TWI668057B - 半導體晶圓清洗設備 - Google Patents

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洪明松
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Abstract

本揭露提供一種半導體晶圓清洗設備。半導體晶圓清洗設備包含一旋轉基座，具有一穿孔。半導體晶圓清洗設備進一步包含有一轉軸，延伸穿過穿孔。半導體晶圓清洗設備也包含有一夾持件。夾持件是蓋合於穿孔且連接於轉軸。連通於穿孔之一間隙係形成於旋轉基座以及夾持件之間。此外，半導體晶圓清洗設備包含一密封環。密封環是鄰接於間隙且相較於間隙位於遠離轉軸的位置。

Description

半導體晶圓清洗設備
本發明實施例係有關於一種半導體晶圓清洗設備，且特別是關於一種具有夾持機構與密封結構的半導體晶圓清洗設備。
半導體積體電路(IC)產業呈指數成長，在積體電路材料以及設計上的技術進步下產生了多個世代的積體電路，且其中每一世代較前一世代具有更小更複雜的電路。在積體電路發展的過程中，當幾何尺寸(也就是製程中所能產出的最小元件或者線路)縮小時，功能密度(也就是每一晶片區域所具有的互連裝置的數目)通常會增加。此種尺寸縮小的製程可增加生產效率以及降低相關成本。此種尺寸縮小的製程也會增加製造與生產積體電路的複雜度。
一或多個晶圓通常被合併成一個“批次(lot)”，用以通過一連串製造機台之製程，最後製作成為積體電路。每一製造機台通常會在一個指定批次之晶圓上，執行單一一道晶圓製造作業。例如，一個特定的製造機台可於晶圓上執行薄膜(layering)作業、圖案化(patterning)作業、摻雜(doping)作業或熱處理(thermal treatment)作業。薄膜作業一般是在一個暴露的晶圓上增加一所需要材料的層疊。摻雜作業一般是將摻雜物直接經由晶圓的表面混入矽裡面，藉以產生多個P-N接面。熱處 理作業一般是對晶圓進行加熱以達到特定的結果(例如雜質混合或熱退火)。
雖然現有之製造機台一般已經可足以應付其需求，然而仍未全面滿足。因此，仍需要一種製造機台與製造方法的作為有效率地且穩定地製造積體電路的一種解決方案。
本發明實施例包括一種半導體晶圓清洗設備。半導體晶圓清洗設備包含一旋轉基座，具有一穿孔。半導體晶圓清洗設備進一步包含有一轉軸，延伸穿過穿孔。半導體晶圓清洗設備也包含有一夾持件。夾持件是蓋合於穿孔且連接於轉軸。連通於穿孔之一間隙係形成於旋轉基座以及夾持件之間。此外，半導體晶圓清洗設備包含一密封環。密封環是鄰接於間隙且相較於間隙位於遠離轉軸的位置。
本發明實施例亦包括一種半導體晶圓清洗設備。半導體晶圓清洗設備包含一旋轉基座，具有一穿孔。半導體晶圓清洗設備進一步包含有一轉軸，延伸穿過穿孔。半導體晶圓清洗設備也包含一夾持件。夾持件是蓋合於穿孔且連接於轉軸。旋轉基座的一頂面具有一遮蔽區，由穿孔的一內壁延伸到夾持件的一最外側壁在頂面的正交投影。此外，半導體晶圓清洗設備包含一密封環。密封環是設置於頂面的遮蔽區。
本發明實施例又包括一種半導體晶圓清洗設備。半導體晶圓清洗設備包含一旋轉基座。旋轉基座具有一穿孔以及位於穿孔的邊緣的一凸緣。半導體晶圓清洗設備進一步包含一轉軸，延伸穿過穿孔。半導體晶圓清洗設備也包含一夾持 件，設置於凸緣上且蓋合於穿孔。此外，半導體晶圓清洗設備包含一密封環，具有與凸緣相同的高度。密封環設置於夾持件的下方且相較於凸緣位於遠離轉軸的位置。
1‧‧‧處理系統
5‧‧‧半導體晶圓
11‧‧‧接收器杯狀物
112‧‧‧底牆
12‧‧‧傳送模組
121‧‧‧驅動元件
122‧‧‧機械手臂
13‧‧‧第一供應單元
14‧‧‧第二供應單元
15‧‧‧遮蔽板
20‧‧‧旋轉盤
21‧‧‧旋轉基座
210‧‧‧穿孔
211‧‧‧凸緣
215‧‧‧頂面
22‧‧‧可旋轉軸
23‧‧‧固定軸
24‧‧‧驅動件
30‧‧‧方法
301、302、303、304、305、306、315、316、317、318、319‧‧‧操作
41‧‧‧固定部
41a‧‧‧固定部
42‧‧‧支撐部
43‧‧‧蓋子
44‧‧‧拱台部
45‧‧‧第一密封環
46‧‧‧第二密封環
47‧‧‧緊固單元
48‧‧‧間隙
410‧‧‧底部表面
411‧‧‧底板
412‧‧‧下通道
413‧‧‧內凸起部
414a‧‧‧密封環
420‧‧‧底面
421‧‧‧圓錐形凸起
423‧‧‧外凸起部
423S‧‧‧最外側壁
424‧‧‧中間通道
425‧‧‧上通道
441‧‧‧支柱
442‧‧‧脊狀部
443‧‧‧傾斜面
45b‧‧‧密封環
45c‧‧‧密封環
45c1‧‧‧內側部
45c2‧‧‧外側部
B1‧‧‧中間區域
B2‧‧‧邊緣區域
C‧‧‧主軸
F1‧‧‧固定夾持件
F2‧‧‧固定夾持件
H1‧‧‧高度
H2‧‧‧高度
