TWI667061B - Exhaust gas introduction device - Google Patents

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    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F23—COMBUSTION APPARATUS; COMBUSTION PROCESSES
    • F23G—CREMATION FURNACES; CONSUMING WASTE PRODUCTS BY COMBUSTION
    • F23G7/00—Incinerators or other apparatus for consuming industrial waste, e.g. chemicals
    • F23G7/06—Incinerators or other apparatus for consuming industrial waste, e.g. chemicals of waste gases or noxious gases, e.g. exhaust gases
    • F23G7/061—Incinerators or other apparatus for consuming industrial waste, e.g. chemicals of waste gases or noxious gases, e.g. exhaust gases with supplementary heating
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F23—COMBUSTION APPARATUS; COMBUSTION PROCESSES
    • F23G—CREMATION FURNACES; CONSUMING WASTE PRODUCTS BY COMBUSTION
    • F23G2209/00—Specific waste
    • F23G2209/14—Gaseous waste or fumes

Abstract

本發明提供一種廢氣導入裝置，包括一加熱器一端植入一反應腔室內且坐落於該反應腔室的中心線上，多支廢氣導入管一端分別與該反應腔室相連通，等數於所述廢氣導入管的彎摺管具有一第一管部及一第二管部，各該第一管部係套接於所述廢氣導入管內，而使各該第二管部穿探至該反應腔室，其中各該第二管部形成一排氣口，各該第二管部的管心線排除與該中心線相交，且各該第二管部的管心線與一水平面之間具有一傾角，使得所述多個排氣口能導入廢氣形成一環狀的廢氣迴旋路徑；藉此，改善廢氣因接觸火燄或熱空氣的時間有限而導致燒結效果不佳的問題。

