TWI668324B - Gas supply system - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 46
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 20
- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims description 16
- 230000037431 insertion Effects 0.000 claims description 16
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 6
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 5
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 5
- 0 C[C@@]1*(C)(CC2)C1(C)C2O Chemical compound C[C@@]1*(C)(CC2)C1(C)C2O 0.000 description 3
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- XOKKTPUUMGKVKA-UHFFFAOYSA-N NC(CC(C1)C2CC2)C1C1CC1 Chemical compound NC(CC(C1)C2CC2)C1C1CC1 XOKKTPUUMGKVKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910001285 shape-memory alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
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-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16K—VALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
- F16K1/00—Lift valves or globe valves, i.e. cut-off apparatus with closure members having at least a component of their opening and closing motion perpendicular to the closing faces
- F16K1/32—Details
- F16K1/52—Means for additional adjustment of the rate of flow
- F16K1/523—Means for additional adjustment of the rate of flow for limiting the maximum flow rate, using a stop
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
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- F16K—VALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
- F16K7/00—Diaphragm valves or cut-off apparatus, e.g. with a member deformed, but not moved bodily, to close the passage ; Pinch valves
- F16K7/12—Diaphragm valves or cut-off apparatus, e.g. with a member deformed, but not moved bodily, to close the passage ; Pinch valves with flat, dished, or bowl-shaped diaphragm