IR‧‧‧遮蔽區
M1‧‧‧可移動夾持件
M1a‧‧‧可移動夾持件
M1b‧‧‧可移動夾持機構
M2‧‧‧可移動夾持件
R‧‧‧旋轉軸
閱讀以下詳細敘述並搭配對應之圖式，可了解本揭露之多個態樣。應注意，根據業界中的標準做法，多個特徵並非按比例繪製。事實上，多個特徵之尺寸可任意增加或減少以利於討論的清晰性。
第1圖係表示根據一些實施例之處理系統的示意圖。
第2圖係表示根據一些實施例，當兩個可移動夾持件在一開啟位置時旋轉盤的上視圖。
第3圖係表示根據一些實施例，當兩個可移動夾持件在一關閉位置時旋轉盤的上視圖。
第4圖係表示根據一些實施例之可移動夾持件、一部份的旋轉基座以及可旋轉軸的爆炸圖。
第5圖係表示根據一些實施例之一可移動夾持件、一旋轉基座的一部份以及一可旋轉軸的剖面示意圖。
第6圖係表示根據一些實施例之一可移動夾持件、一旋轉基座的一部份以及一可旋轉軸的剖面示意圖。
第7圖係表示根據一些實施例之一可移動夾持件、一旋轉基座的一部份以及一可旋轉軸的剖面示意圖。
第8圖係表示根據一些實施例之一可移動夾持件、一旋轉基座的一部份以及一可旋轉軸的剖面示意圖。
第9圖係表示根據一些實施例之提供等離子材料至處理腔 室內的一方法的流程圖。
以下的揭露內容提供許多不同的實施例或範例以實施本案的不同特徵。以下的揭露內容敘述各個構件及其排列方式的特定範例，以簡化說明。當然，這些特定的範例並非用以限定。例如，若是本揭露書敘述了一第一特徵形成於一第二特徵之上或上方，即表示其可能包含上述第一特徵與上述第二特徵是直接接觸的實施例，亦可能包含了有附加特徵形成於上述第一特徵與上述第二特徵之間，而使上述第一特徵與第二特徵可能未直接接觸的實施例。另外，以下揭露書不同範例可能重複使用相同的參考符號及/或標記。這些重複係為了簡化與清晰的目的，並非用以限定所討論的不同實施例及/或結構之間有特定的關係。
再者，為了方便描述圖式中一元件或特徵部件與另一(複數)元件或(複數)特徵的關係，可使用空間相關用語，例如「下面」、「下方」、「之下」、「上方」、「之上」及類似的用語等。除了圖式所繪示的方位之外，空間相關用語涵蓋裝置在使用或操作中的不同方位。所述裝置也可被另外定位(旋轉90度或在其他方位上)，並對應地解讀所使用的空間相關用語的描述。可以理解的是，在所述方法之前、期間及之後，可提供額外的操作步驟，且在某些方法實施例中，所述的某些操作步驟可被替代或省略。
第1圖係表示本發明實施例之一處理系統1的示意圖。處理系統1是配置以清洗一或多個半導體晶圓5。在某些實 施例中，處理系統1包含一接收器杯狀物(catch-cup)11、一傳送模組12、一些供應單元(例如一第一供應單元13、一第二供應單元14)、一遮蔽板15以及一旋轉盤20。額外的特徵可以被加入到此半導體處理系統(處理系統1)中，並且在半導體處理系統的其他實施例中，接下來提到的某些特徵可以被替換或刪減。
在某些實施例中，接收器杯狀物11是配置以提供一個用來清潔半導體晶圓5的環境。接收器杯狀物11是一個圓形的杯狀物且具有一頂部開口。接收器杯狀物11的上半部分向內部傾斜，以利於將廢棄物維持在接收器杯狀物11內。接收器杯狀物11是透過形成於一底牆112上的一液體廢棄物排水管而連接至一排氣系統。因此，接收器杯狀物11可以在晶圓清洗處理過程中透過所述獲取並透過前述液體廢棄物排水管排出廢棄物液體溶液。
旋轉盤20是設置在接收器杯狀物11內。在某些實施例中，旋轉盤20是配置以夾持、定位、移動、旋轉，以及其他對半導體晶圓5的操作。在某些實施例中，旋轉盤20是配置以沿著一主軸C移動。半導體晶圓5可藉由一夾持機構固定於旋轉盤20上。旋轉盤20是設計且配置為可進行平移與旋轉的運動。在某些實施例中，旋轉盤20可進一步具有傾斜或動態地改變傾斜角度的設計。在某些實施例中，旋轉盤20可裝配有一適當的加熱機構，藉以對半導體晶圓5加熱至所需的溫度。
第2圖表示了當一可移動夾持件M1以及一可移動夾持件M2在一開啟位置時的旋轉盤20的上視圖。第3圖表示了 當可移動夾持件M1與可移動夾持件M2在一關閉位置時的旋轉盤20的上視圖。在某些實施例中，旋轉盤20包含了圓盤狀的一旋轉基座21。旋轉基座21具有一些穿孔210，形成於旋轉基座21的一外周邊緣部。穿孔210是以等距離的方式排列於旋轉基座21的圓周上。在這個例子中，有四個穿孔210形成於旋轉基座21上，並且兩個相鄰的穿孔210之間的一個角度間隔約為90度。
在某些實施例中，旋轉盤20進一步具有一些可旋轉的主軸，例如可包含有兩個可旋轉軸22(轉軸)。此兩個可旋轉軸(rotatable spindle)22是相對於該些穿孔210中的其中兩者設置，並且是彼此相鄰設置且穿過此兩個穿孔210。此外，旋轉盤20進一步包含一些固定軸，例如可包含有兩個固定軸23。此兩個固定軸23是位於其餘兩個穿孔210內並且穿過此兩個穿孔210。此兩個固定軸23是固定於旋轉基座21。
