TWI669405B - 背板（ｂａｃｋｉｎｇ ｐｌａｔｅ）、濺鍍靶及彼等之製造方法 - Google Patents

背板（ｂａｃｋｉｎｇ ｐｌａｔｅ）、濺鍍靶及彼等之製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明之目的在於提供可以將蓋構件之厚度設為均勻的背板之製造方法及製造後之蓋構件之厚度均勻的背板以及包含此種背板的濺鍍靶。本發明提供的背板之製造方法，係包含將板狀本體與板狀蓋構件予以接合者，該板狀本體係在單面具有通過流體的溝者，該板狀蓋構件係以覆蓋該本體之溝的方式配置於該本體者；該背板之製造方法包含：將該本體與該蓋構件接合成為一體化之後，以該本體與該蓋構件間之接合面作為上面，以該蓋構件之表面中測定的高度之最大值與最小值的差小於0.5mm的方式將該本體固定，藉由切削加工該接合面之至少一部分。本發明提供的背板中，蓋構件的厚度之最大值與最小值的差在0.4mm以下，本發明提供的濺鍍靶包含該背板。

Description

背板(backing plate)、濺鍍靶及彼等之製造方法
本發明關於背板(backing plate)、濺鍍靶及彼等之製造方法。
背板係將使用於濺鍍的濺鍍靶之靶材予以支撐，而且將濺鍍靶固定於濺鍍裝置所使用的構件。又，背板亦擔當將濺鍍時產生的熱進行散熱的作用。
集積電路(IC)之形成所使用的濺鍍裝置用之背板，例如係具有直徑最大在500~600mm左右之圓盤形之形狀者，一般由銅合金或鋁合金等板材製作。
又，液晶顯示器(LCD)之製造所使用的濺鍍裝置用之背板，例如係具有板狀(或面板狀)之形狀者，一般由銅或銅合金等板材製作。
又，LCD製造用之濺鍍裝置所使用的靶材，通常較IC用者更大型，濺鍍時產生的熱量亦非常大。產生的熱亦對經由濺鍍形成的薄膜之特性帶來影響，因此使用可以有效地冷卻靶材的大型之背板。具有板狀之形狀時，有可能其長邊方向之尺寸大於3m。
例如專利文獻1~3之記載，LCD製造等使用的背板，通常作為提升散熱性能及冷卻性能之目的，大多於其內部形成通過冷媒用之流體的流路。此種流路，例如在構成背板的本體事先形成流路用之溝，將以覆蓋該溝的方式而製作的蓋構件例如卡合於本體之溝部的狀態下，藉由熔接等方法進行接合而形成。
〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕
〔專利文獻1〕專利第4852897號公報
〔專利文獻2〕專利第3818084號公報
〔專利文獻3〕特開2012-126965號公報
作為LCD製造所使用的背板，通常為大型且具有長尺之尺寸者，又，使用銅及銅合金等比較硬的金屬，因此製造上存在彎曲或變形之問題。
又，在背板內形成冷媒用之流路，藉由熔接接合本體與蓋構件時，該熱導致包含蓋構件的本體全體產生變形或撓曲等問題。特別是，利用電子束熔接(Electron Beam Welding)時，當電子束照射接合部時，接合部被施加較大的熱量，因此產生變形或撓曲之可能性變高。
又，電子束熔接時，通常於該接合部會形成稱為珠子(bead)的突條部，藉由進行切削除去來形成較少凹凸之平坦的表面，加工成為所要之背板形狀時，有可能基於上述變形或撓曲造成蓋構件之厚度不均勻。
又，最近亦有針對在構成背板的本體與蓋構件之問的接合中，藉由利用摩擦熱的摩擦攪拌接合(Friction Stir Welding)來進行。此種情況下，於接合部形成稱為毛刺的突起，藉由進行其之切削除去而形成平坦的表面，加工成為所要之背板形狀時，和上述同樣地有可能存在蓋構件之厚度不均勻。
習知，接合本體與蓋構件之後，以修正產生於接合體的變形為目的，而藉由沖壓機之矯正作業或機械加工來進行變形之除去作業。但是，習知係著眼於能加工成為所要之最終形狀，或者以在完成的背板不殘存變形的方式來進行修正，並未針對保持構成背板的各構件之厚度之均勻性特別檢討，習知之背板存在著蓋構件之厚度均勻性之問題。
又，形成如背板之接合體時，藉由電子束熔接或摩擦攪拌接合進行接合時，接合體在接合面側會產生平緩的彎曲。因此，接合本體與蓋構件之後，藉由切削加工加工成為所要尺寸之背板時，容易在數十~數百mm之範圍內產生蓋構件較目的之厚度變薄之處或變厚之處。
如上述說明，蓋構件之厚度不均勻時，濺鍍時當被壓入流路的流體之壓力(例如0.2~0.7MPa)施加於 此種不均勻的蓋構件時，在蓋構件之較薄的部分中變形的可能性變高，有可能發生蓋構件彎曲或破損等問題。特別是，將構成構件之厚度設計為較薄的背板中，蓋的厚度之不均勻性伴隨的變形風險變高，例如銅製之背板中，蓋構件之厚度設計成為5mm以下時需要注意蓋構件之均勻性。
又，此種蓋構件之厚度之不均勻性，不僅降低重複貼合靶材而使用的背板本身之強度，在其相反側之黏貼靶材之側的厚度亦產生不均勻性。通常，欲和蓋構件之接合面成為平行的方式對相反側之面進行加工時，若殘存有本體之變形或撓曲引起的蓋構件之厚度不均勻性時，其相反側之面之加工時亦產生厚度之不均勻性。此種厚度之不均勻性造成冷卻效率局部性差異，因此在藉由焊錫接合有靶材的濺鍍靶中，靶材有可能產生局部性剝離。
於此，本發明之課題在於提供可以將蓋構件之厚度設為均勻的背板之製造方法，提供製造後之蓋構件之厚度均勻的背板以及包含此種背板的濺鍍靶。
有鑑於彼等問題，本發明人經由深入研究結果發現，在使用具有流路用之溝的本體及其蓋構件的背板之製造方法中，以本體與蓋構件的接合面作為上面，在以蓋構件之表面中測定的高度之最大值與最小值的差小於0.5mm的方式將本體予以固定的狀態下，藉由切削加工該 接合面，可以使蓋構件之厚度成為均勻，而完成本發明。