- F16K7/14—Diaphragm valves or cut-off apparatus, e.g. with a member deformed, but not moved bodily, to close the passage ; Pinch valves with flat, dished, or bowl-shaped diaphragm arranged to be deformed against a flat seat
- F16K7/16—Diaphragm valves or cut-off apparatus, e.g. with a member deformed, but not moved bodily, to close the passage ; Pinch valves with flat, dished, or bowl-shaped diaphragm arranged to be deformed against a flat seat the diaphragm being mechanically actuated, e.g. by screw-spindle or cam
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16K—VALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
- F16K31/00—Actuating devices; Operating means; Releasing devices
- F16K31/44—Mechanical actuating means
- F16K31/50—Mechanical actuating means with screw-spindle or internally threaded actuating means
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Fluid Mechanics (AREA)
- Fluid-Driven Valves (AREA)
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Abstract
氣體供給系統1具備：自動閥18，設置於流路6，利用自動開閉對供給至腔室4之製程氣體之流量進行調整；以及手動閥20，設置於流路6中之自動閥18之下游處且離腔室4之最近處，利用手動開閉調整製程氣體之流量；手動閥20係具有隔膜24之直接隔膜閥，隔膜24伴隨開閉而與閥桿32及閥瓣28連動從而坐落於片材44及離開片材44，手動閥20具有調整閥行程之行程調整機構36。
Description
本發明係關於一種氣體供給系統，尤其係關於一種形成半導體製造設備之氣體供給系之氣體供給系統。
製程內採用ALD(atomic layer Deposition；原子層沉積)法之近年之半導體製造設備中，於作為氣體供給系之反應爐之腔室之附近，係使用高溫下能夠使用且能夠高精度地控制製程氣體之微小流量之直接接觸型金屬隔膜閥(以下亦稱作隔膜閥或直接隔膜閥)(例如參照專利文獻1)。
此種隔膜閥藉由採用作為閥體之隔膜之直接密封構造，不僅響應性或氣體置換性優異，且具有接近無微粒之特徵，因而被廣泛地實用於半導體製造設備或化學產業設備、食品產業設備等領域中。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1：日本特開2007-64333號公報。
此種氣體供給系統具備從氣體供給源朝向腔室供給製程氣體之流路，於該流路中設置有前述隔膜閥來作為利用自動開閉對供給至腔室的製程氣體之微小流量進行高精度調整之自動閥。而且，於流路中之自動閥之下游處且離腔室之最近處設置有利用手動開閉來調整製程氣體之流量之手動閥。該手動閥係於腔室內之維護時或製程氣體之緊急阻斷時使用。尤其於ALD製程中，必須維持腔室之容積，且去除腔室之堆積物之維護頻率高，因而必須於離腔室之最近處設置手動閥。
