TWI672455B - 含金屬塗覆層之密封物品、其製造方法及其使用方法 - Google Patents

Abstract

一種密封物品，係包括一主體及設置於該主體之至少一表面之塗覆層。該主體包括高分子彈性體，如全氟彈性體或含氟彈性體。該塗覆層係包括至少一金屬。該密封物品可為密封件、墊片、O型環、T型環或任何其他適當產品。該密封物品可抗紫外光及電漿，且可用於密封半導體加工室。

Description

含金屬塗覆層之密封物品、其製造方法及其使用方法

本發明實施例係關於用於半導體加工之物品及設備。尤其是，本發明實施例標的物係關於用於加工室（processing chamber）之密封物品、製備及使用該密封物品之方法。

在半導體製造中，牽涉了在潔淨室環境中各種密閉加工室的使用。例如化學氣相沈積及電漿沈積等製程需要使用真空室及類似的反應器，於其中，使用腐蝕性化學物質、高能電漿、輻射線如紫外光而製造出嚴酷的環境。於該加工室內或外側均應避免例如是微粒的任何污染物，係因該等污染物會對所得半導體晶圓或裝置產生影響。

使用以高分子材料製備的彈性密封環以充分地密封一加工室。由於該加工室內部的嚴酷環境，此種密封環至為重要。該密封環可維持該加工室為真空或於一定壓力下，使該等化學物質安全地留在該加工室內，並防止該加工室以外的雜質進入該加工室中。

本發明實施例係提供一種密封物品，係包括一主體及設置於該主體之至少一表面之塗覆層，該主體包括高分子彈性體，該塗覆層係包括至少一金屬。

本發明實施例另提供一種製備密封物品之方法，係包括提供一包括高分子彈性體之主體；及於該主體之至少一表面上形成一塗覆層，該塗覆層係包括至少一金屬。

本發明實施例另提供一種使用密封物品之方法，係包括：將該密封物品安裝於一半導體加工室中，其中，該密封物品係包括：包括高分子彈性體之主體，及設置於該主體之至少一表面之塗覆層，該塗覆層係包括至少一金屬。

於以下說明書提供許多不同的實施例、或例子，以執行本發明的不同特徵。以下描述的元件及配置的特定實例係為了簡化本說明書，它們自然僅為實例而非意圖限制本發明。舉例而言，於描述中，第一特徵形成於第二特徵上或上方，則可包含該第一與第二特徵形成為直接接觸之實施例、亦可包含於該第一與第二特徵之間有額外特徵形成，則該第一與第二特徵並非直接接觸之實施例。另外，本發明可能於各種實例中使用重複的元件符號及/或標記，係為了簡化及清晰的目的，並非用以指示該等不同實施例及/或結構配置之間的關連性。

又，空間關係術語例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...上面”、“上面的”等，於此處係為了方便描述而用於描述圖中所示的元件或特徵與其他元件或特徵之關係。除了圖中所示方向以外，該空間關係術語意圖涵蓋該裝置於使用或操作中之不同方向。該裝置可為其他方向（旋轉90度或其他方向），且此處所用的空間關係描述語可據此而有相應的解釋。

於本說明書中，除非上下文有其他指示，單數形式的“一”、“一個”和“所述/該”係包含複數形式，且特定數值用語包含至少該特定值。因此，舉例而言，“一奈米結構”之用語意指一種或多種該等結構及本領域習知之其同等物，諸如此類。當數值以大略值（使用先行詞"約"）表示時，可理解該特定數值係形成另一實施例。如此處所用，“約X”（其中X為一數值）較佳意指所載數值的±10%，含端點。舉例而言，該用語“約8” 較佳意指並包含7.2至8.8之一數值，另一實例中，該用語“約8%” 較佳（但並非全部狀況）意指並包含7.2%至8.8%之一數值。其中所示所有範圍係含端點並可組合。舉例而言，當記載範圍“1至5”時，所載範圍可解釋為包含範圍“1至4”、“1至3”、“1-2”、“1-2 & 4-5”、“1-3 & 5”、“2-5”等。另外，當正向提供替代品列表時，該等列表可解釋為意指可排除任何替代物，如，在請求項中的負面限制。舉例而言，當記載範圍“1至5”時，所載範圍可解釋為包含1、2、3、4、或5當中任一者被負面排除的情況，因此，記載範圍“1至5”可解釋為“1及3-5，但非2”、或簡化為“其中不包含2”。其意指，此處正向記載之任何組成、元件、特徵、或步驟可於請求項中明確排除，無論該組成、元件、特徵、或步驟是否被列為替代品、或無論它們是否被分別記載。

