布局排列。

请参阅图6所示，为了让靠近正圆轨迹T的第一发光二极管芯片（以标号210’’来特别标示）能够直接座落在正圆轨迹T上，本发明提供另外一种方式：在布局第一芯片置放线路1100时，会在第一芯片置放线路1100上特别设计一段可含盖到正圆轨迹T的增宽线路段11000’，所以靠近正圆轨迹T的第一发光二极管芯片210’’就可直接在增宽线路段11000’上进行偏移，而不需要改变第一芯片置放线路1100原先所设计的路径。因此，当第一发光二极管芯片210’’从原先的位置朝向图6的箭头所示的方向偏移至正圆轨迹T上时，第一发光二极管芯片210’’就会座落在正圆轨迹T上。

请参阅图7所示，第一芯片置放线路1100及第二芯片置放线路1200亦可从图4的“倾斜状设计”更换为“直立状设计”，此种直立状设计亦可使得多个第一发光二极管芯片210及多个第二发光二极管芯片220可以呈现“近圆形(或类圆形)”的布局排列。当然，通过如图5或图6所揭示的发光二极管芯片偏移设计，一样可以使得多个第一发光二极管芯片210及多个第二发光二极管芯片220可以呈现“正圆形”的布局排列。

也就是说，当呈现“正圆形”的布局排列时，多个第一发光二极管芯片210及多个第二发光二极管芯片220的总数量为相同，两相邻的第一发光群组G1及第二发光群组G2的发光二极管芯片(210,220)的数量会相差1颗。故当第一发光群组G1的多个第一发光二极管芯片210的数量为N,第二发光群组G2的多个第二发光二极管芯片220的数量为N+1,则第一发光群组G1的数量为N+1，第二发光群组G2的数量为N，故各个芯片总数量则为N(N+1)。

此外，由于第一LED元件21所产生的色温低于第二LED元件22所产生的色温时，并且第一LED元件21所产生的热会高第二LED元件22，所以基于整体散热能力考量，暖色温的第一发光群组G1，可采分布于基板外围排列设计(两侧为第一发光群组G1)可避免其受到热聚集效应，导致出光效率衰退。因此，如图7所示，由左至右的发光群组的色温为冷暖冷暖冷暖冷暖冷，发光二极管芯片的颗数设计为3、4、3、4、3、4、3。

请参阅图8所示，本发明在共用同一基板1的条件下，亦可搭配两组以上各别独立的发光结构，且每一个发光结构具有各别独立的第一、二正电极焊垫(P1、P2)及第一、二负电极焊垫(N1、N2)。通过此种搭配两组以上各别独立的发光结构，多个第一发光二极管芯片210及多个第二发光二极管芯片220除了可以呈现如图7一样的“矩阵”的布局排列之外，亦可通过如图4一样的设计，以呈现“近圆形(或类圆形)”的布局排列。当然，也可通过如图5或图6一样的设计，以呈现“正圆形”的布局排列。