Description

廢氣導入裝置
本發明涉及半導體廢氣處理設備中廢氣導入反應腔室內的供應技術，特別是有關於一種廢氣導入裝置。
周知，半導體製程所生成的廢氣包含有SiH4、H2SiCl2(DCS)、WF6、BF3、NF3、SF6、CF4、C2F6 C3F8等，其中NF3、SF6、CF4、C2F6及C3F8等歸屬有害的氟化物(Per Fluorinated Compounds,PFC)，倘若排放至大氣中，會造成環境污染，甚至於溫室效應，對地球暖化造成嚴重的影響，因此必須將該等廢氣處理成無害的氣體。
坊間所泛用的半導體廢氣處理設備，就是用於將上述廢氣處理成無害的氣體。一般而言，已知的半導體廢氣處理設備皆設有廢氣的反應腔室，半導體製程所生成的廢氣係導入反應腔室內，並且在反應腔室內以火燄或熱空氣所提供的高溫，對所述廢氣進行燒結(即燒結反應)；特別的，透過高溫的燒結反應，可將例如是有害的NF3、SF6、CF4、C2F6及C3F8等氟化物氣體分解成無害的氟離子(F-)，進而達到淨化廢氣的目的。
且知，半導體廢氣處理設備包含有廢氣導入管及加熱器，其中，廢氣導入管之一端植入反應腔室而形成有一出口，廢氣導入管經由其出口而與反應腔室相連通，廢氣導入管用來導引廢氣進入反應腔室內。加熱器之一端植入反應腔室內而坐落於反應腔室的中央處，加熱器是用來在反應腔室的中央處產生火燄或熱空氣。進一步的說，廢氣導入管的出口是朝向反應腔室的中央處，使廢氣流向加熱器所產生的火燄或熱空氣，藉由火燄或熱 空氣的高溫來燒結廢氣。
然而，當廢氣經由廢氣導入管的出口導入反應腔室瞬間，由於廢氣導入管的出口是朝向反應腔室的中央處，使得廢氣是沿直線路徑移動來接觸加熱器在反應腔室的中央處所產生的火燄或熱空氣，導致廢氣接觸火燄或熱空氣的時間有限，乃至於廢氣的燒結效果不佳，因此，如何增加廢氣接觸火燄或熱空氣的時間，便成為一項有待克服的技術課題。
有鑑於此，本發明的主要目的在於改善半導體廢氣在反應腔室內接觸火燄或熱空氣的時間有限，導致廢氣的燒結效果不佳的問題，進而提供一種廢氣導入裝置，包括：一反應腔室，具有一中心線；一加熱器，其一端植入該反應腔室內且坐落於該中心線上，並且沿該中心線提供一熱源進入該反應腔室；多支廢氣導入管，其一端分別與該反應腔室相連通；及等數於所述廢氣導入管的彎摺管，分別具有相互連通形成的一第一管部及一第二管部，各該第一管部沿著一第一管心線延伸形成，各該第二管部沿著一第二管心線延伸形成，且各該第一管部係套接於所述廢氣導入管內，而使各該第二管部穿探至該反應腔室；其中，各該第一管心線與第二管心線之間具一彎摺角θ1，且各該第二管部沿著第二管心線延伸形成一排氣口，各該第二管心線排除與該中心線相交，且各該第二管心線與一水平面之間具有一朝向反應腔室內斜傾的傾角θ2，該傾角θ2大於0度且小於90度，使得所述多個排氣口能在該反應腔室內斜傾式的間隔圍繞於該熱源的四周，進而導入廢氣形成一環狀的廢氣迴旋路徑。
在進一步實施中，該中心線垂直於該水平面，且該第一管心線與該中心線相交。其中該彎摺角θ1大於90度且小於180度。
在進一步實施中，該反應腔室形成於一半導體廢氣處理槽內，該半導體廢氣處理槽的頂部罩設有一頭蓋，該頭蓋具 有一錐盤形的內壁面，該內壁面上間隔形成有多個管孔，所述多支廢氣導入管係分別穿設於該管孔。
在進一步實施中，相互套接的各該第一管部與各該廢氣導入管之間配置有一O形環。
根據上述裝置，本發明可產生的技術功效在於：廢氣藉由彎摺管的導引在反應腔室內呈渦旋狀的流動，能增加廢氣通過反應腔室的時間，使廢氣充分的接觸火燄或熱空氣，進而提高廢氣的燒結效果。
以上所述技術手段及其產生效能的具體實施細節，請參照下列實施例及圖式加以說明。
1‧‧‧半導體廢氣處理槽
10‧‧‧反應腔室
11‧‧‧中心線
20‧‧‧加熱器
30‧‧‧廢氣導入管
31‧‧‧入口
32‧‧‧出口
40‧‧‧彎摺管
41‧‧‧第一管部
411‧‧‧第一管心線
42‧‧‧第二管部
421‧‧‧第二管心線
422‧‧‧排氣口
423‧‧‧廢氣迴旋路徑
50‧‧‧頭蓋
51‧‧‧內壁面
52‧‧‧管孔
60‧‧‧O形環
70‧‧‧水平面
θ1‧‧‧彎摺角
θ2‧‧‧傾角
圖1是本發明之一較佳實施例的剖示圖；圖2是圖1中所示彎摺管在反應腔室內的仰視圖；圖3是圖1中所示彎摺管套接於廢氣導入管內的放大剖示圖；圖4是圖1的動作示意圖；圖5是圖2的動作示意圖。