在某些實施例中，旋轉盤20進一步包含一些驅動件，例如包含兩個驅動件24。此兩個驅動件24是配置以改變可旋轉軸22的旋轉角度。此兩個驅動件24可位於旋轉基座21內並連接於具有或不具有一傳動機構(圖中未表示)的兩個可旋轉軸22。驅動件24可包含多個馬達並藉由電力以產生一驅動扭力。驅動件24可連接於一控制器(圖中未表示)，用以接收驅動訊號來改變可旋轉軸22的旋轉角度。
在某些實施例中，旋轉盤20進一步包含一些固定夾持件，例如包含固定夾持件F1以及固定夾持件F2。固定夾持件F1與固定夾持件F2是相對於兩個穿孔210設置，其中兩個固 定軸23位於穿孔210中。固定夾持件F1與固定夾持件F2是連接於此兩個固定軸23並且覆蓋此兩個對應的穿孔210。
再者，旋轉盤20包含一些可移動夾持件，例如包含可移動夾持件M1與可移動夾持件M2。可移動夾持件M1與可移動夾持件M2是相對於兩個穿孔210設置，其中兩個可旋轉軸22位於穿孔210中。可移動夾持件M1與可移動夾持件M2是連接於此兩個可旋轉軸22並且覆蓋此兩個對應的穿孔210。
在某些實施例中，此兩個可旋轉軸22與兩個固定軸(fixed spindle)23是位於旋轉基座21的兩個相反側。因此，固定夾持件F1與固定夾持件F2彼此之間的一角度間隔約為90度，並且可移動夾持件M1與可移動夾持件M2彼此之間的一角度間隔約為90度，如第2圖所示。
然而，需注意的是，本揭露中的多個實施例可作多種變化與修改。在某些實施例中，兩個可旋轉軸22與兩個固定軸23是以交替方式排列於旋轉基座21的圓周方向上。因此，固定夾持件F1與固定夾持件F2之間的一角度間隔約為180度，並且可移動夾持件M1與可移動夾持件M2之間的一角度間隔約為180度。
在某些實施例中，可移動夾持件M1與可移動夾持件M2可獨立於固定夾持件F1與固定夾持件F2操作。舉例來說，固定夾持件F1與固定夾持件F2是固定於旋轉基座21。固定夾持件F1與固定夾持件F2無法相對於旋轉基座21旋轉，並且固定夾持件F1與固定夾持件F2的旋轉角度是固定的。另一方面，可移動夾持件M1與可移動夾持件M2是彼此關連操作來夾持或 鬆開半導體晶圓5。可移動夾持件M1與可移動夾持件M2的旋轉角度可藉由旋轉可旋轉軸22來改變。
於是，如第2圖所示，當固定夾持件F1與固定夾持件F2於半導體晶圓5上間隔角度約為90度的的圓周位置處夾持半導體晶圓5時，可移動夾持件M1與M2可鬆開半導體晶圓5。可替代地，如第3圖所示，半導體晶圓5是同時被固定夾持件F1、固定夾持件F2、可移動夾持件M1以及可移動夾持件M2夾住。在這個例子中，半導體晶圓5是被夾持於半導體晶圓5的四個圓周位置處且彼此的角度間隔約為90度。
第4圖表示本發明實施例之可移動夾持件M1、一部份的旋轉基座21以及可旋轉軸22的爆炸圖。第5圖表示本發明實施例之可移動夾持件M1、旋轉基座21的一部份以及可旋轉軸22的剖面視圖。在某些實施例中，可移動夾持件M1包含一固定部41、一支撐部42、一蓋子43、一拱台部44、一些密封環(例如一第一密封環45以及一第二密封環46)以及一緊固單元47。可移動夾持件M1的元件可被添加或省略，本發明實施例不被第4圖所示實施例所限制。
在某些實施例中，旋轉基座21具有一些凸緣211(第4圖中僅表示一凸緣211)。凸緣211是由相對應的穿孔210的邊緣向上方凸起，並且凸緣211是直接連接於相對應的穿孔210的一內壁212(第5圖)。在某些實施例中，如第4圖所示，每一個凸緣211在垂直方向上具有一高度H1。
第一密封環45是配置以阻絕化學液體流入穿孔210。在某些實施例中，第一密封環45是在可移動夾持件M1的 圓周方向上位於凸緣211的外側(圓周方向垂直於可移動夾持件M1的一旋轉軸R)，在某些實施例中，第一密封環45環繞凸緣211的外壁。如第4圖所示，第一密封環45具有一高度H2。高度H2可以等於高度H1，並且第一密封環45的內徑是等於或略小於凸緣211的外徑。
然而，需注意的是，本揭露中的多個實施例可作多種變化與修改。高度H2可以略高於高度H1，並且在組裝後且第一密封環45被可移動夾持件M1壓縮時，被壓縮的第一密封環45可與高度H1具有相同的高度。第一密封環45可為圓形形狀的氯丁橡膠/矽混合彈性材料的一O形環，並且可為中空或實心。
在某些實施例中，固定部41包含一底板411以及一內凸起部(inner projection)413。如第5圖所示，固定部41的底板411是以可移動之方式放置在凸緣211上。底板411的外壁可以與第一密封環45齊平。替代地，相較於第一密封環45，底板411的外壁可以更遠離於可旋轉軸22。
在某些實施例中，可移動夾持件M1的固定部41的一底部表面410包含一中間區域B1以及一邊緣區域B2。中間區域B1是連接於凸緣211並且具有對應於凸緣211的形狀。連通於穿孔210的一間隙48是形成於底部表面410的中間區域B1與旋轉基座21的凸緣211之間。邊緣區域B2是位於中間區域B1與底部表面410的一外邊緣之間。