值得一提的是，当图9所揭示的两组以上各别独立的发光结构进行并联后，两组以上的发光结构就可以共用同一组的第一、二正电极焊垫(P1、P2)及第一、二负电极焊垫(N1、N2)。举例来说，如图9所示，假设图9的左边与右边分别是第一、二组发光结构，第一、二组发光结构的第一芯片置放线路1100可以共用同一组的第一正电极焊垫P1及第一负电极焊垫N1。其中，第一组发光结构的第一芯片置放线路1100是直接在基板1的上表面连接到第一正电极焊垫P1，第二组发光结构的第一芯片置放线路1100则是间接通过第一导通孔V1(viahole)并配合设置于基板1的背面的背面第一导电线路C1以连接到第一正电极焊垫P1，且第一、二组发光结构的第一芯片置放线路1100是直接在基板1的上表面同时连接到第一负电极焊垫N1。另外，第一、二组发光结构的第二芯片置放线路1200是直接在基板1的上表面同时连接到第二正电极焊垫P2，第一组发光结构的第二芯片置放线路1200是间接通过第二导通孔V2(via hole)并配合设置于基板1的背面的背面第二导电线路C2以连接到第二负电极焊垫N2，且第二组发光结构的第二芯片置放线路1200是直接在基板1的上表面连接到第二负电极焊垫N2。换言之，第一组发光结构中的第一导电轨迹1100的其中一末端及第二导电轨迹1200的其中一末端分别直接电性连接于第一正电极焊垫P1及第二正电极焊垫P2，且第二组发光结构中的第一导电轨迹1100的其中一末端及第二导电轨迹1200的其中一末端分别直接电性连接于第一负电极焊垫N1及第二负电极焊垫N2。第二组发光结构中的第一导电轨迹1100的另外一末端依序通过第一导通孔V1及背面第一导电线路C1以间接电性连接于第一正电极焊垫P1，且第二组发光结构中的第二导电轨迹1200的另外一末端直接电性连接于第二正电极焊垫P2。第一组发光结构中的第一导电轨迹1100的另外一末端直接电性连接于第一负电极焊垫N1，且第一组发光结构中的第二导电轨迹1200的另外一末端依序通过第二导通孔V2及背面第二导电线路C2以间接电性连接于第二负电极焊垫N2。

此外，不论第一芯片置放线路1100及第二芯片置放线路1200为“倾斜状设计”或“直立状设计”，多个第一芯片置放线路1100及多个第二芯片置放线路1200较佳为彼此平行的方式来布局。且多个第一发光二极管芯片210与多个第二发光二极管芯片220在形成同一排在置晶过程中不需要进行正负极转向，也就是说，每一个第一发光二极管芯片210的正极焊垫210P及每一个第二发光二极管芯片220的正极焊垫220P都会相对于基板1以朝向同一第一预定方向W1’的方式设置，且每一个第一发光二极管芯片210的负极焊垫210N及每一个第二发光二极管芯片220的负极焊垫220N都会相对于基板1以朝向同一第二预定方向W2’的方式设置。

〔第二实施例〕

请参阅图10所示，本发明第二实施例提供一种发光结构。由图10与图2(或图3)的比较可知，本发明第二与第一实施例最大的差别在于：在第二实施例中，多个第一散热结构11A及多个第二散热结构12A的尺寸都会从基板1的中心往圆周的方向渐渐缩小，藉此以缩小“位于基板1的中间区域上方的多个第一、二LED元件(21、22)”及“位于基板1的围绕区域（亦即围绕中间区域的环绕区域）上方的多个第一、二LED元件(21、22)之间的接面温差。更进一步来说，从基板1的中心往圆周的方向来看，多个第一散热结构11A的尺寸会从所述基板的中心往圆周的方向依序递减10%（亦即相邻的两个第一散热结构11A的尺寸会相差10%），且多个第二散热结构12A的尺寸也会从所述基板的中心往圆周的方向依序递减10%（亦即相邻的两个第二散热结构12A的尺寸会相差10%）。另外，第二散热结构12A的散热能力可大约为相邻第一散热结构11A的0.86-0.95倍。

〔第三实施例〕

请参阅图11所示，本发明第三实施例提供一种发光结构。由图11与图2(或图3)的比较可知，本发明第三与第一实施例最大的差别在于：在第三实施例中，基板1的底端更进一步包括一紧连导热结构单元1A的均热结构单元1B，其中均热结构单元1B的内部包括多个尺寸相同且彼此分离的导热通道10B，且每两个相邻的导热通道10B之间的间距(A、B、C)会从均热结构单元1B的中心往圆周的方向渐渐增加。藉此，多个导热通道10B会从“均热结构单元1B的中心往圆周”的方向或从“均热结构单元1B的圆周往中心”的方向依序排列，以形成一渐进式导热结构。一般而言，越靠近中央温度越高，若以温差五度为分界，从图11的发光结构所呈现的侧视剖面上定义出三个散热区域(X、Y、Z)，此三个散热区域(X、Y、Z)所涵盖的横向距离分别从散热区域X往散热区域Z的方向渐渐减少，例如三个散热区域(X、Y、Z)的距离比例可为X:Y:Z=5:4:3。当多个导热通道10B的尺寸都相同的情况下，每两个相邻的导热通道10B之间的间距(A、B、C)会从均热结构单元1B的中心往圆周的方向渐渐增加(例如A:B:C=3:4:5)，故可藉此缩小“位于均热结构单元1B的中间区域上方的多个第一、二LED元件(21、22)”及“位于均热结构单元1B的围绕区域上方的多个第一、二LED元件(21、22)之间的温差。