然而，即便利用前述自動閥高精度地控制氣體之流量，亦有由於基於手動閥之個體差異之流量係數(Cv(coefficient of variation；變動係數)值)之不均，而使供給至腔室之氣體流量變得不均之虞。因此，對在離腔室之最近處設置手動閥之氣體供給系統而言，要求藉由將由手動閥引起之對氣體流量控制之影響限制在最小限度，而減少氣體供給系統整體之製程氣體之流量特性之變動，提高氣體流量控制之精度。
本發明係鑒於前述課題而完成，其目的在於提供一種氣體供給系統，前述氣體供給系統係於離腔室之最近處設置手動閥，藉由將由手動閥引起之對氣體流量控制之影響 限制在最小限度，可減少氣體供給系統整體之製程氣體之流量特性之變動，並提高氣體流量控制之精度。
為了達成上述目的，本發明之氣體供給系統具備從氣體供給源朝向腔室供給製程氣體的流路，且包括：自動閥，設置於流路，利用自動開閉對供給至腔室之製程氣體之流量進行調整；以及手動閥，設置於流路中之自動閥之下游處且離腔室之最近處，利用手動開閉調整製程氣體之流量；手動閥係具有隔膜之直接隔膜閥，前述隔膜伴隨開閉而與閥桿及閥瓣連動從而坐落於片材及離開片材，前述手動閥具有對閥行程進行調整之行程調整機構。
較佳為，行程調整機構藉由限制手動閥之完全打開時之閥桿之上升而調整閥行程。
較佳為，行程調整機構藉由限制手動閥之完全打開時之閥桿之上升而調整手動閥之Cv值。
較佳為，手動閥包括：手柄，使閥桿升降；以及閥蓋螺母，升降自如地收容閥桿及閥瓣；行程調整機構包括：筒狀之行程調整構件，位於閥蓋螺母與手柄之間，供閥桿升降自如地插通，且螺旋插入於閥蓋螺母；以及鎖緊螺母，螺合於行程調整構件之外周面，限制行程調整構件相對於閥蓋螺母之升降。
較佳為，行程調整機構基於行程調整構件相對於閥蓋螺母之螺進量設定閥行程。
較佳為，閥桿於行程調整構件之下端面之下方具有階差部；行程調整機構藉由行程調整構件之下端面抵接於閥桿之階差部而限制手動閥之完全打開時之閥桿之上升。
較佳為，手動閥之完全關閉時之行程調整構件之下端面與閥桿之階差部之相隔距離係與閥行程相等。
較佳為，閥桿具有安裝於其前端部之密封構件；前端部經由密封構件而與供閥桿插通之閥蓋螺母之插通孔接觸；閥桿貫通行程調整構件之插通孔；閥桿與行程調整構件彼此配置成同軸。
較佳為，行程調整構件係於其外周面具有螺合於閥蓋螺母之第一公螺紋部，前述第一公螺紋部係由細牙螺紋構成；閥桿係於其外周面具有供閥蓋螺母螺合之第二公螺紋部，前述第二公螺紋部係由粗牙螺紋構成。
根據本發明之氣體供給系統，於離腔室之最近處設置手動閥之氣體供給系統中，藉由將由手動閥引起之對氣體流量控制之影響限制在最小限度，可減少氣體供給系統整 體之製程氣體之流量特性之變動，並提高氣體流量控制之精度。
1‧‧‧氣體供給系統
2‧‧‧氣體供給源
4‧‧‧腔室
6‧‧‧流路
8‧‧‧第一手動閥
10‧‧‧過濾器
12‧‧‧減壓閥
14‧‧‧壓力計
16‧‧‧流量控制器
16a‧‧‧顯示器
18‧‧‧自動閥
20‧‧‧第二手動閥(手動閥、直接隔膜閥、隔膜閥)
22‧‧‧主體
24‧‧‧隔膜
26‧‧‧閥蓋螺母
28‧‧‧閥瓣
28a‧‧‧閥瓣之上端面
32‧‧‧閥桿
32a‧‧‧閥桿之下端
32b‧‧‧階差部
34‧‧‧手柄
36‧‧‧行程調整機構
38‧‧‧流體入口
40‧‧‧流體出口
42‧‧‧閥室
44‧‧‧片材
46‧‧‧階部
47‧‧‧前端部
48‧‧‧止動構件
49‧‧‧O型環(密封構件)
50‧‧‧行程調整構件
50a‧‧‧下端面
52‧‧‧鎖緊螺母
54‧‧‧行程調整構件之插通孔
56‧‧‧公螺紋部(第一公螺紋部)
58、66‧‧‧擴徑部
60、64、68‧‧‧母螺紋部
62‧‧‧閥蓋螺母之插通孔
70‧‧‧公螺紋部(第二公螺紋部)
A、B‧‧‧區域
D‧‧‧相隔距離
L‧‧‧螺進量
△S‧‧‧閥行程
圖1係本發明之一實施形態之氣體供給系統之方塊圖。
圖2係圖1之第二手動閥之完全關閉時之縱剖視圖。
圖3係圖2之區域A之放大圖。
圖4係圖1之第二手動閥之完全打開時之縱剖視圖。
圖5係圖4之區域B之放大圖。
以下，基於圖式對本發明之一實施形態進行說明。
圖1表示本發明之一實施形態之氣體供給系統1之方塊圖。氣體供給系統1具備從氣體供給源2朝向腔室4供給製程氣體之流路6。流路6中，從由箭頭表示之製程氣體之流動方向起，依序設置有第一手動閥8、過濾器10、減壓閥12、壓力計14、流量控制器16、自動閥18、第二手動閥(手動閥)20。