在某些實施例中，第一密封環45是鄰近於間隙48設置，以阻擋化學液體流入穿孔210，並且相較於間隙48，第 一密封環45是設置較遠離於穿孔210。再者，至少部分的邊緣區域B2是倍第一密封環45所覆蓋。也就是說，第一密封環45是直接地接觸固定部41的底部表面410的邊緣區域B2。
底板411具有一下通道412，對應於穿孔210形成且沿著可移動夾持件M1的旋轉軸R延伸。內凸起部413具有一非對稱且具有一垂直外側壁的梯形橫截面。內凸起部413環繞下通道412並且沿著一垂直方向由底板411凸出(垂直方向是平行於可移動夾持件M1的旋轉軸R)。
在某些實施例中，支撐部42是設置於固定部41上。如第5圖所示，支撐部42包含一圓錐形凸起421，形成於在支撐部42的一底面420上。圓錐形凸起421的外側壁是實質地與內凸起部413的一鄰近的側壁互補。
此外，支撐部42包含有一外凸起部423，形成於支撐部42的底面420的一邊緣。外凸起部423是分離於圓錐形凸起421設置。外凸起部423沿著所述垂直方向由支撐部42的底面420凸出(垂直方向是平行於可移動夾持件M1的旋轉軸R)。
在某些實施例中，在可移動夾持件M1的圓周方向上，外凸起部423是與內凸起部413間隔一距離。在可移動夾持件M1的圓周方向上，外凸起部423與內凸起部413之間的距離可以等於第二密封環46的寬度。
然而，需注意的是，本揭露中的多個實施例可作多種變化與修改。舉例而言，在可移動夾持件M1的圓周方向上，外凸起部423與內凸起部413之間的距離可以略小於第二密封環46的寬度。在組裝後且第二密封環46被外凸起部423與內 凸起部413壓縮時，被壓縮的第二密封環46可與外凸起部423與內凸起部413之間具有相同的寬度。第二密封環46可為圓形形狀的氯丁橡膠/矽混合彈性材料的一O形環，並且可為中空或實心。
在某些實施例中，如第5圖所示，一中間通道424以及一上通道425是形成於支撐部42。中間通道424與上通道425沿著可移動夾持件M1的旋轉軸R延伸。中間通道424的寬度是實質地相同於下通道412的寬度，並且上通道425的寬度是大於中間通道424的寬度。
在某些實施例中，拱台部44包含一支柱441以及脊狀部442。支柱441是設置於支撐部42的一頂面上並且偏離於可移動夾持件M1的旋轉軸R。脊狀部442是鄰接於支柱441設置且具有一傾斜面443。傾斜面443是配置以夾住半導體晶圓5的邊緣。當可移動夾持件M1是在一關閉位置時，傾斜面443與主軸C(第1圖)之間的距離是實質地相等於半導體晶圓5的半徑。
在某些實施例中，在組裝中，第一密封環45是環繞凸緣211。之後，固定部41是位於凸緣211上。當固定部41是位於凸緣211上時，固定部41的底部表面410是與凸緣211以及第一密封環45接觸，並且可旋轉軸22是穿過下通道412。接著，支撐部42是位於固定部41。當支撐部42是在固定部41上時，支撐部42的圓錐形凸起421是位於內凸起部413所定義的空間內，並且圓錐形凸起421的外側壁是與內凸起部413的內側壁接觸。
在支撐部42設置於固定部41上之前，第二密封環 46可環繞內凸起部413。替代地，第二密封環46是事先安裝在外凸起部423的內側壁上，並且支撐部42與第二密封環46是一起設置於固定部41上。在某些實施例中，因為第二密封環46是被外凸起部423與內凸起部413兩者所擠壓，從而產生緊配合。
在支撐部42連接於固定部41之後，可旋轉軸22穿過中間通道424並且其一端是位於上通道425內。緊固單元47(例如螺絲)是位於上通道425內且連接於可旋轉軸22的該端，藉以將固定部41與支撐部42固定於旋轉基座21。接著，上通道425被蓋子43覆蓋以將穿孔210定義的空間、下通道412、中間通道424及上通道425與可移動夾持件M1的外部隔離。因為可移動夾持件M1固定於可旋轉軸22，因此當可旋轉軸22旋轉時，可移動夾持件M1的旋轉角度便會改變。
第6圖表示本發明實施例之可移動夾持件M1a、旋轉基座21的一部份以及可旋轉軸22的剖面示意圖。在第6圖所示的實施例中，與第5圖中的元件相似的元件會採用相同的標號，並且為了簡潔的緣故，其特徵不會再重複描述。在某些實施例中，可移動夾持件M1與可移動夾持件M1a之間的差異包含第一密封環45被省略且固定部41a進一步包含一密封環414a。
在某些實施例中，密封環414a是藉由適當的方法與底板411一體成形，例如利用雙料射出成形的方式。密封環414a可由不同於底板411的材料製成。底板411的外側壁可與密封環414a齊平。替代地，相較於密封環414a，底板411的外側壁可以更遠離於可旋轉軸22。