此外，每一个导热通道10B可为一由穿孔100B与一完全填满穿孔100B的导热材料101B(例如具有高导热能力的金属材料)所构成的实心导热柱体，且多个导热通道10B可以完全贯穿均热结构单元1B，然而本发明不以此为限。例如，导热材料101B亦可不需完全填满相对应的穿孔100B，且多个导热通道10B也可以不需要完全贯穿均热结构单元1B。

〔第四实施例〕

请参阅图12所示，本发明第四实施例提供一种发光结构。由图12与图11的比较可知，本发明第四与第三实施例最大的差别在于：在第四实施例中，均热结构单元1B被导热通道10B所占据的体积密度(D1、D2、D3)会从均热结构单元1B的中心往圆周的方向渐渐减少。

举例来说，假设以温差五度为分界，从图12的发光结构所呈现的侧视剖面上定义出三个散热区域(X、Y、Z)，此三个散热区域(X、Y、Z)所涵盖的横向距离分别从散热区域X往散热区域Z的方向渐渐减少，例如三个散热区域(X、Y、Z)的距离比例可为X:Y:Z=5:4:3。当多个导热通道10B的尺寸都相同的情况下，均热结构单元1B被导热通道10B所占据的体积密度(D1、D2、D3)会从散热区域X往散热区域Z的方向渐渐减少(例如D1:D2:D3=6.5:2:1(个))，，藉此可缩小“位于均热结构单元1B的中间区域上方的多个第一、二LED元件(21、22)”及“位于均热结构单元1B的围绕区域上方的多个第一、二LED元件(21、22)之间的温差。

〔第五实施例〕

请参阅图13所示，本发明第五实施例提供一种发光结构。由图13与图11的比较可知，本发明第五与第三实施例最大的差别在于：在第五实施例中，均热结构单元1B的内部包括多个彼此分离的导热通道10B，且多个导热通道10B的尺寸(S1、S2、S3)会从均热结构单元1B的中心往圆周的方向渐渐减少。

举例来说，假设以温差五度为分界，从图13的发光结构所呈现的侧视剖面上定义出三个散热区域(X、Y、Z)，此三个散热区域(X、Y、Z)所涵盖的横向距离分别从散热区域X往散热区域Z的方向渐渐减少，例如三个散热区域(X、Y、Z)的距离比例可为X:Y:Z=5:4:3。第五实施例可使用多个不同尺寸的导热通道10B，且多个导热通道10B的尺寸(S1、S2、S3)会从散热区域X往散热区域Z的方向渐渐减少(例如S1:S2:S3=5:4:3)，所以“位于均热结构单元1B的中间区域上方的多个第一、二LED元件(21、22)的散热效果当然会比“位于均热结构单元1B的围绕区域上方的多个第一、二LED元件的散(21、22)热效果来的好，藉此方式以缩小“位于均热结构单元1B的中间区域上方的多个第一、二LED元件(21、22)”及“位于均热结构单元1B的围绕区域上方的多个第一、二LED元件(21、22)之间的温差。

〔第六实施例〕

请参阅图14所示，本发明第六实施例提供一种发光结构。由图14与图11的比较可知，本发明第七与第三实施例最大的差别在于：在第六实施例中，将第三实施例中的导热结构单元1A及均热结构单元1B结合成一复合式散热结构层1AB。更进一步来说，位于复合式散热结构层1AB内的每一个第一散热结构11A的圆周旁都设置有多个尺寸相同且彼此分离的导热通道10B，且每两个相邻的导热通道10B之间的间距(A、B、C)会从相对应的第一散热结构11A的中心往圆周的方向渐渐增加。相同的原理，位于复合式散热结构层1AB内的每一个第二散热结构12A的圆周旁都设置有多个尺寸相同且彼此分离的导热通道10B，且每两个相邻的导热通道10B之间的间距(A、B、C)会从相对应的第二散热结构12A的中心往圆周的方向渐渐增加。藉此方式，本实施例也可缩小具有不同色温的第一、二LED元件(21、22)之间的温差。

