TWI663050B - 鋁板 - Google Patents

鋁板 Download PDF

Info

Publication number
TWI663050B
TWI663050B TW104128359A TW104128359A TWI663050B TW I663050 B TWI663050 B TW I663050B TW 104128359 A TW104128359 A TW 104128359A TW 104128359 A TW104128359 A TW 104128359A TW I663050 B TWI663050 B TW I663050B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
holes
aluminum plate
hole
aluminum
oxide film
Prior art date
Application number
TW104128359A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201612006A (en
Inventor
川口順二
Original Assignee
日商富士軟片股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商富士軟片股份有限公司 filed Critical 日商富士軟片股份有限公司
Publication of TW201612006A publication Critical patent/TW201612006A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI663050B publication Critical patent/TWI663050B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
    • H01G11/66—Current collectors
    • H01G11/70—Current collectors characterised by their structure
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
    • C25D11/02—Anodisation
    • C25D11/04—Anodisation of aluminium or alloys based thereon
    • C25D11/06—Anodisation of aluminium or alloys based thereon characterised by the electrolytes used
    • C25D11/08—Anodisation of aluminium or alloys based thereon characterised by the electrolytes used containing inorganic acids
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
    • C25D11/02—Anodisation
    • C25D11/04—Anodisation of aluminium or alloys based thereon
    • C25D11/18—After-treatment, e.g. pore-sealing
    • C25D11/20—Electrolytic after-treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
    • C25D11/02—Anodisation
    • C25D11/04—Anodisation of aluminium or alloys based thereon
    • C25D11/18—After-treatment, e.g. pore-sealing
    • C25D11/24—Chemical after-treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25F—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
    • C25F3/00—Electrolytic etching or polishing
    • C25F3/02—Etching
    • C25F3/04—Etching of light metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25F—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
    • C25F3/00—Electrolytic etching or polishing
    • C25F3/02—Etching
    • C25F3/14—Etching locally
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
    • H01G11/04—Hybrid capacitors
    • H01G11/06—Hybrid capacitors with one of the electrodes allowing ions to be reversibly doped thereinto, e.g. lithium ion capacitors [LIC]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M4/00—Electrodes
    • H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
    • H01M4/64—Carriers or collectors
    • H01M4/66—Selection of materials
    • H01M4/661—Metal or alloys, e.g. alloy coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M4/00—Electrodes
    • H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
    • H01M4/64—Carriers or collectors
    • H01M4/66—Selection of materials
    • H01M4/665—Composites
    • H01M4/667—Composites in the form of layers, e.g. coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M4/00—Electrodes
    • H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
    • H01M4/64—Carriers or collectors
    • H01M4/70—Carriers or collectors characterised by shape or form
    • H01M4/72—Grids
    • H01M4/74—Meshes or woven material; Expanded metal
    • H01M4/742—Meshes or woven material; Expanded metal perforated material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1633—Process of electroless plating
    • C23C18/1646—Characteristics of the product obtained
    • C23C18/165—Multilayered product
    • C23C18/1653—Two or more layers with at least one layer obtained by electroless plating and one layer obtained by electroplating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/31—Coating with metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/31—Coating with metals
    • C23C18/32—Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/31—Coating with metals
    • C23C18/32—Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron
    • C23C18/34—Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron using reducing agents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/54—Contact plating, i.e. electroless electrochemical plating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/38—Electroplating: Baths therefor from solutions of copper
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/10—Energy storage using batteries

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Cell Electrode Carriers And Collectors (AREA)
  • Electric Double-Layer Capacitors Or The Like (AREA)

Abstract

本發明的課題是提供具有良好的塗佈性和預摻雜特性的鋁板。其是具有沿貫厚度方向貫穿的多個貫穿孔的鋁板，其中，通孔的平均開口直徑為1μm~100μm，貫穿孔的密度為50個/mm2~2000個/mm2，相鄰的貫穿孔的孔間距離為300μm以下。