相似物件以相似元件符號標示，且，為了簡潔，於前已提供結構描述的元件符號於後續圖式中將不再重複贅述。

紫外線（UV radiation）被用於各種半導體加工的加工室中，舉例而言，UV被用於光微影製程或潔淨製程。可以UV照射一材料以產生孔洞並修飾電性特性。舉例而言，電性特性修飾係可延伸至將低k絕緣體（low-k insulator）中一材料的介電常數降低，此係經由將其在UV製程（UVP）中暴露於紫外光下。

UV可與電漿組合使用或接續於電漿製程後使用。電漿被定義為物體不同於固態、液態或氣態之第四態，並可出現於天體及融合反應器中。當氣體被加熱至原子喪失其所有電子，留下核子及自由電子的高度電化集合時，氣體變成電漿 。

包含氟之彈性體（fluorine-containing elastomers）包括含氟彈性體（fluoroelastomer，亦稱FKM）及全氟彈性體（perfluoroelastomer，亦稱FFKM)，係用於一些實施例中的半導體加工室之密封部分。全氟彈性體（FFKM）具有良好的化學耐受性、溶劑耐受性、電漿耐受性、及熱耐受性。FFKM亦具有高純度。

參照第1圖，當包含氟之彈性體（FKMs或FFKMs）用於密封一半導體腔室，其中半導體基板102係於該腔室內部進行加工時，有時會於該半導體基板102上發現微粒污染104。於一些實施例中，紫外線會損害用於密封加工室的密封物品，造成微粒污染。半導體基板（如矽晶圓）的微粒污染104的化學分析顯示有機殘留物如碳及氮的存在。可使用的化學分析工具之一為能量散射光譜儀（EDS）。因此，需要具有對UV及電漿耐受性改良的密封物品，且該密封物品可用於半導體加工室。

本發明實施例係提供一種密封物品、製備及使用該密封物品之方法。此處所述之密封物品具有優異的UV及電漿耐受性，此外還包括其他優點，包含高溫耐受性、化學耐受性、密封性質及高純度。該密封物品使用壽命長，不會造成任何化學或微粒污染。

除非另有說明，可理解後述用語“含氟彈性體”或“FKM”係涵蓋包含氟之共聚物彈性體，其包括至少偏氟乙烯作為單體，如同ASTM D1418所定義，包含具有不同交聯（固化）機制的不同組成物類型。基於化學組成，FKM包含五種類型。第1型FKM包括偏氟乙烯（VDF）及六氟丙烯（HFP）。第2型FKM包括VDF、HFP及四氟乙烯（TFE）。第3型FKM包括VDF、TFE及全氟甲基乙烯基醚（PMVE）。第4型FKM包括丙烯、TFE及VDF。第5型FKM包括VDF、HFP、TFE、PMVE及乙烯。基於交聯機制，FKM可使用二胺交聯、離子交聯、過氧化物交聯或任何其他固化方法。

可理解後述用語“全氟彈性體”或“FFKM”係涵蓋包含如同ASTM D1418所定義之全氟化單體之彈性體。FFKM包括來自全氟化單體之部分，該單體例如TFE及全氟烷基乙烯基醚（PAVE）（如PMVE）及至少一全氟化固化點單體（CSM）。CSM的官能基的實例包含，但非限於，腈基、羧基及烷氧羰基。FFKM可以固化劑（交聯劑）固化，該固化劑係與該固化點單體上的該反應固化點基團作用，且視需要可包括任何所欲填料。於一些實施例中，FFKM亦可以氫氧化物固化，該種FFKM可包含或不包含任何固化點基團。單一或多種填料的使用係提供所欲機械強度、模數、壓縮變形（compression set）、改善的化學及/或電漿耐受性。此處所述FFKM可用於至少250 °C之溫度，舉例而言，高至約300 °C或380 °C。於一些實施例中，除了FKM，FFKM可獲得較佳結果。