〔第七实施例〕

请参阅图15所示，本发明第七实施例提供一种发光结构。由图15与图12的比较可知，本发明第八与第四实施例最大的差别在于：在第七实施例中，将第四实施例中的导热结构单元1A及均热结构单元1B结合成一复合式散热结构层1AB。更进一步来说，位于复合式散热结构层1AB内的每一个第一散热结构11A的圆周旁都设置有多个尺寸相同且彼此分离的导热通道10B，且多个导热通道10B所占据的体积密度(D1、D2、D3)会从相对应的第一散热结构11A的中心往圆周的方向渐渐减少。相同的原理，位于复合式散热结构层1AB内的每一个第二散热结构12A的圆周旁都设置有多个尺寸相同且彼此分离的导热通道10B，且多个导热通道10B所占据的体积密度(D1、D2、D3)会从相对应的第二散热结构12A的中心往圆周的方向渐渐减少。藉此方式，本实施例也可缩小具有不同色温的第一、二LED元件(21、22)之间的温差。

〔第八实施例〕

请参阅图16所示，本发明第八实施例提供一种发光结构。由图16与图13的比较可知，本发明第九与第五实施例最大的差别在于：在第八实施例中，将第五实施例中的导热结构单元1A及均热结构单元1B结合成一复合式散热结构层1AB。更进一步来说，位于复合式散热结构层1AB内的每一个第一散热结构11A的圆周旁设置有多个彼此分离的导热通道10B，且多个导热通道10B的尺寸(S1、S2、S3)会从相对应的第一散热结构11A的中心往圆周的方向渐渐减少。相同的原理，位于复合式散热结构层1AB内的每一个第二散热结构12A的圆周旁设置有多个彼此分离的导热通道10B，且多个导热通道10B的尺寸(S1、S2、S3)会从相对应的第二散热结构12A的中心往圆周的方向渐渐减少。藉此方式，本实施例也可缩小具有不同色温的第一、二LED元件(21、22)之间的温差。

〔第九实施例〕

请参阅图17及图18所示，本发明第九实施例提供一种发光结构。在制作上，先将边框胶体4形成在具有预定线路的基板1(如电路基板)上(如图17所示)，然后再将相异的第一荧光胶51及第二荧光胶52分别填充在相对应的第一限位空间401及相对应的第二限位空间402内(如图18所示)。

更进一步来说，如图17所示，边框胶体4包括一设置在基板1上且围绕发光单元2的外框部40及多个设置在基板1上且被外框部40所围绕的连接部41。每一个连接部41的两相反末端都连接于外框部40的内表面，且每一个连接部41设置于两相邻的第一发光群组G1及第一发光群组G2之间，以形成多个分别用于容置多个第一发光群组G1的第一限位空间401及多个分别用于容置多个第一发光群组G2的第二限位空间402，其中多个第一限位空间401及多个第二限位空间402会呈现相互交替的间隔排列。再者，如图18所示，封装胶体5包括多个分别填充在多个第一限位空间401内以分别覆盖多个第一发光群组G1的第一荧光胶51及多个分别填充在多个第二限位空间402内以分别覆盖多个第一发光群组G2的第二荧光胶52，以使得多个第一荧光胶51及多个第二荧光胶52也会呈现相互交替的间隔排列。

在实际应用时，第一发光群组G1的多个第一发光二极管芯片210（亦即尚未进行封装的裸芯片）所产生的光线可通过第一荧光胶51以产生一暖白光，且第一发光群组G2的多个第二发光二极管芯片220（亦即尚未进行封装的裸芯片，本实施方式该二裸芯片可以为相同波长范围，其可简化多种芯片而增加的工艺步骤）所产生的光线可通过第二荧光胶52以产生一冷白光。本发明第九实施例可通过“以相互交替方式间隔排列的多个第一荧光胶51所构成的多个相对应第一发光群组G1及多个第二荧光胶52所构成的多个相对应第一发光群组G2”的设计，也可以让不同色温的光源达到最佳的混光效果。