Description

鋁板
本發明涉及蓄電設備用集電體等中使用的鋁板。
近年來，隨著個人電腦、手機等可攜式設備、混合動力汽車、電動車等的開發，作為其電源的蓄電設備、特別是鋰離子電容器、鋰離子二次電池、雙電層電容器的需求增大。
已知作為這樣的蓄電設備的正極或負極中使用的電極用集電體(以下，簡稱為“集電體”)，使用鋁板。此外，已知在由該鋁板構成的集電體的表面塗佈活性碳等活性物質而作為正極或負極的電極使用。
例如，在專利文獻1中，記載了使用具有多個貫穿孔的金屬箔作為集電體，此外，作為其材質，記載了鋁、銅等，記載了在該金屬箔的單面或兩面具有活性物質層的電極([申請專利範圍第1項][0021])。
此外，在專利文獻2中，記載了使用鋁貫穿箔作為集電體，此外，記載了在該鋁貫穿箔上塗佈活性物質([申請專利範圍第1項][0036])。
此外，在專利文獻3中，記載了使用網眼狀的多孔體作為多孔性電極用芯材，記載了在芯材中填充活性物質([摘要][發明的公開])。
在這樣的集電體中，貫穿孔是為了使鋰離子的遷移變得容易而形成的孔，在預摻雜鋰離子時，鋰離子透過貫穿孔而擴散，摻雜到負極中。因此，為了高效地進行預摻雜，優選形成許多貫穿孔。
其中，如專利文獻3中記載的那樣，作為貫穿孔的形成方法，已知有利用沖孔加工等機械加工的形成方法。然而，通過沖孔加工等形成的貫穿孔為直徑300μm以上的大孔。由於通常集電體為薄的板狀的構件，所以若貫穿孔的直徑大，則集電體的強度降低。
此外，若貫穿孔的直徑大，則會在所塗佈的活性物質的表面形成與集電體的貫穿孔對應的凹凸或者刺穿，導致活性物質表面的均勻性受損而塗佈性降低。
因此，提出了微細地形成貫穿孔。
例如，在專利文獻1中，記載了通過將貫穿孔的最小孔徑設為0.01mm~0.19mm的範圍，從而抑制貫穿孔的圖案反映到活性物質層的表面，減小活性物質層的表面粗糙度([0022])。
此外，在專利文獻2中，記載了將貫穿孔的內徑設為0.2μm~5μm的範圍([0032])。
此外，這樣的微細的貫穿孔例如像專利文獻2中記載的那樣，通過電解蝕刻而形成([0052])。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1：日本特開2013-077734號公報
專利文獻2：國際公開第2011/004777號
專利文獻3：國際公開第2001/091212號
然而，獲知僅通過形成許多微細的貫穿孔，有時無法高效地進行預摻雜。
關於這點，本發明人進行了詳細研究，結果獲知，若存在相鄰的貫穿孔彼此的孔間距離大的區域，則在該區域中鋰離子變得難以到達、即鋰離子的擴散性變差。因此，至預摻雜的完成為止的時間變長，無法高效地進行預摻雜。
另外，在以下的說明中，也將預摻雜的效率稱為“預摻雜特性”。
這裡，有時通過增大貫穿孔的直徑能夠提高預摻雜特性。然而，如上所述，若增大貫穿孔的直徑，則活性物質的塗佈性降低。
因此，本發明的目的是提供具有良好的塗佈性和預摻雜特性的鋁板。
本發明人為了達成上述目的進行了深入研究，結果發現，通過製成貫穿孔的平均開口直徑為1μm~100μm、貫穿孔的密度為50個/mm2~2000個/mm2、相鄰的貫穿孔的孔間距離為300μm以下的鋁板，能夠實現良好的塗佈性和預摻雜特性，從而完成本發明。
即，發現通過以下的構成能夠達成上述目的。
[1]一種鋁板，其是具有沿厚度方向貫穿的多個貫穿孔的鋁板，貫穿孔的平均開口直徑為1μm~100μm，貫穿孔的密度為50個/mm2~2000個/mm2，相鄰的貫穿孔的孔間距離為300μm以下。
[2]如[1]所述的鋁板，其中，相鄰的貫穿孔的孔間距離的平均為150μm以下。
[3]如[1]或[2]所述的鋁板，其中，貫穿孔的平均開口直徑超過5μm且為80μm以下。
[4]如[1]~[3]中任一項所述的鋁板，其中，開口直徑為5μm以下的貫穿孔的比例為50%以下。
[5]如[1]~[4]中任一項所述的鋁板，其具有至少由覆蓋貫穿孔的內表面的金屬鍍層構成的金屬層。
如以下說明的那樣，根據本發明，能夠提供具有良好的塗佈性和預摻雜特性的鋁板。
1‧‧‧鋁基材
2‧‧‧氧化膜
3‧‧‧具有貫穿孔的鋁基材
4‧‧‧具有貫穿孔的氧化膜
5‧‧‧貫穿孔
6‧‧‧第1金屬層
7‧‧‧第2金屬層
10‧‧‧鋁板
30‧‧‧電極
32‧‧‧活性物質層
圖1的(A)是概念性地表示本發明的鋁板的一個例子的上表面圖，圖1的(B)是圖1的(A)的B-B線剖面圖，圖1的(C)是表示將圖1的(A)作為集電體使用的電極的簡略剖面圖。
圖2是表示本發明的鋁板的另一個例子的示意性剖面圖。
圖3的(A)~圖3的(E)是用於說明本發明的鋁板的適宜的製造方法的一個例子的示意性剖面圖，圖3的(A)是鋁基材的示意性剖面圖，圖3的(B)是表示對鋁基材實施氧化膜形成處理而在表面形成有氧化膜的狀態的示意性剖面圖，圖3的(C)是表示在氧化膜形成處理之後實施電化學溶解處理而在鋁基材及氧化膜中形成有貫穿孔的狀態的示意性剖面圖，圖3的(D)是表示在電化學溶解處理之後將氧化膜 除去後的狀態的示意性剖面圖，圖3的(E)是表示在將氧化膜除去後進一步實施電化學粗面化處理後的狀態的示意性剖面圖。
圖4的(A)~圖4的(E)是用於說明本發明的鋁板的適宜的製造方法的另一個例子的示意性剖面圖，圖4的(A)是鋁基材的示意性剖面圖，圖4的(B)是表示對鋁基材實施氧化膜形成處理而在表面及背面形成有氧化膜的狀態的示意性剖面圖，圖4的(C)是表示在氧化膜形成處理之後實施電化學溶解處理而在鋁基材及氧化膜中形成有貫穿孔的狀態的示意性剖面圖，圖4的(D)是表示在電化學溶解處理之後將氧化膜除去後的狀態的示意性剖面圖，圖4的(E)是表示在將氧化膜除去後進一步實施電化學粗面化處理後的狀態的示意性剖面圖。
圖5的(A)是表示將鋁板的表面的一部分通過光學顯微鏡拍攝而得到的圖，圖5的(B)是表示將圖5的(A)二值化而反轉並實施了Voronoi處理的圖，圖5的(C)是表示為了說明孔間距離而將圖5的(B)的一部分放大的圖。
以下，對本發明進行詳細說明。
以下記載的構成要件的說明有時基於本發明的代表性實施方式而進行，但本發明並不限定於那樣的實施方式。
另外，在本說明書中，使用“~”表示的數值範圍是指包含“~”的前後所記載的數值作為下限值及上限值的範圍。
[鋁板]
本發明的鋁板為具有沿厚度方向貫穿的多個貫穿孔的鋁板，且為貫穿孔的平均開口直徑為1μm~100μm、貫穿孔的密度為50個/mm2~2000個/mm2、相鄰的貫穿孔的孔間距離為300μm以下的鋁板。
接著，對於本發明的鋁板的構成，使用圖1的(A)~圖1的(C)進行說明。
圖1的(A)是表示本發明的鋁板的優選的實施方式的一個例子的示意性上表面圖，圖1的(B)為圖1的(A)的B-B線剖面圖，圖1的(C)是表示將圖1的(A)所示的鋁板10作為蓄電設備的集電體使用的電極的一個例子的示意性剖面圖。
如圖1的(A)及圖1的(B)所示的那樣，鋁板10為在鋁基材3中形成多個沿厚度方向貫穿的貫穿孔5而成的鋁板。
此外，圖1的(C)所示的電極30為在圖1的(B)所示的鋁板10的一個主表面上層疊活性物質層32而成的電極。
鋁基材3中形成的多個貫穿孔5的平均開口直徑為1μm~100μm、數密度為50個/mm2~2000個/mm2、相鄰的貫穿孔間的孔間距離為300μm以下。
其中，關於貫穿孔的平均開口直徑，使用高解析度掃描型電子顯微鏡(SEM)對鋁板的表面從正上方以倍率100倍進行拍攝，在所得到的SEM照片中，抽出至少20個周圍連接成環狀的貫穿孔，讀取該開口部分的端部間的距離的最大值作為開口直徑，算出它們的平均值作為平均開口直徑。
即，由於貫穿孔的開口部的形狀並不限定於大致圓形，所以在開口部的形狀為非圓形的情況下，將貫穿孔部分的端部間的距離的最大值作為開口直徑。因此，例如，在2個以上的貫穿孔發生一體化那樣的形狀 的貫穿孔的情況下，也將其視為1個貫穿孔，將貫穿孔部分的端部間的距離的最大值作為開口直徑。
此外，關於貫穿孔的密度(數密度)，在鋁板的一面側設置平行光光學單元，使平行光透射，從鋁板的另一面，使用光學顯微鏡對鋁板的表面以倍率100倍進行拍攝，取得圖5的(A)所示那樣的照片。在所得到的照片的10cm×10cm的範圍內，對5個100mm×75mm的視野，計測貫穿孔的個數，換算成每mm2的個數，算出各視野(5個)中的值的平均值作為貫穿孔的密度。
此外，關於孔間距離，在鋁板的一面側設置平行光光學單元，使平行光透射，從鋁板的另一面，使用光學顯微鏡對鋁板的表面以倍率100倍進行拍攝，取得圖5的(A)所示那樣的照片。在所得到的照片的10cm×10cm的範圍內，對10個100mm×75mm的視野，用圖像分析軟體等2值化後，實施Voronoi處理，在貫穿孔間畫邊界線，取得圖5的(B)所示那樣的圖像。