本發明提供以下的背板之製造方法及背板以及以下的包含背板的濺鍍靶之製造方法及濺鍍靶，但本發明不限定於以下者。
〔1〕
一種背板之製造方法，係包含將板狀本體與板狀蓋構件予以接合者，該板狀本體係在單面具有通過流體的溝者，該板狀蓋構件係以覆蓋該本體之溝的方式配置於該本體者；包含：將該本體與該蓋構件接合成為一體化之後，以該本體與該蓋構件間的接合面作為上面，以在該蓋構件之表面測定的高度之最大值與最小值的差小於0.5mm的方式將該本體固定，藉由切削加工該接合面之至少一部分者。
〔2〕
上述〔1〕記載之製造方法中，藉由力學方式(Mechanics)來固定上述本體。
〔3〕
上述〔1〕或〔2〕記載之製造方法中，藉由老虎鉗(vise)、夾具(clamp)或真空吸盤(vacuum chuck)固定上述本體。
〔4〕
上述〔1〕~〔3〕之任一項記載之製造方法中，上述加工係銑床加工(milling process)。
〔5〕
上述〔1〕~〔4〕之任一項記載之製造方法中，藉由電子束熔接或摩擦攪拌接合對上述本體與上述蓋構件進行接合。
〔6〕
一種背板，包含：板狀本體，在單面具有通過流體的溝；及板狀蓋構件，以覆蓋該本體之溝的方式配置於該本體；藉由接合使該本體與該蓋構件成為一體化，該蓋構件的厚度之最大值與最小值的差在0.4mm以下。
〔7〕
藉由上述〔1〕記載之製造方法獲得的背板。
〔8〕
上述〔7〕記載之背板中，上述蓋構件的厚度之最大值與最小值的差在0.4mm以下。
〔9〕
一種濺鍍靶，其特徵為：在上述〔6〕記載之背板上結合有靶材。
〔10〕
一種濺鍍靶之製造方法，係包含在背板結合靶材的濺鍍靶之製造方法，其特徵為：藉由上述〔1〕~〔5〕之任一項記載之製造方法製造上述背板。
依據本發明可以提供可以將蓋構件的厚度設 為均勻的背板之製造方法以及製造後之蓋構件的厚度均勻之背板，特別是可以提供蓋構件的厚度之最大值與最小值的差在0.4mm以下的背板以及包含此種背板的濺鍍靶。
1‧‧‧本體
2‧‧‧溝(或流路)
3‧‧‧蓋構件
4‧‧‧接合體
5‧‧‧基座部
6‧‧‧孔
10‧‧‧背板
20‧‧‧背板(具有基座部)
〔圖1〕本體(接合前)之一實施形態的示意表示之斜視圖。
〔圖2〕蓋構件(接合前)之一實施形態的示意表示之斜視圖。
〔圖3〕圖1所示本體之X-X斷面的示意斷面圖。
〔圖4〕背板之製造方法的示意表示之概略圖。
〔圖5A〕背板之一實施形態的示意表示之從基座面側觀察的平面圖。
〔圖5B〕背板之一實施形態(具有基座部)的示意表示之從基座面側觀察的平面圖。
〔圖6A〕背板之一實施形態的示意表示之側面圖。
〔圖6B〕背板之一實施形態(具有基座部)的示意表示之側面圖。
〔圖7〕接合體之一實施形態的示意表示之從接合面側觀察的平面圖。
〔圖8〕接合體之一實施形態的示意表示之從基座面側觀察的平面圖。
〔圖9〕接合體之一實施形態的示意表示之側面圖。
〔圖10〕圖8所示接合體之A-A斷面的示意斷面圖(a)及圖8所示接合體之B-B斷面的示意斷面圖(b)。
〔圖11〕圖8所示接合體之C-C斷面的斷面圖。
〔圖12〕表示實施例1之結果(蓋構件的厚度)的圖表。
〔圖13〕表示實施例2之結果(蓋構件的厚度)的圖表。
〔圖14〕表示比較例1之結果(蓋構件的厚度)的圖表。
〔圖15〕表示比較例2之結果(蓋構件的厚度)的圖表。
〔圖16〕表示實施例3之結果(蓋構件的厚度)的圖表。
本發明主要關於具有本體及蓋構件，可以將該蓋構件的厚度形成為均勻的背板之製造方法以及製造後之蓋構件的厚度均勻之背板。
本發明中，背板之「蓋構件的厚度均勻」，係如以下詳細說明，意味著製造後之背板中測定的蓋構件的厚度之最大值與最小值的差在0.4mm以下，較好是0.35mm~0mm，更好是0.2mm~0mm。該厚度之差大於0.4mm時，加壓時蓋構件產生局部性屈變，變形有可能殘留於蓋構件。又，背板重複使用導致素材之強度降低時， 變形量亦有可能變大，而造成蓋構件破損。又，本體部的厚度之誤差變大時，局部性導熱效率會變化，焊錫結合的濺鍍靶中，有可能產生靶材之局部性剝離。靶材剝離時，在該剝離處，靶材與基板間之距離會變化，有可能對經由濺鍍成膜的薄膜特性帶來不良影響等問題。
本發明之背板之製造方法，例如圖1~4，特別是圖4之示意圖所示，包含將板狀之本體1與板狀之蓋構件3接合(以下稱為「工程(a)」，例如參照圖4所示工程(a))，該本體1係在單面具有可使流體通過其內部的溝2者，該蓋構件3係以覆蓋(或塞住)本體1之溝2的方式配置於本體1者，包含：將本體1與蓋構件3接合成為一體化之後(例如參照圖4所示本體1與蓋構件3的接合體4)，以本體1與蓋構件3的接合面作為上面，以蓋構件3之表面中測定的高度之最大值與最小值的差小於0.5mm的方式將本體1(及必要時蓋構件3)予以固定，藉由切削加工接合面之至少一部分(以下稱為「工程(b)」。例如參照圖4所示工程(b))。
本發明中，藉由上述工程(a)及工程(b)，可以將切削加工後之蓋構件3的厚度設為均勻，具體言之，可以將蓋構件的厚度之最大值與最小值的差設為0.4mm以下。
另外，本發明中，必要時作為後處理工程，例如可以在本體1與蓋構件3的接合面之相反側之面(以下亦有可能稱為可以配置濺鍍靶用之靶材的「基座面」) 形成基座部5。基座部5係可以配置靶材的部分，其形成方法並無特別限制，基座部5例如可以藉由切削加工、較好是藉由銑床加工針對除了基座面之基座部5以外的部分進行切削而形成。又，基座部5之形狀、尺寸、高度等並無特別限制，例如基座部5之表面與加工後之接合面大略平行，較好是平行即可。