值得注意的是，用來阻擋間隙48的密封環的配置 應不限於上述的實施例。在某些實施例中，所述密封環是設置於旋轉基座21的一頂面215的一遮蔽區IR上。遮蔽區IR由穿孔210的內壁212延伸到可移動夾持件M1的一最外側壁423S在頂面215的正交投影。舉例來說，如第5圖所示，配置用以阻擋間隙48的第一密封環45是位於頂面215的遮蔽區IR。
舉另一個例子來說，如第7圖所示，可移動夾持機構M1b包含一密封環45b。密封環45b是位於旋轉基座21的頂面215的遮蔽區IR。更具體而言，密封環45b是位於間隙48內並且夾在固定部41的底部表面410以及旋轉基座21的頂面215之間。
在另一個例子中，如第8圖所示，可移動夾持機構M1b包含一密封環45c。密封環45c是位於旋轉基座21的頂面215的遮蔽區IR上。更具體而言，密封環45c包含一內側部45c1以及一外側部45c2。內側部45c1為一環狀且夾在固定部41的底部表面410與旋轉基座21的頂面215之間。外側部45c2為一環狀且連接於內側部45c1的外側壁。外側部45c2是夾在支撐部42的外凸起部423與旋轉基座21的頂面215之間。
在某些實施例中，固定夾持件F1、固定夾持件F2以及可移動夾持件M2的結構特徵可相似於可移動夾持件M1。因此，為了簡潔的緣故，固定夾持件F1、固定夾持件F2以及可移動夾持件M2的結構特徵不再重複描述。值得注意的是，固定夾持件F1、固定夾持件F2、可移動夾持件M1、可移動夾持件M2皆可通稱為夾持件。
請再參考第1圖，傳送模組12是配置以移動所述供應單元。在本發明實施例中，傳送模組12包含一或多個驅動元 件121以及一機械手臂122。驅動元件121(例如為一馬達)是藉由所述控制模組來控制並且是耦合於機械手臂122。機械手臂122是被驅動元件121驅動並在一固定的平面上提供徑向與旋轉的運動，以將第一供應單元13與第二供應單元14在處理系統1中由一位置移動到另一位置。
舉例來說，藉由傳送模組12，第一供應單元13與第二供應單元14是由處理系統1的一周邊區域傳送到一中央區域。在所述周邊區域中，第一供應單元13與第二供應單元14並非設置於半導體晶圓5上方。在中心區域時，第一供應單元13與第二供應單元14是設置於半導體晶圓5的上方。也就是說，第一供應單元13與第二供應單元14中用以提供清潔材料的投射出口是位於半導體晶圓5的上方。
在某些實施例中，第一供應單元13是裝設於傳送模組12上並配置以提供一第一清潔液體給半導體晶圓5。所述第一清潔液體包含兩種或多種物質的混合物。各種不同的混合例子描述如下。舉例來說，第一清潔液體是一SC1溶液，混合的物質包含有氫氧化銨(NH4OH)、過氧化氫(H2O2)以及水(H2O)，並以一選定的比例混合。SC1溶液可用於清潔晶圓且用於移除黏附在晶圓表面的有機物質及粒狀物。或者，清潔溶液可為一SC2溶液，混合的物質包含有氫氯酸(HCl)、過氧化氫(H2O2)、及水(H2O)，並以一選定的比例混合。SC2溶液可用於清潔晶圓或是用於移除黏附在晶圓表面的金屬沉渣。然而，應瞭解到本揭露之實施例仍可有多種形式以及變化。
第二供應單元14是安裝於傳送模組12上並配置以 噴灑一清洗液體至半導體晶圓5。所述清洗液體可包含兩種或多種物質的混合物。各種不同的混合例子描述如下。舉例來說，所述清洗液體可為一SC2溶液。在某些實施例中，儲存於第二供應單元14的清洗液體包含有二氧化碳水(CO2 water)。
遮蔽板15是相對於接收器杯狀物11設置並且配置以提供液體來清洗半導體晶圓5或排出氣體來乾燥半導體晶圓5。在某些實施例中，遮蔽板15是沿著主軸C移動。當遮蔽板15是用來排出氣體時，遮蔽板15是位於較低位置以靠近半導體晶圓5。
第9圖為本發明實施例之用來清洗半導體晶圓5的一方法30的流程圖。為了說明，流程圖將會隨著如第1至3圖所示來做描述。其中所描述的某些工作站(stage)可以於其他實施例中被替換或省略。
於本實施例中，半導體晶圓5可由矽或其他半導體材料製成。可選的或附加的，半導體晶圓5可包含其他元素半導體材料，例如鍺。在一些實施例中，半導體晶圓5由複合半導體製成，例如碳化矽(silicon carbide,SiC)、砷化鉀(gallium arsenic,GaAs)、砷化銦(indium arsenide,InAs)、或磷化銦(indium phosphide,InP)。在一些實施例中，半導體晶圓5由合金半導體製成，例如矽鍺(silicon germanium,SiGe)、矽鍺碳(silicon germanium carbide,SiGeC)、砷磷化鎵(gallium arsenic phosphide,GaAsP)、或磷化銦鎵(gallium indium phosphide,GaInP)。在一些實施例中，半導體晶圓5可包含一磊晶層。舉例來說，半導體晶圓5具有一磊晶層覆蓋在一散裝半導體(bulk semiconductor)上。在一些實施例中，半導體晶圓5可為絕緣層上覆矽(silicon-on-insulator,SOI)或絕緣層上覆鍺(germanium-on-insulator,GOI)基板。
