CN209279169U - 废气导入装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种废气导入装置，包括一加热器一端植入一反应腔室内且坐落于该反应腔室的中心线上，多支废气导入管一端分别与该反应腔室相连通，等数于所述废气导入管的弯折管具有一第一管部及一第二管部，各该第一管部枢设于所述废气导入管内，而使各该第二管部穿探至该反应腔室，其中各该第二管部形成一排气口，各该第二管部的管心线排除与该中心线相交，且各该第二管部的管心线与一水平面之间具有一倾角，使得所述多个排气口能导入废气形成一环状的废气回旋路径；如此，改善废气因接触火焰或热空气的时间有限而导致烧结效果不佳的问题。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体废气处理设备中废气导入反应腔室内的供应技术，特别是有关于一种废气导入装置。
背景技术
周知，半导体制程所生成的废气包含有SiH4、H2SiCl2(DCS)、WF6、BF3、NF3、SF6、CF4、C2F6C3F8等，其中NF3、SF6、CF4、C2F6及C3F8等归属有害的氟化物(Per FluorinatedCompounds,PFC)，倘若排放至大气中，会造成环境污染，甚至于温室效应，对地球暖化造成严重的影响，因此必须将所述的这些废气处理成无害的气体。
坊间所泛用的半导体废气处理设备，就是用于将上述废气处理成无害的气体。一般而言，已知的半导体废气处理设备都设有废气的反应腔室，半导体制程所生成的废气导入反应腔室内，并且在反应腔室内以火焰或热空气所提供的高温，对所述废气进行烧结(即烧结反应)；特别的，通过高温的烧结反应，可将例如是有害的NF3、SF6、CF4、C2F6及C3F8等氟化物气体分解成无害的氟离子(F-)，进而达到净化废气的目的。
且知，半导体废气处理设备包含有废气导入管及加热器，其中，废气导入管的一端植入反应腔室而形成有一出口，废气导入管经由其出口而与反应腔室相连通，废气导入管用来导引废气进入反应腔室内。加热器的一端植入反应腔室内而坐落于反应腔室的中央处，加热器是用来在反应腔室的中央处产生火焰或热空气。进一步的说，废气导入管的出口是朝向反应腔室的中央处，使废气流向加热器所产生的火焰或热空气，凭借火焰或热空气的高温来烧结废气。
然而，当废气经由废气导入管的出口导入反应腔室瞬间，由于废气导入管的出口是朝向反应腔室的中央处，使得废气是沿直线路径移动来接触加热器在反应腔室的中央处所产生的火焰或热空气，导致废气接触火焰或热空气的时间有限，乃至于废气的烧结效果不佳，因此，如何增加废气接触火焰或热空气的时间，便成为一项有待克服的技术课题。
实用新型内容
有鉴于此，本实用新型的主要目的在于改善半导体废气在反应腔室内接触火焰或热空气的时间有限，导致废气的烧结效果不佳的问题。
为达到上述目的，本实用新型提供一种废气导入装置，其特征是包括：
一反应腔室，具有一中心线；
一加热器，其一端植入该反应腔室内且坐落于该中心线上，并且沿该中心线提供一热源进入该反应腔室；
多支废气导入管，其一端分别与该反应腔室相连通；及
等数于所述废气导入管的弯折管，分别具有相互连通形成的一第一管部及一第二管部，各该第一管部沿着一第一管心线延伸形成，各该第二管部沿着一第二管心线延伸形成，且各该第一管部枢设于所述废气导入管内，而使各该第二管部穿探至该反应腔室；
其中，各该第二管部沿着第二管心线延伸形成一排气口，各该第二管心线排除与该中心线相交，且各该第二管心线与一水平面之间具有一朝向反应腔室内斜倾的倾角，该倾角大于0度且小于90度，使得所述多个排气口能在该反应腔室内斜倾式地间隔围绕于该热源的四周，进而导入废气形成一环圈状的废气回旋路径。