〔第十实施例〕

请参阅图19及图20所示，本发明第十实施例提供一种发光结构。在制作上，先将边框胶体4形成在基板1上(如图19所示)，然后再将具有高摇变系数(thixotropiccoefficient)的第一荧光胶51分别覆盖多个第一发光群组G1，以形成多个分别用于容置多个第一发光群组G2的限位空间400(如图19所示)，最后再将具有一般摇变系数的第二荧光胶52分别填充在多个限位空间400内以分别覆盖多个第一发光群组G2(如图20所示)。

更进一步来说，配合图19及图20所示，边框胶体4包括一设置在基板1上且围绕发光单元2及封装胶体5的外框部40。封装胶体5包括多个分别覆盖多个第一发光群组G1的第一荧光胶51及多个分别覆盖多个第一发光群组G2的第二荧光胶52，以使得多个第一荧光胶51及多个第二荧光胶52也会呈现相互交替的间隔排列。在实际应用时，第一发光群组G1的多个第一发光二极管芯片210所产生的光线可通过第一荧光胶51以产生具有相对较低的第一色温，且第一发光群组G2的多个第二发光二极管芯片220所产生的光线可通过第二荧光胶52以产生具有相对较高的第二色温。

〔实施例的可能功效〕

综上所述，本发明的有益效果可以在于，本发明实施例所提供的发光结构，其可通过“每一个第一发光群组G1的一或多个第一发光二极管芯片210设置在相对应的第一芯片置放区域110的同一个第一芯片置放线路1100上，且每一个第一发光群组G2的一或多个第二发光二极管芯片220设置在相对应的第二芯片置放区域120的同一个第二芯片置放线路1200上”及“多个第一芯片置放区域110及多个第二芯片置放区域120相互交替间隔排列，使得多个第一发光群组G1及多个第一发光群组G2相互交替间隔排列”的设计，以提升不同色温的多个第一发光群组G1及多个第一发光群组G2之间的混光效果。

以上所述仅为本发明的较佳可行实施例，非因此局限本发明的专利范围，故举凡运用本发明说明书及图式内容所做的等效技术变化，均包含于本发明的保护范围内。

Claims (17)

1.一种发光结构，其特征在于，包括：

一基板，所述基板具有至少一由多个S形串联而呈蜿蜒状的第一导电轨迹及至少一由多个S形串联而呈蜿蜒状的第二导电轨迹，其中至少一所述第一导电轨迹具有多个第一芯片置放区域，每一个所述第一芯片置放区域具有至少两个第一芯片置放线路，至少一所述第二导电轨迹具有多个第二芯片置放区域，每一个所述第二芯片置放区域具有至少两个第二芯片置放线路；以及

一发光单元，所述发光单元包括多个第一发光群组及多个第二发光群组，其中每一个所述第一发光群组包括一或多个第一发光二极管芯片，每一个所述第二发光群组包括一或多个第二发光二极管芯片；

其中，每一个所述第一发光群组的一或多个所述第一发光二极管芯片设置在相对应的所述第一芯片置放区域的同一个所述第一芯片置放线路上，且每一个所述第二发光群组的一或多个所述第二发光二极管芯片设置在相对应的所述第二芯片置放区域的同一个所述第二芯片置放线路上；

其中，多个所述第一芯片置放区域及多个所述第二芯片置放区域相互交替间隔排列，使得多个所述第一发光群组及多个所述第二发光群组相互交替间隔排列；

其中，所述呈蜿蜒状的第一导电轨迹及所述呈蜿蜒状的第二导电轨迹是以互插但不接触的方式相互紧靠，使得所述呈蜿蜒状的第一导电轨迹及所述呈蜿蜒状的第二导电轨迹呈现彼此互相交错的线路设计；