例如圖5、6中表示本發明之背板之一實施形態的示意圖，但本發明之背板並非限定於該實施形態者。又，圖5A(平面圖)、圖6A(側面圖)係示意表示不具有上述基座部5的背板之一實施形態，圖5B(平面圖)、圖6B(側面圖)係示意表示形成有上述基座部5的背板之一實施形態。
圖5(從基座面側看的平面圖)及圖6(側面圖)中，背板10、20基本上包含：在單面具有通過流體的溝2之板狀本體1(例如參照圖1)；及以覆蓋本體1之溝2的方式配置於本體1的板狀蓋構件3(例如參照圖2)，具有本體1與蓋構件3被接合成為一體化的構造。
又，如圖5B(上面圖)、圖6B(側面圖)所示，可以在背板20之基座面形成可以配置靶材的基座部5。
在接合面之蓋構件3，可於其任意之處形成任意尺寸之孔6，使其與形成於本體1的溝(或流路)2間之流體連接成為可能。又，孔6之數無特別限制。
另外，在背板10、20之本體形成可以安裝於濺鍍裝置之複數個孔、較好是貫穿孔(未圖示)亦可。
本發明中，背板之形狀並無特別限制，例如較好是圖5之平面圖記載的板狀(或面板狀)者。
本發明中背板之尺寸無特別限制。例如背板具有板狀(或面板狀)之形狀時，長邊方向之長度例如在400mm~4000mm，較好是500mm~3500mm，更好是700mm~3200mm。又，將該長邊方向之長度沿垂直橫切的寬度方向之長度，例如在100mm~2000mm，較好是150mm~1500mm，更好是200mm~1500mm。又，長邊方向之長度與寬度方向之長度可以是同一亦可以不同。
本發明中，背板的厚度(亦即基座面(具有基座部時為基座部之基座面)與接合面之間之最大距離)，例如在5mm~30mm，較好是7mm~25mm，更好是10mm~20mm。但是，只要在其內部可以形成流路即可，背板的厚度並無特別限制。
本發明中，形成於背板內部的流路之形狀並無特別限制，只要是對配置於背板之基座面的靶材能進行冷卻者即可，無特別限制。例如圖示實施形態般，流路具有矩形之斷面時，其寬度方向之尺寸例如在10mm~100mm。又，高度方向之尺寸例如在1mm~20mm，較好是3mm~15mm，更好是4mm~10mm。又，本發明中，在本體1之溝2之上側配置蓋構件3進行接合的狀態下，稱呼本體1之溝2與蓋構件3所形成的空間為流路。溝2之底面與蓋構件3之背面(亦即接合面之相反側之面)大略平行為較佳，平行為更佳。依據背板之尺寸可以 形成複數個流路。
以下，參照圖4例示本發明之製造方法之同時，分別詳細說明本發明使用的用語及各構件。
如圖4所示，本發明之製造方法，係於「工程(a)」中，將由本體用之材料1’製作的本體1，與由蓋構件用之材料3’製作的蓋構件3予以接合，使彼等一體化，而形成其內部具有流路的接合體4。之後，於「工程(b)」中，以接合體4之本體1與蓋構件3的接合面作為上面(或上側)，以蓋構件3之表面中測定的高度之最大值與最小值的差小於0.5mm的方式將本體1、必要時連同蓋構件3予以固定，對接合體4之接合面之至少一部分，較好是全面進行切削加工。如此而獲得的加工後之接合體4，係成為內部具有經由接合本體1與蓋構件3而可以通過冷卻水等流體之流路，因此接合面之相反側之面具有冷卻機能，而且具有作為可以配置靶材的基座面之機能，因此可以使用作為濺鍍靶用之背板(例如參照圖4所示虛線包圍的接合體4及背板10)。另外，必要時本發明之製造方法包含「後處理工程」，例如製造在配置靶材用的基座面具有基座部5的背板亦可(例如參照圖4、圖5B、圖6B所示背板20)。又，圖4中，為了更簡便說明本發明之製造方法，各構件以其斷面之形狀的斜視圖予以表示。
<本體>
如圖4所示，本體1可以藉由切削、研削等方法對本體用之材料1’進行加工而形成。
本體用之材料1’只要是由導電性之材料構成即可，較好是使用由金屬或其合金等製作的板狀(或面板狀)之材料。
金屬例如可以是銅、銅合金、鋁、鋁合金、鈦、鈦合金、鎢、鎢合金、鉬、鉬合金、鉭、鉭合金、鈮、鈮合金、不鏽鋼等，就加工性、機械強度、耐久性、散熱性等觀點而言，較好是使用銅，其中特別是就高導熱性與高導電性的觀點而言，較好是使用無氧銅(純度99.96%以上，氧濃度10ppm以下)。
本體1，例如圖1之斜視圖所示，係在與以下詳細說明的蓋構件(例如圖2所示蓋構件3)之接合後可以通過液體冷媒(例如水、乙醇、乙二醇或彼等二種以上之混合液等流體)等的方式，在其單面具有可以形成流路的溝2者。
溝2，例如圖3之斷面圖所示，係可以支撐(或載置)以下詳細說明的蓋構件3的形狀，例如具有段差部2a、2b。又，溝2之形狀或尺寸以及在本體1之佔比或位置等並無特別限制。溝2較好是具有接合後成為接合面的蓋構件3之表面與接合後成為接合面的本體1之表面成為面齊一之形狀或尺寸。
於此，如圖4所示，具有溝2的本體1可以如下製作，例如將適當尺寸之板狀(或面板狀)之材料 1’，首先以成為基座面側之面作為上面，例如使用老虎鉗、真空吸盤等藉由力學方式固定，例如使用面銑刀或刀具等旋轉工具藉由銑床加工進行削面，接著，以該基座面作為下面，例如使用老虎鉗、真空吸盤等藉由力學方式固定，必要時例如使用面銑刀或刀具等旋轉工具藉由銑床加工進行削面之後，例如使用面銑刀或刀具等進行切削加工，可以製作具有溝2的本體1。形成的本體1，其厚度大致一定，成為基座面、接合面之側之面與溝2之底面大略平行、較好是平行即可。又，必要時可於任意之階段，藉由切削或研磨對本體1之外周面進行加工。
又，材料1’無彎曲或變形、扭曲等，可以確保水平面時，可以直接以該面作為基座面，於其相反側之面如上述般形成溝2。
<蓋構件>