當FFKM包含具有反應性固化點基團的固化點單體，該FFKM可以固化劑固化，該固化劑例如二胺基肟（bisamidoxime）、二胺基腙（bisamidrazone）、二胺基酚、二胺基硫酚、或雙二胺基酚基化合物（bisdiaminophenyl compound），其可與腈基、羧基或烷氧羰基反應並形成噁唑環、噻唑環、咪唑環或三嗪環以提供交聯結構。適當固化劑的實例包含，但非限於，二胺基雙酚AF、3,3′-二胺基聯苯胺、2,2-雙(3,4-二胺基酚基)六氟丙烷、2,2-雙[3-胺基4-(N-甲基胺基)酚基]六氟丙烷、2,2-雙[3-胺基4-(N-乙基胺基)酚基]六氟丙烷、2,2-雙[3-胺基4-(N-丙基胺基)酚基]六氟丙烷、2,2-雙[3-胺基4-(N-酚基胺基)酚基]六氟丙烷、2,2-雙[3-胺基4-(N-全氟酚基胺基)酚基]六氟丙烷、2,2-雙[3-胺基4-(N-芐基胺基)酚基]六氟丙烷等。於一些實施例中，係使用2,2-雙[3-胺基4-(N-酚基胺基)酚基]六氟丙烷或二胺基雙酚AF。

除非另有指示，可理解後述用語“延伸的（elongated）”主體形狀或方向係用以與密封物品或主體之截面形狀或方向做出區分。舉例而言，當該密封物品或主體具有一環狀（迴圈）或類環狀，該延伸的方向意指該環狀或類環狀之周方向（circumferential direction）。該延伸主體或方向可不為直線。於一些實施例中，該密封物品具有大尺寸，因其撓性，該延伸主體的一部分可為筆直的或折疊的。於一些實施例中，密封物品可為具有一延伸主體的壓模製品（molded part），其可以接合或疊接方式形成環狀或類環狀之密封物品。

參照第2圖，係繪示一例示性加工室200（設備或系統）。該例示性加工室200包括主腔室202、及基板支架204以支托配置於該主腔室202內部的半導體基板206。該主腔室202可由鋁或鋁合金製成。於一些實施例中，該例示性加工室200亦包括輔助裝置208，其配置於該主腔室202上方。該輔助裝置208包括至少一輻射產生源209。該輻射產生源209產生並提供輻射線如UV光至該主腔室202，以照射該該半導體基板206。輻射透明窗210配置於該輻射產生源209及該主腔室202之間。該輻射透明窗210之一實例係由石英製備，其對UV而言為透明。

本發明實施例係提供一例示性密封物品212以密封該加工室200，舉例而言，密封該主腔室202及該輻射透明窗210之間的界面。

參照第3A-3E圖，該例示性密封物品212包括主體214及塗覆層216，該塗覆層216係設於該主體214之至少一表面217上。該主體214包括高分子彈性體（polymeric elastomer），例如包含氟之彈性體。該塗覆層216包括至少一金屬或含金屬之材料，如陶瓷。該主體214中的高分子彈性體的適當實例包含，但非限於，全氟彈性體（FFKM）、含氟彈性體（FKM）及其任何適當比例之組成物。該塗覆層216中的至少一金屬的適當實例包含，但非限於，鋁、銅、金、銀及其組合。於一些實施例中，該塗覆層216由鋁構成。該塗覆層216具有適當厚度，舉例而言，10微米（µm）至約10,000微米之範圍（如50 µm至200 µm）。

於一些實施例中，該主體214由全氟彈性體（FFKM）構成。該FFKM可包括一基礎高分子，由包含四氟乙烯及全氟烷基乙烯基醚之單體所構成。於一些實施例中，此種基礎高分子可被有機過氧化物固化以形成交聯結構。於另一些實施例中，該FFKM可包括一基礎高分子，其由包含四氟乙烯及全氟烷基乙烯基醚之單體所構成，以及至少一種第一固化點單體，其具有至少一官能基如腈基、羧基及烷氧羰基。該全氟彈性體（FFKM）為全氟（烷基乙烯基醚）、四氟乙烯、及該固化點單體之共聚物。該FFKM係使用適當固化劑作用於該固化點單體而為交聯。於一些實施例中，包含官能基（如腈基）之全氟彈性體之固化（交聯）可藉由使用雙重固化系統而達成，該雙重固化系統為過氧化物以催化固化，及催化劑以使用該官能基交聯。於該FFKM組成物中，亦可選擇性使用填料。適當填料的實例包含，但非限於，全氟四氟乙烯（PFTE）。FFKM化合物及/或壓模製品可商業購得，例如杜邦公司（美國德拉瓦州）、格瑞特維公司（美國賓夕法尼亞州）、及精密高分子工程公司（英國）。