其中，所謂Voronoi處理是指：在平面上配置有幾個點的情況下，根據與哪個點最近而將該平面內分割成多個區域的處理，分割區域的線成為邊界線。即，該邊界線為由與2個最近的點等距離的點的集合構成的線。此外，區域與各點對應而形成。
另外，本發明中，將與2個貫穿孔的最近的位置彼此等距離的線設為邊界線。
在實施了Voronoi處理的圖像中，將與相鄰的區域對應的貫穿孔彼此作為相鄰的貫穿孔。例如，在圖5的(C)所示的例子中，與圖中中央的貫穿孔5a對應的區域q與7個區域相鄰。因此，貫穿孔5a與7個貫穿孔相鄰。
對於相鄰的2個貫穿孔，從各自的端面畫與邊界線正交的線，將該線段的長度變得最短時的長度作為孔間距離。
測定100mm×75mm的視野中的全部孔間距離。對10個視野測定全部的孔間距離，算出其平均值作為平均孔間距離。
如上所述，具有許多貫穿孔的鋁板是可以在鋰離子電容器等中作為構成電極的集電體使用的鋁板。貫穿孔是為了在預摻雜鋰離子時使鋰離子的遷移變得容易而形成的孔。
此外，這樣的鋁板可以塗佈活性碳等活性物質而作為電極使用。此時，為了提高活性物質的塗佈性，考慮減小貫穿孔的直徑。
然而，本發明人進行了詳細研究，結果可知，即使形成許多微細的貫穿孔，有時也無法高效地進行預摻雜。
具體而言，獲知若存在相鄰的貫穿孔彼此的孔間距離大的區域，則由於在該區域的附近鋰離子變得難以到達，所以至預摻雜的完成為止的時間變長，無法高效地進行預摻雜。
即，獲知若貫穿孔的分佈存在不均，則鋰離子的擴散性變差，預摻雜特性變差。
與此相對，本發明中，通過將貫穿孔的平均開口直徑設為1μm~100μm的微細的直徑，能夠防止在塗佈於鋁板的活性物質的表面形成凹凸、或者發生刺穿，使塗佈性變得良好。此外，通過將平均開口直徑為1μm~100μm的微細的貫穿孔的密度設為50個/mm2~2000個/mm2，將相鄰的貫穿孔的孔間距離設為300μm以下，以充分的開口率、且均勻的分佈來形成這樣的微細的貫穿孔，能夠提高預摻雜時的鋰離子的擴散性，減少鋰離子難以到達的區域，能夠減少至預摻雜的完成為止的時間，提高預摻雜的效率。
另外，貫穿孔的平均開口直徑越小，與活性物質的密合性越降低。另一方面，平均開口直徑越大，上述的塗佈性、拉伸強度越降低。
因此，從上述的塗佈性、以及與活性物質的密合性、拉伸強度等觀點出發，貫穿孔的平均開口直徑優選超過5μm且為80μm以下，更優選為超過5μm且為40μm以下，特別優選為10μm~30μm。
此外，貫穿孔的密度越低，預摻雜特性、密合性越降低。另一方面，貫穿孔的密度越大，拉伸強度越降低。
因此，從上述的預摻雜特性以及密合性、拉伸強度等觀點出發，貫穿孔的密度優選為100個/mm2~2000個/mm2，更優選為150個/mm2~1500個/mm2，特別優選為200個/mm2~1000個/mm2。
此外，孔間距離的最大值越大，預摻雜特性越降低。
因此，從上述的預摻雜特性的觀點出發，孔間距離的最大值優選為250μm以下，更優選為200μm以下，特別優選為100μm以下。
此外，孔間距離的平均值越大，預摻雜特性越降低。
因此，從上述預摻雜特性的觀點出發，孔間距離的平均值優選為150μm以下，更優選為80μm以下。
此外，開口直徑為5μm以下的貫穿孔的比例優選為50%以下，更優選為40%以下。通過將開口直徑為5μm以下的貫穿孔的比例設為50%以下，能夠進一步提高預摻雜特性、密合性、塗佈性。
另外，關於開口直徑為5μm以下的貫穿孔的比例，通過與上述的貫穿孔的平均開口直徑的測定同樣的方法拍攝SEM照片，在所得到的SEM照片的10cm×10cm的範圍內，在5個30mm×30mm的視野，測定全 部的貫穿孔的開口直徑，以開口直徑為5μm以下的貫穿孔的個數相對於所測定的全部貫穿孔的個數的比率形式來算出。
此外，鋁板10的表面也可以被粗面化，例如，優選平均開口直徑為0.5μm~3.0μm的凹部以10個/100μm2以上的密度形成。通過將鋁板的表面進行粗面化，與活性物質層的密合性提高，同時因表面積增大而接觸面積增大，所以使用了鋁板(集電體)的蓄電設備的容量維持率變高。
另外，對於粗面化的處理方法沒有特別限定，可以適宜利用公知的粗面化處理方法。例如，優選通過後述的電化學粗面化處理來進行粗面化。
此外，在圖1的(B)所示的例子中，製成在鋁基材3中形成多個貫穿孔5而成的構成，但本發明並不限定於此，也可以具有由至少覆蓋貫穿孔的內表面的金屬鍍層構成的金屬層。
圖2是表示本發明的鋁板的另一個例子的示意性剖面圖。
圖2所示的鋁板10為在具有貫穿孔的鋁基材3的表面及背面以及貫穿孔5的內表面(內壁)具有由除鋁以外的金屬或合金形成的第1金屬層6及第2金屬層7的形態。
這樣，通過在貫穿孔的內表面形成金屬層，能夠將貫穿孔的平均開口直徑適當調整至1μm~20μm左右的小的範圍。
這樣的金屬層可以通過後述的金屬被覆步驟來形成。
另外，在圖示例中，製成在鋁基材3的表面及背面以及貫穿孔5的內表面形成金屬層的構成，但並不限定於此，只要至少在貫穿孔5的內表面形成金屬層即可。
此外，在圖示例中，製成在鋁基材3的整面形成貫穿孔5的構成，但並不限定於此，作為佈線的連接部等，也可以具有沒有形成貫穿孔5的區域。
另外，優選在鋁基材的主表面的面積的80%以上的區域中形成滿足上述平均開口直徑、密度及孔間距離的範圍的貫穿孔，更優選90%以上。
此外，優選至少在塗佈有活性物質的區域中形成貫穿孔5。只要在形成有多個貫穿孔5的區域中，所形成的貫穿孔5滿足上述平均開口直徑、密度及孔間距離的範圍即可。
<鋁基材>
上述鋁基材沒有特別限定，例如，可以使用JIS標準H4000中記載的合金編號1085、1N30、3003等公知的鋁基材。另外，鋁基材為以鋁作為主要成分且含有微量的其它元素的合金板。
作為鋁基材的厚度，沒有特別限定，但優選為5μm~1000μm，更優選為10μm~100μm，特別優選為10μm~30μm。
<活性物質層>
作為活性物質層，沒有特別限定，可以利用在以往的蓄電設備中使用的公知的活性物質層。
具體而言，關於將鋁板作為正極的集電體使用時的活性物質及活性物質層中可以含有的導電材料、黏合劑、溶劑等，可以適宜採用日本特開2012-216513號公報的[0077]~[0088]段落中記載的材料，其內容作為參照納入本說明書中。
此外，關於將鋁板作為負極的集電體使用時的活性物質，可以適宜採用日本特開2012-216513號公報的[0089]段落中記載的材料，其內容作為參照納入本說明書中。
[蓄電設備]
利用本發明的鋁板作為集電體的電極可以作為蓄電設備的正極或負極使用。
其中，關於蓄電設備(特別是二次電池)的具體的構成、適用的用途，可以適宜採用日本特開2012-216513號公報的[0090]~[0123]段落中記載的材料、用途，其內容作為參照納入本說明書中。
此外，在圖1的(C)所示的例子中，示出使用本發明的鋁板作為集電體的構成，但本發明的鋁板也可以利用於除此以外的用途中。例如，可以適宜利用於耐熱微粒濾器、吸音材料等。
[鋁板的製造方法]
接著，對本發明的鋁板的製造方法進行說明。
一種鋁板的製造方法，其是含有沿厚度方向具有多個貫穿孔的鋁基材的鋁板的製造方法，具有以下步驟：對鋁基材的表面實施氧化膜形成處理而形成氧化膜的氧化膜形成步驟；在氧化膜形成步驟之後實施電化學溶解處理(以下，也簡稱為“電解溶解處理”)而形成貫穿孔的貫穿孔形成步驟；和從鋁板將氧化膜除去的氧化膜除去步驟。
本發明中，由於通過具有氧化膜形成步驟、貫穿孔形成步驟和氧化膜除去步驟，能夠以均勻的分佈形成平均開口直徑為1μm~100μm的微細的貫穿孔，所以能夠製造預摻雜特性及活性物質的塗佈性良好、且能夠適合用於集電體的鋁板。
接著，對鋁板的製造方法的各步驟使用圖3的(A)~圖3的(E)及圖4的(A)~圖4的(E)進行說明後，對各步驟進行詳細敘述。
圖3的(A)~圖3的(E)及圖4的(A)~圖4的(E)是表示鋁板的製造方法的優選的實施方式的一個例子的示意性剖面圖。
鋁板的製造方法為如下製造方法，如圖3的(A)~圖3的(E)及圖4的(A)~圖4的(E)所示的那樣，其具有以下步驟：對鋁基材1的表面(在圖4所示的方式中，表面及背面)實施氧化膜形成處理而形成氧化膜2的氧化膜形成步驟(圖3的(A)及圖3的(B)，圖4的(A)及圖4的(B))；在氧化膜形成步驟之後實施電解溶解處理而形成貫穿孔5，製作含有具有貫穿孔的鋁基材3及具有貫穿孔的氧化膜4的鋁板的貫穿孔形成步驟(圖3的(B)及圖3的(C)，圖4的(B)及圖4的(C))；在貫穿孔形成步驟之後，將具有貫穿孔的氧化膜4除去，製作由具有貫穿孔的鋁基材3構成的鋁板10的氧化膜除去步驟(圖3的(C)及圖3的(D)，圖4的(C)及圖4的(D))。