前述氣體供給系統1例如於在製程內採用ALD法之半導體製造設備之氣體供給系中使用。就ALD法而言，考慮到其良好之熱歷程或階差被覆性之方面，被廣泛用於半導體製造之成膜製程，將作為製程氣體之原料氣體或液體原 料氣體等製程氣體供給至腔室4內，並藉由晶圓等之表面之化學反應成膜，可高精度地形成相當於原子層之微細膜厚。
氣體供給源2例如係貯存製程氣體之罐，對流路6供給製程氣體。第一手動閥8係手動之開閉閥，於維護時阻斷自氣體供給源2朝向過濾器10側之製程氣體時所使用。過濾器10將從氣體供給源2供給之製程氣體中所包含的微粒等去除。減壓閥12將從氣體供給源2供給之製程氣體減壓調整為預定壓力。
壓力計14顯示經減壓閥12調整後之製程氣體之壓力。流量控制器16係質量流量控制器，將自動閥18中流動之製程氣體調整為預定流量，且於顯示器16a中顯示經調整之流量。自動閥18係設置於流路6之腔室4之附近之所謂的爐口閥，且係利用藉助於壓縮氣壓之脈衝控制而自動開閉的空氣驅動式之開關閥，能夠高精度地控制經流量控制器16調整流量後的製程氣體之微小流量。
自動閥18會暴露於腔室4內之成膜時之化學反應引起之高溫(例如150℃至400℃)下，因而採用高溫下能夠使用且能夠高精度控制微小流量之直接隔膜閥。前述隔膜閥的響應性或氣體之置換性優異，且具有接近於無微粒之特徵。
第二手動閥20設置於流路6中之自動閥18之下游處且離腔室4之最近處，暴露於與自動閥18相同之高溫下。第二手動閥20係利用手動開閉調整經自動閥18供給至腔室4之製程氣體之流量的開關閥，主要於腔室4內之維護時或製程氣體之緊急阻斷時使用。
尤其ALD製程中，由於必須維持腔室4之容積，因此存在去除腔室4之堆積物之頻率增高之傾向。因此，腔室4之維護用之第二手動閥20作為所謂的終止閥而設置於離腔室4之最近處。腔室4係反應爐，藉由經由自動閥18進而經由第二手動閥20供給製程氣體，利用化學反應成膜於晶圓等之表面，從而高精度地形成相當於1原子層之微細膜厚。
此處，即便利用自動閥18高精度地控制製程氣體之流量，亦有因基於第二手動閥20之個體差異之流量係數(Cv值)之不均，使供給至腔室4之氣體流量中產生不均之虞。因此，對在離腔室4之最近處設置第二手動閥20之氣體供給系統1中，要求藉由將由第二手動閥20引起之對氣體流量控制之影響限制在最小限度，而減少氣體供給系統1整體之製程氣體之流量特性之變動，來提高氣體流量控制之精度。
對此，考慮將第二手動閥20設為波紋管閥等大流量閥 (Cv值大)。藉此，藉由於氣體流量控制時使第二手動閥20完全打開，而當利用自動閥18控制流量後之製程氣體流經第二手動閥20時，其流路阻力會減小。因此，可將由第二手動閥20引起之對氣體流量控制之影響限制在最小限度，可提高氣體供給系統1整體之氣體流量控制之精度。
然而，第二手動閥20中不得不使用與自動閥18相同之直接隔膜閥。這是因為，氣體供給系統1、尤其在ALD製程之氣體供給系統1中，要求使用響應性或氣體之置換性優異且具有接近無微粒之特徵之閥，因而置換性差且蛇腹部分容易堆積微粒的波紋管閥等之使用欠佳。
而且，就氣體供給系統1之佈局之制約方面而言，難以於離腔室4之最近處確保較大空間，因而無法設置大型且大流量(Cv值大)之直接隔膜閥。基於以上之理由，本實施形態之氣體供給系統1中，於設置在離腔室4之最近處之第二手動閥20中採用小型且小流量(Cv值小)之直接隔膜閥。
圖2顯示第二手動閥20之完全關閉時之縱剖視圖。另外，以下，圖2至圖5之說明中以各圖之上側為上方進行說明。本實施形態之第二手動閥20主要具備主體22、隔膜24、閥蓋螺母26、閥瓣28、閥桿32及手柄34、以及行程調整機構36。主體22由不鏽鋼等金屬材料形成，兩側 形成有流體入口38及流體出口40，上部形成有連通至流體入口38及流體出口40之上方開放的凹狀之閥室42。
於閥室42之底面以大致埋設狀態設置有合成樹脂製之獨立個體之片材44。於閥室42之內周面之下側形成有階部46。另外，亦可使片材44與主體22一體形成。隔膜24配設於片材44之上方，保持閥室42之氣密並且使隔膜24之中央部上下移動而坐落於片材44或離開片材44。隔膜24利用不鏽鋼或其他形狀記憶合金等金屬製薄板形成為使中央部朝向上方鼓出之盤狀。
隔膜24之周緣部載置於閥室42之內周面之階部46，利用閥蓋螺母26之下端部向階部46側推壓，並以氣密狀態夾持固定。閥蓋螺母26形成為筒狀，閥蓋螺母26的下端部插入至主體22之閥室42內，並且螺合於向主體22之上部突出之筒狀部而得以被固定。閥瓣28為不鏽鋼等金屬製，上下移動(升降)自如地插入至閥蓋螺母26之下端部內，閥瓣28之下端面壓住並抵接於隔膜24之中央部之上表面。