該例示性密封物品212可為任何類型，舉例而言，密封件、墊片、O型環及T型環、或上述任何組合。該例示性密封物品212可為環狀或類環狀，或具有一延伸的本體，其可以接合或疊接方式形成環狀或類環狀。於一些實施例中，該密封物品212為迴圈構形，或其係按尺寸製作及塑形以提供迴圈構形，其沿著該主體之延伸形狀而延伸。舉例而言，於一些實施例中，該例示性密封物品212可為壓模O型環。另外，該例示性密封物品212可被壓模及/或裁切成為具有適當長度的長條物，接著，依據該主腔室202之尺寸疊接在一起而形成長形構形。於一些實施例中，該O型環可具有一截面，其具有約2 mm至5 mm範圍之直徑，(如自3 mm至4 mm）。

參照第3B-3D圖，於一些實施例中，該主體214具有半圓形或半橢圓形之截面。該截面可為與該主體214延伸形狀之延伸方向為垂直之方向。該塗覆層216設於該主體214之頂部表面217。經該塗覆層216塗覆之該主體214之頂部表面217可為該半圓形或半橢圓形之平坦表面（第3B圖）。

參照第3E圖，令人驚訝地發現，該塗覆層216對該主體214具有優異的附著性。不存在剝落或裂縫。該密封物品212仍保留了該主體214之可撓性。當該密封物品212以不同方向拉伸或擠壓時，例如，沿著該密封物品212的延伸方向（第3E圖的方向222）及橫越其截面方向（第3E圖的方向224）時，並未發現裂縫。

參照第4A及4B圖，係繪示另一例示性密封物品232。密封物品212及232的元件標記符號可互通。例示性密封物品212及232之差異僅在於其截面形狀及其塗覆區域。前揭如該例示性密封物品212之材料類型之描述，亦可用於該例示性密封物品232。前揭如該例示性密封物品212之主體214及塗覆層216之材料類型之描述，亦可分別應用於該例示性密封物品232之主體234及塗覆層236。

如第4B圖所示，於一些實施例中，該主體234具有圓形或橢圓形之截面，且該塗覆層234設於該主體234之外側表面上並完全覆蓋該表面。於另一些實施例中，該塗覆層236係設於該主體234之部分外側表面上，例如，僅該主體234之一半的圓形表面上塗覆有該塗覆層236。

第3B及4B圖中所述之塗覆構形及結果僅為例示性說明。該塗覆層216或236可為完全或部分塗覆於該主體214或234上。該主體214或234可具有任何其他適當的截面形狀。於一些實施例中，該主體214或234上的塗覆層216或236可設置為一圖案。於一些實施例中，該例示性密封物品212或232係按尺寸製作、塑形及構形以裝設於該例示性加工室200中，並以該塗覆層216或236朝向該輻射產生源209。該塗覆層216或236係構形以反射、及/或吸收來自該輻射產生源209之輻射，如UV。於一些實施例中， 該例示性密封物品212或232可用於半導體加工環境，其包含高電漿（如300-9,000瓦特）、高溫（如300- 600^o C）、及/或高能量UV（如波長100-400 nm）。

參照第5圖，本發明實施例係提供製備如前述例示性密封物品212或232之例示性方法500。該例示性方法500包括步驟502及504。

於步驟502，係提供一主體214（或234），其具有環狀或類環狀或其他任何適當形狀，且包括一高分子彈性體。如上述，該主體214（或234）之該高分子彈性體係包括一高分子彈性體、或由一高分子彈性體所構成，其可為全氟彈性體、含氟彈性體或其任何組成。該主體214（或234）係藉由壓模及固化高分子彈性體而成，舉例而言，在升溫下使用壓模技術。