其中，每一个所述第一芯片置放区域的至少两个所述第一芯片置放线路通过一连接线路彼此相连，至少两个所述第一芯片置放线路相互平行设置，且所述连接线路与所述第一芯片置放线路相互非平行设置；

其中，每一个所述第二芯片置放区域的至少两个所述第二芯片置放线路通过另一连接线路彼此相连，至少两个所述第二芯片置放线路相互平行设置，且另一所述连接线路与所述第二芯片置放线路相互非平行设置。

2.如权利要求1的发光结构，其中其上置放有所述第一发光二极管芯片的多个所述第一芯片置放线路及其上置放有所述第二发光二极管芯片的多个所述第二芯片置放线路彼此平行，使得每两个相邻的所述第一发光群组及所述第二发光群组彼此平行且具有相同的排列间距，且多个所述第一发光二极管芯片及多个所述第二发光二极管芯片交替间隔排列成一矩阵状。

3.如权利要求1的发光结构，其中每一个所述第一发光二极管芯片的正极焊垫及每一个所述第二发光二极管芯片的正极焊垫都相对于所述基板以朝向同一第一预定方向的方式设置，每一个所述第一发光二极管芯片的负极焊垫及每一个所述第二发光二极管芯片的负极焊垫都相对于所述基板以朝向同一第二预定方向的方式设置，使得每一个所述第一发光二极管芯片的所述正、负极焊垫相对于所述基板的设置方位与每一个所述第二发光二极管芯片的所述正、负极焊垫相对于所述基板的设置方位相同。

4.如权利要求1的发光结构，其中所述基板的上表面具有一用于容置一光学感测器的容置槽，所述容置槽的内表面具有一吸光涂层。

5.如权利要求1的发光结构，其中所述基板还更进一步包括多个分别设置在多个所述第一发光二极管芯片的下方的第一散热结构及多个分别设置在多个所述第二发光二极管芯片的下方的第二散热结构，所述第一发光二极管芯片经过封装后而形成的一第一LED元件所产生的色温低于所述第二发光二极管芯片经过封装后而形成的一第二LED元件所产生的色温。

6.如权利要求5的发光结构，其中当所述第一散热结构及所述第二散热结构都使用具有相同散热能力的材质时，所述第一散热结构的尺寸大于所述第二散热结构，其中当所述第一散热结构及所述第二散热结构的尺寸相同时，所述第一散热结构所使用的材质的散热能力大于所述第二散热结构所使用的材质的散热能力。

7.如权利要求5的发光结构，其中多个所述第一散热结构及多个所述第二散热结构的尺寸都从所述基板的中心往圆周的方向渐渐缩小。

8.如权利要求7的发光结构，其中多个所述第一散热结构的尺寸从所述基板的中心往圆周的方向依序递减比例与多个所述第二散热结构的尺寸从所述基板的中心往圆周的方向依序递减比例相同。

9.如权利要求5的发光结构，其中所述基板还更进一步包括一具有多个所述第一、二散热结构的导热结构单元及一位于所述导热结构单元的底端的均热结构单元。

10.如权利要求6至9中任一权利要求的发光结构，其中所述第一散热结构与所述第二散热结构的单位热通量的比值为1:0.86～0.95。

11.如权利要求1的发光结构，其中所述基板的上表面具有一用于容置一电子零件的容置槽，所述基板的内部还更进一步包括一具有多个位于多个所述第一、二发光二极管芯片的下方的导热结构单元与一设置在所述电子零件及所述发光单元之间的热阻结构，其中所述基板、所述热阻结构及所述导热结构单元的导热率分别为k1、k2及k3，三者的关系为k3>k1>k2。

12.如权利要求9的发光结构，其中所述均热结构单元的内部包括多个彼此分离的导热通道，且多个所述导热通道采用(1)、(2)及(3)三者其中之一，其中所述(1)是：多个所述导热通道的尺寸都相同，且每两个相邻的所述导热通道之间的间距从所述导热结构单元的中心往圆周的方向渐渐增加；所述(2)是：多个所述导热通道的尺寸都相同，且所述均热结构单元被所述导热通道所占据的体积密度从所述导热结构单元的中心往圆周的方向渐渐减少；所述(3)是：多个所述导热通道的尺寸从所述导热结构单元的中心往圆周的方向渐渐减少。