此外，半導體晶圓5可具有各種裝置元件。所述裝置元件舉例來說是形成於半導體晶圓5中，包括電晶體(例如金屬氧化物半導體場效電晶體(metal oxide semiconductor field effect transistors,MOSFET)、互補式金屬氧化物半導體(complementary metal oxide semiconductor,CMOS)電晶體、雙極性接面型電晶體(bipolar junction transistors,BJT)、高壓電晶體(high voltage transistors)、高頻電晶體(high-frequency transistors)、P通道及/或N通道場效電晶體(p-channel and/or n-channel field-effect transistors,PFETs/NFETs)等)、二極體、及/或其他合適的元件。可執行各種製程來形成裝置元件，例如沉積、蝕刻、植入、光刻、退火、及/或其他合適的製程。
方法30包含有操作301，其中一待清潔的晶圓(例如半導體晶圓5)是被運送到一處理系統內(例如處理系統1)。在某些實施例中，如第2圖所示，在半導體晶圓5被移動至處理系統1內之前，可移動夾持件M1與可移動夾持件M2是移動到所述開啟位置。接著，半導體晶圓5是被放置於固定夾持件F1、固定夾持件F2、可移動夾持件M1以及可移動夾持件M2上。半導體晶圓5的邊緣是抵靠於固定夾持件F1與固定夾持件F2的拱台部44。
接著，可旋轉軸22被驅動件24驅動以繞著旋轉軸R(第5圖)轉動，藉以移動可移動夾持件M1與可移動夾持件M2 到如第3圖的關閉位置。當可移動夾持件M1與可移動夾持件M2是在關閉位置時，半導體晶圓5的邊緣是抵靠可移動夾持件M1、可移動夾持件M2、固定夾持件F1與固定夾持件F2的拱台部44。在晶圓清洗過程中，可移動夾持件M1與可移動夾持件M2會被維持在關閉位置，因此在清洗過程中半導體晶圓5是不斷地且穩定地被夾持。
在某些實施例中，在操作301之後且在半導體晶圓5被清洗液體清洗之前會測量可旋轉軸22的旋轉角度，藉以確保半導體晶圓5是被穩固地夾持。特別的是，當驅動件24的操作結束時，一感測器(圖中未表示)是用來測量可旋轉軸22的旋轉角度或其他用來驅動可旋轉軸22轉動的傳動元件。
之後，所測量的旋轉角度被傳輸到一電腦(圖中未表示)來進行分析。此電腦可比對測量的旋轉角度以及一預定值。假如測量的旋轉角度是大於此預定值，電腦可判斷出半導體晶圓5沒有位於夾持件上或是半導體晶圓5因夾持件過度操作而撞壞，並且觸發一警告狀態以通知維護人員以進行適當的操作。假如測量的旋轉角度是小於所述預定值，電腦可判斷出半導體晶圓5是沒有穩定地被固定，並且觸發一警告狀態以通知維護人員以進行適當的操作。
因為可旋轉軸是被密封環所保護以避免被清潔液體或清洗液體損壞，故減少了可旋轉軸被腐蝕而無法精確地控制旋轉角度的問題。因此，旋轉角度可以被準確測量，並且一誤報事件發生的可能性會降低。
在操作302中，可藉由供應例如臭氧(O3)至半導 體晶圓5的前面與背面來將半導體晶圓5上的有機物質移除。在操作303中，半導體晶圓5是被液體所清洗，例如使用二氧化碳水來移除在操作302中使用的臭氧。在操作304中，可藉由供應例如氟化氫(HF)至半導體晶圓5的前面與背面來將半導體晶圓5上的二氧化矽(SiO2)移除。在操作305中，半導體晶圓5再一次利用液體(例如二氧化碳水)進行清洗，以移除在操作305中所使用的氟化氫。在操作306中，執行一清潔製程以移除半導體晶圓5上的微粒及/或污染物，其中SC2溶液與一清洗噴液是多次交替地噴在半導體晶圓5上。
在操作315中，半導體晶圓5再一次利用液體(例如二氧化碳水)進行清洗，以移除在操作306中所使用的清潔溶液與清洗噴液。在操作316中，藉由供應例如SC2溶液至半導體晶圓5的前面與背面來將半導體晶圓5上的金屬離子(metal ions)移除。在某些實施例中，操作316包含一清潔製程(例如施行在操作306中的清潔製程)，其中SC2溶液與一清洗噴液是多次交替地噴在半導體晶圓5上。
在操作317中，半導體晶圓5再一次利用液體(例如二氧化碳水)進行清洗，以移除在操作316中所使用的SC2溶液。液體可由遮蔽板15所供應。在操作318中，藉由轉動半導體晶圓5以及由遮蔽板15供應乾燥氣體(例如氮氣)至半導體晶圓5上來乾燥半導體晶圓5。當供應乾燥氣體時，遮蔽板15可被降低至靠近半導體晶圓5的位置。方法30持續進行到操作319，以完成對半導體晶圓5的清潔。
清潔一半導體晶圓的方法與設備的實施例利用了 一些夾持機構來固定半導體晶圓。至少一密封環是設置於夾持機構的底面來阻擋清潔液體進入一穿孔，穿孔中間設有用來固定夾持機構的一轉軸。因為轉軸不會被腐蝕性清潔液體污染，所以轉軸的使用壽命可以被延長。因此，可以減少維護清潔裝置的勞力，從而降低製造成本。