蓋構件3，例如圖2之斜視圖及圖4之概略圖所示，係以覆蓋(或塞住)本體1之溝2的方式配置於本體1而得通常2~6mm的厚度之板狀(或面板狀)之構件。就容易設置於蓋構件之本體之觀點而言，如圖3之斷面圖所示以在本體之段差部2a、2b載置蓋構件的方式，將蓋構件之寬度設為大於溝之寬度較好，蓋構件的厚度設計為5mm以下，特別是3.5mm以下時，基於流路之加壓而容易變形，因此蓋構件之寬度設為溝之寬度+30mm以下，較好是設為+20mm以下，更好是設為+15mm以下之尺寸。 又，蓋構件的厚度適宜決定即可，蓋構件的厚度在5mm以下，較好是3.5mm以下，更好是3mm以下時容易達成本發明之效果。
作為可以形成蓋構件3的蓋構件用之材料3’，只要是由導電性之材料構成即可，較好是使用由金屬或其合金等製作的板狀(或面板狀)之材料。
金屬例如可以是銅、銅合金、鋁、鋁合金、鈦、鈦合金、鎢、鎢合金、鉬、鉬合金、鉭、鉭合金、鈮、鈮合金、不鏽鋼等，就加工性、機械強度、耐久性、散熱性等觀點而言，較好是使用銅，其中特別是就高導熱性與高導電性的觀點而言，較好是使用無氧銅(純度99.96%以上，氧濃度10ppm以下)。無氧銅之中使用高強度的質別1/4H~H之無氧銅更好。
材料3’可以和材料1’同一或不同，本發明中基於將蓋構件3與本體1接合一體化，保持接合部之高強度觀點，較好是由同一材料或同一組成、純度形成的材料。
蓋構件3，例如使用老虎鉗等限制治具藉由力學方式將適當尺寸之材料3’予以固定，例如使用帶狀鋸(Band Saw)、鋼絲鋸、圓盤鋸、車床、銑床、帶鋸、磨床、水射流等進行切斷或切削可以形成。形成的蓋構件，厚度大致一定，表背面大略平行，較好是平行。又，必要時可於任意之階段，對蓋構件3之外周面進行切削或研磨加工。
另外，必要時可於任意之階段，於蓋構件3之任意之處形成可以通過流體之孔(例如參照圖5、6所示之孔6)。又，孔6之數無特別限制。特別是在對本體1之接合之前在蓋構件3形成孔6時，將蓋構件3嵌入本體1時，或彼等之接合時本體1與蓋構件3所包圍的空氣可以經由孔6排出，可以抑制接合部中之偏離之產生而較好。
<工程(a)>
工程(a)包含藉由接合本體1與蓋構件3而使彼等一體化。例如圖4所示，使蓋構件3以覆蓋本體1之溝2的方式將蓋構件3配置於本體1，較好是使本體1之表面與蓋構件3之表面成為面齊一的方式來配置彼等構件。
本體1與蓋構件3的接合方法並無特別限制，例如可以是電子束熔接(Electron Beam Welding(EBW))、摩擦攪拌接合(Friction Stir Welding(FSW))、TIG熔接、雷射束熔接、MIG熔接、MAG熔接等。其中就較小熔接珠子、較小熔接變形等觀點而言，以電子束熔接或摩擦攪拌接合為較佳。
又，本發明中，經由本體1與蓋構件3之接合一體化而獲得的接合體4，於其接合部具有較佳氣密性。例如即使將加壓至0.1MPa~0.8MPa的空氣注入流路內，該空氣亦不會洩漏，可以維持其氣密性。
於此，如圖7~9之示意圖所示，將接合體4 之一實施形態更具體表示。圖7表示接合體4之接合面，圖8表示接合體4之基座面，圖9表示接合體4之側面。又，圖10~11表示接合體4之斷面。更詳言之，圖10(a)及(b)分別表示圖8之A-A及B-B斷面，圖11表示圖8之C-C斷面。又，本發明中，接合體4不限定於圖示之實施形態。
又，在經由上述接合而獲得的接合體4亦有可能發生彎曲，此時(特別是長邊方向之長度大於2000mm的長尺時等)，例如使用矯正機等，在蓋構件3不變形的情況下，而且彎曲之大小以接地於水平面上的方式成為可以被固定之位準之前，較好是在小於5mm之前，對接合體4進行矯正為較佳。又，本發明中，接合體4之「彎曲」意味著接合體4以其基座面作為下側，靜置在任意之水平的平面上時，接合體4之長邊方向或寬度方向(垂直橫切長邊方向的寬度方向)之至少之一的端部之下方之緣部，位處於由該水平之平面分離的位置，或全部端部之下方之緣部雖相接於水平之面，僅接合體4之下方之中央部離開水平之平面，本發明中將該離開的緣部或下方之中央部與水平之平面之間的最大距離以「彎曲」之大小加以表示。又，上述端部之下方之緣部相對於上述水平之平面，有可能呈波浪狀分離，此時該水平之平面與緣部之間之最大距離亦以「彎曲」之大小表示。又，接合體4之下方中央部產生的「彎曲」無法直接測定，因此將蓋構件3之表面中測定的接合體4之高度減掉接合體4的厚度 之差之最大值表示為「彎曲」之大小。
例如長邊方向之至少一方端部之彎曲(以下亦有稱為「長邊方向之彎曲」)較好是小於5mm，更好是小於1mm。
又，寬度方向之至少一方端部之彎曲(以下亦有稱為「寬度方向之彎曲」)較好是小於5mm，更好是小於1mm。
<工程(b)>
於工程(b)中，例如在水平之平面上，以接合體4之本體1與蓋構件3的接合面作為上面(或上側)進行固定(例如參照圖4所示接合體4)。接著，在該水平之平面上固定接合體4時，較好是將接合體4之設置側之面(成為基座面側之面)，盡可能與該水平之平面近接並配置之後進行固定。接著，以蓋構件3之表面中測定的高度(亦即由該水平之平面起至蓋構件3之表面之測定點為止的距離)之最大值與最小值的差小於0.5mm，較好是在0.4mm~0mm，更好是在0.3mm~0mm的方式進行固定，必要時藉由切削對蓋構件3連同接合面之至少一部分，較好是接合面之全面進行水平加工。
又，可以保證接合面與基座面之相互之平行性時，工程(b)中之接合體4之固定方法可以使用以下之方法。在上述水平之平面上，以接合體4之本體1與蓋構件3的接合面作為上面(或上側)，使該基座面盡可能 與水平之平面接地的方式進行固定。將接合體4固定於該水平之平面上時，以該水平之平面與接合體4之底面(成為基座面側之面)之間之間隔之最大值小於0.5mm，較好是在0.4mm~0mm，更好是在0.3mm~0mm的方式進行固定為較佳，之後，藉由切削對接合面之至少一部分、較好是全面進行水平加工。