此外，鋁板的製造方法中，優選在氧化膜除去步驟之後，具有對具有貫穿孔的鋁基材3實施電化學粗面化處理，製作將表面粗面化的鋁板10的粗面化處理步驟(圖3的(D)及圖3的(E)，圖4的(D)及圖4的(E))。
〔氧化膜形成步驟〕
本發明中，鋁板的製造方法所具有的氧化膜形成步驟是對鋁基材的表面實施氧化膜形成處理而形成氧化膜的步驟。
<氧化膜形成處理>
上述氧化膜形成處理沒有特別限定，例如，可以實施與以往公知的陽極氧化處理同樣的處理。
作為陽極氧化處理，例如，可以適當採用日本特開2012-216513號公報的[0063]~[0073]段落中記載的條件、裝置。
本發明中，由於陽極氧化處理的條件根據所使用的電解液而發生各種變化，所以不能一概而定，但通常電解液濃度為1~80質量%、液溫為5~70℃、電流密度為0.5~60A/dm2、電壓為1~100V、電解時間為1秒~20分鐘是合適的，按照達到所期望的氧化膜量的方式調整。
本發明中，優選在硫酸溶液中實施的陽極氧化處理。
在含有硫酸的電解液中進行陽極氧化處理的情況下，可以對鋁基材與對電極之間施加直流電，也可以施加交流電。在對鋁基材施加直流電的情況下，電流密度優選為1~60A/dm2，更優選為5~40A/dm2。在連續進行陽極氧化處理的情況下，優選通過對鋁基材介由電解液給電的溶液給電方式來進行。
本發明中，通過陽極氧化處理所形成的氧化膜的量優選為0.05~50g/m2，更優選為0.1~10g/m2。
〔貫穿孔形成步驟〕
貫穿孔形成步驟是在氧化膜形成步驟之後實施電解溶解處理而形成貫穿孔的步驟。
<電解溶解處理>
上述電解溶解處理沒有特別限定，可以使用直流電或交流電，將酸性溶液用於電解液。其中，優選使用以鹽酸或硝酸作為主體的電解液。
本發明中，作為電解液即酸性溶液，除了硝酸、鹽酸以外，還可以使用美國專利第4,671,859號、美國專利第4,661,219號、美國專利第4,618,405號、美國專利第4,600,482號、美國專利第4,566,960號、美國專利第4,566,958號、美國專利第4,566,959號、美國專利第4,416,972號、美國專利第4,374,710號、美國專利第4,336,113號、美國專利第4,184,932號的各說明書等中記載的電解液。
酸性溶液的濃度優選為0.5~2.5質量%，特別優選為0.7~2.0質量%。此外，酸性溶液的液溫優選為20~80℃，更優選為30~60℃。
此外，以鹽酸或硝酸作為主體的水溶液可以在濃度為1~100g/L的鹽酸或硝酸的水溶液中，以從1g/L至飽和為止的範圍添加硝酸鋁、硝酸鈉、硝酸銨等含有硝酸根離子的硝酸化合物或氯化鋁、氯化鈉、氯化銨等含有鹽酸根離子的鹽酸化合物中的至少一種來使用。
此外，在以鹽酸或硝酸作為主體的水溶液中，也可以溶解有鐵、銅、錳、鎳、鈦、鎂、二氧化矽等鋁合金中所含有的金屬。優選使用在鹽酸或硝酸的濃度為0.5~2質量%的水溶液中按照鋁離子達到3~50g/L的方式添加了氯化鋁、硝酸鋁等的溶液。
在電化學溶解處理中，主要使用直流電流，但在使用交流電流的情況下，其交流電源波沒有特別限定，可使用正弦波、矩形波、梯形波、三角波等，其中，優選矩形波或梯形波，特別優選梯形波。
(硝酸電解)
本發明中，通過使用了以硝酸作為主體的電解液的電化學溶解處理(以下，也簡稱為“硝酸溶解處理”)，可以容易地形成平均開口直徑為1μm~100μm、平均開口率達到1%~40%的貫穿孔。
其中，從容易控制貫穿孔形成的溶解點的理由出發，硝酸溶解處理優選為使用直流電流、在將平均電流密度設為5A/dm2以上、且將電量設為50C/dm2以上的條件下實施的電解處理。另外，平均電流密度優選為100A/dm2以下，電量優選為10000C/dm2以下。
此外，硝酸電解中的電解液的濃度、溫度沒有特別限定，可以使用高濃度、例如硝酸濃度為15~35質量%的硝酸電解液在30~60℃下進行電解，或者使用硝酸濃度為0.7~2質量%的硝酸電解液在高溫、例如80℃以上進行電解。
(鹽酸電解)
本發明中，通過使用了以鹽酸作為主體的電解液的電化學溶解處理(以下，也簡稱為“鹽酸溶解處理”)，也可以容易地形成平均開口直徑為1~100μm、平均開口率達到1~40%的貫穿孔。
其中，從容易控制貫穿孔形成的溶解點的理由出發，鹽酸溶解處理優選為使用直流電流、在將平均電流密度設為5A/dm2以上、且將電量設為50C/dm2以上的條件下實施的電解處理。另外，平均電流密度優選為100A/dm2以下，電量優選為10000C/dm2以下。
此外，鹽酸電解中的電解液的濃度、溫度沒有特別限定，可以使用高濃度、例如鹽酸濃度為10~35質量%的鹽酸電解液在30~60℃下進行電解，或者使用鹽酸濃度為0.7~2質量%的鹽酸電解液在高溫、例如80℃以上進行電解。
其中，本發明中，優選改變電流密度而以2個階段以上來進行貫穿孔形成步驟中的電解溶解處理。在以2個階段進行的情況下，首先，以高電流密度進行電解溶解處理後，以低於該電流密度的電流密度進行電解溶解處理。由此，能夠形成許多開口直徑小的貫穿孔。
〔氧化膜除去步驟〕
氧化膜除去步驟為除去氧化膜的步驟。
上述氧化膜除去步驟例如可以通過實施後述的酸蝕刻處理或鹼蝕刻處理來除去氧化膜。
<酸蝕刻處理>
上述溶解處理為使用與鋁相比優先使氧化膜(氧化鋁)溶解的溶液(以下，稱為“氧化鋁溶解液”)使氧化膜溶解的處理。
其中，作為氧化鋁溶解液，優選含有例如選自由鉻化合物、硝酸、硫酸、磷酸、鋯系化合物、鈦系化合物、鋰鹽、鈰鹽、鎂鹽、矽氟化鈉、氟化鋅、錳化合物、鉬化合物、鎂化合物、鋇化合物及鹵素單體組成的組中的至少1種的水溶液。
具體而言，作為鉻化合物，可列舉出例如氧化鉻(III)、無水鉻(VI)酸等。
作為鋯系化合物，可列舉出例如氟化鋯銨、氟化鋯、氯化鋯。
作為鈦化合物，可列舉出例如氧化鈦、硫化鈦。
作為鋰鹽，可列舉出例如氟化鋰、氯化鋰。
作為鈰鹽，可列舉出例如氟化鈰、氯化鈰。
作為鎂鹽，可列舉出例如硫化鎂。
作為錳化合物，可列舉出例如高錳酸鈉、高錳酸鈣。
作為鉬化合物，可列舉出例如鉬酸鈉。
作為鎂化合物，可列舉出例如氟化鎂五水合物。
作為鋇化合物，可列舉出例如氧化鋇、醋酸鋇、碳酸鋇、氯酸鋇、氯化鋇、氟化鋇、碘化鋇、乳酸鋇、草酸鋇、高氯酸鋇、硒酸鋇、亞硒 酸鋇、硬脂酸鋇、亞硫酸鋇、鈦酸鋇、氫氧化鋇、硝酸鋇、或它們的水合物等。
上述鋇化合物中，優選氧化鋇、醋酸鋇、碳酸鋇，特別優選氧化鋇。
作為鹵素單體，可列舉出例如氯、氟、溴。
其中，上述氧化鋁溶解液優選為含有酸的水溶液，作為酸，可列舉出硫酸、磷酸、硝酸、鹽酸等，也可以是2種以上的酸的混合物。
作為酸濃度，優選為0.01mol/L以上，更優選為0.05mol/L以上，進一步優選為0.1mol/L以上。上限沒有特別限定，通常優選為10mol/L以下，更優選為5mol/L以下。
溶解處理通過使形成有氧化膜的鋁基材與上述的氧化鋁溶解液接觸來進行。接觸的方法沒有特別限定，可列舉出例如浸漬法、噴霧法。其中，優選浸漬法。
浸漬法為使形成有氧化膜的鋁基材浸漬到上述的氧化鋁溶解液中的處理。由於若在浸漬處理時進行攪拌，則可以進行沒有不均的處理，所以優選。
浸漬處理的時間優選為10分鐘以上，更優選為1小時以上，進一步優選為3小時以上、5小時以上。
<鹼蝕刻處理>
鹼蝕刻處理為通過使上述氧化膜與鹼溶液接觸而使表層溶解的處理。
作為鹼溶液中使用的鹼，可列舉出例如苛性鹼、鹼金屬鹽。具體而言，作為苛性鹼，可列舉出例如苛性鈉、苛性鉀。此外，作 為鹼金屬鹽，可列舉出例如偏矽酸鈉、矽酸鈉、偏矽酸鉀、矽酸鉀等鹼金屬矽酸鹽；碳酸鈉、碳酸鉀等鹼金屬碳酸鹽；鋁酸鈉、鋁酸鉀等鹼金屬鋁酸鹽；葡糖酸鈉、葡糖酸鉀等鹼金屬糖醛酸鹽；磷酸氫二鈉、磷酸氫二鉀、磷酸三鈉、磷酸三鉀等鹼金屬磷酸氫鹽。其中，從蝕刻速度快的方面及廉價的方面出發，優選苛性鹼的溶液、及含有苛性鹼和鹼金屬鋁酸鹽這兩者的溶液。特別優選苛性鈉的水溶液。
鹼溶液的濃度優選為0.1~50質量%，更優選為0.5~10質量%。在鹼溶液中溶解有鋁離子的情況下，鋁離子的濃度優選為0.01~10質量%，更優選為0.1~3質量%。鹼溶液的溫度優選為10~90℃。處理時間優選為1~120秒鐘。
作為使氧化膜與鹼溶液接觸的方法，可列舉出例如使形成有氧化膜的鋁基材經過加有鹼溶液的槽中的方法、使形成有氧化膜的鋁基材浸漬在加有鹼溶液的槽中的方法、將鹼溶液吹噴到形成有氧化膜的鋁基材的表面(氧化膜)的方法。
〔粗面化處理步驟〕
本發明中，鋁板的製造方法可以具有的任選的粗面化處理步驟為對除去了氧化膜的鋁基材實施電化學粗面化處理(以下，也簡稱為“電解粗面化處理”)，對鋁基材的表面或背面進行粗面化的步驟。
如上所述，由於通過實施電解粗面化處理，將鋁基材的表面進行粗面化，與含有活性物質的層的密合性提高，同時因表面積增加而接觸面積增加，所以使用了通過本發明的製造方法得到的鋁板(集電體)的蓄電設備的容量維持率變高。