本發明實施例提供一種半導體晶圓清洗設備。半導體晶圓清洗設備包含一旋轉基座，具有一穿孔。半導體晶圓清洗設備進一步包含有一轉軸，延伸穿過穿孔。半導體晶圓清洗設備也包含有一夾持件。夾持件是蓋合於穿孔且連接於轉軸。連通於穿孔之一間隙係形成於旋轉基座以及夾持件之間。此外，半導體晶圓清洗設備包含一密封環。密封環是鄰接於間隙且相較於間隙位於遠離轉軸的位置。
根據一些實施例，夾持件具有一傾斜面，配置以夾住一晶圓的邊緣，其中傾斜面與旋轉基座的一中心之間的距離是實質地相等於晶圓的半徑。
根據一些實施例，密封環包含一O形環，環繞穿孔。
根據一些實施例，旋轉基座具有一凸緣，形成在穿孔的一邊緣，並且間隙是形成於凸緣以及夾持件的一底部表面之間。
根據一些實施例，密封環是位於夾持件的下方，並且凸緣在一垂直方向上的高度等於密封環的高度。
根據一些實施例，夾持件的底部表面包含一中間區域以及一邊緣區域。中間區域是連接於凸緣且具有對應於凸緣的形狀，其中間隙形成於底部表面的中間區域與凸緣之間。 邊緣區域是位於中間區域與底部表面的一邊緣之間。邊緣區域是被密封環遮蓋。
根據一些實施例，轉軸是繞一旋轉軸轉動，旋轉軸係穿過穿孔，並且夾持件是藉由改變轉軸的旋轉角度以轉動至一關閉位置或一開啟位置。
本發明實施例提供另一種半導體晶圓清洗設備。半導體晶圓清洗設備包含一旋轉基座，具有一穿孔。半導體晶圓清洗設備進一步包含有一轉軸，延伸穿過穿孔。半導體晶圓清洗設備也包含一夾持件。夾持件是蓋合於穿孔且連接於轉軸。旋轉基座的一頂面具有一遮蔽區，由穿孔的一內壁延伸到夾持件的一最外側壁在頂面的正交投影。此外，半導體晶圓清洗設備包含一密封環。密封環是設置於頂面的遮蔽區。
根據一些實施例，旋轉基座在遮蔽區內具有一凸緣，形成在穿孔的一邊緣，並且一間隙是形成於凸緣以及夾持件的一底部表面之間。密封環相較於間隙位於遠離穿孔的位置。
本發明實施例提供另一種半導體晶圓清洗設備。半導體晶圓清洗設備包含一旋轉基座。旋轉基座具有一穿孔以及位於穿孔的邊緣的一凸緣。半導體晶圓清洗設備進一步包含一轉軸，延伸穿過穿孔。半導體晶圓清洗設備也包含一夾持件，設置於凸緣上且蓋合於穿孔。此外，半導體晶圓清洗設備包含一密封環，具有與凸緣相同的高度。密封環設置於夾持件的下方且相較於凸緣位於遠離轉軸的位置。
雖然本發明實施例的實施例及其優點已揭露如 上，但應該瞭解的是，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明實施例之精神和範圍內，當可作更動、替代與潤飾。此外，本發明實施例之保護範圍並未侷限於說明書內所述特定實施例中的製程、機器、製造、物質組成、裝置、方法及步驟，任何所屬技術領域中具有通常知識者可從本發明實施例揭示內容中理解現行或未來所發展出的製程、機器、製造、物質組成、裝置、方法及步驟，只要可以在此處所述實施例中實施大抵相同功能或獲得大抵相同結果皆可根據本發明實施例使用。因此，本發明實施例之保護範圍包括上述製程、機器、製造、物質組成、裝置、方法及步驟。另外，每一申請專利範圍構成個別的實施例，且本發明實施例之保護範圍也包括各個申請專利範圍及實施例的組合。

Claims (10)

  1. 一種半導體晶圓清洗設備，包含：一旋轉基座，具有一穿孔；一轉軸，延伸穿過該穿孔；一夾持件，蓋合於該穿孔以及該轉軸且連接於該轉軸，其中連通於該穿孔之一間隙係形成於該旋轉基座以及該夾持件之間；以及一密封環，鄰接於該間隙且相較於該間隙位於遠離該轉軸的位置。
  2. 一種半導體晶圓清洗設備，包含：一旋轉基座，具有一穿孔；一轉軸，延伸穿過該穿孔；一夾持件，蓋合於該穿孔以及該轉軸且連接於該轉軸，其中該旋轉基座的一頂面具有一遮蔽區，由該穿孔的一內壁延伸到該夾持件的一最外側壁在該頂面的正交投影；以及一密封環，設置於該頂面的該遮蔽區。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述之半導體晶圓清洗設備，其中該密封環包含一O形環，環繞該穿孔。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之半導體晶圓清洗設備，其中該旋轉基座在該遮蔽區內具有一凸緣，形成在該穿孔的一邊緣，並且一間隙是形成於該凸緣以及該夾持件的一底部表面之間；其中，該密封環相較於該間隙位於遠離該穿孔的位置。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之半導體晶圓清洗設備，其中該 密封環是位於該夾持件的下方，並且該凸緣在一垂直方向上的高度等於該密封環的高度。
  6. 如申請專利範圍第1或2項所述之半導體晶圓清洗設備，其中該轉軸是繞一旋轉軸轉動，該旋轉軸係穿過該穿孔，並且該夾持件是藉由改變該轉軸的旋轉角度以轉動至一關閉位置或一開啟位置。