接合體4、特別是本體1之固定方法並無特別限制，例如較好是使用老虎鉗、夾具、真空吸盤等限制治具藉由力學方式固定。使用老虎鉗、夾具等限制治具進行固定時，例如可以在接合體4之長度方向配置複數個限制治具，夾持接合體之側部藉由按壓而將接合體4固定於水平之平面上。限制治具係至少在接合體4之長度方向之兩端部及中央部之3處，較好是另外追加在長度方向之1/4、3/4之位置的5處以上被均等配置。蓋構件3之表面中測定的高度之最大值與最小值之差不小於0.5mm時，在接合體4不移動之程度下藉由老虎鉗暫時固定之後，藉由木錘或塑料錘等千打使其接地於水平之平面上，如此則可於水平狀態下將蓋構件3之表面予以固定。又，藉由真空吸盤進行固定時，例如在本體與蓋構件的接合前，對本體之基座面側進行切削加工製作平坦的面，以使吸附面積變大的方式使O型環以其中心位於接合體之緣部起30mm以內，較好是位於5mm~20mm之處的方式將該O型環配置於接合體之周圍，以基座面側作為吸附面進行真空抽吸直至-0.1MPa之真空度(表壓力(gauge pressure))而進 行固定，如此即可於水平狀態下進行蓋構件3之表面之固定。
又，於蓋構件3之表面，測定其高度的位置並無特別限制，例如在溝2之上方進行測定為較佳，在溝2的中央部分之上方進行測定更好。例如圖7所示，沿著直線L1及/或L2對蓋構件3之高度進行測定為較佳。
高度之測定方法並無特別限制，例如可以使用高度計、千分錶(dial gauge)等進行測定。
如上述說明，以蓋構件3之表面中測定的高度之最大值與最小值的差小於0.5mm，較好是在0.4mm~0mm，更好是在0.3mm~0mm的方式對接合體4進行固定，而且藉由切削對接合面之至少一部分、較好是全面進行水平加工，較好是藉由削面進行水平加工，可以將加工後之蓋構件的厚度設為均勻。可以將加工後之蓋構件的厚度之最大值與最小值的差設為0.4mm以下，較好是設為0.35mm~0mm，更好是設為0.3mm~0mm。
又，接合面之加工只要是藉由切削能處理接合面即可，並無特別限制，例如可以藉由銑床加工、平面研削加工、立銑刀加工、車床加工等進行加工。
又，工程(b)中，可於任意之階段藉由切削或研削對接合體4之側面進行加工，例如可以實施精密加工直至鏡面為止。
本發明中，工程(b)之後獲得的接合體4(例如圖4之虛線包圍的接合體4，或圖7~11所示接合 體4)，可以直接使用作為背板(例如圖4、圖5A、圖6A所示背板10)。
另外，本發明之製造方法中，必要時可以對接合體4實施以下之後處理工程。
<後處理工程>
後處理工程，例如可以是以下之工程等。
(1)基座面之切削加工
(2)接合面之精密加工
(3)基座面之精密加工
(4)穿孔加工
(5)彎曲矯正
後處理工程較好是依據上述工程(1)~(5)之順序進行，但不限定於上述順序。又，上述工程(1)~(5)均為任意之工程，可以依據任意之順序進行。以下，對各工程簡單說明。
(1)基座面之切削加工
將接合體4以其基座面作為上側進行配置，例如藉由真空吸盤等進行固定，例如使用銑床加工、研削加工、立銑刀加工、車床加工等進一步對接合體4之基座面進行加工亦可。
該切削加工係將基座面整形為與接合體4之接合面大略平行，較好是平行者。
(2)接合面之精密加工
將接合體4以其接合面作為上側進行配置，例如藉由真空吸盤等進行固定，例如使用銑床加工、研削加工、立銑刀加工、車床加工等對接合體4之接合面進行精密加工亦可。
該精密加工係依據用途、必要時對接合體4之接合面進行切削或研磨直至鏡面為止而完成者。
(3)基座面之精密加工
將接合體4以其基座面配置於上側，例如藉由真空吸盤等進行固定，例如使用銑床加工、研削加工、立銑刀加工等對接合體4之基座面進行精密加工亦可。
又，必要時在對基座面進行精密加工前之任意階段中，在基座面形成基座部5亦可(例如圖5B、圖6B所示背板20)。基座部5之形成方法並無特別限制，例如可以使用銑床加工、研削加工、立銑刀加工、車床加工等。
基座面之精密加工可以對上述基座部5及其以外之周圍之部分分別進行。
該精密加工可以將接合體4之基座面(有時是上述基座部5及其以外之周圍部分之兩方)加工至鏡面。
(4)穿孔加工
必要時可以在背板之本體1之未形成有溝2或基座部5的部分形成貫穿孔。在此種貫穿孔藉由通過螺栓等可以將本體1固定於濺鍍裝置。貫穿孔之形成方法並無特別限制，例如可以使用鑽孔機等形成。又，貫穿孔之尺寸、位置、數量等無特別限制。
(5)彎曲矯正
在上述背板之後處理工程之間，在接合體4有可能產生彎曲，此時，必要時例如較好是使用矯正機等對接合體4進行矯正以使彎曲之大小小於2mm，較好是成為1mm~0mm，更好是成為0.5mm~0mm。
又，此種彎曲之矯正可以在背板製造之任一階段中進行。
針對如此而獲得的背板，使用焊錫材將靶材結合(或者接合或導線接合)於背板之基座面，可以製作濺鍍靶。
靶材只要是由濺鍍法成膜通常能使用的金屬或合金、氧化物，氮化物等陶瓷或燒結體構成的材料即可，並無特別限定，可以依據用途或目的適當選擇靶材。此種靶材，例如可以是鋁、銅、鈦、鉬、銀、鎢或以彼等為主成分的合金、銦錫氧化物(ITO)、摻鋁氧化鋅(AZO)、摻鎵氧化鋅(GZO)、In-Ga-Zn系複合氧化物(IGZO)等。