於步驟504，塗覆層216（或236）係形成於該主體214（或234）之至少一表面上。該塗覆層216（或236）包括至少一金屬或含金屬之材料，如陶瓷。

該塗覆層216（或236）中的至少一金屬可為鋁、銅、金、銀及其任何組合。該塗覆層216（或236）可以適當製程，如濺鍍、電鍍、塑膠電鍍及無電電鍍，所形成。在形成該塗覆層216（或236）之前，該主體214（或234）之全部或欲塗覆之至少一部分表面係以化學或物理蝕刻。此種蝕刻製程係於該表面提供孔洞或孔隙，至少一金屬可滲透入該孔洞或孔隙以提供該主體214（或234）與該塗覆層216（或236）之間更高的黏著性。

參照第6A-6D圖，步驟504之例示性製程係用於一些實施例。於第6A-6D圖中，僅繪示所製造之密封物品之部分。該主體214（或234）具有半圓形、圓形、半橢圓形、或橢圓形、或其他適當形狀之截面。首先，以酸或其他適當化學品於該主體214（或234）之至少一表面上提供孔洞或孔隙240。蝕刻後，該主體214以水潤洗，所得結構如第6A圖所示。該含金屬之塗覆層216將接著進入該孔洞或孔隙240，以增進該主體214之頂部表面與該塗覆層216之間的接著性。該經蝕刻區域為預定於後續形成該塗覆層216之區域。舉例而言，該經蝕刻區域為該主體214之頂部表面，其可為該半圓形或半橢圓形之平坦表面；或，當該主體214為圓形或橢圓形時，該經蝕刻區域為該主體214之全部外側表面。

參照第6B圖，可選擇性使用催化劑241至該主體214表面上。適當催化劑之實例包含，但非限於，錫（Sn，金屬或離子）242、鈀（Pd，金屬或離子）244，及其任何組合。施用該催化劑241後，以水潤洗該樣本。亦可選擇性使用促進劑246至欲塗覆之該表面上，所得結構如第6C圖所示。

經由如無電式或塑膠式塗覆技術之適當方法，如鋁及鎳之金屬可塗覆至該主體214表面上。無電電鍍為一種自我催化反應，用以將金屬塗覆層沈積於基材上。不像電鍍，於溶液中通過電流以形成沈積並非必須。鋁或鎳之無電電鍍可於室溫下使用於溶劑或溶液中的前驅物進行，其可為水溶液或非水溶液。舉例而言，進行無電電鍍鋁，可使用含鋁有機前驅物於離子性液體而非水溶液中進行，所得結構如第6D圖所示。如第6D圖所示，該塗覆層216係形成於該主體214之頂部表面上，其藉由填滿該孔洞或孔隙240而穿透至該表面。

於一些實施例中，參照第7圖，電鍍法可用於形成該塗覆層216。選擇性對該主體214預處理（第6A-6C圖）之後，該主體214可於表面上包含小量金屬。可使用電鍍儀器600對該主體214進行塗覆，該電鍍儀器600包含電鍍槽602、水性金屬離子溶液604、電極606及608及電池610。

參照第8圖，本發明實施例亦提供使用該例示性密封物品212（或232）之例示性方法800。該例示性方法800包括至少步驟802，及選用步驟804及806。

於步驟802，該密封物品212（或232）係裝設於半導體加工室200中。該密封物品212（或232）可用於任何需要密封之處。該塗覆層216可設置於該半導體基板206之上方。具有該塗覆層216之該側可朝向背離該半導體基板206之方向。於該例示性加工室200中，具有該塗覆層216之該主體214之至少一表面係向上朝向該輻射源209。

於步驟804，紫外光（UV light）係由設置於該半導體加工室200頂部之輻射源209所提供。該紫外光具有10 nm至400 nm範圍之波長，例如，200 nm至300 nm。包括至少一金屬之塗覆層216可反射、折射或吸收UV，及/或隔離該主體214防止曝曬於紫外光下。因此，該主體214中的聚合物鍊可於UV製程中維持完整。具有UV製程之實例包含，但非限於，形成接觸蝕刻停止層（CESL）、超低k介電層（ELK）、及低k介電層（LK）之製程。

於步驟806，選擇性提供電漿至該半導體加工室200，且該半導體加工室200係選擇性加熱至升溫（如升溫至300、350、或380^o C）。步驟806可於步驟804之前或之後。於一些實施例中，該電漿能量相當高，舉例而言，300瓦特至 9,000瓦特（如3,000瓦特至9,000瓦特）。此處所述之該密封物品212或232具有適用於半導體電漿及氣體化學氣相沈積（CVD）應用之特徵，該等應用包含高密度電漿化學氣相沈積（HDPCVD）、電漿輔助化學氣相沈積（PECVD）及原子層沈積（ALD）及電漿輔助原子層沈積（PEALD）。該包括至少一金屬之塗覆層216可使電漿偏移或吸收電漿，及/或保護該主體214不被電漿分解。