首先，請參閱圖1，揭露本發明之一較佳實施例的態樣，說明本發明提供的廢氣導入裝置，包括一反應腔室10、一加熱器20、多支廢氣導入管30及等數於所述廢氣導入管30的彎摺管40，其中：該反應腔室10是形成於一半導體廢氣處理槽1內，該反應腔室10為一圓柱狀的空間，該反應腔室10具有一中心線11。半導體製程所生成的廢氣是導入反應腔室10內，並且在反應腔室10內以火燄或熱空氣所提供的高溫，對所述廢氣進行燒結，可將廢氣中有害的NF3、SF6、CF4、C2F6及C3F8等氟化物氣體分解成無害的氟離子(F-)，進而達到淨化廢氣的目的。
該加熱器20是配置於反應腔室10的頂部，在具體 實施上，該半導體廢氣處理槽1的頂部罩設有一頭蓋50，該加熱器20是配置於頭蓋50上而使加熱器20之一端植入反應腔室10內並坐落於反應腔室10的中心線11上，使加熱器20能沿中心線11提供一熱源進入反應腔室10的中央處，該熱源在實施上為火燄或熱空氣。更具體的說，該加熱器20可以是火燄產生器，能供應火燄來燒結廢氣。或者，該加熱器20可以是熱棒，能供應熱空氣來燒結廢氣。
所述廢氣導入管30是配置於反應腔室10的頂部，在具體實施上，所述廢氣導入管30是配置於頭蓋50上而使廢氣導入管30連通反應腔室10，使廢氣導入管30能由反應腔室10的頂部導引廢氣進入反應腔室10內。所述多支廢氣導入管30是等間隔的坐落於加熱器20的周圍，使所述多支廢氣導入管30能導引廢氣均勻的分佈於反應腔室10內。
進一步的說，該頭蓋50具有一圍繞中心線11之錐盤形的內壁面51，該內壁面51上間隔形成有多個管孔52，所述多支廢氣導入管30是分別穿設於該管孔52而連通該反應腔室10。更進一步的說，所述廢氣導入管30之雙端分別形成有一相互連通的入口31及一出口32，所述廢氣導入管30經由該入口31而連接一廢氣供應端(未繪示)，所述廢氣導入管30經由該出口32而連通反應腔室10。其中，所述廢氣導入管30之入口31是朝相同的方向，以利於所述廢氣導入管30連接廢氣供應端。所述廢氣導入管30的出口32是朝向反應腔室10的中央處。
請合併參閱圖1及圖2，說明所述彎摺管40分別具有相互連通形成一第一管部41及一第二管部42，各該第一管部41是沿著一第一管心線411延伸形成，各該第二管部42是沿著一第二管心線421延伸形成，各該第一管心線411與第二管心線421之間具有一彎摺角θ1(如圖2所示)，該彎摺角θ1是大於90度且小於180度。各該第一管部41及各該第二管部42在實施上分別為一直管，所述彎摺管40是由該第一管部41及該第二管部42以 焊接的方式連接而成。進一步的說，各該第一管部41是套接於所述廢氣導入管30內，而使各該第二管部42穿探至該反應腔室10。其中各該第二管部42沿著第二管心線421延伸形成有一排氣口422，該排氣口422是坐落於該反應腔室10內，使廢氣能通過各該第二管部42的排氣口422沿著各該第二管心線421的方向導入該反應腔室10內。
在具體實施上，該第二管心線421排除與該中心線11相交，且該第二管心線421與一水平面70之間具有一朝向反應腔室10內斜傾的傾角θ2(如圖1所示)，該傾角θ2大於0度且小於90度，使得所述多個排氣口422能在該反應腔室10內斜傾式的間隔圍繞於該熱源的四周。藉此，使廢氣經由第二管部42的導引而在反應腔室10內沿一環狀的廢氣迴旋路徑423(如圖4及圖5所示)而呈渦旋狀的流動，能增加廢氣通過反應腔室10的時間。
請合併參閱圖1及圖3，說明各該第一管部41與各該廢氣導入管30之間為餘隙配合，使各該第一管部41套接於各該廢氣導入管30內，令各該第二管部42能以各該第一管部41的第一管心線411為圓心旋轉，藉此調整各該第二管部42與該水平面70之間的傾角θ2。進一步的說，相互套接的各該第一管部41與各該廢氣導入管30之間配置有一O形環60，利用O形環60分別與各該第一管部41外壁及各該與廢氣導入管30內壁之間所生成的摩擦力，使各該第一管部41定位於各該廢氣導入管30內，除了能避免各該第一管部41由各該廢氣導入管30內鬆脫，還能維持各該第二管部42與該水平面70之間的傾角θ2。
請合併參閱圖4及圖5，說明廢氣由廢氣供應端通過入口31進入廢氣導入管30內，然後，廢氣依序通過第一管部41及第二管部42導入反應腔室10內，廢氣經由第二管部42的導引在反應腔室10內沿環狀的廢氣迴旋路徑423而呈渦旋狀的流動，能增加廢氣通過反應腔室10的時間，使廢氣充分的接觸加熱器20所提供的火燄或熱空氣，進而提高廢氣的燒結效果。
以上實施例僅為表達了本發明的較佳實施方式，但並不能因此而理解為對本發明專利範圍的限制。應當指出的是，對於本發明所屬技術領域中具有通常知識者而言，在不脫離本發明構思的前提下，還可以做出複數變形和改進，這些都屬於本發明的保護範圍。因此，本發明應以申請專利範圍中限定的請求項內容為準。