本發明之製造方法中，靶材可以加工為大略板狀，加工為板狀的方法並無特別限定。金屬系之靶材料時，例如將經由溶解、鑄造獲得的直方體或圓筒狀之靶材料供作為壓延加工或押出加工、鍛造加工等塑性加工之後，藉由實施切斷加工或銑床加工、立銑刀加工等機械加工，以使成為所要尺寸或表面狀態的方式進行精密加工即可製造。另一方面，高融點金屬或氧化物之燒結體系之靶材料時，將靶材料填充於成為板狀之模具，藉由在熱壓或熱均壓(Hot Isostatic Pressing)裝置進行燒結的加壓燒結法，或冷均壓(cold isostatic pressing)或射出成形等獲得壓粉體之後，藉由在大氣壓下燒結的常壓燒結法等獲得板狀之燒結體之後，藉由實施切斷加工或銑床加工、立銑刀加工等機械加工、研削加工，以成為所要尺寸或表面狀態的方式進行精密加工而可以製造。
靶與背板的接合所使用的焊錫材並無特別限制，較好是低融點(例如723K以下)之金屬或合金的材料，例如可以是包含由銦(In)、錫(Sn)、鋅(Zn)、鉛(Pb)、銀(Ag)、銅(Cu)、鉍(Bi)、鎘(Cd)及銻(Sb)形成的群選擇的金屬或其合金的材料等。更具體言之可以是In、In-Sn、Sn-Zn、Sn-Zn-In、In-Ag、Sn-Pb、Sn-Pb-Ag、Sn-Bi、Sn-Ag-Cu、Pb-Sn、Pb-Ag、Zn-Cd、Pb-Sn-Sb、Pb-Sn-Cd、Pb-Sn-In、Bi-Sn-Sb等。濺鍍靶之焊錫材一般廣泛使用低融點之In或In合金、Sn合金。
以下、列舉實施例更詳細說明本發明，但本發明不限定於以下之實施例。
〔實施例〕 〔實施例1〕
使用圖1、2所示形狀之本體及蓋構件製作圖5A、6A所示背板10。又，工程(a)的接合中，係使用Steigerwald Strahltechnik GmbH製之電子束熔接機，藉由電子束熔接接合本體與蓋構件。
各構件之材料及設為目標的設計目標值如以下。
本體：無氧銅板(三菱伸銅社製壓延板C1020-1/2H)
維氏硬度(Vickers hardness)>80
抗拉強度>265MPa
導電率>101%IACS(20℃)
蓋構件：無氧銅板(三菱伸銅社製壓延板C1020-1/2H)
維氏硬度>80
抗拉強度>265MPa
導電率>101%IACS(20℃)
背板之設計目標值
背板之長邊方向之尺寸：2500mm
背板之寬度方向之尺寸：270mm
背板的厚度：16mm
本體的厚度(溝部)：8mm
蓋構件的厚度：3mm
蓋構件之長邊方向之尺寸：2350mm
蓋構件之寬度方向之尺寸：175mm(全長)(=70mm(長尺直線部分之寬度方向之尺寸)+35mm(中間部分之寬度方向之尺寸)+70mm(長尺直線部分之寬度方向之尺寸))
流路之寬度方向之尺寸：165mm(全長)(=60mm(長尺直線部分之寬度方向之尺寸)+45mm(中間部分之寬度方向之尺寸)+60mm(長尺直線部分之寬度方向之尺寸))
流路的厚度(或高度)：5mm
接合後之接合體在長度方向、寬度方向均朝接合面側彎曲，因此藉由冲壓成型實施矯正以使彎曲小於1mm。
於該接合面中，將千分錶固定於門型加工中心，沿著位於圖7所示蓋構件之長尺直線部分之中央的直線L1及L2，藉由移動千分錶而對蓋構件之表面中高度進行測定。
以使接合面中測定的高度之最大值與最小值的差成為0.4mm的方式以老虎鉗對接合體進行固定之後，使用門型 加工中心進行銑床加工(工程(b))。
接著，藉由真空吸盤固定銑床加工後之接合體使其基座面成為上側，使用門型加工中心對該基座面實施銑床加工。
將如此而製造的背板沿著圖7所示L1及L2切斷，使用游標卡尺測定「蓋構件的厚度」。結果表示於圖12之圖表及以下之表1。
如圖12及表1所示，「蓋構件的厚度」之最大值與最小值的差在L1中為0.31mm(=3.13-2.82)，在L2中為0.26mm(=3.14mm-2.88mm)。
由此結果可知，實施例1製造的背板中，蓋構件的厚度均勻。
又，本發明之實施例中，蓋構件的厚度均勻意味著蓋構件的厚度之最大值與最小值的差在「0.4mm以下」。
〔實施例2〕
除了使接合面測定的高度之最大值與最小值的差成為0.3mm的方式以老虎鉗固定接合體以外，均和實施例1同樣而製作背板。
將如此而製造的背板沿著圖7所示L1及L2切斷，對「蓋構件的厚度」進行測定。結果如圖13之圖表及以下之表1所示。
如圖13及表1所示，「蓋構件的厚度」之最 大值與最小值的差在L1中為0.17mm(=3.04-2.87)，在L2中為0.13mm(=3.04mm-2.91mm)。
由此種結果可知，實施例2製造的背板中，蓋構件的厚度均勻。
〔實施例3〕
藉由摩擦攪拌接合將本體與蓋構件予以接合，在以下所示設計目標值製作背板。各構件之材料使用和實施例1同樣之材料。
背板之設計目標值
背板之長邊方向之尺寸：2100mm
背板之寬度方向之尺寸：270mm
背板的厚度：16mm
本體的厚度(溝部)：7.7mm
蓋構件的厚度：3.3mm
蓋構件之長邊方向之尺寸：2000mm
蓋構件之寬度方向之尺寸：175mm(全長)(=70mm(長尺直線部分之寬度方向之尺寸)+35mm(中間部分之寬度方向之尺寸)+70mm(長尺直線部分之寬度方向之尺寸))
流路之寬度方向之尺寸：165mm(全長)(=60mm(長尺直線部分之寬度方向之尺寸)+45mm(中間部分之寬度方向之尺寸)+60mm(長尺直線部分之寬度方向之尺 寸))
流路的厚度(或高度)：5mm
除使接合面中測定的高度之最大值與最小值之差成為0.3mm的方式以老虎鉗固定接合體以外，均和實施例1同樣地製作背板。
將如此而製造的背板沿著圖7所示L1及L2切斷，對「蓋構件的厚度」進行測定。結果如圖16之圖表及以下之表1所示。
如圖16及表1所示，「蓋構件的厚度」之最大值與最小值的差在L1中為0.13mm(=3.34-3.21)，在L2中為0.10mm(=3.31mm-3.21mm)。
由此種結果可知，實施例3製造的背板中，蓋構件的厚度均勻。
〔比較例1〕
除使接合面中測定的高度之最大值與最小值的差成為1.0mm的方式以老虎鉗固定接合體以外，均和實施例1同樣地製作背板。