閥桿32於其前端部47之外周面安裝有O型環(密封構件)49。閥桿32的前端部47之下端面能夠抵接於閥瓣28且上下移動自如地螺旋插入於閥蓋螺母26內。圖2之第二手動閥20之完全關閉時，閥桿32將閥瓣28向下方推壓而 使隔膜24之中央部坐落於片材44。
閥桿32之上端部固定有閥桿操作用之手柄34。隔膜24之周緣部之上表面與閥蓋螺母26之下端面之間插入環狀之止動構件48。止動構件48於第二手動閥20之完全關閉時，隔膜24之中央部坐落於片材44而限制閥桿32之下降。
此處，本實施形態之第二手動閥20構成為能夠藉由行程調整機構36調整閥桿32之行程。行程調整機構36由如下構成：筒狀之行程調整構件50，位於閥蓋螺母26與手柄34之間；以及環狀之鎖緊螺母52，螺合於行程調整構件50之外周面。
詳細而言，行程調整構件50具備供閥桿32上下移動自如地插通之插通孔54、形成於行程調整構件50之外周面之公螺紋部(第一公螺紋部)56、及形成於行程調整構件50之上部之擴徑部58。閥桿32貫通行程調整構件50之插通孔54，閥桿32與行程調整構件50彼此配置成同軸。
公螺紋部56由螺距小於普通之粗牙螺紋且螺紋多之細牙螺紋形成。於鎖緊螺母52之內周面形成有母螺紋部60，母螺紋部60係於閥蓋螺母26與擴徑部58之間，螺合於行程調整構件50之公螺紋部56。
另一方面，閥蓋螺母26具備：供閥桿32經由O型環49上下移動自如地插通之插通孔62、形成於插通孔62之內周面之上部之母螺紋部64、形成於母螺紋部64之下方之擴徑部66、及形成於擴徑部66中之內周面且供閥桿32螺旋插入之母螺紋部68。閥桿32藉由O型環49於閥蓋螺母26之插通孔62中保持於軸線方向上。而且，於閥桿32之外周面形成有供母螺紋部68螺合之公螺紋部(第二公螺紋部)70。公螺紋部70由普通之粗牙螺紋形成。
以下，對第二手動閥20之閥行程△S之設定順序進行說明。
首先，使行程調整構件50之公螺紋部56螺進閥蓋螺母26之母螺紋部64。此時之螺進量為L。接下來，使鎖緊螺母52之母螺紋部60螺進行程調整構件50之公螺紋部56直至鎖緊螺母52之下端面抵接於閥蓋螺母26之上端面為止。然後，藉由將鎖緊螺母52以預定之扭矩牢固地緊固，而限制行程調整構件50相對於閥蓋螺母26之上下移動並鎖緊。藉此，設定第二手動閥20之閥行程△S。
於將第二手動閥20設為閉閥狀態之情形時，轉動手柄34，使閥桿32之公螺紋部70相對於閥蓋螺母26之母螺紋部68螺進而下降。藉此，如圖2所示，閥桿32之下端32a抵接於閥瓣28之上端面28a。然後，閥瓣28下降並將隔膜 24之中央部向下方下壓，隔膜24彈性變形，坐落於片材44而第二手動閥20完全關閉。因利用止動構件48限制閥桿32之下降，故能防止手柄34之過緊所引起之隔膜24之損傷或破損。
圖3顯示圖2之區域A之放大圖。閥桿32中，藉由將比公螺紋部70之形成部位靠上方處階段性地縮徑而形成階差部32b。於第二手動閥20之完全關閉狀態下，因閥桿32下降而使行程調整構件50之下端面50a與閥桿32之階差部32b以相隔距離D相隔，前述相隔距離D被規定為前述閥行程△S。
如此，閥行程△S能夠藉由對行程調整構件50之公螺紋部56相對於閥蓋螺母26之母螺紋部64之螺進量L進行調整而調整。具體而言，藉由增大螺進量L而相隔距離D減小，從而閥行程△S減小，藉由減小螺進量L而相隔距離D增大，從而閥行程△S增大。
圖4表示第二手動閥20之完全打開時之縱剖視圖。於將第二手動閥20設為完全打開狀態之情形時，轉動手柄34而使閥桿32上升。藉此，如圖4所示，隔膜24藉由其彈力或流體入口38處之氣壓一邊上推閥瓣28一邊恢復為原來之形狀，離開片材44而使第二手動閥20完全打開。
圖5表示圖4之區域B之放大圖。第二手動閥20之完全打開狀態下，因閥桿32上升而閥桿32之階差部32b抵接於行程調整構件50之下端面50a，故相隔距離D成為零。如此，行程調整構件50於第二手動閥20之完全打開時，行程調整構件50之下端面50a抵接於閥桿32之階差部32b而限制閥桿32之上升。