作為上述電解粗面化處理，可以適當採用例如日本特開2012-216513號公報的[0041]~[0050]段落中記載的條件、裝置。
<硝酸電解>
本發明中，通過使用了以硝酸作為主體的電解液的電化學粗面化處理(以下，也簡稱為“硝酸電解”)，能夠容易地以10個/100μm2以上的密度形成平均開口直徑為0.5μm~3.0μm的凹部。
其中，從能夠均勻且密度高地形成凹部的理由出發，硝酸電解優選為使用交流電流、在將峰值電流密度設為30A/dm2以上、將平均電流密度設為13A/dm2以上、且將電量設為150C/dm2以上的條件下實施的電解處理。另外，峰值電流密度優選為100A/dm2以下，平均電流密度優選為40A/dm2以下，電量優選為400C/dm2以下。
此外，硝酸電解中的電解液的濃度、溫度沒有特別限定，可以使用高濃度、例如硝酸濃度為15~35質量%的硝酸電解液在30~60℃下進行電解，或者使用硝酸濃度為0.7~2質量%的硝酸電解液在高溫、例如80℃以上進行電解。
<鹽酸電解>
本發明中，通過使用了以鹽酸作為主體的電解液的電化學粗面化處理(以下，也簡稱為“鹽酸電解”)，也能夠以10個/100μm2以上的密度形成平均開口直徑為0.5μm~3.0μm的凹部。
其中，在鹽酸電解中，從能夠形成均勻且密度高的凹部的理由出發，優選為使用交流電流、在將峰值電流密度設為30A/dm2以上、將平均電流密度設為13A/dm2以上、且將電量設為150C/dm2以上的條件下實施的電解處理。另外，峰值電流密度優選為100A/dm2以下，平均電流密度優選為40A/dm2以下，電量優選為400C/dm2以下。
〔金屬被覆步驟〕
本發明中，從能夠將通過上述的電解溶解處理所形成的貫穿孔的平均開口直徑調整為1μm~20μm左右的小的範圍的理由出發，鋁板的製造方法優選在上述的氧化膜除去步驟之後，具有將至少包含貫穿孔的內壁的鋁基材的表面的一部分或全部用除鋁以外的金屬被覆的金屬被覆步驟。
其中，所謂“將至少包含貫穿孔的內壁的鋁基材的表面的一部分或全部用除鋁以外的金屬被覆”是指對包含貫穿孔的內壁的鋁基材的整個表面中的至少貫穿孔的內壁進行被覆，除內壁以外的表面可以沒有被覆，也可以一部分或全部被覆。
以下，使用圖2，對金屬被覆步驟進行說明。
如上所述，圖2所示的鋁板10為在具有貫穿孔的鋁基材3的表面及背面以及貫穿孔的內壁具有由除鋁以外的金屬或合金形成的第1金屬層6及第2金屬層7的形態，可以通過對圖3的(D)或圖4的(D)所示的鋁基材實施例如後述的置換處理及鍍敷處理來製作。
<置換處理>
上述置換處理為對至少包含貫穿孔的內壁的鋁基材的表面的一部分或全部置換鍍敷鋅或鋅合金的處理。
作為置換鍍敷液，可列舉出例如氫氧化鈉120g/l、氧化鋅20g/l、結晶性氯化鐵2g/l、羅謝爾鹽50g/l、硝酸鈉1g/l的混合溶液等。
此外，也可以使用市售的Zn或Zn合金鍍敷液、可以使用例如奧野製藥工業股份有限公司製Substar Zn-1、Zn-2、Zn-3、Zn-8、Zn-10、Zn-111、Zn-222、Zn-291等。
鋁基材在這樣的置換鍍敷液中的浸漬時間優選為15秒~40秒，浸漬溫度優選為15秒~40秒。
<鍍敷處理>
通過上述的置換處理，對鋁基材的表面置換鍍敷鋅或鋅合金而形成鋅皮膜時，優選例如在通過後述的非電解鍍敷使鋅皮膜置換成鎳後，實施通過後述的電解鍍敷使各種金屬析出的鍍敷處理。
(非電解鍍敷處理)
作為非電解鍍敷處理中使用的鎳鍍敷液，可以廣泛使用市售品，可列舉出例如包含硫酸鎳30g/l、次磷酸鈉20g/l、檸檬酸銨50g/l的水溶液等。
此外，作為鎳合金鍍敷液，可列舉出磷化合物為還原劑的Ni-P合金鍍敷液、硼化合物為還原劑的Ni-B鍍敷液等。
在這樣的鎳鍍敷液、鎳合金鍍敷液中的浸漬時間優選為15秒~10分鐘，浸漬溫度優選為30℃~90℃。
(電解鍍敷處理)
作為電解鍍敷處理，例如電鍍Cu時的鍍敷液可列舉出例如將硫酸Cu 60~110g/L、硫酸160~200g/L及鹽酸0.1~0.15mL/L添加到純水中，進一步添加奧野製藥股份有限公司製Top Lucina SF Base WR1z 5~5.0mL/L、Top Lucina SF-B 0.5~2.0mL/L及Top Lucina SF Leveler 3.0~10mL/L作為添加劑的鍍敷液。
由於在這樣的銅鍍敷液中的浸漬時間根據Cu膜的厚度而異，所以沒有特別限定，例如，賦予2μm的Cu膜時，優選以電流密度2A/dm浸漬約5分鐘，浸漬溫度優選為20℃~30℃。
〔勃母石處理〕
本發明中，在鋁板的製造方法中，從能夠將通過上述的電解溶解處理所形成的貫穿孔的平均開口直徑在1~20μm左右的範圍內較小地調 整的理由出發，優選在上述的氧化膜除去步驟之後且進一步實施陽極氧化處理而形成氧化膜後，實施勃母石處理。
其中，勃母石處理為利用鋁與高溫的水或過熱水蒸汽反應而生成擬勃母石質的水合氧化皮膜的反應的處理，例如可以通過將100~400℃的水(例如，純水、去離子水)調整至pH7~12，將鋁基材進行浸漬來生成水合氧化皮膜。
〔水洗處理〕
本發明中，優選在上述的各處理的步驟結束後進行水洗。水洗中，可以使用純水、井水、自來水等。為了防止處理液向下一步驟中的帶入，也可以使用夾持裝置。
[實施例]
以下基於實施例對本發明進一步進行詳細說明。以下的實施例所示的材料、使用量、比例、處理內容、處理步驟等只要不脫離本發明的主旨則可以進行適當變更。因此，本發明的範圍不應當基於以下所示的實施例進行限定性解釋。
[實施例1]
<集電體用鋁板的製作>
對平均厚度為20μm、大小為200mm×300mm的鋁基材(JIS H-4160、合金編號：1N30-H、鋁純度：99.30%)的表面，實施以下所示的處理，製作了集電體用鋁板。
(a1)氧化膜形成處理(氧化膜形成步驟)
對上述鋁基材使用硫酸濃度為170g/L、且鋁濃度為5%以下的溶液，以鋁基材作為陽極，在52℃的條件下施加27秒鐘直流電流密度5A/dm2、 直流電壓3V，在上述鋁基材的單側的表面(單面)形成氧化膜(皮膜量：0.6g/m2)。之後，進行利用噴霧的水洗。
(b1)電解溶解處理(貫穿孔形成步驟)
接著，使用保溫在50℃的電解液(硝酸濃度：1%、鋁濃度4.5g/L)，以鋁基材作為陽極，在電流密度為60A/dm2、電量總和為200C/dm2的條件下實施電解處理，進而，變更為電流密度為10A/dm2、電量總和為1200C/dm2的條件而實施電解處理，在鋁基材及氧化膜中形成貫穿孔。另外，電解處理通過直流電源波進行。
之後，進行利用噴霧的水洗，並使其乾燥。
(c1)氧化膜的除去處理(氧化膜除去步驟)
接著，通過使電解溶解處理後的鋁基材在苛性鈉濃度為5質量%、鋁離子濃度為0.5質量%的水溶液(液溫：35℃)中浸漬3秒鐘，將氧化膜溶解、除去。
之後，通過進行利用噴霧的水洗，並使其乾燥，製作了具有貫穿孔的鋁板。
[實施例2]
將(b1)的電解處理條件變更為電流密度為10A/dm2、電量總和為1800C/dm2，在鋁基材及氧化膜中形成貫穿孔。除了變更電解溶解處理的條件以外，與實施例1同樣地操作製作了鋁板。
[實施例3]
除了將(b1)的電解處理條件變更為電流密度為10A/dm2、電量總和為2000C/dm2的條件以外，與實施例1同樣地操作製作了鋁板。
[實施例4]
代替上述(a1)所示的氧化膜形成處理，實施下述(a2)所示的氧化膜形成處理，此外，代替上述(b1)所示的電解溶解處理，實施下述(b2)所示的電解溶解處理，除此以外，與實施例1同樣地操作製作了鋁板。
(a2)氧化膜形成處理
除了施加16秒鐘直流電流密度25A/dm2、直流電壓15V，在上述鋁基材的單側的表面(單面)形成氧化膜(皮膜量：2.4g/m2)以外，與(a1)氧化膜形成處理同樣地操作。
(b2)電解溶解處理
除了將電解處理條件變更為電流密度為10A/dm2、電量總和為1500C/dm2的條件以外，與上述(b1)所示的電解溶解處理同樣地操作。
[實施例5]
代替上述(a1)所示的氧化膜形成處理，實施上述(a2)所示的氧化膜形成處理，此外，代替上述(b1)所示的電解溶解處理，實施下述(b3)所示的電解溶解處理，除此以外，與實施例1同樣地操作製作了鋁板。
(b3)電解溶解處理
除了將電解處理條件變更為電流密度為10A/dm2、電量總和為2400C/dm2的條件以外，與(b1)電解溶解處理同樣地操作。
[比較例1]