將如此而製造的背板沿著圖7所示L1及L2切斷，對「蓋構件的厚度」進行測定。結果如圖14之圖表及以下之表1所示。
如圖14及表1所示，「蓋構件的厚度」之最大值與最小值的差在L1中為0.60mm(=3.77-3.17)，在L2中為0.65mm(=3.79-3.14)。
由此種結果可知，比較例1製造的背板中，蓋構件的厚度不均勻。
〔比較例2〕
除使接合面中測定的高度之最大值與最小值的差成為0.5mm的方式以老虎鉗固定接合體以外，均和實施例1同樣地製作背板。
將如此而製造的背板沿著圖7所示L1及L2切斷，對「蓋構件的厚度」進行測定。結果如圖15之圖表及以下之表1所示。
如圖15及表1所示，「蓋構件的厚度」之最大值與最小值的差在L1中為0.41mm(=3.17-2.76)，在L2中為0.48mm(=3.16mm-2.68mm)。
由此種結果可知，比較例2製造的背板中，蓋構件的厚度不均勻。
比較例1、2中，蓋構件的厚度之最大值與最小值的差係大於0.4mm者，蓋構件的厚度不均勻。此起因於工程(b)中，對接合體進行固定時接合面中測定的高度之最大值與最小值的差在0.5mm以上(特別是參照比較例2之結果)。
相對於此，本發明之實施例1~3中，蓋構件的厚度之最大值與最小值的差均在0.4mm以下，因此蓋構件的厚度均勻。此起因於工程(b)中，對接合體進行固定時接合面中測定的高度之最大值與最小值的差小於0.5mm。
如上述說明，依據實施例1~3及比較例1~2，在工程(a)之後，工程(b)之中，將接合體之接合面之中蓋構件之表面中測定的高度之最大值與最小值的差設為 小於0.5mm而將接合體予以固定，對接合面之至少一部分進行切削加工，如此則製造後之背板中，蓋構件的厚度之最大值與最小值的差成為0.4mm以下，蓋構件的厚度可以設為均勻。
又，在工程(b)中，係在固定接合體之狀態下對接合面之至少一部分進行切削加工，此種固定對製造後之背板之彎曲或變形幾乎未見任何影響。
〔實施例4〕
和實施例1同樣地製作背板，經由和流路連接的設於蓋構件之孔將0.5MPa之水壓施加於背板內之流路，進行耐壓測試。在加壓狀態下保持30分鐘之後，在除去負載狀態下確認蓋構件是否有變形，結果未見變形之處。又，耐壓測試後，使用ULVAC社製之He洩漏裝置，進行流路之He洩漏測試，洩漏率在5.0×10-10Pa．m3/s以下，未出現漏洩。藉由將蓋構件的厚度設為均勻，可以獲得即使在加壓狀態下亦未產生蓋構件之塑性變形而具有耐強變形的背板。
在經由上述耐壓測試及流路之He洩漏測試確認無變形或洩漏之背板上，使用銦焊料將2250mm×200mm×t15mm之鋁靶進行導線接合，而製作濺鍍靶。導線接合作業時雖將背板加熱至240℃，未產生大的彎曲，藉由超音波探傷裝置進行接合率檢測，結果確認接合率在99%以上，可以製作靶材全面被均勻地導線接合 之濺鍍靶。
又，本案以2015年7月10日向日本申請的特願第2015-138918號為基礎並主張其優先權，其內容全部於本說明書中被參照、援用。
〔產業上之利用可能性〕
本發明之背板及其製造方法可以利用於濺鍍靶，特別是可以利用於液晶顯示器(LCD)等平板面板顯示器之製造上所使用的濺鍍靶。

Claims (15)

  1. 一種背板之製造方法，係包含將板狀本體與板狀蓋構件予以接合者，該板狀本體係在單面具有通過流體的溝者，該板狀蓋構件係以覆蓋該本體之溝的方式配置於該本體者；該背板之製造方法包含：將該本體與該蓋構件接合成為一體化之後，以該本體與該蓋構件間的接合面作為上面，以在該蓋構件之表面測定的高度之最大值與最小值的差小於0.5mm的方式將該本體固定，藉由切削加工該接合面之至少一部分。
  2. 如申請專利範圍第1項之製造方法，其中藉由力學方式來固定上述本體。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之製造方法，其中藉由老虎鉗、夾具或真空吸盤固定上述本體。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之製造方法，其中上述加工係銑床加工。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之製造方法，其中藉由電子束熔接或摩擦攪拌接合對上述本體與上述蓋構件進行接合。
  6. 一種濺鍍靶的製造方法，係包含將靶材結合於背板者，其特徵為藉由如申請專利範圍第1至5項中任一項之製造方法來製造上述背板。
  7. 一種背板，包含：板狀本體，在單面具有通過流體的溝；及板狀蓋構件，以覆蓋該溝的方式配置於該本體；該背板具有藉由接合該本體與該蓋構件而成為一體化的接合面，在遍及形成該接合面的該蓋構件的長邊方向的大致全長測定到的該溝的中央部分之上方的厚度之最大值與最小值的差為0.4mm以下，且該本體的長邊方向的長度大於2000mm。
  8. 如申請專利範圍第7項之背板，其中上述本體的長邊方向的長度大於2000mm且為4000mm以下。
  9. 如申請專利範圍第8項之背板，其中上述本體的長邊方向的長度為2500mm以下。
  10. 如申請專利範圍第7至9項中任一項之背板，其中上述蓋構件的厚度為3.5mm以下。
  11. 如申請專利範圍第10項之背板，其中上述蓋構件的厚度為3.0mm以上且3.5mm以下。
  12. 如申請專利範圍第7至9項中任一項之背板，其中上述本體的寬度方向的長度為100mm以上且2000mm以下。
  13. 如申請專利範圍第12項之背板，其中上述本體的寬度方向的長度為150mm以上且1500mm以下。