如以上所述之本實施形態之氣體供給系統1中，於設置在離腔室4之最近處之第二手動閥20中設置對閥行程△S進行調整的行程調整機構36。藉此，可利用行程調整機構36調整基於第二手動閥20之個體差異之Cv值之不均。因此，於在離腔室4之最近處設置第二手動閥20之氣體供給系統1中，可將由第二手動閥20所引起之對氣體流量控制之影響限制在最小限度，藉此減少氣體供給系統1整體之製程氣體之流量特性之變動，提高氣體流量控制之精度。
並且，本實施形態中，第二手動閥20採用的是具有隔膜24之直接隔膜閥，前述隔膜24伴隨開閉而與閥桿32及閥瓣28連動，從而坐落於片材44及離開片材44。藉此，可一方面滿足應用氣體供給系統1之製程之清潔度等要求規格或如僅確保狹窄空間等氣體供給系統1之佈局制約上的要求，一方面提高氣體供給系統1整體之氣體流量控制之精度。
詳細而言，行程調整機構36藉由限制第二手動閥20之完全打開時之閥桿32之上升，對閥行程△S進行調整，進而對第二手動閥20之Cv值進行調整。第二手動閥20之完全打開時之閥桿32之上升限制係藉由行程調整構件50之下端面50a抵接於閥桿32之階差部32b而進行。藉此，能夠在氣體流量控制時，第二手動閥20之完全打開時考慮到Cv值而高精度地進行自動閥18中之氣體流量控制。
而且，行程調整機構36係由如下構成：筒狀之行程調整構件50，位於閥蓋螺母26與手柄34之間，供閥桿32上下移動自如地插通，且螺旋插入於閥蓋螺母26；以及鎖緊螺母52，螺合於行程調整構件50之外周面，而限制行程調整構件50相對於閥蓋螺母26之上下移動。以此方式，僅藉由與閥桿32分開設置的行程調整構件50及鎖緊螺母52之簡單構成，便可實現行程調整機構36。
而且，行程調整機構36中，只要對行程調整構件50相對於閥蓋螺母26之螺進量L進行調整，進而以對行程調整構件50之下端面50a與閥桿32之階差部32b之相隔距離D進行調整這一簡單作業，便可設定閥行程△S。
而且，第二手動閥20之完全關閉時之行程調整構件50之下端面50a與閥桿32之階差部32b之相隔距離D係與閥行程△S相等。藉此，由於可容易視覺辨認出已利用 行程調整構件50之螺進量L進行了調整的閥行程△S，因而可更簡單地進行閥行程△S之調整。
而且，於閥桿32之前端部47安裝有O型環49，當閥桿32升降時，前端部47經由O型環49而與閥蓋螺母26之插通孔62接觸。藉此，可藉由O型環49防止使閥桿32之公螺紋部70相對於閥蓋螺母26之母螺紋部68螺進時所產生的微粒混入至閥室42。
而且，閥桿32之前端部47經由O型環49而與閥蓋螺母26之插通孔62接觸。藉此，第二手動閥20之開閉作動時，閥桿32係於插通孔62中保持於軸線方向上，從而防止閥桿32之揺動。因此，可防止氣體流量控制時之流量變動，進而提高氣體流量控制之精度。
而且，閥桿32貫通行程調整構件50之插通孔54，閥桿32與行程調整構件50之軸線彼此配置成同軸。藉此，閥桿32於行程調整構件50之插通孔54中保持於軸線方向上。因此，即便於第二手動閥20相對於水平方向傾斜設置之情形時，閥桿32之軸線亦不會相對於插通孔54之軸線偏離，可使閥桿32之下端32a垂直地與閥瓣28接觸，從而可高精度地進行氣體流量控制。
而且，行程調整構件50之公螺紋部56係由螺距小於 粗牙螺紋且螺紋多的細牙螺紋而形成，與此相對，閥桿32之公螺紋部70由粗牙螺紋形成。藉此，可迅速且順利地進行第二手動閥20之開閉操作，另一方面，可高精度地進行閥行程△S之調整。
以上結束對本發明之一實施形態之說明，但本發明不限定於此，於不脫離本發明之主旨之範圍內可進行各種變更。
例如，本發明之氣體供給系統1之構成機器並非嚴格限定為前述構成，而且，該氣體供給系統1不僅能夠應用於採用ALD製程以外之製程之半導體製造設備，亦可應用於化學產業設備、食品產業設備等各種製程之氣體供給系中。
而且，行程調整機構36並非嚴格限定為上述構成，只要能夠於作為直接隔膜閥之第二手動閥20中調整閥行程△S即可。藉此，至少可將由第二手動閥20引起之對氣體流量控制之影響限制在最小限度，可提高氣體供給系統1整體之氣體流量控制之精度。
Claims (10)
- 一種氣體供給系統，具備從氣體供給源朝向腔室供給製程氣體的流路，且包括：自動閥，設置於前述流路，利用自動開閉對供給至前述腔室之製程氣體之流量進行調整；以及手動閥，設置於前述流路中之前述自動閥之下游處且離前述腔室之最近處，利用手動開閉調整前述製程氣體之流量；前述手動閥係具有隔膜之直接隔膜閥，前述隔膜伴隨開閉而與閥桿及閥瓣連動從而坐落於片材及離開片材，前述手動閥具有對閥行程進行調整之行程調整機構。