该中心线垂直于该水平面，且该第一管心线与该中心线相交。
该反应腔室形成于一半导体废气处理槽内，该半导体废气处理槽的顶部罩设有一头盖，该头盖具有一锥盘形的内壁面，该内壁面上间隔形成有多个管孔，所述多支废气导入管分别穿设于该管孔。
相互枢接的各该第一管部与各该废气导入管之间配置有一O型环。
根据上述装置，本实用新型可产生的技术功效在于：废气凭借弯折管的导引在反应腔室内呈涡旋状的流动，能增加废气通过反应腔室的时间，使废气充分的接触火焰或热空气，进而提高废气的烧结效果。
以上所述技术手段及其产生效能的具体实施细节，请参照下列实施例及图式加以说明。
附图说明
图1是本实用新型的一较佳实施例的剖示图；
图2是图1中所示弯折管在反应腔室内的仰视图；
图3是图1中所示弯折枢设于废气导入管内的放大剖示图；
图4是图1的动作示意图；
图5是图2的动作示意图。
附图标记说明：1-半导体废气处理槽；10-反应腔室；11-中心线；20-加热器；30-废气导入管；31-入口；32-出口；40-弯折管；41-第一管部；411-第一管心线；42-第二管部；421-第二管心线；422-排气口；423-废气回旋路径；50-头盖；51-内壁面；52-管孔；60-O型环；70-水平面；θ1-弯折角；θ2-倾角。
具体实施方式
首先，请参阅图1，揭示本实用新型的一较佳实施例的态样，说明本实用新型提供的废气导入装置，包括一反应腔室10、一加热器20、多支废气导入管30及等数于所述废气导入管30的弯折管40，其中：
该反应腔室10是形成于一半导体废气处理槽1内，该反应腔室10为一圆柱状的空间，该反应腔室10具有一中心线11。半导体制程所生成的废气是导入反应腔室10内，并且在反应腔室10内以火焰或热空气所提供的高温，对所述废气进行烧结，可将废气中有害的NF3、SF6、CF4、C2F6及C3F8等氟化物气体分解成无害的氟离子(F-)，进而达到净化废气的目的。
该加热器20是配置于反应腔室10的顶部，在具体实施上，该半导体废气处理槽1的顶部罩设有一头盖50，该加热器20是配置于头盖50上而使加热器20的一端植入反应腔室10内并坐落于反应腔室10的中心线11上，使加热器20能沿中心线11提供一热源进入反应腔室10的中央处，该热源在实施上为火焰或热空气。更具体的说，该加热器20可以是火焰产生器，能供应火焰来烧结废气。或者，该加热器20可以是热棒，能供应热空气来烧结废气。
所述废气导入管30是配置于反应腔室10的顶部，在具体实施上，所述废气导入管30是配置于头盖50上而使废气导入管30连通反应腔室10，使废气导入管30能由反应腔室10的顶部导引废气进入反应腔室10内。所述多支废气导入管30是等间隔的坐落于加热器20的周围，使所述多支废气导入管30能导引废气均匀的分布于反应腔室10内。
进一步的说，该头盖50具有一围绕中心线11的锥盘形的内壁面51，该内壁面51上间隔形成有多个管孔52，所述多支废气导入管30是分别穿设于该管孔52而连通该反应腔室10。更进一步的说，所述废气导入管30的双端分别形成有一相互连通的入口31及一出口32，所述废气导入管30经由该入口31而连接一废气供应端(未绘示)，所述废气导入管30经由该出口32而连通反应腔室10。其中，所述废气导入管30的入口31是朝相同的方向，以利于所述废气导入管30连接废气供应端。所述废气导入管30的出口32是朝向反应腔室10的中央处。