13.如权利要求6的发光结构，其中每一个所述第一及所述第二散热结构的圆周旁都设置有多个彼此分离的导热通道，且多个所述导热通道采用(1)、(2)及(3)三者其中之一，其中所述(1)是：每一个所述第一及所述第二散热结构的多个导热通道的尺寸都相同，且每两个所述导热通道之间的间距从相对应的所述第一或所述第二散热结构的中心往圆周的方向渐渐增加；所述(2)是：每一个所述第一及所述第二散热结构的多个导热通道的尺寸都相同，且多个所述导热通道所占据的体积密度从相对应的所述第一或所述第二散热结构的中心往圆周的方向渐渐减少；所述(3)是多个所述导热通道的尺寸从相对应的所述第一或所述第二散热结构的中心往圆周的方向渐渐减少。

14.如权利要求1的发光结构，还更进一步包括：一边框胶体及一封装胶体，其中所述边框胶体包括一设置在所述基板上且围绕所述发光单元的外框部及多个设置在所述基板上且被所述外框部所围绕的连接部，每一个所述连接部的两相反末端都连接于所述外框部的内表面，且每一个所述连接部设置于两相邻的所述第一发光群组及所述第二发光群组之间，以形成多个分别用于容置多个所述第一发光群组的第一限位空间及多个分别用于容置多个所述第二发光群组的第二限位空间，其中所述封装胶体包括多个分别填充在多个所述第一限位空间内以分别覆盖多个所述第一发光群组的第一荧光胶及多个分别填充在多个所述第二限位空间内以分别覆盖多个所述第二发光群组的第二荧光胶，且多个所述第一荧光胶及多个所述第二荧光胶相互交替间隔排列。

15.如权利要求1的发光结构，还更进一步包括：一边框胶体及一封装胶体，其中所述边框胶体包括一设置在所述基板上且围绕所述发光单元及所述封装胶体的外框部，且所述封装胶体包括多个分别覆盖多个所述第一发光群组的第一荧光胶及多个分别覆盖多个所述第二发光群组的第二荧光胶，其中多个所述第一荧光胶及多个所述第二荧光胶相互交替间隔排列，且所述第一荧光胶及所述第二荧光胶具有不同的摇变系数。

16.如权利要求1的发光结构，其中多个所述第一发光二极管芯片及多个所述第二发光二极管芯片呈现近圆形或全圆形的布局排列，且采用至少4个位于最外圈的所述第一发光二极管芯片所画出的正圆轨迹与采用至少4个位于最外圈的所述第二发光二极管芯片所画出的正圆轨迹会重叠在一起以形成单一个正圆轨迹。

17.如权利要求1的发光结构，其中所述基板具有另外一呈蜿蜒状的第一导电轨迹、另外一呈蜿蜒状的第二导电轨迹、一贯穿所述基板的第一导通孔、一贯穿所述基板的第二导通孔、一设置在所述基板的背面的背面第一导电线路、及一设置在所述基板的背面的背面第二导电线路，至少一所述第一导电轨迹的其中一末端及至少一所述第二导电轨迹的其中一末端分别直接电性连接于一第一正电极焊垫及一第二正电极焊垫，且另外一所述第一导电轨迹的其中一末端及另外一所述第二导电轨迹的其中一末端分别直接电性连接于一第一负电极焊垫及一第二负电极焊垫，其中另外一所述第一导电轨迹的另外一末端依序通过所述第一导通孔及所述背面第一导电线路以间接电性连接于所述第一正电极焊垫，另外一所述第二导电轨迹的另外一末端直接电性连接于所述第二正电极焊垫，至少一所述第一导电轨迹的另外一末端直接电性连接于所述第一负电极焊垫，且至少一所述第二导电轨迹的另外一末端依序通过所述第二导通孔及所述背面第二导电线路以间接电性连接于所述第二负电极焊垫。