此處所述之該密封物品212或232係經金屬化並提供良好密封力，且具有優異的紫外光及電漿耐受性。該密封物品212或232亦具有高溫耐受性、化學耐受性、及高純度。該密封物品使用壽命長，在重複暴露於UV、電漿及其他惡劣環境下之後，不會造成任何化學或微粒污染。

本發明實施例係提供一密封物品，包括主體及設置於該主體之至少一表面之塗覆層。該主體為環狀或類環狀，且包括高分子彈性體。該主體可為環狀或類環狀，或具有一延伸的本體，其可以接合或疊接方式形成環狀或類環狀。該塗覆層包括至少一金屬或含金屬之材料，如陶瓷。該主體中的高分子彈性體係選自全氟彈性體、含氟彈性體或其組成物。該塗覆層中的至少一金屬係選自由鋁、銅、金、銀及其組合所成群組。於一些實施例中，該塗覆層由鋁構成。該塗覆層具有適當厚度，例如10微米至約10,000微米之範圍。該密封物品係選自密封件、墊片、O型環、T型環及其任何組合所成群組。於一些實施例中，該密封物品為迴圈構形，或其係按尺寸製作及塑形以提供迴圈構形，其沿著該主體之延伸形狀而延伸。

於一些實施例中，該主體具有半圓形或半橢圓形之截面。該截面可為與該主體（如，具有環形或延伸形狀）為垂直之方向。該塗覆層設於該主體之頂部表面。經該塗覆層塗覆之該主體之頂部表面可為該半圓形或半橢圓形之平坦表面。

於一些實施例中，該主體具有圓形或橢圓形之截面，且該塗覆層係設置於該主體之外表面上，且為部分或完全覆蓋該外表面。

於另一面向，本發明實施例係提供一種製備密封物品之方法。該方法包括下列步驟：提供一主體，具有延伸形狀並包括高分子彈性體；及於該主體之至少一表面上形成一塗覆層，該塗覆層係包括至少一金屬。於該主體中之高分子彈性體係選自由全氟彈性體、含氟彈性體及其組合所成群組。該主體係藉由塑形及固化一高分子彈性體而獲得。該塗覆層中之至少一金屬係選自由鋁、銅、金、銀及其組合所成群組。該塗覆層可使用適當製程如濺鍍、電鍍、塑膠電鍍及無電電鍍所形成。於一些實施例中，形成該塗覆層之步驟係包括以酸蝕刻該主體之至少一表面之步驟。該蝕刻步驟係改善該主體之頂部表面與該塗覆層之間的黏著性。於一些實施例中，該主體具有半圓形或半橢圓形之截面。該塗覆層係形成於該主體之頂部表面。該主體之頂部表面為該半圓形或半橢圓形之平坦表面。於另一些實施例中，該主體具有圓形或橢圓形之截面。該塗覆層係設置於該主體之外表面上，且為部分或完全覆蓋該外表面。

於另一面向，本發明實施例係提供一種使用密封物品之方法。該方法包括下列步驟：將該密封物品安裝於一半導體加工室中。於一些實施例中，該方法進一步包括由配置於該半導體加工室之頂部之輻射源提供紫外光。該主體之具有該塗覆層之至少一表面係向上朝向該輻射源。於一些實施例中，該方法進一步包括對該半導體加工室提供電漿，及加熱該半導體加工室至升溫。

上述特定實施例之內容係為了使熟習本領域之技藝者更容易理解本發明之面向。熟習本領域之技藝者可理解並可以本發明之揭露內容為基礎，對其他製程及結構進行設計或修改以達成與此處所描述之實施例之相同目的及/或相同優點。熟習本領域之技藝者可理解在不悖離本發明之精神與範疇下的均等構成，及在不悖離後附申請專利範圍所界定之範疇下針對本發明所進行之進行各種變化、取代或修改係落入本發明之一部分。