  14. 如申請專利範圍第7至9項中任一項之背板，其中上述接合面整面藉由切削進行加工。
  15. 一種濺鍍靶，係在如申請專利範圍第7至14項中任一項之背板上結合有靶材。
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102116923B1 (ko) * 2015-07-10 2020-05-29 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 백킹플레이트, 스퍼터링 타깃 및 그것들의 제조방법
TWI687534B (zh) * 2018-09-07 2020-03-11 住華科技股份有限公司 背板、使用其之濺射靶材及其使用方法
US12057302B2 (en) 2018-11-21 2024-08-06 Sumitomo Chemical Company, Limited Backing plate, sputtering target, and production methods therefor
JP6677853B1 (ja) * 2019-02-07 2020-04-08 住友化学株式会社 スパッタリングターゲット、ターゲット材とバッキングプレートを接合する方法およびスパッタリングターゲットの製造方法
JP6801911B2 (ja) * 2020-09-07 2020-12-16 京浜ラムテック株式会社 バッキングプレートおよびその製造方法
CN112222553A (zh) * 2020-09-27 2021-01-15 宁波江丰电子材料股份有限公司 一种钼靶焊接方法
CN112323026A (zh) * 2020-10-29 2021-02-05 珠海和泽科技有限公司 靶材背板及其制作方法
US20220310371A1 (en) 2021-03-26 2022-09-29 Sumitomo Chemical Company, Limited Sputtering target, method of bonding target material and backing plate, and method of manufacturing sputtering target
DE202021106391U1 (de) * 2021-11-23 2021-11-29 Pilatus Flugzeugwerke Ag Luftfahrzeugkomponente und Luftfahrzeug

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW506874B (en) * 2000-12-22 2002-10-21 Hitachi Ltd Cooling plate and manufacturing method thereof, and sputtering target and manufacturing method thereof
JP2010105019A (ja) * 2008-10-30 2010-05-13 Nippon Light Metal Co Ltd 伝熱板の製造方法
TW201043369A (en) * 2009-06-12 2010-12-16 Mitsubishi Heavy Ind Ltd Cooling plate and manufacturing method therefor

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006150454A (ja) * 2000-12-22 2006-06-15 Hitachi Cable Ltd 冷却板とその製造方法及びスパッタリングターゲットとその製造方法
JP4852897B2 (ja) 2005-06-07 2012-01-11 日立電線株式会社 冷却板
JP5541629B2 (ja) 2010-12-16 2014-07-09 株式会社アルバック バッキングプレート及びその製造方法
CN201999986U (zh) * 2011-01-21 2011-10-05 许舒华 具冷却流道的背板结构
KR102116923B1 (ko) * 2015-07-10 2020-05-29 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 백킹플레이트, 스퍼터링 타깃 및 그것들의 제조방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW506874B (en) * 2000-12-22 2002-10-21 Hitachi Ltd Cooling plate and manufacturing method thereof, and sputtering target and manufacturing method thereof
JP2010105019A (ja) * 2008-10-30 2010-05-13 Nippon Light Metal Co Ltd 伝熱板の製造方法
TW201043369A (en) * 2009-06-12 2010-12-16 Mitsubishi Heavy Ind Ltd Cooling plate and manufacturing method therefor

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