Claims (4)

  1. 一種廢氣導入裝置，包括：一反應腔室，具有一中心線；一加熱器，其一端植入該反應腔室內且坐落於該中心線上，並且沿該中心線提供一熱源進入該反應腔室；多支廢氣導入管，其一端分別與該反應腔室相連通；及等數於所述廢氣導入管的彎摺管，分別具有相互連通形成的一第一管部及一第二管部，各該第一管部沿著一第一管心線延伸形成，各該第二管部沿著一第二管心線延伸形成，且各該第一管部係套接於所述廢氣導入管內，而使各該第二管部穿探至該反應腔室；其中，各該第一管心線與第二管心線之間具一彎摺角θ1，該彎摺角θ1大於90度且小於180度，且各該第二管部沿著第二管心線延伸形成一排氣口，各該第二管心線排除與該中心線相交，且各該第二管心線與一水平面之間具有一朝向反應腔室內斜傾的傾角θ2，該傾角θ2大於0度且小於90度，使得所述多個排氣口能在該反應腔室內斜傾式的間隔圍繞於該熱源的四周，進而導入廢氣形成一環圈狀的廢氣迴旋路徑。
  2. 如請求項1所述廢氣導入裝置，其中該中心線垂直於該水平面，且該第一管心線與該中心線相交。
  3. 如請求項1所述廢氣導入裝置，其中該反應腔室形成於一半導體廢氣處理槽內，該半導體廢氣處理槽的頂部罩設有一頭蓋，該頭蓋具有一錐盤形的內壁面，該內壁面上間隔形成有多個管孔，所述多支廢氣導入管係分別穿設於該管孔。
  4. 如請求項1所述廢氣導入裝置，其中相互套接的各該第一管部與各該廢氣導入管之間配置有一O形環。
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Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990038017A (ko) * 1997-11-03 1999-06-05 이해규 연소가스중의 유해산성가스 제거용 분무건조흡수탑
US20030019812A1 (en) * 2000-06-26 2003-01-30 Berger Terry A. Exhaust gas collection system for supercritical fluid chromatography
KR20100009228A (ko) * 2008-07-18 2010-01-27 주식회사 케이피씨 폐가스 처리장치
US8323383B2 (en) * 2007-02-16 2012-12-04 Siemens Vai Metals Technologies Ltd. Cyclone with classifier inlet and small particle by-pass
WO2015133161A1 (ja) * 2014-03-06 2015-09-11 太平洋エンジニアリング株式会社 セメント焼成装置及びセメントキルン排ガスの脱硝方法
TW201803639A (zh) * 2016-07-18 2018-02-01 東服企業股份有限公司 半導體製程廢氣燒結反應後捕捉生成物的方法及其裝置
TWM570746U (zh) * 2018-12-01 Exhaust gas introduction device

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4116618A (en) * 1977-07-13 1978-09-26 Combustion Unlimited Incorporated Flame retention apparatus for flares
AT390206B (de) * 1988-04-22 1990-04-10 Howorka Franz Einrichtung zum thermischen zerlegen von fluiden schadstoffen
CN1268416C (zh) * 2003-03-19 2006-08-09 东服企业有限公司 一种提高半导体制造业废气净化效率的方法
CN102796850B (zh) * 2012-09-06 2013-09-11 四川惊雷科技股份有限公司 大型地坑燃气式热处理炉

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWM570746U (zh) * 2018-12-01 Exhaust gas introduction device
KR19990038017A (ko) * 1997-11-03 1999-06-05 이해규 연소가스중의 유해산성가스 제거용 분무건조흡수탑
US20030019812A1 (en) * 2000-06-26 2003-01-30 Berger Terry A. Exhaust gas collection system for supercritical fluid chromatography
US8323383B2 (en) * 2007-02-16 2012-12-04 Siemens Vai Metals Technologies Ltd. Cyclone with classifier inlet and small particle by-pass
KR20100009228A (ko) * 2008-07-18 2010-01-27 주식회사 케이피씨 폐가스 처리장치
WO2015133161A1 (ja) * 2014-03-06 2015-09-11 太平洋エンジニアリング株式会社 セメント焼成装置及びセメントキルン排ガスの脱硝方法
TW201803639A (zh) * 2016-07-18 2018-02-01 東服企業股份有限公司 半導體製程廢氣燒結反應後捕捉生成物的方法及其裝置

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