- 如請求項1所記載之氣體供給系統，其中前述行程調整機構藉由限制前述手動閥之完全打開時之前述閥桿之上升而調整前述閥行程。
- 如請求項2所記載之氣體供給系統，其中前述行程調整機構藉由限制前述手動閥之完全打開時之前述閥桿之上升而調整前述手動閥之變動係數值。
- 如請求項3所記載之氣體供給系統，其中前述手動閥包括：手柄，使前述閥桿升降；以及閥蓋螺母，供前述閥桿螺旋插入；前述行程調整機構包括：筒狀之行程調整構件，位於前述閥蓋螺母與前述手柄之間，供前述閥桿升降自如地插通，且螺旋插入於前述閥蓋螺母；以及鎖緊螺母，螺合於前述行程調整構件之外周面，限制前述行程調整構件相對於前述閥蓋螺母之升降。
- 如請求項4所記載之氣體供給系統，其中前述行程調整機構基於前述行程調整構件相對於前述閥蓋螺母之螺進量設定前述閥行程。
- 如請求項5所記載之氣體供給系統，其中前述閥桿於前述行程調整構件之下端面之下方具有階差部；前述行程調整機構藉由前述行程調整構件之下端面抵接於前述閥桿之階差部而限制前述手動閥之完全打開時之前述閥桿之上升。
- 如請求項6所記載之氣體供給系統，其中前述手動閥之完全關閉時之前述行程調整構件之下端面與前述閥桿之階差部之相隔距離係與前述閥行程相等。
- 如請求項4至7中任一項所記載之氣體供給系統，其中前述閥桿具有安裝於其前端部之密封構件；前述前端部經由前述密封構件而與供前述閥桿插通之前述閥蓋螺母之插通孔接觸；前述閥桿貫通前述行程調整構件之插通孔；前述閥桿與前述行程調整構件彼此配置成同軸。
- 如請求項4至7中任一項所記載之氣體供給系統，其中前述行程調整構件係於其外周面具有螺合於前述閥蓋螺母之第一公螺紋部，前述第一公螺紋部係由細牙螺紋構成；前述閥桿係於其外周面具有供前述閥蓋螺母螺合之第二公螺紋部，前述第二公螺紋部係由粗牙螺紋構成。
- 如請求項8所記載之氣體供給系統，其中前述行程調整構件係於其外周面具有螺合於前述閥蓋螺母之第一公螺紋部，前述第一公螺紋部係由細牙螺紋構成；前述閥桿係於其外周面具有供前述閥蓋螺母螺合之第二公螺紋部，前述第二公螺紋部係由粗牙螺紋構成。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017147513 | 2017-07-31 | ||
| JP2017-147513 | 2017-07-31 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201910549A TW201910549A (zh) | 2019-03-16 |
| TWI668324B true TWI668324B (zh) | 2019-08-11 |
Family
ID=65233579
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW107122561A TWI668324B (zh) | 2017-07-31 | 2018-06-29 | Gas supply system |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11073215B2 (zh) |
| JP (1) | JP7068712B2 (zh) |
| KR (1) | KR102254663B1 (zh) |
| CN (1) | CN110892182A (zh) |
| TW (1) | TWI668324B (zh) |
| WO (1) | WO2019026417A1 (zh) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102254663B1 (ko) * | 2017-07-31 | 2021-05-21 | 가부시끼가이샤후지킨 | 가스 공급 시스템 |
| JP7448368B2 (ja) * | 2020-02-10 | 2024-03-12 | 株式会社キッツエスシーティー | 手動用ダイヤフラムバルブ |
| WO2022250046A1 (ja) | 2021-05-27 | 2022-12-01 | 株式会社フジキン | バルブ |