请合并参阅图1及图2，说明所述弯折管40分别具有相互连通形成一第一管部41及一第二管部42，各该第一管部41是沿着一第一管心线411延伸形成，各该第二管部42是沿着一第二管心线421延伸形成，各该第一管心线411与第二管心线421之间具有一弯折角θ1(如图2所示)，该弯折角θ1是大于90度且小于180度。各该第一管部41及各该第二管部42在实施上分别为一直管，所述弯折管40是由该第一管部41及该第二管部42以焊接的方式连接而成。进一步的说，各该第一管部41是枢设于所述废气导入管30内，而使各该第二管部42穿探至该反应腔室10。其中各该第二管部42沿着第二管心线421延伸形成有一排气口422，该排气口422是坐落于该反应腔室10内，使废气能通过各该第二管部42的排气口422沿着各该第二管心线421的方向导入该反应腔室10内。
在具体实施上，该第二管心线421排除与该中心线11相交，且该第二管心线421与一水平面70之间具有一朝向反应腔室10内斜倾的倾角θ2(如图1所示)，该倾角θ2大于0度且小于90度，使得所述多个排气口422能在该反应腔室10内斜倾式的间隔围绕于该热源的四周。如此，使废气经由第二管部42的导引而在反应腔室10内沿一环状的废气回旋路径423(如图4及图5所示)而呈涡旋状的流动，能增加废气通过反应腔室10的时间。
请合并参阅图1及图3，说明各该第一管部41与各该废气导入管30之间为余隙配合，使各该第一管部41枢设于各该废气导入管30内，令各该第二管部42能以各该第一管部41的第一管心线411为圆心旋转，如此调整各该第二管部42与该水平面70之间的倾角θ2。进一步的说，相互枢接的各该第一管部41与各该废气导入管30之间配置有一O型环60，利用O型环60分别与各该第一管部41外壁及各该与废气导入管30内壁之间所生成的摩擦力，使各该第一管部41定位于各该废气导入管30内，除了能避免各该第一管部41由各该废气导入管30内松脱，还能维持各该第二管部42与该水平面70之间的倾角θ2。
请合并参阅图4及图5，说明废气由废气供应端通过入口31进入废气导入管30内，然后，废气依序通过第一管部41及第二管部42导入反应腔室10内，废气经由第二管部42的导引在反应腔室10内沿环状的废气回旋路径423而呈涡旋状的流动，能增加废气通过反应腔室10的时间，使废气充分的接触加热器20所提供的火焰或热空气，进而提高废气的烧结效果。
以上说明对本实用新型而言只是说明性的，而非限制性的，本领域普通技术人员理解，在不脱离权利要求所限定的精神和范围的情况下，可作出许多修改、变化或等效，但都将落入本实用新型的保护范围之内。
Claims (4)
1.一种废气导入装置，其特征是包括：
一反应腔室，具有一中心线；
一加热器，其一端植入该反应腔室内且坐落于该中心线上，并且沿该中心线提供一热源进入该反应腔室；
多支废气导入管，其一端分别与该反应腔室相连通；及
等数于所述废气导入管的弯折管，分别具有相互连通形成的一第一管部及一第二管部，各该第一管部沿着一第一管心线延伸形成，各该第二管部沿着一第二管心线延伸形成，且各该第一管部枢设于所述废气导入管内，而使各该第二管部穿探至该反应腔室；
其中，各该第二管部沿着第二管心线延伸形成一排气口，各该第二管心线排除与该中心线相交，且各该第二管心线与一水平面之间具有一朝向反应腔室内斜倾的倾角，该倾角大于0度且小于90度，使得所述多个排气口能在该反应腔室内斜倾式地间隔围绕于该热源的四周，进而导入废气形成一环圈状的废气回旋路径。
2.如权利要求1所述废气导入装置，其特征在于：该中心线垂直于该水平面，且该第一管心线与该中心线相交。
3.如权利要求1所述废气导入装置，其特征在于：该反应腔室形成于一半导体废气处理槽内，该半导体废气处理槽的顶部罩设有一头盖，该头盖具有一锥盘形的内壁面，该内壁面上间隔形成有多个管孔，所述多支废气导入管分别穿设于该管孔。
4.如权利要求1所述废气导入装置，其特征在于：相互枢接的各该第一管部与各该废气导入管之间配置有一O型环。
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