102‧‧‧半導體基板

104‧‧‧微粒污染

200‧‧‧加工室

202‧‧‧主腔室

204‧‧‧基板支架

206‧‧‧半導體基板

208‧‧‧輔助裝置

209‧‧‧輻射產生源

210‧‧‧輻射透明窗

212、232‧‧‧密封物品

214、234‧‧‧主體

216、236‧‧‧塗覆層

217‧‧‧表面

222、224‧‧‧方向

240‧‧‧孔洞或孔隙

241‧‧‧催化劑

242‧‧‧錫

244‧‧‧鈀

246‧‧‧促進劑

500、800‧‧‧方法

502、504、802、804、806‧‧‧步驟

600‧‧‧電鍍儀器

602‧‧‧電鍍槽

604‧‧‧水性金屬離子溶液

606、608‧‧‧電極

610‧‧‧電池

第1圖係繪示，當用於密封加工室的密封物品被紫外線損害時，半導體基板係具有微粒污染物。

第2圖係繪示，依據一些實施例，包括一密封物品之例示性加工室之截面圖。

第3A-3E圖係繪示，依據一些實施例，一例示性密封物品。第3A圖為俯瞰圖。第3B圖為垂直於延伸方向之截面圖。第3C圖為透視圖。第3D圖為第3C圖之密封物品之部分之透視圖。第3E圖為第3C圖之密封物品之部分之垂直於延伸方向之截面圖。

第4A-4B圖係繪示，依據一些實施例，另一例示性密封物品。第4A圖為俯瞰圖。第4B圖為垂直於延伸方向之截面圖。

第5圖係繪示，依據一些實施例，製備密封物品之例示性方法之流程圖。

第6A-6D圖係繪示，依據一些實施例，使用無電電鍍技術製備密封物品之例示性方法之截面圖。

第7圖係繪示，依據一些實施例，使用電鍍技術製備密封物品之例示性方法。

第8圖係繪示，依據一些實施例，使用密封物品之例示性方法之流程圖。

Claims (7)

1. 一種用於半導體加工之密封物品，係包括：主體，包括高分子彈性體，及塗覆層，設置於該主體之至少一表面，該塗覆層係包括至少一金屬，其中，該主體具有半圓形或半橢圓形之截面，及該主體之至少一表面為該主體之頂部表面，以該塗覆層塗覆之該主體之頂部表面為該半圓形或半橢圓形之平坦表面；或，該主體具有圓形或橢圓形之截面，及該塗覆層係部分或完全覆蓋於該主體之外表面；及，該密封物品係以該塗覆層暴露於加工環境中。
2. 如申請專利範圍第1項之密封物品，其中，該高分子彈性體係選自由全氟彈性體(FFKM)、含氟彈性體(FKM)及其組合所成之群組。
3. 如申請專利範圍第1項之密封物品，其中，該塗覆層中之至少一金屬係選自由鋁、銅、金、銀及其組合所成之群組。
4. 如申請專利範圍第1項之密封物品，其中，該密封物品係選自由密封件、墊片、O型環及T型環所成群組，及為迴圈構 形或係按尺寸製作及塑形以提供迴圈構形，其沿著該主體之延伸形狀而延伸。
5. 一種製備密封物品之方法，係包括：提供一包括高分子彈性體之主體；及於該主體之至少一表面上形成一塗覆層，該塗覆層係包括至少一金屬；其中，該主體具有半圓形或半橢圓形之截面，及該主體之至少一表面為該主體之頂部表面，以該塗覆層塗覆之該主體之頂部表面為該半圓形或半橢圓形之平坦表面；或，該主體具有圓形或橢圓形之截面，及該塗覆層係部分或完全覆蓋於該主體之外表面；及，該密封物品係以該塗覆層暴露於加工環境中。
6. 如申請專利範圍第5項之方法，其中，該高分子彈性體係選自由全氟彈性體、含氟彈性體及其組合所成之群組。
7. 一種使用密封物品之方法，係包括：將該密封物品安裝於一半導體加工室中， 其中，該密封物品係包括：包括高分子彈性體之主體，及設置於該主體之至少一表面之塗覆層，該塗覆層係包括至少一金屬；其中，該主體具有半圓形或半橢圓形之截面，及該主體之至少一表面為該主體之頂部表面，以該塗覆層塗覆之該主體之頂部表面為該半圓形或半橢圓形之平坦表面；或，該主體具有圓形或橢圓形之截面，及該塗覆層係部分或完全覆蓋於該主體之外表面；及，該密封物品係以該塗覆層暴露於加工環境中。