| KR102461941B1 (ko) * | 2021-08-11 | 2022-11-03 | 안희준 | 컨덕턴스 조절이 가능한 진공밸브 |
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| US20140131607A1 (en) * | 2012-10-12 | 2014-05-15 | Sed Flow Control Gmbh | Rising hand valve with stroke limiter |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2006041173A1 (ja) | 2004-10-12 | 2006-04-20 | Meiji Dairies Corporation | 経腸栄養剤 |
| JP5054904B2 (ja) | 2005-08-30 | 2012-10-24 | 株式会社フジキン | ダイレクトタッチ型メタルダイヤフラム弁 |
| JP4640551B2 (ja) * | 2007-12-04 | 2011-03-02 | Ｓｍｃ株式会社 | 流体圧機器の製造方法 |
| JP2013119877A (ja) * | 2011-12-06 | 2013-06-17 | Fujikin Inc | ダイヤフラム弁 |
| CN102828858B (zh) * | 2012-08-01 | 2014-05-28 | 梁戈西 | 船用气体燃料控制阀 |
| JP6072648B2 (ja) * | 2013-08-12 | 2017-02-01 | 株式会社フジキン | ダイヤフラム弁 |
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| KR102254663B1 (ko) * | 2017-07-31 | 2021-05-21 | 가부시끼가이샤후지킨 | 가스 공급 시스템 |
| US11125458B2 (en) * | 2019-06-10 | 2021-09-21 | Honeywell International Inc. | Controller with programmable reset switch |
-
2018
- 2018-06-06 KR KR1020207005755A patent/KR102254663B1/ko active IP Right Grant
- 2018-06-06 JP JP2019533930A patent/JP7068712B2/ja active Active
- 2018-06-06 WO PCT/JP2018/021739 patent/WO2019026417A1/ja active Application Filing
- 2018-06-06 US US16/618,912 patent/US11073215B2/en active Active
- 2018-06-06 CN CN201880047616.0A patent/CN110892182A/zh active Pending
- 2018-06-29 TW TW107122561A patent/TWI668324B/zh active
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2019026417A1 (ja) | 2019-02-07 |
| CN110892182A (zh) | 2020-03-17 |
| US20200088307A1 (en) | 2020-03-19 |
| TW201910549A (zh) | 2019-03-16 |
| JPWO2019026417A1 (ja) | 2020-05-28 |
| JP7068712B2 (ja) | 2022-05-17 |
| US11073215B2 (en) | 2021-07-27 |
| KR20200032192A (ko) | 2020-03-25 |
| KR102254663B1 (ko) | 2021-05-21 |
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