  7. 一種半導體晶圓清洗設備，包含：一旋轉基座，具有一穿孔以及位於該穿孔的邊緣的一凸緣；一轉軸，延伸穿過該穿孔；一夾持件，設置於該凸緣上且蓋合於該穿孔；以及一密封環，具有與該凸緣相同的高度，設置於該夾持件的下方且相較於該凸緣位於遠離該轉軸的位置。
  8. 如申請專利範圍第1、2或7項中任一項所述之半導體晶圓清洗設備，其中該夾持件具有一傾斜面，配置以夾住一半導體晶圓的邊緣，其中該傾斜面與該旋轉基座的一中心之間的距離是實質地相等於該半導體晶圓的半徑。
  9. 如申請專利範圍第7項所述之半導體晶圓清洗設備，其中一間隙是形成於該凸緣以及該夾持件的一底部表面之間。
  10. 如申請專利範圍第4或9項所述之半導體晶圓清洗設備，其中該夾持件的該底部表面包含：一中間區域，連接於該凸緣且具有對應於該凸緣的形狀，其中該間隙形成於該底部表面的該中間區域與該凸緣之間；以及一邊緣區域，位於該中間區域與該底部表面的一邊緣之 間，其中該邊緣區域是被該密封環遮蓋。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210082294A (ko) * 2019-12-24 2021-07-05 주식회사 제우스 틸팅 제어 장치
CN112216649B (zh) * 2020-10-14 2023-03-10 中国电子科技集团公司第二十四研究所 一种可固定任意异形晶圆的旋转清洗夹具
US11551923B2 (en) * 2021-01-15 2023-01-10 Phoenix Silicon International Corp. Taiko wafer ring cut process method
CN113241322B (zh) * 2021-07-08 2021-11-16 杭州众硅电子科技有限公司 一种多工位夹取装置
CN113539777B (zh) * 2021-07-07 2022-11-08 长鑫存储技术有限公司 一种治具
CN114171435A (zh) * 2021-11-29 2022-03-11 华海清科股份有限公司 一种晶圆清洗装置
CN116174383B (zh) * 2023-04-25 2023-07-04 保定三晶电子材料有限公司 一种具有循环利用功能的锗单晶片生产用清洗设备

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201036102A (en) * 2009-03-19 2010-10-01 Taiwan Semiconductor Mfg Process equipment and O-ring thereof
TW201535589A (zh) * 2014-01-14 2015-09-16 Lam Res Ag 晶圓狀物件之液體處理用方法及設備

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4724621A (en) * 1986-04-17 1988-02-16 Varian Associates, Inc. Wafer processing chuck using slanted clamping pins
IL180448A0 (en) 2006-01-30 2007-06-03 Tool Internat Ag F Clamping apparatus
US9136155B2 (en) 2011-11-17 2015-09-15 Lam Research Ag Method and device for processing wafer shaped articles
CN205251138U (zh) 2015-12-18 2016-05-25 南城韩睿实业有限公司 一种真空杯
US10068792B2 (en) * 2016-05-31 2018-09-04 Lam Research Ag Method and apparatus for liquid treatment of wafer shaped articles

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201036102A (en) * 2009-03-19 2010-10-01 Taiwan Semiconductor Mfg Process equipment and O-ring thereof
TW201535589A (zh) * 2014-01-14 2015-09-16 Lam Res Ag 晶圓狀物件之液體處理用方法及設備

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