在平均厚度為20μm、寬度為200mm的鋁基材(JIS H-4160、合金編號：1N30-H、鋁純度：99.30%)的兩面，使用凹版輥來形成具有用於製作表1所示的貫穿孔的規定的圖案的抗蝕膜。抗蝕墨液的主要成分由丙烯酸系樹脂構成，配合有少量的顏料，用甲苯調整抗蝕墨液的黏 度。接著，通過使用包含氯化鐵的蝕刻液在溫度40℃下實施約10秒鐘的蝕刻處理，在鋁箔中形成表1所示的貫穿孔。之後，將抗蝕墨液利用苛性鈉溶解除去而製作了鋁板。
[比較例2]
製備具有Fe：18質量ppm、Si：20質量ppm、Cu：25質量ppm、剩餘部分：由A1及不可避免的雜質構成的組成的熔液後，通過使熔液凝固而得到鑄錠。接著，將該鑄錠在500℃下實施10小時的均質化處理。之後，通過對鑄錠實施熱軋(溫度為400℃)及冷軋而軋製至厚度為65μm。通過在250℃下實施8小時的中間退火後，進一步實施冷軋而得到厚度為50μm的箔。
用有機溶劑系洗滌劑(異丙烯)洗滌後，在氬氣中500℃下進行10小時退火。接著，通過使用包含鹽酸5質量%的水溶液作為電解液，在液溫為70℃及電流密度為0.3A/cm2下進行直流蝕刻，製作了具有多個貫穿孔的鋁板。
[比較例3]
作為鋁基材，使用平均厚度為20μm、寬度為200mm的鋁基材(鋁純度：99.99%)，代替上述(a1)所示的氧化膜形成處理，實施上述(a2)所示的氧化膜形成處理，代替上述(b1)所示的電解溶解處理，實施下述(b4)所示的電解溶解處理，除此以外，與實施例1同樣地操作製作了鋁板。
(b4)電解溶解處理
除了將電解處理條件變更為電流密度為5A/dm2、電量總和為1000C/dm2的條件以外，與上述(b1)所示的電解溶解處理同樣地操作。
[比較例4]
作為鋁基材，使用平均厚度為20μm、寬度為200mm的鋁基材(鋁純度：99.99%)，代替上述(a1)所示的氧化膜形成處理，實施上述(a2)所示的氧化膜形成處理，代替上述(b1)所示的電解溶解處理，實施下述(b5)所示的電解溶解處理，除此以外，與實施例1同樣地操作製作了鋁板。
(b5)電解溶解處理
除了將電解處理條件變更為電流密度為10A/dm2、電量總和為1000C/dm2的條件以外，與上述(b1)所示的電解溶解處理同樣地操作。
所製作的鋁板的貫穿孔的平均開口直徑、密度及孔間距離通過以下的方法測定。
關於平均開口直徑，使用高解析度掃描型電子顯微鏡(SEM)對鋁板的表面從正上方以倍率100倍進行拍攝，在所得到的SEM照片中，至少抽出20個周圍連接成環狀的貫穿孔，讀取其開口直徑，算出它們的平均值作為平均開口直徑。
此外，貫穿孔的密度如以下那樣操作來測定。
首先，在鋁板的一面側設置平行光光學單元(CCS Inc.製MFU-34X30-BL)，使平行光透射，從鋁板的另一面，使用光學顯微鏡對鋁板的表面以倍率100倍、1392×1040像素進行拍攝，在所得到的光學顯微鏡照片中，對10個100mm×75mm的視野，計測貫穿孔的個數，換算成每mm2的個數，算出各視野(10個)中的值的平均值作為貫穿孔的密度。
此外，關於孔間距離，與孔密度測定同樣地，在鋁板的一面側設置平行光光學單元(CCS Inc.製MFU-34X30-BL)，使平行光透射，從鋁板的另一面，使用光學顯微鏡對鋁板的表面以倍率100倍、 1392×1040像素進行拍攝，在所得到的光學顯微鏡照片中，對100mm×75mm的視野、10個，將各自的圖像用圖像分析軟體(Image J)2值化、反轉後，實施Voronoi處理。進而，將經反轉的圖像和實施了Voronoi處理的圖像疊加，取得在貫穿孔間畫有邊界線的圖像(圖5的(B))。
接著，在該圖像中，讀取所有相鄰的2個貫穿孔彼此的孔間距離，求出最大值，並且算出孔間距離的平均值。
[評價]
<塗佈性>
在所製作的鋁板的兩面形成活性物質層，根據活性物質層的表面的凹凸的有無來評價塗佈性。
首先，作為活性物質，通過將比表面積為1950m2/g的活性碳粉末100質量份、乙炔黑10質量份、丙烯酸系黏合劑7質量份和羧甲基纖維素4質量份添加到水中並進行分散，來製備漿料。
接著，在形成有貫穿孔的鋁板的兩面，利用模塗機按照合計達到200μm的厚度的方式塗敷所製備的漿料，在120℃下乾燥30分鐘，在鋁板的表面形成活性物質層。
目視評價在所形成的活性物質層的表面是否見到凹凸，將沒有直徑為40μm以上的凹凸的情況設為A，將見到直徑為40μm~100μm的凹凸的情況設為B，將見到直徑為100μm以上的凹凸的情況設為C。
<預摻雜特性>
將以使用所製作的鋁板作為集電體的電極作為正極來製作預摻雜速度評價單元，通過以下的方法來評價預摻雜特性。
(正極的製作)
在所製作的鋁板的兩面，以塗佈厚度10μm塗敷導電性塗料(日本黑鉛工業股份有限公司製Varniphite T-602)後，在200℃且24小時的條件下進行減壓乾燥，在鋁板的兩面形成導電層。
接著，通過在所形成的導電層上，利用模塗機以兩面的總厚度為90μm、且14mm×20mm的面積塗敷以下述的組成比製備的正極活性物質層形成用漿料後，在200℃且24小時的條件下減壓乾燥後，進行壓製加工，從而在兩面的導電層上形成正極活性物質層。所得到的正極活性物質層的厚度(總厚度)為72μm。
〔正極活性物質層形成用漿料〕
水系分散體黏合劑“SBR BM-400B”(Zeon Cprppratipn製)3質量%
CMC(羧甲基纖維素)鈉鹽2200(Daicel Corporation製)3質量%
活性碳“YP-50F”(Kuraray Chemical Co.,Ltd.製)86質量%
導電劑“DENKA BLACK電池品級粒狀”(電氣化學工業股份有限公司製)8質量%
(負極的製作)
通過在負極集電體(氣孔率為57%、厚度為32μm的銅製膨脹合金(日本金屬工業股份有限公司製))的兩面，利用模塗機以兩面的總厚度為80μm、且14mm×20mm的面積塗敷以下述的組成比製備的負極活性物質層形成用漿料後，在200℃且24小時的條件下減壓乾燥後，進行壓製加工，從而在兩面的導電層上形成正極活性物質層。所得到的負極活性物質層的厚度(總厚度)為56μm。
〔負極活性物質層形成用漿料〕
水系分散體黏合劑“SBR BM-400B”(Zeon Corporation製)2質量%
CMC(羧甲基纖維素)鈉鹽2200(Daicel Corporation製)4質量%
石墨“MAG-E”(日立化成股份有限公司製)89質量%
導電劑“DENKA BLACK電池品級粒狀”(電氣化學工業股份有限公司製)5質量%
(預摻雜速度評價單元)
將按照各個塗敷部重疊的方式將負極/纖維素系間隔件/正極/纖維素系間隔件重疊而得到的產物作為1個單元，使負極位於下方地將10個單元層疊，將堆壘體的4邊利用紙帶進行固定，製作了電極層疊單元。
另外，在電極層疊單元的最上方，設置了厚度為100μm的鋰金屬箔作為參比電極．鋰離子供給源。
另外，作為纖維素系間隔件，使用了市售的厚度為10μm纖維素系間隔件。
在所製作的電極層疊單元的正極集電體的各個未塗敷部，焊接正極用電源接頭。另外，正極用電源接頭是將寬度為50mm、長度為50mm、厚度為0.2mm的鋁製的片材用密封膜被覆來製作的。
同樣地，在負極集電體的各個未塗敷部及鋰金屬箔上焊接負極用電源接頭。另外，負極用電源接頭是將寬度為50mm、長度為50mm、厚度為0.2mm的銅製的片材用密封膜被覆來製作的。
接著，在外裝膜上的成為收納部的位置，按照其各電源接頭從外裝膜的端部向外方突出的方式配置上述的電極層疊單元，使外裝膜與該電極層疊單元重疊在一起，對除電解液注入口以外進行熱熔接。
另一方面，使用碳酸乙烯酯、碳酸二乙酯、碳酸甲乙酯(以體積比計為3：3：4)的混合溶劑，製備了含有濃度為1.0mol/L的LiPF6的電解液。
接著，從電解液注入口注入上述電解液後，將電解液注入口熱熔接而製作了預摻雜速度評價單元。
[評價]
<預摻雜特性>
在30℃、常壓下，使上述的預摻雜速度評價單元中的負極與鋰金屬箔短路，測定各負極的電位。
測定至全部負極的電位元元在0V附近穩定為止的時間，作為預摻雜完成時間。
將評價結果示於表1中。
如表1所示的那樣，由實施例與比較例的對比獲知，通過將鋁板中形成的貫穿孔的平均開口直徑設為1μm~100μm，將密度設為50個/mm2~2000個/mm2，將相鄰的貫穿孔的孔間距離設為300μm以下，從而活性物質層的塗佈性提高而表面的均勻性提高，並且能夠提高預摻雜特性。
此外，由實施例1~4的對比獲知，孔間距離的最大值及平均值越小，則預摻雜的速度變得越快，預摻雜特性越發提高。
此外，由實施例1與實施例5的對比獲知，密度越大則預摻雜特性越發提高，以及平均開口直徑越小則塗佈性越發提高。
此外，由比較例1獲知，若平均開口直徑超過100μm則塗佈性降低。
此外，由比較例1、3、4獲知，若密度低於50個/mm2則預摻雜特性降低。
此外，由比較例2、3獲知，若孔間距離的最大值超過300μm則預摻雜特性降低。
如上所述，本發明的效果明顯。

Claims (8)

  1. 一種鋁板，其是具有沿厚度方向貫穿的多個貫穿孔的鋁板，所述貫穿孔的平均開口直徑為1μm~100μm，所述貫穿孔的密度為50個/mm2~2000個/mm2，相鄰的所述貫穿孔的孔間距離的最大值為300μm以下。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的鋁板，其中，相鄰的所述貫穿孔的所述孔間距離的平均值為150μm以下，所述孔間距離的平均值與最大值不同。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述的鋁板，其中，所述貫穿孔的平均開口直徑超過5μm且為80μm以下。
  4. 如申請專利範圍第1或2項所述的鋁板，其中，開口直徑為5μm以下的所述貫穿孔的比例為50%以下。
  5. 如申請專利範圍第1或2項所述的鋁板，其具有金屬層，所述金屬層由至少覆蓋所述貫穿孔的內表面的金屬鍍層構成。
  6. 如申請專利範圍第3項所述的鋁板，其中，開口直徑為5μm以下的所述貫穿孔的比例為50%以下。
  7. 如申請專利範圍第3項所述的鋁板，其具有金屬層，所述金屬層由至少覆蓋所述貫穿孔的內表面的金屬鍍層構成。
  8. 如申請專利範圍第6項所述的鋁板，其具有金屬層，所述金屬層由至少覆蓋所述貫穿孔的內表面的金屬鍍層構成。
TW104128359A 2014-09-30 2015-08-28 鋁板 TWI663050B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014-200514 2014-09-30
JP2014200514 2014-09-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201612006A TW201612006A (en) 2016-04-01
TWI663050B true TWI663050B (zh) 2019-06-21

Family

ID=55630022

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104128359A TWI663050B (zh) 2014-09-30 2015-08-28 鋁板

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20170200568A1 (zh)
EP (1) EP3202957B1 (zh)
JP (1) JP6374013B2 (zh)
KR (1) KR101915483B1 (zh)
CN (2) CN107075714A (zh)
TW (1) TWI663050B (zh)
WO (1) WO2016051976A1 (zh)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106795646B (zh) * 2014-10-14 2018-12-18 富士胶片株式会社 铝板和铝板的制造方法
JPWO2017018462A1 (ja) * 2015-07-30 2018-06-28 富士フイルム株式会社 アルミニウム板
US9990707B2 (en) * 2016-05-11 2018-06-05 International Business Machines Corporation Image analysis methods for plated through hole reliability
EP3522193A4 (en) * 2016-09-29 2019-10-30 FUJIFILM Corporation ALUMINUM ELEMENT FOR ELECTRODES AND METHOD FOR PRODUCING ALUMINUM ELEMENT FOR ELECTRODES
US10851461B2 (en) * 2017-03-31 2020-12-01 Hamilton Sunstrand Corporation Treated anodized metal article and method of making
JPWO2019026974A1 (ja) * 2017-08-01 2020-06-18 日立化成株式会社 アルミニウム箔、及び蓄電デバイス
WO2019066011A1 (ja) * 2017-09-29 2019-04-04 富士フイルム株式会社 積層体
CN111225997B (zh) 2017-10-16 2022-06-07 富士胶片株式会社 铝箔及电极用铝部件
CN109841420A (zh) * 2018-12-26 2019-06-04 谢春艳 新型超级电容器碳纳米洋葱导电剂浆料及其超级电容器
JPWO2021132406A1 (zh) * 2019-12-27 2021-07-01
CN113089069B (zh) * 2020-01-09 2022-05-20 山西沃特海默新材料科技股份有限公司 一种微孔箔材的制备方法
CN111599717B (zh) * 2020-05-09 2024-03-26 北京北方华创微电子装备有限公司 一种半导体反应腔室及原子层等离子体刻蚀机
JPWO2022185778A1 (zh) * 2021-03-02 2022-09-09

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011222672A (ja) * 2010-04-07 2011-11-04 Daiso Co Ltd 孔あき導電箔及びその製造方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005129924A (ja) * 2003-10-02 2005-05-19 Showa Denko Kk 電気二重層コンデンサ用金属製集電体およびそれを用いた分極性電極並びに電気二重層コンデンサ
US7949103B2 (en) * 2006-06-20 2011-05-24 Vontoo, Llc System and method for providing voice messaging with dynamic content
CN101266931B (zh) * 2008-04-28 2010-06-02 日月光半导体制造股份有限公司 具有高深宽比镀通孔的装置的制造方法
WO2011040292A1 (ja) * 2009-09-30 2011-04-07 東洋アルミニウム株式会社 アルミニウム貫通箔及びその製造方法
JP2011249150A (ja) * 2010-05-27 2011-12-08 Mitsubishi Alum Co Ltd 蓄電デバイス集電体用アルミニウム箔及び蓄電デバイス集電体
JP6199416B2 (ja) * 2014-01-31 2017-09-20 富士フイルム株式会社 アルミニウム板の製造方法、アルミニウム板、蓄電デバイス用集電体、蓄電デバイス、防音・吸音材、電磁波シールドおよび建築用材料

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011222672A (ja) * 2010-04-07 2011-11-04 Daiso Co Ltd 孔あき導電箔及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20170200568A1 (en) 2017-07-13
EP3202957A1 (en) 2017-08-09
EP3202957A4 (en) 2017-09-27
KR20170044698A (ko) 2017-04-25
WO2016051976A1 (ja) 2016-04-07
JPWO2016051976A1 (ja) 2017-07-27
CN107075714A (zh) 2017-08-18
TW201612006A (en) 2016-04-01
JP6374013B2 (ja) 2018-08-15
KR101915483B1 (ko) 2018-11-06
EP3202957B1 (en) 2020-07-29
CN110453204B (zh) 2022-02-11
CN110453204A (zh) 2019-11-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI663050B (zh) 鋁板
JP6328785B2 (ja) アルミニウム板およびアルミニウム板の製造方法
US10593989B2 (en) Method for manufacturing aluminum plate, aluminum plate, collector for storage device, and storage device
WO2016017380A1 (ja) アルミニウム板
WO2017018462A1 (ja) アルミニウム板およびアルミニウム板の製造方法
TW201639975A (zh) 鋁板和蓄電裝置用集電體
US11527760B2 (en) Aluminum member for electrodes and method of producing aluminum member for electrodes
CN111225997B (zh) 铝箔及电极用铝部件